KR20090028528A - 정전 작동 및 해제를 갖는 아날로그 간섭계 변조기 - Google Patents

정전 작동 및 해제를 갖는 아날로그 간섭계 변조기 Download PDF

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리오르 코구트
제프리 비. 샘셀
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아이디씨 엘엘씨
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Abstract

미소 기전 시스템(MEMS) 기기는, 제1 전극과, 제1 전극으로부터 전기적으로 절연된 제2 전극과, 제1 전극 및 제2 전극으로부터 전기적으로 절연된 제3 전극을 포함한다. 또한, 미소 기전 시스템 기기는, 제1 전극과 제2 전극을 분리시키는 지지 구조체와, 제1 위치와 제2 위치 사이에서 이동 가능하게 위치되는 반사 소자를 포함한다. 반사 소자는, 제1 위치에 있을 때에는 미소 기전 시스템 기기의 일부분과 접촉하고, 제2 위치에 있을 때에는 미소 기전 시스템 기기의 일부분과 접촉하지 않는다. 반사 소자가 제1 위치에 있을 때에는 반사 소자와 미소 기전 시스템 기기의 일부분 간에 점착력이 생성되며, 이 점착력은 제1 전극, 제2 전극, 및 제3 전극에 인가된 전압에 의해 적어도 부분적으로 감소되거나 상쇄된다.
광학층, 유전체층, 기계적 특성의 층, 탄성 변형, 정전기력

Description

정전 작동 및 해제를 갖는 아날로그 간섭계 변조기{ANALOG INTERFEROMETRIC MODULATOR DEVICE WITH ELECTROSTATIC ACTUATION AND RELEASE}
본 발명은 미소 기전 시스템(MEMS : microelectromechanical systems) 기기에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 미소 기전 시스템을 이용한 아날로그, 디지털 및/또는 광학 기기에 관한 것이다.
미소 기전 시스템은 미소 기계 소자, 액추에이터, 및 전자 기기를 포함한다. 미소 기계 소자는 적층(deposition), 에칭, 및/또는 기판과 적층 재료 층 중의 하나 또는 양자의 일부를 에칭으로 제거하거나 전기 기기 및 기전 기기를 형성하기 위해 층을 추가하는 기타 미소 기계 가공 공정을 이용하여 제조될 수 있다. 미소 기전 시스템 기기의 한 형태로서 간섭계 변조기가 있다. 본 명세서에서 사용되는 바와 같이, 간섭계 변조기 또는 간섭계 광변조기는 광 간섭의 원리를 이용하여 광을 선택적으로 흡수하거나 및/또는 반사하는 기기를 지칭한다. 특정 실시예에서, 간섭계 변조기는 한 쌍의 전도성 플레이트를 포함하고, 이들 전도성 플레이트 중의 하나 또는 양자 모두가 전체적으로 또는 부분적으로 투명하게 되거나 및/또는 반사성을 가지고 있을 수 있고, 적절한 전기 신호가 인가되면 상대적으로 이동할 수 있다. 특별한 실시예에서, 하나의 플레이트는 기판상에 적층된 고정층을 포함하여 구성되고, 다른 하나의 플레이트는 에어갭에 의해 상기 고정층으로부터 이격된 금속막을 포함하여 구성될 수 있다. 본 명세서에 더욱 상세히 설명된 바와 같이, 다른 하나의 플레이트에 관련한 하나의 플레이트 위치는, 간섭계 변조기 상에 입사하는 광의 광 간섭을 변화시킬 수 있다. 이러한 기기는 광범위한 응용을 가지며, 본 기술 분야에서는 이러한 유형의 기기의 특성을 이용 및/또는 수정하여 이들의 특징이 기존의 제품을 향상시키고 아직 개발되지 않은 새로운 제품을 생산하는 데 이용될 수 있도록 하는 것이 이로울 것이다.
미소 기전 시스템(MEMS) 기기의 일실시예는, 제1 전극, 상기 제1 전극으로부터 전기적으로 절연된 제2 전극, 및 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극으로부터 전기적으로 절연된 제3 전극을 포함한다. 또한, 상기 미소 기전 시스템 기기는 상기 제1 전극과 상기 제2 전극을 분리시키는 지지 구조체를 포함한다. 또한, 상기 미소 기전 시스템 기기는 제1 위치와 제2 위치 사이에서 이동 가능하게 위치되는 반사 소자를 포함한다. 상기 반사 소자는, 상기 제1 위치에 있을 때에는 상기 미소 기전 시스템 기기의 일부분과 접촉하고, 상기 제2 위치에 있을 때에는 상기 미소 기전 시스템 기기의 상기 일부분과 접촉하지 않는다. 상기 반사 소자가 상기 제1 위치에 있을 때에는 상기 반사 소자와 상기 일부분 간에 점착력(adhesive force)이 생성된다. 상기 제1 전극, 상기 제2 전극, 및 상기 제3 전극에 인가된 전압이 상기 점착력을 적어도 부분적으로 감소시키거나 상쇄한다.
미소 기전 시스템(MEMS) 기기의 다른 실시예는, 전기를 도통시키기 위한 제1 도전 수단, 전기를 도통시키고, 상기 제1 도전 수단과 전기적으로 절연되는 제2 도전 수단, 및 전기를 도통시키고, 상기 제1 도전 수단 및 상기 제2 도전 수단과 전기적으로 절연되는 제3 도전 수단을 포함한다. 또한, 상기 미소 기전 시스템 기기는 상기 제1 도전 수단과 상기 제2 도전 수단을 분리시키는 분리 수단을 포함한다. 또한, 미소 기전 시스템 기기는, 광을 반사하고, 제1 위치와 제2 위치 사이에서 이동 가능하게 위치되는 반사 수단을 포함한다. 상기 반사 수단은, 상기 제1 위치에 있을 때에는 상기 미소 기전 시스템 기기의 일부분과 접촉하고, 상기 제2 위치에 있을 때에는 상기 미소 기전 시스템 기기의 상기 일부분과 접촉하지 않는다. 상기 반사 수단이 상기 제1 위치에 있을 때에는 상기 반사 수단과 상기 일부분 간에 점착력이 생성된다. 상기 제1 도전 수단, 상기 제2 도전 수단, 및 상기 제3 도전 수단에 인가된 전압이 상기 점착력을 적어도 부분적으로 감소시키거나 상쇄한다.
미소 기전 시스템(MEMS) 기기를 작동시키는 방법의 실시예는, 제1 전극, 상기 제1 전극으로부터 전기적으로 절연된 제2 전극, 및 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극으로부터 전기적으로 절연된 제3 전극을 포함하는 미소 기전 시스템 기기를 제공하는 단계를 포함한다. 또한, 상기 미소 기전 시스템 기기는 상기 제1 전극과 상기 제2 전극을 분리시키는 지지 구조체를 포함한다. 또한, 상기 미소 기전 시스템 기기는 제1 위치와 제2 위치 사이에서 이동 가능하게 위치되는 반사 소자를 포함한다. 상기 반사 소자는, 상기 제1 위치에 있을 때에는 상기 미소 기전 시스템 기기의 일부분과 접촉하고, 상기 제2 위치에 있을 때에는 상기 미소 기전 시스템 기기의 상기 일부분과 접촉하지 않는다. 상기 반사 소자가 상기 제1 위치에 있을 때에는 상기 반사 소자와 상기 일부분 간에 점착력이 생성된다. 또한, 상기 미소 기전 시스템 기기의 작동 방법은, 상기 제1 전극, 상기 제2 전극, 및 상기 제3 전극에 전압을 인가하여, 상기 점착력을 적어도 부분적으로 감소시키거나 상쇄하는 단계를 포함한다.
미소 기전 시스템(MEMS) 기기를 제조하는 방법의 실시예는, 기판 상에 제1 반사층을 형성하는 단계, 상기 제1 반사층 위에 희생층을 형성하는 단계, 상기 희생층의 일부분을 제거하여 개구를 형성하는 단계, 및 상기 개구를 유전체 재료로 채워 포스트를 형성하는 단계를 포함한다. 또한, 상기 방법은, 상기 희생층 위에 제2 반사층을 형성하는 단계, 상기 제2 반사층의 일부분 및 상기 포스트의 일부분을 제거하여 홀을 형성하는 단계, 상기 홀을 도전성 재료로 채워 전극을 형성하는 단계, 및 상기 희생층을 제거하는 단계를 포함한다.
도 1은, 제1 간섭계 변조기의 이동 가능한 반사층이 해방 위치에 있고, 제2 간섭계 변조기의 이동 가능한 반사층이 작동 위치에 있는 간섭계 변조기 디스플레이의 일실시예의 일부분을 도시하고 있는 등각 투영도이다.
도 2는 3×3 간섭계 변조기 디스플레이를 구비하는 전자 기기의 일실시예를 나타내는 시스템 블록도이다.
도 3은, 도 1의 간섭계 변조기의 일실시예에서, 인가되는 전압에 대한 이동가능한 미러의 위치를 나타내는 도면이다.
도 4는 간섭계 변조기 디스플레이를 구동시키는데 이용될 수 있는 일련의 수 평열 전압 및 수직열 전압을 나타내는 도면이다.
도 5a는 도 2의 3×3 간섭계 변조기 디스플레이에서의 디스플레이 데이터의 프레임의 일례를 나타내는 도면이다.
도 5b는 도 5a의 프레임을 기록하는데 이용될 수 있는 수평열 신호 및 수직열 신호의 타이밍도의 일례를 나타내는 도면이다.
도 6a 및 도 6b는 다수의 간섭계 변조기를 구비하는 영상 디스플레이 기기의 실시예를 나타내는 시스템 블록도이다.
도 7a는 도 1에 도시한 간섭계 변조기 디스플레이 기기의 단면도이다.
도 7b는 간섭계 변조기의 다른 실시예를 나타내는 단면도이다.
도 7c는 간섭계 변조기의 또 다른 실시예를 나타내는 단면도이다.
도 7d는 간섭계 변조기의 또 다른 실시예를 나타내는 단면도이다.
도 7e는 간섭계 변조기의 또 다른 실시예를 나타내는 단면도이다.
도 8a는 해방 상태 또는 비작동 상태에 있는 미소 기전 시스템 기기의 실시예의 측단면도이다.
도 8b는 작동 상태 또는 구동 상태에 있는 도 8a에 도시된 미소 기전 시스템 기기의 측단면도이다.
도 9a는 해방 상태 또는 비작동 상태에 있는 미소 기전 시스템 기기의 다른 실시예의 측단면도이다.
도 9b는 작동 상태 또는 구동 상태에 있는 도 9a에 도시된 미소 기전 시스템 기기의 측단면도이다.
도 10a는 해방 상태 또는 비작동 상태에 있는 미소 기전 시스템 기기의 또 다른 실시예의 측단면도이다.
도 10b는 작동 상태 또는 구동 상태에 있는 도 10a에 도시된 미소 기전 시스템 기기의 측단면도이다.
도 11a는 제3 전극에 전압이 인가되기 전에 작동 상태 또는 구동 상태에 있는 미소 기전 시스템 기기의 실시예의 일부분에 대한 측단면도이다.
도 11b는 제3 전극에 전압이 인가된 후의 도 11a에 도시된 미소 기전 시스템 기기의 일부분에 대한 근접 측단면도이다.
도 12a 내지 도 12d는 미소 기전 시스템 기기의 반사 소자의 상이한 실시예에 대한 측단면도이다.
도 13a 내지 도 13d는 해방 상태에 있는 미소 기전 시스템 기기의 다른 실시예에 대한 측단면도이다.
도 14는 작동 상태 또는 구동 상태에 있는 미소 기전 시스템 기기의 실시예에 대한 측단면도이다.
이하의 상세한 설명은 본 발명의 구체적인 실시예에 관한 것이다. 그러나 본 발명은 여러 가지 다른 방식으로 구현될 수 있다. 이하의 설명에서는 전체 도면에 걸쳐 동일한 부분에 대해 동일한 도면 부호가 사용되어 있는 도면이 참조된다. 이하의 설명으로부터 명백한 바와 같이, 본 발명은 동화상(예컨대, 비디오)이든 정지 화상(예컨대, 스틸 이미지)이든, 또는 텍스트이든 그림이든, 이미지를 디 스플레이하도록 구성된 것이라면 어떠한 기기에서도 실시될 수 있다. 보다 상세하게는, 본 발명은, 이하의 것으로 한정되지는 않지만, 예컨대, 이동 전화기, 무선 기기, 개인 휴대용 정보 단말기(PDA), 손에 들고다니거나 휴대할 수 있는 컴퓨터, GPS 수신기/네비게이터, 카메라, MP3 플레이어, 캠코더, 게임 콘솔, 손목 시계, 시계, 계산기, 텔레비전 모니터, 평판 디스플레이, 컴퓨터 모니터, 자동차 디스플레이(예컨대, 주행 거리계 디스플레이 등), 조종석 제어 장치 및/또는 디스플레이, 감시 카메라의 디스플레이(예컨대, 자동차에서의 후방 감시 카메라의 디스플레이), 전자 사진 액자, 전자 게시판 또는 전자 표시기, 프로젝터, 건축 구조물, 포장물, 및 미적 구조물(예컨대, 보석 위에의 이미지의 디스플레이) 등과 같은 다양한 전자 기기에서 실현되거나 관련되는 것으로 고려된다. 또한, 본 명세서에 개시된 미소 기전 시스템(MEMS) 기기와 유사한 구조의 기기를 전자 스위칭 기기와 같은 비(非)디스플레이 분야에 사용할 수도 있다.
미소 기전 시스템 기기의 일부 실시예는 미러 또는 변형 가능한 기계적 특성의 층과 같은 이동 가능한 소자를 포함할 수도 있으며, 이러한 이동 가능한 소자는 이동 가능한 소자가 미소 기전 시스템 기기의 일부분과 접촉하게 되는 제1 위치와 이동 가능한 소자가 미소 기전 시스템 기기의 일부분과 접촉하지 않는 제2 위치 사이에서 이동한다. 제1 위치에 있는 동안, 이동 가능한 소자와 접촉 부분 간에는 점착력(예컨대, 정지 마찰)이 생성될 것이다. 따라서, 이동 가능한 소자가 제1 위치에 있는 동안 점착력을 적어도 부분적으로 감소시키거나 상쇄할 수 있는 미소 기전 시스템 기기 및 그 작동 방법을 제공하는 것이 이로울 것이다. 특정 실시예에 서, 미소 기전 시스템 기기는 이동 가능한 소자에 대한 점착력을 적어도 부분적으로 감소시키거나 상쇄하도록 구성된 하나 이상의 전극을 포함한다. 일실시예에서, 점착력을 적어도 부분적으로 감소시키거나 상쇄하는 정전기력(electrostatic force)을 제공하기 위해 하나 이상의 전극에 전압이 인가될 것이다. 다른 실시예에서, 점착력이 발생되는 접촉 면적을 감소시키기 위해 이동 가능한 소자를 탄성적으로 변형시키거나 또는 발진(oscillation)시키기 위해 시간 가변 전압(time-varying voltage)이 이용될 수도 있다. 특정 실시예에서, 시간 가변 전압은 점착력이 감소되도록 이동 가능한 소자를 진동 또는 공진시킬 수도 있다.
도 1에는 간섭계 MEMS 디스플레이 소자를 포함하여 구성된 간섭계 변조기 디스플레이의 일실시예가 도시되어 있다. 이러한 기기에서, 픽셀은 밝은 상태 또는 어두운 상태 중 하나의 상태로 된다. 밝은 상태("온 상태" 또는 "개방 상태")에서는, 디스플레이 소자가 입사되는 가시광의 대부분을 사용자에게 반사한다. 어두운 상태("오프 상태" 또는 "폐쇄 상태")에서는, 디스플레이 소자가 입사되는 가시광을 사용자에게 거의 반사하지 않는다. 실시예에 따라서는, "온 상태"와 "오프 상태"의 광 반사 특성이 반대로 바뀔 수도 있다. 미소 기전 시스템 픽셀은 선택된 컬러를 두드러지게 반사하여 흑백뿐만 아니라 컬러 디스플레이도 가능하도록 구성될 수 있다.
도 1은 영상 디스플레이의 일련의 픽셀들에서 인접하는 두 개의 픽셀을 나타낸 등각 투영도이다. 여기서, 각 픽셀은 미소 기전 시스템의 간섭계 변조기를 포함하여 구성된다. 일부 실시예에서, 간섭계 변조기 디스플레이는 이들 간섭계 변 조기들의 행렬 어레이를 포함하여 구성된다. 각각의 간섭계 변조기는, 적어도 하나의 가변 치수를 갖는 공진 광학 캐비티를 형성하도록 서로 가변적이고 제어가능한 거리를 두고 배치되어 있는 한 쌍의 반사층을 포함한다. 일실시예에서, 이 반사층들 중 하나가 두 개의 위치 사이에서 이동될 수 있다. 제1 위치(본 명세서에서는 "해방 위치"로 지칭됨)에서, 이동 가능한 층은 부분적으로 반사하는 고정된 층으로부터 상대적으로 먼 거리에 위치한다. 제2 위치(본 명세서에서는 "작동 위치"로 지칭됨)에서, 이동 가능한 층은 부분적으로 반사하는 층에 보다 가까이 인접하여 위치한다. 두 개의 층으로부터 반사되는 입사광은 이동 가능한 반사층의 위치에 따라 보강적으로 또는 상쇄적으로 간섭하여, 각 픽셀을 전체적으로 반사 상태 또는 비반사 상태로 만든다.
도 1에 도시된 픽셀 어레이 부분은 두 개의 인접하는 간섭계 변조기(12a, 12b)를 포함한다. 좌측에 있는 간섭계 변조기(12a)에서는, 이동 가능하고 반사성이 높은 반사층(14a)이, 부분적으로 반사하는 층을 포함하는 광학 스택(16a)으로부터 소정의 거리를 두고 해방 위치에 있는 것으로 도시되어 있다. 우측에 있는 간섭계 변조기(12b)에서는, 이동 가능한 반사성이 높은 반사층(14b)이 광학 스택(16b)에 인접한 작동 위치에 있는 것으로 도시되어 있다.
광학 스택(16a, 16b)(이를 총괄하여 "광학 스택(16)"으로 지칭함)은, 본 명세서에서 언급하고 있는 바와 같이, 통상적으로 몇 개의 층을 결합시킨 것이며, 이러한 층에는 인듐 주석 산화물(ITO) 등의 전극층, 크롬 등의 부분 반사 특성을 갖는 부분 반사층, 및 투명 유전체 등이 포함될 수 있다. 따라서, 광학 스택(16)은, 전기적으로 도전성을 나타내며, 부분적으로 투명하고, 부분 반사 특성을 가지고 있으며, 예컨대 투명 기판(20) 상에 상기 언급한 층들 중 하나 이상을 적층시킴으로써 제조될 수 있다. 부분 반사층은, 각종 금속, 반도체, 및 유전체 등과 같이 부분 반사 특성을 갖는 다양한 재료로 형성될 수 있다. 이 부분 반사층은 하나 이상의 층들로 형성될 수 있으며, 이들 층의 각각은 단일의 재료 또는 이러한 재료를 조합하여 형성될 수 있다.
일부 실시예에서, 광학 스택의 층들은 병렬 스트립으로 패터닝되어, 상세히 후술하는 바와 같이 디스플레이 기기의 수평열 전극(row electrode)을 형성할 수 있다. 이동 가능한 반사층(14a, 14b)은, 포스트(18)의 상부와 이 포스트들 사이에 개재하는 희생 재료(sacrificial material) 위에 적층된 금속층(광학 스택(16a, 16b)의 수평열 전극에 직각을 이룸)으로 이루어진 일련의 병렬 스트립으로서 형성될 수 있다. 희생 재료를 에칭에 의해 제거하면, 이동 가능한 반사층(14a, 14b)이, 형성된 갭(19)에 의해 광학 스택(16a, 16b)으로부터 이격된다. 반사층(14)을 알루미늄과 같이 도전성과 반사성이 높은 재료를 이용하여 형성할 수 있고, 이들 스트립은 디스플레이 기기의 수직열 전극(column electrode)을 형성할 수 있다.
전압이 인가되지 않으면, 이동 가능한 반사층(14a)과 광학 스택(16a) 사이에 캐비티(19)가 그대로 존재하게 되고, 이동 가능한 반사층(14a)은 도 1의 픽셀(12a)에 의해 나타낸 바와 같이 기계적으로 해방된 상태에 있게 된다. 그러나, 선택된 수평열과 수직열에 전위차가 인가되면, 해당하는 픽셀에서 수평열 전극과 수직열 전극이 교차하는 지점에 형성된 커패시터가 충전되어, 정전기력이 이들 전극을 서 로 당기게 된다. 만일 전압이 충분히 높다면, 이동 가능한 반사층(14)은 변형되고, 광학 스택(16)에 대항하여 힘을 받게 된다. 광학 스택(16) 내의 유전체층(이 도면에는 도시하지 않음)은, 도 1의 우측의 픽셀(12b)에 의해 예시된 바와 같이 반사층(14)과 광학 스택(16)의 단락을 방지하고 이들 간의 이격 거리를 제어할 것이다. 이 동작은 인가된 전위차의 극성에 관계없이 동일하다. 이러한 방식에서, 반사 대 비반사 픽셀 상태를 제어할 수 있는 수평열/수직열 작동은 종래의 액정 디스플레이(LCD) 및 다른 디스플레이 기술에서 사용되었던 방식과 여러 가지 면에서 유사하다.
도 2 내지 도 5b는 디스플레이 응용분야에서 간섭계 변조기의 어레이를 사용하는 하나의 예시적인 공정 및 시스템을 나타낸다.
도 2는 본 발명의 여러 측면을 포함할 수 있는 전자 기기의 일실시예를 나타낸 시스템 블록도이다. 본 실시예에서, 전자 기기는 프로세서(21)를 포함한다. 이 프로세서(21)는 ARM, Pentium®, Pentium Ⅱ®, Pentium Ⅲ®, Pentium Ⅳ®, Pentium® Pro, 8051, MIPS®, Power PC®, ALPHA® 등과 같은 범용의 단일칩 또는 멀티칩 마이크로프로세서이거나, 또는 디지털 신호 처리기, 마이크로컨트롤러, 프로그래머블 게이트 어레이 등과 같은 특수 목적의 마이크로프로세서일 수 있다. 해당 기술 분야에서 알려진 바와 같이, 프로세서(21)는 하나 이상의 소프트웨어 모듈을 실행하도록 구성될 수 있다. 오퍼레이팅 시스템을 실행하는 것 외에도, 프로세서는 웹 브라우저, 전화 응용프로그램, 이메일 프로그램, 또는 임의의 다른 소프트웨어 응 용프로그램을 포함한 하나 이상의 소프트웨어 응용프로그램을 실행하도록 구성될 수 있다.
일실시예에서, 프로세서(21)는 또한 어레이 드라이버(22)와 통신하도록 구성된다. 일실시예에서, 어레이 드라이버(22)는 디스플레이 어레이 또는 디스플레이 패널(30)에 신호를 제공하는 수평열 구동 회로(24) 및 수직열 구동 회로(26)를 포함한다. 도 2에서 라인 1-1을 따라 절취한 어레이의 단면도가 도 1에 도시되어 있다. 미소 기전 시스템의 간섭계 변조기에 대하여, 수평열/수직열 작동 프로토콜은 도 3에 도시된 이들 기기의 히스테리시스 특성을 이용할 수 있다. 이동 가능한 층을 해방 상태에서 작동 상태로 변형시키기 위해, 예컨대 10V의 전위차가 요구될 수도 있다. 그러나, 전압이 그 값으로부터 감소될 때, 전압이 10V 아래로 떨어지더라도 이동 가능한 층은 자신의 상태를 유지한다. 도 3의 예시 실시예에서, 이동 가능한 층은 전압이 2V 아래로 떨어질 때까지는 완전히 해방되지 않는다. 따라서, 기기가 해방 상태 또는 작동 상태 중 어느 하나의 상태로 안정하게 되는 인가 전압 영역이 존재하며, 도 3에 예시된 예에서는 이 전압 범위가 약 3∼7V이다. 이것을 본 명세서 내에서는 "히스테리시스 영역" 또는 "안정 영역"으로 지칭한다. 도 3의 히스테리시스 특성을 가진 디스플레이 어레이에 대하여, 수평열/수직열 작동 프로토콜은, 수평열 스트로브(row strobe)가 인가되는 동안, 스트로브가 인가된 수평열에 있는 픽셀들 중에 작동되어야 할 픽셀들이 약 10V의 전위차에 노출되고, 해방되어야 할 픽셀들이 0V에 가까운 전위차에 노출되도록 설계될 수 있다. 스트로브를 인가한 후에는, 픽셀들이 수평열 스트로브에 의해 어떠한 상태가 되었든지 간에 그 상태로 유지되도록 약 5V의 정상 상태 전압차를 적용받는다. 기록된 후에, 각 픽셀은 본 실시예에서는 3∼7V의 "안정 영역" 내의 전위차를 나타낸다. 이러한 특징은, 도 1에 도시된 픽셀 설계가 동일한 인가 전압의 조건 하에서 작동 상태든 해방 상태든 기존의 상태로 안정되게 한다. 작동 상태로 있든 해방 상태로 있든, 간섭계 변조기의 각 픽셀이 필연적으로 고정된 반사층과 이동하는 반사층에 의해 형성되는 커패시터이기 때문에, 이러한 안정된 상태는 히스테리시스 영역 내의 전압에서 거의 전력 소비 없이 유지될 수 있다. 인가 전위가 고정되어 있으면, 필연적으로 픽셀에 전류가 유입되지 않는다.
대표적인 응용예로서, 첫 번째 수평열에 있는 소정 세트의 작동된 픽셀에 따라 한 세트의 수직열 전극을 어서팅(asserting)함으로써 디스플레이 프레임을 만들 수 있다. 그런 다음, 수평열 펄스를 수평열 1의 전극에 인가하여, 어서트된 수직열 라인에 대응하는 픽셀들을 작동시킨다. 그러면, 수직열 전극의 어서트된 세트가 두 번째 수평열에 있는 소정 세트의 작동된 픽셀에 대응하도록 변경된다. 그런 다음, 펄스를 수평열 2의 전극에 인가하여, 어서트된 수직열 전극에 따라 수평열 2에서의 해당하는 픽셀을 작동시킨다. 수평열 1의 픽셀들은 수평열 2의 펄스에 영향을 받지 않고, 수평열 1의 펄스 동안에 설정되었던 상태를 유지한다. 이러한 동작을 순차적으로 전체 수평열에 대해 반복하여 프레임을 생성할 수 있다. 일반적으로, 이러한 프레임들은 요구된 초당 프레임수로 이러한 처리를 계속해서 반복함으로써 리프레시(refresh)되거나, 및/또는 새로운 디스플레이 데이터로 갱신된다. 픽셀 어레이의 수평열 및 수직열 전극을 구동하여 디스플레이 프레임을 생성하는 많은 다양한 프로토콜이 잘 알려져 있고, 본 발명과 관련하여 사용될 수 있다.
