KR20080108140A - 방향족 화합물의 수소화 - Google Patents

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Abstract

수소 및 방향족 화합물이 반응하는 압력 및 온도의 조건 하에서 BET 표면적이 약 40 ㎡/g 내지 180 ㎡/g이고 공극 부피가 약 0.3 cc/g 내지 약 0.8 cc/g인 전이 알루미나 지지체 상에 침착된 4 중량％ 내지 14 중량％의 Ni과 0.0 중량％ 내지 약 0.9 중량％ 이하의 Cu를 포함하는 촉매의 존재하에, 바람직하게는 방향족 화합물 및 수소화된 시클릭 화합물보다 10℉ 이상 높은 온도에서 비등하는 용매의 존재하에 방향족 화합물과 수소를 접촉시켜 수소화된 시클릭 화합물을 제조하기 위해 방향족 화합물을 수소화시키는 방법, 예컨대 시클로헥산을 제조하기 위해 벤젠을 수소화시키는 방법을 개시한다.
방향족 화합물, 수소화, 전이 알루미나 지지체, 고비점 용매, 니켈 촉매

Description

방향족 화합물의 수소화 {HYDROGENATION OF AROMATIC COMPOUNDS}
본 발명은 벤젠의 시클로헥산으로의 수소화와 같은 방향족 화합물의 수소화 방법, 및 이를 위한 0.9 중량％ 이하의 Cu로 개질된 지지 니켈 촉매에 관한 것이다.
시클로헥산은 나일론 제품의 제조를 위한 주요 전구물질이어서, 여전히 많이 요구되고 있다. 처음에, 시클로헥산은 적합한 조질 석유 정제 스트림의 직접 분별 증류로 수득되었다. 오늘날, 대부분의 시클로헥산은 벤젠의 직접 수소화로 수득된다. 통상적으로, 반응은 고정층 반응기를 사용하여 증기 또는 혼합 상으로 수행된다. 반응기 온도는 350℉ 내지 500℉로 제어된다. 보다 높은 온도는 벤젠의 전환율을 열역학적으로 한정할 수 있고, 열 분해(thermal cracking)시킬 수 있고, 부산물을 증가시킬 수 있다. 일반적으로, 수소화 반응기로부터의 방출물 스트림 중 부산물의 양은 수소화 온도 또는 벤젠의 전환율 또는 이들 둘 다에 따라 증가한다.
피터슨(Peterson)의 미국 특허 제2,373,501호에는 벤젠이 공급되는 촉매층의 상부와 실질적으로 순수한 시클로헥산이 회수되는 배출구 사이에서 온도 차이가 유지되는, 벤젠을 시클로헥산으로 수소화시키기 위한 액체 상 방법이 개시되어 있다. 온도 차이는 벤젠의 농도가 감소하여 전환되는 벤젠이 점점 감소함에 따른 배출되 는 발열 반응열의 변화에 기인한다. 구체적으로, 촉매층의 상부의 온도는 보다 낮은 촉매층의 온도보다 높다. 수소는 벤젠/시클로헥산 흐름에 대해 역류로 공급된다. 발열 반응열이 충분하지 않은 경우 온도 차이를 유지하고, 너무 많은 열이 배출되는 경우 층을 냉각시키기 위해, 온도 제어 코일이 반응기 내에 배치된다. 피터슨은 대부분의 반응이 액체 상으로 수행되나, 특히 벤젠의 농도와 전환율이 가장 높은 반응기의 상부 근처에서, 벤젠 및 시클로헥산의 일부가 기화됨을 알았다. 응축성 물질을 응축시키고 이를 반응기로 돌려보내기 위해, 환류 응축기가 제공된다. 이에 따라, 상당량의 반응열은 반응 전반에서 기화된 반응물을 응축시킴으로써 제거된다. 피터슨은 촉매층의 최상부 위에서는 액체 수준을 유지하였으나, 반응열이 제거되는 응축기로 증기가 빠져나가기 위한 공간을 두었다.
라킨 등(Larkin, et al.)의 미국 특허 제5,189,233호에는 벤젠을 시클로헥산으로 수소화시키기 위한 또다른 액체 상 방법이 개시되어 있다. 그러나, 라킨 등은 반응물을 액체 상태로 유지하기 위해 고압 (2500 psig)을 이용하였다. 또한, 라킨 등은 온도 및 원치않는 부반응을 제어하기 위해, 벤젠의 농도가 감소함에 따라 점점 더 많은 활성 촉매가 사용됨을 개시하였다.
