KR20100053687A - 촬영 화상에 기초한 검사 방법 및 검사 장치 - Google Patents

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요코 오노
코이치 미야조노
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히데키 모리
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시바우라 메카트로닉스 가부시키가이샤
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Abstract

<과제>
촬영 화상에 기초하여 피검사체의 표면에 있어서의 막이나 결함 부분 등의 상태를 보다 정밀도 좋게 검사할 수 있는 검사 방법 및 검사 장치를 제공하는 것이다.
<해결 수단>
피검사체(10)의 표면을 조명부로부터의 백색광 LO로 조명하면서, 피검사체(10)의 표면을 촬영부(100)에 의해 촬영하여 촬영 화상을 취득하고, 당해 촬영 화상에 기초하여 피검사체(10)의 표면의 상태를 검사하는 검사 방법 및 검사 장치로서, 피검사체(10)의 조명된 부위로부터 촬영부(100)에 입사하는 광 LR의 편광 상태를 바꾸고, 상기 촬영부(100)에 입사하는 다른 편광 상태의 광 LR에 기초하여 복수의 촬영 화상을 취득하는 구성으로 된다.

Description

촬영 화상에 기초한 검사 방법 및 검사 장치{INSPECTION METHOD BASED ON CAPTURED IMAGE AND INSPECTION DEVICE}
본 발명은 반도체 웨이퍼(wafer) 등의 피검사체의 표면을 촬영하여 얻어지는 촬영 화상에 기초하여 피검사체의 검사를 행하는 검사 방법 및 검사 장치에 관한 것이다.
종래, 반도체 웨이퍼의 둘레 단면에 있어서의 결함을 검출하기 위한 검사 장치(외관 검사 장치)가 제안되어 있다(예를 들면, 특허문헌 1). 이 검사 장치는 검사 대상으로 되는 반도체 웨이퍼의 둘레 단면을 라인 센서(line sensor)로 주사할 때에 화소마다 얻어지는 농담(계조(階調)) 신호에 기초하여 얻어지는 촬영 화상을 해석하여 그 둘레 단면에 있는 결함, 흠집, 이물질 등을 나타내는 정보를 생성하고 있다. 이러한 검사 장치에 의하면, 반도체 웨이퍼의 둘레 단면의 요철 상태나 그 둘레 단면에 어떠한 결함 등이 있는지를 판정할 수가 있다.
그런데, 반도체 웨이퍼의 제조 공정에는 산화막, 질화막, 폴리실리콘막, 알루미늄막 등의 성막 공정, 감광 재료(레지스트(resist))의 도포, 노광, 현상 등을 행하는 포토리소그래피(photolithography) 공정, 포토리소그래피 공정에서 반도체 웨이퍼에 형성된 레지스트막을 부분적으로 제거하는 에칭(etching) 공정 등이 포함된다. 이러한 공정에 의해 반도체 웨이퍼의 표면에 형성된 각종의 막의 상태를 알 수 있으면, 성막 공정, 포토리소그래피 공정, 에칭 공정에서의 조건 등이 적정한지 아닌지를 판단할 수가 있다. 이 때문에 반도체 웨이퍼 표면의 흠집 등의 결함과 함께 막의 상태를 검출하는 것이 요망되고 있다.
일본 특허공개 2000－114329호 공보
그렇지만, 전술한 종래의 검사 장치와 같이 라인 센서로부터의 농담 신호로부터 얻어지는 촬영 화상 상에서는, 흠집 등의 결함(요철 부분)의 상태 및 각종 막이 달라도 같은 농담의 정도로 나타나는 부분, 혹은 같은 정도의 색미(色味)로 되는 부분에 대해서는 구별할 수가 없다. 예를 들면, 동(Cu)의 피막층도 어떤 두께의 Si02층도 다 같이 붉은빛을 띠고 있어 촬영 화상 상에 있어서 구별하는 것이 어렵다. 이러한 경우 정밀도가 좋은 검사 결과를 얻는 것이 어렵다.