도 4, 도 5a 및 도 5b는 도 2의 3×3 어레이에서 디스플레이 프레임을 생성하기 위한 작동 프로토콜의 예를 나타낸 것이다. 도 4는 도 3의 히스테리시스 곡선을 나타내는 픽셀에 사용될 수 있는 수직열 전압 레벨 및 수평열 전압 레벨 세트의 예를 보여준다. 도 4의 실시예에서는, 픽셀을 작동시키기 위해, 해당 수직열을 -Vbias로 설정하고 해당 수평열을 +ΔV로 설정하며, 이들 수직열과 수평열의 전압은 각각 -5 볼트와 +5 볼트에 해당할 것이다. 픽셀을 해방시키기 위해서는, 해당 수직열을 +Vbias로 설정하고 해당 수평열을 동일한 값의 +ΔV로 설정하여, 픽셀에 걸리는 전위차가 0(영) 볼트가 되도록 한다. 수평열의 전압이 0(영) 볼트로 유지되는 수평열에서는, 수직열이 +Vbias이든 -Vbias이든 관계없이, 픽셀이 원래 어떤 상태이었든지 간에 그 상태에서 안정된다. 또한, 도 4에 도시된 바와 같이, 상기 언급한 것과 반대의 극성을 갖는 전압을 이용할 수 있다는 것도 알 수 있을 것이다. 예컨대, 픽셀의 작동은, 해당 수직열을 +Vbias로 설정하고, 해당 수평열을 -ΔV로 설정하는 과정을 포함할 수 있다. 이 실시예에서, 픽셀을 해방시키기 위해서는, 해당 수직열을 -Vbias로 설정하고, 해당 수평열을 동일한 값의 -ΔV로 설정하여, 픽셀에 걸리는 전위차가 0 볼트가 되도록 한다.
도 5b는 도 2의 3×3 어레이에 인가되는 일련의 수평열 신호 및 수직열 신호를 타이밍도로 나타낸 것이며, 도 2의 3×3 어레이는, 결과적으로, 작동된 픽셀이 비반사성을 나타내는 도 5a의 디스플레이 배열이 될 것이다. 도 5a에 도시된 프레임을 기록하기 전에, 픽셀은 어떤 상태로 되어 있어도 무방하다. 본 예에서는, 모든 수평열이 0 볼트이고, 모든 수직열이 +5 볼트이다. 이러한 인가 전압으로, 모든 픽셀은 자신들의 원래의 작동 상태 또는 해방 상태로 안정되어 있다.
도 5a의 프레임에서, (1,1), (1,2), (2,2), (3,2) 및 (3,3)의 픽셀이 작동된다. 이를 구현하기 위해, 수평열 1에 대한 "라인 시간(line time)" 동안, 수직열 1과 수평열 2는 -5 볼트로 설정되고, 수직열 3은 +5 볼트로 설정된다. 모든 픽셀들이 3∼7 볼트의 안정 영역 내에 있기 때문에, 어떤 픽셀의 상태도 변경되지 않는다. 그 후, 수평열 1에 대하여, 0 볼트에서 최대 5 볼트까지 상승한 후 다시 0 볼트로 되돌아가는 펄스를 가진 스트로브가 인가된다. 이것은 (1,1) 및 (1,2)의 픽셀을 작동시키고, (1,3)의 픽셀을 해방시킨다. 어레이의 다른 픽셀들은 영향을 받지 않는다. 수평열 2를 원하는 대로 설정하기 위해, 수직열 2를 -5 볼트로 설정하고, 수직열 1 및 수직열 3을 +5 볼트로 설정한다. 동일한 스트로브를 수평열 2에 인가하면, (2,2)의 픽셀이 작동되고, (2,1) 및 (2,3)의 픽셀이 해방된다. 여전히, 어레이의 다른 픽셀들은 영향을 받지 않는다. 수직열 2 및 수직열 3을 -5 볼트로 설정하고 수직열 1을 +5 볼트로 설정함으로써, 수평열 3도 마찬가지의 방법으로 설정될 수 있다. 수평열 3에 대한 스트로브로 인해 수평열 3의 픽셀들도 도 5a에 도시된 바와 같이 설정된다. 프레임을 기록한 후에, 수평열 전위는 0(영)이고, 수직열 전위는 +5 볼트 또는 -5 볼트로 유지될 수 있으므로, 디스플레이는 도 5a의 배열로 안정된다. 동일한 과정이 수십 또는 수백 개의 수평열 및 수직열로 된 어레 이에 대해서도 적용될 수 있다는 것은 잘 알 수 있을 것이다. 또한, 수평열 및 수직열의 작동을 위해 사용되는 전압의 타이밍, 순서 및 레벨은 위에서 설명한 전반적인 원리 내에서 다양하게 변경될 수 있고, 상술한 예는 예시에 불과하며, 어떠한 작동 전압 인가 방법을 본 발명에 적용하여도 무방하다.
도 6a 및 도 6b는 디스플레이 기기(40)의 실시예를 나타내는 시스템 블록도이다. 디스플레이 기기(40)는 예컨대 셀룰러폰 또는 모바일 전화기일 수 있다. 그러나, 디스플레이 기기(40)와 동일한 구성품이나 약간 변형된 또한 텔레비전이나 휴대용 미디어 플레이어와 같은 여러 가지 형태의 디스플레이 기기의 예에 해당한다.
디스플레이 기기(40)는, 하우징(41), 디스플레이(30), 안테나(43), 스피커(45), 입력 기기(48), 및 마이크로폰(46)을 포함한다. 하우징(41)은 일반적으로 사출 성형 및 진공 성형을 포함한 해당 기술분야에서 잘 알려진 여러 가지 제조 공정 중의 어느 것에 의해서도 제조될 수 있다. 또한, 하우징(41)은 플라스틱, 금속, 유리, 고무, 및 세라믹 또는 이들의 조합을 포함하여 여러 가지 재료 중 어느 것으로도 만들어질 수 있으며, 이러한 것으로 한정되지는 않는다. 일실시예에서, 하우징(41)은 분리가능한 부분(도시하지 않음)을 포함하고, 이 분리가능한 부분은 다른 색상이나 다른 로고, 그림 또는 심볼을 가진 다른 분리가능한 부분으로 교체될 수 있다.
본 예의 디스플레이 기기(40)의 디스플레이(30)는, 여기서 개시하는 바와 같이, 쌍안정(bi-stable) 디스플레이를 포함한 여러 가지 디스플레이 중 어느 것이어 도 무방하다. 다른 실시예에서, 디스플레이(30)는, 상술한 바와 같은, 플라즈마, EL, OLED, STN LCD, 또는 TFT LCD 등과 같은 평판 디스플레이와, 해당 기술분야에서 당업자에게 잘 알려진 바와 같은 CRT나 다른 튜브 디스플레이 기기 등과 같은 비평판형 디스플레이(non-flat-panel display)를 포함한다. 그러나, 본 실시예를 설명하기 위해, 디스플레이(30)는 여기서 설명하는 바와 같이 간섭계 변조기 디스플레이를 포함한다.
예시된 디스플레이 기기(40)의 일실시예에서의 구성요소가 도 6b에 개략적으로 도시되어 있다. 도시된 예의 디스플레이 기기(40)는 하우징(41)을 포함하고, 적어도 부분적으로 하우징 내에 배치될 수 있는 구성요소들을 추가로 포함할 수 있다. 예컨대, 일실시예에서, 본 예의 디스플레이 기기(40)는 송수신기(47)와 연결된 안테나(43)를 구비하는 네트워크 인터페이스(27)를 포함할 수 있다. 송수신기(47)는 프로세서(21)에 연결되어 있고, 프로세서(21)는 컨디셔닝 하드웨어(conditioning hardware)(52)에 연결되어 있다. 컨디셔닝 하드웨어(52)는 신호를 컨디셔닝 하도록(예컨대, 신호를 필터링하도록) 구성될 수 있다. 컨디셔닝 하드웨어(52)는 스피커(45)와 마이크로폰(46)에 연결되어 있다. 프로세서(21)는 입력 기기(48)와 드라이버 컨트롤러(29)에도 연결되어 있다. 드라이버 컨트롤러(29)는 프레임 버퍼(28)와 어레이 드라이버(22)에 연결되어 있고, 어레이 드라이버는 디스플레이 어레이(30)에 연결되어 있다. 전원(50)은 예시된 디스플레이 기기(40)의 특정 설계에 따라 요구되는 모든 구성요소에 전력을 공급한다.
네트워크 인터페이스(27)는 예시된 디스플레이 기기(40)가 네트워크를 통해 하나 이상의 기기들과 통신할 수 있도록 하기 위한 안테나(43)와 송수신기(47)를 포함한다. 일실시예에서, 네트워크 인터페이스(27)는 프로세서(21)의 부담을 경감하기 위해 어느 정도의 처리 능력을 가질 수도 있다. 안테나(43)는 신호를 송수신하는 것으로서, 해당 기술분야의 당업자에게 알려진 어떠한 안테나이어도 무방하다. 일실시예에서, 안테나는 IEEE 802.11(a), (b), 또는 (g)를 포함한 IEEE 802.11 표준에 따라 RF 신호를 송수신한다. 다른 실시예에서, 안테나는 블루투스 (BLUETOOTH) 표준에 따라 RF 신호를 송수신한다. 셀룰러 휴대 전화기의 경우, 안테나는 CDMA, GSM, AMPS, 또는 무선 셀폰(cell phone) 네트워크 내에서 통신하기 위해 사용되는 공지의 다른 신호를 수신하도록 설계된다. 송수신기(47)는 안테나(43)로부터 수신된 신호를 전처리함으로써, 프로세서(21)가 이 신호를 수신하여 추가로 처리할 수 있도록 한다. 또한, 송수신기(47)는 프로세서(21)로부터 수신한 신호를, 안테나(43)를 통해 본 예의 디스플레이 기기(40)로부터 전송될 수 있도록 처리한다.
다른 실시예에서, 송수신기(47)는 수신기로 대체될 수 있다. 또 다른 실시예에서, 네트워크 인터페이스(27)는, 프로세서(21)에 전송할 이미지 데이터를 저장 또는 생성할 수 있는 이미지 소스로 대체될 수 있다. 예컨대, 이미지 소스는 이미지 데이터를 담고 있는 DVD나 하드디스크 드라이브도 가능하고, 이미지 데이터를 생성하는 소프트웨어 모듈도 가능하다.
프로세서(21)는 일반적으로 본 예의 디스플레이 기기(40)의 전반적인 동작을 제어한다. 프로세서(21)는, 네트워크 인터페이스(27)나 이미지 소스로부터, 압축 된 이미지 데이터 등의 데이터를 수신하고, 수신한 데이터를, 본래의 이미지 데이터로 처리하거나, 또는 본래의 이미지 데이터로 용이하게 처리될 수 있는 포맷으로 가공한다. 그런 다음, 프로세서(21)는 처리된 데이터를 드라이버 컨트롤러(29) 또는 프레임 버퍼(28)로 보내 저장한다. 전형적으로, 본래의 데이터는 이미지 내의 각각의 위치에서의 이미지 특성을 나타내는 정보를 말한다. 예컨대, 그러한 이미지 특성은 컬러, 채도, 그레이 스케일 레벨을 포함할 수 있다.
일실시예에서, 프로세서(21)는, 마이크로컨트롤러, CPU 또는 논리 유닛을 포함하여, 예시된 디스플레이 기기(40)의 동작을 제어한다. 일반적으로, 컨디셔닝 하드웨어(52)는, 스피커(45)에 신호를 보내고 마이크로폰(46)으로부터 신호를 받기 위해 증폭기와 필터를 포함한다. 컨디셔닝 하드웨어(52)는 예시된 디스플레이 기기(40) 내의 별도의 구성요소일 수도 있고, 또는 프로세서(21)나 다른 구성요소 내에 통합되어 있을 수도 있다.
드라이버 컨트롤러(29)는 프로세서(21)에 의해 생성된 본래의 이미지 데이터를 이 프로세서(21)로부터 직접 또는 프레임 버퍼(28)로부터 받아서, 이를 어레이 드라이버(22)에 고속으로 전송하기에 적합한 포맷으로 재구성한다. 구체적으로 말하면, 드라이버 컨트롤러(29)는, 디스플레이 어레이(30)의 전역에 걸쳐 스캐닝하기에 적합한 시간 순서를 가지도록 본래의 이미지 데이터를 래스터(raster)와 같은 포맷을 가진 데이터 흐름으로 재구성한다. 그런 다음, 드라이버 컨트롤러(29)는 재구성된 정보를 어레이 드라이버(22)로 보낸다. 종종 LCD 컨트롤러 등과 같은 드라이버 컨트롤러(29)가 독립형 집적 회로(stand-alone IC)로서 시스템 프로세 서(21)와 통합되기도 하지만, 이러한 컨트롤러는 여러 가지 방식으로 구현될 수 있다. 이러한 컨트롤러는 프로세서(21)에 하드웨어로서 또는 소프트웨어로서 내장될 수도 있고, 또는 어레이 드라이버(22)와 함께 하드웨어로 완전히 통합될 수도 있다.
전형적으로, 어레이 드라이버(22)는 드라이버 컨트롤러(29)로부터 재구성된 정보를 받아서, 비디오 데이터를, 디스플레이의 x-y 행렬의 픽셀들로부터 이어져 나오는 수백 때로는 수천 개의 리드선에 초당 수 회에 걸쳐 인가되는 병렬의 파형 세트로 변환한다.
일실시예에서, 드라이버 컨트롤러(29), 어레이 드라이버(22), 및 디스플레이 어레이(30)는 여기서 기술한 어떠한 형태의 디스플레이에 대해서도 적합하다. 예컨대, 일실시예에서, 드라이버 컨트롤러(29)는 종래의 디스플레이 컨트롤러 또는 쌍안정 디스플레이 컨트롤러(예컨대, 간섭계 변조기 컨트롤러)이다. 다른 실시예에서, 어레이 드라이버(22)는 종래의 드라이버 또는 쌍안정 디스플레이 드라이버(예컨대, 간섭계 변조기 디스플레이)이다. 일실시예에서, 드라이버 컨트롤러(29)는 어레이 드라이버(22)와 통합되어 있다. 이러한 실시예는 셀룰러폰, 시계 및 다른 소형 디스플레이와 같은 고집적 시스템에서는 일반적인 것이다. 또 다른 실시예에서, 디스플레이 어레이(30)는 전형적인 디스플레이 어레이 또는 쌍안정 디스플레이 어레이(예컨대, 간섭계 변조기 어레이를 포함하는 디스플레이)이다.
입력 기기(48)는 사용자로 하여금 예시된 디스플레이 기기(40)의 동작을 제어할 수 있도록 한다. 일실시예에서, 입력 기기(48)는 쿼티(QWERTY) 키보드나 전 화기 키패드 등의 키패드, 버튼, 스위치, 터치 스크린, 압력 또는 열 감지 멤브레인을 포함한다. 일실시예에서, 마이크로폰(46)은 예시된 디스플레이 기기(40)의 입력 기기이다. 기기에 데이터를 입력하기 위해 마이크로폰(46)이 사용되는 경우에, 사용자가 음성 명령을 제공하여 예시된 디스플레이 기기(40)의 동작을 제어하는 것이 가능하다.
전원(50)은 해당 기술분야에서 잘 알려진 다양한 에너지 저장 기기를 포함할 수 있다. 예컨대, 일실시예에서, 전원(50)은 니켈-카드뮴 전지나 리튬-이온 전지와 같은 재충전가능한 전지이다. 다른 실시예에서, 전원(50)은 재생가능한 에너지원, 커패시터, 또는 플라스틱 태양 전지와 태양 전지 도료를 포함하는 태양 전지이다. 다른 실시예에서, 전원(50)은 콘센트로부터 전력을 공급받도록 구성된다.
몇몇 구현예에서는, 전술한 바와 같이, 전자 디스플레이 시스템 내의 여러 곳에 위치될 수 있는 드라이버 컨트롤러의 제어를 프로그래머블하게 구성할 수 있다. 어떤 경우에는, 어레이 드라이버(22)의 제어를 프로그래머블하게 구성할 수도 있다. 해당 기술분야의 당업자라면 임의의 수의 하드웨어 및/또는 소프트웨어 구성요소로도 상술한 최적화 상태를 구현할 수 있고, 또 여러 가지 다양한 구성으로 구현할 수도 있다는 것을 인식할 수 있을 것이다.
상기 설명한 원리에 따라 동작하는 간섭계 변조기의 구조에 대한 상세는 매우 다양하게 변경될 수 있다. 예를 들어, 도 7a∼7e는 이동가능한 반사층(14)과 이 반사층을 지지하는 구조체에 관한 5개의 상이한 실시예를 나타낸다. 도 7a는 도 1의 실시예의 단면도로서, 금속 재료(14)의 스트립이 이 스트립에 대해 직각으 로 연장되어 있는 지지체(18)상에 적층되어 있다. 도 7b에서는, 이동가능한 반사층(14)이 연결부(32)에 의해 그 코너에서만 지지대(18)에 부착되어 있다. 도 7c에서, 이동가능한 반사층(14)은 가요성 금속으로 이루어질 수 있는 변형가능한 층(34)에 매달려 있다. 이 변형가능한 층(34)은, 이 층(34)의 주위 둘레에 있는 투명 기판(20)에 직접 또는 간접으로 연결되어 있다. 이러한 연결 부분을 본 명세서에서는 지지 포스트(support post)로 지칭한다. 도 7d에 도시한 실시예는 지지 포스트 플러그(42)를 구비하고 있는데, 이 지지 포스트 플러그 상에 변형가능한 층(34)이 위치한다. 이동가능한 반사층(14)은, 도 7a∼7c에 도시된 바와 같이, 캐비티의 위에 매달려 있는 상태를 유지하고 있지만, 변형가능한 층(34)은 광학 스택(16)과의 사이에 있는 틈을 채우고 있기 때문에 지지 포스트를 형성하지 않는다. 그 대신에, 지지 포스트는 지지 포스트 플러그(42)를 형성하는데 이용되는 평탄화 재료로 이루어진다. 도 7e에 도시된 실시예는 도 7d에 도시된 실시예에 기초하고 있지만, 도 7a∼7c에 도시된 실시예뿐만 아니라 도시되지 않은 다른 실시예의 어떤 것과 동일한 작용을 하도록 구성될 수 있다. 도 7e에 도시된 실시예에서는, 금속 또는 그외 다른 도전성 재료로 된 여분의 층을 이용하여 버스 구조체(44)를 형성하고 있다. 이러한 구성에 의하여, 신호가 간섭계 변조기의 후면을 통해 전달될 수 있게 되어, 그렇지 않은 경우에는 기판(20)상에 형성했어야 하는 많은 전극을 제거할 수 있다.
도 7a∼7e에 도시된 것과 같은 실시예에서, 간섭계 변조기는, 투명 기판(20)의 정면에서 이미지를 볼 수 있고 그 반대쪽 면에 간섭계 변조기가 배치되는 직시 형 기기(direct-view devices)로서 기능한다. 이러한 실시예에서, 반사층(14)은, 반사층의 기판(20)과 대향하는 쪽의 면에 있는 간섭계 변조기의 몇몇 부분을 광학적으로 차폐시킨다. 이러한 몇몇 부분에는 변형가능한 층(34)이 포함된다. 이러한 구성에 의하면, 차폐된 영역이 이미지의 품질에 부정적인 영향을 미치지 않도록 구성되어 동작할 수 있다. 이러한 차폐에 의해, 도 7e에 도시된 것과 같은 버스 구조체(44)를 형성할 수 있게 되는데, 이러한 버스 구조체(44)는 어드레싱 및 이러한 어드레싱에서 비롯되는 이동과 같은 간섭계 변조기의 전기 기계적 특성과 간섭계 변조기의 광학 특성을 분리할 수 있는 능력을 제공한다. 이러한 분리가능한 변조기 구조에 의해, 광학 변조기의 전기 기계적 특징 및 광학적 특징을 발휘하도록 이용되는 구조적인 설계 및 재료가, 서로 독립적으로 선택되어 기능할 수 있게 된다. 또한, 도 7c∼7e에 도시된 실시예는, 반사층(14)의 광학적 특성을, 변형가능한 층(34)에 의해 수행되는 간섭계 변조기의 기계적 특성으로부터 분리시킴으로써 얻어지는 추가의 장점을 갖는다. 이러한 구성에 의하면, 반사층(14)에 이용되는 구조적 설계 및 재료를 반사층의 광학적 특성에 대해 최적화되도록 할 수 있으며, 변형가능한 층(34)에 이용되는 구조적 설계 및 재료를 바람직한 기계적 특성에 대해 최적화되도록 할 수 있다.
이하에서는, 도 8a 및 도 8b를 참조하여, 본 발명의 특징의 일부를 통합하는 미소 기전 시스템 기기의 실시예를 설명한다. 미소 기전 시스템 기기(100)는 제1 전극(101), 제1 전극(101)과 전기적으로 절연되는 제2 전극(102), 및 제1 전극(101) 및 제2 전극(102)과 전기적으로 절연되는 제3 전극(103)을 포함한다. 또 한, 미소 기전 시스템 기기(100)는, 제1 전극(101)과 제2 전극(102)을 분리시키는 지지 구조체(105)와, 제1 위치(도 8b에 의해 개략적으로 예시된 바와 같은)와 제2 위치(도 8a에 의해 개략적으로 예시된 바와 같은) 사이에 위치되어 이동할 수 있는 반사 소자(107)를 포함한다. 제1 위치에서, 반사 소자(107)는 미소 기전 시스템 기기(100)의 일부분(113)과 접촉하게 된다. 제2 위치에서, 반사 소자(107)는 미소 기전 시스템 기기(100)의 일부분(113)과 접촉하지 않는다. 반사 소자(107)가 제1 위치에 있을 때, 반사 소자(107)와 미소 기전 시스템 기기(100)의 일부분(113) 사이에는 점착력이 생성된다. 제1 전극(101), 제2 전극(102) 및 제3 전극(103)에 인가된 전압들은 이 점착력을 적어도 부분적으로 감소시키거나 상쇄한다.
도 8a는 해방 상태 또는 비작동 상태에 있는 미소 기전 시스템 기기(100)의 실시예의 측단면도를 도시하고 있다. 도 8b는 작동 상태 또는 "구동" 상태에 있는 미소 기전 시스템 기기(100)의 측단면도를 도시하고 있다. 미소 기전 시스템 기기(100)는 일부 실시예에서는 유리로 이루어질 수도 있는 투명 또는 반투명 기판층(120) 위에 형성될 것이다. 기판층(120) 위에는 광학층(124)이 적층될 것이다. 광학층(124)은 부분적으로 투명하거나 반투명하며, 부분적으로 광에 대해 반사성을 나타내며, 예컨대 기판층(120) 위에 각각 크롬 및 인듐-주석-산화물로 이루어진 하나 이상의 층을 적층함으로써 제조될 것이다. 일부 실시예에서, 광학층(124)의 적어도 일부분은 전기적으로 도전성을 나타내며, 미소 기전 시스템 기기(100)의 제1 전극(101)을 포함한다. 광학층(124)은 실질적으로 평행한 스트립으로 패터닝될 것이며, 또한 본 명세서에서 설명된 바와 같은 디스플레이 기기의 수평열 전극을 형 성할 것이다. 일부 실시예에서, 광학층(124) 위에 유전체층(128)이 형성될 수도 있으며, 이 유전체층은 산화물과 같은 투명 또는 반투명의 다양한 재료로 이루어질 수 있다.
특정 실시예에서는, 유전체층(128) 위에 지지 구조체(105)가 배치된다. 지지 구조체(105)는 기계적 특성의 층(132) 및 하나 이상의 지지 포스트(136a, 136b)를 포함할 것이다. 도 8a 및 도 8b에 개략적으로 예시된 바와 같이, 특성 실시예에서, 기계적 특성의 층(132)은 반사 소자(107)를 포함하며, 지지 구조체(105)는 반사 소자(107)가 실질적으로 평면의 평행 및 이격 배열로 유전체층(128)을 마주보도록 구성된다. 반사 소자(107)와 유전체층(128)은 그 사이에 캐비티(144)를 형성한다.
일부 실시예에서, 기계적 특성의 층(132)의 적어도 일부분은 전기적으로 도전성을 나타내며, 미소 기전 시스템 기기(100)의 제2 전극(102)을 포함한다. 기계적 특성의 층(132)은 실질적으로 평행한 스트립으로 패터닝될 것이며, 본 명세서에 설명된 바와 같은 디스플레이 기기의 수직열 전극을 형성할 것이다. 기계적 특성의 층(132)은 금속 등의 변형 가능하고 도전성 및 반사성이 높은 재료로 제조될 것이며, 일부 실시예에서는 이 금속으로서 알루미늄이 이용될 것이다. 일부 실시예에서, 지지 포스트(136a, 136b)의 일부분은 전기적으로 비도전성을 나타내며, 기계적 특성의 층(132)을 미소 기전 시스템 기기(100)의 다른 부분(예컨대, 광학층(124))으로부터 절연시킨다. 지지 구조체(136a, 136b)의 비도전성 부분은 예컨대 알루미늄 산화물과 같은 유전체 재료로 이루어질 수 있다. 유전체층(128) 또한 기계적 특성의 층(132)을 광학층(124)으로부터 전기적으로 절연시키도록 작용한다.
도 8a에 도시된 바와 같이, 특정 실시예에서, 적어도 하나의 지지 포스트(136a)는 제3 전극(103)을 포함한다. 제3 전극(103)은 예컨대 알루미늄, 니켈, 인듐-주석-산화물, 또는 몰리브덴 등의 전기 도전성 재료로 구성될 것이다. 지지 포스트(136a)의 전기적으로 비도전성 부분은 제3 전극(103)을 제1 전극(101) 및 제2 전극(102)으로부터 절연시킬 것이다. 지지 포스트(136a)의 전기적으로 비도전성의 부분은 유전체 재료로 이루어질 수도 있다.
특정 실시예에서, 도 8a 및 도 8b에 도시된 바와 같이, 기계적 특성의 층(132)은 기계적으로 변형 가능한 재료를 포함한다. 도 1을 참조하여 본 명세서에 설명된 바와 같이, 기계적 특성의 층(132)은 제1 전극(101)(예컨대, 광학층(124))과 제2 전극(102)(예컨대, 기계적 특성의 층(132)) 간에 전압차를 인가함으로써 해방 상태에서 구동 상태로 이동될 수 있다. 전압차가 임계값을 초과하면, 정전기력은 기계적 특성의 층(132)을 도 8b에 도시된 바와 같이 변형 및 이동시켜 유전체층(128)과 접촉 상태로 만든다. 유전체층(128)은 구동 상태에서의 광학층(124)과 기계적 특성의 층(132) 간의 단락을 방지하며, 구동 상태 동안의 접촉에 의한 광학층(124)과 기계적 특성의 층(132)에 대한 손상을 방지할 것이다. 또한, 유전체층(128)의 두께는 기계적 특성의 층(132)이 해방 상태와 구동 상태 사이에서 이동하는 거리를 제어하도록 이용될 수도 있다.
일부 실시예에서, 기계적 특성의 층(132)의 일부분은 반사 소자(107)를 포함하도록 구성될 수도 있다. 예컨대, 기계적 특성의 층(132)의 하위 표면(148)의 일 부분은 반사성이 높도록 구성될 수도 있다. 반사 소자(107)는 적어도 해방 상태의 제2 위치(도 8a)와 구동 상태의 제1 위치(도 8b) 사이에서 이동하도록 구성된다. 특정 실시예의 구동 상태에서, 반사 소자(107)는 도 8b에 도시된 바와 같이 미소 기전 시스템 기기(100)의 일부분(113)과 접촉하게 된다.