휴이 등(Hui, et al.)의 미국 특허 제4,731,496호에는 특정 촉매 상에서 벤젠을 시클로헥산으로 수소화시키기 위한 기체 상 방법이 개시되어 있다. 상기에 기록되어 있는 촉매는 이산화티탄 및 이산화지르코늄의 혼합물에 지지된 니켈이다.
미국 특허 제6,750,374호에는 일산화탄소 및 저급 탄화수소와 같은 불순물을 약 15 몰％ 이하로 함유하는 수소와, 약 15 중량％ 내지 35 중량％의 Ni과 약 1 중 량％ 내지 15 중량％의 Cu를 함유하는 알루미나 지지 촉매를 사용하는 벤젠의 수소화 방법이 개시되어 있다. 촉매는 Mo, Zn, Co, Fe와 같은 추가의 원소를 함유할 수 있다.
<발명의 개요>
본 발명은 BET 표면적이 약 40 ㎡/g 내지 180 ㎡/g이고 공극 부피가 약 0.3 cc/g 내지 약 0.8 cc/g인 전이 알루미나 지지체 상에 침착된 4 중량％ 내지 14 중량％, 바람직하게는 9 중량％ 내지 10 중량％의 Ni과 약 0.9 중량％ 이하, 바람직하게는 약 0.2 중량％ 내지 0.4 중량％의 Cu를 포함하는 촉매의 존재하에 벤젠, 아닐린, 나프탈렌, 페놀 및 벤젠 폴리카르복실레이트와 같은 방향족 화합물을 수소화시키는 방향족 화합물의 수소화 방법, 및 이러한 방법에서 사용되는 촉매에 관한 것이다. 방향족 화합물의 수소화는 고비점 용매의 존재하에 유리하게 수행된다. 바람직한 용매는 수소화시키고자 하는 방향족 화합물 및 수소화된 시클릭 화합물의 비점보다 10℉ 이상 높은 비점을 가질 것이다. 고비점 용매를 사용하는 것의 이점은 시클로헥산의 생산성이 더 높고, 촉매적 반응 대역의 온도가 목적하는 범위로 유지되는 점이다. 고비점 용매는 니켈 촉매가 구리로 개질되었는지와 관계 없이 반응계의 생산성을 개선한다.
시클로헥산의 제조에서, 벤젠은 반응 스트림 중에 1 중량％ 내지 60 중량％, 바람직하게는 3 중량％ 내지 40 중량％의 양으로 존재한다. 수소 스트림은 순수 수소일 수 있거나, 일산화탄소를 비롯한 불순물을 5 몰％ 이하로 함유할 수 있다. 반응 스트림 중 나머지 성분은 시클로헥산, 고비점 용매 또는 시클로헥산과 고비점 용매의 혼합물일 수 있다. 고비점 용매가 사용되는 경우, 용매는 반응 스트림의 10 중량％ 내지 90 중량％, 바람직하게는 20 중량％ 내지 80 중량％일 수 있다. 고비점 용매는 방출물 재순환 스트림으로부터 회수될 수 있고, 수소화 반응기로 재순환될 수 있다. 재순환 용매 스트림 중 시클로헥산의 함량은 0.0 중량％ 내지 80 중량％, 바람직하게는 0.5 중량％ 내지 30 중량％일 수 있다.
본 발명은 BET 표면적이 약 40 ㎡/g 내지 180 ㎡/g이고 공극 부피가 약 0.3 cc/g 내지 약 0.8 cc/g인 전이 알루미나 지지체 상에 침착된 4 중량％ 내지 14 중량％의 Ni과 약 0.2 중량％ 내지 0.4 중량％의 Cu를 포함하는, 수소화된 시클릭 화합물을 제조하기 위한 방향족 화합물의 수소화에서 사용되는 구리로 개질된 니켈 촉매를 또한 포함한다.
