KR20090031591A

KR20090031591A - 코팅된 분자체

Info

Publication number: KR20090031591A
Application number: KR1020097001671A
Authority: KR
Inventors: 유르겐 사워; 에이. 콜
Original assignee: 세스 게터스 에스.피.에이; 나노스케이프 아게
Priority date: 2006-06-27
Filing date: 2007-06-27
Publication date: 2009-03-26
Also published as: WO2008000457A2; EP2054150A2; US20170065927A1; IL196086A; MX2008016381A; JP2009541200A; EP2054150B1; BRPI0713118A2; JP2013151422A; DE502007005221D1; CN104148011A; KR101383152B1; RU2009102268A; WO2008000457A3; CA2658027C; NO20090366L; DE102006029849A1; CA2658027A1; ATE482765T1; RU2458735C2

Abstract

본 발명은 입자의 크기가 1000 나노미터 이하고 입자의 표면이 일반식 SiR¹R²R³R⁴을 갖는 실란으로 소수성 코팅된 분자체와 또한 이의 제조방법 및 이용방법에 관한 것이다. 또한, 본 발명은 코팅된 분자체의 이용 및 분자체를 포함하는 조성물, 및 전자부품 및 전자장치와 같은 장치의 제조에의 이용에 관한 것이다.

Description

코팅된 분자체 {Coated Molecular Sieve}

본 발명은 코팅된 분자체와 이의 제조방법에 관한 것이다. 더욱이, 본 발명은 코팅된 분자체의 이용과 분자체를 포함하는 조성물에 관한 것이다. 더 나아가, 본 발명은 분자체의 이용과 전자부품 및 전자장치와 같은 장치의 생산에 있어서의 분자체를 포함하는 조성물과, 분자체를 포함하는 전자부품 및 전자장치와 같은 장치의 사용에 관한 것이다. 본 발명은 특히 소수성 성향으로 코팅된 분자체와 이의 제조방법에 관한 것이다. 또한 본 발명은 소수성 성향으로 코팅된 분자체의 이용도와 이 소수성 성향으로 코팅된 분자체를 포함하고 있는 조성물에 관한 것이다. 본 발명은 더 나아가 전자 부품 및 전자장치와 같은 장치의 생산에 있어서의 소수성으로 코팅된 분자체 및 이를 포함하는 조성물의 사용에 관한 것이고 또한 분자체를 포함하는 전자부품 및 전자장치와 같은 장치에 관한 것이다.

최근의 전기부품 및 전자부품 및 장치들은 이들이 기체 분자들의 활동 결과로서 공격 받음으로 인하여, 산소 또는 수증기와 같은 주변 대기로부터의 기체 분자들에 민감하고, 예를 들어, 부식 또는 가수분해의 결과로 분해될 수 있는 물질 또는 재료를 포함한다. 전자부품이나 전자장치들의 이러한 재료들을 보호할 수 있는 가장 일반적인 방법은 환경으로부터 밀폐된 공간에 넣어 봉합되어서 제공되는 것이다. 이러한 의미에서, 어떠한 상황에도 밀봉된 공간 안에 존재할 수 있는 기체 분자들을 모집할 있는 게터(getter)들을 밀봉된 공간안에 투입시키는 것이 일반적이다.

일반적인 게터 재료들은 기체 분자 또는 수분과 화학반응("흡수")에 의하여 결합할 수 있거나, 또는 이들을 물리적으로 포집("흡착") 할 수 있는 물질들이다. 현재 사용되고 있는 게터 재료들은 금속이나 금속합금, 또는 분자체가 있다. 수분(물)이나 산소와 같은 기체에 의해 물질이나 전자부품에 발생하는 피해로부터 보호하기 위하여 사용되는 게터 재료들은 inter alia, in DE 3218625 A1, DE　3511323 A1 또는 DE 3101128 A1에 설명되어 있다.

게터 재료들을 전자부품이나 전자장치들이 밀봉되어 있는 공간안에 투입하는 것 외에도 전자부품이나 전자장치안에 있는 민감한 물질들을 봉합하기 위해 사용할 유기물질 안에 게터물질을 투입시키는 것 또한 가능하다. 예를 들어, 게터 재료는 유기 고분자나 점착성이 있거나 표면 코팅된 조성물에 투입되어 전자부품이나 전자장치 등을 코팅하거나 점착력있는 케이싱으로 밀봉할 수 있다. 차단성을 갖고 있는 점착성있는 조성물들은 DE　10344449 A1에 기재되어 있고, DE 19853971 A1는은 무기/유기 폴리실록산 혼성 고분자에 대해 설명하고 있다. 더 나아가, US　2004/0132893 A1은 유기 바인더와 용매 및 제올라이트를 포함하는 몰딩이 가능한 페이스트를 개시하고 있는데, 상기 페이스트는 게터를 제조하기 위하여 사용된다. 미국 등록특허 제5,401,536호는 수분없이 밀봉된 전자 장치를 생산하기 위해, 양자화된 규산알루미늄 파우더와 고분자를 포함하는 코팅 및 점착제에 대해 기술하고 있다. 이 모든 구성 조직들은 주형(페이스트)에 균등히 분포되어 있진 않고 약간은 거칠게 박혀있는 게터 재료을 포함하고 있다. 이 구성 조직중 어느 하나도 투명한 층을 형성하지 않으며 프린팅 공정에서 사용될 수 없다.

최근 들어 많은 전기장치 및 전자장치들의 소형화가 가속화되고 있다. 이러한 소형화는 많은 문제점을 일으키고 있다, 특히 평균 환경에서 생산되는 수분이나 다른 기체 분자들에 민감한 물질이나 전자부품, 전자장치 등이 피해를 입는 것으로부터 보호하는 것과 같은 많은 문제가 있다. 그러는 한편, 보호받아야 하는 민감한 물질들은 점점 더 소형화되어, 이제는 비교적 적은 양의 기체분자도 이들을 훼손시키는데 충분하다. 따라서, 기체 분자가 전혀 들어오지 못할 만큼 보호가 좋아야 한다.

그러나 또 한편으로는, 전자부품이나 전자장치 안에 사용가능한 공간이 너무나도 작아지고 있기 때문에, 이러한 차원의 장치에 게터 재료이 쓰일려면 이 또한 가능한 최소의 형태여야 한다. 만약에 게터가 이러한 차원의 전자부품이나 전자장치를 밀봉하거나 외벽으로 덮는데 사용된다 하여도, 게터는 가능하면 가장 작은 형태여야 한다. 왜냐하면 전자부품이나 물질을 봉합하기 위해 사용할 층의 두꺼움도 중요시 되지만, 넓이(폭과 깊이)에 의한 차원도 중요하기 때문이다. 이 때문에 게터 재료의 입자 크기에 제한이 생기고, 몇 마이크로미터의 입자 크기를 갖고 있는 일반적으로 사용되어 왔던 게터 재료들을 분리하거나 실행하기 어려워 질수 도 있다. 현재 빠르게 진행되어가는 전자부품들의 소형화(예를 들어 MEMS 전자장치나 더 작은 예로 전기 광학 전자장치들)에 의하여 입자의 크기가 마이크로미터인 일반적으로 쓰이던 게터 재료들의 사용도에는 제한이 생길 가능성이 많아졌다.

혼성의 물질들이 고분자나, 표면 코팅된 조성물, 또는 점착제를 만들 때, 또 이때 게터 재료들을 민감한 재료나 물질, 전자부품이나 전자장치를 밀봉하려 사용할 때, 게터 재료는 각각의 입자들이 조성물질을 이루는 층보다 작거나 균등하게 분포되었을 때에 특히 더 효율적으로 물질, 전자부품이나 전자장치를 보호할 수 있다. 만약 혼합 층의 두께보다 입자의 크기가 큰 경우, 층에 듬성듬성 분포되었있는 게터 재료들에 의해서 도 1에서 도시된 것과 같이 아무 입자도 없는 곳에 기체나 물이 통할 수 있는 통로가 형성될수 있다.

그러는 한편, 기체나 물이 통할 수 있는 통로는 도 2에서 도시된 바와 같이 게터 입자들이 뭉치거나 덩어리를 형성하는 곳에도 형성될 수 있다. 이러한 이유 때문에 게터 재료들은 혼성 물질에 같이 존재하는 유기 조성물 안에서 좋은 분산력 을 갖고 있어야 한다. 고분자, 점착제, 표면 코팅된 조성물과 같이 일반적으로 밀봉하는 용도로 쓰이는 많은 유기 조성물에 대해서 부족한 분산력을 갖고 있는 것 또한 일반적으로 쓰이는 게터 재료들의 불이익이다.

예를 들어, 제올라이트와 같은 일반적인 게터 재료는 많은 고분자, 점착제, 표면 코팅 조성물나 용매와 같은 무극성 물질에 쓰이면 부족한 분산력을 갖고 있다. 치환적으로 제올라이트를 포함하는 산화 물질들을 무극성 용매에는 별로인 분산력을 갖고 있지만, 이와는 상반되게 물이나 묽은 산이나 염기에 대해선 좋은 분산력을 갖고 있다. 이러한 습성의 이유는 그러한 부류 물질의 표면에 있어서의 화학성 성질에 있다. 제올라이트를 포함하는 산화 물질의 외부 표면은 대개 수산화물기를 파괴한다[Nature and Estimation of Functional Groups on Solid Surfaces, H.P. Boehm, H. Knozinger, Catalysis Science and Technology, Vol.　4, Springer Verlag, Heidelberg, 1983]. 산화물이 물에 분포 되면 수산화물기와 물 사이에는 다양한 상호 반응이 작용한다. 수소 브릿지 결합이 형성되어 물층이 산화물에 접착하게 만든다. 산화물에 접착된 물층의 존재로 인하여 산화 입자들이 서로 접촉하는 것을 막아 뭉치거나 덩어리를 형성하는 것을 방지해 산화물을 안정된 수성 서스펜션의 형태로 얻는 것이 가능해진다. 용액의 수소 이온 농도에 따라, 표면에 존재하는 수산화물기가 양자를 얻고 잃는 현상에 의하여 제올라이트는 양자를 얻거나 잃을 수가 있다. 문제되는 수산화물기는 O^- 센터나 OH₂ ⁺ 그룹으로 존재한다. 산화물에 더해지는 전자는 수성 서스펜션을 더 안정화 시키며 이것은 서로를 향해 접근하는 입자들이 척력에 영향을 받아 서로 뭉치거나 덩어리를 형성하는 것을 막기 때문이다.

하지만 헥산, 톨루엔, 석유 에테르나 폴리에틸렌과 같은 낮은 극성을 가진 액체나 녹은 고분자 등의 유기용매와 같은 무극성 환경에서는 수소 브릿지 결합을 형성할 수 없어 상기한 산화 표면과 용매의 상호 작용이 일어날 수 없다. 또한 낮은 극성의 분자들에 의해 전자가 안정화 되지는 않는다. 이는 무극성 용매에 있는 산화물의 표면은 아주 약간만 전자가 가해진다는 뜻이다. 그러므로 산화물 입자들 사이에는 척력이 없거나 아주 적게 존재한다. 그러므로 도 3에서 나타난 바와 같이 무극성 용매에 존재하는 산화성 물질은 뭉치고 덩어리를 형성한다. 이러한 과정에서 표면에 존재하는 수산화물기의 응축 현상이 종종 일어나고, 입자들은 서로 뭉치며 커지는 현상이 일어나 커다란 덩어리들을 형성하게 된다. 이 덩어리들은 더 이상 흩어질수가 없다.

무극성 용매에 있는 산화 입자들을 분포하게 하기 위해서 문제시되는 산화물의 표면에 있는 수산화 그룹은 문제시 되는 용매와 비슷하게 유기 그룹으로 행동할 수 있다. 이러한 표면 코팅의 예는 DE　10319　937　A1에 설명되어 있다. 그러므로 산화 입자들의 표면은 무극성이고 공유결합된 그룹으로 코팅될수 있다. 화학적으로 저항적 결합인 공유결합이 선호되며, 그 이유는 무극성 그룹의 분실은 입자 들이 뭉치려고 하는 경향을 더욱 강하게 하기 때문이다. 영속성있는 공유결합이 이온결합보다 선호적이며 이것은 "The surface modification of zeolite-4A by CTMAB and its properties", L. Guo, Y. Chen, J. Yang, Journal of Wuhan University of Technology, Materials Science and Engineering, Wuhan University of Technology, Materials Science Edition (1999), 14(4), 18-23에 설명되어 있다. 그 이유는 이온쌍의 형성에 기초한 이온 결합은 다른 이온들에 의하여 쉽게 분해되기 때문이다.

이러한 방식으로 코팅된 입자의 표면에 있는 반응이 느린 유기 그룹에는 응축 반응이 작용할 수 없다. 그러므로 입자들 사이에 일어나는 상호 작용은 반 데르 발스의 힘을 위주로 일어난다. 이는 만약 두 입자가 서로에 접촉하게 되면 그들은 영속적으로 그리고 되돌리수 없이 뭉치는 것이 불가능해진다는 뜻이다. 이러한 기능을 같고 있는 산화물은 무극성 용매에서도 좋은 분산력을 갖고 있다.

이러한 기능력을 목표로 하는 일반적인 반응체의 예로는 트리메실클로로실레인(TMSCl)과 디에실디클로로실레인이 있다. 알킬헤일로실레인을 이용한 표면이 변형된 제올라이트 파우더는 EP 1 020 403 A1에 설명되어 있다. 이러한 종류의 반응체와 산화물이 반응하게 되면, 도 4에 도시한 바와 같이 염화수소가 떨어져 나가고 실란 라디칼과 산화물의 표면에 공유결합이 형성된다. 그러나 이러한 반응체들은 게터 재료들이 부식성이 강한 염화수소 분자들에 의해 공격당할 수 있는 불이익을 갖고 있다. 본 발명의 발명자들의 조사에 따르면, 특히 알킬헤일로실란이 제올라이트의 입자들의 포함을 파괴하는 것으로 나타났다. 입자가 작을수로 입자 외부 표면의 상대적 넓2가 커지기 때문에 그 영향은 더 명백하다. 치환적으로 다공성인 입자들이 특히 피해를 많이 본다. 이는 부식성 할로겐 원소들에 의하여 외부뿐만 아니라 내부도 공격을 받기 때문일 것이다. 헤일로실란 반응체를 사용할 때 또 다른 불이익은 다공성 입자가 코팅될 때 구멍들이나 내부 통로, 또는 공동들이 코팅되어 막힐수 있다는 점이다. 도 5에서 도시된 바와 같이 내부 표면들이 코팅되거나 막혀있지 않고, 이에 따라 본래 특성을 유지하는 것이 가장 바람직하다.

그러므로 제올라이트와 같은 산화된 게터 재료들은 외부 표면을 실란화 하기 위하여 알콕시실란들과 반응하기도 하며 이것은 "Surface 또는ganometallic chemistry on zeolites: a tool for modifying the s또는ption properties of zeolites" A. Choplin, Journal of Molecular Catalysis (1994), 86(1-3), 501-512에 기재되어 있다. 그러나 이러한 방식으로 변성된 제올라이트는 앞으로 또다른 변경에 준비하는 중간체로 밖에 설명되지 않는다. 이것이 가능한 이유는 상기한 바와 같이 변형된 제올라이트가 변형되지 않은 제올라이트와 비슷한 표면 특성을 지니고 있기 때문이다. 상기 과정에서 액상 매질에서 서로 크로스 링킹이 가능한 실란 커플링제가 사용된다. 이러한 효과는 예를 들어 제올라이트 입자의 콜로이드성 액상 서스펜션을 안정시키기 위해 제올라이트 입자를 DE　100　56 362 A1에 설명 되어 있는 아미노프로필트리메톡시실란(aminopropyltrimethoxysilane) 또는 글리시딜옥시프로필트리메톡시실란(glycidyloxypropyltrimethoxysilane)과 같은 실란 커플링제로 코팅할 때 활용된다. 표면 개질된 제올라이트의 제조 과정이나 이를 세제나 세척 요소로 사용하는 것은 EP　0　088　158　A1에 설명되어 있다. 이 표면 개질된 제올라이트들은 그들의 쓰임도에 따라서 알칸과 같은 친유성의 유기조성물에 불균질하게 분포될수 있는 친수성의 입자들이다.