도 1을 참조하여 본 명세서에서 설명된 바와 같이, 미소 기전 시스템 기기(100)는 "간섭계 변조기"로서 동작할 수도 있다. 비구동 상태에서, 기판층(120)의 표면(152)에 입사하는 광은 캐비티(144) 내로 전달된다. 기계적 특성의 층(132)의 위치에 의해 결정되는 캐비티(144)의 높이에 따라, 캐비티(144) 내의 간섭은 특정 파장의 광이 반사되도록 하고 다른 파장의 광은 흡수되도록 한다. 반사된 광이 전자기 스펙트럼의 가시 부분에 있다면, 기판의 표면(152)은 반사된 파장에 대응하는 컬러를 디스플레이할 것이다. 반대로, 구동 상태에서, 캐비티(144)의 높이는 비구동 상태에서보다 상당히 작으며(예컨대, 반사 소자(107)가 유전체층(128)에 접촉함), 미소 기전 시스템 기기(100)는 실질적으로 입사광의 전부를 흡수하거나 또는 적어도 입사 가시광의 거의 전부를 흡수한다. 구동 상태에서, 기판의 표면(152)은 후면 디스플레이(display back)할 것이다. 캐비티(144)의 크기와 높이를 적합하게 구성함으로써, 미소 기전 시스템 기기(100)는 화상 디스플레이 장치에서의 픽셀을 형성하도록 이용될 수도 있다.
구동 상태에서, 반사 소자(107)는 미소 기전 시스템 기기(100)의 일부분(113)과 접촉하게 되어, 이에 의해 반사 소자(107)와 일부분(113) 간에 점착력이 생성된다. 예컨대, 도 8b에 도시된 실시예에서, 점착력은 기계적 특성의 층(132) 의 변형된 부분을 유전체층(128)에 부착시키는 경향이 있다.
점착력은 예컨대 모세관 힘, 정전기력 또는 반 데어 발스 힘(van der Waals force) 등의 힘 또는 기타 분자간 힘(intermolecular force)에 의해 야기될 수도 있다. 점착력은 예컨대 미소 기전 시스템 기기(100)에 사용된 재료, 형상, 배향, 및 구조체의 구성, 접촉 표면의 거칠기, 및 주변 습도와 압력을 포함한 요소의 범위에 좌우된다. 점착력은 미소 기전 시스템 기기(100) 내의 구조체가 예컨대 커다란 가속을 수반하는 격한 움직임을 통해 또는 더욱 완만한 준안정(quasi-static) 움직임을 통해 작동되는 방식에 좌우될 것이다. 본 명세서에서 설명된 점착 영향의 일부를 포함하는 "정지 마찰"이 흔히 사용되는 표현이다.
도 3을 참조하여 미소 기전 시스템 기기(100)를 작동 및 비작동시키는 공정을 설명한다. 기계적 특성의 층(132)과 광학층(124) 사이에 전압차가 인가될 것이다. 도 3에 도시된 바와 같이, 전압차가 제1 임계값 이상으로 증가함에 따라, 정전기력은 기계적 특성의 층(132)을 해방 상태(도 8a)에서 구동 상태(도 8b)로 변형시킨다. 전압차가 감소될 때, 미소 기전 시스템 기기(100)은 전압차가 제2 임계값 이하로 떨어질 때까지 구동 상태로 유지한다. 제2 임계값에서, 기계적 특성의 층(132)과 광학층(124) 간에 인력을 발생시키는 정전기력은 기계적 특성의 층(132)을 해방 상태로 되돌리는 기계적 복원력보다 작게 된다. 따라서, 전압이 제2 임계값 아래로 강하하면, 반사 소자(107)는 반사 소자와 접촉 상태로 있던 일부분(113)으로부터 "해제"된다. 이에 대한 샘플을 나타내는 도 3의 실시예에서, 제1 임계 전압은 약 8 볼트이고, 제2 임계 전압은 약 2 볼트이다. 도 4는 이러한 작동 및 해제 사이클을 통해 미소 기전 시스템 기기(100)를 구동하기 위해 사용되는 "작동 프로토콜"의 일실시예를 도시하고 있다.
점착력은 이러한 작동 및 해제 사이클의 본래 성질을 변경시킬 수도 있다. 미소 기전 시스템 기기(100)의 일부 실시예에서, 반사 소자(107)와 이 반사 소자(107)에 접촉하는 미소 기전 시스템 기기(100)의 일부분(113) 간의 점착력은 충분히 커서, 전압차가 제2 임계값 아래로 강하하는 때에 이러한 점착이 반사 소자(107)의 해제를 억제하거나 일부 경우에는 반사 소자(107)의 해제가 이루어지지 않도록 할 수도 있다. 따라서, 점착력을 적어도 부분적으로 감소시키거나 상쇄시키는 아키텍처를 제공하는 것이 이롭다.
미소 기전 시스템 기기(100)의 특정 실시예에서, 제1 전극(101), 제2 전극(102), 및 제3 전극(103)에 인가된 전압은 반사 소자(107)가 미소 기전 시스템 기기(100)의 일부분(113)과 접촉하고 있는 동안(예컨대, 도 8b에 도시된 제1 위치에 있는 동안) 점착력을 적어도 부분적으로 감소시키거나 상쇄한다. 도 8a 및 도 8b에 도시된 실시예에서, 지지 포스트(136a)는 제3 전극(103)을 포함한다. 제3 전극(103)은 제1 전극(101)(도 8a 및 도 8b에서의 광학층(124)) 및 제2 전극(102)(도 8a 및 도 8b에서의 기계적 특성의 층(132))으로부터 전기적으로 절연된다. 특정의 이러한 실시예에서, 제3 전극(103)에 인가된 전압은 제2 전극(102) 상에 정전기력(156)을 생성한다(예컨대, 기계적 특성의 층(132)을 제3 전극(103)을 향해 잡아당기는 힘). 정전기력(156)은 미소 기전 시스템 기기(100)가 제1 위치(도 8b)에 있을 때 반사 소자(107)와 일부분(113) 간의 점착력을 적어도 부분적으로 상쇄할 것이다.
도 8b에 예시된 바와 같이, 정전기력(156)은 평행 방향의 힘 성분(160)과 직각 방향의 힘 성분(164)으로 분해될 수 있다. 본 명세서에 설명된 바와 같이, "평행 방향의 힘 성분" 또는 "평행 방향의 성분"이라는 표현은 제1 위치에 있는 동안 반사 소자(107)와 접촉하는 미소 기전 시스템 기기(100)의 일부분(113)을 포함하는 평면에 전반적으로 평행을 이루는 정전기력(156)의 성분을 지칭한다. "평행 방향" 또는 "평행한"이라는 표현은 평행 방향의 힘 성분(160)의 방향을 지칭한다. 본 명세서에 사용된 바와 같이, "직각 방향의 힘 성분" 또는 "직각 방향의 성분"이라는 표현은 제1 위치에 있는 동안 반사 소자(107)와 접촉하는 미소 기전 시스템 기기(100)의 일부분(113)을 포함하는 평면에 전반적으로 직각을 이루는 정전기력(156)의 성분을 지칭한다. "직각 방향" 또는 "직각을 이루는"이라는 표현은 직각 방향의 힘 성분(164)의 방향을 지칭한다. 직각 방향은 평행 방향에 대해 90도의 각도를 이룬다.
임의의 특정 이론에 한정되지 않고서도, 정전기력(156)은 적어도 여러 가지 원인으로 점착력을 적어도 부분적으로 감소시키거나 상쇄할 것이다. 예컨대, 미소 기전 시스템 기기(100)의 일부 실시예에서, 평행 방향의 힘 성분(160)은 기계적 특성의 층(132)을 화살표 "168"로 나타낸 방향으로 밀어낼 것이며, 이러한 밀어냄은 반사 소자(107)와 미소 기전 시스템 기기(100)의 일부분(113) 간의 점착력에 대해 적어도 부분적으로 책임을 갖는 분자간 결합 또는 분자간 힘을 감소시키거나 깨뜨릴 것이다. 이들 실시예 및 기타 실시예에서, 직각 방향의 힘 성분(164)은 마찬가 지로 화살표 "172"로 나타낸 방향으로 기계적 특성의 층(132)의 영역을 밀어낼 것이며, 이 또한 점착력에 대해 적어도 부분적으로 책임을 갖는 분자간 결합 또는 힘을 감소시키거나 깨뜨릴 것이다. 일부 실시예에서, 평행 방향의 힘 성분(160)은 기계적 특성의 층(132)의 적어도 일부분이 화살표 "168" 방향으로 슬라이드하도록 할 것이며, 이에 의해 점착력을 감소시키고 화살표 "172" 방향으로의 기계적 특성의 층(132)의 이동을 가능하게 할 것이다. 또한, 특정 실시예에서, 직각 방향의 힘 성분(164)은 반사 소자(107)의 하나 이상의 영역이 화살표 "172" 방향으로 변위되도록 할 것이며, 이러한 변위된 영역 또는 "인상된(pulled-off)" 영역은 미소 기전 시스템 기기(100)의 일부분(113)과의 접촉을 상실하게 하여, 적어도 부분적으로는 점착력을 감소시킬 것이다. 다른 실시예에서, 직각 방향의 힘 성분(172)은 기계적 특성의 층(132)의 탄성 변형을 초래하여, 반사 소자(107)가 미소 기전 시스템 기기(100)의 일부분(113)과 접촉하는 면적을 감소시킬 것이다. 일반적으로, 점착력은 접촉 면적의 감소에 비례하여 감소될 것이다. 다른 실시예에서, 점착력은 전술한 물리적 영향 중의 하나 이상의 조합에 의해 감소되거나 상쇄될 것이다. 다른 실시예에서, 정전기력(156)은 현재 알려져 있거나 앞으로 발견될 추가의 원인에 의해 점착력을 감소시키거나 상쇄할 수도 있으며, 본 발명의 사상은 본 명세서에 설명된 바와 같은 원인으로만 한정되지 않는다.
일부 실시예에서, 제1 전극(101), 제2 전극(102), 및 제3 전극(103)에 인가된 전압의 하나 이상은 시간 가변 전압을 포함할 수도 있다. 시간 가변 전압은 정전기력(156)의 크기 및/또는 방향이 시간에 따라 변화되도록 할 수 있다. 정전기 력(156)의 시간에 따른 변화는 미소 기전 시스템 기기(100)의 일부분(113)으로부터의 반사 소자(107)의 해제를 용이하게 할 것이다(도 8b). 특정 실시예에서, 시간 가변 전압은 예컨대 하나 이상의 임펄스와 같은 시간 듀레이션이 짧은 하나 이상의 전압 펄스를 포함한다. 특정 실시예의 임펄스는 반사 소자(107)에 전반적으로 평행한 성분을 갖는 한편, 다른 실시예에서는 임펄스가 반사 소자(107)에 전반적으로 직각을 이루는 성분을 갖는다. 특정의 이러한 실시예에서, 하나 이상의 임펄스는 반사 소자(107)의 충분히 큰 가속을 발생하여 점착력을 감소시키며, 반사 소자(107)가 미소 기전 시스템 기기(100)의 일부분(113)으로부터 해제된다. 다른 실시예에서, 하나 이상의 임펄스는 반사 소자(107)의 일부분이 탄성 변형에 놓이도록 하여, 전술한 바와 같이 미소 기전 시스템 기기(100)의 일부분(113)과의 접촉 면적을 감소시킴으로써 점착력을 감소시킬 수도 있다.
도 8a 및 도 8b에 도시된 미소 기전 시스템 기기(100)의 다른 실시예에서, 제1 전극(101), 제2 전극(102), 및 제3 전극(103)에 인가된 전압 중의 하나 이상은 주파수를 갖는 시간 가변 전압을 포함한다. 예컨대, 일실시예에서, 시간 가변 전압은 그 주파수에서 발진하는 사인파 성분을 포함할 수도 있다. 다른 실시예에서, 시간 가변 전압은 그 주파수를 중심으로 하는 주파수 대역을 갖는 전압을 포함할 수도 있다. 특정 실시예에서, 시간 가변 전압은 반사 소자(107)의 일부분이 탄성 발진을 겪게 하여, 반사 소자가 제1 위치(도 8b)에 있는 동안 점착력을 적어도 부분적으로 감소시킬 수 있다. 특정의 이러한 실시예에서, 탄성 발진은 미소 기전 시스템 기기(100)의 일부분(113)과 접촉하고 있는 반사 소자(107)의 면적을 감소시 킬 것이며, 이에 의해 점착력을 감소시킬 것이다. 이들 특정 실시예 중의 다른 실시예에서, 반사 소자(107)의 탄성 발진은 미소 기전 시스템 기기(100)의 일부분(113)의 발진 가속을 초래할 것이며, 이에 의해 점착력에 대해 책임을 갖는 분자간의 힘을 부분적으로 감소시킬 것이다.
널리 공지된 바와 같이, 가진 주파수(forcing frequency)에서 발진하는 힘이 기계적 시스템에 가해질 때, 기계적 시스템은 힘의 크기에 정비례하는 진폭을 갖는 탄성 발진을 받게 될 것이다. 가진 주파수가 기계적 시스템의 기계적 공진 주파수와 동일하면, 탄성 발진의 진폭은 최대가 될 것이다. 미소 기전 시스템 기기(100)의 일부 실시예에서, 전극(101, 102, 103) 중의 적어도 하나에 인가된 시간 가변 전압의 주파수는 반사 소자(107)의 기계적 공진 주파수와 실질적으로 동일하게 되도록 선택된다. 이러한 실시예에서, 시간 가변 전압은 상당한 진폭을 갖는 반사 소자(107)의 탄성 발진 또는 진동을 유발시켜, 점착력을 감소시키고 도 8b에 도시된 제1 위치로부터 반사 소자(107)의 해제를 용이하게 한다. 다른 이러한 실시예에서, 시간 가변 전압의 주파수는 반사 소자(107)로 하여금 점착력을 감소시키는데 효과적인 충분한 진폭으로 탄성 발진이 이루어지도록 선택될 것이다. 이들 실시예의 일부에서, 점착력을 감소시키는데 효과적인 주파수는 반사 소자(107)의 기계적 공진 주파수와 상이하게 될 수도 있다.
점착력을 적어도 부분적으로 감소시키거나 상쇄하기 위해 다양한 범위의 크기 및 주파수를 갖는 전압이 제1 전극(101), 제2 전극(102), 및/또는 제3 전극(103)에 인가될 수 있다. 본 기술 분야의 당업자는 미소 기전 시스템 기기(100) 의 어떠한 구성에 대하여서도 전압의 적합한 크기 및 주파수가 산출될 수 있음을 이해할 것이다. 예컨대, 특정 실시예에서, 제1 전극(101), 제2 전극(102), 및 제3 전극(103) 중의 적어도 하나에 인가된 전압은 약 10 볼트 내지 50 볼트 범위의 크기와 약 100 ㎐ 내지 10 ㎒ 범위의 주파수를 갖는다. 이러한 예의 범위는 적합한 크기 및 주파수의 가능한 범위에 대한 한정치가 아니며, 다른 실시예에서는 상이한 크기 및 주파수가 사용된다.
본 명세서에 설명된 바와 같은 원리에 따라 동작하는 미소 기전 시스템 기기에서 제1 전극(101), 제2 전극(102), 및 제3 전극(103)에 인가된 전압의 세부 사항은 광범위하게 변화될 수도 있다. 전극(101, 102, 103)에 인가된 전압은 본 명세서에 설명된 예와 상이하게 될 수도 있으며, 본 명세서에 설명된 예는 예시를 위해 제공된 것일뿐 본 발명의 사상을 제한하기 위한 것은 아니다. 예컨대, 인가된 전압의 크기, 듀레이션, 주파수, 인가 순서, 및 기타 특성은 광범위하게 상이할 수도 있다. 미소 기전 시스템 기기(200)의 상이한 실시예에서는 다수의 다른 전압 조합이 가능하다.
도 9a 및 도 9b는 해방 상태(도 9a) 및 구동 상태(도 9b)에 있는 미소 기전 시스템 기기(200)의 또 다른 실시예의 측단면도를 예시한다. 미소 기전 시스템 기기(200)는 기판층(220) 상에 제조되며, 광학층(224), 유전체층(228), 기계적 특성의 층(232)을 포함한다. 기판층(220), 광학층(224), 및 유전체층(228)은 전반적으로 도 8a 및 도 8b를 참조하여 설명된 미소 기전 시스템 기기(100)에서의 각각의 층(120, 124, 128)과 동일한 특성 및 외형적 특징을 갖는다. 기계적 특성의 층(232)은 하나 이상의 지지 포스트(236a, 236b)를 포함하며, 특별하게 언급된 경우를 제외하고는 기계적 특성의 층(132)과 동일한 특성을 갖는다.
도 9a 및 도 9b에 도시된 실시예에서, 반사 소자(107)는 기계적 특성의 층(232)과 유전체층(228) 사이에 위치된 미러(275)를 포함한다. 특정 실시예에서, 미러(275)는 전반적으로 기계적 특성의 층(232)에 평행한 상태로 이격되어 있다. 반사 소자(107)는 지지 연결부(277)를 포함하며, 이 지지 연결부는 미러(275)를 기계적 특성의 층(232)에 기계적으로 연결시키고, 미러(275)에 대한 전기 접속을 제공한다. 도 9a 및 도 9b에 도시된 실시예에서, 미러(275) 및 지지 연결부(277)는 예컨대 알루미늄, 니켈, 인듐-주석-산화물, 또는 몰리브덴과 같은 전기 도전성 재료를 포함한다. 기계적 특성의 층(232)의 일부분(279)은, 미러(275)와 기계적 특성의 층(232) 간에 전기 절연을 제공하도록 구성된 전기적으로 비도전성의 재료를 포함한다. 본 실시예에서, 미러(275)는 기계적 특성의 층(232)에 기계적으로 연결되지만, 전기적으로는 절연된다.
도 9a 및 도 9b에 도시된 미소 기전 시스템 기기의 실시예에서, 미러(275)는 반사 소자(107)의 반사 표면을 포함하며, 반사 소자의 반사 표면은 전기적인 도전성 및 높은 반사성을 나타내며, 예컨대 알루미늄과 같은 높은 도전성 및 반사성 금속으로 구성될 것이다. 본 실시예에서, 기계적 특성의 층(232)의 하위 표면은 반사성을 나타내도록 구성되지 않는다. 도 9a 및 도 9b의 실시예에서, 광학층(224)은 제1 전극(101)을 포함한다. 지지 구조체(105)는 기계적 특성의 층(232) 및 지지 포스트(236a, 236b)를 포함하며, 기계적 특성의 층(232)은 제2 전극(102)을 포 함한다. 미러(275)는 제3 전극(103)을 포함한다.
도 8a 및 도 8b를 참조하여 설명된 바와 같이, 기계적 특성의 층(232)과 광학층(224) 간에 인가된 전압차는 기계적 특성의 층(232)이 해방 상태(도 9a)로부터 구동 상태(도 9b)로 변형되도록 할 수 있다. 반사 소자(107)는 해방 상태(도 9a)에 있는 제2 위치로부터 구동 상태(도 9b)에 있는 제1 위치로 이동한다. 구동 상태에서, 반사 소자(107)는 미소 기전 시스템 기기(200)의 일부분(113)과 접촉하게 되며, 그 사이에 점착력이 생성된다.
미소 기전 시스템 기기(200)의 일부 실시예에서, 제1 전극(101), 제2 전극(102), 및 제3 전극(103)에 인가된 전압은 반사 소자가 제1 위치에 있는 동안(도 9b)에 점착력을 적어도 부분적으로 감소시키거나 상쇄한다. 도 8a 및 도 8b를 참조하여 추가로 설명한 바와 같이, 인가된 전압은 점착력을 적어도 부분적으로 감소시키는 탄성 변형 또는 탄성 발진을 유도할 수도 있다. 미소 기전 시스템 기기(200)의 특정 실시예에서, 전압 중의 하나 이상이 시간에 따라 변화한다. 이들 실시예의 일부에서, 시간 가변 전압은 하나 이상의 주파수를 포함하는 전압을 포함할 것이다. 시간 가변 전압의 주파수는 반사 소자(107)의 기계적인 공진 주파수가 되도록 또는 반사 소자(107)에 포함된 탄성 발진의 진폭을 증가시키도록 선택될 수도 있다. 다른 실시예에서, 하나 이상의 짧은 듀레이션 전압 펄스가 전극(101, 102, 103) 중의 적어도 하나에 인가될 수도 있다. 예컨대, 일실시예에서, 하나 이상의 전압 펄스가 제1 위치에 있는 동안의 미러(275)에 인가되어, 미소 기전 시스템 기기(200)의 일부분(113)으로부터의 반사 소자(107)의 해제를 용이하게 하는 발 진, 진동 또는 가속을 유도한다. 다른 실시예에서, 전극(101, 102, 103)에 인가된 전압은 전술한 전압의 조합을 포함하도록 선택될 수도 있다. 예컨대, 일실시예에서, 3개의 전극 중의 임의의 전극 또는 3개의 전극 모두에 하나 이상의 전압 펄스가 인가되는 동안 전극들 중의 하나에 발진 전압이 인가된다. 전극(101, 102, 103)에 인가된 전압은 본 명세서에 설명된 예와 상이하게 될 수도 있으며, 미소 기전 시스템 기기(200)의 다른 실시예에서는 이들의 다수의 다른 변형 및 조합이 가능하다.
도 10a 및 도 10b는 해방 상태(도 10a) 및 구동 상태(도 10b)에 있는 미소 기전 시스템 기기(300)의 또 다른 실시예의 측단면도를 도시하고 있다. 미소 기전 시스템 기기(300)는 기판층(320) 상에 제조되며, 광학층(324), 유전체층(328), 및 기계적 특성의 층(332)을 포함한다. 기판층(320), 광학층(324), 유전체층(328)은 도 8a 및 도 8b를 참조하여 설명된 미소 기전 시스템 기기(100)의 각각의 층(120, 124, 128)과 전반적으로 동일한 특성 및 외형적 특징을 갖는다. 기계적 특성의 층(332)은 하나 이상의 지지 포스트(336a, 336b)를 포함하며, 특별하게 언급된 경우를 제외하고는 전반적으로 기계적 특성의 층(132)과 동일한 특성을 갖는다.
도 10a 및 도 10b에 도시된 실시예에서, 반사 소자(107)는 기계적 특성의 층(332)과 유전체층(328) 사이에 위치된 미러(375)를 포함한다. 특정 실시예에서, 미러(375)는 기계적 특성의 층(332)에 전반적으로 평행한 상태로 이격되어 있다. 반사 소자(107)는 미러(375)를 기계적 특성의 층(332)에 기계적으로 연결하는 지지 연결부(377)를 포함한다. 도 10a 및 도 10b에 도시된 실시예에서, 미러(375) 및 지지 연결부(377)는 예컨대 알루미늄, 니켈, 인듐-주석-산화물, 몰리브덴 등의 전기적으로 도전성의 재료를 포함한다. 미소 기전 시스템 기기(200)(도 9a 및 도 9b)와는 달리, 도전성 지지 포스트(377)는 미러(375)를 기계적 특성의 층(332)에 전기적으로 연결시킨다. 그러므로, 본 실시예에서, 미러(375)는 기계적 특성의 층(332)에 기계적으로 및 전기적으로 연결된다.
미소 기전 시스템 기기의 본 실시예에서, 미러(375)는 전기적인 도전성 및 높은 반사성을 나타내며, 예컨대 알루미늄과 같은 도전성 및 반사성이 높은 금속으로 구성될 수 있다. 본 실시예에서, 기계적 특성의 층(332)의 하위 표면은 반사성을 나타내도록 구성되지 않는다. 도 10a 및 도 10b의 실시예에서, 광학층(324)은 제1 전극(101)을 포함한다. 지지 구조체(105)는 기계적 특성의 층(332) 및 지지 포스트(336a, 336b)를 포함한다. 기계적 특성의 층(332) 및 미러(375)는 제2 전극(102)을 포함한다. 도 10a 및 도 10b에 도시된 바와 같이, 각각의 지지 포스트(336a, 336b)는 전기 도전성 부분을 포함한다. 미소 기전 시스템 기기(300)의 제3 전극(103)은 이들 전기 도전성 부분을 포함한다. 본 실시예에서 또한 도 8a 및 도 8b에 도시된 미소 기전 시스템 기기(100)와는 달리, 지지 포스트(336a, 336b)의 도전성 부분은 미러(375)에 대해 실질적으로 대칭으로 위치되어, 반사 소자(107)에 대해 실질적으로 대칭으로 위치된 제3 전극을 제공한다.
도 8a 내지 도 9b를 참조하여 전술한 바와 같이, 기계적 특성의 층(332)과 광학층(224) 사이에 인가된 전압차는 기계적 특성의 층(232)이 해방 상태(도 10a)에서 구동 상태(도 10b)로 변형하도록 할 수 있다. 반사 소자(107)는 해방 상태 (도 10a)의 제2 위치에서 작동 상태(도 10b)의 제1 위치로 이동한다. 구동 상태에서, 반사 소자(107)는 미소 기전 시스템 기기(200)의 일부분(113)과 접촉하며, 그 사이에 점착력이 생성된다.
전극(101, 102, 103)에 전압을 인가함으로써, 미소 기전 시스템 기기(300)는 반사 소자(107)와 미소 기전 시스템 기기(300)의 일부분(113) 사이의 점착력을 적어도 부분적으로 감소시키거나 또는 상쇄할 수 있다. 전압은 점착력의 감소를 달성하기 위해 미소 기전 시스템 기기(100, 200)에 대해 설명된 것과 실질적으로 동일한 방식으로 미소 기전 시스템 기기(300)에 인가될 수도 있다.
도 10b는 지지 포스트(336a, 336b)의 도전성 부분이 서로 동일한 전기 전위로 유지되는 미소 기전 시스템 기기(300)의 실시예를 도시하고 있다. 본 실시예에서, 미러(375)와 지지 포스트(336a, 336b)의 전기 도전성 부분 사이에는 각각 한 쌍의 정전기력(356a, 356b)이 생성된다. 전기 도전성 부분(336a, 336b)이 실질적으로 대칭을 이루도록 배치되고 또한 이들이 동일한 전기 전위로 유지되기 때문에, 정전기력(356a)의 크기는 정전기력(356b)의 크기와 실질적으로 동일하다. 각각의 정전기력(356a, 356b)은 각각 평행 방향의 힘 성분(360a, 360b)과 직각 방향의 힘 성분(364a, 364b)으로 분해될 수 있다. 정전기력(356a, 356b)(또는 이들의 성분 360a, 360b 및 364a, 364b)은 미러(375)에 작용하는 순수한 힘(net force)을 생성하기 위해 벡터로 함께 합해질 수 있다. 미소 기전 시스템 기기(300)의 지지 포스트(336a, 336b)의 전기 도전성 부분이 동일한 전위로 유지되고 또한 미러(375)에 관하여 실질적으로 대칭으로 위치되므로, 평행 방향의 힘 성분(360a, 360b)은 실질 적으로 크기가 동일하지만 방향은 반대이다. 따라서, 미러(375)에 작용하는 순수한 평행 방향의 힘 성분은 실질적으로 영(0)이다. 본 실시예에서, 직각 방향의 힘 성분(364a, 364b)은 크기가 실질적으로 동일하지만, 동일한 방향을 향하고 있다. 따라서, 반사 소자(107)에 작용하는 순수한 정전기력은 미소 기전 시스템 기기(300)의 일부분(113)을 포함하는 평면에 실질적으로 직각을 이룬다.
