KR20080093162A - 실리카 분말 및 그 용도 - Google Patents

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덴끼 가가꾸 고교 가부시키가이샤
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Abstract

봉지재에 고충전할 수 있고, 고성형성의 봉지재를 제공할 수 있는 실리카 분말을 제공한다. 실리카 분말은 레이저 회절·산란법에 따르는 부피 기준 빈도 입도 분포에 있어서, 적어도 1~4μm의 입도역에 극대 피크 1과 15~55μm의 입도역에 극대 피크 2를 가지고, 극대 피크 2의 최대 빈도값이 극대 피크 1의 최대 빈도값 보다 크고, 극대 피크 2에 숄더를 가지고, 15~55μm의 입자의 함유율이 1~4μm의 입자의 함유율보다도 많다.

Description

실리카 분말 및 그 용도{SILICA POWDER AND USE THEREOF}
본 발명은 실리카 분말 및 그 용도에 관한 것이다.
근래 전자기기의 소형 경량화, 고성능화의 요구에 대응하여, 반도체 패키지의 소형화, 박형화, 협피치화가 가속화되고 있다. 또 그 실장 방법도 배선 기판 등에 대한 고밀도 실장에 바람직한 표면 실장이 주류가 되고 있다. 이와 같은 상황하에서, 반도체 봉지 재료(이하, 「봉지재」라고 한다)에도 고성능화, 특히 용접(solder) 내열성, 내습성, 저열팽창성, 전기 절연성의 향상이 요구되고 있다. 이를 만족시키기 위해서는 실리카 분말을 에폭시 수지에 가급적 많이 함유시킨 봉지재를 이용하는 것이 바람직하지만, 실리카 분말의 고충전(고함유)에 의해 봉지재의 용융 점도가 상승하므로 미충전, 와이어 흐름, 칩 시프트 등의 성형 불량을 증대시킬 우려가 있다.
따라서, 이와 같은 실리카 분말의 고충전된 봉지재에 있어서, 유동성, 성형성을 손상시키지 않게 하는 기술이 여러 가지 제안되고 있다. 예를 들어, 입도 분포의 변동 계수를 10% 이하로 하여, 입도 분포를 샤프하게 하는 방법(특허문헌 1), 입경 45μm 이상에서의 구형도를 0.75~1.0으로 하여, 조분역(粗粉域)의 구형도를 보다 높게 하는 방법(특허문헌 2), 비표면적을 5 m2/g 이하로 하여, 수지 성분과의 접촉 면적을 크게 하지 않는 방법(특허문헌 3), 평균 입경 0.1~1μm 정도의 구상 미소 분말을 소량 첨가하는 방법(특허문헌 4) 등이다. 이들에 의해서 상당히 개선은 이루어졌지만, 현재의 추가적인 요구를 만족시키지 않는다. 예를 들어, 성형시에 금형의 에어 벤트부로부터 봉지재가 넘쳐 나오는 현상[버르(burr)의 발생)]이 충분히 해결되어 있지 않다.
특허문헌 l: 일본 특개평 11-124504호 공보
특허문헌 2: 일본 특개 2004-123849호 공보
특허문헌 3: 일본 특개 2001-151866호 공보
특허문헌 4: 일본 특개평 5-239321호 공보
발명이 해결하려고 하는 과제
본 발명의 목적은 실리카 분말이 고충전된 성형성이 양호한 봉지재에 있어서, 버르를 줄일 수 있는 실리카 분말과 그것을 고무 및 수지 중 적어도 한쪽에 함유시킨 조성물과 봉지재를 제공하는 것이다.
과제를 해결하기 위한 수단
본 발명은 레이저 회절·산란법에 따르는 부피 기준 빈도 입도 분포에 있어서, 적어도 1~4μm의 입도역(粒度域)과 15~55μm의 입도역과 극대 피크의 최대 빈도값을 가지는 것(각각 「극대 피크 1」, 「극대 피크 2」라고 한다), 극대 피크 2의 최대 빈도값이 극대 피크 1의 최대 빈도값보다 큰 것, 극대 피크 2에 숄더(shoulder)가 있는 것, 15~55μm인 입자 함유율이 1~4μm인 입자 함유율보다 많은 것으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 실리카 분말이다.