본 발명은 다공성 지지체에 지지된, 개선된 구리로 개질된 니켈 기재 촉매의 존재하의 벤젠, 아닐린, 나프탈렌 및 페놀과 같은 방향족 화합물의 촉매적 수소화 방법에 관한 것이다. 벤젠의 수소화는 시클로헥산을 생성한다. 그러나, 촉매 반응기로부터의 수소화 생성물 스트림은 다른 목적하지 않은 부산물, 예컨대 펜탄, 시클로펜탄, 메틸 시클로펜탄, n-헥산 및 메틸 시클로헥산을 함유한다. 생성물 스트림은 통상적으로 약 200 중량ppm 이하인 미량의 벤젠을 함유한다. 10 ppm 미만의 벤젠이 고순도 시클로헥산의 제조를 위해 매우 바람직하다. 일반적으로, 수소화 반응기로부터의 방출물 스트림 중 부산물의 양은 수소화 온도 또는 벤젠의 전환율 또는 이들 둘 다에 따라 증가한다. 특히, 부산물의 양은 약 340℉보다 높은 수소화 온도에서 급속하게 증가한다. 아닐린의 수소화는 시클로헥실아민을 생성한다. 목적하지 않은 부반응은 디페닐아민, 트리페닐아민 및 다양한 보다 중질의 생성물의 형성, 및 탈아민화이다. 본 발명의 이점은 수소화 생성물 스트림의 단순 증류가 고순도의 시클로헥산 생성물을 생성할 정도로 부산물이 감소되는 점이다. 바람직하게는, 시클로헥산 생성물은 공급물 벤젠에 포함된 불순물을 제외하고 미전환된 벤젠을 포함한 불순물을 약 50 중량ppm 이하, 바람직하게는 30 중량ppm 이하로 함유한다. 수소화 반응기 방출물은 소량의 시클로헥센을 함유한다. 시클로헥센은 반응기 방출물을 재순환시키거나 작은 별도의 반응기를 사용하여 현저한 양의 부산물을 생성하지 않고 쉽게 시클로헥산으로 수소화될 수 있기 때문에, 목적하지 않은 부산물로서 간주하지 않는다. 벤젠의 수소화가 중질의 용매, 예컨대 데칼린 및 데칸의 존재하에 수행되는 경우, 본 발명은 시클로헥산의 생산성을 현저하게 개선하며, 또한 촉매적 반응 대역으로부터의 생성물 시클로헥산 스트림 중 불순물의 합계를 10 ppm 미만으로 감소시킨다. 중질의 용매를 사용하는 것의 추가의 이점은 수소의 재순환이 실질적으로 보다 적은 점이다.
수소화 반응은 임의의 물리적인 장치, 예컨대 촉매적 증류 컬럼, 고정층 반응기, 비점 반응기, 교반 탱크 반응기, 점적층(trickle bed) 반응기 또는 이들의 임의의 조합물에서 수행될 수 있다. 벤젠의 수소화 반응은 발열 반응이기 때문에, 전통적인 고정층 작업에 대한 수소화 반응은 바람직하게는 새로운 벤젠 공급물이 희석되어 반응열이 희석되도록 반응기 방출물 스트림을 재순환시킴으로써 수행된다. 촉매적 증류 반응기에 대해 반응기 방출물을 재순환시키는 것은 필수는 아니지만, 이를 선택할 수 있다.
본 발명의 촉매는 바람직하게는 감마, 카파, 델타, 세타 및 알파의 결정질 알루미나 또는 이들로부터 선택되는 2종 또는 3종을 포함하는 혼합물과 같은 전이 알루미나를 포함하는 지지체 상에 침착된 Ni과 Cu, 및 임의로는 Ag, Ru, Re, Zn, Mo 및 Pd로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 원소를 포함한다. 촉매의 바람직한 니켈 함량은 약 9 중량％ 내지 10 중량％이며, 바람직한 구리 함량은 약 0.2 중량％ 내지 0.4 중량％이다. 본 발명에서 사용되는 촉매는 다공성 지지체 상에 니켈과 구리를 침착시킴으로써 제조된다. 구리는 촉매의 활성 및 선택성을 개선하는 작용을 한다. 촉매는 제2의 임의적인 개질제로서 Ag, Ru, Re, Zn, Mo 및 Pd로부터의 1종 이상의 원소를 함유할 수 있다. 활성 금속 성분의 침착은 초기 함침(incipient impregnation), 분무 코팅 함침과 같은 임의의 기술에 의해 수행될 수 있다. 바람직한 지지체는 평균 크기가 약 0.5 mm 내지 약 3 mm, 바람직하게는 약 1 mm 내지 약 2.5 mm일 것이다.