일반적인 제올라이트들은 몇 마이크로미터의 입자 크기를 갖고 있으며(예를 들어, Sudchemie AG사의 "Dessipaste^TM" 브로셔 참조), 예를 들어, "Silylation of micro-, meso-, and non-p또는ous oxides: a review"; N. Impens; P. Van der Vo또는t; E. Vansant; Microp또는ous and Mesop또는ous Materials (1999), 28(2), 217, 또는 in "Chemical modifications of oxide surfaces"; P.Cool; E. Vansant; Trends in physical Chemistry (1999), 7, 145-158에 기재된 바와 같이 코팅될 수 있다. 그러나 이런 출처들은 이러한 코팅된 제올라이트 입자들이 고분자, 일반적으로 무극성의 물체들에 있어서의 분포 성질을 설명해 주지는 않은다. 얇은 막에 있는 게터 재료들에 있어서의 코팅된 제올라이트의 사용도 또한 설명되어 있지 않다.

고분자에 사용함에 있어 일반적인 게터 재료들의 또다른 불이익은 고분자와 다른 굴절률을 가진 게터 입자들 때문에 고분자가 흐려지는 것과 보이는 빛에서 40 나노미터가 훨씬 넘는 평균 크기에 있다. 만약 투명한 막이 형성된다면, 예를 들어 솔라셀이나 OLED들을 밀봉하기위하여 필요한 것과 같이, 이러한 흐림은 피하거나 가능한 낮아야한다.

일반적인 게터들의 다른 불이익은 그들의 크기 때문에 소형화된 전자부품이나 전자장치에 있어 일반적인 방식으로 적용될 수가 없다는 것이다. 최근의 이러한 장치들은 보통 자동화된 프린팅 장치 또는 스프레이 장치들에 의해 적절히 표면에 프린팅 되고 있다. 이곳에 사용되는 프린팅 노즐은 내부 직경이 몇 마이크로미터이다. 이러한 이유 때문에 이 과정을 거쳐갈 게터 재료을 포함하는 액체는 노즐의 내부 직경보다 큰 입자를 포함하고 있으면 안되고, 노즐을 막을수도 있는 고체 덩어리를 포함하고 있어서도 안된다.

이하 설명되는 발명의 목적은 상기한 일반적 물질들의 단점들을 극복하기 위한 것이다.

본 발명은 특히 소형화된 장치에서도 사용될수 있을만큼 작은 분자체를 제공할 수 있어야하며, 특히 무극성 유기조성물과 같은 유기 화합물에서 균등하게 분산되기에 적절해야한다. 분자체는 또한 투명한 막을 형성하는데 적절해야한다. 더 나아가 분자체는 프린팅 방법의 공정에 적절해야한다.

많은 연구 결과, 본 발명의 발명자들은 본 발명의 목적은 그 입자 크기가 1000 나노미터 이하이고, 입자의 표면이 실란의 일반식인 SiR¹R²R³R⁴으로 코팅된 소수성 코팅된 분자체로 해결되는 것을 발견했다. 상기 공식에서 R¹, R², R³ 또는 R⁴중 적어도 하나의 라디칼을 가수 분해될수 있는 그룹이고, 나머지 R¹, R², R³ 와 R⁴은 각각 알킬, 알케닐, 알키닐, 헤테로알킬, 싸이클로알킬, 헤테로아릴, 알킬싸이클로알킬, 헤테로(알킬싸이클로알킬), 헤테로싸이클로알킬, 아릴, 아릴알킬, 또는 헤테로(아릴알킬) 라디칼이다.

본 발명은 입자의 크기가 1000 나노미터 이하고 입자의 표면이 하기 일반식을 갖는 실란으로 소수성 코팅된 분자체에 연관되어 있다.

SiR¹R²R³R⁴,

상기 공식에서 R¹, R², R³ 또는 R⁴중 적어도 하나의 라디칼을 가수 분해될수 있는 그룹이이고, 나머지 R¹, R², R³ 와 R⁴은 각각 알킬, 알케닐, 알키닐, 헤테로알킬, 싸이클로알킬, 헤테로아릴, 알킬싸이클로알킬, 헤테로(알킬싸이클로알킬), 헤테로싸이클로알킬, 아릴, 아릴알킬, 아니면 헤테로(아릴알킬) 라디칼이다.

바람직한 구체예에서, R¹, R², R³이나 R⁴중 적어도 하나의 라디칼은 알콕시 그룹 및 시아닌 그룹에서 선택되는 친유성 그룹을 포함한다.

이러한 면에서, "분자체"라는 표현은 작은 분자들을 결합할 수 있는 화합물을 의미한다. "작은 분자"라는 표현은 2개 내지 12개의 원자, 바람직하게는 2개 내지 6개의 원자, 더욱 바람직하게는 2개 내지 3개의 원자를 갖는 분자를 뜻한다. 이 분자들은 일반적 조건에서는 평상시 대기에서 발견되는 있는 기체의 형태일 수 있다. 이러한 분자들의 바람직한 구체예로서는 공기에 포함되어 있는 기체, 예를 들어 산소(O₂)나 물(H₂O)이 있다. 분제체에 의한 분자들의 결합은 일반적으로 가역적이거나 또는 비가역적일 수 있으나, 가역적인 것이 바람직하다. 바람직한 분자체는 다공성 화합물이고, 이들은 표면 뿐만 아니라 기공의 내부로도 작은 분자들을 결합할 수 있다. 이러한 분자체의 좋은 예로는 전형적인 고체 산화물 또는 최근의 혼성 물질들이 있다.

이러한 관계에 있어서, "고체 산화물"이라는 표현은 결정체의 형태나, 부분적으로 결정체이거나 결정체가 아닌 고체로 존재하는 무기조성물다. 주기율표상의 메인 그룹이나 서브 그룹에서 하나 이상의 원소를 포함하는 양이온을 포한한 금속 양이온 외에도, 이러한 고체 산화물은 산소 원자로 포함된 음이온도 포함된다. 산화 음이온, 초산화물 음이온, 그리고 과산화물 음이온 외에 이러한 음이온의 예로서는 메인 그룹이나 서브 그룹의 산화물에 기초를 둔 산화황 음이온, 포스페이트 음이온, 실리케이트 음이온, 보레이트 음이온, 알루미네이트 음이온, 텅스타네이트 음이온 등이 있다. 이러한 음이온들은 격리된 형태나 체인, 밴드, 층, 프리임틀, 케이지와 같은 응축된 형태로도 존재한다. 이러한 종류의 음이온으로는 하나의 응축된 음이온에 다양한 원소들이 포함될 가능성 때문에 주 그룹이나 서브 그룹의 하나 이상의 원소를 가진 산화물들이 포함될 수 있다.

"혼성 물질"이라는 표현은 특히 형식적으로 무기화학에만 배정되어있는 것뿐만 아니라 유기화학에도 포함된 조성물들을 뜻한다. 이러한 혼합 물질의 바람직한 예로서는 금속 원자 외에 유기 분자들이 결합된 유기 금속들이 있다. 이러한 의미에서 금속 원자와 유기 분자 사이의 결합은 이온적일수도 있고 공유적일수도 있다. 이러한 조성의 조성물들은 체인, 밴드, 칼럼, 층, 프레임틀, 또는 케이지와 같은 2,3차원의 형태로 연결될 수 있다. 조성물들의 특성과 그들의 결합종류에 따라, 이러한 조성물들은 단단하거나 유연한 특성의 형태를 형성할 수 있다. 이러한 조성물의 바람직한 구체예로서는 유기금속성 고분자 부류나 MOF(metal organic framew또는k)로 불리는 부류의 조성물들이 있다. 이러한 혼성 물질의 바람직한 예로서는, 예를 들어 전이 금속 원자들, 예를 들어 구리나 아연, 금속 원자와 유기 체인, 또는 유기 프레임틀, 또는 피리딘, 피페리딘, 피롤, 인돌, 또는 피라진, 그와 같은 유리 고리 시스템과 결합을 형성하기 적합한 두개 이상의 기능을 가진 유기 분자, 예를 들어, 카르복실산 작용기, 아민 작용기, 티올 작용기와 같은 것들이 있다. 바람직한 예로서는 긴 탄화 수소 등뼈(C6-C18)를 갖고 있는 아연과 a,w-디카복실산의 혼성 조성물이나 카르복실산 기능으로 치환되는 아연과 질소를 포함하는 링 시스템이 있다. 이러한 조성물들은 입체 고체의 형태로 얻을수 있으며, H. Li et al., Nature 402 (1999), 276에 설명되어 있듯이, MOF-5와 같이 작은 분자들을 결합할 수 있다.

"입자"라는 표현은 특히 분리된 입자들의 형태로 존재하는 각각의 입자나 분자체의 작은 일부를 뜻한다. 입자들은 하나의 결정체의 형태로 존재하거나 입자들끼리 뭉쳐서 더 작은 결정체나 결정체가 아닌, 서로에게 고정되어 있는 입자들을 만들 수도 있다. 예를 들어 각각의 입자는 더 작은 결정체는 입자들로 포함된 모자이크 조성물 형태로 존재할 수 있다. 입자들은 둥근 모형이나, 예를 들어 구형, 알 모형, 또는 타원체의 모형, 또는 각 있는 모형으로, 예를 들어 정육면체, 정팔면체, 얇은 조각 형태로 존재할 수 있다. 가장 바람직한 입자는 구형이다.

"입자 크기"라는 표현은 입자의 최대 지름을 뜻한다. 여기서 쓰이는 이 표현은 코팅 되지 않은 입자의 최대 지름과 실란 코팅된 입자의 크기 모두를 표현할 때 이용하며, 특히 코팅된 입자의 최대 지름에 사용된다. 입자의 크기를 결정할때는 관습적인 방법인 디나믹 라이트 스케터링(dynamic light scattering) 테크닉을 사용한다. 이러한 이유에 입자들은 적절한 불활성 용매에 분포되거나 넣어놓고 적절한 측량 도구로 측량된다. 입자의 크기는 또한 SEM(scanning electron microse) 이미지로 측정하기도 한다. 각각의 입자들은 구형인게 바람직하다. 입자의 크기는 1000 나노미터 이하, 바람직하게는 800 나노미터 이하, 더욱 바람직하게는 600 나노미터 이하, 더욱 바람직하게는 400 나노미터 이하, 더욱 바람직하게는 300 나노미터 이하, 더욱 바람직하게는 200 나노미터 이하, 더욱 바람직하게는 100 나노미터 이하, 더욱 바람직하게는 40 나노미터 이하, 및 특히 26.6 나노미터 이하가 가장 바람직하다. 입자 크기의 최소는 2 나노미터 이상, 바람직하게는 5 나노미터 이상, 더욱 바람직하게는 10 나노미터 이상, 그리고 특히 15 나노미터 이상이 가장 바람직하다.

"수산화물 라디칼"이라는 표현은 -OH 기를 의미한다.

"알킬 라디칼"이라는 표현은 포화된 직선 또는 분지된 탄화수소를 뜻하며 이들은 하나에서 열두개의 탄소 원자를 갖고 있고 메틸, 에틸, 프로필, 이소프로필, n-부틸, 이소부틸, 세컨더리부틸, 터셔리부틸, n-펜틸, 이소펜틸, 네오펜틸, 세컨더리펜틸, 터셔리펜틸, n-헥실, 2,2-디메틸부틸 또는 n-옥틸 기와 같이 하나에서 여섯가지의 탄소원자를 갖고 있는게 가장 바람직하다. 높은 소수성을 갖고 있는 발명에 의하면 분지된 알킬 라디칼을 갖고 있는 실란의 이용은 분자체에 사용될 때 이익이라는 것이 밝혀졌다. 이것은 아마도 분자체의 친수성 표면이 용매로부터 좋은 쉴딩 역할을 해서일 것이다. 알킬 라디칼은 실리콘-탄소 결합에 의해 실리콘의 중앙 원자에 결합되어 있으며 친유성이지 않은 걸로 발명에 의해 이해되고 있다.

"알케닐 라디칼"이나 "알키닐 라디칼"은 2에서 20개의 탄소 원자를 갖고 있는, 바람직하게는 2에서 12개의 탄소 원자를 갖는, 가장 바람직하게는 2에서 6개의 탄소 원자를 갖는 비닐 또는 에틸, 알릴, 아세틸레닐, 프로파길(propargyl), 이소프레닐(isoprenyl) 또는 헥스-2-에닐(hex-2-enyl) 기와 같은 적어도 부분적으로 불포화된 곧은 또는 분지된 탄화수소 그룹을 의미한다. 하나나 두개(특히 하나)의 이중 결합을 가진 알케닐 그룹과 하나나 두개(특히 하나)의 삼중 결합을 갖고 잇는 알키닐 그룹이 바람직하다. 발명에 의해 이해된 바로는 알케닐이나 알키닐 라디칼은 실리콘-탄소 결합에 의해 실란에 실리콘 원자의 중심에 결합되어 있으며 친유적이지가 않다.

더 나아가, "알킬 라디칼", "알케닐 라디칼", "알키닐 라디칼"이라는 표현은 하나 이상의 수소 원자가 할로겐 원자나(불소, 염소, 브롬, 요오드) 클로로메틸, 브로모메틸, 트라이플로로메틸, 2-클로로에틸, 2-브로모에틸, 222-트라이클로로에틸, 헵타데카플로로-1122-테트라하이드로데실 그룹 같은 하나 이상의 -COOH, -OH, -SH, -NH₂, -NO₂, =O, =S, =NH그룹에 의해 치환 되는 그룹을 뜻한다.

"헤테로알킬 라디칼"이라는 표현은 하나 이상의(바람직하게는 1,2,3) 탄소 원자가 산소, 질소, 인, 불소, 셀렌, 실리콘, 아니면 황 원자(바람직하게는 산소, 황, 질소)에 의해 치환된 알킬, 알케닐, 또는 알키닐 라디칼을 뜻한다. 헤테로알킬이라는 표현은 더 나아가 아실, 아실랄킬, 알코실칼보닐, 아실로시알킬, 칼보실알킬라마이드 등의 칼보실릭 산에서 유래된 그룹을 말한다.

헤테로알킬 라디칼의 바람직한 구체예는 이하의 식들의 군을 포함한다.