본 발명은 이러한 사정을 감안하여 이루어진 것이고, 촬영 화상에 기초하여 피검사체의 표면에 있어서의 막이나 결함 부분 등의 상태를 보다 정밀도 좋게 검사할 수 있는 검사 방법 및 검사 장치를 제공하는 것이다.
본 발명에 관계되는 검사 방법은, 피검사체의 표면을 조명부로부터의 백색광으로 조명하면서, 상기 피검사체의 표면을 촬영부에 의해 촬영하여 촬영 화상을 취득하고, 당해 촬영 화상에 기초하여 상기 피검사체의 표면의 상태를 검사하는 검사 방법으로서, 상기 피검사체의 조명된 부위로부터 상기 촬영부에 입사하는 광의 편광 상태를 바꾸는 제1스텝(step)과, 상기 촬영부에 입사하는 다른 편광 상태의 광에 기초하여 복수의 촬영 화상을 취득하는 제2스텝을 가지는 구성으로 된다.
이러한 구성에 의해, 다른 편광 상태의 광에 기초한 복수의 촬영 화상이 얻어지므로, 피검사체의 표면에 있어서의 선광도(旋光度)가 다른 부분에 대해서는, 백색광에 대한 반사 특성(색미(色味) 등)이 같아도 상기 복수의 촬영 화상 상에서의 나타나는 방법이 다를 수 있다.
소정의 편광 특성(편광 방향)을 가지는 1 또는 복수의 편광 소자 각각의 광로 내에의 삽입, 비삽입 혹은 편광 소자의 회전 등에 의해 촬영부에 입사하는 광의 편광 상태를 바꿀 수가 있다.
또, 본 발명에 관계되는 검사 방법에 있어서, 상기 제1스텝은 상기 조명부로부터 피검사체의 표면을 조명하는 백색광의 편광 상태를 바꾸도록 구성할 수가 있다.
이러한 구성에 의해, 피검사체의 표면에서 반사되어 촬영부에 입사하는 광의 편광 상태를 직접 바꾸지 않아도, 조명부로부터 조사되는 백색광의 편광 상태가 바뀌므로, 결과적으로 촬영부에 입사하는 광의 편광 상태를 바꿀 수가 있다.
또, 본 발명에 관계되는 검사 방법에 있어서, 상기 제1스텝은 상기 조명부로부터 조사되는 백색광이 피검사체의 표면에서 반사한 후의 당해 반사광의 편광 상태를 바꾸도록 구성할 수가 있다.
이러한 구성에 의해, 조명부로부터 조사되어 피검사체의 표면에 입사하는 백색광의 편광 상태가 바뀌지 않아도, 피검사체의 표면에서의 반사광의 편광 상태가 바뀌므로, 촬영부에 입사하는 광의 편광 상태를 바꿀 수가 있다.
또한, 본 발명에 관계되는 검사 방법에 있어서, 상기 조명부로부터 조사되는 백색광이 상기 피검사체의 표면에 이르는 광로 및 상기 피검사체의 표면으로부터의 반사광이 상기 촬영부에 이르는 광로의 적어도 어느 것에 편광 부재가 설치되고, 상기 제1스텝은 상기 편광 부재의 편광 방향을 바꾸도록 구성할 수가 있다.
이러한 구성에 의해, 편광 부재의 편광 방향이 바뀜으로써, 조명부로부터 조사되어 피검사체의 표면에 이르는 백색광의 편광 상태 및 피검사체의 표면에서의 반사광의 편광 상태의 적어도 어느 것이 바뀌므로, 촬영부에 입사하는 광의 편광 상태를 바꿀 수가 있다.
또, 본 발명에 관계되는 검사 방법에 있어서, 상기 편광 부재는 상기 조명부로부터의 백색광이 상기 피검사체의 표면에 이르는 광로에 설치된 제1편광 소자와, 상기 피검사체에서의 표면으로부터의 반사광이 상기 촬영부에 이르는 광로에 설치된 제2편광 소자를 가지고, 상기 제1스텝은 상기 제1편광 소자 및 상기 제2편광 소자의 어느 일방의 편광 방향을 바꾸도록 구성할 수가 있다.