전이 알루미나는 약 850℃ 내지 약 1200℃에서 하소시킴으로써 수득되며, 바람직하게는 약 850℃ 내지 약 1200℃에서 하소시킨 후의 물리적 특성은 BET 표면적 약 40 ㎡/g 내지 약 180 ㎡/g, 바람직하게는 50 ㎡/g 내지 120 ㎡/g, 및 공극 부피 약 0.3 cc/g 내지 약 0.8 cc/g이다. 전이 알루미나는 델타, 세타, 카파, 또는 감마, 카파, 델타, 세타 및 알파로부터의 2종 또는 3종으로 이루어진 혼합물인 결정질 알루미나이다.
본 발명의 바람직한 알루미나의 물리적인 형태는 임의의 형태, 예컨대 바람직하게는 직경이 약 1/4 인치 미만, 바람직하게는 1/8 인치 미만이고, 길이가 약 1/2 인치 미만, 바람직하게는 1/4 인치 미만 (압출물 또는 펠릿의 경우)인 구체, 압출물, 펠릿 및 과립일 수 있다.
지지체 상의 니켈의 침착은 단일의 또는 다수의 함침에 의해 수행될 수 있다. 니켈 화합물의 용액은 니켈 화합물 또는 오르가노 니켈 화합물을 유기 용매 또는 물 중에 용해시킴으로써 제조된다. 니켈 화합물의 예로는 질산니켈과 같은 니켈 염, 또는 니켈 아세테이트, 니켈 포르메이트, 니켈 아세틸아세토네이트 및 니켈 알콕사이드와 같은 유기 금속 니켈 화합물이 있다. 함침 생성물은 200℃ 내지 600℃, 바람직하게는 250℃ 내지 500℃ 범위의 온도에서 건조 및 하소된다.
벤젠의 수소화가 비점 방식으로 작동하는 고정층 반응기 또는 촉매적 증류 반응기에서 수행되는 경우, 수소화 반응열은 생성물 시클로헥산을 기화시키는데 이용된다. 기화는 수소화 반응 대역을 내적으로 냉각시킨다. 고비점 용매의 존재하에 또는 부재하에 작동되는 촉매적 증류 반응기로부터의 오버헤드 증기 스트림은 시클로헥산 및 수소를 포함한다.
대조군 실시예 1
벤젠의 수소화에 대해, 시판 28 중량％ Ni의 촉매 (1.2 mm 직경 3엽형 압출물)를 시험하였다. 상기 촉매의 알루미나 지지체의 결정 형태는 감마-알루미나였다. 상기 촉매의 물리적 특성은 BET 113 ㎡/g, 전체 질소 공극 부피 0.43 cc/g, 및 평균 공극 직경 15 nm였다. 촉매 50 g을 세로로 탑재된 상향류(up-flow) 스테 인리스강 고정층 반응기 (직경 1 인치×길이 20 인치)에 적재하였다. 반응기 온도를 제어하기 위해, 촉매 대역의 각각의 말단부에 2개의 열전대를 설치하였다. 촉매는 제조자에 의해 활성화 및 부동화된 형태로 공급되고, 수소 기체 흐름에서의 482℉에서의 재활성화가 권장된 것이었다. 촉매를 질소 중 수소 기체 33 부피％의 300 cc/분의 기체 흐름으로 250℉에서 1.5시간 동안, 그리고 이어서 순수 수소 기체의 350 cc/분의 흐름으로 575℉에서 5시간 동안 재활성화시켰다. 벤젠을 다양한 조건 하에서 수소화시켰다. 결과를 하기 표 1에 나타내었다.
Figure 112008073861984-PCT00001
실시예 2
구체형 감마-알루미나 (직경 1.68 mm) 지지체를 1100℃에서 3시간 동안 하소시켰다. 하소 전의 알루미나 구체는 BET 표면적이 145 ㎡/g이고, 전체 질소 공극 부피가 0.925 cc/g이고, 평균 공극 직경이 21.6 nm였다. 하소 후의 알루미나 구체는 직경이 1.45 mm로 변하였으며, BET가 56 ㎡/g이고, 전체 질소 공극 부피가 0.701 cc/g이고, 평균 공극 직경이 36.2 nm였다. 이의 x-선 회절은 대부분이 세타-알루미나이며 소량의 델타-알루미나를 나타내었다.