R^a-O-Y^a-, R^a-S-Y^a-, R^a-N(R^b)-Y^a-, R^a-CO-Y^a-, R^a-O-CO-Y^a-, R^a-CO-O-Y^a-, R^a-CO-N(R^b)-Y^a-, R^a-N(R^b)-CO-Y^a-, R^a-O-CO-N(R^b)-Y^a-, R^a-N(R^b)-CO-O-Y^a-, R^a-N(R^b)-CO-N(R^c)-Y^a-, R^a-O-CO-O-Y^a-, R^a-N(R^b)-C(=NR^d)-N(R^c)-Y^a-, R^a-CS-Y^a-, R^a-O-CS-Y^a-, R^a-CS-O-Y^a-, R^a-CS-N(R^b)-Y^a-, R^a-N(R^b)-CS-Y^a-, R^a-O-CS-N(R^b)-Y^a-, R^a-N(R^b)-CS-O-Y^a-, R^a-N(R^b)-CS-N(R^c)-Y^a-, R^a-O-CS-O-Y^a-, R^a-S-CO-Y^a-, R^a-CO-S-Y^a-, R^a-S-CO-N(R^b)-Y^a-, R^a-N(R^b)-CO-S-Y^a-, R^a-S-CO-O-Y^a-, R^a-O-CO-S-Y^a-, R^a-S-CO-S-Y^a-, R^a-S-CS-Y^a-, R^a-CS-S-Y^a-, R^a-S-CS-N(R^b)-Y^a-, R^a-N(R^b)-CS-S-Y^a-, R^a-S-CS-O-Y^a-, R^a-O-CS-S-Y^a-, 여기서 R^a 은 수소 원자, C₁-C₆알킬, C₂-C₆알케닐 또는 C₂-C₆알키닐 기이오; R^b 은 수소 원자, C₁-C₆알킬, C₂-C₆알케닐 또는 C₂-C₆알키닐 기이고; R^c 은 수소 원자, C₁-C₆알킬, C₂-C₆알케닐 또는 C₂-C₆알키닐 기이고; R^d 은 수소 원자, C₁-C₆알킬, C₂-C₆알케닐 또는 C₂-C₆알키닐 기이고 Y^a 는 직접 결합, C₁-C₆알킬린, C₂-C₆알케닐린 또는 C₂-C₆알키닐린 기이고, 여기서 헤테로알킬 그룹은 적어도 하나의 탄소 원자를 포함하고 있으며 각각의 상황에 따라 불소, 염소, 요오드, 브롬 원자로 치환 될 수도 있다. 만약에 Y^a이 실리콘 원자와 예를 들어 질소, 산소나 황 사이의 결합이라면, 그 결합은 치환적으로 가수 분해 된다. 이러한 가수 분해될 수 있는 헤테로알킬 라디칼의 좋은 예로서는 메스옥시, 트라이플로로메스옥시, 에스옥시, 엔-프로필옥시, 아이소프로필옥시, 그리고 터셔리-부톡시와 같은 알콕시 기가 있다. 가수 분해 될수 있는 헤테로알킬 그룹의 또다른 바람직한 예로서는 니트릴 그룹과 시안화물 그룹이 있다. 실리콘-탄소 결합에 의해서 실란의 실리콘 원자의 중심과 결합되어 있는 헤테로알킬 라디칼은 치환적으로 가수 분해가 불가능하다. 가수 분해가 불가능한 헤테로알킬 라디칼의 자세한 예로서는 메톡시메틸, 에톡시메틸, 메톡시에틸, 메틸아미노메틸, 에틸아미노메틸 및 디이소프로필아미노에틸 등이 있다.

"싸이클로알킬 라디칼"이라는 표현은 특히 3부터 14 탄소 원자, 바람직하게는 3부터 10(특히 3,4,5,6,7) 탄소 원자를 포함하고 있는 뼈대를 포함하는 하나 이상의 링(바람직하게는 1,2,3개)을 가진 포화되거나 부분적으로 불포화된(예를 들어 싸이클로알케닐) 싸이틀릭 그룹을 뜻한다. 싸이클로알킬이라는 표현은 더 나아가 각각 서로로부터 개별적인 하나 이상의 수소 원자가 불소, 염소, 브롬이나 요오드 원자에 의해, 또는 -COOH, -OH, =O, -SH, =S, -HN₂, =NH 또는 -NO₂그룹, 예를 들어 싸이클로헥사논, 2-싸이클로헥사논 또는 싸이클로펜타논과 같은 가수분해가 불가능한 싸이클릭 케톤들에 의해 치환되는 그룹을 뜻한다. 싸이클로알킬 라디칼은 발명에 의하면 실란의 중심적 실리콘 원자에 -OH 나 -SH와 같은 치환 그룹을 통해 연결되어 있다. 이러한 싸이클로알킬 라디칼은 치환적으로 가수분해가 가능하다. 바람직하게는, 발명에 의한 싸이클로알킬 라디칼은 실란의 중심적 실리콘 원자에 실리콘-탄소 결합에의해 결합되어 있으며 가수분해가 불가능하다. 이러한 가수분해가 불가능한 싸이클로알킬 그룹의 좋은 예로서는 싸이클로프로필, 싸이클로부틸, 싸이클로펜틸, 스피로[4,5]데카닐, 노보닐, 싸이클로헥실, 싸이클로펜틸, 싸이클로헥사디에닐, 데카리닐, 쿠바닐, 바이싸이클로[4.3.0]노닐, 테트라린, 싸이클로펜틸싸이클로헥실, 플로로싸이클로헥실, 싸이클로헥스-2-에닐이나 아다만틸 그룹이 있다.

"헤테로싸이클로알킬 라디칼"이라는 표현은 하나 이상의(바람직하게는 1,2,3) 링 탄소 원자들이 산소, 질소, 시릴콘, 셀렌, 인이나 황 원자(바람직하게는 산소, 황이나 질소)에 의해 치환된 싸이클로알킬 그룹을 뜻한다. 헤테로싸이클로알킬 그룹은 바람직하게는 하나나 두개의 링이 3개에서 10개(바람직하게는 3,4,5,6이나 7)의 링 원자를 갖고 있다. 헤테로싸이클로알킬 라디칼이라는 표현은 더 나아가 각각 서로로부터 개별적인 하나 이상의 수소 원자가 불소, 염소, 브롬이나 요오드 원자, 아니면 -COOH, -OH, =O, -SH, =S, -NH₂, =NH 또는 -NO₂ 그룹중 하나에 의해 치환된 그룹을 말한다. 만약 헤테로싸이클로알킬 라디칼의 탄소 이외의 원자와, 예를 들어 산소, 질소나 황, 실란의 실리콘 원자 사이에 직접 결합이 있다면 이 결합은, 그리고 그 결과로 생성된 완벽한 라디칼도, 치환적으로 가수 분해가 가능하다. 바람직하게는 발명에 의한 헤테로싸이클로알킬 라디칼은 실란의 중심적 실리콘 원자와 실리콘-탄소 결합에 의해 결합되어 있으며 가수 분해할 수가 없다. 이러한 가수 분해 가능한 헤테로싸이클로알킬 라디칼의 예로서는 1-파이퍼라지닐, 엔-피롤리디닐이나 엔-파퍼리딜이 있으며 가수 분해가 불가능한 헤테로싸이클로알킬 라디칼의 예로서는 2-피롤리디닐이나 3-파이퍼리딜이 있다.

"알킬싸이클로알킬 라디칼"이라는 표현은 싸이클로알킬과 알킬, 알케닐 또는 알키닐 그룹을 위에서의 정의와 일치하게 포함하는 그룹, 예를 들어 알킬싸이클로알킬, 알킬싸이클로알케닐, 알케닐싸이클로알킬이나 알키닐싸이클로알킬 그룹을 말한다. 알킬싸이클로알킬 그룹은 바람직하게는 3개에서 10개(특히 3,4,5,6,7)의 링 탄소 원자를 가진 하나나 두개의 링으로 구성된 싸이클로알킬과 하나나 두개에서 여섯개의 탄소 원자를 가진 하나나 두개의 알킬, 알케닐 또는 알키닐 그룹으로 포함하고 있다.

"헤테로(알킬싸이클로알킬) 라디칼"이라는 표현은 하나 이상의(바람직하게는 1,2,3) 링 탄소 원자와 탄소 원자가 산소, 질소, 실리콘, 셀린, 인이나 황 원자에(바람직하게는 산소, 황이나 질소) 의해 치환된 알킬싸이클로알킬 그룹을 말한다. 헤테로(알킬싸이클로알킬) 그룹은 바람직하게는 세개에서 열개(특히 3,4,5,6,7)의 링 원자를 갖고 있는 하나나 두개의 링과 하나나 두개에서 여섯개의 탄소 원자를 갖고 있는 1나 2개의 알킬, 알케닐, 알키닐 또는 헤테로알킬 그룹을 갖는다. 만약 헤테로(알킬싸이클로알킬) 라디칼의 탄소 이외의 원자와 실란의 실리콘 원자와 직접 결합을 갖는다면, 이 결합, 그러므로 라디칼 전체가, 치환적으로 가수 분해가 가능하다. 바람직하게는, 발명에 의하면 아릴 라디칼은 실란의 중심적 실리콘 원자와 실리콘-탄소 결합으로 결합되어 있으며 가수 분해할 수가 없다. 가수분해할 수 없는 그룹과 라디칼의 바람직한 구체예로서는 싸이클릭 그룹이 포화나, 1가 불포화나, 2가 불포화나, 3가 불포화된 알킬헤테로싸이클로알킬, 알킬헤테로싸이클로알케닐, 알킬헤테로싸이클로알킬, 알킬헤테로싸이클로알케닐, 알케닐헤테로싸이클로알킬, 알키닐헤테로싸이클로알킬, 헤테로(알킬싸이클로알킬), 헤테로알킬헤테로싸이클로알킬과 헤테로알킬헤테로싸이클로알케닐 등이 있다.

"아릴 라디칼"이라는 표현은 여섯에서 14개의, 바람직하게는 6개에서 10개(특히 6개), 링 탄소 원자를 갖고 있는 방향족 화합물 그룹을 말한다. 아릴 라디칼(또는 Ar)이라는 표현은 더 나아가 각각 서로와 개별적인 수소 원자가 불소, 염소, 브롬이나 요오드, 또는 -COOH, -OH, -SH, -NH₂ 또는 -NO₂ 그룹 중 하나와 치환된 그룹을 말한다. 만약에 상응하는 치환 아릴 라디칼의 탄소 이외의 원자와, 예를 들어 산소, 질소나 황, 실란의 실리콘 원자 사이에 직접 결합이 형성된다면, 이 결합은, 그로 인해 전체적인 라디칼 또한, 치환적으로 가수 분해가 가능하다. 가수분해 가능한 아릴 라디칼로써는 페녹시나 아닐리노 라디칼이 있다. 가수 분해가 불가능한 그룹이나 라디칼로는 페닐, 벤킬, 나프닐, 바이페니1, 2-플로로페닐, 아닐리닐, 3-니트로페닐, 4-하이드록시페닐이나 펜타플로로페닐 라디칼이 있다. 페닐 라디칼과 같은 아릴 라디칼을 포함하는 실란의 이용도는 발명에 의하면 높은 소수성을 갖고 있는 분자체에 유리한것으로 나타난다. 이것은 아마도 친수성의 분자체 표면이 용매로부터 좋은 보호를 해줬기 때문일 것이다.

헤테로아릴 라디칼이라는 표현은 5에서 14개의, 바람직하게는 5에서 10개(특히 5나 6), 링 원자를 갖고 잇는 하나 이상의 링과 하나 이상의(바람직하게는 1,2,3이나 4) 산소, 질소, 인이나 황 링 원자(바람직하게는 산소, 황이나 질소)를 가진 방향족 화합물 그룹을 말한다. 헤테로아릴 라디칼이라는 표현은 더 나아가 각각 서로와 개별적인 수소 원자가 불소, 염소, 브롬이나 요오드, 또는 -COOH, -OH, -SH, -NH₂ 또는 -NO₂ 그룹 중 하나와 치환된 그룹을 말한다. 만약에 헤테로아릴 라디칼의 탄소 이외의 원자와, 예를 들어 산소, 질소나 황, 실란의 실리콘 원자 사이에 직접 결합이 형성된다면, 이 결합은, 그로인해 전체적인 라디칼또한, 치환적으로 가수 분해가 가능하다. 이러한 가수분해 가능한 헤테로싸이클로알킬 라디칼의 예로서는 1-피리딜이나 엔-피롤릴이 있으며 가수 분해가 가능치 않은 헤테로싸이클로알킬 라디칼로써는 2-피리딜이나 2-피롤릴 등이 있다.

"아릴알킬 라디칼"이라는 표현은 아릴과 알킬, 알케닐, 알키닐이날 싸이클로알킬 그룹을 모두 위의 정의에 준하여 포함하는 그룹을 말하며 그 예로서는 아릴알킬, 알킬아릴, 아릴알케닐, 아릴알키닐, 아릴싸이클로알킬, 아릴싸이클로알케닐, 알킬아릴싸이클로알킬, 및 알킬아릴싸이클로알케닐 그룹이 있다. 아릴알킬의 구체적인 예로서는 톨루엔, 실레인, 메시틸린, 스티린, 염화벤질, 오-플로로톨루엔, 1H-인덴, 테트랄린(tetraline), 디하이드로나프탈렌(dihydronaphthalene), 인다논(indanone), 페닐싸이클로펜틸(phenylcyclopentyl), 큐민(cumene), 싸이클로헥실페닐(cyclohexylphenyl), 플로린(fluorene) 및 인단(indan) 등이 있다. 바람직하게는, 아릴알킬 그룹은 여섯에서 열개의 링 탄소 원자와 하나나 두개에서 여섯개의 탄소 원자를 갖고 있는 하나나 두개의 알킬 알케닐 또는 알키닐 그룹, 또는 다섯이나 여섯개의 링 탄소 원자를 갖고 있는 싸이클로알킬 그룹을 가진 하나나 두개의 방향족의 링을 포함하고 있다.

"헤테로(아릴알킬) 라디칼"이라는 표현은 하나 이상의(바람직하게는1,2,3,4) 링 탄소 원자와 산소, 질소, 실리콘, 셀린, 인, 붕소또는 황(바람직하게는 산소, 황이나 질소) 원자에 의해 탄소 원자가 치환된 아릴알킬 그룹을 말한다. 이는 위의 정의에 준하여 아릴 또는 헤테로 아릴과 알킬, 알케닐, 알키닐 및/또는 헤테로알킬 및/또는 싸이클로 알킬 및/또는 헤테로싸이클로알킬 그룹을 포함하는 그룹을 말한다. 바람직하게는 헤테로(아릴알킬) 그룹은 5개나 6개에서 10개의 링 탄소 원자를 가진 하나나 두개의 방향족 화합물 링과 하나나 두개의 알킬, 알케닐 및/또는 하나나 2개에서 여섯개의 탄소 원자를 가진 알키닐 그룹 및/또는 다섯개나 여섯개의 링 탄소 원자를 가진, 여기서 1,2,3이나 4개의 탄소 원자는 산소, 황이나 질소 원소에 의해 치환된, 싸이클로알킬 그룹을 갖고 있다. 바람직한 구체예로서는 싸이클릭 그룹이 포화나, 1가 불포화나, 2가 불포화나, 3가 불포화된 아릴헤테로알킬, 아릴헤테로싸이클로알킬, 아릴헤테로싸이클로알케닐, 아릴알킬헤테로싸이클로알킬, 아릴알케닐헤테로싸이클로알킬, 아릴알키닐헤테로싸이클로알킬, 아릴알킬헤테로싸이클로알케닐, 헤테로아릴알킬, 헤테로아릴알케닐, 헤테로아릴알키닐, 헤테로아릴헤테로알킬, 헤테로아릴싸이클로알킬, 헤테로아릴-싸이클로알케닐, 헤테로아릴헤테로싸이클로알킬, 헤테로아릴헤테로-싸이클로알케닐, 헤테로아릴알킬싸이클로알킬, 헤테로아릴알킬-헤테로싸이클로알케닐, 헤테로아릴헤테로알킬싸이클로알킬, 헤테로아릴헤테로알킬싸이클로알케닐과 헤테로아릴헤테로-알킬헤테로싸이클로알킬 그룹이 있다. 만약에 헤테로(아릴알킬)라디칼의 탄소 이외의 원자와, 예를 들어 산소, 질소나 황, 실린의 실리콘 원자 사이에 직접 결합이 일어난다면 이 결합은 치환적으로 가수 분해가 가능하다. 만약에 헤테로(아릴알킬) 라디칼이 실린의 중심적 실리콘 원자와 실리콘-탄소 결합으로 결합되어 있다면, 이 헤테로(아릴알킬) 라디칼은 치환적으로 가수 분해 할 수가 없다.