이러한 구성에 의해, 상기 제1편광 소자 및 상기 제2편광 소자의 어느 일방의 편광 방향을 바꿈으로써, 조명부로부터 피검사체의 표면, 또한 그 표면으로부터 촬영부에 이르는 광로를 통과하는 광의 편광 상태가 바뀌게 되므로, 촬영부에 입사하는 광의 편광 상태를 바꿀 수가 있다.
또, 본 발명에 관계되는 검사 장치는, 피검사체의 표면을 백색광으로 조명하는 조명부와, 상기 피검사체의 표면을 촬영하는 촬영부와, 상기 촬영부에서 촬영된 촬영 화상을 취득하고, 당해 촬영 화상에 기초하여 상기 피검사체의 상태의 검사에 관계되는 처리를 행하는 처리 유닛(unit)을 가진 검사 장치로서, 상기 조명부로부터 조사되는 백색광이 상기 피검사체의 표면에 이르는 광로 및 상기 피검사체의 표면으로부터의 반사광이 상기 촬영부에 이르는 광로의 적어도 일방에 배치된 편광 부재를 가지고, 상기 처리 유닛은 상기 편광 부재에 의해 상기 촬영부에 이르는 광의 편향 특성이 바뀐 상태에서 상기 촬영부로부터 복수의 촬영 화상을 취득하는 수단을 가지고, 상기 취득한 복수의 촬영 화상과 대응하는 편광 특성의 관계에 기초하여 상기 피검사체의 표면의 상태를 판정할 수 있도록 한 구성으로 된다.
본 발명에 관계되는 검사 방법 및 검사 장치에 의하면, 피검사체의 표면에 있어서의 선광도(旋光度)가 다른 부분에 대해서는, 백색광에 대한 반사 특성(색미(色味) 등)이 같아도 상기 복수의 촬영 화상 상에서의 나타나는 방법이 다를 수 있으므로, 그들 촬영 화상에 기초하여 피검사체의 표면에 있어서의 막이나 결함 부분 등의 상태를 보다 정밀도 좋게 검사할 수가 있다.
도 1은 본 발명에 관계되는 검사 방법에 따라 검사를 행하는 반도체 웨이퍼의 에지(edge) 검출 장치(검사 장치)의 제1의 예를 나타내는 도이다.
도 2a는 제1편광 소자와 제2편광 소자의 편광 방향이 평행한 경우의 촬영 화상의 예를 나타내는 도이다.
도 2b는 제1편광 소자와 제2편광 소자의 편광 방향이 직교하고 있는 경우의 촬영 화상의 예를 나타내는 도이다.
도 3은 본 발명에 관계되는 검사 방법에 따라 검사를 행하는 반도체 웨이퍼의 에지 검출 장치(검사 장치)의 제2의 예를 나타내는 도이다.
도 4는 본 발명에 관계되는 검사 방법에 따라 검사를 행하는 반도체 웨이퍼의 에지 검출 장치(검사 장치)의 제3의 예를 나타내는 도이다.
도 5는 CCD 라인 센서(line sensor)와 편광 소자의 배치 관계의 일례를 나타내는 도이다.
이하, 본 발명의 실시의 형태에 대해서 도면을 이용하여 설명한다.
본 발명의 실시의 형태에 관계되는 검사 방법은, 예를 들면 반도체 웨이퍼의 에지(edge) 검사 장치로 실시된다. 이 반도체 웨이퍼의 에지 검사 장치의 제1의 예는 도 1에 나타내듯이 구성된다.
도 1에 있어서, 피검사체로 되는 반도체 웨이퍼(이하, 단지 웨이퍼라고 한다)(10)의 외주 단면에 대향하도록 카메라 유닛(100)(촬영부) 및 조명 유닛(110)(조명부)이 설치되어 있다. 카메라 유닛(100)은 웨이퍼(10)의 직경 방향(일점쇄선 참조)에 대해서 소정의 각도를 가지고 그 외주 단면의 촬영 부위 Ed에 임하도록 배치되어 있다. 또, 조명 유닛(110)은 웨이퍼(10)의 직경 방향(일점쇄선)에 대해서 반대측으로 상기 소정의 각도를 가지고 그 외주 단면의 촬영 부위 Ed에 임하도록 배치되어 있다.