미소 기전 시스템 기기(300)의 일부 실시예에서, 반사 소자(107)의 순수한 정전기력이 반사 소자(107)와 미소 기전 시스템 기기(300)의 일부분(113) 사이의 점착력의 적어도 부분적인 감소를 야기하도록 전극(101, 102, 103)에 전압이 인가된다. 도 8a 내지 도 9b를 참조하여 본 명세서에서 설명된 바와 같이, 인가 전압은 점착력을 적어도 부분적으로 감소시키는 반사 소자(107)의 탄성 변형 또는 탄성 발진을 유도할 수도 있다. 미소 기전 시스템 기기(300)의 특정 실시예에서, 전압 중의 하나 이상이 시간에 따라 변화하며, 하나 이상의 주파수를 포함하는 전압을 포함할 수 있다. 시간 가변 전압의 주파수는 미소 기전 시스템 기기(300)의 기계적인 공진 주파수가 되도록 또는 미소 기전 시스템 기기(300)에서 유도된 탄성 발진의 진폭을 증가시키도록 선택될 수도 있다. 다른 실시예에서, 하나 이상의 짧은 듀레이션 전압 펄스가 전극(101, 102, 103) 중의 하나에 인가될 수도 있다. 예컨대, 일실시예에서, 반사 소자(107)가 제1 위치(도 10b)에 있는 동안 제3 전극에 하나 이상의 전압 펄스가 인가되어, 미소 기전 시스템 기기(300)의 일부분(113)으로부터 반사 소자(107)의 해제를 용이하게 하는 발진 또는 가속을 유도할 수도 있다. 또 다른 실시예에서, 반사 소자(107)의 진동을 화살표 "380"으로 나타낸 전반적으 로 수직의 방향으로 유도시키기 위해 전압이 인가된다. 또 다른 실시예에서, 전극(101, 102, 103)에 인가된 전압은 전술한 발진 또는 가속의 조합을 유도시키도록 선택될 수도 있다. 예컨대, 일실시예에서, 3개의 전극 중의 임의의 전극 또는 3개의 전극 모두에 하나 이상의 전압 임펄스가 인가되는 동안, 전극들 중의 하나에 발진 전압이 인가된다. 전극(101, 102, 103)에 인가된 전압은 본 명세서에 예시된 예와 상이할 수도 있으며, 미소 기전 시스템 기기(300)의 상이한 실시예에서는 다수의 다른 변형 및 조합이 가능하다.
미소 기전 시스템 기기(300)의 다른 실시예에서, 지지 포스트(336a)의 전기 도전성 부분은 지지 포스트(336b)의 전기 도전성 부분과 상이한 전기 전위로 유지될 수도 있다. 이들 실시예에서, 정전기력(356a, 356b)은 실질적으로 동일한 크기로 되지 않을 것이다. 따라서, 반사 소자(107)의 순수한 정전기력은 순수한 평행 방향의 힘 성분을 포함할 것이다. 지지 포스트(336a, 336b)의 도전성 부분의 각각에 인가된 전기 전위의 값을 적절하게 선택함으로써, 양방향 화살표 "384"로 나타낸 방향 중의 적어도 한 방향으로 순수한 평행 방향의 힘 성분이 생성될 수 있다. 따라서, 반사 소자(107)는 화살표 "384"의 2개의 방향을 따라 발진 또는 진동하도록 될 수도 있다. 인가된 전압은 반사 소자(107)의 탄성 변형 또는 탄성 발진을 유도하도록 선택된 주파수를 갖는 시간 가변 성분을 가질 수도 있다. 일부 실시예에서, 주파수는 반사 소자(107)의 기계적 공진 주파수와 실질적으로 부합하도록 또는 진폭이 증가된 발진을 야기하도록 선택될 수도 있다. 특정 실시예에서, 양방향 화살표 "384"의 2개의 방향으로 반사 소자(107)의 주기적인 변위가 발생하도록, 지 지 포스트(336a, 336b)의 전기 도전성 부분과 반사 소자(107) 간의 전압이 순환(cycle)된다. 이러한 주기적인 변위는 점착력을 적어도 부분적으로 감소시킬 것이며, 반사 소자(107)가 미소 기전 시스템 기기(300)의 일부분(113)으로부터 해제되는 것을 지원한다.
도 10a 및 도 10b가 2개의 지지 포스트(336a, 336b)의 전기 도전성 부분을 포함하는 제3 전극(103)을 예시하고 있지만, 다른 실시예에서는 제3 전극(103)이 추가의 지지 포스트(및/또는 다른 적합한 지지 요소)의 전기 도전성 부분을 포함하는 것도 가능하다. 특정 실시예에서, 제3 전극(103)은, 예컨대 2개의 지지 포스트(226a, 336b) 및 도 10a 및 도 10b에 도시된 단면의 평면에 수직을 이루는 평면에 위치되는 실질적으로 유사한 2개의 지지 포스트와 같은, 미러(375) 둘레에 실질적으로 대칭으로 배치된 4개의 지지 포스트의 전기 도전성 부분을 포함한다. 각각의 지지 포스트의 전기 도전성 부분에 인가된 전압은 화살표(380, 384)(전술한 바와 같은)의 방향으로뿐만 아니라 서로 수직을 이루는 방향으로(예컨대, 도 10a 및 도 10b의 평면 내로 또는 평면 외부로) 변위, 발진, 및/또는 진동을 유도하기 위해 사용될 수 있다. 본 기술 분야의 당업자는, 본 명세서에 설명된 바와 같은 적합한 전압(시간 가변 전압 및 임펄스 전압을 포함)을 인가함으로써, 반사 소자(107)가 구동 상태(예컨대, 도 10b)에 있는 동안 점착력이 적어도 부분적으로 감소되거나 상쇄되어 해방 상태(예컨대, 도 10a)로 이동하는 것을 지원할 수 있다는 것을 이해할 것이다. 제3 전극의 구성 및 인가 전압에 대한 다수의 변형이 가능하며, 본 명세서에 설명된 예시 실시예는 본 발명의 사상에 대한 제한으로서 간주되지 않는다.
미소 기전 시스템 기기(300)의 다른 실시예에서, 지지 포스트(336a, 336b)의 전기 도전성 부분은 반사 소자에 대해 실질적으로 대칭으로 위치되지 않는다. 이들 실시예에서, 정전기력(356a, 356b)은 일반적으로 도전성 부분이 동일한 전기 전위로 유지되는 경우에도 크기가 실질적으로 동일하지 않을 것이다. 일부 실시예에서, 하나 이상의 도전성 부분이 지지 포스트(336a, 336b) 내에 실질적으로 센터링되지 않도록 미소 기전 시스템 기기(300)를 제조함으로써 비대칭적인 위치설정이 제공된다.
특정의 바람직한 실시예에서, 미소 기전 시스템 기기(300)에 인가된 전압은 각각 화살표 "384" 및 "380"으로 나타낸 바와 같은 평행 및 직각 방향으로 반사 소자(107)의 변위, 변형, 발진 또는 진동을 유도하도록 선택될 수도 있다. 이들 실시예의 일부에서, 시간 가변 전압은 평행 및 직각 방향에서의 공진 발진 또는 진폭이 증가된 발진을 유도하기 위해 하나 이상의 주파수를 갖는 전압을 포함할 수도 있다. 다른 실시예에서, 하나의 방향으로 변위 또는 가속을 유도하기 위해 짧은 듀레이션 전압 펄스가 인가되는 한편, 다른 방향으로 발진 또는 진동을 유도하기 위해 발진 전압이 인가된다. 다른 실시예에서, 인가된 전압은 이들 효과의 조합을 발생하기 위해 순환된다. 다수의 다른 변형도 가능하다.
도 11a 및 도 11b는 구동 상태에 있는 탄성적으로 변형 가능한 반사 소자(107)를 갖는 미소 기전 시스템 기기(400)의 실시예의 일부분에 대한 측단면도이다. 반사 소자(107)는 미소 기전 시스템 기기(400)의 일부분(113)과 접촉하는 제1 위치에 있다. 도 11a에서, 제3 전극(103)과 반사 소자(107) 사이에는 전기 전위차 가 인가되지 않는다. 반사 소자(107)의 미러(475)는 미소 기전 시스템 기기(400)의 일부분(113)에 실질적으로 평행을 이루는 거의 평탄한 구성으로 배향된다. 도 11a에 도시된 바와 같이, 반사 소자(107)과 접촉하고 있는 미소 기전 시스템 기기의 일부분(113)은 접촉 영역(413)을 형성한다.
도 11b는 제3 전극(103)과 반사 소자(107) 사이에 전기 전위차가 형성된 후의 도 11a의 미소 기전 시스템 기기(400)의 구성을 도시하고 있다. 제3 전극(103)과 반사 소자(107) 사이의 정전기력은 반사 소자(107)의 일부분(490)이 미소 기전 시스템 기기(400)의 일부분(113)과 전반적으로 직각을 이루는 방향으로 탄성적으로 변형하도록 한다. 반사 소자(107)의 말단부(490)는 미소 기전 시스템 기기(400)의 일부분(113)과 더 이상 접촉하지 않는다. 반사 소자(107)와 미소 기전 시스템 기기(400)의 일부분(113) 간의 접촉 영역(413)이 감소되며, 따라서 반사 소자(107)와 미소 기전 시스템 기기(400)의 일부분(113) 사이의 점착력이 감소된다. 점착력의 감소는 미소 기전 시스템 기기(400)의 일부분(113)으로부터의 반사 소자(107)의 해제를 용이하게 하고, 미소 기전 시스템 기기(400)의 동작을 용이하게 한다. 반사 소자(107)가 접촉 상태에 있던 미소 기전 시스템 기기(400)의 일부분(113)으로부터 해제된 후, 제3 전극(103)과 반사 소자(107) 간의 전위차는 미소 기전 시스템 기기(400)의 특정 실시예에서는 영(0)으로 감소된다. 미소 기전 시스템 기기(400)의 일부분(113)으로부터 해제된 후, 일반적으로, 반사 소자(107)의 말단부(490)는, 캐비티(444)가 미소 기전 시스템 기기(400)에 입사하는 광에 적합한 광학 간섭을 제공하도록, 광학층(424)을 포함하는 평면에 실질적으로 평행을 이루는 배향으로 복 귀한다.
미소 기전 시스템 기기의 다른 실시예에서, 도 11b에 도시된 변형에 추가하여 또는 변형 대신에, 전극(101, 102, 103)에 인가된 전압들은, 반사 소자(107)가 본 명세서에서 설명한 바와 같이 제1 위치에 있는 동안 반사 소자(107)의 탄성 발진, 진동, 공진 또는 다른 유형의 변위를 야기할 수도 있다. 이러한 움직임은 일반적으로 평행한 방향, 직각을 이루는 방향, 또는 이들의 조합으로 이루어질 수도 있다. 전압에 의해 유도된 움직임은, 예컨대 반사 소자(107)와 미소 기전 시스템 기기(400)의 일부분(113) 사이의 접촉 면적으로 감소시킴으로써, 점착에 대하여 부분적으로 책임이 있는 분자간의 힘의 크기를 감소시킴으로써, 또는 여러 가지 다른 물리적인 근거로 반사 소자(107)와 미소 기전 시스템 기기(400)의 일부분(113) 간의 점착력을 적어도 부분적으로 감소시킬 수 있다.
특정 실시예에서는 제3 전극(103)이 반사 소자(107)에 대해 실질적으로 대칭으로 위치되며(예컨대, 도 10a 및 도 10b에 도시된 바와 같이), 한편 다른 실시예에서는 제3 전극(103)이 반사 소자(107)에 대해 비대칭으로 위치될 수도 있다(도 8a 및 도 8b에 도시된 바와 같이). 미소 기전 시스템 기기(400)의 일부분(113)에 전반적으로 평행한 방향으로의 반사 소자(107)의 변위를 감소시키는 것이 이로운 미소 기전 시스템 기기의 실시예에 대해서는 대칭적인 위치가 선택될 수도 있다. 이와 달리, 평행 방향의 변위 또는 진동을 제공하는 것이 이로운 실시예에 대해서는 비대칭 위치가 선택될 수도 있다. 다양한 미소 기전 시스템 기기 아키텍처에서는 제3 전극(103)의 대칭 또는 비대칭 위치설정이 상이한 방식으로 달성될 수 있 다. 예컨대, 제3 전극(103)이 하나 이상의 지지 포스트(예컨대, 도 10a 및 도 10b에 도시된 포스트(336a, 336b))의 전기 도전성 부분을 포함하는 실시예에서, 지지 포스트의 위치는 반사 소자(107)에 대하여 대칭 또는 비대칭되도록 선택될 수 있다. 다른 실시예에서, 지지 포스트는 대칭으로 위치될 수 있지만, 그 포스트 내의 전기 도전성 부분의 위치는 예컨대 하나 이상의 도전성 부분을 지지 포스트의 중심축으로부터 떨어지도록 배치함으로써 비대칭이 될 수도 있다.
도 11a 및 도 11b에 의해 개략적으로 예시한 실시예에서, 지지 포스트(436a)의 전기 도전성 부분은 실질적으로 지지 포스트(436a)의 중심축을 따라 배치된다. 도전성 부분은 다른 실시예에서는 중앙축으로부터 떨어져 배치될 수도 있다. 도 11a 및 도 11b에 도시된 바와 같이, 도전성 부분은 실질적으로 지지 포스트(436a)의 전체 길이를 연장한다. 일부 실시예에서, 지지 포스트(436a)의 상단부(492)는 기계적 특성의 층(432)을 지나 연장한다. 도 11a 및 도 11b에 도시된 미소 기전 시스템 기기(400)에서, 제3 전극(103)의 도전성 부분의 하단부(494)는 유전체층(428)을 향해 연장한다. 하단부(494)의 위치는 다른 실시예에서는 상이할 수도 있다. 하단부(494)의 위치는 상이한 양의 반사 소자(107)의 변형을 제공하기 위해 반사 소자(107)에 가해지는 상이한 크기 및/또는 방향의 정전기력을 제공하도록 선택될 수도 있다.
제3 전극(103)은 도 8a 내지 도 11b에 도시된 것과 상이하게 구성될 수도 있다. 예컨대, 상이한 미소 기전 시스템 기기 아키텍처에서, 제3 전극(103)은 예컨대 지지 포스트, 기계적 특성의 층, 미러, 또는 미소 기전 시스템 기기의 다른 부 분을 포함한 미소 기전 시스템 기기의 1개, 2개, 3개, 4개 또는 그 이상의 전기 도전성 부분을 포함할 수도 있다. 일부 실시예에서, 미소 기전 시스템 기기의 일부분(113)으로부터 반사 소자(107)의 해제를 용이하게 하기 위해 이용되는 정전기력은 전극(101, 102, 103)뿐만 아니라 다른 전극에 의해서도 제공될 수 있다. 일실시예에서, 예컨대, 제3 전극(103)은 반사 소자(107)의 각각의 측벽 부근에 각각 위치된 복수의 전극을 포함한다. 이들 전극에 적합하게 전압을 인가함으로써, 반사 소자(107)는 미소 기전 시스템 기기의 일부분(113)에 직각을 이루는 제1 방향(도 10b에서 화살표 "380"으로 나타냄)뿐만 아니라 미소 기전 시스템 기기의 일부분(113)에 실질적으로 평행을 이루는 제2 및 제3 방향(예컨대, 도 10b에서 화살표 "384"로 나타낸 제2 방향, 및 도 10b의 평면 내로 또는 외부로의 상호 직각을 이루는 제3 방향)을 포함한 복수의 방향으로 발진 또는 진동하도록 유도될 수 있다.
도 12a 내지 도 12d는 본 명세서에 개시된 각종 실시예에 따른 반사 소자(107)의 각종 구성의 측단면도이다. 특정 실시예에서, 반사 소자(107)는 하나 이상의 층을 포함한다. 도 12a에 도시된 반사 소자(107)는 제1 층(510) 위에 배치된 제2 층(514)을 포함한다. 이들 층은 상이한 재료를 포함할 수도 있으며, 상이한 기계적 및 전기적 특성을 갖는다. 일부 실시예에서, 제1 층(510)은 간섭계 캐비티의 반사성이 높은 부분이 되도록 구성되며, 제2 층(514)은 반사 소자(107)에 구조적인 강성을 제공하도록 구성된다. 이들 실시예에서, 제1 층(510)은 알루미늄과 같은 반사성이 높은 금속을 포함하며, 제2 층(514)은 유전체 재료 및/또는 제1 층(510)의 적어도 일부분 위에 적층될 수도 있는 알루미늄 합금 또는 니켈 등의 강 성의 재료를 포함한다. 특정 실시예에서, 이들 층 중의 하나 이상의 층의 적어도 일부분은 전기적으로 도전성이 될 수 있다. 특정의 이러한 실시예에서, 전극(101, 102, 103) 중의 하나 이상이 이들 층의 전기 도전성 부분의 적어도 일부분을 포함할 수도 있다. 일부 실시예에서, 제1 층(510)은 제2 층(514)과 상이한 두께를 갖도록 구성될 수도 있다. 예컨대, 도 12a에 개략적으로 도시된 바와 같이, 제1 층(510)은 제2 층(514)보다 두껍게 형성된다. 제1 층(510)의 적어도 일부분은 탄성적으로 가요성을 갖도록 구성될 수도 있다. 예컨대, 도 12a의 반사 소자(107)의 제1 층(510)의 말단부(590)는 제2 층(514)에 비해 증가된 탄성 가요성을 갖도록 구성될 수도 있다. 제1 층(510)의 가요성은, 정전기력이 반사층(107)의 말단부(590)의 탄성 변형을 야기하는 도 11a 및 도 11b에 도시된 미소 기전 시스템 기기(400)와 같은 실시예에서는 장점이 된다. 도 12a에 도시된 실시예에서, 제1 층(510)의 말단부(590)의 두께는 제2 층(514)의 두께와 대략 동일하다. 다른 실시예에서는 상이한 층 두께가 사용될 수도 있다. 특정 실시예에서, 제1 층(510)은 제2 층(514)보다 더 얇다. 다른 실시예에서, 제1 층(510)의 적어도 말단부(590)는 제2 층(514)보다 더 얇다. 예컨대, 특정의 이러한 실시예에서, 말단부(590)의 두께는 반사 소자(107)의 중앙부의 두께의 약 1/3 내지 1/2의 범위로 된다.
일부 실시예에서, 반사 소자(107)의 두께는 균일하지 않다. 도 12b는 말단부(590)가 중앙부(591)보다 더 얇도록 구성되는 반사 소자(107)의 측단면도이다. 전술한 바와 같이, 더 얇은 말단부(590)는 반사 소자(107)의 탄성 변형을 용이하게 할 것이다. 일부 실시예에서, 전극(101, 102, 103)에 인가된 전압에 의해 여기될 수 있는 적합한 기계적 공진 주파수를 제공하기 위해 반사 소자(107)의 중앙부(591)에서 말단부(590)로의 테이퍼링(tapering)이 선택될 수도 있다. 특정 실시예에서, 말단부(590)의 두께는 반사 소자(107)의 중앙부의 두께의 약 1/3 내지 1/2의 범위로 되지만, 다른 두께 및 다른 테이퍼링이 이용될 수 있다.
도 12c는 하나 이상의 연장부(592)가 반사 소자(107) 상에 배치되는 반사 소자(107)의 측단면도이다. 도 12c에 도시된 바와 같이, 연장부(592)는 반사 소자(107)의 말단부(590) 상에 또는 말단부(590) 부근에 위치되지만, 다른 실시예에선 연장부(592)는 다른 위치에 배치될 수도 있다. 일부 실시예에서, 연장부(592)는 전기적으로 도전성이며, 연장부(592)와 미소 기전 시스템 기기의 다른 부분(예컨대, 제1 전극(101) 또는 제2 전극(102)) 사이에 전압차가 인가될 때에 미소 기전 시스템 기기의 다른 부분에 대한 증가된 정전 인력을 제공할 수도 있다. 일부 실시예에서, 반사 소자(107)의 상위 표면 위의 연장부(592)의 높이는 반사 소자(107)의 중앙부의 높이의 약 1/3 내지 1/2 범위로 되지만, 다른 높이가 이용될 수도 있다.
도 12d는 2개의 층(510, 514) 및 연장부(592)를 포함하는 반사 소자(107)의 측단면도이다. 본 실시예에서, 연장부(592)는 제1 층(510) 상에 배치되지만, 다른 실시예에서는 제2 층(514) 상에 배치될 수도 있다. 층(510, 514) 및 연장부(592)의 두께는 점착력을 적어도 부분적으로 감소시키는 것을 지원하는 적합한 전기적 및/또는 구조적 특성을 제공하도록 선택될 수 있다.
도 12a 내지 도 12d에 도시된 구성 및 배향은 발명을 이러한 것으로 한정하 기 위한 것은 아니다. 반사 소자(107)의 다른 실시예는 도 12a 내지 도 12d에 도시된 외형적 특징의 하나 이상을 조합하여 구성될 수도 있고, 또는 상이하게 구성될 수도 있다. 다수의 변형이 가능한다.
본 명세서에 설명된 원리에 따라 동작하는 간섭계 변조기의 구조의 세부구성은 다양하게 변화될 수도 있다. 예컨대, 도 13a 내지 도 13c는 해방 상태에 있는 미소 기전 시스템 기기의 상이한 실시예를 예시하고 있다. 도 13a는, 기판층(620) 상에 제조되고, 광학층(624), 유전체층(628), 및 기계적 특성의 층(632)을 포함하는 미소 기전 시스템 기기(600a)를 도시하고 있다. 기판층(620), 광학층(624), 및 유전체층(628)은 전반적으로 도 8a 및 도 8b를 참조하여 설명된 미소 기전 시스템 기기(100)의 각각의 층(120, 124, 128)과 동일한 특성 및 외형적 특징을 갖는다. 기계적 특성의 층(632)은 하나 이상의 지지 포스트(636a, 636b)를 포함하며, 특별하게 언급된 경우를 제외하고는 전반적으로 기계적 특성의 층(132)(도 8a 및 도 8b)과 동일한 특성을 갖는다.
도 13a에 도시된 실시예에서, 반사 소자(107)는 기계적 특성의 층(632) 및 유전체층(628)에 전반적으로 평행한 상태로 이격되어 있다. 반사 소자(107)는 미러(675)를 기계적 특성의 층(632)에 기계적으로 연결시키는 지지 연결부(677)를 포함한다. 도 13a에 도시된 실시예에서, 미러(675) 및 지지 연결부(677)는 예컨대 알루미늄, 니켈, 인듐-주석-산화물, 또는 몰리브덴과 같은 전기 도전성 재료를 포함한다. 기계적 특성의 층(632)의 일부분(679)은 전기적으로 비도전성의 재료를 포함하며, 미러(675)와 기계적 특성의 층(632) 사이에 전기 절연을 제공하도록 구 성된다. 본 실시예에서, 미러(675)는 기계적 특성의 층(632)에 기계적으로 연결되지만, 전기적으로는 절연된다.
미소 기전 시스템 기기의 본 실시예에서, 반사 소자(107)의 미러(675)는 전기 도전성 및 높은 반사성을 나타내며, 예컨대 알루미늄과 같은 전도성 및 반사성이 높은 재료로 구성될 수도 있다. 본 실시예에서, 기계적 특성의 층(632)의 하위 표면(648)은 반사성을 나타내도록 구성되지 않는다. 광학층(624)은 제1 전극(101)을 포함한다. 지지 구조체(105)는 기계적 특성의 층(632) 및 지지 포스트(636a, 636b)를 포함한다. 도 13a에 도시된 바와 같이, 미소 기전 시스템 기기의 제3 전극(103)은 지지 포스트(636a, 636b)의 전기 도전성 부분을 포함한다.
도 13a 내지 도 13d에 도시된 미소 기전 시스템 기기의 특정 실시예에서, 미러(675)는 전기적으로 도전성을 나타내며, 3개의 전극(101, 102, 103)에 독립적인 전기 전압 또는 전류 소스에 연결된다. 이들 실시예에서, 광학층(624), 기계적 특성의 층(632), 및 미러(675)에 상이한 전압이 인가되어, 미러 표면(예컨대, 반사 소자(107))의 이동이 이들 인가 전압에 의해 조절될 수 있는 관계(tunable relationship)를 갖는 조절 가능한 간섭계 캐비티(644)를 제공한다. 조절 가능한 미소 기전 시스템 아키텍처에 관한 추가의 세부구성은 "ANALOG INTERFEROMETRIC MODULATOR DEVICE"를 명칭으로 하여 2005년 6월 3일자로 출원된 미국 특허 출원 번호 11/144,546에 제공되어 있으며, 상기 특허 출원은 그 전체 내용이 본 명세서에 원용되어 있다.
전극(101, 102, 103)에 전압을 인가함으로써, 미소 기전 시스템 기기(600a) 는 반사 소자(107)와 제1 위치에 있을 때의 미소 기전 시스템 기기의 일부분(113) 간의 점착력을 적어도 부분적으로 감소시키거나 상쇄할 수 있다. 미소 기전 시스템 기기(100, 200, 300, 400)에 대해 본 명세서에서 설명한 것과 실질적으로 동일한 방식으로 미소 기전 시스템 기기(600a)에 전압을 인가하여, 점착력의 적어도 부분적인 감소를 달성하고 또한 미소 기전 시스템 기기의 일부분(113)으로부터의 반사 소자(107)의 해제를 용이하게 할 수 있다.
도 13b는 아래에 설명된 것을 제외하고는 도 13a에 도시된 미소 기전 시스템 기기(600a)와 전반적으로 유사한 미소 기전 시스템 기기(600b)의 또 다른 실시예의 측단면도이다. 본 실시예에서, 반사 소자(107)는 제2 전극(102)을 향해 연장하는 하나 이상의 연장부(692)를 포함한다. 연장부(692)는 미러(675)의 상위 표면 위에 배치될 수도 있다. 일부 실시예에서, 미러(675)의 형상은 도 12c 및 도 12d에 예시된 형상과 전반적으로 유사하다. 연장부(692)는 제2 전극(102)(예컨대, 기계적 특성의 층(632))을 향해 돌출한다. 연장부(692)가 제2 전극(102)에 더 근접하기 때문에, 연장부(692)에 대해 제2 전극(102)에 의해 가해지는 정전기력은 미러(675)의 다른 부분보다 더 크며, 제1 위치에 있을 때의 반사 소자(107)의 해제를 용이하게 할 것이다.
도 13c는 아래에 설명된 것을 제외하고는 도 13a 및 도 13b에 도시된 미소 기전 시스템 기기(600a, 600b)와 전반적으로 유사한 미소 기전 시스템 기기(600c)의 또 다른 실시예의 측단면도를 도시하고 있다. 본 실시예에서, 제2 전극(102)은 반사 소자(107)를 향하여 연장하는 하나 이상의 연장부(693)를 갖도록 구성될 수도 있다. 특정 실시예에서, 연장부(693)는 기계적 특성의 층(632)의 표면(648) 위에 배치된다. 제2 전극(102)의 연장부(693)가 반사 소자(107)에 더 근접하여 있으므로, 반사 소자(107)에 대해 제2 전극에 의해 가해지는 정전기력이 더 커지며, 제1 위치에 있을 때의 반사 소자(107)의 해제가 용이하게 될 것이다. 일부 실시예에서는, 제2 전극(102) 및 반사 소자(107) 양자가 각각 연장부(693, 692)를 포함하도록 구성될 수도 있다.
도 13b 및 도 13c에 도시된 미소 기전 시스템 기기(600b, 600c)의 일부 실시예에서, 연장부(692, 693) 중의 하나 또는 양자를 예컨대 기계적 특성의 층(632)의 표면(648)과 같은 미소 기전 시스템 기기(600b, 600c)의 다른 부분과의 접촉으로부터 전기적으로 절연시키기 위해 연장부(692, 693) 중의 하나 또는 양자가 유전체 재료로 코팅된다.