"싸이클로알킬", "헤테로싸이클로알킬", "알킬싸이클로알킬", 헤테로(알킬싸이클로알킬)", "아릴", "헤테로아릴", "아릴알킬"과 "헤테로(아릴알킬)"이라는 표현은 또한 각각 개별적인 수소 원자가 불소, 염소, 브롬, 요오드 원자나 OH, =O, SH, =S, NH₂, =NH 또는 NO₂ 그룹 중 하나와 치환되는 그룹을 말한다. 이 표현은 더 나아가 치환되지 않은 C₁-C₆알킬, C₂-C₆알케닐, C₂-C₆알키닐, C₁-C₆헤테로알킬, C₃-C₁₀싸이클로알킬, C₂-C₉헤테로싸이클로알킬, C₆-C₁₀아릴, C₁-C₉헤테로아릴, C₇-C₁₂아릴-알킬 또는 C₂-C₁₁헤테로(아릴알킬) 그룹에 의해 치환된 그룹을 말한다.

바람직하게는, 위에서 언급된 각각의 라디칼에서, 모든 수소 원자들은 할로겐 원자에, 특히 불소 원자, 의하여 치환될수 있다. 특히 발명에 이용된 분자체가 액체 단계일 때, 예를 들어 액체유기조성물에 분포되어 있을 때, 불소수지된 라디칼을 가진 실란을 이용하는 것은 유리할 수 있다. 예를 들어 발명에 의한 분자체가 분포된 액체 유기조성물이 장치와 관련되어 쓰일 때, 예를 들어 스프레이 장치에서 스프레이 용도로 쓰일때나 프린팅 장치에서 프린트 용도로 쓰일 때, 불소수지된 라디칼을 가진 실란으로 코팅된 분자체의 입자와 장치의 표면과의, 예를 들어 저장 용기나 관, 또는 호즈나 노즐의 내부 표면, 상호작용이 유리하게 최소화된다.

특히 바람직한 실란으로는 아세토시실란(acetoxysilanes), 아세틸실란(acetylsilanes), 아크릴록시실란(acryloxysilanes), 아다만틸실란(adamantylsilanes), 알릴실란(allylsilanes), 알킬실란(alkylsilanes), 알릴옥시실란(allyloxysilanes), 알케닐실란(alkenylsilanes), 알콕시실란(alkoxysilanes), 알키닐실란(alkynylsilanes), 아미노실란(aminosilanes), 아지도술포닐실란(azidosulfonylsilanes), 벤조일옥시실란(benzoyloxysilanes), 벤질실란(benzylsilanes), 브로모알킬실란(bromoalkylsilanes), 브로모알케닐실란(bromoalkenylsilanes), 브로모비닐실란(bromovinylsilanes), 알콕시카보닐실란(alkoxycarbonylsilanes), 클로로알콕시실란(chloroalkylsilanes), 클로로알케닐실란(chloroalkenylsilanes), 클로로비닐실란(chlorovinylsilanes), 싸이클로알킬실란(cycloalkylsilanes), 싸이클로알케닐실란(cycloalkenylsilanes), 디페닐실란(diphenylsilanes), 디톨릴실란(ditolylsilanes), 에폭시실란(epoxysilanes), 플루오리네이티드실란(fluorinated silanes), 예를 들어 플르로리네이티드알킬알콕시실란(fluorinated alkylalkoxysilanes), 예를 들어 (3-헵타플루오로이소프로폭시)프로필1-트리메톡시실란, (CF₃)₂CF-O-C₃H₆Si(OCH₃)₃ 또는 플루오리네이티드알킬실란, 예를 들어 (헵타데카플루오로-1,1,2,2-테트라하이드로데실)트리에톡시실란, 메타크릴옥시실란, 나프틸실란(naphthylsilanes), 펜타플루오로페닐-실란(pentafluorophenyl-silanes), 페닐실란(phenylsilanes), 프로파길실란(propargylsilanes), 프로파길옥시실란(propargyloxysilanes), 실릴시아나이드(silyl cyanides), 실릴포스페이트(silyl phosphates) 또는 비닐실란(vinyl silanes)이 있다.

이 모든 실란 조성물들은 하나 이상의 키랄 중심을 갖고 있을수 있다. 본 발명은 따라서 모든 순수 거울상체와 모든 순수 디아스테레오머, 그리고 그 어떤 혼합비를 가진 조성물을 포함하고 있다. 더 나아가, 본 발명은 조성물의 모든 기하이성질체와 그것의 조성물 또한 포함하고 있다. 더 나아가 본 발명은 모든 호변체 형태를 포함하고 잇다.

"가수분해 가능한 그룹"이란 표현은 특히 물과 반응하여 찢어져 나가는 그룹, 여기서 그룹의 말단은(중심 실리콘 원자에서 멀리 떨어져 있는 부분) 중심 실리콘 원자를 포함하고 있는 나머지 분자와 나누어지며 중심 실리콘 원자를 포함하고 있는 나머지 분자에 수산화물 기능, -OH 그룹이 형성된다. 다른 말로, 발명에 의해 이해된 가수분해 가능한 그룹은 바람직하게는 예를 들어 물과 같은 반응에 의해 그룹을 나눠지거나 풀려나듯이 떠날 잠재 그룹이다. 이러한 종류의 가수분해 가능한 그룹은 다른 분자 -물 외에 -알코올, 양성자적 산(카르복실산), 황 산소 산이나 인 산소 산, 또한 산화 고체의 표면에 있는 수산기 그룹 같은 수산기 기능(-OH 그룹)에 의해서 분열 될수도 있다. 이러한 가수분해 가능한 그룹의 바람직한 구체예로서는 카르복시기나 술폰산, 그리고 알코올을 포함하는 에스테르 그룹과 같은 라디칼(R¹, R², R³ 또는 R⁴)들이 있다.

바람직하게는, 가수분해 가능한 그룹은 완전 라디칼을, 즉 R¹, R², R³ 또는 R⁴그룹 중 하나, 포함하여 화학 가수 분해 조건에서 완전 라디칼(R¹, R², R³이나 R⁴ )이 중앙 실리콘 원자가 포함된 잔여 분자로부터 분열되며 Si-OH 그룹이 형성된다. 이러한 종류의 가수분해 가능한 그룹의, 발명의 의미 안에서는 가수분해 가능한 라디칼로도 불리는, 바람직한 구체예로서는 일반식 -OR을 쓰는 산소 원자에 의해 결합된 알콕시 라디칼과 같은 헤테로 알킬 라디칼, 파이퍼리딘 라디칼과 같은 헤테로아릴 라디칼, NH₂나 NMe₂과 같은 아민 라디칼, 시안화물 또는 인산염 라디칼 등등이 있다. 산소 원자에 의해 결합된 알콕시 라디칼이 특별 선호시 되는데 그 예로서는 메톡시, 에톡시, 엔-프로페녹시, 아이소프로페녹시, 엔-부타녹시, 아이소부타녹시, 섹-부타녹시, 털트-부타녹시나 헥사녹시 라디칼 또는 페닐록시 라디칼 또는 시안화물 그룹이 있다.

가수분해 반응은 표준 조건에서 물의 존재하에 자발적으로 일어나는 현상이 선호적이지만, 표준 조건에서 높은 온도에서나 촉매의 존재하에 일어나는 현상도 포함하고 있다. 이러한 촉매 가수분해 현상의 바람직한 구체예로서는 전자친화제의 존재하에 일어나는 반응, 예를 들어 (양자적) 산촉매 반응, 또는 구핵원자 존재하에 일어나는 반응, 예를 들어 염기촉매 반응 등이 있다.

적어도 하나의 가수분해 가능한 그룹을 포함하는 실란으로 분자체 입자를 처리할 때, 가수분해 가능한 그룹은 입자 표면에 있는 작용기과 직접적으로 반응할 수 있다. 이 과정에서 가수분해 가능한 그룹이 분해되고 입자의 표면과 잔여 라디칼을 포함하는 실란과 결합이 형성되는 것이 선호된다. 이러한 입자는, 발명에 의해 이해될 때, 실란으로 표면이 코팅된 입자들을 얘기한다. 위에서 발명에 이용된 분자체는 실란에 의해 소수성으로 코팅되어 있는 것으로 정의되어 있다.

공주적으로 코팅된 분자체에 일어나는 코팅 반응 도중에, 실란의 가수분해 가능한 그룹 중 적어도 하나가, 잔여 라디칼을 포함하고 있는 실란이 분자체 입자의 표면을 결합됨으로서 인해 분자체 입자의 표면의 기능 그룹과 치환된다. 예를 들어 실란은 산화고체와 반응함으로 인해 적어도 하나의 가수분해 가능한 그룹이 무기고체의 표면의 수산화물기와 응축되고, 가수분해 가능한 그룹을 방출하며, 그 결과로 잔여 라디칼을 갖고 있는 실란 라디칼이 산소-실리콘 결합에 의해 분자체 입자와 결합된다. 모든 실란의 가수분해 가능한 그룹과 분자체 입자의 기능 그룹이 반응하여 분자체 입자와 그에 상응하는 결합을 형성하는 것이 바람직하다. 예를 들어 두개의 가수분해 가능한 그룹을 가진 실란은 분자체 입자와 같은 산화고체와 반응하여 두개의 가수분해 가능한 그룹이 무기고체 표면에 있는 두 수산화물기와 응충하여, 가수분해 가능한 그룹을 방출하며, 그 결과로 잔여 라디칼을 갖고 있는 실란 라디칼이 두개의 산소-실리콘 결합에 의하여 분자체 입자와 결합된다. 이러한 상황에서, 무기고체의 표면에 있는 두 수산화물기는 무기고체의 표면에 곁에 붙어있는 두 수산화물기가 바람직하다. 이와 상응하는 방법으로, 세개의 가수분해 가능한 그룹을 가진 실란은 분자체 입자와 같은 산화고체와 반응하여 세개의 가수분해 가능한 그룹이 무기고체 표면에 있는 세 수산화물기와 응충하여, 가수분해 가능한 그룹을 방출하며, 그 결과로 잔여 라디칼을 갖고 있는 실란 라디칼이 세개의 산소-실리콘 결합에 의하여 분자체 입자와 결합된다. 이러한 상황에서 무기고체의 표면에 있는 세 수산화물기는 무기고체의 표면에서 서로 붙어있는 세 수산화물기인 것이 바람직하다. 바람직하게는, 발명에 의한 소수성으로 코팅된 분자체는, 위에서 정의된 실란으로 분자체 입자를 처리하거나 위에서 정의된 실란으로 코팅하여 획득한, 잔여 가수분해 가능한 그룹을 포함하고 있지 않다. 발명에 의해 이해되었듯이, 위에서 정의된 실란으로 처리하여 획득한 소수성으로 코팅된 분자체는 실란으로 코팅된 분자체로도 언급되고 있다. 위에서 정의된 실란으로 코팅된, 발명에 의한 분자체는 특히 분자체 입자를 실란으로 처리하여 획득할 수 있다.

바람직하게는 실란은 표준 조건이나 입자가 코팅될 때 사용되는 조건하에 가수분해 가능한 그룹과 반응하는 기능성 그룹을 포함하고 있는 라디칼을 포함하고 있지 않다. 이러한 조성물은 본 발명에 불이익적이다. 왜냐하면, 예를 들어 언급된 조건에서 스스로 반응하여(폴리머라이즈), 더 이상 입자의 표면을 코팅할 때 이용될 수 없고, 또는 반응하여 바운드인 입자들을 가진 중합물질을 형성에 더 이상 분리된 입자의 형태를로 있을수 없게 되기 때문이다.

본 발명에서, 가수분해 가능한 그룹을 가진 라디칼 R¹, R², R³, R⁴와 나머지 라디칼 R¹, R², R³, R⁴, 예를 들어 알킬, 알케닐, 알키닐, 헤테로알킬, 싸이클로알킬, 헤테로아릴, 알킬싸이클로알킬, 헤테로(알킬싸이클로-알킬), 헤테로싸이클로알킬, 아릴, 아릴알킬 또는 헤테로(아릴-알킬) 라디칼 사이에 구별을 할 때, 그 의도는 잔여 라디칼들이 가수분해 가능한 그룹을 포함하지 못하게 규정하기 위한 것이다. 다른 말로, 발명에 의하면 실란의 R¹, R², R³ 또는 R⁴라디칼 중 적어도 하나는 가수분해 가능한 그룹을 포함하고 있으며 나머지 라디칼들은, 서로 서로 독립적으로 가수분해가 불가한 알킬, 가수분해가 불가한 알케닐, 가수분해가 불가한 알키닐, 가수분해가 불가한 헤테로알킬, 가수분해가 불가한 싸이클로알킬, 가수분해가 불가한 헤테로아릴, 가수분해가 불가한 알킬싸이클로알킬, 가수분해가 불가한 헤테로(알킬싸이클로알킬), 가수분해가 불가한 헤테로싸이클로알킬, 가수분해가 불가한 아릴, 가수분해가 불가한 아릴알킬, 또는 가수분해가 불가한 헤테로(아릴알킬) 라디칼들이 있다.

발명에 따르면, 실란의 R¹, R², R³, R⁴라디칼 중 적어도 하나는 가수분해 가능한 그룹을 포함하고 있다. 실란의 R¹, R², R³, R⁴라디칼 중 적어도 하나는 알콕시 그룹이나 시안화물 그룹에서 선택된 가수분해 가능한 그룹을 포함하는 것이 바람직하다. 하나나 둘이나 세개의 실란 라디칼이 가수분해 가능한 그룹을 포함하는 것이 선호적이며, 특히 하나나 세개의 실란 라디칼이 가수분해 가능한 그룹을 포함하는 것이 좋다.

가장 바람직한 발명의 구현에서, 바람직하게는 각각의 실란의 가수분해 가능한 라디칼은 가수분해 가능한 알콕시 라디칼이고, 잔여 라디칼들은, 서로 독립적으로 가수분해가 불가한 알킬 라디칼, 알케닐 라디칼, 알킬 라디칼, 싸이클로알킬 라디칼, 알킬싸이클로알킬 라디칼, 아릴 라디칼 그리고 아릴알킬 라디칼, 더 좋은 것은 알킬 라디칼, 싸이클로알킬 라디칼과 아릴 라디칼, 특히 분지된 알킬 라디칼 등에서 선택된다. 3개에서 8개의 탄소 원자를 가진 분지된 라디칼한테 특별 선호성이 주어진다.

바람직하게는, 잔여 라디칼은 알킬 라디칼일 때, 실란은 하나나 둘, 또는 세개의 가수분해 가능한 알콕시 라디칼을 갖고 있다. 이러한 실란들은 가수분해시, 독성에 의해 선택된 각각의 알카놀을 방출하여 유리하다. 더욱이 분자체에 대해서 알콜이 자동력 없게 행동하는 것 또한 유리하다. 그 말은 그것과 함께 반응도 하지 않고 그들에게 흡수 되지도 않는단 것이다. 이러한 실란의 바람직한예로서는 이소부틸트리메톡시실란(isobutyltriethoxysilane), 디이소부틸디에톡시실란(diisobutyldiethoxysilane), 트리이소부틸에톡시실란(triisobutylethoxysilane), 이소부틸트리메톡시실란(isobutyltrimethoxysilane), 디이소부틸디메톡시실란(diisobutyldimethoxysilane), 트리이소부틸메톡시실란(triisobutylmethoxysilane), 이소부틸디메틸메톡시실란(isobutyldimethylmethoxysilane), 이소부틸디에틸메톡시실란(isobutyldiethylmethoxysilane), 이소프로필트리에톡시실란(isopropyltriethoxysilane), 디이소프로필디에톡시실란(diisopropyldiethoxysilane), 트리이소프로필에톡시실란(triisopropylethoxysilane), 이소프로필트리메톡시실란(isopropyltrimethoxysilane), 디이소프로필디메톡시실란(diisopropyldimethoxysilane) 또는 트라이소프로필메톡시실란(riisopropylmethoxysilane)이 있다.

