CN110066177A - 一种可用于水下的复合电路基板及其制备方法 - Google Patents
一种可用于水下的复合电路基板及其制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN110066177A CN110066177A CN201910455567.0A CN201910455567A CN110066177A CN 110066177 A CN110066177 A CN 110066177A CN 201910455567 A CN201910455567 A CN 201910455567A CN 110066177 A CN110066177 A CN 110066177A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- molecular sieve
- silicon nitride
- methyl
- circuit substrate
- underwater
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 39
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 title claims abstract description 18
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 11
- 239000002808 molecular sieve Substances 0.000 claims abstract description 44
- URGAHOPLAPQHLN-UHFFFAOYSA-N sodium aluminosilicate Chemical compound [Na+].[Al+3].[O-][Si]([O-])=O.[O-][Si]([O-])=O URGAHOPLAPQHLN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 43
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims abstract description 39
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims abstract description 35
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 29
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims abstract description 28
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims abstract description 26
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 claims abstract description 25
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 20
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 11
- SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoyttriooxy)yttrium Chemical compound O=[Y]O[Y]=O SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 9
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 claims abstract description 7
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 claims abstract description 4
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims abstract description 3
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims description 16
- 239000004519 grease Substances 0.000 claims description 12
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 claims description 12
- LPSKDVINWQNWFE-UHFFFAOYSA-M tetrapropylazanium;hydroxide Chemical compound [OH-].CCC[N+](CCC)(CCC)CCC LPSKDVINWQNWFE-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 6
- 229920001732 Lignosulfonate Polymers 0.000 claims description 3
- 238000012946 outsourcing Methods 0.000 claims description 2
- 238000007711 solidification Methods 0.000 claims description 2
- 230000008023 solidification Effects 0.000 claims description 2
- ANFIEGWCRSNVFS-UHFFFAOYSA-N [Na].OCl(=O)=O Chemical compound [Na].OCl(=O)=O ANFIEGWCRSNVFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 125000000956 methoxy group Chemical group [H]C([H])([H])O* 0.000 claims 1