도 13d는 아래에 설명된 것을 제외하고는 도 13a 내지 도 13c에 도시된 미소 기전 시스템 기기(600a, 600b, 600c)와 전반적으로 유사한 미소 기전 시스템 기기(600d)의 다른 실시예의 측단면도이다. 미소 기전 시스템 기기(600d)에서, 제3 전극(103)은 기계적 특성의 층(632)의 표면(648) 상에 배치되는 연장부로 이루어져 있다. 예컨대, 제3 전극(103)과 제2 전극(102) 사이에 비도전성 재료의 박막층을 제공함으로써 제3 전극(103)이 제2 전극(102)(예컨대, 기계적 특성의 층(632))으로부터 전기적으로 절연된다. 이들 실시예에서, 제3 전극(103)은 반사 소자(107)에 더욱 근접하게 돌출하여, 반사 소자(107)에 대하여 제3 전극(103)에 의해 가해지는 정전기력을 증가시킬 것이며, 반사 소자(107)가 제1 위치에 있을 때에 미소 기전 시스템 기기의 일부분(113)으로부터의 반사 소자(107)의 해제를 용이하게 할 것이다
도 14는 구동 상태 또는 작동 상태의 미소 기전 시스템 기기(700)의 다른 실시예의 측단면도이다. 미소 기전 시스템 기기(700)는 기판층(720) 상에 구성되며, 광학층(724), 유전체층(728) 및 기계적 특성의 층(732)을 포함한다. 기판층(720), 광학층(724) 및 유전체층(728)은 전반적으로 도 8a 및 도 8b를 참조하여 설명한 미소 기전 시스템 기기(100)의 각각의 층(120, 124, 128)과 동일한 특성 및 외형적 특징을 갖는다. 기계적 특성의 층(732)은 하나 이상의 지지 포스트(736a, 736b)를 포함하며, 전반적으로 특별하게 언급된 것을 제외하고는 기계적 특성의 층(132)과 동일한 특성을 갖는다.
도 14에 도시된 실시예에서, 반사 소자(107)는 예컨대 기계적 특성의 층(732)의 하위 표면(748)의 일부분을 반사성이 높도록 형성함으로써 기계적 특성의 층(732)의 반사 부분을 구성하고 있다. 본 실시예에서, 제1 전극(101)은 광학층(724)을 포함한다. 지지 구조체(105)는 기계적 특성의 층(732) 및 지지 포스트(736a, 736b)를 포함한다. 일부 실시예에서, 기계적 특성의 층(732)의 적어도 일부분은 전기적으로 도전성을 나타내며, 미소 기전 시스템 기기(700)의 제2 전극을 포함한다. 특정 실시예에서, 지지 포스트(736a, 736b)의 일부분은 전기적으로 비도전성을 나타내며, 기계적 특성의 층(732)의 일부분을 미소 기전 시스템 기기(700)의 다른 부분(예컨대, 광학층(724))으로부터 절연시킨다.
도 14에 도시된 미소 기전 시스템 기기(700)는 지지 포스트(736a, 736b) 위 에 배치되는 전극(756a, 756b)을 포함하며, 이들 전극은 전기적으로 비도전성의 영역(758a, 758b)에 의해 미소 기전 시스템 기기(700)의 다른 부분으로부터 전기적으로 절연되어 있다. 일부 실시예에서, 전기적으로 비도전성의 영역(758a, 758b)은 예컨대 유전체막과 같은 유전체 재료를 포함한다. 도 14에 도시된 실시예에서, 제3 전극(103)은 전극(756a, 756b)을 포함한다. 다른 실시예에서의 전극(756a, 756b)은 도 14에 도시된 것과 상이한 형상 및 크기를 가질 수도 있다. 예컨대, 전극(756a, 756b)은 일부 실시예에서는 상대적으로 짧을 수도 있다. 반드시 그러할 필요는 없지만, 각각의 전극(756a, 756b)의 적어도 일부분이 반사 소자(107)의 적어도 일부분 위에 배치되는 것이 바람직하다.
도 14는 반사 소자(107)가 미소 기전 시스템 기기(700)의 일부분(113)과 접촉하는 제1 위치(작동 상태 또는 구동 상태)에 반사 소자(107)가 있을 때의 미소 기전 시스템 기기(700)를 개략적으로 예시하고 있다. 구체적으로 전술한 바와 같이, 반사 소자(107)는 미소 기전 시스템 기기의 일부분(113)과 접촉하지 않는 제2 위치(비작동 상태 또는 해방 상태)로 이동할 수 있다. 예컨대, 기계적 특성의 층(732)은 제1 위치와 제2 위치 사이에서 이동할 수 있는 금속(예컨대, 알루미늄)과 같은 기계적으로 변형 가능한 재료로 제조될 수도 있다. 미소 기전 시스템 기기(700)가 구동 상태에 있을 때, 기계적 특성의 층(732)은 변형되며, 미소 기전 시스템 기기의 일부분(113)과 지지 포스트(736a, 736b) 사이에 각각 위치되는 만곡 영역(760a, 760b)을 포함한다. 특정 실시예에서, 반사 소자(107)(구동 상태에 있을 때의) 또한 변형되며, 마찬가지로 만곡 영역(760a, 760b)을 포함한다.
미소 기전 시스템 기기(700)의 일부 실시예에서, 전극(756a, 756b)의 적어도 일부분은 반사 소자(107)가 제1 위치에 있을 때에 반사 소자(107)보다 높게 배치된다. 특정 실시예에서, 각각의 전극(756a, 756b)의 적어도 일부분은, 반사 소자(107)가 제1 위치에 있을 때에 전극의 일부분이 반사 소자(107)의 적어도 일부분 위에(예컨대, 더 높게) 위치되도록, 각각 지지 포스트(736a, 736b)로부터 떨어져 돌출한다(도 14). 특정의 바람직한 실시예에서, 전극(756a, 756b)은 전극(756a, 756b)의 적어도 일부분이 각각 만곡 영역(760a, 760b)의 적어도 일부분의 바로 위에 배치되도록 구성된다.
미소 기전 시스템 기기(700)의 일부 실시예에서, 반사 소자(107)에 미치는 순수한 정전기력이, 제1 위치에서의 반사 소자(107)에 대한 점착력을 적어도 부분적으로 감소시키거나 상쇄하도록, 전극(101, 102, 103)에 전압이 인가된다. 상세하게 전술한 바와 같이, 이 전압은 다양한 범위의 주파수 및 크기를 가질 수 있으며, 반사 소자(107)를 제1 위치에서 제2 위치로 이동시키는 것을 지원하기 위해 반사 소자(107)의 변위, 발진 및/또는 진동을 유도하도록 인가될 것이다. 특정 실시예에서, 제3 전극(103)(예컨대, 전극(756a, 756b))과 제2 전극(102)(예컨대, 기계적 특성의 층(732)의 전기 도전성 부분) 사이에 전위차가 인가된다. 이 전위차는 다양한 범위의 크기 및 주파수를 가질 수 있으며, 하나 이상의 비교적 짧은 듀레이션 크기를 포함할 수 있다. 각종 실시예에서, 제3 전극(103)은 디스플레이 어레이(30)를 어레이 드라이버(22)에 연결하는 트레이스 또는 와이어에 의해 하나 이상의 전압원에 전기 접속된다(도 2를 참조). 미소 기전 시스템 기기(700)의 일실시 예에서, 어레이 드라이버(22)는 적합한 전기 신호를 제3 전극(103)에 통신하기 위해 수평열 드라이버 회로(24) 및 수직열 드라이버 회로(26)와 전반적으로 유사한 드라이버 회로를 이용할 수도 있다.
제2 전극(102)과 제3 전극(103) 사이에 인가된 전압차는 화살표(764a, 764b)에 의해 나타낸 순수한 정전기력이 반사 소자(107)에 대하여 작용하도록 한다. 특정의 바람직한 실시예에서, 전극(756a, 756b)의 일부분은 만곡 영역(760a, 760b)의 적어도 일부분의 바로 위에 돌출하여, 순수한 정전기력(764a, 764b)이 만곡 영역(760a, 760b)에서 상당히 큰 직각 성분을 갖게 되고, 이 직각 성분이 반사 소자(107)를 미소 기전 시스템 기기의 일부분(113)으로부터 들어올리게 된다. 특정의 이러한 실시예에서, 정전기력(764a, 764b)은 점착력을 적어도 부분적으로 감소시키거나 상쇄할 것이며, 반사 소자(107)를 제1 위치에서 제2 위치로 이동시키는 것을 지원할 것이다. 특정 이론에 구애됨이 없이, 만곡 영역(760a)에 가해지는 순수한 정전기력은 반사 소자(107)와 미소 기전 시스템 기기의 일부분(113) 간의 접촉 계면의 가장자리에서 크랙 개구(crack opening)를 유도할 것이다. 이 크랙은 접촉 계면을 가로질러 전파하여, 반사 소자(107)를 미소 기전 시스템 기기의 일부분(113)으로부터 분리시키고 제1 위치에서 제2 위치로 이동시키는 것을 지원할 것이다. 만곡 영역(760b)에 인가된 순수한 정전기력(764b)은 유사한 방식으로 작동할 것이며, 특정 실시예에서는 크랙이 접촉 계면의 반대측 가장자리에서 개방되어 계면을 가로질러 전파할 것이다. 반사 소자(107) 상의 점착력을 감소시키거나 상쇄하기 위해 적어도 2개의 전극(756a, 756b)이 사용되는 것이 바람직하지만, 다른 실시예에서는 예컨대 크랙 개구를 만들어 반사 소자(107)의 해제를 용이하게 하기 위해 전극의 상이한 구성, 배향, 및 개수(예컨대, 1개)가 이용될 수 있다.
미소 기전 시스템 기기(700)의 실시예는 특정한 장점을 제공할 수 있다. 예컨대, 구동 상태에서 비구동 상태로의 해제를 용이하게 하기 위해 요구되는 만곡 영역(760a, 760b)에서의 정전기력(764a, 764b)의 크기는 정전기력이 반사 소자(107)의 중앙 영역에 가해지는 경우에는 훨씬 작게 된다. 따라서, 미소 기전 시스템 기기(700)에 더 작은 전압차(예컨대, 제2 전극(102)과 제3 전극(103) 간의)가 인가될 수 있다. 또한, 일부 실시예에서, 전극(756a, 756b)은 일부 클로징-갭 기기(closing-gap device)에서는 문제가 될 수 있는 유전체층(728)으로의 기계적 특성의 층(732)의 붕괴 및 정전기 불안정성을 감소시킨다. 또한, 특정 실시예에서, 구동 상태에서 비구동 상태로의 반사 소자(107)의 이동을 용이하게 하기 위해, 미소 기전 시스템 기기(700)의 대표적인 해제 시간보다 짧은 듀레이션을 갖는 전압 임펄스가 이용될 수 있다.
본 명세서에 개시된 미소 기전 시스템 기기는 예컨대 앞에서 언급한 미국 특허 출원 번호 11/144,546에 개시된 바와 같은 선택적 적층 및 에칭과 같은 적합한 미소 가공 공정을 이용하여 제조될 수도 있다. 예컨대, 도 8a에 도시된 미소 기전 시스템 기기(100)와 같은 미소 기전 시스템 기기의 특정 실시예가 광학층(124)을 제공하기 위해 투명 또는 반투명 기판(120) 상에 부분 반사성의 전기 도전성 층을 적층함으로써 구성될 수도 있다. 유전체층(128)은 광학층(124) 위에 적층된다. 그리고나서, 유전체층(128) 위에 희생층(도 8a에 도시하지 않음)이 적층된다. 희 생층은 유전체층(128)을 노출시키는 복수의 홀을 형성하기 위해 선택적으로 에칭된다. 홀은 지지 포스트(136a, 136b)를 형성하기 위해 예컨대 알루미늄 산화물과 같은 유전체 재료로 채워진다. 다른 적합한 유전체 재료로는 중합체 및 기타 유기 또는 무기 화합물 등이 있다.
지지 포스트(136a, 136b) 및 희생층 위에 예컨대 알루미늄과 같은 도전성을 갖는 반사성 재료가 적층되어 기계적 특성의 층(132)을 형성한다. 제3 전극(103)의 전기 도전성 부분을 형성하기 위해, 특정 실시예에서는 기계적 특성의 층(132)이 선택적으로 에칭되어 지지 포스트(136a) 위에 개구를 형성한다. 지지 포스트(136a)의 일부분은 일부 실시예에서는 유전체층(128)까지 연장할 수도 있는 홀을 형성하기 위해 선택적으로 에칭된다. 홀은 제3 전극(103)의 전기 도전성 부분을 형성하기 위해 예컨대 알루미늄, 니켈, 인듐-주석-산화물 등의 도전성 재료로 채워진다.
그 후, 희생층과 반응하여 희생층을 제거하는 에천트(etchant)가 희생층에 도포된다. 그 결과, 희생 재료로 채워진 공간이 간섭계 변조기(144)가 되어, 도 8a에 도시된 미소 기전 시스템 기기(100)가 형성된다. 미소 기전 시스템 기기 제조 분야에 알려져 있는 바와 같이, 본 명세서에 개시된 실시예에 따라 미소 기전 시스템 기기를 제조하기 위해 추가의 처리 단계 또는 상이한 처리 단계가 이용될 수도 있다.
이상 본 발명의 특정의 바람직한 실시예 및 예를 설명하였지만, 본 발명의 기술적인 요지는 구체적으로 개시한 실시예를 넘어 다른 대안의 실시예 및/또는 본 발명의 사용예와 본 발명의 수정예 및 등가물까지 확장할 수 있다. 본 명세서에 개시된 본 발명의 사상은 특정의 개시 실시예에 의해 한정되지 않아야 한다. 따라서, 예컨대, 본 명세서에 개시된 어떠한 방법 또는 프로세스에서, 본 발명의 방법/프로세스를 구성하는 동작 또는 작용이 어떠한 적합한 시퀀스로 수행될 수도 있으며, 특정의 개시 시퀀스로 한정될 필요는 없다. 본 실시예의 각종 특징 및 장점이 그에 적합한 곳에 설명되어 있다. 어떠한 특정 실시예에 따라서는 이러한 특징 또는 장점의 전부가 반드시 달성될 필요는 없음을 이해할 수 있을 것이다. 따라서, 예컨대, 본 발명의 각종 실시예는 본 명세서에서 교시되거나 제시될 수도 있는 다른 특징 또는 장점을 반드시 달성하지 않더라도 본 명세서에 교시된 바와 같은 하나의 장점 또는 여러 장점을 달성하거나 최적화하는 방식으로 수행될 수 있음을 인지하여야 한다.
본 기술 분야의 당업자라면 본 발명의 바람직한 결과를 달성하면서도 본 명세서에 개시된 발명을 수정할 수도 있을 것이다. 따라서, 전술한 설명은 본 기술 분야의 당업자를 위한 광범위한 개시를 목적으로 하는 것으로, 본 발명을 한정하려는 것은 아니다.

Claims (50)

  1. 미소 기전 시스템(MEMS) 기기에 있어서,
    제1 전극;
    상기 제1 전극으로부터 전기적으로 절연된 제2 전극;
    상기 제1 전극 및 상기 제2 전극으로부터 전기적으로 절연된 제3 전극;
    상기 제1 전극과 상기 제2 전극을 분리시키는 지지 구조체; 및
    제1 위치와 제2 위치 사이에서 이동 가능하게 위치되며, 상기 제1 위치에 있을 때에는 상기 미소 기전 시스템 기기의 일부분과 접촉하고, 상기 제2 위치에 있을 때에는 상기 미소 기전 시스템 기기의 상기 일부분과 접촉하지 않는 반사 소자
    를 포함하며,
    상기 반사 소자가 상기 제1 위치에 있을 때에는 상기 반사 소자와 상기 일부분 간에 점착력이 생성되며, 상기 제1 전극, 상기 제2 전극, 및 상기 제3 전극에 인가된 전압이 상기 점착력을 적어도 부분적으로 감소시키거나 상쇄하는,
    미소 기전 시스템 기기.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제3 전극은 상기 반사 소자의 도전성 부분을 포함하는, 미소 기전 시스템 기기.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 제3 전극은 상기 지지 구조체의 도전성 부분을 포함하는, 미소 기전 시스템 기기.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 반사 소자가 상기 제1 위치에 있을 때에는, 상기 제3 전극의 적어도 일부분이 상기 반사 소자보다 더 높게 위치하는, 미소 기전 시스템 기기.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 반사 소자가 상기 제1 위치에 있을 때에는, 상기 제3 전극의 적어도 일부분이 상기 반사 소자의 적어도 일부분의 바로 위에 위치하는, 미소 기전 시스템 기기.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 제3 전극은 상기 지지 구조체에 의해 지지되는, 미소 기전 시스템 기기.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 지지 구조체는 하나 이상의 포스트를 포함하며, 상기 제3 전극은 하나 이상의 상기 포스트의 도전성 부분을 포함하는, 미소 기전 시스템 기기.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 지지 구조체는 도전성 부분을 각각 갖는 복수의 포스트를 포함하며, 상기 제3 전극은 상기 도전성 부분을 포함하는, 미소 기전 시스템 기기.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 복수의 포스트는 상기 반사 소자에 대하여 실질적으로 대칭 관계로 위치되는, 미소 기전 시스템 기기.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 반사 소자는 제1 층 및 그 위의 제2 층을 포함하는, 미소 기전 시스템 기기.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 제1 층은 상기 제2 층보다 더 큰 가요성을 갖는, 미소 기전 시스템 기기.
  12. 제10항에 있어서,
    상기 제1 층은 상기 제2 층보다 얇게 형성되는, 미소 기전 시스템 기기.
  13. 제10항에 있어서,
    상기 제2 층은, 상기 제1 층의 중앙부를 덮지만 상기 제1 층의 하나 이상의 가장자리 부분은 덮지 않는, 미소 기전 시스템 기기.
  14. 제10항에 있어서,
    상기 제1 층과 상기 제2 층 중의 하나 이상은 도전성을 갖는, 미소 기전 시스템 기기.
  15. 제1항에 있어서,
    상기 반사 소자는 가장자리 부분이 중앙 부분보다 얇게 형성되는, 미소 기전 시스템 기기.
  16. 제15항에 있어서,
    상기 반사 소자의 적어도 일부분은 도전성을 갖는, 미소 기전 시스템 기기.
  17. 제1항에 있어서,
    상기 반사 소자는, 상기 반사 소자의 상위 표면 위에 위치하고 상기 제2 전극을 향해 연장하는 하나 이상의 연장부를 포함하는, 미소 기전 시스템 기기.
  18. 제17항에 있어서,
    상기 하나 이상의 연장부는 상기 반사 소자의 하나 이상의 가장자리 부분 위에 또는 그 부근에 위치하며, 상기 반사 소자의 상위 표면 위에서부터의 높이가 상기 반사 소자의 중앙 부분의 두께의 약 1/3 내지 약 1/2인, 미소 기전 시스템 기기.
  19. 제1항에 있어서,
    상기 제2 전극은 상기 반사 소자를 향해 연장하는 하나 이상의 부분을 포함하는, 미소 기전 시스템 기기.
  20. 제1항에 있어서,
    상기 제3 전극은 상기 반사 소자를 향해 연장하는 하나 이상의 부분을 포함하는, 미소 기전 시스템 기기.
  21. 제1항에 있어서,
    디스플레이;
    상기 디스플레이와 통신하도록 구성되고, 또한 이미지 데이터를 처리하도록 구성되는 프로세서; 및
    상기 프로세서와 통신하도록 구성되는 메모리 기기
    를 더 포함하는, 미소 기전 시스템 기기.
  22. 제21항에 있어서,
    상기 디스플레이에 하나 이상의 신호를 전송하도록 구성된 드라이버 회로를 더 포함하는, 미소 기전 시스템 기기.
  23. 제22항에 있어서,
    상기 드라이버 회로에 상기 이미지 데이터의 일부 또는 전부를 전송하도록 구성된 컨트롤러를 더 포함하는, 미소 기전 시스템 기기.
  24. 제21항에 있어서,
    상기 프로세서에 상기 이미지 데이터를 전송하도록 구성된 이미지 소스 모듈을 더 포함하는, 미소 기전 시스템 기기.
  25. 제24항에 있어서,
    상기 이미지 소스 모듈은 수신기, 송수신기, 및 송신기 중의 하나 이상을 포함하는, 미소 기전 시스템 기기.
  26. 제21항에 있어서,
    입력 데이터를 수신하고 상기 입력 데이터를 상기 프로세서에 통신하도록 구성된 입력 기기를 더 포함하는, 미소 기전 시스템 기기.
  27. 미소 기전 시스템(MEMS) 기기에 있어서,
    전기를 도통시키기 위한 제1 도전 수단;
    전기를 도통시키고, 상기 제1 도전 수단과 전기적으로 절연되는 제2 도전 수단;
    전기를 도통시키고, 상기 제1 도전 수단 및 상기 제2 도전 수단과 전기적으로 절연되는 제3 도전 수단;
    상기 제1 도전 수단과 상기 제2 도전 수단을 분리시키는 분리 수단; 및
    광을 반사하며, 제1 위치와 제2 위치 사이에서 이동 가능하게 위치되며, 상기 제1 위치에 있을 때에는 상기 미소 기전 시스템 기기의 일부분과 접촉하고, 상기 제2 위치에 있을 때에는 상기 미소 기전 시스템 기기의 상기 일부분과 접촉하지 않는 반사 수단
    을 포함하며,
    상기 반사 수단이 상기 제1 위치에 있을 때에는 상기 반사 수단과 상기 일부분 간에 점착력이 생성되며, 상기 제1 도전 수단, 상기 제2 도전 수단, 및 상기 제3 도전 수단에 인가된 전압이, 상기 반사 수단이 상기 제1 위치에 있는 동안 상기 점착력을 적어도 부분적으로 감소시키거나 상쇄하는,
    미소 기전 시스템 기기.
  28. 제27항에 있어서,
    상기 제1 도전 수단은 전극을 포함하는, 미소 기전 시스템 기기.
  29. 제27항에 있어서,
    상기 제2 도전 수단은 전극을 포함하는, 미소 기전 시스템 기기.
  30. 제27항에 있어서,
    상기 제3 도전 수단은 전극을 포함하는, 미소 기전 시스템 기기.
  31. 제30항에 있어서,
    상기 반사 수단이 상기 제1 위치에 있을 때, 상기 전극의 적어도 일부분이 상기 반사 수단보다 높게 위치하는, 미소 기전 시스템 기기.
  32. 제31항에 있어서,
    상기 반사 수단이 상기 제1 위치에 있을 때, 상기 전극의 적어도 일부분이 상기 반사 수단의 적어도 일부분의 바로 위에 위치하는, 미소 기전 시스템 기기.
  33. 제30항에 있어서,
    상기 전극은 상기 분리 수단에 의해 지지되는, 미소 기전 시스템 기기.
  34. 제27항에 있어서,
    상기 분리 수단은 기계적 특성의 층 및 하나 이상의 지지 포스트를 포함하 는, 미소 기전 시스템 기기.
  35. 제27항에 있어서,
    상기 반사 수단은 상기 제1 도전 수단과 상기 제2 도전 수단 사이에 위치된 반사 소자를 포함하는, 미소 기전 시스템 기기.
  36. 미소 기전 시스템(MEMS) 기기를 작동시키는 방법에 있어서,
    제1 전극;
    상기 제1 전극으로부터 전기적으로 절연된 제2 전극;
    상기 제1 전극 및 상기 제2 전극으로부터 전기적으로 절연된 제3 전극;
    상기 제1 전극과 상기 제2 전극을 분리시키는 지지 구조체; 및
    제1 위치와 제2 위치 사이에서 이동 가능하게 위치되며, 상기 제1 위치에 있을 때에는 상기 미소 기전 시스템 기기의 일부분과 접촉하고, 상기 제2 위치에 있을 때에는 상기 미소 기전 시스템 기기의 상기 일부분과 접촉하지 않는 반사 소자
    를 포함하며,
    상기 반사 소자가 상기 제1 위치에 있을 때에는 상기 반사 소자와 상기 일부분 간에 점착력이 생성되는,
    상기 미소 기전 시스템 기기를 제공하는 단계; 및
    상기 제1 전극, 상기 제2 전극, 및 상기 제3 전극에 전압을 인가하여, 상기 점착력을 적어도 부분적으로 감소시키거나 상쇄하는 단계
    를 포함하는 미소 기전 시스템 기기의 작동 방법.
  37. 제36항에 있어서,
    상기 전압은 약 10 볼트와 약 50 볼트 사이의 크기를 갖는, 미소 기전 시스템 기기의 작동 방법.
  38. 제36항에 있어서,
    상기 제1 전극, 상기 제2 전극, 및 상기 제3 전극에 인가된 상기 전압은, 상기 반사 소자의 일부분이 탄성 변형이 이루어지도록 하는, 미소 기전 시스템 기기의 작동 방법.
  39. 제36항에 있어서,
    상기 제1 전극, 상기 제2 전극, 및 상기 제3 전극에 안가된 상기 전압 중의 하나 이상은 주파수를 갖는 시간 가변 전압(time-varying voltage)을 포함하는, 미소 기전 시스템 기기의 작동 방법.
  40. 제39항에 있어서,
    상기 주파수는 약 100 ㎐ 내지 약 50 ㎒의 범위에 있는, 미소 기전 시스템 기기의 작동 방법.
  41. 제39항에 있어서,
    상기 주파수는 상기 반사 소자의 기계적인 공진 주파수와 실질적으로 동일한, 미소 기전 시스템 기기의 작동 방법.
  42. 제39항에 있어서,
    상기 시간 가변 전압은 상기 반사 소자의 일부분이 탄성 발진이 이루어지도록 하는, 미소 기전 시스템 기기의 작동 방법.
  43. 제42항에 있어서,
    상기 주파수는 상기 탄성 발진의 진폭을 증가시키도록 선택되는, 미소 기전 시스템 기기의 작동 방법.
  44. 제36항에 있어서,
    상기 제1 전극, 상기 제2 전극, 및 상기 제3 전극에 인가된 상기 전압은, 상기 반사 소자를 탄성적으로 변형시킴으로써, 상기 제1 위치에 있을 때에 상기 미소 기전 시스템 기기의 일부분과 접촉하는 상기 반사 소자의 면적을 감소시키는, 미소 기전 시스템 기기의 작동 방법.
  45. 제36항에 있어서,
    상기 제1 전극, 상기 제2 전극, 및 상기 제3 전극에 인가된 상기 전압 중의 하나 이상의 전압은, 상기 반사 소자에 임펄스를 인가하는 시간 가변 전압을 포함하는, 미소 기전 시스템 기기의 작동 방법.
  46. 미소 기전 시스템(MEMS) 기기를 제조하는 방법에 있어서,
    기판 상에 제1 반사층을 형성하는 단계;
    상기 제1 반사층 위에 희생층을 형성하는 단계;
    상기 희생층의 일부분을 제거하여 개구를 형성하는 단계;
    상기 개구를 유전체 재료로 채워 포스트를 형성하는 단계;
    상기 희생층 위에 제2 반사층을 형성하는 단계;
    상기 제2 반사층의 일부분 및 상기 포스트의 일부분을 제거하여 홀을 형성하는 단계;
    상기 홀을 도전성 재료로 채워 전극을 형성하는 단계; 및
    상기 희생층을 제거하는 단계
    를 포함하는 미소 기전 시스템 기기의 제조 방법.