하나의 알킬 라디칼과 세개의 가수분해 가능한 알콕시 라디칼을 갖고 있는 실란에게 특별 선호성이 주어진다. 이러한 실란의 예로서는 이소브틸트리에톡시실란(isobutyltriethoxysilane), 이소부틸트리메톡시실란(isobutyltrimethoxysilane), 이소프로필트리에톡시실란(isopropyltriethoxysilane) 또는 이소프로필트리메톡시실란(isopropyltrimethoxysilane) 등이 있다.

같은 식으로 세개의 알킬 라디칼과 하나의 가수분해 가능한 알콕시 라디칼을 갖고 있는 실란 또한 특별 선호성이 주어진다. 이러한 실란의 예로서는 이소부틸-디메틸메톡시실란(isobutyl-dimethylmethoxysilane) 또는 이소부틸마이메틸메톡시실란(isobutyldiethylmethoxysilane) 등이 있다.

입자의 표면은 실란으로 코팅되어 있고, 입자의 표면 지역은 실리콘 원자와 그 나머지, 가수분해가 불가한인, 라디칼로 코팅되어 있다. 특히 입자의 표면은 실란에 의해 소수성으로 코팅 되어 있다. 이 과정에서 입자의 표면 지역은 다양한 실리콘 원자들로 코팅 될수 있다. 그에 따라서, 입자의 표면은 각 표면 지역당 2,3,4, 또는 5개의 실리콘 원자로 코팅 될 수 있으며, 이 상황에서 실리콘 원자들은 예를 들어 여러층을 형성하며 서로 서로의 위로 배열될 수도 있고 서로로부터 파생될 수도 있다. 바람직하게는, 코팅은 단층이며, 이 말은 각각의 표면 지역은 정확히 하나의 실리콘 원자와 이것의 잔여물로, 가수분해가 불가한 라디칼, 코팅되어 있다.

OH 그룹은 제올라이트와 같은 산화 물질의 외부 표면에 존재한다. 이러한 종류의 산화 입자들을, 예를 들어 무극성 용매, 분산시키기 위해서 문제의 산화물의 표면에 위치한 OH 그룹들이, 발명에 따르면, 잔류 유기 그룹을 갖고 잇는 실란으로 코팅되거나 기능화 된다. 이 케이스에서 잔류 유기 그룹은 문제화 되는 용매와 최대한 가장 유사하다. 그러하므로써 산화물 입자의 표면은 무극성과 공유적으로 결합된 그룹으로 코팅된다. 화학적으로 내성이 있는 공유결합의 형성은 무극성 그룹의 분실로 인해 입자들이 뭉치려는 경향이 있기 때문에 유리하다. 발명에 따르면 소수성으로 콩팅된 입자의 표면에 있는 반응이 느린 유기 그룹들 사이에 응축 반응이 일어나는 것은 불가능하다. 그러므로 입자들 사이의 상호 작용은 주로 반 데르 발스의 힘에 의해 일어나며, 이 뜻은 만약 두 입자가 서로와 접촉한다해도 영속성있는 변경될수 없는 덩어리를 형성할 수 없다는 것이다. 발명에 따러 소수성으로 코팅되거나 기능화된 산화물은 무극성 용매에서 좋은 분산력을 갖고 있다.

발명에 따라 정의된 실란과 산화물이 반응 할 때, 적어도 하나의 가수분해 가능한 그룹이 나눠지며 예를 들면 실란 라디칼과 산화물 표면에 공유결합 등이 형성된다. 만약에, 예를 들어, 적어도 하나의 가수분해 가능한 알콕시 라디칼을 갖고 있는 실란이 산화물과 반응을 일으킬 때에는 가수분해에 의해 오직 상응하는 알카놀이나 알킬 알콜이 방출되며 이들은 예를 들어 독성에 따라 선택될 수 있다. 가수분해 가능한 그룹이나 방출 그룹으로서의 알콕시 라디칼은 알콜은 치환적으로 규정된 조건하의 분자체에 대해 자동력없이 행동하기 때문에, 다시말해 반응하거나 흡수되지 않기 때문에, 유리하다.

발명에 따르면 분자체는 나노 크기 범위에서 그 작은 크기를 구별한다. 이 작은 크기가 그와 상응되는 작은 입체의 전자장치에 사용되는 것을 가능케한다. 예를 들어, 발명에 의한 분자체는 일 마이크로미터에 비해 크지 않은 틈이나 간격만 이용가능한 입체의 전자장치등에 유리하게 사용될 수 있다. 더욱이, 발명에 따르면 분자체는 실란으로 코팅되어 있기 때문에 실란의 가수분해가 불가한 라디칼이 원하는 특성을 입자의 표면에 전할 수 있는 것을 가능하게 한다. 특히 발명에 따르면 분자체의 표면은 실란에 의해 소수성으로 코팅되었기 때문에 실란의 가수분해가 불가한 라디칼이 입자의 포면에 소수성 성질을 전하는 것을 가능케 한다. 기술에 숙달된 사람은 어떠한 실란 라디칼을 골라야 원하는 성질을 가진 표면을 획득할 수 있는지 알것이다. 따라서, 예를 들어 친유성이거나 소수성 특성은 가수분해가 불가한 알케인 라디칼을 가진 실란을 통해 얻을수 있다. 이것은 개별의 알케인 디컬의 숫자나 특징을, 예를 들어 체인의 길이나 분지된 정도, 선택함에 따라 표면의 친유성이나 공유성 특성의 정도를 특정에 목표에 따라 변경할 수 있음으로서 가능하다. 이러한 종류의 분자체는 알케인 주성분의 유기 조성물, 예를 들어 용매(헥산이나 옥탄), 또는 고분자(폴리에틸렌이나 폴리프로필렌)에 덩어리가 형성되지 않고 유리하게 분포될 수 있다. 이에 상응되는 행동으로, 다른 가수분해가 불가한 라디칼을 가진 실란은 다른 유기조성물나 재료에도 분포될수 있는 표면 특성을 얻기 위해 이용되기도 한다. 예를 들어 방향성 그룹을 갖고 있는 가수분해가 불가한 라디칼은 방향성 조성물(예를 들어 방향족 용매 벤젠, 톨루엔, 크실렌, 피리딘, 나프탈렌 등), 또는 방향성 그룹을 갖고 있는 조성물(방향족 그룹을 가진 고분자로는 폴리스티렌 등)이나 방향족 그룹과 유사한 특성을 가진 조성물(예를 들어 탄소 조성물, 석묵, 풀러린, 탄소 나노튜브 등)에 분포되는 것을 가능케 한다. 더욱이 예를 들어 비닐 그룹을 포함하는 가수분해가 불가한 라디칼을 가진 실란에 의하여 비닐이 포함된 단량체와 교차 결합에 적합한 표면을 얻을 수 있다. 이러한 종류의 분자체는 화학적으로 폴리비닐 제료로 통합할 수 있다. 치환적으로 적절한 가수분해가 불가한 실린 라디칼의 선택에 의해서 발명에 의한 분자체의 표면 특성은 의도된 사용용도에 따라 조정될 수 있다. 특히 적절한 가수분해가 불가한 실란 라디칼의 선택에 의해서 발명에 의한 분자체의 소수성 표면 특성이 의도된 사용용도에 따라 조정될수 있다.

"소수성으로 코팅된", "소수성화된" 및 "소수성화" 라는 표현은 본 발명의 맥락에서 표면에 소수성이나 친유성 특성을 전해주는 분자체 입자 표면의 처리를 말하며 이것은 분자체 입자가 물에서는 분산되거나 정지시킬수 없지만 유전율이 22보다 낮은, 바람직하게는 10보다 낮고 특히 3보다 낮은, 무극성 용매에서는 즉시 분산되거나 정지되는 영향을 갖는다. 따라서, 소수성 코팅 분자체는 주로 무극성 유기 용매에서, 특히 3보다 낮은 유전율을 갖고 있는, 정지되거나 분산될수 있는 분자체이다. 무극성 유기 용매의 예로서는, 포화 탄화수소나 알칸, 예를 들어 펜탄, 섹산이나 옥탄, 또는 벤젠과 같은 방향족 탄화수소가 있다.

다공성의 입자를 코팅할 때 쓰이는 실란에 의해 입자들의 기공, 내부 홈, 또는 공동들이 막히거나 코팅되는 것을 방지하기 위하여, 실란 분자들이 입자의 공동이나 홈에 침입할 수 없게 실란의 라디칼이 선택된다. 따라서, 전적으로 외부 표면에만 코팅되는 것을 얻을수 있다. 그 반면, 내부 표면은 열려있어, 다시말해 코팅되지도 막히지도 않은 상태로, 본래 특성을 유지한다. 따라서, 예를 들어, 무극성 물질에서 훌륭하게 분산할 수 있는 동시에 물과 같은 극성 물질을 흡수할 수 있는 능력을 유지한 분자체를 획득할 수 있다. 입자의 공동, 내부 홈, 기공들이 다공성 입자들을 코팅할 때 쓰이는 실란에 의해서 막히거나 코팅되는 것을 방지하는 또다른 가능성으로는 세슘 이온이나 테트라알킬암모니움 이온과 같은 큰 이온들을 넣음으로써 역으로 입자들의 기공의 막거나 크기를 줄이는 방법이 있다.

따라서, 예를 들어, 제올라이트의 입구 틈보다 분자 지름이 큰 실란의 이용이 불가능할 때, 제올라이트의 입구 틈은 역으로 크기가 줄수도 있다. 이 과정에서, 확립된 기공의 지름은 실란의 문자가 더 이상 기공을 통과할 수 없게 선택된다. 코팅 후, 더 큰 기공의 지름은 재확립된다. 이러한 기공 지름의 가역의 조정은 적절한 크기의 이온들의 이온 교환을 통해 이루어지는 것이 바람직하다. 따라서, 나트륨을 장착한 제올라이트 LTA가 4(400　pm)의 활동적 기공 지름을 갖고 있는 것이 알려져 있다. 이에 반해 칼륨이 적제되어 있을 때, 기공의 지름은 3 (300 pm) 밖에 되지 않는다. 이러한 이온 교환은 역으로도 실시될수 있다.

이온 교환 방법은 제올라이트의 굴적율을 유기 화합물의, 예를 들어 고분자의, 것에 대등히 만들기 위해서도 쓰인다. 이것은 고분자에 도입된 제올라이트의 입자크기가 너무 커서, 굴절율 사이의 커다란 차이 때문에, 광 투명성을 보장할 수 없을 때 바람직하다. 제올라이트의 뼈대 구조를 변경하는 과정은 제올라이트가 분산될 유기 혼합불의 굴절율과 자신의 굴절율을 대등히 할때도 사용된다. 이것은 큰 굴절율 차이로 인해서 유기 화합물에 도인된 제올라이트의 입자 크기가 너무 커 광 투명성을 보장할 수 없을 때 특히 유리하게 작용한다. 뼈대 구조의 변경에 대한 자세한 내용은 JP 86-120459에 설명되어 있다. 이온 교환을 이용하여 굴절율을 변경하는 가능성은 예를 들어 "Optical properties of natural and cation-exchanged heulandite group zeolites", J. Palmer, M. Gunter; American Mineralogist (2000), 85(1), 225.에 설명되어 있다.

본 발명에 따르면, 분자체의 작은 크기와 특정 환경에 적응된 코팅은 분자체가 특히 얇은 층에서 이용되는 것을 가능케 한다. 나아가 분자체는 고분자와 같은 유기 물질, 접착제나 표면 코팅된 조성물에 유리하게 분산될수 있으며, 이러한 방법으로 획득한 조성물은 얇은 층에 사용될수 있다. 따라서, 발명에 의한 분자체를 이용하면, 5　μm 이하의 두께를 가진 층을 얻을수 있으며 이것은 소형화된 전자부품이나 전자장치에 유리하게 작용한다. 특히 바람직한 방법으로, 층 두께가 5 ㎛ 미만, 바람직하게는 2 ㎛ 미만, 더욱 바람직하게는 1 ㎛ 미만 및 특히 0.6 ㎛인 예를 들어 고분자, 점착제 또는 표면 코팅된 조성물과 같은 유기 화합물에 분산된 본 발명에 따른 분자체를 포함하는 조성물질의 층들이 제조될 수 있다. 발명에 의한 분자체의 또다른 이점으로는 액체 유기 화합물에 분산에 적절하여 분자체를 포함하는 유기 화합물이 일반적인 프린팅 노즐에, 예를 들어 제트 프린팅 노즐, 이용되어 처리될수 있다는 것이다. 따라서, 분자체를 포한한 혼합 물질과 유기 화합물은 일반적인 인쇄 방법을 이용하여 전자부품이나 전자장치의 웨이퍼와 같이 장치에 배열된 민감한 물질에 인쇄 될수 있다. 일반적인 분자체와는 달리, 본 발명의 분자체는 그들에 크기 의해서, 노즐을 막을 입자들을 포함하고 있지 않을뿐만 아니라 유기층에 노즐을 막을만한 덩어리를 형성하지 않는 이점이 있다.

더욱이, 발명의 분자체의 특성에 대한 조사에 따르면 본 발명의 분자체는, 일반적인 게터 재료에 비해, 비교적 두꺼운 층의 유기 조성물에 도입되었을 시에도 민감한 물질들을 훌륭히 보호할 수 있는 것이 가능하다.

바람직하게는, 입자들은 무기 입자를 포함한다. 발명에 의해 이해된 무기성 입자는 무기성 고체며, 바람직하게는 무기성 산화 고체, 산화 고체라는 표현은 결정체질이나 부분적 결정체질, 또는 비정실의 형태로 존재하는 고체를 말한다. 주장치의 주 그룹이나 서브 그룹에서 하나 이상의 원소의 양이온으로 포함된 금속 양이온외에 이러한 종류의 산화 고체는 산호 원자를 포함하는 음이온도 포함되어 있다. 이러한 음이온의 바람직한 구체예로서는, 산화 음이온(O^2-) 외에, 초산화 음이온(O₂ ^-), 과산화 음이온(O₂ ^2-), 그리고 산화 음이온, 인산염 음이온, 규소염 음이온, 붕산염 음이온, 알루민산염 음이온, 텅스텐산 음이온과 같은 주그룹과 서브 그룹의 원소들의 산화물로 이루어진 음이이온들이 있다. 이러한 음이온들은, 예를 들어, 단리된 형태나 체인, 밴드, 층, 뼈대, 케이지와 같은 응축된 형태로 존재한다. 이러한 종류의 응축된 음이온은 주그룹과 서브 그룹의 하나 이상의 원소들로 이루어진 산화물을 포함하고 있으며 이것은 응축된 음이온에 다수의 다른 원소들이 포함되는 것이 가능해진다.

OH 그룹은 이러한 종류의 산화 물질의 외부 표면에 종종 존재한다. 이러한 종류의 산화 물질이 물에 분포될 때, 물과 OH 그룹 사이에 다양한 상호작용이 나타난다. 따라서 수성 용액의 페하 지수에 따라, 이러한 종류의 산화 물질은 표면에 위치한 OH 그룹에 의해 양자를 얻거나 잃는다. 더욱이, 수소교결합이 형성되어 물층이 산화 물질에 접착되는 결과를 낳는다. 이러한 접착된 물 층의 존재는 산화 물질의 개별 입자들은 서로와 접촉할 수 없으므로 물칠수가 없어 산화 물질을 산정한 수성 서스펜션의 형태로 획득하는 것을 가능케 한다. 그러므로 본 발명의 분자체에 쓰일 때 이러한 종류의 무기 산화 물질은 바람직하게는 진공에서 열을 가하거나 동결건조의 방법에 의해 탈수한다.