- 239000011863 silicon-based powder Substances 0.000 claims 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 5
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 abstract description 4
- 238000001035 drying Methods 0.000 abstract description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 3
- 238000001354 calcination Methods 0.000 abstract description 2
- 238000002386 leaching Methods 0.000 abstract description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 14
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 5
- BZSXEZOLBIJVQK-UHFFFAOYSA-N 2-methylsulfonylbenzoic acid Chemical compound CS(=O)(=O)C1=CC=CC=C1C(O)=O BZSXEZOLBIJVQK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 3
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 2
- 239000003945 anionic surfactant Substances 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 2
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 2
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 2
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 2
- 239000000047 product Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- FRWYFWZENXDZMU-UHFFFAOYSA-N 2-iodoquinoline Chemical compound C1=CC=CC2=NC(I)=CC=C21 FRWYFWZENXDZMU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- -1 Methyl molecular sieve Chemical compound 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- LTPBRCUWZOMYOC-UHFFFAOYSA-N beryllium oxide Inorganic materials O=[Be] LTPBRCUWZOMYOC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 239000011469 building brick Substances 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000004512 die casting Methods 0.000 description 1
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 description 1
- 239000003752 hydrotrope Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 231100000252 nontoxic Toxicity 0.000 description 1
- 230000003000 nontoxic effect Effects 0.000 description 1
- 239000005416 organic matter Substances 0.000 description 1
- 239000012466 permeate Substances 0.000 description 1
- 229920013657 polymer matrix composite Polymers 0.000 description 1
- 239000011160 polymer matrix composite Substances 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 1
- QUCDWLYKDRVKMI-UHFFFAOYSA-M sodium;3,4-dimethylbenzenesulfonate Chemical compound [Na+].CC1=CC=C(S([O-])(=O)=O)C=C1C QUCDWLYKDRVKMI-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/515—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics
- C04B35/58—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on borides, nitrides, i.e. nitrides, oxynitrides, carbonitrides or oxycarbonitrides or silicides