본 발명에서는 15~55μm인 입자 함유율이 35~55 부피%, 1~4μm인 입자 함유율이 10~30 부피%, 55μm 초과인 입자 함유율이 5 부피% 이하(0을 포함한다), 1μm 미만의 함유율이 10 부피% 이하(0을 포함한다), 잔부가 4μm를 초과 15μm 미만인 입자로 구성되어 있고, 극대 피크 1의 최대 빈도값이 1.5~3.5μm 사이에, 극대 피크 2의 최대 빈도값이 25~40μm 사이에 존재하고, 또한 극대 피크 2의 4~20μm의 입경 범위에 숄더가 존재하고 있는 것이 바람직하고, 또 30μm 이상의 입자의 평균 구형도가 0.85 이상인 것이 더욱 바람직하다.
또 본 발명은 본 발명의 실리카 분말을 고무 및 수지 중 적어도 한쪽에 함유시켜서 이루어지는 조성물이다. 또한, 본 발명은 본 발명의 조성물로 이루어진 봉지재이다.
발명의 효과
본 발명에 의하면, 실리카 분말이 고충전된 성형성이 양호한 봉지재에 있어서, 버르가 적게 되는 실리카 분말과 그것을 고무 및 수지 중 적어도 한쪽에 함유시킨 조성물과 봉지재가 제공된다.
발명을 실시하기 위한 바람직한 형태
극대 피크 1이란, 레이저 회절·산란법에 따르는 부피 기준 빈도 입도 분포에 있어서, 1~4μm 사이에 빈도가 최대값을 나타내는 입자 지름이라고 정의된다. 또 극대 피크 2란, 15~55μm 사이에서 빈도가 최대값을 나타내는 입자 지름이라고 정의된다. 또한, 빈도가 최대값을 나타내는 입자 지름이란, 0.04~500μm의 입경 범위를 100 분할해 얻어진 레이저 회절·산란법에 따르는 부피 기준 빈도 입도 분포에 있어서, 가장 높은 빈도를 나타내는 채널에서의 중앙값의 입자 지름이다. 또한, 1~4μm 사이, 또는 15~55μm 사이에 2개 이상의 극대 피크가 존재하는 경우에는 각 극대 피크의 빈도를 비교하여, 그 최대값을 나타내는 입자 지름을 가지고 빈도가 최대값을 나타내는 입자 지름이라고 한다. 레이저 회절·산란법에 따르는 부피 기준 빈도 입도 분포의 측정 기기로는 예를 들면 시라스 입도 분포 측정 장치 「시라스 1064」(시라스사제)가 있다. 이 기기를 이용하면, 극대 피크 1, 극대 피크 2는 자동 측정된다.
평균 구형도는 실체 현미경(예를 들면 니콘사제 「모델 SMZ-10형」), 주사형 전자현미경 등에서 촬영한 입자상을 화상 해석 장치(예를 들면 일본 아비오니크스사제)에 넣어 측정된다. 즉, 사진으로부터 입자의 투영 면적(A)과 주위장(周圍長)(PM)을 측정한다. 주위장(PM)에 대응하는 진원의 면적을(B)로 하면, 그 입자의 진원도는 A/B가 된다. 그러므로 시료 입자의 주위장(PM)과 동일한 주위장을 가지는 진원을 상정하면, PM=2πr, B=πr2이기 때문에, B=π×(PM/2π)2가 되어, 개개의 입자의 구형도는 구형도=A/B=A×4π/(PM)2로서 산출할 수 있다. 이와 같이 하여 얻어진 30μm 이상의 임의의 입자 200개의 구형도를 구해 그 평균값을 평균 구형도로 했다.