  47. 제46항에 있어서,
    상기 제2 반사층은 제1 위치와 제2 위치 사이에서 이동 가능하게 위치되며, 상기 제2 반사층은 상기 제1 위치에 있을 때에는 상기 미소 기전 시스템 기기의 일 부분과 접촉하고, 상기 제2 위치에 있을 때에는 상기 미소 기전 시스템 기기의 일부분과 접촉하지 않으며,
    상기 제2 반사층이 상기 제1 위치에 있을 때에는 상기 전극의 적어도 일부분이 상기 제2 반사층보다 높게 위치하는, 미소 기전 시스템 기기의 제조 방법.
  48. 제47항에 있어서,
    상기 제2 반사층이 상기 제1 위치에 있을 때에는, 상기 전극의 적어도 일부분이 상기 제2 반사층의 적어도 일부분의 바로 위에 위치하는, 미소 기전 시스템 기기의 제조 방법.
  49. 제46항에 있어서,
    상기 전극은 적어도 부분적으로는 상기 포스트에 의해 지지되는, 미소 기전 시스템 기기의 제조 방법.
  50. 청구항 46의 방법으로 제조된, 미소 기전 시스템(MEMS) 기기.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1999052006A2 (en) 1998-04-08 1999-10-14 Etalon, Inc. Interferometric modulation of radiation
US8928967B2 (en) 1998-04-08 2015-01-06 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method and device for modulating light
US7372613B2 (en) 2004-09-27 2008-05-13 Idc, Llc Method and device for multistate interferometric light modulation
US7944599B2 (en) 2004-09-27 2011-05-17 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Electromechanical device with optical function separated from mechanical and electrical function
JP5479733B2 (ja) 2005-07-15 2014-04-23 オーバーン ユニバーシティ 顕微鏡照明装置及びアダプタ
US7916980B2 (en) 2006-01-13 2011-03-29 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Interconnect structure for MEMS device
EP1835675A1 (en) * 2006-03-14 2007-09-19 Hewlett-Packard Development Company, L.P. A method of coupling a circuit switched network to an internet protocol network
US7835061B2 (en) 2006-06-28 2010-11-16 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Support structures for free-standing electromechanical devices
US7527998B2 (en) 2006-06-30 2009-05-05 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method of manufacturing MEMS devices providing air gap control
US8115987B2 (en) 2007-02-01 2012-02-14 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Modulating the intensity of light from an interferometric reflector
US8633552B1 (en) * 2007-03-01 2014-01-21 Micrel, Incorporated ESD protection for MEMS resonator devices
US7742220B2 (en) 2007-03-28 2010-06-22 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Microelectromechanical device and method utilizing conducting layers separated by stops
US7715085B2 (en) 2007-05-09 2010-05-11 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Electromechanical system having a dielectric movable membrane and a mirror
US7643202B2 (en) * 2007-05-09 2010-01-05 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Microelectromechanical system having a dielectric movable membrane and a mirror
US7782517B2 (en) 2007-06-21 2010-08-24 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Infrared and dual mode displays
US7630121B2 (en) 2007-07-02 2009-12-08 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Electromechanical device with optical function separated from mechanical and electrical function
KR20100066452A (ko) 2007-07-31 2010-06-17 퀄컴 엠이엠스 테크놀로지스, 인크. 간섭계 변조기의 색 변이를 증강시키는 장치
US8072402B2 (en) 2007-08-29 2011-12-06 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Interferometric optical modulator with broadband reflection characteristics
US7847999B2 (en) 2007-09-14 2010-12-07 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Interferometric modulator display devices
US7773286B2 (en) * 2007-09-14 2010-08-10 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Periodic dimple array
US20090078316A1 (en) * 2007-09-24 2009-03-26 Qualcomm Incorporated Interferometric photovoltaic cell
CN101828146B (zh) * 2007-10-19 2013-05-01 高通Mems科技公司 具有集成光伏装置的显示器
US8058549B2 (en) * 2007-10-19 2011-11-15 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Photovoltaic devices with integrated color interferometric film stacks
WO2009055393A1 (en) 2007-10-23 2009-04-30 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Adjustably transmissive mems-based devices
US20090293955A1 (en) * 2007-11-07 2009-12-03 Qualcomm Incorporated Photovoltaics with interferometric masks
US8941631B2 (en) * 2007-11-16 2015-01-27 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Simultaneous light collection and illumination on an active display
US8136402B2 (en) * 2007-11-28 2012-03-20 International Business Machines Corporation Accelerometer module for use with a touch sensitive device
US7715079B2 (en) 2007-12-07 2010-05-11 Qualcomm Mems Technologies, Inc. MEMS devices requiring no mechanical support
CA2710198A1 (en) * 2007-12-21 2009-07-09 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Multijunction photovoltaic cells
US8164821B2 (en) 2008-02-22 2012-04-24 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Microelectromechanical device with thermal expansion balancing layer or stiffening layer
US7944604B2 (en) 2008-03-07 2011-05-17 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Interferometric modulator in transmission mode
US7612933B2 (en) 2008-03-27 2009-11-03 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Microelectromechanical device with spacing layer
US7898723B2 (en) 2008-04-02 2011-03-01 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Microelectromechanical systems display element with photovoltaic structure
US7969638B2 (en) 2008-04-10 2011-06-28 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Device having thin black mask and method of fabricating the same
US7746539B2 (en) 2008-06-25 2010-06-29 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method for packing a display device and the device obtained thereof
US8023167B2 (en) 2008-06-25 2011-09-20 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Backlight displays
US7768690B2 (en) 2008-06-25 2010-08-03 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Backlight displays
US7859740B2 (en) 2008-07-11 2010-12-28 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Stiction mitigation with integrated mech micro-cantilevers through vertical stress gradient control
US7782522B2 (en) * 2008-07-17 2010-08-24 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Encapsulation methods for interferometric modulator and MEMS devices
US7855826B2 (en) 2008-08-12 2010-12-21 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method and apparatus to reduce or eliminate stiction and image retention in interferometric modulator devices
US8358266B2 (en) * 2008-09-02 2013-01-22 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Light turning device with prismatic light turning features
US20100096006A1 (en) * 2008-10-16 2010-04-22 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Monolithic imod color enhanced photovoltaic cell
US20100096011A1 (en) * 2008-10-16 2010-04-22 Qualcomm Mems Technologies, Inc. High efficiency interferometric color filters for photovoltaic modules
US8270056B2 (en) 2009-03-23 2012-09-18 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Display device with openings between sub-pixels and method of making same
US8363380B2 (en) 2009-05-28 2013-01-29 Qualcomm Incorporated MEMS varactors
WO2010138765A1 (en) * 2009-05-29 2010-12-02 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Illumination devices and methods of fabrication thereof
US7990604B2 (en) * 2009-06-15 2011-08-02 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Analog interferometric modulator
US8270062B2 (en) 2009-09-17 2012-09-18 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Display device with at least one movable stop element
US8488228B2 (en) 2009-09-28 2013-07-16 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Interferometric display with interferometric reflector
US8547626B2 (en) * 2010-03-25 2013-10-01 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Mechanical layer and methods of shaping the same
EP2556403A1 (en) 2010-04-09 2013-02-13 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Mechanical layer of an electromechanical device and methods of forming the same
CN103038568A (zh) 2010-04-16 2013-04-10 弗莱克斯照明第二有限责任公司 包括膜基光导的前照明装置
EP2558775B1 (en) 2010-04-16 2019-11-13 FLEx Lighting II, LLC Illumination device comprising a film-based lightguide
JP2013544370A (ja) * 2010-08-17 2013-12-12 クォルコム・メムズ・テクノロジーズ・インコーポレーテッド 干渉ディスプレイデバイスの電荷中性電極の作動及び較正
US9057872B2 (en) 2010-08-31 2015-06-16 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Dielectric enhanced mirror for IMOD display
US8963159B2 (en) 2011-04-04 2015-02-24 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Pixel via and methods of forming the same
US9134527B2 (en) 2011-04-04 2015-09-15 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Pixel via and methods of forming the same
US8659816B2 (en) 2011-04-25 2014-02-25 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Mechanical layer and methods of making the same
US8736939B2 (en) 2011-11-04 2014-05-27 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Matching layer thin-films for an electromechanical systems reflective display device
US20130135269A1 (en) 2011-11-30 2013-05-30 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Two state three electrode drive scheme
US20130293556A1 (en) * 2012-05-03 2013-11-07 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Apparatus for positioning interferometric modulator based on programmable mechanical forces
US9181086B1 (en) 2012-10-01 2015-11-10 The Research Foundation For The State University Of New York Hinged MEMS diaphragm and method of manufacture therof
US9550665B2 (en) * 2014-09-17 2017-01-24 Texas Instruments Incorporated Multi-phased MEMS plate lowering and lifting system and method
CN107121867B (zh) * 2017-04-27 2021-01-01 杭州元色科技有限公司 一种反光式大像素彩色显示点阵模块制作方法
WO2020159603A2 (en) * 2018-11-19 2020-08-06 Aurigema Andrew Neil System and method for generating forces using asymmetrical electrostatic pressure

Family Cites Families (563)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2534846A (en) 1946-06-20 1950-12-19 Emi Ltd Color filter
US2590906A (en) * 1946-11-22 1952-04-01 Farrand Optical Co Inc Reflection interference filter
US2677714A (en) 1951-09-21 1954-05-04 Alois Vogt Dr Optical-electrical conversion device comprising a light-permeable metal electrode
US3247392A (en) * 1961-05-17 1966-04-19 Optical Coating Laboratory Inc Optical coating and assembly used as a band pass interference filter reflecting in the ultraviolet and infrared
DE1288651B (de) 1963-06-28 1969-02-06 Siemens Ag Anordnung elektrischer Dipole fuer Wellenlaengen unterhalb 1 mm und Verfahren zur Herstellung einer derartigen Anordnung
FR1603131A (ko) 1968-07-05 1971-03-22
US3813265A (en) 1970-02-16 1974-05-28 A Marks Electro-optical dipolar material
US3653741A (en) 1970-02-16 1972-04-04 Alvin M Marks Electro-optical dipolar material
DE10127319B4 (de) * 2001-06-06 2004-03-18 Andrea Burkhardt Wellnessgerät
US3728030A (en) 1970-06-22 1973-04-17 Cary Instruments Polarization interferometer
US3725868A (en) 1970-10-19 1973-04-03 Burroughs Corp Small reconfigurable processor for a variety of data processing applications
US3679313A (en) 1970-10-23 1972-07-25 Bell Telephone Labor Inc Dispersive element for optical pulse compression
JPS4946974A (ko) 1972-09-11 1974-05-07
DE2336930A1 (de) 1973-07-20 1975-02-06 Battelle Institut E V Infrarot-modulator (ii.)
US3886310A (en) 1973-08-22 1975-05-27 Westinghouse Electric Corp Electrostatically deflectable light valve with improved diffraction properties
US4099854A (en) 1976-10-12 1978-07-11 The Unites States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Optical notch filter utilizing electric dipole resonance absorption
US4196396A (en) 1976-10-15 1980-04-01 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Interferometer apparatus using electro-optic material with feedback
US4389096A (en) 1977-12-27 1983-06-21 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Image display apparatus of liquid crystal valve projection type
US4663083A (en) 1978-05-26 1987-05-05 Marks Alvin M Electro-optical dipole suspension with reflective-absorptive-transmissive characteristics
US4445050A (en) 1981-12-15 1984-04-24 Marks Alvin M Device for conversion of light power to electric power
US4228437A (en) 1979-06-26 1980-10-14 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Wideband polarization-transforming electromagnetic mirror
NL8001281A (nl) 1980-03-04 1981-10-01 Philips Nv Weergeefinrichting.
DE3012253A1 (de) 1980-03-28 1981-10-15 Hoechst Ag, 6000 Frankfurt Verfahren zum sichtbarmaschen von ladungsbildern und eine hierfuer geeignete vorichtung
DE3109653A1 (de) * 1980-03-31 1982-01-28 Jenoptik Jena Gmbh, Ddr 6900 Jena "resonanzabsorber"
US4421381A (en) 1980-04-04 1983-12-20 Yokogawa Hokushin Electric Corp. Mechanical vibrating element
US4377324A (en) * 1980-08-04 1983-03-22 Honeywell Inc. Graded index Fabry-Perot optical filter device
US4441791A (en) 1980-09-02 1984-04-10 Texas Instruments Incorporated Deformable mirror light modulator
FR2506026A1 (fr) 1981-05-18 1982-11-19 Radant Etudes Procede et dispositif pour l'analyse d'un faisceau de rayonnement d'ondes electromagnetiques hyperfrequence
NL8103377A (nl) 1981-07-16 1983-02-16 Philips Nv Weergeefinrichting.
US4571603A (en) * 1981-11-03 1986-02-18 Texas Instruments Incorporated Deformable mirror electrostatic printer
NL8200354A (nl) 1982-02-01 1983-09-01 Philips Nv Passieve weergeefinrichting.
US4500171A (en) * 1982-06-02 1985-02-19 Texas Instruments Incorporated Process for plastic LCD fill hole sealing
US4497974A (en) * 1982-11-22 1985-02-05 Exxon Research & Engineering Co. Realization of a thin film solar cell with a detached reflector
US4482213A (en) 1982-11-23 1984-11-13 Texas Instruments Incorporated Perimeter seal reinforcement holes for plastic LCDs
US4498953A (en) * 1983-07-27 1985-02-12 At&T Bell Laboratories Etching techniques
JPS60159731A (ja) 1984-01-30 1985-08-21 Sharp Corp 液晶表示体
US5633652A (en) 1984-02-17 1997-05-27 Canon Kabushiki Kaisha Method for driving optical modulation device
US4566935A (en) * 1984-07-31 1986-01-28 Texas Instruments Incorporated Spatial light modulator and method
US4710732A (en) 1984-07-31 1987-12-01 Texas Instruments Incorporated Spatial light modulator and method
US5061049A (en) 1984-08-31 1991-10-29 Texas Instruments Incorporated Spatial light modulator and method
US4662746A (en) 1985-10-30 1987-05-05 Texas Instruments Incorporated Spatial light modulator and method
US4596992A (en) 1984-08-31 1986-06-24 Texas Instruments Incorporated Linear spatial light modulator and printer
US5096279A (en) * 1984-08-31 1992-03-17 Texas Instruments Incorporated Spatial light modulator and method
US4560435A (en) 1984-10-01 1985-12-24 International Business Machines Corporation Composite back-etch/lift-off stencil for proximity effect minimization
US4615595A (en) 1984-10-10 1986-10-07 Texas Instruments Incorporated Frame addressed spatial light modulator
US4655554A (en) * 1985-03-06 1987-04-07 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force Spatial light modulator having a capacitively coupled photoconductor
US5172262A (en) 1985-10-30 1992-12-15 Texas Instruments Incorporated Spatial light modulator and method
US4859060A (en) 1985-11-26 1989-08-22 501 Sharp Kabushiki Kaisha Variable interferometric device and a process for the production of the same
US4705361A (en) 1985-11-27 1987-11-10 Texas Instruments Incorporated Spatial light modulator
US5835255A (en) 1986-04-23 1998-11-10 Etalon, Inc. Visible spectrum modulator arrays
GB8610129D0 (en) 1986-04-25 1986-05-29 Secr Defence Electro-optical device
US4748366A (en) 1986-09-02 1988-05-31 Taylor George W Novel uses of piezoelectric materials for creating optical effects
GB8621438D0 (en) 1986-09-05 1986-10-15 Secr Defence Electro-optic device
US4786128A (en) 1986-12-02 1988-11-22 Quantum Diagnostics, Ltd. Device for modulating and reflecting electromagnetic radiation employing electro-optic layer having a variable index of refraction
US4822993A (en) * 1987-02-17 1989-04-18 Optron Systems, Inc. Low-cost, substantially cross-talk free high spatial resolution 2-D bistable light modulator
NL8701138A (nl) 1987-05-13 1988-12-01 Philips Nv Electroscopische beeldweergeefinrichting.
DE3716485C1 (de) 1987-05-16 1988-11-24 Heraeus Gmbh W C Xenon-Kurzbogen-Entladungslampe
DE3776157D1 (de) * 1987-06-04 1992-02-27 Walter Lukosz Optisches modulations- und mess-verfahren.
US4857978A (en) 1987-08-11 1989-08-15 North American Philips Corporation Solid state light modulator incorporating metallized gel and method of metallization
US4900136A (en) * 1987-08-11 1990-02-13 North American Philips Corporation Method of metallizing silica-containing gel and solid state light modulator incorporating the metallized gel
GB2210540A (en) 1987-09-30 1989-06-07 Philips Electronic Associated Method of and arrangement for modifying stored data,and method of and arrangement for generating two-dimensional images
US4956619A (en) 1988-02-19 1990-09-11 Texas Instruments Incorporated Spatial light modulator
US4856863A (en) 1988-06-22 1989-08-15 Texas Instruments Incorporated Optical fiber interconnection network including spatial light modulator
US5028939A (en) 1988-08-23 1991-07-02 Texas Instruments Incorporated Spatial light modulator system
US4925259A (en) 1988-10-20 1990-05-15 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy Multilayer optical dielectric coating
JP2700903B2 (ja) 1988-09-30 1998-01-21 シャープ株式会社 液晶表示装置
US4982184A (en) * 1989-01-03 1991-01-01 General Electric Company Electrocrystallochromic display and element
US4973131A (en) 1989-02-03 1990-11-27 Mcdonnell Douglas Corporation Modulator mirror
US5272473A (en) 1989-02-27 1993-12-21 Texas Instruments Incorporated Reduced-speckle display system
US5079544A (en) * 1989-02-27 1992-01-07 Texas Instruments Incorporated Standard independent digitized video system
US5214420A (en) 1989-02-27 1993-05-25 Texas Instruments Incorporated Spatial light modulator projection system with random polarity light
US5192946A (en) * 1989-02-27 1993-03-09 Texas Instruments Incorporated Digitized color video display system
KR100202246B1 (ko) 1989-02-27 1999-06-15 윌리엄 비. 켐플러 디지탈화 비디오 시스템을 위한 장치 및 방법
US5170156A (en) 1989-02-27 1992-12-08 Texas Instruments Incorporated Multi-frequency two dimensional display system
US5162787A (en) 1989-02-27 1992-11-10 Texas Instruments Incorporated Apparatus and method for digitized video system utilizing a moving display surface
US5446479A (en) 1989-02-27 1995-08-29 Texas Instruments Incorporated Multi-dimensional array video processor system
US5214419A (en) 1989-02-27 1993-05-25 Texas Instruments Incorporated Planarized true three dimensional display
US5206629A (en) 1989-02-27 1993-04-27 Texas Instruments Incorporated Spatial light modulator and memory for digitized video display
US5287096A (en) * 1989-02-27 1994-02-15 Texas Instruments Incorporated Variable luminosity display system
US4900395A (en) * 1989-04-07 1990-02-13 Fsi International, Inc. HF gas etching of wafers in an acid processor
US5022745A (en) 1989-09-07 1991-06-11 Massachusetts Institute Of Technology Electrostatically deformable single crystal dielectrically coated mirror
US4954789A (en) 1989-09-28 1990-09-04 Texas Instruments Incorporated Spatial light modulator
US5381253A (en) * 1991-11-14 1995-01-10 Board Of Regents Of University Of Colorado Chiral smectic liquid crystal optical modulators having variable retardation
US5124834A (en) 1989-11-16 1992-06-23 General Electric Company Transferrable, self-supporting pellicle for elastomer light valve displays and method for making the same
US5037173A (en) 1989-11-22 1991-08-06 Texas Instruments Incorporated Optical interconnection network
JP2910114B2 (ja) 1990-01-20 1999-06-23 ソニー株式会社 電子機器
US5500635A (en) * 1990-02-20 1996-03-19 Mott; Jonathan C. Products incorporating piezoelectric material
CH682523A5 (fr) * 1990-04-20 1993-09-30 Suisse Electronique Microtech Dispositif de modulation de lumière à adressage matriciel.
GB9012099D0 (en) 1990-05-31 1990-07-18 Kodak Ltd Optical article for multicolour imaging
US5216537A (en) 1990-06-29 1993-06-01 Texas Instruments Incorporated Architecture and process for integrating DMD with control circuit substrates
US5083857A (en) * 1990-06-29 1992-01-28 Texas Instruments Incorporated Multi-level deformable mirror device
EP0467048B1 (en) * 1990-06-29 1995-09-20 Texas Instruments Incorporated Field-updated deformable mirror device
US5142405A (en) 1990-06-29 1992-08-25 Texas Instruments Incorporated Bistable dmd addressing circuit and method
US5018256A (en) 1990-06-29 1991-05-28 Texas Instruments Incorporated Architecture and process for integrating DMD with control circuit substrates
US5099353A (en) * 1990-06-29 1992-03-24 Texas Instruments Incorporated Architecture and process for integrating DMD with control circuit substrates
US5153771A (en) 1990-07-18 1992-10-06 Northrop Corporation Coherent light modulation and detector
US5062689A (en) 1990-08-21 1991-11-05 Koehler Dale R Electrostatically actuatable light modulating device
US5526688A (en) 1990-10-12 1996-06-18 Texas Instruments Incorporated Digital flexure beam accelerometer and method
US5192395A (en) * 1990-10-12 1993-03-09 Texas Instruments Incorporated Method of making a digital flexure beam accelerometer
US5044736A (en) 1990-11-06 1991-09-03 Motorola, Inc. Configurable optical filter or display
US5331454A (en) 1990-11-13 1994-07-19 Texas Instruments Incorporated Low reset voltage process for DMD
US5602671A (en) * 1990-11-13 1997-02-11 Texas Instruments Incorporated Low surface energy passivation layer for micromechanical devices
US5233459A (en) 1991-03-06 1993-08-03 Massachusetts Institute Of Technology Electric display device
US5136669A (en) 1991-03-15 1992-08-04 Sperry Marine Inc. Variable ratio fiber optic coupler optical signal processing element
DE4108966C2 (de) 1991-03-19 1994-03-10 Iot Entwicklungsgesellschaft F Elektro-optischer interferometrischer Lichtmodulator
CA2063744C (en) * 1991-04-01 2002-10-08 Paul M. Urbanus Digital micromirror device architecture and timing for use in a pulse-width modulated display system
US5142414A (en) 1991-04-22 1992-08-25 Koehler Dale R Electrically actuatable temporal tristimulus-color device
US5226099A (en) 1991-04-26 1993-07-06 Texas Instruments Incorporated Digital micromirror shutter device
US5179274A (en) * 1991-07-12 1993-01-12 Texas Instruments Incorporated Method for controlling operation of optical systems and devices
US5287215A (en) 1991-07-17 1994-02-15 Optron Systems, Inc. Membrane light modulation systems
US5170283A (en) 1991-07-24 1992-12-08 Northrop Corporation Silicon spatial light modulator
US5168406A (en) 1991-07-31 1992-12-01 Texas Instruments Incorporated Color deformable mirror device and method for manufacture
US5240818A (en) 1991-07-31 1993-08-31 Texas Instruments Incorporated Method for manufacturing a color filter for deformable mirror device
US5254980A (en) 1991-09-06 1993-10-19 Texas Instruments Incorporated DMD display system controller
US5358601A (en) 1991-09-24 1994-10-25 Micron Technology, Inc. Process for isotropically etching semiconductor devices
US5315370A (en) 1991-10-23 1994-05-24 Bulow Jeffrey A Interferometric modulator for optical signal processing
US5563398A (en) 1991-10-31 1996-10-08 Texas Instruments Incorporated Spatial light modulator scanning system
CA2081753C (en) 1991-11-22 2002-08-06 Jeffrey B. Sampsell Dmd scanner
US5233385A (en) 1991-12-18 1993-08-03 Texas Instruments Incorporated White light enhanced color field sequential projection
US5233456A (en) 1991-12-20 1993-08-03 Texas Instruments Incorporated Resonant mirror and method of manufacture
US5228013A (en) 1992-01-10 1993-07-13 Bik Russell J Clock-painting device and method for indicating the time-of-day with a non-traditional, now analog artistic panel of digital electronic visual displays
US6381022B1 (en) * 1992-01-22 2002-04-30 Northeastern University Light modulating device
CA2087625C (en) 1992-01-23 2006-12-12 William E. Nelson Non-systolic time delay and integration printing
US5296950A (en) * 1992-01-31 1994-03-22 Texas Instruments Incorporated Optical signal free-space conversion board
US5231532A (en) 1992-02-05 1993-07-27 Texas Instruments Incorporated Switchable resonant filter for optical radiation
US5212582A (en) 1992-03-04 1993-05-18 Texas Instruments Incorporated Electrostatically controlled beam steering device and method
EP0562424B1 (en) 1992-03-25 1997-05-28 Texas Instruments Incorporated Embedded optical calibration system
US5312513A (en) * 1992-04-03 1994-05-17 Texas Instruments Incorporated Methods of forming multiple phase light modulators
WO1993021663A1 (en) * 1992-04-08 1993-10-28 Georgia Tech Research Corporation Process for lift-off of thin film materials from a growth substrate
US5311360A (en) 1992-04-28 1994-05-10 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford, Junior University Method and apparatus for modulating a light beam
TW245772B (ko) * 1992-05-19 1995-04-21 Akzo Nv
JPH0651250A (ja) * 1992-05-20 1994-02-25 Texas Instr Inc <Ti> モノリシックな空間的光変調器およびメモリのパッケージ
US5638084A (en) 1992-05-22 1997-06-10 Dielectric Systems International, Inc. Lighting-independent color video display
JPH06214169A (ja) 1992-06-08 1994-08-05 Texas Instr Inc <Ti> 制御可能な光学的周期的表面フィルタ
US5818095A (en) 1992-08-11 1998-10-06 Texas Instruments Incorporated High-yield spatial light modulator with light blocking layer
US5345328A (en) 1992-08-12 1994-09-06 Sandia Corporation Tandem resonator reflectance modulator
US5293272A (en) * 1992-08-24 1994-03-08 Physical Optics Corporation High finesse holographic fabry-perot etalon and method of fabricating
US5327286A (en) 1992-08-31 1994-07-05 Texas Instruments Incorporated Real time optical correlation system
US5325116A (en) 1992-09-18 1994-06-28 Texas Instruments Incorporated Device for writing to and reading from optical storage media
US5296775A (en) 1992-09-24 1994-03-22 International Business Machines Corporation Cooling microfan arrangements and process
US5659374A (en) 1992-10-23 1997-08-19 Texas Instruments Incorporated Method of repairing defective pixels
CN1057614C (zh) 1993-01-11 2000-10-18 德克萨斯仪器股份有限公司 用于空间光调制器的象素控制电路
FI96450C (fi) 1993-01-13 1996-06-25 Vaisala Oy Yksikanavainen kaasun pitoisuuden mittausmenetelmä ja -laitteisto
US7830587B2 (en) 1993-03-17 2010-11-09 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method and device for modulating light with semiconductor substrate
US6674562B1 (en) * 1994-05-05 2004-01-06 Iridigm Display Corporation Interferometric modulation of radiation
US5461411A (en) 1993-03-29 1995-10-24 Texas Instruments Incorporated Process and architecture for digital micromirror printer
DE4317274A1 (de) 1993-05-25 1994-12-01 Bosch Gmbh Robert Verfahren zur Herstellung oberflächen-mikromechanischer Strukturen
JP3524122B2 (ja) 1993-05-25 2004-05-10 キヤノン株式会社 表示制御装置
US5559358A (en) 1993-05-25 1996-09-24 Honeywell Inc. Opto-electro-mechanical device or filter, process for making, and sensors made therefrom
US5324683A (en) 1993-06-02 1994-06-28 Motorola, Inc. Method of forming a semiconductor structure having an air region
US5489952A (en) 1993-07-14 1996-02-06 Texas Instruments Incorporated Method and device for multi-format television
US5365283A (en) 1993-07-19 1994-11-15 Texas Instruments Incorporated Color phase control for projection display using spatial light modulator
US5673139A (en) 1993-07-19 1997-09-30 Medcom, Inc. Microelectromechanical television scanning device and method for making the same
US5510824A (en) * 1993-07-26 1996-04-23 Texas Instruments, Inc. Spatial light modulator array
US5526172A (en) 1993-07-27 1996-06-11 Texas Instruments Incorporated Microminiature, monolithic, variable electrical signal processor and apparatus including same
US5581272A (en) 1993-08-25 1996-12-03 Texas Instruments Incorporated Signal generator for controlling a spatial light modulator
US5552925A (en) 1993-09-07 1996-09-03 John M. Baker Electro-micro-mechanical shutters on transparent substrates
FR2710161B1 (fr) 1993-09-13 1995-11-24 Suisse Electronique Microtech Réseau miniature d'obturateurs de lumière.