다공성 아미노파스페이트, 다공성 실리코아미노파스페이트이나 제올라이트에서 선택된 무기성 입자들에게 특별 선호도가 주어진다. 이러한 아미노파스페이트의 바람직한 구체예로서는 AlPO-5, AlPO-8 또는 AlPO-18. 이러한 실리코아미노파스페이트의 선호적 예로서는 SAPO-5, SAPO-16 또는 SAPO-17. 이러한 제올라이트의 예로서는 천연과 합성 제올라이트가 있으며 그 예로서는, 천연 제올라이트 지스몬딘과 제올라이트 Na-P1 (GIS 구조), 그리고 타입 ABW, BEA 또는 FAU 제올라이트 또는 또는 천연 제올라이트 제올라이트 LTA (Linde Type A), 제올라이트 F, 제올라이트 LTL, P1, P2와 P3가 있다. 지스몬딘, 제올라이트 F나 제올라이트 LTA와 같이 5 (500　pm) 이하의 기공 지름을 가진 제올라이트들에게 특별 선호도가 주어진다.

본 발명의 바람직한 구현때, 입자들은 지스몬디, 제올라이트 LTA, 제올라이트 LTF 및 제올라이트 P1, P2 또는 P3, 그리고 하나의 알킬 라디칼과 세개의 가수분해 가능한 알콕시 라디칼을 가진 실란에서부터 선택된다. 이 상황에서 이소부틸트리에톡시실란(isobutyltriethoxysilane), 이소프로필트리에톡시실란(isopropyltriethoxysilane) 또는 페닐트리메톡시실란(phenyltrimethoxysilane)으로 코팅된 제올라이트의 입자나 이소부틸트리에톡시실란(isobutyltriethoxysilane), 이소프로필트리에톡시실란(isopropyltriethoxysilane)이나 페닐트리메톡시실란(phenyltrimethoxysilane)으로 코팅된 제올라이트 LTA 입자가 바람직하다.

이 바람직한 구체예는 발명에 의한 분자체의 예를 포함하지만, 기술에 숙달된 사람은 본 발명의 분자체가 이러한 구현에 제한되어 있지 않다는 것을 이해할것이다.

발명에 따르면 분자체는 게터 재료로 쓰인다. 따라서, 발명에 따는 분자체는, 크기의 이들의 크기에 의해서 전자부품이나 전자장치와 같은 소형화된 장치에 게터 재료로써 즉각 사용된다. 특히, 발명에 의한 분자체는 적어도 한 입체가 최대 1㎛ 이하, 특히 500 nm 이하의, 공동에서 유리하게 쓰일수 있다.

더욱이, 본 발명은 분자체가 포함하는 조성물과 유기 화합물에 연관되어있다. 여기서 유기 화합물이라는 표현은 유기 용매, 유기 고체, 유기 액체나 유기 고분자와 같은 일반적인 유기 화합물을 뜻한다. 이러한 맥락에서, 유기 고체나 유기 고분자는 원하는 형태로 존재하거나 그러한 형태로 만들어질수 있다. 예를 들어, 낟알, 가닥, 접시, 필름의 형태나, 어떤 희망 지름이나 두께를 가진 유기 고분자도 이용될수 있다.

더욱이, 유기 조성물라는 표현은 하나 이상의 유기 조성물로 포함된 조성물(혼합 물질)을 포함하며 이것은 유기성이 아닌 조성물도, 예를 들어 무기성 주입기, 착색제, 전도체동, 선택적으로 포함 되는 것이 가능하다. 본 발명의 분자체는 입자 표면의 특성이 이러한 유기 조성물의 특성들과 일치시키도록 코팅되어 분자체가 유기 조성물에 분산될수 있도록 유리하게 작용한다. 기술에 숙달된 사람은 위에서 설명되었듯이 어떠한 코팅이 어떠한 유기 조성물에 적절한지 알수 있을 것이다.

바람직하게는, 조성물에 포함되어있는 유기 조성물은 중합 화합체로 포함되어있다. 중합 화합물이라는 표현은 단일고분자, 동일배열 고분자, 신택틱 고분자, 이종 고분자, 스테티스티컬 고분자, 블록 고분자나 블록 혼성고분자와 같은 모든 일반적인 고분자를 포함한다. 중합 화합물은 체인 형태의 고분자와 2,3입체로 가교결합된 고분자를 모두 포함하고 있다. 이 고분자들은 열가소성, 탄력성, 열경화성 등일수도 있다. 중합 화합물이라는 표현은 또한 후에 선택적으로 더 중합될 수 있는 모노메릭 고분자 및/또는 올리고메릭 고분자를 모두 포함하고 있다. 중합 화합물은 고체 형태의 순수 화합물로 존재할 수도 있고 용액이나 분산의 형태로도 존재할 수 있다. 아무 희망 지름이나 두께를 갖고 있는 낟알, 가닥, 접지, 필름등으로 고체 형태로 존재하는 것이 바람직하다.

바람직하게는 중합 화합물은 열가소성 조성물이다. 이러한 맥락에서 열가소성이라는 표현은 열의 영향하에 조성물이 역으로 부드러워지거나 액체화 된는 것(조성물이 파괴되지 않는 선에서)을 얘기하며 열의 영향하에 조성물은 형태를 바꾸거나 다른 포함용소와 혼합시킬수도 있다. 이러한 열가소성의 고분자의 바람직한 구체예로서는, 폴리에틸렌 (PE, HDPE 또는 LDPE)이나 폴리프로필렌 (PP), 폴리옥시올레핀(polyoxyolefins), 예를 들어, 폴리옥시메틸렌(polyoxymethylene) (POM) 또는 폴리옥시에틸렌(polyoxyethylene), 폴리메틸메타크릴레이트(polymethylmethacrylate) (PMMA), 아크릴로나이트릴-부타디엔-스타이린 공중합체(acrylonitrile-butadiene-styrene copolymer) (ABS) 등이 있다. 열의 영향하에 발명에 의한 분자체는 열가소성 조성물에, 그후에까지, 유리하게 통합되어 균등한 분산이 중합 화합체가 파괴되지 않은 상태로 형성된다. 낮은 물 도자성을 가진 중합 화합체에 특별 선호도가 주어지며, 이는 수분 투과도가 25 ℃에서 0 % 내지 90 &의 상대 대기 습도 구배하에서 0.9 g·mm/m^2.d(d: 하루) 미만이고, 바람직하게는 0.63 g^.mm/m^2.d미만이고, 특히 0.1 g^.mm/m^2.d 미만(100 ㎛ 두께 층에서 측정)임을 의미한다.

이러한 종류의 중합 화합체의 바람직한 예로서는, 폴리올레핀, 예를 들어 폴리에틸렌 (PE) 고밀도 폴리에틸렌 (HDPE)와 저밀도 폴리에틸렌 (LDPE) 또는 폴리프로필렌 (PP) 등이 있다. 낮은 물 도자성을 가진 발명에 의한 분자체로 포함된 이러한 조성물은 특히 유리하게 희망하는 특성을 나타낼수 있다.

바람직하게는, 유기 화합물은 표면 코팅된 조성물로서, 바람직하게는 무수의 표면 코팅된 화합물과 특히 낮은 물 도자성을 가진 표면 코팅된 조성물, 이는 수분 투과도가 0 % 내지 90 % 상대 대기 습도의 구배에서 2 g^.mm/m^2.d미만, 바람직하게는 1 g^.mm/m^2.d미만임을 의미한다. 자외선에 의하여 강화되는 표면 코팅된 조성물에게 특별 선호도가 주어진다. 이러한 표면 코팅된 조성물의 바람직한 예로서는 Polytec PT GmbH, 76337 Waldbronn, Germany에서 획득할 수 있는 표면 코팅 조성물 EPO-TEC OG 142-17, 또는 Eques C.V., 5340 AE Oss, Netherlands에서 획득할 수 있는 표면 코팅 조성물 UV-Coating Polyled Barriersyst가 있다. Henkel Loctite Deutschland GmbH, 81925 Munich, Germany에서 획득할 수 있는 #401 또는 표면 코팅 조성물 Loctite 3301 Medical Grade이 있다.

바람직하게는, 입자의 크기는 유기 화합물에 균등하게 분포될수 있게 선택된다. 문제시되는 조성물에 입자들의 균등한 분포를 얻기 위해서, 각각의 입자가 생성되는 층의 두께보다 작은 것도 중요하지만 균등하게 분포할 여지가 있는 것 또한 중요하다. 이러한 목적 때문에 개시에 의한 분자체는 유리하게 적합하다.

본 발명에 따르면, 발명에 의한 분자체로 포함된 조성물과 유기 화합물은 장치를 생성하거나 밀봉할 때 사용된다.

바람직하게는 장치는 포장용이다. 따라서, 여기서 사용되는 발명에 의한 분자체로 포함된 조성물과 유기 화합물은, 발명에 따라서, 작은 분작에 의해 공격당하거나 파괴되는, 예를 들어 전자적이거나 전자부품이나 전자장치, 또는 음식이나 약품, 민감한 화합물이나 조성물을 포함하고 있는 생산물을 생성하거나 밀봉하는때 쓰인다. 바람직한 구현화에서는 이러한 포장은 발명의 분자체와 유기 화합물로 포함된 조성물에서 직접적으로 생산된다. 예를 들어 윗부분과 아랫부분으로 포함되어 있어 서로 하나 위에 위치할 수 있는 밀봉된 필름 포장(자루나 봉지) 또는 플라스틱 포장, 예를 들어 음식이나 약품을 위한 투명한 포장 같은 포장들은 발명의 분자체로 포함된 고분자로부터 직접적으로 생성될수 있다. 또다른 바람직한 구현에서는, 종이, 판지, 플라스틱 물질이나 금속과 같은 고분자의 포장은 발명의 분자체로 포함된 조성물의 중합 필름이나 필름으로 코팅됨으로써 밀봉된다. 이러한 맥락에서, 코팅은 포장의 외면과 내면에 모두 적용될수 있으며 외면과 내면 모두에게 코팅이 적용되는 것이 바람직하다. 이러한 코팅은, 특히 외면에, 판지 포장의 인쇄같이 분자체로 포함된 코팅 층을 통해 내용을 읽을수 있게 투명한 것이 바람직하다. 더 나아간 바람직한 구체예에서는 플라스틱 물질이나 금속 같은 다른 물질의 용기의 포장은 완벽한 포장을 위하여 발명의 분자체로 포함된 필름의 필름이나 마개로 밀봉되어 있다. 발명의 분자체와 유기 화합물로 포함된 이러한 조성물은 다른 물질을 위해 만들어진 포장의, 예를 들어 마개 밀볼의 안이나 약제 관 포장 등의 기관 포장, 내부 공간에 도입될수있다.

선호성은 전기 또는 전자부품이나 전자장치에 주어진다. 이러한 전기 또는 전자부품이나 전자장치의 바람직한 구체예로서는 마이크로전자장치 시스템 (MEMS), 예를 들어 에어백, 마이크로광학장치 시스템 (MEOMS), DMD 칩, 시스템온칩 (SoC), 태양 전지 등이 있다. 바람직한 장치로는 태양 전지, 특히 얇은 층의 태양 전지, 진단시약 키트, 유기적 광색성 안과 렌즈, 플립칩이나 OLED (유기적 발광 전자장치), 특히 유기 태양 전지, CIS 태양 전지와 OLED가 있다. 바람직하게는, 이러한 전자장치들은 단단히 닫친 케이스에 싸이면서 밀봉되어야하며, 이러므로써 유기 조성물과 발명의 분자체를 이용하여 밀봉, 점착력있게 결합, 코팅 등이 된다. 조성물로 만들어진 케이스는 특별 선호도도 주어진다.

대안적으로, 보호되어야할 표면은 발명의 분자체와 유기 화합물로 포함된 조성물에 의해 직접 코팅된다. 이 맥락에서 보호되어야할 표면이라는 표현은 작은 분자들에의해 공격받는 물질로 만들어진 장치의 표면을 뜻한다. 조성물은 적용액과 같은 것을 붓거나 담그거나, 뿌리거나, 표면 코팅하거나, 굴리거나, 칠하는 일반적인 방법으로 표면에 적용된다. 조성물의 본성에 따라서, 적용액 또한 더 나아간 과정을 포함할 수 있다, 예를 들어 용해성 조성물을 적용하는 경우: 적용 전의 적절한 용매의 분해와 적용후의 용매의 제거, 예를 들어 증발; 열가소성 고분자로 포함된 조성물의 적용한 경우: 적용전의 가열과 적용 후의 냉각; 고분자 모노머나 저고분자로 포함된 조성물의 적용 경우: 적용 후 중합 반응의 개시, 예를 들어 자외선 방사나 가열, 그리고 선택상 선택성 용매의 제거가 따른다. 선택상, 보호되어야할 표면의 청소는 조성물의 적용 전에 포함될수 있다.

발명의 분자체와 유기 화합물로 포함된 조성물이 프린팅 노즐에의해 보호되어야할 표면에 프린트되는 것에 특별 선호도가 주어진다. 이러한 맥락에서 인쇄하여 층에 적용하기 적합한 일반적인 프린팅 노즐이나 인쇄 방식이 쓰일수 있다. 예를 들어, 조성물은 전기적이거나 전자적 회로의 웨이퍼의 생상이나 이러한 웨이퍼에 토대한 장치에 쓰이듯이 일반적인 제트 인쇄 장치로 인쇄 될수 있다. 이러한 프린팅 노즐은 흔히 노즐의 지름이 마이크로미터대일때가 많다. 1000 nm 이하의 입자 크기를 가진 본 발명의 분자체는 이러한 프린팅 노즐을 막히거나 덩어리를 형성하지 않고 지나갈수 있다. 이것은 조성물이 로봇과 같은 자동적 가동에 유리하게 도입되는 것을 가능케하며 이는 일반적인 게터 재료로 포함된 조성물은 가능하지 못하다.

더욱 바람직한 적용에서는 발명의 분자체와 유기 화합물로 포함된 조성물이 멤브레인을 생산하는데 쓰이고 있다.

발명은 또한 발명에 따른 분자체로 포함된 장치나 발명의 분자체와 유기 화합물로 포함된 조성물에도 연관되어 있다. 여기서 장치라는 표현은 규정한다는 뜻을 갖고 있다. 이러한 장치에서 본 발명의 유리한 영향이 특히 표면화된다.

바람직하게는, 발명에 따른 장치는 고분자, 점착제, 표면 코팅된 조성물과 같은 발명의 분자체와 유기 화합물로 포함된, 특히 두층, 세층이나 네층이, 하나 이상의 합성 물질 층으로 포함되어 있다. 바람직하게는 층들은 서로 위에 성공적으로 도입되어야한다. 또다른 대안 구현에서는 층들이 다른 물질의 층과 교대하는 것에 도입된다. 바람직하게는 그 다른 물질 층들이 민감한 물질들을 포함하여 민감한 물질들본 발명에 따른 두 층의 혼합 물질 사이에 겹치게 된다. 장치의 진보된 기능, 예를 들어 조절 기능, 광학 기능이나 냉각/가열 기능, 등을 충족시키거나 또는 진보된 보호 기능, 예를 들어 전자석 방사물, 예를 들어 빛, 자외서등의, 등을 충족시키거나 방산 막을 형성할 수 있는 다른 물질들 또한 이용될수 있다. 따라서, 다수의 층을 포함하는 적층물 배열들이 생성되고 문제시되는 층들이나 층 배열에 따라 다양한 구조의 적용 가능성을 가질수 있따. 이러한 복층 구조는 도 6에 보여지고 있다.

본 발명은 더욱이 입자 크기가 1000 nm 이하이고 적어도 하나의 일반식의 실란과 반응하도록 만들어진 발명에 따른 분자체를 생성하는 것에도 연관이 있으며 실란의 일반식은

SiR¹R²R³R⁴,이며

여기서 적어도 하나의 라디칼 R¹, R², R³, R⁴ 가 가수분해 가능한 그룹을 갖고 있으며 나머지 라디칼 R¹, R², R³, R⁴들은, 각각 게별적으로, 알킬, 알케닐, 알키닐, 헤테로알킬, 싸이클로알킬, 헤테로아릴, 알킬싸이클로알킬, 헤테로(알킬싸이클로알킬), 헤테로싸이클로알킬, 아릴, 아릴알킬이거나 헤테로(아릴알킬) 라디칼.