- C04B35/584—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on borides, nitrides, i.e. nitrides, oxynitrides, carbonitrides or oxycarbonitrides or silicides based on silicon nitride
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
- C04B41/009—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone characterised by the material treated
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
- C04B41/45—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements
- C04B41/50—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements with inorganic materials
- C04B41/5024—Silicates
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
- C04B41/80—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone of only ceramics
- C04B41/81—Coating or impregnation
- C04B41/85—Coating or impregnation with inorganic materials
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/18—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Ceramic Products (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
Abstract
一种可用于水下的复合电路基板及其制备方法，涉及分子筛化学、陶瓷化工技术领域，也涉及电路板的制造工艺技术领域。将氮化硅粉末、氧化铝粉末、氧化钇粉末、分散剂和去离子水混合，取得混合坯料；在混合坯料中嵌入电路元件，经模具制得长方体基板坯体、煅烧，取得氮化硅陶瓷基板；然后在氮化硅陶瓷基板外表面喷涂具有甲基的ZSM‑5分子筛，再经干燥，得可用于水下的复合电路基板。产品表面机械强度优异，有良好水热稳定性，在潮湿环境中保持良好的疏水性和绝缘性，可杜绝由水分渗漏导致的短路、漏电等现象的发生。
Description
技术领域
本发明涉及分子筛化学、陶瓷化工技术领域，也涉及电路板的制造工艺技术领域。
技术背景
基板和封装材料作为各种大规模集成电路的载体，与集成电路芯片直接接触，对电路系统的稳定运行有着举足轻重的作用。
目前，国内市场上发售的各种封装材料在使用时均有各种各样的实际问题出现。最常见的电子器件封装材料包含陶瓷、树脂及陶瓷基和树脂基复合材料，其中陶瓷材料因具有高度的化学稳定性、耐腐蚀性、较高的体电阻率、较低的热膨胀系数以及良好的力学性能而被广泛使用，陶瓷基板已经成为各类集成电路和多芯片电子组件的支柱。目前工业上常用的陶瓷基板材料包括：氧化铝、氧化铍、碳化硅和氮化硅等。各类陶瓷基板材料中，氧化铝陶瓷因具有机械强度高、体电阻率高、介电损耗小、无毒且价格低廉，在基板材料中占据主要地位，然而低热导率（20 W/m·K）使其无法应用于高频大功率产热高的集成电路当中。氮化硅陶瓷具有高强度与的特性，抗弯强度高于800MPa，且介电性能良好，介电常数小于7，有利于提高信号的传输速度与效率，减少信号传输的功率损耗。氮化硅陶瓷作为一种硅基材料，其线性膨胀系数与硅接近，作为电子封装材料能够有效保证封装的可靠性，是一种较为理想的封装材料。水下作业电路，对其封装基材提出了更高要求，不仅需在水下性质稳定、保持良好绝缘性，更需其不易渗透，能经受水体腐蚀。
分子筛作为一种性能优异的多孔材料，具有表面积大、水热稳定、吸附能力强等优点，在其表面修饰上甲基后更可以在对有机物产生有效吸附的同时具有良好疏水性，对水及其中水溶物有排斥作用。但分散型的分子筛成型性差，可作为氮化硅陶瓷基板的涂层，涂覆在其表面，既保证其在水中依然保持优良绝缘性，也可以使水下电路外表保持清洁，即具有自清洁性能。
发明内容
针对现有技术的不足，本发明第一目的是提供一种可用于水下的复合电路基板，可以使氮化硅陶瓷电路基板在水下保持良好疏水性与绝缘性，安全运作。
本发明可用于水下的复合电路基板包括电路元件，特点是：在所述电路元件外包裹氮化硅基陶瓷层，在所述氮化硅基陶瓷层外包裹具有甲基的ZSM-5分子筛层，所述电路元件的连接端子伸出氮化硅基陶瓷层和具有甲基的ZSM-5分子筛层。
本发明在复合基板内包有压铸在其内部的电路元件，电路可根据需求进行设计；并且，本发明还在基板外部设置了具有疏水功能的具有甲基的ZSM-5分子筛层，该层中的分子筛结构蓬松多孔，且表面含有丰富的甲基。该装置通过在氮化硅陶瓷基板表面负载的含甲基分子筛，使其表面具有优秀的疏水性及自清洁能力，可用作水底电路复合材料，保证水下电路系统不受腐蚀、稳定运行。
本发明的第二目的是提出以上可用于水下的复合电路基板的制备方法。
本发明包括以下步骤：
1）将氮化硅粉末、氧化铝粉末、氧化钇粉末、分散剂和去离子水混合，取得混合坯料；
2）在混合坯料中嵌入电路元件，并使电路元件的连接端子伸出混合坯料以外，再经长方体模具制得长方体基板坯体，然后在1650℃～1700℃和压强为0.5MPa的条件下煅烧0.5h～3h，取得氮化硅陶瓷基板；
3）在氮化硅陶瓷基板外表面喷涂具有甲基的ZSM-5分子筛，然后置于80℃下干燥固化，得可用于水下的复合电路基板。
本发明制作工艺简单、合理，形成的产品稳定性好，所述干燥的温度环境为80℃，该温度下分子筛浆料可快速、均匀挥发，有效附着于氮化硅陶瓷基板表面。产品表面机械强度优异，有良好水热稳定性。由于其表面有含甲基分子筛涂层的氮化硅陶瓷电路基板可用作水下电路板，使其在潮湿环境中保持良好的疏水性和绝缘性，杜绝由水分渗漏导致的短路、漏电等，保证电路运行的稳定与安全。