US5457493A (en) 1993-09-15 1995-10-10 Texas Instruments Incorporated Digital micro-mirror based image simulation system
US5629790A (en) 1993-10-18 1997-05-13 Neukermans; Armand P. Micromachined torsional scanner
US5526051A (en) 1993-10-27 1996-06-11 Texas Instruments Incorporated Digital television system
US5497197A (en) * 1993-11-04 1996-03-05 Texas Instruments Incorporated System and method for packaging data into video processor
US5459602A (en) 1993-10-29 1995-10-17 Texas Instruments Micro-mechanical optical shutter
US5452024A (en) * 1993-11-01 1995-09-19 Texas Instruments Incorporated DMD display system
US5517347A (en) 1993-12-01 1996-05-14 Texas Instruments Incorporated Direct view deformable mirror device
CA2137059C (en) 1993-12-03 2004-11-23 Texas Instruments Incorporated Dmd architecture to improve horizontal resolution
US5583688A (en) 1993-12-21 1996-12-10 Texas Instruments Incorporated Multi-level digital micromirror device
US5448314A (en) 1994-01-07 1995-09-05 Texas Instruments Method and apparatus for sequential color imaging
US5500761A (en) 1994-01-27 1996-03-19 At&T Corp. Micromechanical modulator
FI94804C (fi) 1994-02-17 1995-10-25 Vaisala Oy Sähköisesti säädettävä pintamikromekaaninen Fabry-Perot-interferometri käytettäväksi optisessa materiaalianalyysissä
US5444566A (en) 1994-03-07 1995-08-22 Texas Instruments Incorporated Optimized electronic operation of digital micromirror devices
US5526327A (en) 1994-03-15 1996-06-11 Cordova, Jr.; David J. Spatial displacement time display
US5665997A (en) 1994-03-31 1997-09-09 Texas Instruments Incorporated Grated landing area to eliminate sticking of micro-mechanical devices
GB9407116D0 (en) 1994-04-11 1994-06-01 Secr Defence Ferroelectric liquid crystal display with greyscale
US7738157B2 (en) 1994-05-05 2010-06-15 Qualcomm Mems Technologies, Inc. System and method for a MEMS device
US7826120B2 (en) * 1994-05-05 2010-11-02 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method and device for multi-color interferometric modulation
US6040937A (en) 1994-05-05 2000-03-21 Etalon, Inc. Interferometric modulation
US7808694B2 (en) 1994-05-05 2010-10-05 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method and device for modulating light
US6680792B2 (en) * 1994-05-05 2004-01-20 Iridigm Display Corporation Interferometric modulation of radiation
US7550794B2 (en) 2002-09-20 2009-06-23 Idc, Llc Micromechanical systems device comprising a displaceable electrode and a charge-trapping layer
US7852545B2 (en) 1994-05-05 2010-12-14 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method and device for modulating light
US20010003487A1 (en) 1996-11-05 2001-06-14 Mark W. Miles Visible spectrum modulator arrays
US8081369B2 (en) 1994-05-05 2011-12-20 Qualcomm Mems Technologies, Inc. System and method for a MEMS device
US6710908B2 (en) 1994-05-05 2004-03-23 Iridigm Display Corporation Controlling micro-electro-mechanical cavities
US7460291B2 (en) 1994-05-05 2008-12-02 Idc, Llc Separable modulator
US7123216B1 (en) 1994-05-05 2006-10-17 Idc, Llc Photonic MEMS and structures
DE69522856T2 (de) 1994-05-17 2002-05-02 Sony Corp Anzeigevorrichtung mit Positionserkennung eines Zeigers
US5497172A (en) * 1994-06-13 1996-03-05 Texas Instruments Incorporated Pulse width modulation for spatial light modulator with split reset addressing
US5673106A (en) 1994-06-17 1997-09-30 Texas Instruments Incorporated Printing system with self-monitoring and adjustment
US5920418A (en) 1994-06-21 1999-07-06 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Diffractive optical modulator and method for producing the same, infrared sensor including such a diffractive optical modulator and method for producing the same, and display device including such a diffractive optical modulator
US5454906A (en) 1994-06-21 1995-10-03 Texas Instruments Inc. Method of providing sacrificial spacer for micro-mechanical devices
US5499062A (en) * 1994-06-23 1996-03-12 Texas Instruments Incorporated Multiplexed memory timing with block reset and secondary memory
US5485304A (en) 1994-07-29 1996-01-16 Texas Instruments, Inc. Support posts for micro-mechanical devices
US5636052A (en) 1994-07-29 1997-06-03 Lucent Technologies Inc. Direct view display based on a micromechanical modulation
US5703710A (en) 1994-09-09 1997-12-30 Deacon Research Method for manipulating optical energy using poled structure
US6053617A (en) 1994-09-23 2000-04-25 Texas Instruments Incorporated Manufacture method for micromechanical devices
US5619059A (en) 1994-09-28 1997-04-08 National Research Council Of Canada Color deformable mirror device having optical thin film interference color coatings
US6560018B1 (en) 1994-10-27 2003-05-06 Massachusetts Institute Of Technology Illumination system for transmissive light valve displays
US5650881A (en) 1994-11-02 1997-07-22 Texas Instruments Incorporated Support post architecture for micromechanical devices
FR2726960B1 (fr) 1994-11-10 1996-12-13 Thomson Csf Procede de realisation de transducteurs magnetoresistifs
US5552924A (en) 1994-11-14 1996-09-03 Texas Instruments Incorporated Micromechanical device having an improved beam
US5474865A (en) 1994-11-21 1995-12-12 Sematech, Inc. Globally planarized binary optical mask using buried absorbers
JPH08153700A (ja) * 1994-11-25 1996-06-11 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 導電性被膜の異方性エッチング方法
US5610624A (en) * 1994-11-30 1997-03-11 Texas Instruments Incorporated Spatial light modulator with reduced possibility of an on state defect
US5550373A (en) 1994-12-30 1996-08-27 Honeywell Inc. Fabry-Perot micro filter-detector
US5726480A (en) * 1995-01-27 1998-03-10 The Regents Of The University Of California Etchants for use in micromachining of CMOS Microaccelerometers and microelectromechanical devices and method of making the same
US5567334A (en) 1995-02-27 1996-10-22 Texas Instruments Incorporated Method for creating a digital micromirror device using an aluminum hard mask
US5610438A (en) * 1995-03-08 1997-03-11 Texas Instruments Incorporated Micro-mechanical device with non-evaporable getter
US5636185A (en) 1995-03-10 1997-06-03 Boit Incorporated Dynamically changing liquid crystal display timekeeping apparatus
US5535047A (en) 1995-04-18 1996-07-09 Texas Instruments Incorporated Active yoke hidden hinge digital micromirror device
US5784190A (en) 1995-04-27 1998-07-21 John M. Baker Electro-micro-mechanical shutters on transparent substrates
US7898722B2 (en) 1995-05-01 2011-03-01 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Microelectromechanical device with restoring electrode
US5641391A (en) 1995-05-15 1997-06-24 Hunter; Ian W. Three dimensional microfabrication by localized electrodeposition and etching
US5661592A (en) 1995-06-07 1997-08-26 Silicon Light Machines Method of making and an apparatus for a flat diffraction grating light valve
US6046840A (en) * 1995-06-19 2000-04-04 Reflectivity, Inc. Double substrate reflective spatial light modulator with self-limiting micro-mechanical elements
US6849471B2 (en) * 2003-03-28 2005-02-01 Reflectivity, Inc. Barrier layers for microelectromechanical systems
US6124851A (en) 1995-07-20 2000-09-26 E Ink Corporation Electronic book with multiple page displays
KR100213026B1 (ko) 1995-07-27 1999-08-02 윤종용 디엠디 및 그 제조공정
US6324192B1 (en) 1995-09-29 2001-11-27 Coretek, Inc. Electrically tunable fabry-perot structure utilizing a deformable multi-layer mirror and method of making the same
US5661591A (en) 1995-09-29 1997-08-26 Texas Instruments Incorporated Optical switch having an analog beam for steering light
US5739945A (en) 1995-09-29 1998-04-14 Tayebati; Parviz Electrically tunable optical filter utilizing a deformable multi-layer mirror
GB9522135D0 (en) 1995-10-30 1996-01-03 John Mcgavigan Holdings Limite Display panels
JPH09127551A (ja) * 1995-10-31 1997-05-16 Sharp Corp 半導体装置およびアクティブマトリクス基板
US5740150A (en) 1995-11-24 1998-04-14 Kabushiki Kaisha Toshiba Galvanomirror and optical disk drive using the same
US5999306A (en) 1995-12-01 1999-12-07 Seiko Epson Corporation Method of manufacturing spatial light modulator and electronic device employing it
US5825528A (en) 1995-12-26 1998-10-20 Lucent Technologies Inc. Phase-mismatched fabry-perot cavity micromechanical modulator
JP3799092B2 (ja) 1995-12-29 2006-07-19 アジレント・テクノロジーズ・インク 光変調装置及びディスプレイ装置
US5638946A (en) 1996-01-11 1997-06-17 Northeastern University Micromechanical switch with insulated switch contact
US5751469A (en) 1996-02-01 1998-05-12 Lucent Technologies Inc. Method and apparatus for an improved micromechanical modulator
US6114862A (en) 1996-02-14 2000-09-05 Stmicroelectronics, Inc. Capacitive distance sensor
US6624944B1 (en) 1996-03-29 2003-09-23 Texas Instruments Incorporated Fluorinated coating for an optical element
US5710656A (en) * 1996-07-30 1998-01-20 Lucent Technologies Inc. Micromechanical optical modulator having a reduced-mass composite membrane
US5793504A (en) 1996-08-07 1998-08-11 Northrop Grumman Corporation Hybrid angular/spatial holographic multiplexer
US5838484A (en) 1996-08-19 1998-11-17 Lucent Technologies Inc. Micromechanical optical modulator with linear operating characteristic
US5912758A (en) 1996-09-11 1999-06-15 Texas Instruments Incorporated Bipolar reset for spatial light modulators
GB9619781D0 (en) 1996-09-23 1996-11-06 Secr Defence Multi layer interference coatings
US5771116A (en) 1996-10-21 1998-06-23 Texas Instruments Incorporated Multiple bias level reset waveform for enhanced DMD control
US7830588B2 (en) 1996-12-19 2010-11-09 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method of making a light modulating display device and associated transistor circuitry and structures thereof
US6028689A (en) * 1997-01-24 2000-02-22 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force Multi-motion micromirror
US5786927A (en) 1997-03-12 1998-07-28 Lucent Technologies Inc. Gas-damped micromechanical structure
US6384952B1 (en) 1997-03-27 2002-05-07 Mems Optical Inc. Vertical comb drive actuated deformable mirror device and method
EP0877272B1 (en) * 1997-05-08 2002-07-31 Texas Instruments Incorporated Improvements in or relating to spatial light modulators
EP0879991A3 (en) 1997-05-13 1999-04-21 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Illuminating system
US6480177B2 (en) 1997-06-04 2002-11-12 Texas Instruments Incorporated Blocked stepped address voltage for micromechanical devices
US5808780A (en) 1997-06-09 1998-09-15 Texas Instruments Incorporated Non-contacting micromechanical optical switch
US6239777B1 (en) 1997-07-22 2001-05-29 Kabushiki Kaisha Toshiba Display device
US5870221A (en) * 1997-07-25 1999-02-09 Lucent Technologies, Inc. Micromechanical modulator having enhanced performance
US5867302A (en) * 1997-08-07 1999-02-02 Sandia Corporation Bistable microelectromechanical actuator
KR19990016714A (ko) 1997-08-19 1999-03-15 윤종용 다면 영상 디스플레이형 배면 투사 프로젝트 장치
US6031653A (en) * 1997-08-28 2000-02-29 California Institute Of Technology Low-cost thin-metal-film interference filters
US5994174A (en) 1997-09-29 1999-11-30 The Regents Of The University Of California Method of fabrication of display pixels driven by silicon thin film transistors
US6028690A (en) * 1997-11-26 2000-02-22 Texas Instruments Incorporated Reduced micromirror mirror gaps for improved contrast ratio
US6180428B1 (en) * 1997-12-12 2001-01-30 Xerox Corporation Monolithic scanning light emitting devices using micromachining
EP0969306B1 (en) 1998-01-20 2005-05-11 Seiko Epson Corporation Optical switching device and image display device
US5914804A (en) 1998-01-28 1999-06-22 Lucent Technologies Inc Double-cavity micromechanical optical modulator with plural multilayer mirrors
JPH11211999A (ja) 1998-01-28 1999-08-06 Teijin Ltd 光変調素子および表示装置
US6660656B2 (en) 1998-02-11 2003-12-09 Applied Materials Inc. Plasma processes for depositing low dielectric constant films
US6100861A (en) 1998-02-17 2000-08-08 Rainbow Displays, Inc. Tiled flat panel display with improved color gamut
US6195196B1 (en) * 1998-03-13 2001-02-27 Fuji Photo Film Co., Ltd. Array-type exposing device and flat type display incorporating light modulator and driving method thereof
US6262697B1 (en) 1998-03-20 2001-07-17 Eastman Kodak Company Display having viewable and conductive images
US7532377B2 (en) 1998-04-08 2009-05-12 Idc, Llc Movable micro-electromechanical device
US8928967B2 (en) * 1998-04-08 2015-01-06 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method and device for modulating light
WO1999052006A2 (en) 1998-04-08 1999-10-14 Etalon, Inc. Interferometric modulation of radiation
US6097145A (en) 1998-04-27 2000-08-01 Copytele, Inc. Aerogel-based phase transition flat panel display
US5943158A (en) 1998-05-05 1999-08-24 Lucent Technologies Inc. Micro-mechanical, anti-reflection, switched optical modulator array and fabrication method
US6160833A (en) 1998-05-06 2000-12-12 Xerox Corporation Blue vertical cavity surface emitting laser
AU3987299A (en) 1998-05-12 1999-11-29 E-Ink Corporation Microencapsulated electrophoretic electrostatically-addressed media for drawing device applications
US6282010B1 (en) 1998-05-14 2001-08-28 Texas Instruments Incorporated Anti-reflective coatings for spatial light modulators
US6046659A (en) * 1998-05-15 2000-04-04 Hughes Electronics Corporation Design and fabrication of broadband surface-micromachined micro-electro-mechanical switches for microwave and millimeter-wave applications
US6323982B1 (en) 1998-05-22 2001-11-27 Texas Instruments Incorporated Yield superstructure for digital micromirror device
US6147790A (en) 1998-06-02 2000-11-14 Texas Instruments Incorporated Spring-ring micromechanical device
US6295154B1 (en) 1998-06-05 2001-09-25 Texas Instruments Incorporated Optical switching apparatus
US6496122B2 (en) 1998-06-26 2002-12-17 Sharp Laboratories Of America, Inc. Image display and remote control system capable of displaying two distinct images
GB2341476A (en) 1998-09-03 2000-03-15 Sharp Kk Variable resolution display device
US6113239A (en) 1998-09-04 2000-09-05 Sharp Laboratories Of America, Inc. Projection display system for reflective light valves
US6242989B1 (en) 1998-09-12 2001-06-05 Agere Systems Guardian Corp. Article comprising a multi-port variable capacitor
JP4074714B2 (ja) * 1998-09-25 2008-04-09 富士フイルム株式会社 アレイ型光変調素子及び平面ディスプレイの駆動方法
US6323834B1 (en) * 1998-10-08 2001-11-27 International Business Machines Corporation Micromechanical displays and fabrication method
JP3919954B2 (ja) 1998-10-16 2007-05-30 富士フイルム株式会社 アレイ型光変調素子及び平面ディスプレイの駆動方法
US6171945B1 (en) * 1998-10-22 2001-01-09 Applied Materials, Inc. CVD nanoporous silica low dielectric constant films
US6288824B1 (en) 1998-11-03 2001-09-11 Alex Kastalsky Display device based on grating electromechanical shutter
JP2000147262A (ja) 1998-11-11 2000-05-26 Nobuyuki Higuchi 集光装置及びこれを利用した太陽光発電システム
JP3552601B2 (ja) * 1998-11-16 2004-08-11 日本ビクター株式会社 光偏向子及びこれを用いた表示装置
US6335831B2 (en) * 1998-12-18 2002-01-01 Eastman Kodak Company Multilevel mechanical grating device
US6358021B1 (en) * 1998-12-29 2002-03-19 Honeywell International Inc. Electrostatic actuators for active surfaces
US6215221B1 (en) 1998-12-29 2001-04-10 Honeywell International Inc. Electrostatic/pneumatic actuators for active surfaces
US6188519B1 (en) 1999-01-05 2001-02-13 Kenneth Carlisle Johnson Bigrating light valve
US6242932B1 (en) 1999-02-19 2001-06-05 Micron Technology, Inc. Interposer for semiconductor components having contact balls
JP3864204B2 (ja) 1999-02-19 2006-12-27 株式会社日立プラズマパテントライセンシング プラズマディスプレイパネル
US6606175B1 (en) 1999-03-16 2003-08-12 Sharp Laboratories Of America, Inc. Multi-segment light-emitting diode
US6449084B1 (en) 1999-05-10 2002-09-10 Yanping Guo Optical deflector
US6323987B1 (en) 1999-05-14 2001-11-27 Agere Systems Optoelectronics Guardian Corp. Controlled multi-wavelength etalon
US6201633B1 (en) * 1999-06-07 2001-03-13 Xerox Corporation Micro-electromechanical based bistable color display sheets
US6862029B1 (en) 1999-07-27 2005-03-01 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Color display system
US6525310B2 (en) * 1999-08-05 2003-02-25 Microvision, Inc. Frequency tunable resonant scanner
US6331909B1 (en) 1999-08-05 2001-12-18 Microvision, Inc. Frequency tunable resonant scanner
US6335235B1 (en) * 1999-08-17 2002-01-01 Advanced Micro Devices, Inc. Simplified method of patterning field dielectric regions in a semiconductor device
WO2003007049A1 (en) * 1999-10-05 2003-01-23 Iridigm Display Corporation Photonic mems and structures
US6351329B1 (en) * 1999-10-08 2002-02-26 Lucent Technologies Inc. Optical attenuator
US6960305B2 (en) 1999-10-26 2005-11-01 Reflectivity, Inc Methods for forming and releasing microelectromechanical structures
US6741383B2 (en) 2000-08-11 2004-05-25 Reflectivity, Inc. Deflectable micromirrors with stopping mechanisms
US6549338B1 (en) 1999-11-12 2003-04-15 Texas Instruments Incorporated Bandpass filter to reduce thermal impact of dichroic light shift
US6552840B2 (en) 1999-12-03 2003-04-22 Texas Instruments Incorporated Electrostatic efficiency of micromechanical devices
US6548908B2 (en) 1999-12-27 2003-04-15 Xerox Corporation Structure and method for planar lateral oxidation in passive devices
US6674090B1 (en) * 1999-12-27 2004-01-06 Xerox Corporation Structure and method for planar lateral oxidation in active
US6545335B1 (en) 1999-12-27 2003-04-08 Xerox Corporation Structure and method for electrical isolation of optoelectronic integrated circuits
US6466358B2 (en) 1999-12-30 2002-10-15 Texas Instruments Incorporated Analog pulse width modulation cell for digital micromechanical device
US6519073B1 (en) * 2000-01-10 2003-02-11 Lucent Technologies Inc. Micromechanical modulator and methods for fabricating the same
KR100837593B1 (ko) 2000-01-21 2008-06-13 플렉스 프로덕츠, 인코포레이티드 가변적 광학 특성의 보안 장치
US6307663B1 (en) 2000-01-26 2001-10-23 Eastman Kodak Company Spatial light modulator with conformal grating device
US6407851B1 (en) 2000-08-01 2002-06-18 Mohammed N. Islam Micromechanical optical switch
JP2001221913A (ja) 2000-02-08 2001-08-17 Yokogawa Electric Corp ファブリペローフィルタ及び赤外線ガス分析計
GB2359636B (en) 2000-02-22 2002-05-01 Marconi Comm Ltd Wavelength selective optical filter
KR20010112456A (ko) * 2000-02-24 2001-12-20 요트.게.아. 롤페즈 광 가이드를 포함한 디스플레이 디바이스
US6836366B1 (en) 2000-03-03 2004-12-28 Axsun Technologies, Inc. Integrated tunable fabry-perot filter and method of making same
US6747775B2 (en) 2000-03-20 2004-06-08 Np Photonics, Inc. Detunable Fabry-Perot interferometer and an add/drop multiplexer using the same
US6698295B1 (en) 2000-03-31 2004-03-02 Shipley Company, L.L.C. Microstructures comprising silicon nitride layer and thin conductive polysilicon layer
US6400738B1 (en) 2000-04-14 2002-06-04 Agilent Technologies, Inc. Tunable Fabry-Perot filters and lasers
US7008812B1 (en) 2000-05-30 2006-03-07 Ic Mechanics, Inc. Manufacture of MEMS structures in sealed cavity using dry-release MEMS device encapsulation
US6466190B1 (en) 2000-06-19 2002-10-15 Koninklijke Philips Electronics N.V. Flexible color modulation tables of ratios for generating color modulation patterns
US6473274B1 (en) 2000-06-28 2002-10-29 Texas Instruments Incorporated Symmetrical microactuator structure for use in mass data storage devices, or the like
FR2811139B1 (fr) 2000-06-29 2003-10-17 Centre Nat Rech Scient Dispositif optoelectronique a filtrage de longueur d'onde integre
TW535024B (en) 2000-06-30 2003-06-01 Minolta Co Ltd Liquid display element and method of producing the same
DE60142452D1 (de) 2000-07-03 2010-08-05 Sony Corp Optische Mehrschicht-Struktur, optische Schalteinrichtung und Bildanzeigevorrichtung
CA2352729A1 (en) * 2000-07-13 2002-01-13 Creoscitex Corporation Ltd. Blazed micro-mechanical light modulator and array thereof
US6456420B1 (en) 2000-07-27 2002-09-24 Mcnc Microelectromechanical elevating structures
US6853129B1 (en) * 2000-07-28 2005-02-08 Candescent Technologies Corporation Protected substrate structure for a field emission display device
US6778155B2 (en) 2000-07-31 2004-08-17 Texas Instruments Incorporated Display operation with inserted block clears
US6867897B2 (en) 2003-01-29 2005-03-15 Reflectivity, Inc Micromirrors and off-diagonal hinge structures for micromirror arrays in projection displays
JP2002062490A (ja) 2000-08-14 2002-02-28 Canon Inc 干渉性変調素子
US6635919B1 (en) 2000-08-17 2003-10-21 Texas Instruments Incorporated High Q-large tuning range micro-electro mechanical system (MEMS) varactor for broadband applications
US6376787B1 (en) 2000-08-24 2002-04-23 Texas Instruments Incorporated Microelectromechanical switch with fixed metal electrode/dielectric interface with a protective cap layer
US6643069B2 (en) 2000-08-31 2003-11-04 Texas Instruments Incorporated SLM-base color projection display having multiple SLM's and multiple projection lenses
JP4304852B2 (ja) * 2000-09-04 2009-07-29 コニカミノルタホールディングス株式会社 非平面液晶表示素子及びその製造方法
US6466354B1 (en) 2000-09-19 2002-10-15 Silicon Light Machines Method and apparatus for interferometric modulation of light
US6714565B1 (en) 2000-11-01 2004-03-30 Agilent Technologies, Inc. Optically tunable Fabry Perot microelectromechanical resonator
JP3466148B2 (ja) * 2000-11-02 2003-11-10 富士通株式会社 ガルバノミラーの製造方法およびガルバノミラー
US6556338B2 (en) 2000-11-03 2003-04-29 Intpax, Inc. MEMS based variable optical attenuator (MBVOA)
US6859218B1 (en) * 2000-11-07 2005-02-22 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Electronic display devices and methods
US6433917B1 (en) 2000-11-22 2002-08-13 Ball Semiconductor, Inc. Light modulation device and system
US6647171B1 (en) 2000-12-01 2003-11-11 Corning Incorporated MEMS optical switch actuator
US6847752B2 (en) 2000-12-07 2005-01-25 Bluebird Optical Mems Ltd. Integrated actuator for optical switch mirror array
US6906847B2 (en) 2000-12-07 2005-06-14 Reflectivity, Inc Spatial light modulators with light blocking/absorbing areas
JP2004516783A (ja) 2000-12-11 2004-06-03 ラド エイチ ダバイ 静電装置
US6614576B2 (en) * 2000-12-15 2003-09-02 Texas Instruments Incorporated Surface micro-planarization for enhanced optical efficiency and pixel performance in SLM devices
US20020149834A1 (en) 2000-12-22 2002-10-17 Ball Semiconductor, Inc. Light modulation device and system
DE10064616C2 (de) 2000-12-22 2003-02-06 Ovd Kinegram Ag Zug Dekorfolie und Verfahren zum Beschriften der Dekorfolie
US6775174B2 (en) 2000-12-28 2004-08-10 Texas Instruments Incorporated Memory architecture for micromirror cell
US6625047B2 (en) 2000-12-31 2003-09-23 Texas Instruments Incorporated Micromechanical memory element
US6911891B2 (en) * 2001-01-19 2005-06-28 Massachusetts Institute Of Technology Bistable actuation techniques, mechanisms, and applications
JP2002221678A (ja) 2001-01-25 2002-08-09 Seiko Epson Corp 光スイッチングデバイス、その製造方法および画像表示装置
US20020167072A1 (en) 2001-03-16 2002-11-14 Andosca Robert George Electrostatically actuated micro-electro-mechanical devices and method of manufacture
US6912078B2 (en) 2001-03-16 2005-06-28 Corning Incorporated Electrostatically actuated micro-electro-mechanical devices and method of manufacture
JP2002277771A (ja) 2001-03-21 2002-09-25 Ricoh Co Ltd 光変調装置
US6661561B2 (en) * 2001-03-26 2003-12-09 Creo Inc. High frequency deformable mirror device
US6630786B2 (en) 2001-03-30 2003-10-07 Candescent Technologies Corporation Light-emitting device having light-reflective layer formed with, or/and adjacent to, material that enhances device performance
GB0108309D0 (en) 2001-04-03 2001-05-23 Koninkl Philips Electronics Nv Matrix array devices with flexible substrates
US20020149850A1 (en) 2001-04-17 2002-10-17 E-Tek Dynamics, Inc. Tunable optical filter
US6600587B2 (en) 2001-04-23 2003-07-29 Memx, Inc. Surface micromachined optical system with reinforced mirror microstructure
US6657832B2 (en) 2001-04-26 2003-12-02 Texas Instruments Incorporated Mechanically assisted restoring force support for micromachined membranes
US6465355B1 (en) 2001-04-27 2002-10-15 Hewlett-Packard Company Method of fabricating suspended microstructures
GB2375184A (en) 2001-05-02 2002-11-06 Marconi Caswell Ltd Wavelength selectable optical filter