웨이퍼(10)는 도시되어 있지 않지만, 얼라인먼트(alignment) 기구에 의해 회전 장치의 스테이지(stage)에 동축으로 세트(set)되고, 그 스테이지의 회전에 수반하여 회전되게 되어 있다. 조명 유닛(110)은 내부의 백색 광원으로부터 백색광을 조사하고, 그 백색광 LO가 집광 렌즈(111)를 개재하여 웨이퍼(10)의 촬영 부위 Ed에 조사된다. 웨이퍼(10)의 촬영 부위 Ed에서 상기 백색광 LO가 반사하고, 그 반사광 LR이 카메라 유닛(100)에 입사한다. 카메라 유닛(100)은 촬상 소자로서 CCD 라인 센서를 가지고 있고, 그 CCD 라인 센서가 웨이퍼(10)의 면에 수직인 방향(도 1의 지면(紙面)에 대해서 수직)으로 뻗어 있도록 설치되고, 렌즈(101)를 개재한 상기 반사광 LR이 상기 CCD 라인 센서에 입력하도록 되어 있다. 조명 유닛(110)으로부터 웨이퍼(10)의 외주 단면의 촬영 부위 Ed에 이르는 광로 중에 제1편광 소자(200)가 설치되고, 웨이퍼(10)의 외주 단면의 촬영 부위 Ed로부터 카메라 유닛(100)에 이르는 광로 중에 제2편광 소자(210)가 설치되어 있다.
웨이퍼(10)가 회전하는 과정에서 카메라 유닛(100)으로부터 순차 출력되는 화상 신호는 화상 처리 유닛(300)에 공급되고, 화상 처리 유닛(300)에 의해 웨이퍼(10)의 외주 단면의 둘레 방향에 대응하여 뻗어 있는 촬영 화상이 생성된다. 그리고, 그 촬영 화상에 기초한 소정의 검사 처리가 이루어진다.
제1편광 소자(200)의 편광 방향과 제2편광 소자(210)의 편광 방향이, 예를 들면 서로 평행(수직 방향 또는 수평 방향)으로 되도록 설정된 상태에서, 조명 유닛(110)으로부터 백색광 LO가 조사됨과 아울러, 카메라 유닛(100)으로 웨이퍼(10)의 촬영 부위 Ed의 촬영이 이루어진다. 이 상태에서 조명 유닛(110)으로부터의 백색광 LO가 제1편광 소자(200)에 의해 편광되어 웨이퍼(10)의 외주 단부의 촬영 부위 Ed에 조사된다. 또한, 그 편광된 백색광 LO의 상기 촬영 부위 Ed에서의 반사광 LR이 제2편광 소자(210)에 의해 편광되고, 그 편광된 반사광 LR이 카메라 유닛(100)에 입사한다. 카메라 유닛(100)에 입사하는 광의 편광 상태는 편광 방향이 평행으로 되는 제1편광 소자(200) 및 제2편광 소자(210)에서의 편광 작용에 기초한 것으로 되고, 화상 처리 유닛(300)은 그러한 편광 작용을 받은 상태에서의 광에 기초한 촬영 화상을 취득한다. 예를 들면, 도 2a에 나타내는 것 같은 촬영 화상 I1이 얻어진다. 이 촬영 화상 I1은 웨이퍼(10)의 외주 단면에 상당하는 것이고, 그 촬영 화상 I1 내에는 예를 들면 막층 등의 부착물에 대응한 화상 부분 ID가 있다.