본 발명의 실리카 분말은 4 요건으로 구성되어 있다. 제1 요건은 적어도 극대 피크 1과 극대 피크 2를 가지고 있는 것이다. 이외에도 극대 피크가 있어도 된다. 극대 피크 2는 15~55μm 사이에 존재한다. 15~55μm인 실리카 입자 함유율은 바람직하게는 35~55 부피%, 더욱 바람직하게는 40~50 부피%인 것이 매우 적합하다. 한편, 극대 피크 1은 1~4μm 사이에 존재한다. 1~4μm의 실리카 입자 함유율은 바람직하게는 10~30 부피%, 더욱 바람직하게는 20~25 부피%인 것이 매우 적합하다.
극대 피크 2가 존재하는 15~55μm인 입자(이하, 「주립(主粒)」이라고도 말한다)는 조성물, 특히 봉지재의 핵이 되는 입자 성분이며, 주립이 15μm 미만이면 봉지재의 용융 점도가 상승하고 성형성이 저하한다. 반대로, 55μm를 초과하면 성형시에 반도체 칩을 손상하고, 또 와이어 절단, 와이어 스위프 등의 문제를 일으킬 우려가 있다. 특히 바람직한 주립은 25~40μm이며, 그 함유율이 40~50 부피%이다. 한편, 1~4μm인 입자는 주립의 틈에 비집고 들어가 입자의 충전 구조를 조밀하게 한다. 1~4μm인 입자의 사이에도 극대 피크 1이 필요하다. 입자의 조밀한 충전 구조는 실리카 분말을 조성물에 고충전시키고 또한 버르를 줄인다.
제2의 요건은 극대 피크 2의 최대 빈도값이 극대 피크 1의 것보다 큰 것, 즉, 피크의 높이가 높은 것이다. 이 요건을 만족시키지 않으면 조성물, 특히 봉지재의 점도가 상승해 유동성이 저하한다. 극대 피크 1의 최대 빈도값을 나타내는 입자 지름은 극대 피크 2의 최대 빈도값을 나타내는 입자 지름에 대해, 0.05~0.15배의 관계에 있는 것이 바람직하다. 그 중에서도, 극대 피크 2의 최대 빈도값이 나타나는 입도 범위가 25~40μm이고 극대 피크 1의 최대 빈도값이 나타나는 입도 범위는 1.5~3.5μm인 것이 더욱 바람직하다.
제3의 요건은 극대 피크 2에는 숄더가 있는 것이다. 숄더란, 극대 피크 2 내에 변곡점을 가지는 것, 즉 특정 입경의 입자 성분이 보다 많이 존재하는 것을 의미한다. 숄더의 존재에 의해서, 고무나 수지 등 충전했을 때에, 숄더를 구성하는 입자 성분이 극대 피크 2의 주립끼리의 사이를 통과할 수 있고 또한 극대 피크 1에 존재하는 입자가 숄더를 구성하는 입자 성분의 틈에 효율적으로 비집고 들어갈 수 있으므로 한층 더 고충전이 가능해진다. 극대 피크 2의 숄더는 4~20μm의 입경 범위에 있는 것이 바람직하고, 숄더를 구성하는 입자는 10~20 부피%, 특히 13~18 부피%인 것이 바람직하다. 또 숄더의 크기는 최대 빈도값으로서 1.3~1.8 부피%인 것이 바람직하다. 숄더의 확인은 상기 레이저 회절·산란법에 따르는 부피 기준 빈도 입도 분포 측정에 의해서 실시할 수 있다.
제4의 요건은 15~55μm인 입자 함유율이 1~4μm인 입자 함유율보다 많은 것이다. 이 반대이면, 15~55μm인 입자에 비집고 들어갈 수 없는 1~4μm인 입자가 많아져 조밀하게 충전하지 못하고, 조성물의 용융 점도가 상승할 우려가 높아진다.
본 발명의 실리카 분말에서는 55μm 초과인 입자 함유율이 5 부피% 이하(0을 포함한다), 1μm 미만의 함유율이 10 부피% 이하(0을 포함한다)이다. 잔부는 4μm를 초과 15μm 미만인 실리카 입자이다. 30μm 이상의 입자의 평균 구형도를 0.85 이상, 특히 0.93 이상으로 함으로써, 버르 억제 작용이 조장된다.