Ni(NO3)2·2.5H2O 86.5 g을 물 25.95 g 중에 용해시켜, 질산니켈와 질산구리의 혼합 용액을 제조하였다. 하소된 알루미나 300 g을 회전 함침기에 넣었다. 액체 분무기를 사용하여, 혼합 용액을 회전 함침기 내의 구르는 알루미나 구체 상에 약 15분 동안 분무하였다. 고온 공기를 불어넣어 회전 함침기 내의 함유물을 약 200℃에서 건조시켰다. 건조된 생성물을 350℃에서 2시간 동안 하소시켰다.
Ni(NO3)2·6H2O 65 g과 Cu(NO3)2·2.5H2O 1.8 g을 물 19.5 g 중에 용해시켜, 제2의 혼합 용액을 제조하였다. 제1 함침 생성물에 대해, 제1 함침과 유사한 방식으로 제2 함침을 수행하였다. 건조된 함침 생성물을 380℃에서 2시간 동안 하소시켰다.
사용된 물질의 양을 기준으로, 최종 촉매는 9.22 중량％의 Ni과 0.35 중량％의 Cu를 함유할 것이다. 현미경 하의 촉매 구체의 시험은 활성 금속 성분이 구체의 외부 층에 침착되어 있음을 나타내었다. 평균 층 두께는 약 0.33 mm였다. 상기 촉매의 물리적인 특성은 BET 60 ㎡/g, 전체 질소 공극 부피 0.56 cc/g, 및 평균 공극 직경 39 nm였다. 상기 촉매 50 g을 대조군 실시예 1에서 사용된 반응기와 동일한 반응기에 적재하였다. 촉매를 질소 중 수소 기체 33 부피％의 300 cc/분의 기체 흐름으로 250℉에서 1.5시간 동안, 그리고 이어서 350 cc/분의 순수 수소 기체를 통과시켜 각각 670℉ 및 770℉에서 3시간 동안 활성화시켰다. 벤젠을 다양한 조건 하에서 수소화시켰다. 결과를 하기 표 2에 나타내었다. 표 2에 나타낸 바와 같이, 반응기로부터의 수소화 반응 생성물 스트림은 임의의 검출가능한 양의 부산물을 함유하지 않았다. 상기 촉매의 성능은 통상적인 니켈 촉매보다 우수했다.
Figure 112008073861984-PCT00002
실시예 3
미국 특허 공개 제2005-0033099-A1호에 따라 니켈 촉매를 제조하였다. 감마-알루미나 (직경이 1.3 mm인 3엽형 압출물)를 공기 중에서 약 1000℃에서 3시간 동안 하소시켰다. 감마-알루미나는 BET가 252 ㎡/g이고, 전체 질소 공극 부피가 0.571 cc/g이고, 평균 공극 직경이 8.85 nm였다. Ni(NO3)2·6H2O 183.6 g을 물 295 g 중에 용해시켜, 질산니켈의 용액을 제조하였다. 하소된 알루미나 지지체 300 g을 회전 함침기에 넣고, 이어서 질산니켈 용액을 회전 함침기 내의 텀블링하는 알루미나 압출물 상에 부었다. 15분 동안 저온 회전시킨 후, 회전 함침기 내의 함유물을 회전 건조기로 고온 공기를 불어넣어 약 200℃에서 건조시켰다. 건조된 생성물을 380℃에서 2시간 동안 하소시켰다. 상기 촉매를 제조하는데 사용된 질산니켈의 양을 기준으로, 최종 촉매는 알루미나 지지체 상에 11 중량％의 Ni를 가질 것이다. 최종 촉매의 물리적인 특성의 측정 결과, BET 표면적 133 ㎡/g, 전체 질소 공극 부피 0.622 cc/g, 및 평균 공극 직경 18.6 nm이었다.
상기 촉매 50 g을 대조군 실시예 1에서 사용된 반응기와 동일한 반응기에 적재하였다. 촉매를 실시예 2와 동일한 방식으로 활성화시켰다. 벤젠을 다양한 조건 하에서 수소화시켰다. 결과를 하기 표 3에 나타내었다. 표 3의 상기 촉매의 성능 데이터와 대조군 실시예 1의 표 1의 촉매의 성능 데이터의 비교는 상기 촉매의 성능이 실시예 2의 촉매만큼 양호하지는 않지만 통상적인 니켈 촉매보다 우수함을 나타내었다.