다음에, 제1편광 소자(200)의 편광 방향과 제2편광 소자의 편광 방향이 서로 직교하도록 설정된 상태에서 마찬가지로 촬영이 이루어진다. 이 경우 전술한 것처럼 카메라 유닛(100)에는 편광된 반사광 LR이 입사하지만, 그 입사하는 광의 편광 상태는 전술한 것과는 달리, 편광 방향이 서로 직교하는 상태의 제1편광 소자(200) 및 제2편광 소자(210)에서의 편광 작용에 기초한 것으로 된다. 화상 처리 유닛(300)은 이러한 편광 작용을 받은 상태에서의 광에 기초한 촬영 화상, 예를 들면 도 2b에 나타내는 것 같은 촬영 화상 I2를 취득한다. 이 촬영 화상 I2에서는 예를 들면 상기 촬영 화상 I1에 있어서의 화상 부분 ID가 2개의 부분 화상 ID1, ID2로 구별되어 있다.
카메라 유닛(100)에 입사하는 촬영 부위 Ed로부터의 반사광 LR의 광량은 촬영 부위 Ed 내의 웨이퍼(10) 표면이나 막층 등의 부착물의 선광도(旋光度)에 영향을 받는다. 따라서, 상기 2개의 촬영 화상 I1, I2(도 2a 및 도 2b)의 차이로부터, 촬영 화상 I1의 화상 부분 ID에 대응한 웨이퍼(10)의 외주 단면의 부착물은 촬영 화상 I2의 화상 부분 ID1, ID2에 대응한 적어도 2개의 성질이 다른 부분을 포함하고 있는 것을 알 수 있다. 그리고, 그 부착물 내의 일방의 화상 부분 ID1에 대응한 부분은 제1편광 소자(200) 및 제2편광 소자의 편광 방향의 관계를 바꾼 경우에(서로 직교하는 관계와 서로 평행으로 되는 관계), 촬영 화상 상에서의 나타나는 방법이 변화하는 것 같은 선광도를 가지는 재질이라고 판단할 수가 있다. 또, 그 부착물의 타방의 화상 부분 ID2에 대응한 부분은 제1편광 소자(200) 및 제2편광 소자의 편광 방향의 관계를 바꾼 경우라도(서로 직교하는 관계와 서로 평행으로 되는 관계), 촬영 화상 I 상에서의 나타나는 방법이 바뀌지 않은 것 같은 선광도를 가지는 재질이라고 판단할 수가 있다.
이러한 것으로부터, 화상 처리 유닛(300)은 전술한 것 같은 다른 편광 특성에서의 촬영 화상(도 2a 및 도 2b 참조)을 취득하고, 그들 복수의 촬영 화상 상에서의 나타나는 방법과 그 편광 특성(상태)의 관계(조합)에 기초하여, 당해 촬영 화상에 대응한 웨이퍼(10)의 표면의 상태, 예를 들면 부착물 등의 상태를 판정(검사)할 수가 있게 된다. 따라서, 촬영 화상에 기초하여 웨이퍼(10)의 표면에 있어서의 막이나 결함 부분 등의 상태를 보다 정밀도 좋게 검사할 수 있게 된다. 또한, 화상 처리 유닛(300)은 복수의 촬영 화상과 그 편광 특성의 대응 관계를 알 수 있도록 그 복수의 촬영 화상을 표시 유닛(도시 생략)에 표시시켜, 웨이퍼(10) 표면의 상태의 판단을 조작자(operator)에게 맡길 수가 있다. 또, 화상 처리 유닛(300)은 복수의 촬영 화상과 그 편광 특성의 대응 관계에 기초하여 자동적으로 웨이퍼(10)의 표면의 상태, 예를 들면 부착물 등의 위치 및 종류 등을 특정하고, 그 결과를 출력할 수도 있다.
반도체 웨이퍼의 에지 검사 장치의 제2의 예가 도 3에 도시된다. 또한, 도 3에 있어서 화상 처리 유닛(300)이 생략되어 있다. 이 제2의 예에서는 촬영 부위 Ed에 입사하는 백색광 LO의 광축과, 촬영 부위 Ed에서의 반사광 LR의 광축이 일치하는 이른바 동축 낙사(同軸 落射)의 구성으로 되어 있다.