进一步地，本发明所述氮化硅粉末的粒径为0.5μm～2.5μm，氧化铝粉末的粒径为0.3μm～5.0μm，氧化钇粉末的粒径为0.1μm～5.0μm；所述氮化硅粉末占混合坯料总质量的65～90%，氧化铝粉末占混合坯料总质量的2～4%，氧化钇粉末占混合坯料总质量的6～8%。该方法中材料所选的粒径、用量、配比均为反复实验所得形成的氮化硅陶瓷基板为最佳选用范围。
所述分散剂为木质素磺酸盐等可调节氮化硅粉末表面电位的阴离子表面活性剂。
本发明还进一步公开了具有甲基的ZSM-5分子筛的制备方法：先将氯酸钠、四丙基氢氧化铵和水混合均匀后，再混入甲基硅脂和四甲氧基硅脂，取得分子筛前驱体，然后将分子筛前驱体在180℃陈化4天，取得具有甲基的ZSM-5分子筛。本方法可有效制取具有优异疏水亲油型的分子筛，且所的分子筛孔道结构规整，吸附、过滤效率高，利于水下的长期使用。
所述氯酸钠占分子筛前驱体总质量的0.2 %，四丙基氢氧化铵占分子筛前驱体总质量的14 %，四甲氧基硅脂占分子筛前驱体总质量的21%，甲基硅脂占分子筛前驱体总质量的5%，其余为水。该方法中材料所选的配比均为多次实验所得合成具有甲基的ZSM-5分子筛的最佳选用值。
附图说明
图1为本发明的透视结构示意图。
具体实施方式
一、制备具有甲基的ZSM-5分子筛：
先将氯酸钠、四丙基氢氧化铵和水混合均匀后，再混入甲基硅脂和四甲氧基硅脂，取得分子筛前驱体，然后将分子筛前驱体在180℃陈化4天，取得具有甲基的ZSM-5分子筛，硅铝比为30～40∶1。
上述氯酸钠占分子筛前驱体总质量的0.2 %，四丙基氢氧化铵占分子筛前驱体总质量的14 %，四甲氧基硅脂占分子筛前驱体总质量的21%，甲基硅脂占分子筛前驱体总质量的5%，其余为水，合计量为100%。
二、生产工艺步骤：
1、制备基板混合坯体：
以氮化硅粉体为原料，加入氧化铝粉和氧化钇粉体作为助烧剂，与分散剂、去离子水进行混合，制备出混合坯体。
其中，氮化硅粉体粒径0.5μm～2.5μm，添加量占混合坯体总质量的65～90％；氧化铝粉粒径0.3μm～5.0μm，添加量占混合坯体总质量的2～4％；氧化钇粒径为0.1μm～5.0μm，添加量占混合坯体总质量的6～8％；分散剂占混合坯体总质量的12.8%，其余为水，合计量为100%。
分散剂为木质素磺酸盐等可调节氮化硅粉末表面电位的阴离子表面活性剂。
2、制备氮化硅基板：
将由电子元件连接好的电路元件嵌入混合坯料中，并使电路元件的连接端子伸出混合坯料以外适当长度，并以热缩材料对各连接端子进行包裹，再经长方体模具压制，经脱模，制得长方体基板坯体。
将长方体基板坯体在1650℃～1700℃和压强为0.5MPa的条件下煅烧0.5h～3h，取得氮化硅陶瓷基板。
3、喷涂：
在煅烧的氮化硅陶瓷基板表面均匀喷分子筛，在80℃下干燥使其固载。
拆除包裹在各连接端子上的热缩材料，即得复合电路基板。
三、复合电路基板结构说明：
如图1所示，在电路元件2外包裹氮化硅基陶瓷层1，在氮化硅基陶瓷层1外包裹具有甲基的ZSM-5分子筛层3，其中，电路元件2的连接端子伸出氮化硅基陶瓷层1和具有甲基的ZSM-5分子筛层3，可连入其他电路中。
具有甲基的ZSM-5分子筛层3的修饰使得氮化硅基陶瓷层1外部具有较强疏水性。作为氮化硅陶瓷基板的涂层，涂覆在其表面，既保证其在水中依然保持优良绝缘性，也可以使水下电路外表保持清洁，即具有自清洁性能。该发明可用于如水下勘探工具电路，轮船、潜艇外部电路等领域。
Claims (6)
1.一种可用于水下的复合电路基板，包括电路元件，其特征在于在所述电路元件外包裹氮化硅基陶瓷层，在所述氮化硅基陶瓷层外包裹具有甲基的ZSM-5分子筛层，所述电路元件的连接端子伸出氮化硅基陶瓷层和具有甲基的ZSM-5分子筛层。
2.如权利要求1所述可用于水下的复合电路基板的制备方法，其特征在于包括以下步骤：
1）将氮化硅粉末、氧化铝粉末、氧化钇粉末、分散剂和去离子水混合，取得混合坯料；
2）在混合坯料中嵌入电路元件，并使电路元件的连接端子伸出混合坯料以外，再经长方体模具制得长方体基板坯体，然后在1650℃～1700℃和压强为0.5MPa的条件下煅烧0.5h～3h，取得氮化硅陶瓷基板；
3）在氮化硅陶瓷基板外表面喷涂具有甲基的ZSM-5分子筛，然后置于80℃下干燥固化，得可用于水下的复合电路基板。
3.根据权利要求2所述可用于水下的复合电路基板的制备方法，其特征在于所述氮化硅粉末的粒径为0.5μm～2.5μm，氧化铝粉末的粒径为0.3μm～5.0μm，氧化钇粉末的粒径为0.1μm～5.0μm；所述氮化硅粉末占混合坯料总质量的65～90%，氧化铝粉末占混合坯料总质量的2～4%，氧化钇粉末占混合坯料总质量的6～8%。
4.根据权利要求2或3所述可用于水下的复合电路基板的制备方法，其特征在于所述分散剂的为木质素磺酸盐。
5.根据权利要求2所述可用于水下的复合电路基板的制备方法，其特征在于先将氯酸钠、四丙基氢氧化铵和水混合均匀后，再混入甲基硅脂和四甲氧基硅脂，取得分子筛前驱体，然后将分子筛前驱体在180℃陈化4天，取得具有甲基的ZSM-5分子筛。
6.根据权利要求5所述可用于水下的复合电路基板的制备方法，其特征在于所述氯酸钠占分子筛前驱体总质量的0.2 %，四丙基氢氧化铵占分子筛前驱体总质量的14 %，四甲氧基硅脂占分子筛前驱体总质量的21%，甲基硅脂占分子筛前驱体总质量的5%。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201910455567.0A CN110066177A (zh) | 2019-05-29 | 2019-05-29 | 一种可用于水下的复合电路基板及其制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201910455567.0A CN110066177A (zh) | 2019-05-29 | 2019-05-29 | 一种可用于水下的复合电路基板及其制备方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN110066177A true CN110066177A (zh) | 2019-07-30 |
Family
ID=67371880