실리카 분말은 봉지재의 열팽창율이 반도체 칩의 그것에 가능한 한 접근하기 위해, 비정질 실리카 분말인 것이 바람직하다. 비정질 실리카 분말은 결정질 실리카 분말을 용융 처리함으로써 제조할 수 있다.
비정질 실리카의 비정질율은 분말 X선 회절 장치(예를 들면 RIGAKU사제 「모델 MiniFlex」)를 이용해 CuKα선의 2θ가 26°~27.5°인 범위에서 시료의 X선 회절 분석을 실시해, 특정 회절 피크의 강도비로부터 측정할 수 있다. 즉, 결정질 실리카는 26.7°에 주피크가 존재하지만, 비정질 실리카에서는 피크는 존재하지 않는다. 비정질 실리카와 결정질 실리카가 혼재하고 있으면, 결정질 실리카의 비율에 따른 26.7°의 피크 높이를 얻을 수 있으므로 결정질 실리카 표준 시료의 X선 강도에 대한 시료의 X선 강도의 비로부터, 결정질 실리카 혼재비(시료의 X선 회절 강도/결정질 실리카의 X선 회절 강도)를 산출해, 식, 비정질율(%)=(1-결정질 실리카 혼재비)×100에 의해서 구할 수 있다.
본 발명의 실리카 분말은 실리카 분말을 분쇄, 조립, 분급, 혼합 등의 단위 조작을 적당히 조합하고, 그러한 조건을 선택함으로써 제조할 수 있다. 간단하게는 극대 피크 2를 가지는 주립과 극대 피크 2에 있는 숄더 부분의 입자와 극대 피크 1을 가지는 1~4μm인 입자를 소정량 혼합함으로써 제조할 수 있다.
본 발명의 조성물에 대해 설명한다. 본 발명의 조성물은 본 발명의 실리카 분말을 고무 및 수지 중 적어도 한쪽에 함유시킨 것이다. 조성물 중의 실리카 분말의 함유율은 완전히 자유롭고, 예를 들면 10~99 중량%, 바람직하게는 50~95 중량%인 것이 매우 적합하다.
고무로는 예를 들면 실리콘 고무, 우레탄 고무, 아크릴 고무, 부틸 고무, 에틸렌 프로필렌 고무, 에틸렌 아세트산 비닐 공중합체 등이 사용된다. 또 수지로는 예를 들면, 에폭시 수지, 실리콘 수지, 페놀 수지, 멜라민 수지, 유레아 수지, 불포화 폴리에스테르, 불소 수지, 폴리이미드, 폴리아미드이미드, 폴리에테르이미드 등의 폴리아미드, 폴리부틸렌 테레프탈레이트, 폴리에틸렌 테레프탈레이트 등의 폴리에스테르, 폴리페닐렌술피드, 전방향족 폴리에스테르, 폴리술폰, 액정 폴리머, 폴리에테르술폰, 폴리카보네이트, 말레이미드 변성 수지, ABS 수지, AAS(아크릴로니트릴-아크릴 고무·스티렌) 수지, AES(아크릴로니트릴·에틸렌·프로필렌·디엔고무-스티렌) 수지 등이 사용된다.
봉지재로는 1 분자 중에 에폭시기를 2개 이상 가지는 에폭시 수지가 바람직하다. 구체적으로 예를 들면, 페놀 노볼락형 에폭시 수지, 오르소크레졸 노볼락형 에폭시 수지, 페놀류와 알데히드류의 노볼락 수지를 에폭시화한 것, 비스페놀 A, 비스페놀 F 및, 비스페놀 S 등의 글리시딜 에테르, 프탈산이나 다이머산 등의 다염기산과 에피클로로히드린의 반응에 의해 얻을 수 있는 글리시딜 에스테르산 에폭시 수지, 선상 지방족 에폭시 수지, 지환식 에폭시 수지, 복소환식 에폭시 수지, 알킬 변성 다관능 에폭시 수지, β-나프톨 노볼락형 에폭시 수지, 1,6-디히드록시나프탈렌형에폭시 수지, 2,7-디히드록시나프탈렌형 에폭시 수지, 비스히드록시비페닐형 에폭시 수지, 추가로 난연성을 부여하기 위해서 브롬 등의 할로겐을 도입한 에폭시 수지 등이다. 그 중에서도, 내습성이나 내용접 리플로우성의 관점으로부터, 오르소크레졸 노볼락형 에폭시 수지, 비스히드록시비페닐형 에폭시 수지, 나프탈렌 골격의 에폭시 수지 등이 최적이다.