도 3에 있어서, 카메라 유닛(100)은 그 광축이 웨이퍼(10)의 직경 방향에 일치하도록 배치된다. 웨이퍼(10)의 외주 단면의 촬영 부위 Ed로부터 카메라 유닛(100)에 이르는 광로에 제1편광 소자(200)와 제2편광 소자(210)가 설치되어 있다. 제1편광 소자(200)와 제2편광 소자(210) 사이에는 반투명경(magic glass)(120)이 설치되고, 조명 유닛(110)의 백색 광원으로부터 집광 렌즈(111)를 개재하여 출사되는 백색광 LO가 반투명경(120)에 의해 반사되고, 또한 제1편광 소자(200)를 개재하여 편광된 상태에서 웨이퍼(10)의 외주 단면의 촬영 부위 Ed에 입사한다. 또, 웨이퍼(10)의 외주 단면의 촬영 부위 Ed에서의 반사광 LR은 제1편광 소자(200)에서 편광되고, 반투명경(120)을 투과하여, 또한 제2편광 소자(210)에서 편광되어 카메라 유닛(100)에 이른다.
이러한 에지 검사 장치(제2의 예)에 있어서도, 전술한 예의 경우와 마찬가지로, 제1편광 소자(200)의 편광 방향 및 제2편광 소자(210)의 편광 방향을 바꾼 상태에서 카메라 유닛(100)으로부터 얻어지는 복수의 촬영 화상에 기초하여 웨이퍼(10)의 외주 단면의 표면의 상태를 검사할 수가 있다.
반도체 웨이퍼의 에지 검사 장치의 제3의 예가 도 4에 도시된다. 또한, 도 4에 있어서 화상 처리 유닛(300)이 생략되어 있다. 이 제3의 예는 도 3에 나타내는 제2의 예에 있어서의 제1편광 소자(200)가 제거된 구성으로 되어 있다. 이 제3의 예에 있어서는, 조명 유닛(110)으로부터 출사하는 백색광 LO는 웨이퍼(10)의 외주 단면의 촬영 부위 Ed에 이르기까지 편광되는 것은 없지만, 그 촬영 부위 Ed에서의 반사광 LR이 제2편광 소자(210)에 의해 편광된 상태에서 카메라 유닛(100)에 이른다. 이 경우는 제2편광 소자(210)의 편광 방향을 바꾸어(예를 들면, 수직 방향과 수평 방향) 카메라 유닛(100)에 의해 웨이퍼(10)의 표면을 촬영하여 복수의 촬영 화상을 얻는다. 그 복수의 촬영 화상에 기초하여 웨이퍼(10)의 외주 단면의 표면의 상태를 검사할 수가 있다.
각 예에 있어서, 제1편광 소자(200) 및 제2편광 소자(210)의 편광 방향을 바꾸어 복수의 촬영 화상을 얻도록 했지만, 제1편광 소자(200) 및 제2편광 소자의 적어도 하나를 광로 중에 넣은 상태와, 적어도 하나를 제거한 상태에서 얻어진 촬영 화상에 기초하여 검사를 행할 수도 있다. 또한, 각 편광 소자(200, 210)의 편광 방향을 바꾸는 방법은 수직 방향, 수평 방향의 90°의 변경이 아니라 임의의 각도(20°, 30°, 45° 등)의 변경이라도 좋다.
또한, 웨이퍼(10)의 제조 프로세스(process) 조건에 의해 사용되고 있는 물질 등에 대해서는 어느 정도 특정할 수 있다. 이 때문에, 구별하는 대상으로 되는 재질이 기존인 경우에는 그 재질의 선광도에 의해 편광 상태에 대한 최적인 조건을 미리 확인해 둘 수가 있다. 그 조건과 그것과 다른 조건에 따라서 복수의 촬영 화상을 얻음으로써 보다 효율적인 검사를 행할 수가 있게 된다.
예를 들면, CCD 라인 센서(1차원 라인 센서)를 촬상 소자로서 이용하는 카메라 유닛(100)에서는, 도 5에 나타내듯이 CCD 라인 센서(102)의 화소 배열 방향과 편광 소자(210)의 편광 방향을 직교시킨 상태와, 편광 소자(210)를 제거한 상태에서 각각 촬영 화상을 취득하고, 그들 촬영 화상에 기초하여 검사를 행할 수가 있다.