Figure 112008073861984-PCT00003
실시예 4
본 실시예는 중질 용매의 부재하에, 반응기 방출물을 재순환시키면서 벤젠을 수소화시키는 것을 예시하였다. 그러나, 반응기로의 공급물은 새로운 벤젠 공급물 및 시클로헥산인 반응기 방출물 스트림을 포함하였다. 본 시험은 새로운 벤젠 1 중량부와 반응기 방출물 재순환 스트림 3 중량부를 혼합함으로써 수득되는 스트림을 나타내는 혼합 공급물 스트림을 수소화시키는 것을 예시하였다.
실시예 2에서와 동일한 촉매 (50 g)를 대조군 실시예 1에서 사용된 반응기와 동일한 반응기에 적재하였다. 촉매를 실시예 2와 동일한 방식으로 활성화시켰다. 벤젠과 시클로헥산의 공급물 혼합물을 제조하였다. 공급물의 조성은 경질물 0.11 중량％, 벤젠 25.41 중량％ 및 시클로헥산 74.48 중량％였다. 벤젠을 다양한 조건 하에서 수소화시켰다. 공급물 및 생성물 스트림 중 불순물을 미량 gc 분석 방법을 사용하여 분석하였다. 결과를 하기 표 4에 나타내었다. 생성물 스트림 중 불순물은 대개 공급물 중 불순물로부터 유래한 것이었다. 본 발명에 따른 벤젠의 수소화 동안 생성되는 모두 합한 다양한 불순물의 전체 양 (표 4에 나타내었음)은 10 ppm 미만이었다. 벤젠의 전환율은 반응기 방출물 스트림 중 벤젠의 함량이 35 중량ppm 미만으로 감소될 수 있을 정도로 높아질 수 있었다. 본 실시예는 약 99.999 몰％인 시클로헥산의 선택률로 매우 높은 벤젠의 전환율 (99.99％ 초과)을 수득하는 것이 가능함을 예시하였다. 표 4의 오른쪽 두 컬럼의 두 조건에서 시클로헥산의 생산성은 촉매 kg 당 29.2 및 31.8 m/hr였다. 이는 실시예 1에 나타낸 종래 기술에 비해 우수한 촉매 성능을 예시하였다.
Figure 112008073861984-PCT00004
실시예 5
본 실시예는 벤젠의 시클로헥산으로의 전환율이 100％에 가까운 고비점 용매로서의 데칼린의 존재하의 벤젠의 수소화를 예시하였다.
실시예 2에서 제조된 촉매 50 g을 대조군 실시예 1에서 사용된 반응기와 동일한 반응기에 적재하였다. 촉매를 실시예 2와 동일한 방식으로 활성화시켰다. 공급물은 경질물 0.44 중량％, 벤젠 25.26 중량％ 및 데칼린 74.30 중량％의 혼합물이었다. 공급물 중 시클로헥산과 가까운 온도에서 비등하는 불순물의 평균 총 합계는 약 14.8 ppm이었다. 벤젠을 다양한 조건 하에서 수소화시켰다. 공급물 및 생성물 스트림 중 불순물을 일반 gc 분석 방법 및 미량 gc 분석 방법을 사용하여 분석하였다. 결과를 하기 표 5에 나타내었다. 다양한 조건 하의 생성물 중 불순물은 대개 공급물 중 불순물로부터 유래한 것이었다. 본 발명에 따른 벤젠의 수소화 동안 생성되는 모두 합한 다양한 불순물의 전체 양은 시클로헥산 100％를 기준으로 4 중량ppm 미만이었다. 수소화 반응기로의 수소의 유속을 소정의 벤젠의 공급 속도로 조정하여, 생성물 스트림 중 미량의 벤젠을 생성물 시클로헥산 중 2 ppm 미만으로 감소시킬 수 있었다.
놀랍게도, 임의의 생성물 스트림 중 미량의 시클로헥센이 발견되지 않았다. 시클로헥산의 생산성은 실시예 4의 고비점 용매의 부재하에 수소화시킨 것보다 40％ 이상 높았다.