FR2824643B1 (fr) 2001-05-10 2003-10-31 Jean Pierre Lazzari Dispositif de modulation de lumiere
WO2002095800A2 (en) 2001-05-22 2002-11-28 Reflectivity, Inc. A method for making a micromechanical device by removing a sacrificial layer with multiple sequential etchants
US6598985B2 (en) 2001-06-11 2003-07-29 Nanogear Optical mirror system with multi-axis rotational control
US6822628B2 (en) 2001-06-28 2004-11-23 Candescent Intellectual Property Services, Inc. Methods and systems for compensating row-to-row brightness variations of a field emission display
EP1456699B1 (en) 2001-07-05 2008-12-31 International Business Machines Corporation Microsystem switches
JP3740444B2 (ja) * 2001-07-11 2006-02-01 キヤノン株式会社 光偏向器、それを用いた光学機器、ねじれ揺動体
JP4032216B2 (ja) * 2001-07-12 2008-01-16 ソニー株式会社 光学多層構造体およびその製造方法、並びに光スイッチング素子および画像表示装置
US6594059B2 (en) * 2001-07-16 2003-07-15 Axsun Technologies, Inc. Tilt mirror fabry-perot filter system, fabrication process therefor, and method of operation thereof
KR100452112B1 (ko) * 2001-07-18 2004-10-12 한국과학기술원 정전 구동기
US6862022B2 (en) 2001-07-20 2005-03-01 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Method and system for automatically selecting a vertical refresh rate for a video display monitor
US6589625B1 (en) 2001-08-01 2003-07-08 Iridigm Display Corporation Hermetic seal and method to create the same
US6600201B2 (en) 2001-08-03 2003-07-29 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Systems with high density packing of micromachines
US6632698B2 (en) 2001-08-07 2003-10-14 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Microelectromechanical device having a stiffened support beam, and methods of forming stiffened support beams in MEMS
US6661562B2 (en) * 2001-08-17 2003-12-09 Lucent Technologies Inc. Optical modulator and method of manufacture thereof
GB2389150B (en) * 2001-09-07 2004-08-25 Avon Polymer Prod Ltd Noise and vibration suppressors
US7015457B2 (en) 2002-03-18 2006-03-21 Honeywell International Inc. Spectrally tunable detector
US20030053078A1 (en) * 2001-09-17 2003-03-20 Mark Missey Microelectromechanical tunable fabry-perot wavelength monitor with thermal actuators
WO2003028059A1 (en) 2001-09-21 2003-04-03 Hrl Laboratories, Llc Mems switches and methods of making same
US6866669B2 (en) 2001-10-12 2005-03-15 Cordis Corporation Locking handle deployment mechanism for medical device and method
US6870581B2 (en) 2001-10-30 2005-03-22 Sharp Laboratories Of America, Inc. Single panel color video projection display using reflective banded color falling-raster illumination
AU2002363529A1 (en) 2001-11-09 2003-05-19 Coventor, Incorporated Micro-scale interconnect device with internal heat spreader and method for fabricating same
US6761950B2 (en) 2001-12-07 2004-07-13 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Information recording medium and method for producing the same
JP2003177336A (ja) 2001-12-11 2003-06-27 Fuji Photo Film Co Ltd 光変調素子及び光変調素子アレイ並びにそれを用いた露光装置
JP3893421B2 (ja) 2001-12-27 2007-03-14 富士フイルム株式会社 光変調素子及び光変調素子アレイ並びにそれを用いた露光装置
US6959990B2 (en) 2001-12-31 2005-11-01 Texas Instruments Incorporated Prism for high contrast projection
US6791735B2 (en) * 2002-01-09 2004-09-14 The Regents Of The University Of California Differentially-driven MEMS spatial light modulator
US6608268B1 (en) 2002-02-05 2003-08-19 Memtronics, A Division Of Cogent Solutions, Inc. Proximity micro-electro-mechanical system
US6794119B2 (en) 2002-02-12 2004-09-21 Iridigm Display Corporation Method for fabricating a structure for a microelectromechanical systems (MEMS) device
WO2003069404A1 (fr) 2002-02-15 2003-08-21 Bridgestone Corporation Unite d'affichage d'images
US6643053B2 (en) 2002-02-20 2003-11-04 The Regents Of The University Of California Piecewise linear spatial phase modulator using dual-mode micromirror arrays for temporal and diffractive fourier optics
US6574033B1 (en) 2002-02-27 2003-06-03 Iridigm Display Corporation Microelectromechanical systems device and method for fabricating same
AU2003211809A1 (en) 2002-03-01 2003-09-16 Sharp Kabushiki Kaisha Light emitting device and display unit using the light emitting device and reading device
US6891658B2 (en) 2002-03-04 2005-05-10 The University Of British Columbia Wide viewing angle reflective display
US7145143B2 (en) 2002-03-18 2006-12-05 Honeywell International Inc. Tunable sensor
US6768555B2 (en) 2002-03-21 2004-07-27 Industrial Technology Research Institute Fabry-Perot filter apparatus with enhanced optical discrimination
US6965468B2 (en) * 2003-07-03 2005-11-15 Reflectivity, Inc Micromirror array having reduced gap between adjacent micromirrors of the micromirror array
KR101009818B1 (ko) 2002-04-11 2011-01-19 엔엑스피 비 브이 전자 디바이스 제조 방법, 캐리어 및 캐리어 제조 방법
US20030202264A1 (en) 2002-04-30 2003-10-30 Weber Timothy L. Micro-mirror device
US6954297B2 (en) 2002-04-30 2005-10-11 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Micro-mirror device including dielectrophoretic liquid
US6972882B2 (en) 2002-04-30 2005-12-06 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Micro-mirror device with light angle amplification
US20040212026A1 (en) 2002-05-07 2004-10-28 Hewlett-Packard Company MEMS device having time-varying control
JP3846359B2 (ja) * 2002-05-09 2006-11-15 株式会社デンソー 光デバイス
JP2003340795A (ja) 2002-05-20 2003-12-02 Sony Corp 静電駆動型ｍｅｍｓ素子とその製造方法、光学ｍｅｍｓ素子、光変調素子、ｇｌｖデバイス及びレーザディスプレイ
JP3801099B2 (ja) * 2002-06-04 2006-07-26 株式会社デンソー チューナブルフィルタ、その製造方法、及びそれを使用した光スイッチング装置
US6813059B2 (en) 2002-06-28 2004-11-02 Silicon Light Machines, Inc. Reduced formation of asperities in contact micro-structures
DE10228946B4 (de) 2002-06-28 2004-08-26 Universität Bremen Optischer Modulator, Display, Verwendung eines optischen Modulators und Verfahren zur Herstellung eines optischen Modulators
US6741377B2 (en) 2002-07-02 2004-05-25 Iridigm Display Corporation Device having a light-absorbing mask and a method for fabricating same
US6738194B1 (en) 2002-07-22 2004-05-18 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Resonance tunable optical filter
US6822798B2 (en) * 2002-08-09 2004-11-23 Optron Systems, Inc. Tunable optical filter
US6674033B1 (en) * 2002-08-21 2004-01-06 Ming-Shan Wang Press button type safety switch
TW544787B (en) * 2002-09-18 2003-08-01 Promos Technologies Inc Method of forming self-aligned contact structure with locally etched gate conductive layer
AU2003260825A1 (en) * 2002-09-19 2004-04-08 Koninklijke Philips Electronics N.V. Switchable optical element
JP4057871B2 (ja) 2002-09-19 2008-03-05 東芝松下ディスプレイテクノロジー株式会社 液晶表示装置
KR100512960B1 (ko) 2002-09-26 2005-09-07 삼성전자주식회사 플렉서블 ｍｅｍｓ 트랜스듀서와 그 제조방법 및 이를채용한 플렉서블 ｍｅｍｓ 무선 마이크로폰
WO2004032320A1 (ja) * 2002-10-03 2004-04-15 Sharp Kabushiki Kaisha マイクロ共振装置、マイクロフィルタ装置、マイクロ発振器および無線通信機器
JP4347654B2 (ja) 2002-10-16 2009-10-21 オリンパス株式会社 可変形状反射鏡及びその製造方法
US6986587B2 (en) 2002-10-16 2006-01-17 Olympus Corporation Variable-shape reflection mirror and method of manufacturing the same
US7085121B2 (en) 2002-10-21 2006-08-01 Hrl Laboratories, Llc Variable capacitance membrane actuator for wide band tuning of microstrip resonators and filters
US6747785B2 (en) 2002-10-24 2004-06-08 Hewlett-Packard Development Company, L.P. MEMS-actuated color light modulator and methods
FR2846318B1 (fr) 2002-10-24 2005-01-07 Commissariat Energie Atomique Microstructure electromecanique integree comportant des moyens de reglage de la pression dans une cavite scellee et procede de reglage de la pression
US6666561B1 (en) 2002-10-28 2003-12-23 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Continuously variable analog micro-mirror device
US7370185B2 (en) * 2003-04-30 2008-05-06 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Self-packaged optical interference display device having anti-stiction bumps, integral micro-lens, and reflection-absorbing layers
US6909589B2 (en) 2002-11-20 2005-06-21 Corporation For National Research Initiatives MEMS-based variable capacitor
US6844959B2 (en) * 2002-11-26 2005-01-18 Reflectivity, Inc Spatial light modulators with light absorbing areas
US6958846B2 (en) 2002-11-26 2005-10-25 Reflectivity, Inc Spatial light modulators with light absorbing areas
US6741503B1 (en) 2002-12-04 2004-05-25 Texas Instruments Incorporated SLM display data address mapping for four bank frame buffer
TWI289708B (en) 2002-12-25 2007-11-11 Qualcomm Mems Technologies Inc Optical interference type color display
TW594155B (en) 2002-12-27 2004-06-21 Prime View Int Corp Ltd Optical interference type color display and optical interference modulator
JP2004212680A (ja) 2002-12-27 2004-07-29 Fuji Photo Film Co Ltd 光変調素子アレイ及びその製造方法
TW559686B (en) 2002-12-27 2003-11-01 Prime View Int Co Ltd Optical interference type panel and the manufacturing method thereof
JP2004212638A (ja) 2002-12-27 2004-07-29 Fuji Photo Film Co Ltd 光変調素子及び平面表示素子
US6808953B2 (en) * 2002-12-31 2004-10-26 Robert Bosch Gmbh Gap tuning for surface micromachined structures in an epitaxial reactor
US7002719B2 (en) 2003-01-15 2006-02-21 Lucent Technologies Inc. Mirror for an integrated device
JP2004219843A (ja) 2003-01-16 2004-08-05 Seiko Epson Corp 光変調器、表示装置及びその製造方法
US6930816B2 (en) * 2003-01-17 2005-08-16 Fuji Photo Film Co., Ltd. Spatial light modulator, spatial light modulator array, image forming device and flat panel display
US20040140557A1 (en) 2003-01-21 2004-07-22 United Test & Assembly Center Limited Wl-bga for MEMS/MOEMS devices
US7205675B2 (en) 2003-01-29 2007-04-17 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Micro-fabricated device with thermoelectric device and method of making
TW200413810A (en) 2003-01-29 2004-08-01 Prime View Int Co Ltd Light interference display panel and its manufacturing method
US20040147056A1 (en) 2003-01-29 2004-07-29 Mckinnell James C. Micro-fabricated device and method of making
TW557395B (en) 2003-01-29 2003-10-11 Yen Sun Technology Corp Optical interference type reflection panel and the manufacturing method thereof
JP2004235465A (ja) 2003-01-30 2004-08-19 Tokyo Electron Ltd 接合方法、接合装置及び封止部材
US7459402B2 (en) 2003-02-12 2008-12-02 Texas Instruments Incorporated Protection layers in micromirror array devices
US7436573B2 (en) 2003-02-12 2008-10-14 Texas Instruments Incorporated Electrical connections in microelectromechanical devices
US6903487B2 (en) 2003-02-14 2005-06-07 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Micro-mirror device with increased mirror tilt
TW200417806A (en) 2003-03-05 2004-09-16 Prime View Int Corp Ltd A structure of a light-incidence electrode of an optical interference display plate
US6844953B2 (en) 2003-03-12 2005-01-18 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Micro-mirror device including dielectrophoretic liquid
TWI328805B (en) 2003-03-13 2010-08-11 Lg Electronics Inc Write-once recording medium and defective area management method and apparatus for write-once recording medium
KR100925195B1 (ko) 2003-03-17 2009-11-06 엘지전자 주식회사 대화형 디스크 플레이어의 이미지 데이터 처리장치 및처리방법
JP2004286825A (ja) 2003-03-19 2004-10-14 Fuji Photo Film Co Ltd 平面表示装置
US6913942B2 (en) 2003-03-28 2005-07-05 Reflectvity, Inc Sacrificial layers for use in fabrications of microelectromechanical devices
TW567355B (en) 2003-04-21 2003-12-21 Prime View Int Co Ltd An interference display cell and fabrication method thereof
TWI224235B (en) 2003-04-21 2004-11-21 Prime View Int Co Ltd A method for fabricating an interference display cell
TWI226504B (en) 2003-04-21 2005-01-11 Prime View Int Co Ltd A structure of an interference display cell
TW594360B (en) 2003-04-21 2004-06-21 Prime View Int Corp Ltd A method for fabricating an interference display cell
US7358966B2 (en) 2003-04-30 2008-04-15 Hewlett-Packard Development Company L.P. Selective update of micro-electromechanical device
US7218438B2 (en) * 2003-04-30 2007-05-15 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Optical electronic device with partial reflector layer
US6853476B2 (en) 2003-04-30 2005-02-08 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Charge control circuit for a micro-electromechanical device
US7072093B2 (en) 2003-04-30 2006-07-04 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Optical interference pixel display with charge control
US7400489B2 (en) 2003-04-30 2008-07-15 Hewlett-Packard Development Company, L.P. System and a method of driving a parallel-plate variable micro-electromechanical capacitor
US6741384B1 (en) 2003-04-30 2004-05-25 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Control of MEMS and light modulator arrays
US6829132B2 (en) 2003-04-30 2004-12-07 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Charge control of micro-electromechanical device
US7447891B2 (en) * 2003-04-30 2008-11-04 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Light modulator with concentric control-electrode structure
WO2004099629A2 (en) 2003-05-01 2004-11-18 University Of Florida Vertical displacement device
US6819469B1 (en) 2003-05-05 2004-11-16 Igor M. Koba High-resolution spatial light modulator for 3-dimensional holographic display
JP4075678B2 (ja) 2003-05-06 2008-04-16 ソニー株式会社 固体撮像素子
US7218499B2 (en) 2003-05-14 2007-05-15 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Charge control circuit
JP4338442B2 (ja) 2003-05-23 2009-10-07 富士フイルム株式会社 透過型光変調素子の製造方法
TW570896B (en) * 2003-05-26 2004-01-11 Prime View Int Co Ltd A method for fabricating an interference display cell
TW591716B (en) 2003-05-26 2004-06-11 Prime View Int Co Ltd A structure of a structure release and manufacturing the same
US6917459B2 (en) 2003-06-03 2005-07-12 Hewlett-Packard Development Company, L.P. MEMS device and method of forming MEMS device
US6811267B1 (en) 2003-06-09 2004-11-02 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Display system with nonvisible data projection
TWI223855B (en) * 2003-06-09 2004-11-11 Taiwan Semiconductor Mfg Method for manufacturing reflective spatial light modulator mirror devices
JP2007027150A (ja) 2003-06-23 2007-02-01 Hitachi Chem Co Ltd 集光型光発電システム
US7221495B2 (en) 2003-06-24 2007-05-22 Idc Llc Thin film precursor stack for MEMS manufacturing
FR2857153B1 (fr) 2003-07-01 2005-08-26 Commissariat Energie Atomique Micro-commutateur bistable a faible consommation.
US6862127B1 (en) * 2003-11-01 2005-03-01 Fusao Ishii High performance micromirror arrays and methods of manufacturing the same
US7190380B2 (en) 2003-09-26 2007-03-13 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Generating and displaying spatially offset sub-frames
JP3786106B2 (ja) * 2003-08-11 2006-06-14 セイコーエプソン株式会社 波長可変光フィルタ及びその製造方法
US7173314B2 (en) * 2003-08-13 2007-02-06 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Storage device having a probe and a storage cell with moveable parts
TWI305599B (en) * 2003-08-15 2009-01-21 Qualcomm Mems Technologies Inc Interference display panel and method thereof
TW200506479A (en) * 2003-08-15 2005-02-16 Prime View Int Co Ltd Color changeable pixel for an interference display
TWI251712B (en) * 2003-08-15 2006-03-21 Prime View Int Corp Ltd Interference display plate
TW593127B (en) * 2003-08-18 2004-06-21 Prime View Int Co Ltd Interference display plate and manufacturing method thereof
TWI231865B (en) 2003-08-26 2005-05-01 Prime View Int Co Ltd An interference display cell and fabrication method thereof
US20050057442A1 (en) 2003-08-28 2005-03-17 Olan Way Adjacent display of sequential sub-images
JP3979982B2 (ja) 2003-08-29 2007-09-19 シャープ株式会社 干渉性変調器および表示装置
TWI230801B (en) 2003-08-29 2005-04-11 Prime View Int Co Ltd Reflective display unit using interferometric modulation and manufacturing method thereof
TWI232333B (en) 2003-09-03 2005-05-11 Prime View Int Co Ltd Display unit using interferometric modulation and manufacturing method thereof
JP4406549B2 (ja) * 2003-09-22 2010-01-27 富士フイルム株式会社 光変調素子及び光変調アレイ素子並びにそれを用いた露光装置
US6982820B2 (en) 2003-09-26 2006-01-03 Prime View International Co., Ltd. Color changeable pixel
US7027204B2 (en) 2003-09-26 2006-04-11 Silicon Light Machines Corporation High-density spatial light modulator
TW593126B (en) 2003-09-30 2004-06-21 Prime View Int Co Ltd A structure of a micro electro mechanical system and manufacturing the same
US20050068583A1 (en) 2003-09-30 2005-03-31 Gutkowski Lawrence J. Organizing a digital image
US6861277B1 (en) 2003-10-02 2005-03-01 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Method of forming MEMS device
JP2005121906A (ja) 2003-10-16 2005-05-12 Fuji Photo Film Co Ltd 反射型光変調アレイ素子及び露光装置
US7198873B2 (en) 2003-11-18 2007-04-03 Asml Netherlands B.V. Lithographic processing optimization based on hypersampled correlations
TW200524236A (en) 2003-12-01 2005-07-16 Nl Nanosemiconductor Gmbh Optoelectronic device incorporating an interference filter
ATE552521T1 (de) 2003-12-19 2012-04-15 Barco Nv Breitbandige reflektive anzeigevorrichtung
WO2005089098A2 (en) 2004-01-14 2005-09-29 The Regents Of The University Of California Ultra broadband mirror using subwavelength grating
TWI235345B (en) 2004-01-20 2005-07-01 Prime View Int Co Ltd A structure of an optical interference display unit
JP2005235403A (ja) 2004-02-17 2005-09-02 Hitachi Displays Ltd 有機・ｅｌ表示装置
TWI256941B (en) 2004-02-18 2006-06-21 Qualcomm Mems Technologies Inc A micro electro mechanical system display cell and method for fabricating thereof
US7119945B2 (en) 2004-03-03 2006-10-10 Idc, Llc Altering temporal response of microelectromechanical elements
TW200530669A (en) 2004-03-05 2005-09-16 Prime View Int Co Ltd Interference display plate and manufacturing method thereof
TWI261683B (en) 2004-03-10 2006-09-11 Qualcomm Mems Technologies Inc Interference reflective element and repairing method thereof
JP4581453B2 (ja) 2004-03-29 2010-11-17 ソニー株式会社 Ｍｅｍｓ素子、光学ｍｅｍｓ素子、回折型光学ｍｅｍｓ素子、並びにレーザディスプレイ
US7245285B2 (en) 2004-04-28 2007-07-17 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Pixel device
US7476327B2 (en) 2004-05-04 2009-01-13 Idc, Llc Method of manufacture for microelectromechanical devices
US7787170B2 (en) 2004-06-15 2010-08-31 Texas Instruments Incorporated Micromirror array assembly with in-array pillars
US7075700B2 (en) 2004-06-25 2006-07-11 The Boeing Company Mirror actuator position sensor systems and methods
CA2572952C (en) 2004-07-09 2012-12-04 The University Of Cincinnati Display capable electrowetting light valve
TWI233916B (en) * 2004-07-09 2005-06-11 Prime View Int Co Ltd A structure of a micro electro mechanical system
TWI270722B (en) * 2004-07-23 2007-01-11 Au Optronics Corp Dual-side display panel
KR101354520B1 (ko) * 2004-07-29 2014-01-21 퀄컴 엠이엠에스 테크놀로지스, 인크. 간섭 변조기의 미소기전 동작을 위한 시스템 및 방법
US7372348B2 (en) * 2004-08-20 2008-05-13 Palo Alto Research Center Incorporated Stressed material and shape memory material MEMS devices and methods for manufacturing
ATE397759T1 (de) 2004-09-01 2008-06-15 Barco Nv Prismenanordnung
KR100648310B1 (ko) * 2004-09-24 2006-11-23 삼성전자주식회사 영상의 휘도 정보를 이용한 색변환장치 및 이를 구비하는디스플레이 장치
US7304784B2 (en) 2004-09-27 2007-12-04 Idc, Llc Reflective display device having viewable display on both sides
US7289259B2 (en) 2004-09-27 2007-10-30 Idc, Llc Conductive bus structure for interferometric modulator array
US7936497B2 (en) 2004-09-27 2011-05-03 Qualcomm Mems Technologies, Inc. MEMS device having deformable membrane characterized by mechanical persistence
US7684104B2 (en) 2004-09-27 2010-03-23 Idc, Llc MEMS using filler material and method
US7719500B2 (en) 2004-09-27 2010-05-18 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Reflective display pixels arranged in non-rectangular arrays
US7630119B2 (en) 2004-09-27 2009-12-08 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Apparatus and method for reducing slippage between structures in an interferometric modulator
US7184202B2 (en) 2004-09-27 2007-02-27 Idc, Llc Method and system for packaging a MEMS device
US8102407B2 (en) 2004-09-27 2012-01-24 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method and device for manipulating color in a display
US7302157B2 (en) 2004-09-27 2007-11-27 Idc, Llc System and method for multi-level brightness in interferometric modulation
US7130104B2 (en) * 2004-09-27 2006-10-31 Idc, Llc Methods and devices for inhibiting tilting of a mirror in an interferometric modulator
EP1800173A1 (en) * 2004-09-27 2007-06-27 Idc, Llc Method and device for multistate interferometric light modulation
US7420725B2 (en) 2004-09-27 2008-09-02 Idc, Llc Device having a conductive light absorbing mask and method for fabricating same
US8008736B2 (en) 2004-09-27 2011-08-30 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Analog interferometric modulator device
US7944599B2 (en) 2004-09-27 2011-05-17 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Electromechanical device with optical function separated from mechanical and electrical function
US7327510B2 (en) 2004-09-27 2008-02-05 Idc, Llc Process for modifying offset voltage characteristics of an interferometric modulator
US7321456B2 (en) 2004-09-27 2008-01-22 Idc, Llc Method and device for corner interferometric modulation
US7372613B2 (en) * 2004-09-27 2008-05-13 Idc, Llc Method and device for multistate interferometric light modulation
MX2007003577A (es) * 2004-09-27 2007-05-23 Idc Llc Conmutadores mems con membranas de deformacion.
US7612932B2 (en) 2004-09-27 2009-11-03 Idc, Llc Microelectromechanical device with optical function separated from mechanical and electrical function
US7893919B2 (en) 2004-09-27 2011-02-22 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Display region architectures
US7554714B2 (en) 2004-09-27 2009-06-30 Idc, Llc Device and method for manipulation of thermal response in a modulator
US7527995B2 (en) 2004-09-27 2009-05-05 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method of making prestructure for MEMS systems
US7564612B2 (en) 2004-09-27 2009-07-21 Idc, Llc Photonic MEMS and structures
JP4384005B2 (ja) 2004-10-15 2009-12-16 株式会社東芝 表示装置
US8203402B2 (en) 2004-10-27 2012-06-19 Epcos Ag Electronic device
US20080068697A1 (en) * 2004-10-29 2008-03-20 Haluzak Charles C Micro-Displays and Their Manufacture
US20060132927A1 (en) 2004-11-30 2006-06-22 Yoon Frank C Electrowetting chromatophore
JP3806437B2 (ja) * 2005-01-20 2006-08-09 日本航空電子工業株式会社 微小可動デバイス
US7521666B2 (en) 2005-02-17 2009-04-21 Capella Microsystems Inc. Multi-cavity Fabry-Perot ambient light filter apparatus
US7675665B2 (en) 2005-02-23 2010-03-09 Pixtronix, Incorporated Methods and apparatus for actuating displays
US7405852B2 (en) 2005-02-23 2008-07-29 Pixtronix, Inc. Display apparatus and methods for manufacture thereof
US7884989B2 (en) 2005-05-27 2011-02-08 Qualcomm Mems Technologies, Inc. White interferometric modulators and methods for forming the same
US7460292B2 (en) 2005-06-03 2008-12-02 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Interferometric modulator with internal polarization and drive method
US7184195B2 (en) * 2005-06-15 2007-02-27 Miradia Inc. Method and structure reducing parasitic influences of deflection devices in an integrated spatial light modulator
JP4484778B2 (ja) * 2005-07-08 2010-06-16 富士フイルム株式会社 微小薄膜可動素子および微小薄膜可動素子アレイ並びに微小薄膜可動素子の駆動方法
US8574823B2 (en) 2005-10-05 2013-11-05 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Multi-level layer
US7760197B2 (en) 2005-10-31 2010-07-20 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Fabry-perot interferometric MEMS electromagnetic wave modulator with zero-electric field
JP2007167998A (ja) 2005-12-20 2007-07-05 Toshiba Corp 梁構造を有する装置、および半導体装置
US7417746B2 (en) 2005-12-29 2008-08-26 Xerox Corporation Fabry-perot tunable filter systems and methods
US7652814B2 (en) 2006-01-27 2010-01-26 Qualcomm Mems Technologies, Inc. MEMS device with integrated optical element
US7550810B2 (en) 2006-02-23 2009-06-23 Qualcomm Mems Technologies, Inc. MEMS device having a layer movable at asymmetric rates
JP5051123B2 (ja) 2006-03-28 2012-10-17 富士通株式会社 可動素子
US7477440B1 (en) 2006-04-06 2009-01-13 Miradia Inc. Reflective spatial light modulator having dual layer electrodes and method of fabricating same
US7417784B2 (en) * 2006-04-19 2008-08-26 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Microelectromechanical device and method utilizing a porous surface

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