또한, 피검사체는 전술한 반도체 웨이퍼에 한정되지 않고, DVD 등의 디스크형 기록 매체라도, 또 특히 원반형 이외의 형상의 것이라도 좋다.
<산업상의 이용 가능성>
이상 설명한 것처럼, 본 발명에 관계되는 검사 방법 및 검사 장치는 촬영 화상에 기초하여 피검사체의 표면에 있어서의 막이나 결함 부분 등의 상태를 보다 정밀도 좋게 검사할 수가 있다고 하는 효과를 가지고, 반도체 웨이퍼 등의 피검사체의 표면을 촬영하여 얻어지는 촬영 화상을 해석하여 피검사체의 검사를 행하는 검사 방법 및 검사 장치로서 유용하다.
10　반도체 웨이퍼(wafer)(피검사체)
100　카메라 유닛(camera unit)
101　렌즈(lens)
102　CCD 라인 센서(line sensor)
110　조명 유닛
111　집광 렌즈
120　반투명경(magic glass)
200　제1편광 소자
210　제2편광 소자
300　화상 처리 유닛

Claims (6)

  1. 피검사체의 표면을 조명부로부터의 백색광으로 조명하면서, 상기 피검사체의 표면을 촬영부에 의해 촬영하여 촬영 화상을 취득하고, 당해 촬영 화상에 기초하여 상기 피검사체의 표면의 상태를 검사하는 검사 방법으로서,
    상기 피검사체의 조명된 부위로부터 상기 촬영부에 입사하는 광의 편광 상태를 바꾸는 제1스텝과,
    상기 촬영부에 입사하는 다른 편광 상태의 광에 기초하여 복수의 촬영 화상을 취득하는 제2스텝을 가지는 검사 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1스텝은 상기 조명부로부터 피검사체의 표면을 조명하는 백색광의 편광 상태를 바꾸는 것을 특징으로 하는 검사 방법.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 제1스텝은 상기 조명부로부터 조사되는 백색광이 피검사체의 표면에서 반사한 후의 당해 반사광의 편광 상태를 바꾸는 것을 특징으로 하는 검사 방법.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 조명부로부터 조사되는 백색광이 상기 피검사체의 표면에 이르는 광로 및 상기 피검사체의 표면으로부터의 반사광이 상기 촬영부에 이르는 광로의 적어도 어느 것에 편광 부재가 설치되고,
    상기 제1스텝은 상기 편광 부재의 편광 방향을 바꾸는 것을 특징으로 하는 검사 방법.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 편광 부재는 상기 조명부로부터의 백색광이 상기 피검사체의 표면에 이르는 광로에 설치된 제1편광 소자와, 상기 피검사체의 표면으로부터의 반사광이 상기 촬영부에 이르는 광로에 설치된 제2편광 소자를 가지고,
    상기 제1스텝은 상기 제1의 편광 소자 및 상기 제2의 편광 소자의 어느 일방의 편광 방향을 바꾸는 것을 특징으로 하는 검사 방법.
  6. 피검사체의 표면을 백색광으로 조명하는 조명부와,
    상기 피검사체의 표면을 촬영하는 촬영부와,
    상기 촬영부에서 촬영된 촬영 화상을 취득하고, 당해 촬영 화상에 기초하여 상기 피검사체의 상태의 검사에 관계되는 처리를 행하는 처리 유닛을 가진 검사 장치로서,
    상기 조명부로부터 조사되는 백색광이 상기 피검사체의 표면에 이르는 광로 및 상기 피검사체의 표면으로부터의 반사광이 상기 촬영부에 이르는 광로의 적어도 일방에 배치된 편광 부재를 가지고,
    상기 처리 유닛은 상기 편광 부재에 의해 상기 촬영부에 이르는 광의 편향 특성이 바뀐 상태에서 상기 촬영부로부터 복수의 촬영 화상을 취득하는 수단을 가지고,
    상기 취득한 복수의 촬영 화상과 대응하는 편광 특성의 관계에 기초하여 상기 피검사체의 표면의 상태를 판정할 수 있도록 한 검사 장치.
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