이러한 맥락에서 모든 표현은 위에서 정의된 대로 사용된다.

발명에 따르면 입자들은 적어도 하나의 실란과 반응하도록 만들어져있다. 바람직하게는, 하나, 둘, 세개나 그 이상의 서로와 다른 실란이 반응에 사용될수 있따. 입자들이 하나의 실란과 반응하는 것이 바람직하다.

발명의 생산 방식의 바람직한 구현에서 사용되는 적어도 하나의 실란 라디칼 R¹, R², R³ 또는 R⁴가 알콕시 그룹과 시안화물 그룹에서 선택되는 가수분해 가능한 그룹을 포함해야한다.

입자크기가 1000nm이하인 입자들은 이미 알려진 방식으로 생산될수 있다. 예를 들어 1000nm 이하의 입자 크기를 가진 제올라이트 입자는 특허 원서 WO 02/40403 A1에 설명된 방법에 따라 생산될수 있다.

발명에 따르면 입자들은 모든 반응 환경이 포함된 상황에 실란과 반응토록 만들어져있다. 예를 들어, 두 반응물은 서로와 접촉했을 때 자발적으로 반응한다. 이 상황에서, 적절한 희석도 환경이나 냉각하에 방식이 실행될수 있다. 그러나 반응물들이 서로 반응함의 느림도에 따라 에너지를, 예를 들어 전자적 방사 형태, 예를 들어 열, 빛이나 자외서, 또는 적절한 초매, 도입하는 것이 필요할 수도 있다. 당업자는, 기술에 대한 자신의 지식으로, 매 특별 상황에 적절한 기준을 선택할 수 있다.

바람직하게는 반응물들은 적절한 용매에서 반응하도록 만들어져 있다. 적절한 용매는 입자들과 실란에 대해 자동력이 없는 모든 용매들이다. 비양성자성 유기 용매, 예를 들어 알케인, 예를 들어 헥산, 헵탄, 옥탄등의 포화 산화탄소, 벤젠, 툴루엔, 크실렌과 같은 방향성 산화탄소, 할로겐화된 산화탄소, 예를 들어 사염화탄소, 디클로로메탄, 과플루오르화에탄, 헥사플루오로벤젠 등, 술폭시화디메틸 (DMSO), 디메틸포름아미드 (DMF) 등이 있다.

바람직하게는, 반응물들은 가열된 용매에서는 서로 반응하도록 만들어졌고 이 상화에서 환류하에 끓는 것에 특별 선호도가 주어진다. 바람직하게는 반응은 적절한 자동력없는 보호적 기체에서, 예를 들어 아르곤 또는 질소, 실행된다.

바람직하게는, 발명의 분자체를 생산할 때, 입자들은 표면이 실란으로 코팅되기 전에 일단 건조된다. 건조된 입자들은 발명에 따른 분자체를 만드는데 특히 유리하게 적절한대, 그것은 원치 않은 분자들이, 예를 들어 물 분자같이 실란과의 반응을 느리게 하여 반응을 불균등하게 만들거나 따로 방해하는, 표면에서 제거되기 때문이다. 따라서, 덩어리가 없는 분자체를 획득할 수 있다. 마찬가지로, 이러한 상황에서 원치않은 분자들이 입자들의 공동에서 제거될수 있다. 선택적으로, 건조 단계전에 세척 단계가 진행될 수 있는데, 여기서 입자들은, 예를 들어 입자들의 표면과 기공들을 원치 않은 이온이나 원자들에 의해 차는 것에서부터 예방하기 위하여 적절한 시스템에 의해 씻겨진다. 특히, 입자에 존재하는 이온들은 입자들의 특성을, 예를 들어 특정한 목적에 의한 기공의 크기, 변경하기 위하여 이온 교환 반응에 의해 교환될수 있다.

진공이나 동결건조에서 가열하는 방법으로 입자들을 건조하는 것에게 특별 선호도가 주어진다. 가열에 대해선, 입자들은 바람직하게는 적어도 12시간, 바람직하게는 적어도 24시간이나 특히 적어도 48시간을 10^-2 mbar의 진공 상태에서 적어도 150 ℃에서, 특히 적어도 180 ℃, 가열되어 표면에서 원치 않은 분자들을 제거한다. 바람직한 방법에서, 입자들은 실란으로 코팅되기 전에 가열에의해 건조된다. 따라서, 입자들은 덩어리를 형성하는것에서부터 유리하게 예방된다. 특히 바람직한 방법에서 입자들은 실란의로 코팅되기 전과 또한 후에도 가열에 의해 건조된다.

바람직하게는, 입자들은, 첫단계에서, 동결건조된다. 동결건조의 목적으로, 입자들은, 예를 들어 적어도 12시간, 바람직하게는 적어도 24시간, 그리고 특히 적어도 48시간 동안 적절한 장치내에서 25 ℃ 이상이 아닌, 바람직하게는 20 ℃ 이상이 아닌, 온도의 진공(10^-2 mbar)상태에서 표면의 원치않은 분자들을 제거하기 위하여 있는다. 따라서, 입자들이 아무런 덩어리를 형성하지 않는 것이 가능하다. 동결건조는 분자체가 수성 서스펜션에서 생성될 때 특히 유리하다. 이 서스펜션은 입자들이 덩어리를 형성하는 것을 방지하기 위하여 동결 건조에 의하여 동결되고 건조될수 있다. 특히 바람직한 방법으로는, 입자들은 처음 동결건조에 의해 건조되고, 그후 진공상태에서 가열되어 건조된다음, 실란에의해 코팅된다. 선택적으로, 입자들은 코팅된 후에 진공에서 가열되어 건조될수 있따. 따라서 입자들이 덩어리를 형성하는것에서부터 유리하게 방지할 수 있다.

또다른 대안으로는, 특히 바람직한 방법으로, 입자들은 처음 동결건조에의해 건조될수, 실란으로 코팅되면, 그리고 코팅된 후에, 진공에서 가열하여 건조된다. 특히 제올라이트가 분자체로 이용될 때, 제올라이트가 동결건조에의해 코팅전에 건조되고 진공에서 가열함으로 코팅후에 건조되는 것이 상당히 중요하다. 이 특히 바람직한 방법에의해 생산물 특성이 손상됨으로서 방지하는 것이 가능하다는 것이 발견되었다.

발명에 따른 입자를 생성하는데 바람직한 방법에서, 입자를 신란으로 코팅할 때, 첫 단계는 입자들을 적절한 용매에 부유시키고, 그 다음 단계로, 실란을 서스펜션에 첨가시킨다. 적절한 용매는 입자들과 실란에 대해 자동력이 없는 모든 용매들이다. 비양자성 용매에게, 예를 들어 알케인과 같은 포화 산화탄소, 예를 들어 헥산, 헵탄, 옥탄과 같은, 방향성 산화탄소, 예를 들어 벤젠, 툴루엔, 크실렌과 같은, 할로겐화 산화 탄소, 예를 들어 카본테트라클로라이드(carbon tetrachloride), 디클로로메탄(dichloromethane), 헥사플로로에탄(hexafluoroethane), 헥사플로로벤젠(hexafluorobenzene)과 같은, 디메틸 술폭시드 (DMSO), 디메틸포름아미드 (DMF)와 같은 것들, 선호도가 주어진다. 바람직하게는, 실란은 부분적으로 점가된다, 예를 들어 선택적으로 용매의 조성물에 드롭와이즈 첨가. 바람직하게는, 반응은 자동력없는 기체하에, 예를 들어 아르콘이나 질소, 진행된다.

발명에 따른 입자를 생성하는 대안 방책으로는, 실란으로 코팅할 때 실란이 첫 단계로 적절한 용매와 혼합되고, 다음 단계로 입자들이 더해진다. 적절한 용매는 위에서 정의되어 있다. 바람직하게는, 입자들은 부분적으로 더해지며, 선택적으로 용매의 조성물에 더해진다. 바람직하게는, 반응은 자동력없는 기체하에, 예를 들어 아르콘이나 질소, 진행된다.

도 1은 도표의 형식으로 (a)유기 고분자와 (b)게터 입자로 포함된 이층 시스템의 구조를 보여주고 있다.

도 2는, 도표의 형식으로, a)고분자와 b)게터 입자로 포함된 층이 (c)덩어리를 형성하는 것을 보여준다. 그림에 표시된 화살표는 물이 가장 빨리 확산될수 있는 유통로를 가르키는 것이다.

도 3은, 도표의 형식으로, 수산화물기의 표면을 갖고 있는 산화 입자들의 뭉침을 보여주고있다. a)는 산화 입자의 내부를 표시하고 있다.

도 4는, 도표의 형식으로, 수산화물기의 표면을 갖고 있는 산화 입자의 공수화를 보여주고 있다. a)는 산화 입자의 내부를 표시하고 있다.

도 5는, 도표의 형식으로, 기공이 있는 구조를 갖고 있는 산화 입자의 공수화를 보여주고 있다. a)는 산화 입자의 내부를 표시하고 있다.

도 6은, 도표의 형식으로, 장벽층 (a)와 고분자/분자체 조성물 (b)로 포함된 다층 시스템의 구조를 보여주고 있다.

도 7은 예에서 사용된 제올라이트 LTA의 입자들의 전형적인 크기 분포에 대해 보여주고 있다. 질량 분포는 입자 지름에 반해 나노 미터로 짜여져 있다.

도 8은, 도표의 형식으로, 물보급 실험의 기구를 보여주고 있다. 여기서 a)는 무수의, 파란 염화 코발트를 포화시킨 종이를 표시하며, b)는 고분자의 층, c)는 물을 표시하고 있다.

도 9는 염화 코발트를 이용한 혼합 물지의 장병특성 조사(물흡수 테스트)의 결과를 나타내는 사진을 보여주고 있다. 이 사진에서, 무수의, 파란 염화 코발트는 옅은 회색으로 나온다. 윗줄은 샘플들의 비교를 보여주고 밑줄은 발명에 의한 샘플을 보여주며 각각의 상황은 실험의 시작(3분)에서 28분에서 100분 후를 보여주고 있다.

도 10은 칼슘 미러 테스트를 이용한 발명에 의한 분자체로 포함된 표면 코팅된 조성물의 특성에 대한 조사를 보여주고 있다.

입자 크기의 측정

입자체 입자들의 크기 분포도는 전자 스페클 간섭법에 의해 결정된다. 이러한 목적으로, 각각의 경우 적절한 용매나 조성물에 2 ml의 검사할 입자들은 포함하고 있는 분포들을 ALV-GmbH Langen 회사에서 얻을수 있는 ALV-NIBS Particle Sizer를 이용하여 측정한다. 분포도의 전형적인 크기는 도 7에 나와있다.

달리 규정되어 있지 않는한, 이 이후의 설명되는 예들은, 특허출원 WO　02/40403 A1에 설명된 방식에 따라 생성된, 300nm의 (도 7 참조) 입자크기의 제올라이트 LTA를 사용하고 있다.

실시예 1 - 분자체의 코팅

a)이소부틸트리에톡시실란(Isobutyltriethoxysilane)을 이용한 제올라이트 LTA 코팅:

100 ml의 입자 크기 300 nm를 가진 제올라이트 LTA 수성 서스펜션이 동결건조되었다. 파우더는, 온도 150 ℃의 진공(10^-2 mbar)에서 탈수된, 100 ml의 건조 툴루엔과 10ml의 이소부틸트리에톡시실란(isobutyltriethoxysilane)의 조성물에 도입되어 한시간동안 환류에서 끓인다. 조성물을 냉각시킨수, 생성물은 필터되었다. 하얀, 알케인들에, 예를 들어 벤젠, 헥산, 헵탄, 알콜, 예를 들어 에타 놀 이소프로필, 디에틸 에테르, 쉽사리 분산될수 있는 현저하게 소수성인 파우더가 획득되었다. 공수화된 제올라이트는, 그에 반해, 더 이상 물에 분산될수가 없다.

b) 페닐트리메톡시실란(phenyltrimethoxysilane)을 이용한 제올라이트 LTA 코팅:

절차는 이소부틸트리에톡시실란(isobutyltriethoxysilane) 대신 페닐트리메톡시실란(phenyltrimethoxysilane)을 이용했다는 것을 제외하고는 실시예 1a)와 같다. o-자일렌, p-자일렌, 툴루엔, 벤젠에는 매우 신속히 분산되지만 물에서는 분산되지 않은 현저히 소수성인 하얀 소수성 파우더가 획득되었다.

c) 이소부틸트리에톡시실란(isobutyltriethoxysilane)을 이용한 제올라이트 F 코팅:

절자는 100 ml의 20% 제올라이트 LTA 수성 서스펜션이 아닌 100ml의 20% 제올라이트 F, 평균 입자 크기 400 nm, 수성 서스펜션을 사용한 것 외에는 실시예 1a)와 같다. 알케인들에는, 예를 들어 펜탄, 헥산, 헵탄, 알콜, 예를 들어 에타놀, 이소프로필, 디에틸 에테르, 매우 신속히 분산되는 하얀, 현저히 소수성인 파우더가 획득되었다. 공수화된 제올라이트는, 이에 반해, 더 이상 물에 분산되지 않는다.

비교예 1

비교 예로써, 5　㎛ (DLS에 의해 측정된) 정도의 입자 크기를 가진 제올라이트 LTA가 실시예 1에서 설명된 방식에 따라 건조되고 공수화되었다.

실시예 2 - 물 흡수력 테스트

10 g의 실시예 1a)의 탈수와 공수화된 제올라이트가 압출기내에 90 g의 폴리에틸린 (m.p.: 125 ℃ 정도)에 도입되었다. 획득된 중합 복합물의 물 흡수력은 주위 공기의 저장 무게의 증가에 따라 확인된다. 따라서, 40% 정도의 대기 습도와 20 ℃ 정도의 온도를 갖고 있는 주에, 1.3g의 무기 증가가 확인되엇다.

실시예 3 - 복합재료의 준비

2g의 실시예 1a)에 따라 코팅된 제올라이트 재로가 8g의 UV-경화 N,N-다이메틸아크릴아미드-기초 점착제("Locktite 3301", Henkel Loctide Deutschland GmbHd에서 획득가능)에 저어진다. 결과 서스펜션은 초음파조에 5분간 놓여진다. 점착성 조성물은 자외성에 의해 치료될수 있으며 습기를 잘 타는 물질을 코팅하기 위해 서용된다.

실시예 4 - 복합물질 절연성

습기로 변질되기 쉬운 물질들을 봉합하기 위해 사용할 능력(절연성)을 실험 하기 위하여, 도 9에 나와있는 실험 구조가 사용된다. 수분의 부재하에, 각가의 경우 반응 지시 물질로써 5mg의 무수의, 파란 염화코발트가 주입된 15㎛의 크기/지름을 가진 종2가 20 cm²의 면적을 가진 유리 그릇 위에 놓여진다. 그 후 실시예 3에 의해 생성된 점착성 조성물이 하나의 유리 그릇위에 부어지고 반응 지시 물질이 주입된 종이 주위 8㎛의 여백이 점착성 조성물에 의해 덮혀지며 점착성 조성물은 자외선에 의해 치료된다. 이와 비슷한 방식이지만 순수 점착성 조성물("Locktite 3301", Henkel Loctide Deutschland GmbH 에서 획득가능)를 쓰는 방법으로, 비교 샘플이 생성된다. 두 샘플은 물로 더혀있고 변화는 시각적으로 관찰할 수 있다. 실험의 단계별로 찍은 사진들은 도 9에 보여져 있따. 표면 코팅된 조성물 층에 물이 침투한 것은 지시 반응 물질 염화코발트의 색이 파랑(도 9에서는 어두운 회색)에서 핑크(도 9에서는 밝은 회색)으로 바뀌는 것에서 보여진다. 도 9에서 명확히 보이는 바와 같이, 비교 샘플에서의 물의 침투는 28분 후에 이미 관찰되수 있고, 100분 후에는 거의 모든 반응 지시 물질이 핑크(도 9에서는 밝은 회색)이며, 이것은 물과 접촉했다는 것을 말한다. 이에 반해, 본 발명에 따른 샘플은 실험 기간동안 아무런 변화도 보이지 않으며, 이말은 반응 지시 물질이 파랑(도 9에서는 어두운 회색)으로 남아있음을 뜻한다. 이 실험은 처리되지 않은 점착제에 비해 본 발명의 실시예 3에 따른 점착성 조성물이 지시 반은 물질(염화코발트)의 물 흡수력을 현저히 늦춰 주는 것을 보여주고 있다.