Figure 112008073861984-PCT00005
실시예 6
본 실시예는 고비점 용매로서의 데칸의 존재하에 벤젠을 수소화시키는 것을 예시하였다. 벤젠의 전환율은 생성물 스트림 중 벤젠의 함량이 검출불가능할 정도로 높았다.
실시예 2에서 제조된 촉매 50 g을 대조군 실시예 1에서 사용된 반응기와 동일한 반응기에 적재하였다. 촉매를 실시예 2와 동일한 방식으로 활성화시켰다. 공급물은 경질물 0.10 중량％, 벤젠 30.26 중량％ 및 데칸 69.64 중량％의 혼합물이었다. 시클로헥산과 가까운 온도에서 비등하는 공급물 중 합한 불순물 (벤젠은 제외됨)의 평균 총 합계는 약 5.77 ppm이었다. 벤젠을 다양한 조건 하에서 수소화시켰다. 공급물 생성물 스트림 중 불순물을 일반 gc 분석 방법 및 미량 gc 분석 방법을 사용하여 분석하였다. 결과를 하기 표 6에 나타내었다. 다양한 조건 하의 생성물 중 불순물은 대개 공급물 중 불순물로부터 유래한 것이었다. 본 발명에 따른 벤젠의 수소화 동안 생성되는 모두 합한 다양한 불순물의 전체 양은 시클로헥산 100％를 기준으로 약 11 ppm이었다. 시클로헥산의 생산성은 실시예 4에서 고비점 용매의 존재하에 수소화시킨 경우와 동등하거나, 그보다 양호했다.
Figure 112008073861984-PCT00006

Claims (12)

  1. 수소 및 방향족 화합물이 반응하는 압력 및 온도의 조건 하에서 BET 표면적이 약 40 ㎡/g 내지 180 ㎡/g이고 공극 부피가 약 0.3 cc/g 내지 약 0.8 cc/g인 전이 알루미나 지지체 상에 침착된 4 중량％ 내지 14 중량％의 Ni과 0.0 중량％ 내지 약 0.9 중량％ 이하의 Cu를 포함하는 촉매의 존재하에 반응 스트림을 수소와 접촉시켜 수소화된 시클릭 화합물을 제조하는 것을 포함하는, 반응 스트림 중 방향족 화합물을 수소화시키는 방법.
  2. 제1항에 있어서, Cu의 함량이 약 0.2 중량％ 내지 0.4 중량％인 방법.
  3. 제2항에 있어서, 촉매의 Ni의 함량이 약 9 중량％ 내지 10 중량％인 방법.
  4. 제2항에 있어서, 촉매가 Ag, Ru, Re, Zn, Mo 및 Pd로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 개질제를 함유하는 것인 방법.
  5. 제1항에 있어서, 벤젠이 반응 스트림 중에 1 중량％ 내지 60 중량％의 양으로 존재하며, 수소화된 시클릭 화합물이 시클로헥산을 포함하는 것인 방법.
  6. 제1항에 있어서, 수소화시키고자 하는 방향족 화합물 및 수소화된 시클릭 화 합물의 비점보다 10℉ 이상 높은 비점을 갖는 용매의 존재하에 수행하는 방법.
  7. 제6항에 있어서, Cu의 함량이 약 0.2 중량％ 내지 0.4 중량％인 방법.
  8. 제7항에 있어서, 촉매의 Ni의 함량이 약 9 중량％ 내지 10 중량％인 방법.
  9. 제7항에 있어서, 촉매가 Ag, Ru, Re, Zn, Mo 및 Pd로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 개질제를 함유하는 것인 방법.
  10. 제6항에 있어서, 벤젠이 반응 스트림 중에 1 중량％ 내지 60 중량％의 양으로 존재하며, 수소화된 시클릭 화합물이 시클로헥산을 포함하는 것인 방법.
  11. 제6항에 있어서, 용매가 반응 스트림의 10 중량％ 내지 90 중량％인 방법.
  12. BET 표면적이 약 40 ㎡/g 내지 180 ㎡/g이고 공극 부피가 약 0.3 cc/g 내지 약 0.8 cc/g인 전이 알루미나 지지체 상에 침착된 4 중량％ 내지 14 중량％의 Ni과 약 0.2 중량％ 내지 0.4 중량％의 Cu를 포함하는, 수소화된 시클릭 화합물을 제조하기 위한 방향족 화합물의 수소화에서 사용되는 구리로 개질된 니켈 촉매.
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