에폭시 수지의 경화제에 대해서는 에폭시 수지와 반응해 경화시키는 것이면 특별히 한정되지 않는다. 예시하면, 노볼락형 수지, 폴리파라히드록시스티렌 수지, 비스페놀 A나 비스페놀 S 등의 비스페놀 화합물, 피로갈롤이나 플로로글루시놀 등의 3 관능 페놀류, 무수 말레산, 무수 프탈산이나 무수 피로멜리트산 등의 산무수물, 메타페닐렌디아민, 디아미노디페닐메탄, 디아미노디페닐술폰 등의 방향족 아민 등이다. 경화 반응을 촉진시키기 위해, 경화촉진제를 배합할 수 있다. 경화촉진제를 예시하면, 1,8-디아자비시클로(5,4,O) 운데센-7, 트리페닐 포스핀, 벤질 디메틸 아민, 2-메틸 이미다졸 등이다.
본 발명의 조성물은 상기 각 재료의 소정량을 가열 롤이나, 니더, 1축 또는 2축 압출기 등에 의해서 혼련한 후, 냉각, 분쇄함으로써 제조할 수 있다. 본 발명의 봉지재는 본 발명의 조성물로 이루어진 것이다. 반도체의 봉지에는 트랜스퍼 몰드, 멀티플 플런저 등의 공지의 성형법이 채용된다.
실시예 1~5 비교예 1 ~8
천연 규석의 분쇄물을 LPG와 산소의 연소에 의해 형성되는 화염 중에 공급해, 용융·구상화 처리를 실시해서, 구상 비정질 실리카 분말을 얻었다. 화염 형성 조건, 원료 입도, 원료 공급량, 분급 조건, 혼합 조건 등을 적당히 조정하고, 표 1, 표 2에 나타나는 13종의 분말을 제조했다. 입도 분포의 조정은 주로 원료 입도의 조정과 구상화 처리 후의 분체의 다단계 분류 조작에 의해서 실시했다. 또 구형도의 제어는 주로 화염 형성 조건, 원료 공급량을 조정함으로써 실시했다. 분체명 A~E가 실시예와 관련되는 실리카 분말이며, 분체명 F~M가 비교예와 관련되는 실리카 분말이다. 분체명 A~M의 비정질율은 모두 99% 이상, 분체 전체의 평균 구형도는 0.90 이상이었다. 이러한 실리카 분말의 입도 특성을 상기 방법에 따라 측정했다. 그 결과를 표 1, 표 2에 나타낸다.
봉지재의 충전재로서의 특성을 평가하기 위해, 구상 비정질 실리카 분말 A~M 90%(중량%, 이하 같음)에 대해, 4,4'-비스(2,3-에폭시프로폭시)-3,3', 5,5'-테트라 메틸 비페닐형 에폭시 수지 4.3%, 페놀 노볼락형 수지 4.4%, 트리페닐 포스핀 0.2%, γ-글리시독시프로프로필 트리메톡시실란 0.5%, 카본 블랙 0.2%, 에스테르 왁스 0.4%를 더해 헨쉘 믹서에서 드라이블렌드 한 후, 얻어진 배합물을 동방향 치합(forward engage-type) 2축 압출혼련기(스크류 지름 D=25 mm, 니딩(kneading) 디스크 길이 10 Dmm, 패들 회전수 100 rpm, 토출량 4 kg/h, 히터 온도 100~105℃)로 가열혼련했다. 토출물을 냉각 프레스기에서 냉각한 후, 분쇄해 반도체 봉지 재료를 얻었다. 얻어진 재료의 성형성과 버르 길이를 다음에 나타내는 방법에 따라서 평가했다. 그 결과를 표 1, 표 2에 나타낸다.
(1) 성형성(스파이럴 플로우)
EMMI-I-66(Epoxy Molding Material Institute; Society of Plastic Industry)에 준거한 스파이럴 플로우 측정용 금형을 부착한 트랜스퍼 성형기를 이용하여, 상기 에폭시 수지 조성물의 스파이럴 플로우값을 측정했다. 트랜스퍼 성형 조건은 금형 온도 175℃, 성형 압력 7.4 MPa, 보압시간 90초로 했다.
이 값이 클수록 고유동성이며, 성형성이 좋은 것을 가리킨다.
(2) 버르(Burr)
32 핀 LOC(Lead on Chip) 구조 TSOP(Thin Small Outline Package; 10mm×21 mm, 두께 1.0 mm, 모의 IC 칩 사이즈 9mm×18 mm, 리드 프레임 42 알로이제)의 반도체 패키지를 트랜스퍼 성형기에 의해 48개 제작해, 평균 버르 길이를 측정했다. 트랜스퍼 성형 조건은 금형 온도 175℃, 성형 압력 7.4 MPa, 보압시간 90초로 했다.
이 값이 클수록 버르 발생이 적은 것을 가리킨다.
[표 1]
실시예 1 실시예 2 실시예 3 실시예 4 실시예 5
분체명 A B C D E
극대 지름 P1(㎛) P2(㎛) 1.6 30 2,4 45 2.4 28 2.0 38 2.2 30
P1의 최대 빈도값(부피%) P2의 최대 빈도값(부피%) 1.4 3.1 1.4 2.9 1.4 3.2 2.2 2.8 2.1 2.9
1~4㎛ 입자 함유율(부피%) 15~55㎛ 입자 함유율(부피%) 4㎛ 미만~15㎛ 초과 입자 함유율(부피%) 24.8 43.9 25.5 22.1 46.3 25.7 28.9 42.1 23.1 22.6 50.2 18.1 26.8 42.2 24.3
숄더의 위치(㎛) 숄더의 최대 빈도값(부피%) 4.0~10 1.5 4.3~11 1.4 4.6~11 1.5 4.3~10 1.4 4.3~11 1.5
55㎛ 초과 입자 함유율(부피%) 2.3 2.4 2.1 1.9 1.1
1㎛ 미만 입자 함유율(부피%) 3,5 3.5 3.8 7.2 5.6
30㎛ 이상 입자의 평균 구형도(-) 0.88 0.89 0.94 0.91 0.92
스파이럴 플로우(cm) 111 113 120 115 114
버르 길이(mm) 2.4 2.4 2.1 1.7 2.4
[표 2]
비교예 1 비교예 2 비교예 3 비교예 4
분체명 F G H I
극대 지름 P1(㎛) P2(㎛) 1.8 30 2.4 45 6.0 32 2.2 14
P1의 최대 빈도값(부피%) P2의 최대 빈도값(부피%) 1.4 3.1 1.5 2.9 1.5 3.2 1.6 2.7
1~4㎛ 입자 함유율(부피%) 15~55㎛ 입자 함유율(부피%) 4㎛ 미만~15㎛ 초과 입자 함유율(부피%) 25.0 44.1 25.1 22.6 45.9 25.6 19.6 43.9 32.0 27.8 35.6 31.0
숄더의 위치(㎛) 숄더의 최대 빈도값(부피%) 없음 없음 없음 없음 7.5~17 1.5 4.0~9.0 1.5
55㎛ 초과 입자 함유율(부피%) 2.3 2.4 2.3 1.1
1㎛ 미만 입자 함유율(부피%) 3.5 3.5 2.2 4.5
30㎛ 이상 입자의 평균 구형도(-) 0.86 0.88 0.90 0.91
스파이럴 플로우(cm) 97 99 98 88
버르 길이(mm) 2.7 2.8 3.6 2.1
비교예 5 비교예 6 비교예 7 비교예 8
분체명 J K L M
극대 지름 P1(㎛) P2(㎛) 2.4 30 0.8 30 2.2 60 2.0 28
P1의 최대 빈도값(부피%) P2의 최대 빈도값(부피%) 2.3 2.2 1.4 3.2 1.6 2.5 2.3 2.3
1~4㎛ 입자 함유율(부피%) 15~55㎛ 입자 함유율(부피%) 4㎛ 미만~15㎛ 초과 입자 함유율(부피%) 29.7 35.8 29.4 22.6 46.8 19.8 29.6 36.3 19.6 35.1 33.4 25.7
숄더의 위치(㎛) 숄더의 최대 빈도값(부피%) 4.3~11 1.4 3.8~10 1.6 4.6~12 1.5 4.3~10 1.4
55㎛ 초과 입자 함유율(부피%) 2.0 2.2 13.6 1.9
1㎛ 미만 입자 함유율(부피%) 3.1 8.6 0.9 3.9
30㎛ 이상 입자의 평균 구형도(-) 0.90 0.92 0.92 0.91
스파이럴 플로우(cm) 81 95 116 74
버르 길이(mm) 2.6 2.6 5.1 2.9
실시예와 비교예의 대비로부터 명백한 바와 같이, 실시예의 실리카 분말을 배합한 조성물은 실리카 분말의 충전율이 90 중량%이어도 성형성이 양호하고, 버르 길이가 낮은 뛰어난 레벨이었다.
본 발명의 실리카 분말은 자동차, 휴대 전자기기, 가정 전자제품 등의 몰딩 화합물 등의 수지 성형 부품, 또한 접착제, 실링재, 선박용 부력재, 합성목재, 강화 시멘트 외벽재, 경량 외벽재, 봉지재 등의 충전재로서 사용된다. 또 본 발명의 조성물은 유리 직포, 유리 부직포, 그 외 유기기재에 함침 경화시켜서 이루어지는 예를 들면 프린트 기판용 프리프레그, 프리프레그의 1매 또는 복수매를 구리박 등과 함께 가열 성형된 전자 부품, 나아가 전선 피복재, 봉지재, 바니시 등의 제조에 사용된다. 또 본 발명의 봉지재는 유동성, 충전성이 뛰어나 소형, 박형, 협피치의 반도체 패키지로의 성형이 용이한 봉지재로서 사용된다.

Claims (5)

  1. 레이저 회절·산란법에 따르는 부피 기준 빈도 입도 분포에 있어서, 적어도 1~4μm의 입도역에 극대 피크 1의 최대 빈도값과 15~55μm의 입도역에 극대 피크 2의 최대 빈도값을 가지는 실리카 분말로서,
    상기 극대 피크 2의 최대 빈도값이 상기 극대 피크 1의 최대 빈도값 보다 크고,
    상기 극대 피크 2에 숄더가 있고,
    15~55μm의 입도역의 입자 함유율이 1~4μm의 입도역의 입자 함유율보다 많은 것을 특징으로 하는 실리카 분말.
  2. 청구항 1에 있어서,
    15~55μm의 입도역의 입자 함유율이 35~55 부피%, 1~4μm의 입도역의 입자 함유율이 10~30 부피%, 55μm 초과인 입자 함유율이 5 부피% 이하(0을 포함한다), 1μm 미만의 함유율이 10 부피% 이하(0을 포함한다), 잔부가 4μm 초과 15μm 미만인 입자로 구성되어 있고, 상기 극대 피크 1의 최대 빈도값이 1.5~3.5μm의 사이에, 상기 극대 피크 2의 최대 빈도값이 25~40μm 사이에 존재하고, 또한 상기 극대 피크 2의 4~20μm의 입경 범위에 숄더가 존재하고 있는 실리카 분말.
  3. 청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
    30μm 이상의 입자의 평균 구형도가 0.85 이상인 실리카 분말.
  4. 청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항 기재의 실리카 분말을 고무 및 수지 중 적어도 한쪽에 함유시켜 이루어지는 것을 특징으로 하는 조성물.
  5. 청구항 4에 기재된 조성물로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 봉지 재료.
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