실시예 5

평균적으로 150 nm의 입자 크기를 가진 1g의 제올라이트 LTL이 50ml의 밀집된 CsCl 용맥에 한시간동안 실온에서 휘저어지고, 필터되고, 씻기고, 물에 다시 분산된수 동결건조되었다. 실온의 진공에서 건조된후, 제올라이트는 50ml의 툴루엔과 5ml의 이소부틸디에틸에톡시실란(isobutyldiethylethoxysilane)과 환류에서 한시간 동안 끓여진다. 냉각후, 필터되고 아세톤에 의해 씻겨진다.

이에 생성되는 물질은 120 정도 온도의 소형 압출기의 10g의 폴리에틸렌 (m.p.: 125 ℃ 정도)에 도입된다. 복합물질의 광학 특성은 육안으로는 폴리에틸렌의 것과는 구별할 수가 없다.

실시예 6 - 표면 코팅된 조성물들의 칼슘 거울 테스트(Calcium mirror test)

칼슘 거울 테스트를 이용한 표면 코팅된 조성물의 특성을 실험하기 위하여, 다음의 샘플과 비교 샘플이 준비되었다.

샘플 A) 순수 표면 코팅된 조성물(중합물이 툴루엔에 용해된); 20 g의 TOPAS 8007 미립(Kelsterbach의 Ticona 회사에서 획득 가능)들을 100g의 건조된 툴루엔에 용해시켜 준비된다.

샘플 B) 샘플 A)의 표면 코팅된 조성물에 입자 크기 300 nm를 가진 제올라이트 LTA가 무게의 10%만큼 첨가되었다.

샘플 C) 샘플 B)의 표면 코팅된 조성물이지만, 실시예 1a)에 따른 입자 크기 300nm의 코팅된 제올라이트 LTA가 무게의 10%만큼 첨가되었다.

샘플 D) 샘플 B)와 같은 표면 코팅된 조성물이지만 입자 크기 5　㎛를 가진 코팅된 제올라이트 LTA가 무게의 10%만큼 첨가되었다.

네개의 유리 슬라이드에 진공 방식을 통해 칼슘이 기상즉착되었다. 기상즉착후 슬라이드들은 드로잉률이 2 cm/s로 일정히 유지된 수분의 부재 속에 침지법을 통하여 각각 샘플 A)부터 D)까지의 표면 코팅된 조성물로 코팅되었다. 샘플 A)부터 D)까지의 표면 코팅된 조성물 들로 코팅된 슬라이드들은 자동력없는 공기(아르콘, 99.999%)내에서 이틀동안 실온에 건조 되었다.

각가의 코팅되고 건조된 슬라이들의 한쪽에 있는 표면 코팅된 조성물들은 그 후 칼로 긁혀 떼어졌다. 슬라이드의 다른 쪽, 각각 제로 시간에는 완벽한 미러 표면을 갖고 있엇던 표면은 몇일간 표준 대기에 저장되어 관찰되고 비교되었다. 슬라이드 B)와 D)는 거울에 점별로 흐림이 빠르게 관찰되었지만, 슬라이드 A)의 경우, 많은 수의 작은 흐린 면적이 때때로 관찰되었다. 슬라이드 C)는 가장 오래 미러에 아무른 피해가 가진 않음을 전시했다. 도 10은 획득된 데이터를 보여주고 있다.

대기의 다양한 습도들을 보정하기 위해 데이터들은 상대기간 축에 따라 짜여졌다. 결과는 표 1에 적혀 있고, 칼슘 미러의 라이프는 흐림이 존재하지 않을때의 시간으로 주어졌따. 이 실험은 발명에 따른 코팅된 제올라이트의 첨부가 칼슘 미러의 라이프를 연장시켜주는 결과를 낳는다는 것을 보여준다(샘플 C). 같은 크기의 코팅되지 않은 제올라이트 (샘플 B)와 5 마이크로미터쯤의 더 큰 입자 크기를 가진 코팅된 제올라이트의 사용(샘플 D)은 라이프가 감소되는 결과를 낳았다. 입자 크기가 300 nm인 코팅되지 않은 제올라이트(샘플 B)와 더 큰, 코팅된 제올라이트크 입자(샘플 D)의 첨가가 모두 사용된 표면 코팅된 조성물의 절연성에 피해를 가하는 것은 충격적이다. 방명에 따른 제올라이트에 의해 절연성이 현저히 개선되는 것은, 그러믈, 더욱 놀랍다.

샘플	제올라이트	코팅	제올라이트 입자 크기 [㎛]	상대 수명
A	-	-	-	3
B	LTA	No	300	1
C	LTA	Yes	300	>5
D	LTA	Yes	5000	1

실시예 7 -투명 필름들

필름의 특성을 시험하기 위하여 다음의 샘플과 비교 샘플이 준비 되었다.

샘플 E) 입자 크기 400㎛정도 되는 1000g의 폴리에틸렌 미립이(m.p.: 약 116 ℃) 슬롯 디를 가진 2축 압출기를 이용하여 30㎛ 넓이에 1 ㎛ 두께를 가진 밴드를 형성하기 위해 공정되었다. 압출된 물질로부터 200 ℃의 뜨거운 프레스에 의해 100 ㎛의 두께를 가진 필름이 생성되었다.

샘플 F) 편균 입자 크기 300nm를 가진 100g의 제올라이트 LTA가 입자 크기가 400㎛ 정도인 900g의 폴리에틸렌 미랍에 첨가 되었다. 결과 조성물은 둥근 디를 가진 2축 압축기를 이용하여 200 ℃에 온도에서 지름 2㎛의 고분자 가닥으로 공정되었따. 냉각 후, 결과 미납물들은 샘플 A)에서와 같은 방법으로 필름을 형성하기 위해 공정되었다.

샘플 G) 샘플 F)에서 설명된 방식으로 생성된 필름이지만 100g의 제올라이트 LTA대신, 실시예 1a)에서 생성된 입자 크기 300nm의 코팅된 제올라이트 LTA가 100g 사용되었다.

샘플 H) 필름은 샘플 F)에서 설명된바와 같은 방식으로 생성되었지만, 100g의 제올라이트 LTA대신, 실시예 1)에서와 같은 방식으로 생성된 입자 크기가 5000 nm(약 5 ㎛)의 코팅된 제올라이트 LTA가 100g 사용되었다.

이러한 방식으로 생성된 필름 샘플 E) ~ H)는 시각적 촉각적 실험 대상이되었다. 결과는 표 2에 적혀놓아있다.

샘플	제올라이트 입자 크기 [㎛]	코팅	필름 투명도	필름의 거친정도
E	-	-	투명	부드러움
F	300	안됨	흐림	거침
G	300	됨	거의 투명	부드러움
H	5000	됨	흐림	부드러움

제올라이트를 포함하고 있지 않은 샘플 E)는 형식적인 필름의 특성의, 예를 들어 투명성과 거침성, 비교대상으로 사용되었다. 필름 E는 보았을 때 완벽히 투명하며 매끈한 느낌을 갖고 있다. 비교 견본 샘플 F)는 입자 크기가 300nm인 나노 제올라이트 LTA를 포함하고 있따. 하지만 제올라이트는 코팅되어있지 않으며, 따라서 무극 중합물의 하찮은 분산성만을 갖고 있다. 덩어리의 형성이 일어난다. 이러한 덩어리는 현저히 거친 필름을 갖게 하는 결과를 낳는다. 어떠한 면적에서 덩어리는 육악으로도 볼수 있다. 필름 G)는 발명에 따른 이소부틸 라디칼로 코팅된 입자 크기 300 nm의 제올라이트 LTA를 포함하고 있다. 필름은 비교 필름 E)와 굉장히 비슷하다. 이것은 굉장히 매끄럽고 이 필름의 투명성은 후자의 것과 구별하기 어려울 정도아. 필름 H)는 입자 크기까 5 마이크로미터인 코팅된 제올라이트를 포함하고 있다. 필름 H)는 매끈한 느낌은 같고 있지만 실질상 필름 E)와 필름 G) 보다는 흐리다.

Claims

입자크기가 1000 nm 이하이고, 표면은 SiR¹R²R³R⁴(라디칼 R¹, R², R³ 또는 R⁴중 적어도 하나는 가수분해 가능한 군을 포함하고, 나머지 라디칼 R¹, R², R³ 및 R⁴는 서로 독립적으로 알킬, 알케닐, 알키닐, 헤테로알킬, 싸이클로알킬, 헤테로아릴, 알킬싸이클로알킬, 헤테로(알킬싸이클로알킬), 헤테로싸이클로알킬, 아릴, 아릴알킬, 또는 헤테로(아릴알킬) 라디칼인 입자임)의 일반식을 갖는 실란으로 코팅되는 입자들을 포함하는 소수성으로 코팅된 분자체.
제 1항에 있어서, 실란은 1, 2 또는 3 개의 가수분해 가능한 군(들)을 포함하는 것을 특징으로 하는 분자체.
제 1항 또는 제 2항에 있어서, 실란의 각각의 가수분해 가능한 라디칼은, 서로 독립적으로, 가수분해 가능한 알콕시 라디칼이고, 나머지 라디칼은 가수분해가 불가한 알킬 라디칼, 알케닐 라디칼, 알킬 라디칼, 싸이클로알킬 라디칼, 알킬싸이클로알킬 라디칼, 아릴 라디칼, 및 아릴알킬 라디칼에서 선택되는 것을 특징으로 하는 분자체.
제 1항 내지 제 3항 중 어느 한 항에 있어서, 실란의 각각의 가수분해 가능한 라디칼은, 서로 독립적으로, 가수분해 가능한 알콕시 라디칼이고, 나머지 라디칼은 가수분해가 불가한 알킬 라디칼인 것을 특징으로 하는 분자체.
제 1항 내지 제 4항 중 어느 한 항에 있어서, 알킬 라디칼은 3 내지 8개의 탄소 원자를 가진 분지된 알킬 라디칼인 것을 특징으로 하는 분자체.
제 1항 내지 제 5항 중 어느 한 항에 있어서, 입자들은 무기 입자들을 포함하는 것을 특징으로 하는 분자체.
제 6항에 있어서, 무기 입자들은 다공성 알루미노포스페이트, 다공성 실리코알루미노포스페이트, 또는 제올라이트를 포함하는 입자들로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 분자체.
제 1항 내지 제 7항 중 어느 한 항에 있어서, 입자들은 제올라이트 Na-P1 (GIS 구조), 제올라이트 F, 제올라이트 LTA에서 선택되고, 실란은 하나의 알킬 라디칼 및 3 개의 가수분해 가능한 알콕시 라디칼들을 포함하는 것을 특징으로하는 분자체.
입자크기가 1000 nm 이하인 입자가 일반식 SiR¹R²R³R⁴(라디칼 R¹, R², R³ 또는 R⁴중 적어도 하나는 가수분해 가능한 군이고, 나머지 라디칼 R¹, R², R³ 및 R⁴는 서로 독립적으로 알킬, 알케닐, 알키닐, 헤테로알킬, 싸이클로알킬, 헤테로아릴, 알킬싸이클로알킬, 헤테로(알킬싸이클로알킬), 헤테로싸이클로알킬, 아릴, 아릴알킬, 또는 헤테로(아릴알킬) 라디칼임)인 적어도 하나의 실란과 반응하기 위하여 제조되는 것을 특징으로 하는, 제 1항 내지 제8항 중 어느 한항에 따른 분자체의 제조방법.
제 9항에 있어서, 입자들은 실란과 반응하기 전에 건조되는 것을 특징으로 하는 분자체의 제조방법.
제 10항에 있어서, 입자들은 진공 가열 및 동결 건조로부터 선택되는 수단에 의하여 건조되는 것을 특징으로 하는 분자체의 제조방법.
제 9항 또는 제 10항에 있어서, 입자들은 먼저 동결건조로 건조되고, 그 이후 진공 가열되어 건조되며, 그 후 실란으로 코팅되는 것을 특징으로 하는 분자체의 제조방법.
제 9항 내지 제 12항 중 어느 한 항에 있어서, 입자들은 실란으로 코팅된 후에 진공 가열되어 건조되는 것을 특징으로 하는 분자체의 제조방법.
제 9항 내지 제 13항 중 어느 한 항에 있어서, 입자들은 먼저 동결건조에 의하여 건조되고, 실란으로 코팅되며, 그 후에 진공 가열되어 건조되는 것을 특징으로 하는 분자체의 제조방법.
제 9항 내지 제 14항 중 어느 한 항에 있어서, 실란으로 코팅하기 위하여, 입자들은 우선 적절한 용매에 현탁되고, 그 다음 단계로 서스펜션에 실란이 첨가되 는 것을 특징으로 하는 분자체의 제조방법.
제 9항 내지 제 14항 중 어느 한 항에 있어서, 실란으로 코팅하기 위하여, 우선 실란은 적절한 용매와 혼합되고, 그 다음 단계에서, 입자들이 첨가되는 것을 특징으로 하는 분자체의 제조방법.
제 9항 내지 16항 중 어느 한 항에 따른 방법으로 제조되는 것을 특징으로 하는 분자체.
제 1항 내지 18항, 또는 17항 중 어느 한 항에 따른 분자체 및 유기 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 조성물.
제 18항에 있어서, 유기 화합물은 고분자 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 조성물.
제 19항에 있어서, 고분자 화합물은 열가소성인 것을 특징으로 하는 조성물.
제 18항 내지 제 20항 중 어느 한 항에 있어서, 고분자 화합물은 0 % 내지 90 %의 상대 대기습도의 구배에서, 0.9 g·mm/m²·d 미만의 수분 투과도를 갖는 것을 특징으로 하는 조성물.
제 18항 내지 제 21항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 조성물은 투명한 것을 특징으로 하는 조성물.
제 1항 내지 제 8항, 또는 제 17항 내지 제 22항 중 어느 한 항에 따른 분자체 또는 조성물을 포함하는 장치.
제 23항에 있어서, 상기 장치는 제 18항 내지 제 22항 중 어느 한 항에 따른 조성물을 사용하여 제조 또는 밀봉되는 것을 특징으로 하는 장치.
제 23항 또는 제 24항에 있어서, 상기 장치는 포장 장치인 것을 특징으로 하는 장치.
제 23항 또는 제 24항에 있어서, 상기 장치는 전자부품인 것을 특징으로 하는 장치.
제 26항에 있어서, 상기 전자부품은 MEMS 및 OLED에서 선택되는 것을 특징으로 하는 장치.
제 23항 내지 제27항 중 어느 한 항에 있어서, 보호되어야 할 표면이 상기 조성물로 직접 코팅되는 것을 특징으로 하는 장치.
제 28항에 있어서, 상기 조성물은 프린팅 노즐을 통하여 코팅될 표면에 프린트되는 것을 특징으로 하는 장치.
제 23항, 제 24항, 제 25항, 제 28항, 또는 제 29항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 장치는 막인 것을 특징으로 하는 장치.
게터 재료로서의, 제 1항 내지 17항, 또는 제 17항 내지 22항 중 어느 한 항에 따른 분자체 또는 조성물의 용도.