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201910455567.0A Pending CN110066177A (zh) | 2019-05-29 | 2019-05-29 | 一种可用于水下的复合电路基板及其制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN110066177A (zh) |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20100068474A1 (en) * | 2006-06-27 | 2010-03-18 | Nanoscape Ag | Coated molecular sieve |
| CN102635479A (zh) * | 2012-04-23 | 2012-08-15 | 常州联德电子有限公司 | 车用氮化硅陶瓷预热塞的制备方法 |
| CN105948818A (zh) * | 2016-04-22 | 2016-09-21 | 西安科技大学 | 一种甲烷传感器用陶瓷基复合材料的制备方法 |
| CN106631042A (zh) * | 2017-01-23 | 2017-05-10 | 威海圆环先进陶瓷有限公司 | 制作氮化硅陶瓷电路基板的生产工艺 |
| JP2018078872A (ja) * | 2016-11-19 | 2018-05-24 | 株式会社ステップ・ケイ・スリー | 水中ヒータ |
| CN108264057A (zh) * | 2016-12-30 | 2018-07-10 | 中国石油天然气股份有限公司 | 一种固相合成浸润性可控的zsm-5沸石的方法 |
-
2019
- 2019-05-29 CN CN201910455567.0A patent/CN110066177A/zh active Pending
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20100068474A1 (en) * | 2006-06-27 | 2010-03-18 | Nanoscape Ag | Coated molecular sieve |
| CN102635479A (zh) * | 2012-04-23 | 2012-08-15 | 常州联德电子有限公司 | 车用氮化硅陶瓷预热塞的制备方法 |
| CN105948818A (zh) * | 2016-04-22 | 2016-09-21 | 西安科技大学 | 一种甲烷传感器用陶瓷基复合材料的制备方法 |
| JP2018078872A (ja) * | 2016-11-19 | 2018-05-24 | 株式会社ステップ・ケイ・スリー | 水中ヒータ |
| CN108264057A (zh) * | 2016-12-30 | 2018-07-10 | 中国石油天然气股份有限公司 | 一种固相合成浸润性可控的zsm-5沸石的方法 |
| CN106631042A (zh) * | 2017-01-23 | 2017-05-10 | 威海圆环先进陶瓷有限公司 | 制作氮化硅陶瓷电路基板的生产工艺 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN112585747B (zh) | 灌封料、使电气或电子部件电绝缘的方法和电绝缘部件 | |
| JP2883787B2 (ja) | パワー半導体装置用基板 | |
| CN101734923A (zh) | 一种氮化铝多孔陶瓷及其制备方法 | |
| CN105400977A (zh) | 铝基碳化硅的制备方法 | |
| US7141309B2 (en) | High thermal conductive material having high thermal conductivity and process for producing the same | |
| CN107365155B (zh) | 一种氮化铝陶瓷的低温烧结助剂体系 | |
| CN104817290A (zh) | 一种高介电耐高温微波介质复合材料的制备方法 | |
| CN110066177A (zh) | 一种可用于水下的复合电路基板及其制备方法 | |
| US6399187B1 (en) | Metal-ceramics composite, heat dissipation device employing it, and processes for producing them | |
| CN105367061A (zh) | 一种纳米二硅化钼增强的高导热碳化硅基陶瓷电路板基板材料及其制备方法 | |
| CN101092672A (zh) | 超低热膨胀铝碳化硅电子封装基板或外壳材料复合物及制备产品的方法 | |
| JP4404602B2 (ja) | セラミックス−金属複合体およびこれを用いた高熱伝導放熱用基板 | |
| CN210117340U (zh) | 一种可用于水下的复合电路基板 | |
| CN112852380B (zh) | 硫酸钡电子灌封胶及其制备方法和应用 | |
| CN103435353A (zh) | 一种用于SiC增强Al基复合材料的SiC预制件的制备方法 | |
| JPS6221764A (ja) | 窒化アルミニウム焼結体の製造方法 | |
| CN104868042A (zh) | 一种高导热复合陶瓷基板及其制作方法 | |
| CN115557784B (zh) | 一种mzta陶瓷材料及其制备方法和应用 | |
| JPH01198404A (ja) | 無機焼結体及びその製造方法 | |
| CN116854481A (zh) | 一种低温快速制备高导热复杂形状氮化铝陶瓷的方法 | |
| JPH056679Y2 (zh) | ||
| JP3271342B2 (ja) | 窒化アルミニウム燒結体の製造方法 | |
| JPH03146471A (ja) | 窒化アルミニウム焼結体の製造方法 | |
| JPS6355109A (ja) | 窒化アルミニウム粉末の製法 | |
| JP2003234441A (ja) | 放熱基板用複合材料 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination |