KR20080091707A - 고체 전해 콘덴서 및 그 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
고체 전해 콘덴서의 고체 전해질층의 표면에는 카본층이 형성되고, 그 위에는 음극 단자에 접속된 도전체층이 더 설치되어 있다. 카본층은 카본 입자와, 제1 첨가제와 제2 첨가제 중 어느 하나를 함유한다. 제1 첨가제는, 규산과 규산염으로 이루어지는 군에서 선택된 적어도 1종으로 이루어진다. 제2 첨가제는, 방향족 술폰산포름알데히드 축합물, 방향족 술폰산포름알데히드 축합물염, 폴리스티렌술폰산, 폴리스티렌술폰산염으로 이루어지는 군에서 선택된 적어도 1종으로 이루어진다.
Description
본 발명은 각종 전자 기기에 사용되는 고체 전해 콘덴서 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
최근 디지털 기기의 발전에 수반해, 등가 직렬 저항(이하, ESR로 표기한다)이 낮고 고주파 특성이 뛰어난 콘덴서가 강하게 요망되고 있다. 이러한 요망에 따라, 전해질로서 이산화망간이나 폴리피롤, 폴리티오펜 등의 고체 전해질층을 이용하는 것이 개발되어 상품화되어 있다.
도 2는 종래의 고체 전해 콘덴서의 단면도이다. 이 고체 전해 콘덴서는, 콘덴서 소자(5)와 양극 단자(6)와 음극 단자(8)와 외장 수지(9)를 가진다. 콘덴서 소자(5)는 양극체(1)와 유전체 산화 피막층(2)과 고체 전해질층(3)과 음극층(4)으로 구성되어 있다.
양극체(1)는 알루미늄이나 탄탈 등의 밸브 작용 금속을 다공질로 소결하여 형성되어 있다. 양극 인출부(1A)는 양극체(1)로부터 돌출하도록 형성되어 있다. 유전체 산화 피막층(2)은 양극체(1)의 표면에, 양극 산화법에 의해 형성되어 있다. 고체 전해질층(3)은 폴리피롤 등의 도전성 고분자를 포함하고, 유전체 산화 피막층(2)의 표면에 형성되어 있다. 음극층(4)은, 카본층(4A)과 은 페이스트로 이루어지는 도전체층(4B)으로 구성되고, 고체 전해질층(3)의 표면에 형성되어 있다. 양극 단자(6)는 양극 인출부(1A)에 접속되고, 음극 단자(8)는 도전 접착제(7)를 통해 도전체층(4B)에 접속되어 있다. 양극 단자(6)와 음극 단자(8)는 각각 전자 회로에 접속되는 접속부(6A), 접속부(8A)를 가진다. 절연성의 외장 수지(9)는 접속부(6A), 접속부(8A)를 제외하고, 콘덴서 소자(5)와 양극 단자(6)와 음극 단자(8)를 피복하고 있다.
이상과 같은 구성의 고체 전해 콘덴서에서는, 고체 전해질층(3)의 고유 저항이 현저하게 낮다. 이 때문에, 고체 전해 콘덴서의 ESR이 낮다. 이러한 고체 전해 콘덴서는, 예를 들면 일본국 특개 2001-284182호 공보에 개시되어 있다.
그러나, 상기 종래의 고체 전해 콘덴서는, 고온 환경 하에 있는 경우, ESR이 경시적으로 변화하여 커지기 쉽다. 이 현상의 주원인은, 이하와 같이 생각된다.
고온 환경 하에서는, 도전성 고분자를 포함한 고체 전해질층(3)과 그 위에 형성된 카본층(4A)과의 박리가 발생하기 쉽다. 이 때문에 고체 전해질층(3)과 카본층(4A)의 계면의 저항이 증가한다. 또 카본층(4A)의 박리로 생긴 고체 전해질층(3)과의 간극으로부터 침입한 외부의 산소나 수분에 의해서 고체 전해질층(3) 자체의 고유 저항이 증가한다. 이 결과로, 고체 전해 콘덴서의 ESR이 경시적으로 변화하여 커지기 쉽다.
본 발명은, 고온 환경 하에서도, ESR의 경시적 변화가 작은 고체 전해 콘덴서 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
본 발명의 고체 전해 콘덴서는, 밸브 작용 금속으로 구성된 양극체와, 유전체 산화 피막층과, 고체 전해질층과, 카본층과, 도전체층과, 양극 단자와, 음극 단자를 가진다. 유전체 산화 피막층은 양극체의 표면에 형성되고, 고체 전해질층은 유전체 산화 피막층의 표면에 형성되어 있다. 카본층은 고체 전해질층의 표면에 형성되고, 도전체층은 카본층의 표면에 형성되어 있다. 양극 단자는 양극체에 접속되고, 음극 단자는 도전체층에 접속되어 있다. 카본층은 카본 입자와, 제1 첨가제와 제2 첨가제 중 어느 하나를 함유한다. 제1 첨가제는, 규산과 규산염으로 이루어지는 군에서 선택된 적어도 1종으로 이루어진다. 제2 첨가제는, 방향족 술폰산포름알데히드 축합물, 방향족 술폰산포름알데히드 축합물염, 폴리스티렌술폰산, 폴리스티렌술폰산염으로 이루어지는 군에서 선택된 적어도 1종으로 이루어진다.
본 발명의 고체 전해 콘덴서에서는, 카본층이 제1 첨가제 또는 제2 첨가제를 함유하므로, 고온 환경하에서도 고체 전해질층에의 카본층의 밀착력이 지속된다. 이 때문에, 카본층의 박리를 억제할 수 있다. 그 결과, 고체 전해질층과 카본층의 계면 저항의 증가를 막을 수 있다. 또 외부의 산소나 수분의 침입을 억제하여 고 체 전해질층 자체의 고유 저항의 증가를 막을 수 있다. 이 때문에 본 발명의 고체 전해 콘덴서에서는 ESR의 경시적 변화가 작다.
(실시의 형태 1)
도 1은 실시의 형태 1에서의 고체 전해 콘덴서의 일례인 알루미늄 전해 콘덴서의 구성을 나타내는 단면도이다. 이 고체 전해 콘덴서는 콘덴서 소자(15)와 양극 단자(16)와 음극 단자(18)와 외장 수지(19)를 가진다. 콘덴서 소자(15)는 양극체(11)와 유전체 산화 피막층(12)과 고체 전해질층(13)과 음극층(14)으로 구성되어 있다.
양극체(11)는 알루미늄 등의 밸브 작용 금속의 박으로 이루어지고, 에칭에 의해 표면이 거친면화되어 표면적이 확대된다. 또 그 단부는 양극 인출부(11A)를 겸하고 있다. 양극 인출부(11A)와 양극체(11)는, 박의 표면에 밀착하도록 설치된 절연성의 레지스터재(20)에 의해서 분리되어 있다. 유전체 산화 피막층(12)은 양극체(11)의 표면을 화성(化成) 처리함으로써 형성되어 있다.
고체 전해질층(13)은 유전체 산화 피막층(12)의 표면에 형성되어 있다. 고체 전해질층(13)은, 이산화망간층 등의 프리코트층과, 폴리피롤, 폴리티오펜, 폴리아닐린 등의 도전성 고분자층으로 구성되어 있다.
음극층(14)은 고체 전해질층(13)의 표면에 형성되고, 음극 인출부로 되어 있다. 음극층(14)은 고체 전해질층(13)의 표면에 순차 형성된 카본층(14A)과, 은이나 니켈 등의 도전성 입자를 포함하는 도전체층(14B)으로 구성되어 있다. 카본 층(14A)은 카본 입자와, 규산과 규산염으로 이루어지는 군에서 선택된 적어도 1종으로 이루어지는 제1 첨가제를 함유하고 있다. 이러한 규산염으로는, 예를 들면, 물유리(Na20·nSiO2), 규산나트륨, 규산칼륨, 규산마그네슘알루미늄 등을 들 수 있다.
이와 같이 하여 구성된 콘덴서 소자(15)의 양극 인출부(11A)에 양극 단자(16)가 접속되어 있다. 한편, 음극층(14)을 구성하는 도전체층(14B)에 음극 단자(18)가 접속되어 있다. 양극 단자(16)와 음극 단자(18)는 각각 전자 회로에 접속되는 접속부(16A), 접속부(18A)를 가진다. 에폭시 수지 등의 절연성의 외장 수지(19)는 접속부(16A), 접속부(18A)를 제외하고, 콘덴서 소자(15)와 양극 단자(16)와 음극 단자(18)를 피복하고 있다.
다음에, 이상과 같은 구조의 알루미늄 전해 콘덴서의 제조 방법을 설명한다.
우선, 에칭 처리에 의해서 표면적을 확대한 알루미늄 등의 밸브 금속으로 이루어지는 박을 일정한 폭과 길이로 절단하여 양극체(11)를 제작한다. 그리고 양극체(11)의 외표면에 절연성 테이프 형상의 레지스터재(20)를 붙인다. 이와 같이 하여, 양극체(11)와 그 단부에 설치된 양극 인출부(11A)를 분리한다.
다음에, 양극체(11)를 인산이수소암모늄 수용액 등의 용액 중에 침지하여 직류 전압을 인가하여 화성 처리를 실시한다. 이와 같이 하여 양극체(11)의 표면에 유전체 산화 피막층(12)을 형성한다.
그 후, 유전체 산화 피막층(12)을 형성한 양극체(11)를 질산망간 수용액에 침지하여 끌어올린 후, 표면에 부착된 과잉의 아세트산망간 수용액을 제거한다. 계속해서 약 300℃로 가열하여 열분해 처리를 실시하고, 유전체 산화 피막층(12) 상에 후술하는 고체 전해질층(13)의 프리코트층을 형성한다. 이 프리코트층은 이산화망간으로 이루어진다. 다음에, 이 프리코트층 상에, 전해 중합법에 의해 폴리피롤 등으로 이루어지는 도전성 고분자층을 형성한다. 이상과 같이 하여 고체 전해질층(13)을 형성한다.
한편, 서브미크론(submicron)의 카본 입자를 2∼10wt％의 비율로 물에 분산시킨다. 이 분산액에, 전술한 규산 및／또는 규산염에서 선택되는 적어도 1개의 화합물(제1 첨가물)을 혼탁시킨다. 이와 같이 하여 조제한 카본액을 고체 전해질층(13)의 표면에 도포한다. 그 후, 130℃∼215℃의 고온에서 용제 성분을 제거하고, 카본층(14A)을 형성한다. 카본액을 고체 전해질층(13)의 표면에 도포하기 위해서는, 카본액에 고체 전해질층(13) 등을 형성한 양극체(11)를 침지한다. 혹은 카본액을 보유한 롤러, 스펀지 등의 부재를, 고체 전해질층(13) 등을 형성한 양극체(11)에 접촉시킨다.
한편, 은이나 니켈 등의 도전성 입자를 에폭시 수지 등으로 분산시켜 도전성 페이스트를 조제한다. 그리고 카본층(14A) 상에, 이 도전성 페이스트를 도포, 경화시켜 도전체층(14B)을 형성한다. 이상과 같이 하여 카본층(14A)과 도전체층(14B)으로 이루어지는 음극층(14)을 형성한다. 이와 같이 하여 콘덴서 소자(15)를 제작한다.
그 후, 양극 인출부(11A)에 양극 단자(16)의 한쪽 단부를 접속한다. 또 도전 체층(14B) 상에 도전성 접착제(17)를 통해 음극 단자(18)의 한쪽 단부를 접속한다.
다음에, 양극 단자(16)와 음극 단자(18)의 각각의, 콘덴서 소자(15)에 접속하지 않은 단부가 전자 회로 기판에 접촉할 수 있도록 가공하여 접속부(16A, 18A)를 형성한다. 그리고 접속부(16A, 18A)를 노출시키도록 하여 콘덴서 소자(15) 전체를 외장 수지(19)로 피복한다. 이와 같이 하여 고체 전해 콘덴서를 제작한다.
또한, 양극체(11)는 밸브 작용 금속으로 이루어지는 박 이외에, 알루미늄이나 탄탈, 티탄 등의 밸브 작용 금속의 분말로 이루어지는 다공질 소결체로 형성해도 된다. 이 경우, 다공질 소결체에 밸브 작용 금속으로 이루어지는 도출선을 그 일부가 표출되도록 양극체(11)에 매설시켜 양극 인출부(11A)를 형성한다.
또, 고체 전해질층(13)을 형성하는 도전성 고분자는 폴리피롤에 한정되지 않는다. 복소환식 모노머로서 피롤 이외에, 티오펜, 아닐린, 푸란 또는 이들 유도체, 예를 들면 3, 4-에틸렌디옥시티오펜 등의 적어도 하나에서 선택되는 중합성 모노머를 이용해도 된다. 이들을 전해 중합, 화학 산화 중합함으로써 고체 전해질층(13)을 형성할 수 있다.
또한, 전해 중합법에서는, 중합성 모노머와 도펀트를 포함하는 용액 중에서 외부로부터 프리코트층 등을 형성한 양극체(11)에 급전함으로써, 고체 전해질층(13)을 구성하는 도전성 고분자층을 형성한다. 또 화학 산화 중합법에서는, 중합성 모노머를 포함하는 용액에 프리코트층 등을 형성한 양극체(11)를 함침한 후, 도펀트와 산화제의 혼합 용액, 혹은 도펀트와 산화제의 화합물을 포함하는 용액에 함침한다. 이와 같이 하여 고체 전해질층(13)을 구성하는 도전성 고분자층을 형성한 다.
또, 도펀트는 카르복실기, 술폰산기의 적어도 하나를 가지는 방향족 화합물을 이용한다. 도펀트에 이용하는 카르복실기를 가지는 방향족 화합물로서, 안식향산, 프탈산, 술포프탈산, 하이드록시 안식향산 등의 화합물, 혹은 그 유도체, 또는 그 나트륨염, 칼륨염, 암모늄염 등의 염 화합물로부터 선택할 수 있다. 또 도펀트에 이용하는 술폰산기를 가지는 방향족 화합물로서, 벤젠술폰산, p-톨루엔술폰산, 나프탈렌술폰산, 부틸나프탈렌술폰산, 페놀술폰산, 술포살리실산, 술포안식향산, 나프탈렌디술폰산, 벤젠디술폰산, 안트라퀴논디술폰산 등의 화합물, 그 유도체, 또는 그 나트륨염, 칼륨염, 암모늄염 등의 염화합물로부터 선택할 수 있다.
또, 산화제에는, 예를 들면 제2철염, 과황산염, 과망간산염, 과산화수소 등이 이용되고, 제2철염으로는 황산철이나, p-톨루엔술폰산, 부틸나프탈렌술폰산, 안트라퀴논술폰산 등의 도펀트의 철염을 이용할 수 있다.
또한, 다른 도전성 고분자로서 이미노-p-페닐렌 구조의 폴리아닐린 등의 가용화된 도전성 고분자를 이용해 도전성 고분자를 형성해도 된다.
또, 고체 전해질층(13)의 프리코트층으로서 형성한 이산화망간층 대신에, 도전성 고분자 등의 도전성 재료를 이용해 프리코트층을 형성해도 된다.
또, 카본층(14A)에 함유된 카본 입자는, 그래파이트, 카본블랙, 흑연 중 어느 하나를 선택하여 이용한다. 또, 카본층(14A)의 형성 프로세스에 있어서, 카본 페이스트를 이용해도 된다. 그 경우, 유기용매에 유기 바인더와 카본 입자와 규산 및／또는 규산염을 혼합하여 카본 페이스트를 조제한다. 유기용매로서 아세트산부 틸이나 알코올, 케톤 등을 이용할 수 있다. 유기 바인더로서 아크릴 수지, 폴리에스테르 수지, 에폭시 수지, 우레탄 수지, 아세트산비닐 수지 등을 이용할 수 있다. 카본 페이스트 내의 카본 입자의 함유량은 20∼90wt％로 한다. 고체 전해질층(13) 등을 형성한 양극체(11)에 이러한 카본 페이스트를 도포하고, 고온으로 경화시켜 카본층(14A)을 형성해도 된다.
또, 카본층(14A)에는, 카본 입자와, 규산 및／또는 규산염으로 이루어지는 제1 첨가제에 추가하여, 일반식 (1)로 표시되는 방향족 화합물을 포함하고 있어도 된다. 이 경우, 카본층(14A)의 형성 프로세스에서, 카본액을 이용하는 경우는, 물에 카본을 분산시킨 후, 규산 및／또는 규산염과 일반식 (1)로 표시되는 방향족 화합물을 혼탁한 카본액을 사용하면 좋다. 또한, 일반식 (1)로 표시되는 방향족 화합물을 용해시키기 위해서, 계면 활성제를 첨가해도 된다. 또, 예를 들면 메탄올, 에탄올, 이소프로필 알코올 등의 1가 알코올을 첨가할 수도 있다.
또한, 정전 용량을 조정하기 위해서, 콘덴서 소자(15)를 복수개 적층하여 병렬 접속해도 된다. 알루미늄 박을 양극체(11)로서 이용한 콘덴서 소자(15)의 경우, 적층하여 접한 각 콘덴서 소자(15)의 음극층(14) 끼리 접속한다. 그리고 양극 인출부(11A)는 통괄하여 한꺼번에 접속하도록 하면 된다.
본 실시의 형태에서는, 카본층(14A)이 카본 입자와, 규산 및／또는 규산염으 로 이루어지는 제1 첨가제를 함유한다. 이 구성에 의해, 고온 환경하에서도 고체 전해질층(13)에의 카본층(14A)의 밀착력을 지속시킬 수 있다. 이 때문에, 카본층(14A)의 박리를 억제할 수 있다. 그 결과로, 고체 전해질층(13)과 카본층(14A)의 계면 저항의 증가를 막을 수 있다. 또 외부의 산소나 수분의 침입을 억제하여 고체 전해질층(13) 자체의 고유 저항의 증가를 막을 수 있다. 이 때문에 ESR의 경시적 변화가 작은 고체 전해 콘덴서를 제작할 수 있다.
또한 카본층(14A)에 포함되는 규산 및／또는 규산염의 중량비율을, 카본 입자 1에 대해서 0.06 이상 0.9 이하의 범위로 하는 것이 바람직하다. 이에 따라 고온 환경하에서, 고체 전해질층(13)에의 카본층(14A)의 밀착력을 지속시키는 작용이 커진다.
규산 및／또는 규산염의 중량비율이, 카본 입자(1)에 대해서 0.06 미만에서는, 고온 환경하에서, 고체 전해질층(13)에의 카본층(14A)의 밀착력을 지속시키는 작용이 충분하지 않다. 한편, 0.9를 넘은 범위에서는, 카본층(14A)의 고유 저항이 커져, ESR이 증가한다.
또, 고체 전해질층(13) 상에 카본 입자와 규산 및／또는 규산염을 포함한 카본층(14A)을 형성하는 방법으로서, 상술과 같이 카본액을 고체 전해질층(13) 상에 도포, 건조시키는 방법이 바람직하다. 카본액은, 카본 입자와 규산 및／또는 규산염을 합쳐 혼탁시킨 액이다. 혼탁액 중의 카본 입자의 분산성이 높기 때문에, 고체 전해질층(13)의 표면에 치밀하고 균질한 카본층(14A)을 형성할 수 있다. 그 결과, 고체 전해질층(13)과 카본층(14A)의 밀착력을 높일 수 있다.
또한, 이 혼탁액에 암모니아 등을 첨가하여 알칼리성(pH 약 8∼11)으로 함으로써, 혼탁액 중의 카본 입자의 분산성을 더 좋게 할 수 있다. 또, 혼탁액 중의 카본 입자의 함유량을 2wt％ 이상 10wt％ 이하로 하면 카본 입자의 분산성을 좋게 할 수 있다.
또, 규산염의 하나인 규산 마그네슘 알루미늄은 콜로이드상으로 현탁하기 쉽고, 혼탁액 중의 카본 입자의 분산성을 보다 높인다. 이 때문에, 고체 전해질층(13)에 도포, 건조하여 형성되는 카본층(14A)을 치밀하고 균질하게 하고, 고체 전해질층(13)과 카본층(14A)의 밀착력을 높일 수 있다.
또, 카본층(14A)이 카본 입자와 규산 및／또는 규산염에 첨가해 일반식 (1)로 표시되는 방향족 화합물을 함유하는 것이 바람직하다. 이 구성에 의해, 고온 환경하에서의 고체 전해질층(13)에의 카본층(14A)의 밀착력을 보다 지속시킬 수 있다. 이 때문에, ESR의 경시적 변화가 더욱 작은 고체 전해 콘덴서를 제작할 수 있다.
또, 카본층(14A)에 포함되는 규산 및／또는 규산염의 중량비율을, 카본 입자 1에 대해서 0.06 이상 0.9 이하의 범위로 하고, 또한 일반식 (1)로 표시되는 방향족 화합물의 중량비율을 한정하는 것이 바람직하다. 즉, 카본 입자는 1에 대해서 0.1 이상 1.8 이하의 범위로 하는 것이 바람직하다. 일반식 (1)로 표시되는 방향족 화합물의 함유량이 0.1 미만에서는, 고온 환경하에서의 고체 전해질층(13)에의 카본층(14A)의 밀착력의 지속성에 관해, 규산 및／또는 규산염과의 상승 효과를 충분히 얻을 수 없다. 한편, 1.8을 넘은 범위에서는, 카본층(14A)의 고유 저항이 커 져, ESR이 증가한다.
또, 카본 입자와 규산 및／또는 규산염과 일반식 (1)로 표시되는 방향족 화합물을 포함한 카본층(14A)을 형성하는 방법으로서 이하의 방법이 바람직하다. 즉, 카본 입자와 규산 및／또는 규산염과 일반식 (1)로 표시되는 방향족 화합물을 혼탁시킨 액을 양극체(11)의 고체 전해질층(13) 상에 도포하고, 그 후, 건조시킨다. 이 방법에서는, 혼탁액 중의 카본 입자의 분산성이 높다. 이 때문에, 고체 전해질층(13)의 표면에 치밀하고 균질한 카본층(14A)을 형성할 수 있음과 함께, 고체 전해질층(13)과 카본층(14A)의 밀착력을 높일 수 있다.
또, 카본층(14A)에 포함되는 일반식 (1)로 표시되는 방향족 화합물은, 카테콜, 피로갈롤 중 어느 하나, 또는 그 혼합물이 바람직하다. 이들은, 고온 환경 하에서, 고체 전해질층(13)에의 카본층(14A)의 밀착력을 지속시키는 작용이 크다.
이하, 본 실시의 형태에서의 구체적인 예에 제1 첨가제로서 규산마그네슘 알루미늄을, 일반식 (1)로 표시되는 방향족 화합물로서 피로갈롤을 이용한 경우를 설명한다.
에칭 처리를 실시해 표면적을 약 125배로 확대한 알루미늄 박을 양극체(11)로서 이용한다. 그리고 양극체(11)의 표리면에 절연성의 레지스터재(20)를 붙여 양극체(11)와 양극 인출부(11A)를 분리한다. 이와 같이 하여 양극체(11)의, 양극 인출부(11A)를 제외한 부분의 유효 영역을 3.2㎜×3.9㎜로 한다.
다음에, 양극체(11)를 액온이 70℃이고, 농도가 0.3wt％인 인산이수소암모늄 수용액 중에 침지하고, 12V의 직류 전압을 20분간 인가한다. 이와 같이 하여 양극 체(11)의 표면에 유전체 산화 피막층(12)을 형성한다.
다음에, 유전체 산화 피막층(12)을 형성한 양극체(11)를, 25℃의 20wt％ 질산망간 수용액에 3초간 침지하여 끌어올린다. 그 후, 표면에 부착된 과잉의 질산망간 수용액을 에어 블로우에 의해 불어 날린다. 계속해서 1분 이내에 250℃이상까지 가열하고, 300℃에서 5분간 열 분해함으로써 유전체 산화 피막층(12) 상에 이산화망간층을 형성한다. 이 이산화망간층은 고체 전해질층(13)의 프리코트층이 된다.
그 후, 양극체(11)에 형성된 이산화망간층 상에 전해 중합법에 의해 폴리피롤막으로 이루어지는 도전성 고분자의 고체 전해질층(13)을 형성한다. 즉, 우선 중합성 모노머로서 복소환식 모노머인 피롤 모노머 0.5mo1／L과, 도펀트로서 술포살리실산 0.1mol／L를 유기 용매에 혼합한 용액을 조제한다. 이 용액 내에서, 양극체(11)의 이산화망간층 표면에 중합용 양극 전극을 근접시키고, 이 중합용 양극 전극에 대향하여 설치된 중합용 음극 전극과의 사이에 3V의 전위차가 생기도록 전압을 인가한다. 이와 같이 하여 전해 중합을 행하고, 도전성 고분자층을 형성한다. 이상과 같이 하여 고체 전해질층(13)을 형성한다.
다음에, 2wt％의 카본 입자와 0.12wt％의 규산마그네슘알루미늄을 물에 혼탁하여 암모니아를 첨가하고 pH10으로 한 카본액을 조제한다. 이 혼탁된 카본액에 고체 전해질층(13)을 형성한 양극체(11)를 침지한 후 끌어올리고, 150℃에서 건조시켜 용제를 제거한다. 이와 같이 하여 카본층(14A)을 형성한다. 이때 카본층(14A)에서, 카본 입자 1에 대해서 규산 마그네슘 알루미늄은 0.06의 중량비율로 함유되고, 카본층(14A)에 균일하게 분산되어 있다.
이어서, 카본층(14A) 상에, 은필러와 에폭시계의 바인더 수지로 이루어지는 도전성 페이스트를 도포한다. 그 후, 150∼200℃로 10~60분간 경화하여 도전체층(14B)을 형성한다. 이상과 같이 하여, 콘덴서 소자(15)가 제작된다.
다음에, 양극 인출부(11A)에 양극 단자(16)를 용접한다. 한편, 도전체층(14B)에 도전성 접착제(17)를 이용해 음극 단자(18)를 접속한다. 그리고 양극 단자(16)와 음극 단자(18)의 전자 회로에 접속되는 접속부(16A, 18A)를 각각 노출시키도록 하여 콘덴서 소자(15) 전체를 절연성의 외장 수지(19)로 피복한다. 이상과 같이 하여, 샘플(AA)의 고체 전해 콘덴서를 제작한다. 이 고체 전해 콘덴서의 치수는 7.3×4.3×2.8㎜, 정격치는 6.3WV, 22μF이다.
샘플(AB)의 고체 전해 콘덴서를 제작할 때는, 카본층(14A)을 형성하는 카본액의 조성을 바꾼다. 즉, 10wt％의 카본 입자와 0.6wt％의 규산마그네슘 알루미늄을 물에 혼탁하여 암모니아를 첨가하고 pH10으로 한 카본액을 이용해 카본층(14A)을 형성한다. 그 이외는, 샘플(AA)과 동일하게 하여 고체 전해 콘덴서를 제작한다.
샘플(AC)의 고체 전해 콘덴서를 제작할 때는, 카본층(14A)을 형성하는 카본액의 조성을 다시 바꾼다. 즉, 5wt％의 카본 입자와 0.3wt％의 규산마그네슘 알루미늄을 물에 혼탁하여 암모니아를 첨가하고 pH10으로 한 카본액을 이용해 카본층(14A)을 형성한다. 그 이외는, 샘플(AA)와 동일하게 하여 고체 전해 콘덴서를 제작한다.
또한 샘플(AB, AC)에서, 형성된 카본층(14A)에서, 카본 입자 1에 대해서 규산마그네슘알루미늄은 샘플(AA)과 동일하게 0.06의 중량비율로 함유되고, 카본층(14A)에 균일하게 분산되어 있다.
샘플(AD)의 고체 전해 콘덴서를 제작할 때는, 카본층(14A)을 형성하는 카본액의 조성을 다시 바꾼다. 즉, 5wt％의 카본 입자와 2.5wt％의 규산마그네슘알루미늄을 물에 혼탁하여 암모니아를 첨가하여 pH10으로 한 카본액을 이용해 카본층(14A)을 형성한다. 그 이외는, 샘플(AA)와 동일하게 하여 고체 전해 콘덴서를 제작한다. 이때 카본층(14A)에 있어서, 카본 입자 1에 대해서 규산마그네슘 알루미늄은 0.5의 중량비율로 함유되고, 카본층(14A)에 균일하게 분산되어 있다.
샘플(AE)의 고체 전해 콘덴서를 제작할 때는, 카본층(14A)을 형성하는 카본액의 조성을 다시 바꾼다. 즉, 5wt％의 카본 입자와 4.5wt％의 규산마그네슘 알루미늄을 물에 혼탁하여 암모니아를 첨가하고 pH10으로 하여 카본액을 이용해 카본층(14A)을 형성한다. 그 이외는, 샘플(AA)와 동일하게 하여 고체 전해 콘덴서를 제작한다. 이때 카본층(14A)에서, 카본 입자 1에 대해서 규산마그네슘 알루미늄은 0.9의 중량비율로 함유되고, 카본층(14A)에 균일하게 분산되어 있다.
샘플(AF)의 고체 전해 콘덴서를 제작할 때는, 카본층(14A)을 형성하는 카본액의 조성을 다시 바꾼다. 즉, 5wt％의 카본 입자와 0.3wt％의 규산마그네슘 알루미늄과 0.5wt％의 피로갈롤을 물에 혼탁하여 암모니아를 첨가하고 pH10으로 한 카본액을 이용해 카본층(14A)을 형성한다. 그 이외는, 샘플(AA)과 동일하게 하여 고체 전해 콘덴서를 제작한다. 이때 카본층(14A)에 있어서, 카본 입자 1에 대해서 규산마그네슘 알루미늄은 0.06, 피로갈롤은 0.1의 중량비율로 함유되어 카본층(14A)에 균일하게 분산되어 있다.
샘플(AG)의 고체 전해 콘덴서를 제작할 때, 카본층(14A)을 형성하는 카본액의 조성을 다시 바꾼다. 즉, 5wt％의 카본 입자와 0.3wt％의 규산마그네슘 알루미늄과 5wt％의 피로갈롤을 물에 혼탁하여 암모니아를 첨가하고 pH10으로 한 카본액을 이용해 카본층(14A)을 형성한다. 그 이외는, 샘플(AA)와 동일하게 하여 고체 전해 콘덴서를 제작한다. 이때 카본층(14A)에서, 카본 입자 1에 대해서 규산마그네슘 알루미늄은 0.06, 피로갈롤은 1의 중량비율로 함유되고, 카본층(14A)에 균일하게 분산되어 있다.
샘플(AH)의 고체 전해 콘덴서를 제작할 때는, 카본층(14A)을 형성하는 카본액의 조성을 다시 바꾼다. 즉, 5wt％의 카본 입자와 0.3wt％의 규산마그네슘 알루미늄과 9wt％의 피로갈롤을 물에 혼탁하여 암모니아를 첨가하고 pH10으로 한 카본액을 이용해 카본층(14A)을 형성한다. 그 이외는, 샘플(AA)와 동일하게 하여 고체 전해 콘덴서를 제작한다. 이때 카본층(14A)에 있어서, 카본 입자 1에 대해서 규산마그네슘 알루미늄은 0.06, 피로갈롤은 1.8의 중량비율로 함유되고, 카본층(14A)에 균일하게 분산되어 있다.
샘플(BA)의 고체 전해 콘덴서를 제작할 때는, 카본층(14A)을 형성하는 카본액의 조성을 다시 바꾼다. 즉, 5wt％의 카본 입자와 0.5wt％의 피로갈롤을 물에 혼탁하여 암모니아를 첨가하고 pH10으로 한 카본액을 이용해 카본층(14A)을 형성한다. 그 이외는, 샘플(AA)과 동일하게 하여 고체 전해 콘덴서를 제작한다. 이때 카본층(14A)에 있어서, 카본 입자 1에 대해서 피로갈롤은 0.1의 중량비율로 함유되고, 카본층(14A)에 균일하게 분산되어 있다.
샘플(BB)의 고체 전해 콘덴서를 제작할 때는, 카본층(14A)을 형성하는 카본액의 조성을 다시 바꾼다. 즉, 5wt％의 카본 입자를 물에 현탁하여 암모니아를 첨가하고 pH10으로 한 카본액을 이용해 카본층(14A)을 형성한다. 그 이외는, 샘플(AA)와 동일하게 하여 고체 전해 콘덴서를 제작한다. 이때 카본층(14A)은 규산마그네슘알루미늄, 피로갈롤을 포함하지 않는다.
이와 같이 하여 제작된 샘플(AA∼AH) 및 샘플(BA, BB)의 고체 전해 콘덴서의 정전 용량(C)과 ESR을 평가한다. 이 때, 105℃로 1000시간 방치하는 전후에 정전 용량(C)와 ESR을 측정하고, 방치 전후의 용량 변화율(△C)과 ESR 변화율(△ESR)을 산출한다. 각 샘플의 제원과 평가 결과를 표 1에 나타낸다.
또한, 측정은 온도 25~30℃로 행하고, 정전 용량은 120Hz, ESR은 100kHz로 측정한다. 표 1은 30개의 평균치를 나타낸다.
(표 1)
샘플(AA∼AE)의 고체 전해 콘덴서에서는, 카본층(14A)이 카본 입자와 규산마그네슘 알루미늄을 함유하고 있다. 이들 샘플은, 표 1에서 명백한 바와 같이, 규산마그네슘알루미늄 및 피로갈롤을 함유하지 않는 샘플(BB)에 비해 정전 용량(C) 및 ESR의 초기 특성이 뛰어나다. 또한, 105℃에서 1000시간 방치했을 때의 △C 및 △ESR이 작다.
또, 샘플(AC∼AE)의 고체 전해 콘덴서에서는, 카본층(14A)에서의, 카본 입자에 대한 규산마그네슘알루미늄의 함유 비율이 다르다. 이 함유 비율은 0.06 이상 0.9 이하의 범위에 있다. 모두 샘플(BB)보다 초기 특성이 뛰어나고, 고온 환경 하에서도 변화가 적으므로, 카본 입자에 대한 규산마그네슘알루미늄의 함유 비율을 이 범위로 하는 것이 바람직하다.
또, 샘플(BA)의 고체 전해 콘덴서에서는, 카본층(14A)이 카본 입자와 피로갈롤을 함유하고 있다. 표 1의 결과로부터, 이 구성에서도, 샘플(BB)에 비해 초기 특성이 개선되고, 고온 방치 후의 특성 변화가 작은 것을 알 수 있다.
한편, 샘플(AF∼AH)의 고체 전해 콘덴서에서는, 카본층(14A)이 카본 입자와 규산마그네슘알루미늄에 첨가되여 피로갈롤을 더 함유하고 있다. 이와 같이 규산마그네슘알루미늄과 피로갈롤을 함께 이용함으로써, 카본층(14A)이 보다 치밀하고 균질하게 된다. 이 때문에 고체 전해질층과 카본층의 밀착력을 높이는 작용이 상승한다. 그 결과, 규산마그네슘알루미늄과 피로갈롤을 각각 단독으로 카본 입자와 조합하는 경우보다 초기 특성이 더 개선된다. 또 고온 방치 후의 특성 변화가 작아진다.
또, 샘플(AF∼AH)의 고체 전해 콘덴서에서는, 카본층(14A)에 있어서의, 카본 입자에 대한 피로갈롤의 함유 비율이 다르다. 이 함유 비율은 0.1 이상 1.8 이하의 범위에 있다. 모두 샘플(BB)보다 초기 특성이 뛰어나고, 고온 환경 하에서도 변화가 적으므로, 카본 입자에 대한 피로갈롤의 함유 비율을 이 범위로 하는 것이 바람직하다.
또한, 이상의 예에서는 제1 첨가제로서 규산마그네슘 알루미늄을, 일반식 (1)로 표시되는 방향족 화합물로서 피로갈롤을 이용한 경우를 설명했는데, 본 발명은 이 조합에 한정되지 않는다. 제1 첨가제로서 규산, 물유리, 규산나트륨, 규산칼륨이나, 이들 혼합물을 이용하거나, 일반식 (1)로 표시되는 방향족 화합물로서 카테콜 등, 다른 화합물을 이용해도 동일한 효과를 얻을 수 있다.
(실시의 형태 2)
본 실시의 형태에 의한 고체 전해 콘덴서에서는, 카본층(14A)이 실시의 형태 1에 있어서의 제1 첨가제 대신에 제2 첨가제를 포함한다. 제2 첨가제는, 방향족 술폰산포름알데히드 축합물, 방향족 술폰산포름알데히드 축합물염, 폴리스티렌술폰산, 폴리스티렌술폰산염으로 이루어지는 군에서 선택된 적어도 1종으로 이루어진다. 그 이외의 구성은 도 1을 이용해 설명한 실시의 형태 1과 동일하므로 다른 점에 대해서만 설명한다.
제2 첨가제의 구체적인 예로는, 아릴페놀술폰산포름알데히드 축합물, 페놀술폰산포름알데히드 축합물, 안트라퀴논술폰산포름알데히드 축합물, 나프탈렌술폰산포름알데히드 축합물, 폴리스티렌술폰산, 이들의 나트륨염 등이 있다.
본 실시의 형태에 의한 고체 전해 콘덴서는, 실시의 형태 1에서의 제1 첨가제 대신에 제2 첨가제를 이용해 같은 방법으로 제조할 수 있다. 즉, 서브미크론의 카본 입자를 2∼10wt％의 비율로 물에 분산시킨다. 이 분산액에, 전술한 제2 첨가물을 혼탁시킨다. 이와 같이 하여 조제한 카본액을 유전체 산화 피막층(12), 고체 전해질층(13)을 형성한 양극체(11)의 고체 전해질층(13)의 표면에 도포한다. 그 후, 130℃~215℃의 고온으로 용제 성분을 제거하여, 카본층(14A)을 형성한다. 카본액을 고체 전해질층(13)의 표면에 도포하기 위해서는, 카본액에 고체 전해질층(13) 등을 형성한 양극체(11)를 침지한다. 혹은 카본액을 보유한 롤러, 스펀지등의 부재를, 고체 전해질층(13) 등을 형성한 양극체(11)에 접촉시킨다. 이하, 카본층(14A) 상에, 도전체층(14B)을 형성하여 콘덴서 소자(15)를 제작하고, 양극 단자(16)와 음극 단자(18)를 접속하여 외장 수지(19)로 피복함으로써 고체 전해 콘덴서를 제작한다.
또 실시의 형태 1과 동일하게, 카본층(14A)은 제2 첨가제에 추가하여 일반식 (1)로 표시되는 방향족 화합물을 포함해도 된다. 또한, 카본층(14A)의 형성 프로세스에 있어서, 일반식 (1)로 표시되는 방향족 화합물을 용해시키기 위해서, 계면 활성제를 첨가해도 된다.
본 실시의 형태에서는, 카본층(14A)이 방향족 술폰산포름알데히드 축합물, 폴리스티렌술폰산, 또는 이들 염에서 선택되는 1종 이상으로 이루어지는 제2 첨가제를 함유한다. 이 구성에 의해, 고온 환경하에서도 고체 전해질층(13)에의 카본층(14A)의 밀착력을 지속시킬 수 있다. 이 때문에, 카본층(14A)의 박리를 억제할 수 있다. 결과적으로, 고체 전해질층(13)과 카본층(14A)의 계면 저항의 증가를 막을 수 있다. 또 외부의 산소나 수분의 침입을 억제하여 고체 전해질층(13) 자체의 고유 저항의 증가를 막을 수 있다. 이 때문에 ESR의 경시적 변화가 작은 고체 전해 콘덴서를 제작할 수 있다.
또한 카본층(14A)에 포함되는 제2 첨가물의 중량비율을, 카본 입자(1)에 대해서 0.06 이상 1.25 이하의 범위로 하는 것이 바람직하다. 이에 따라 고온 환경 하에서, 고체 전해질층(13)에의 카본층(14A)의 밀착력을 지속시키는 작용이 커진다. 제2 첨가물의 중량비율이, 카본 입자 1에 대해서 0.06 미만에서는, 고온 환경 하에서, 고체 전해질층(13)에의 카본층(14A)의 밀착력을 지속시키는 작용이 충분하지 않다. 한편, 1.25를 넘은 범위에서는, 카본층(14A)의 고유 저항이 커져, ESR이 증가한다.
또, 방향족 술폰산포름알데히드 축합물 중에서는, 페놀술폰산포름알데히드 축합물이 바람직하다. 이 축합물은, 고온 환경 하에서, 고체 전해질층(13)에의 카본층(14A)의 밀착력을 지속시키는 작용이 특히 크다. 이 때문에, ESR의 경시적 변화가 매우 작은 고체 전해 콘덴서를 제작할 수 있다. 또 그 염도 같은 이유로 바람직하다.
또, 폴리스티렌술폰산 및／또는 그 염을 이용하는 경우, 그 분자량을 10000 이상 1000000 이하의 범위로 하는 것이 바람직하다. 이러한 제2 첨가제는, 고온 환경 하에서, 고체 전해질층(13)에의 카본층(14A)의 밀착력을 지속시키는 작용이 크다. 폴리스티렌술폰산이나 그 염의 분자량이, 10000 미만에서는, 고온 환경 하에서, 고체 전해질층(13)에의 카본층(14A)의 밀착력을 지속시키는 작용이 충분하지 않다. 1000000을 넘은 범위에서는, 카본층(14A)의 고유 저항이 커져, ESR이 증가한다.
또한 카본층(14A)을 고체 전해질층(13) 상에 형성하는 방법으로서 실시의 형태 1과 마찬가지로, 제2 첨가제와, 카본 입자를 포함하는 혼탁액을 고체 전해질층(13) 상에 도포한 후, 건조시키는 방법이 바람직하다. 이 방법에 의해 고체 전해질층(13)의 표면에 치밀하고 균질한 카본층(14A)을 형성할 수 있다. 그 결과, 고체 전해질층(13)과 카본층(14A)의 밀착력을 높일 수 있다. 이때의 보다 바람직한 조건은 실시의 형태 1과 같다.
또, 카본층(14A)이 카본 입자와 제2 첨가제에 추가하여 일반식 (1)로 표시되는 방향족 화합물을 함유하는 것이 바람직하다. 이 구성에 의한 효과도 실시의 형태 1과 동일하다. 이때, 카본층(14A)에 포함되는 일반식 (1)로 표시되는 방향족 화합물의 함유 비율의 바람직한 범위도 실시의 형태 1과 같다. 즉, 카본 입자는 1에 대해서 0.1 이상 1.8 이하의 범위로 하는 것이 바람직하다. 또한 일반식 (1)로 표시되는 방향족 화합물은, 카테콜, 피로갈롤 중 어느 하나가 최적인 점도 실시의 형태 1과 같다.
이와 같이 제2 첨가물과 일반식 (1)로 표시되는 방향족 화합물을 포함하는 카본층(14A)을 실시의 형태 1과 동일한 방법으로 형성하는 것이 바람직하다. 그 이유도 실시의 형태 1과 같다.
또, 제2 첨가제와 카본 입자와 일반식 (1)로 표시되는 방향족 화합물을 포함하는 혼탁액을 건조시키는 프로세스에 있어서, 제2 첨가제와 일반식 (1)로 표시되는 방향족 화합물의 융점 부근에서 건조시키는 것이 바람직하다. 이와 같이 하면, 고체 전해질층(13)과 카본층(14A)의 밀착성을 높일 수 있어 그 계면 저항을 저감시킬 수 있다.
그러나, 고체 전해질층(13)은 폴리피롤 등의 도전성 고분자로 구성되어 있다. 이 때문에, 건조 온도를 215℃보다 높게 하면 고체 전해질층(13)의 고유 저항이 증가한다. 한편, 건조 온도가 130℃보다 낮은 경우, 혼탁액 중의 수분을 다 제거할 수 없다. 이 때문에, 고체 전해질층(13)과 카본층(14A)이 충분히 밀착하지 않는다.
이 때문에, 융점이 130℃ 이상 215℃ 이하의 범위에 있는 제2 첨가물과, 동일한 융점의 일반식 (1)로 표시되는 방향족 화합물을 이용하는 것이 바람직하다. 이 구성에 의해, 고체 전해질층(13)과 카본층(14A)의 밀착성이 높아진다. 이 때문 에, 양자의 계면 저항을 저감할 수 있고 또한 고체 전해질층(13)의 고유 저항의 증가를 방지할 수 있다. 결과적으로 고체 전해 콘덴서의 ESR을 저감시킬 수 있다. 또한 융점이 130℃ 이상 215℃ 이하의 범위에 있는 일반식 (1)로 표시되는 방향족 화합물을, 실시의 형태 1에 적용해도 동일한 효과를 얻을 수 있다.
융점이 130℃ 이상 215℃ 이하인 제2 첨가제의 구체적인 예로서 이하와 같은 화합물을 들 수 있다. 방향족 술폰산포름알데히드 축합물과 그 염의 예로서, 아릴페놀술폰산포름알데히드 축합물, 페놀술폰산포름알데히드 축합물, 안트라퀴논술폰산포름알데히드 축합물, 나프탈렌술폰산포름알데히드 축합물, 이들의 나트륨염 등이 있다. 또 폴리스티렌술폰산염의 예로서 폴리스티렌술폰산나트륨 등이 있다. 일반식 (1)로 표시되는 방향족 화합물의 예로서 카테콜, 피로갈롤 등이 있다.
이하, 본 실시의 형태에 있어서의 구체적인 예에서 제2 첨가제로서 다양한 화합물을, 일반식 (1)로 표시되는 방향족 화합물로서 피로갈롤을 이용한 경우를 설명한다. 이하의 설명에서는, 구체적으로 고체 전해 콘덴서를 제작하여 평가한 결과를 설명하는데, 기본적인 구성은 실시의 형태 1과 동일하므로 상세한 설명을 생략하는 경우가 있다.
본 실시의 형태에서는, 표 2, 표 3에 표시되는 구성의 샘플(CA~CY, DA~DD)을 제작하여 평가한다. 즉, 샘플(CA)에서는, 실시의 형태 1의 샘플(AA)에 있어서, 제1 첨가제인 규산마그네슘알루미늄 대신에 제2 첨가물인 페놀술폰산포름알데히드 축합물을 이용하고 있다. 즉, 우선 양극체(11) 상에 유전체 산화 피막층(12)을 형성한다. 이때, 양극체(11)를 액온이 70℃이고, 또한 농도가 0.3wt％인 인산이수소암 모늄 수용액 중에 침지하여 6V의 직류 전압을 20분간 인가한다. 또한 그 위에 샘플(AA)과 동일하게 하여 고체 전해질층(13)을 형성한다. 그리고 이하의 순서에 의해 카본층(14A)을 형성한다.
우선 5wt％의 카본 입자와, 0.3wt％의 페놀술폰산포름알데히드 축합물을 물에 혼탁하여, 암모니아를 첨가하고 pH10으로 한 카본액을 조제한다. 이 카본액에 고체 전해질층(13)을 형성한 양극체(11)를 침지하고, 끌어올려 215℃로 건조시켜 용제 성분을 제거한다. 이와 같이 하여 카본층(14A)을 형성한다. 이때 카본층(14A)에 있어서, 카본 입자 1에 대해서 페놀술폰산포름알데히드 축합물은 0.06의 중량비율로 함유되고, 카본층(14A)에 균일하게 분산되어 있다.
계속해서, 샘플(AA)과 동일하게 하여, 카본층(14A) 상에 도전체층(14B)을 형성하고, 콘덴서 소자(15)가 제작된다. 양극체(11)의, 양극 인출부(11A)를 제외한 부분의 유효 영역은 3.2㎜×3.9㎜이다. 또 콘덴서 소자(15)의 정격치는 4.OWV, 47㎌이다.
샘플(CB)의 콘덴서 소자(15)를 제작할 때는, 카본층(14A)을 형성하는 카본액의 조성을 바꾼다. 즉, 5wt％의 카본 입자와, 2.5wt％의 페놀술폰산포름알데히드 축합물을 물에 혼탁하고, 암모니아를 첨가하여 pH10으로 한 카본액을 이용한다. 그 이외는, 샘플(CA)와 동일하게 하여 고체 전해 콘덴서를 제작한다. 이때 카본층(14A)에서, 카본 입자 1에 대해서 페놀술폰산포름알데히드 축합물은 0.5의 중량비율로 함유되고, 카본층(14A)에 균일하게 분산되어 있다.
샘플(CC)의 콘덴서 소자(15)를 제작할 때는, 카본층(14A)을 형성하는 카본액 의 조성을 다시 바꾼다. 즉, 5wt％의 카본 입자와, 6.25wt％의 페놀술폰산포름알데히드 축합물을 물에 혼탁하고, 암모니아를 첨가하여 pH10으로 한 카본액을 이용한다. 그 이외는, 샘플(CA)와 동일하게 하여 고체 전해 콘덴서를 제작한다. 이때 카본층(14A)에서, 카본 입자 1에 대해서 페놀술폰산포름알데히드 축합물은 1.25의 중량비율로 함유되고, 카본층(14A)에 균일하게 분산되어 있다.
샘플(CD)의 콘덴서 소자(15)를 제작할 때는, 카본층(14A)을 형성하는 카본액의 조성을 다시 바꾼다. 즉, 5wt％의 카본 입자와, 0.3wt％의 나프탈렌술폰산나트륨포름알데히드 축합물을 물에 혼탁하고, 암모니아를 첨가하여 pH10으로 한 카본액을 이용한다. 그 이외는, 샘플(CA)와 동일하게 하여 고체 전해 콘덴서를 제작한다. 이때 카본층(14A)에서, 카본 입자 1에 대해서 나프탈렌술폰산나트륨포름알데히드 축합물은 0.06의 중량비율로 함유되고, 카본층(14A)에 균일하게 분산되어 있다.
샘플(CE)의 콘덴서 소자(15)를 제작할 때는, 카본층(14A)을 형성하는 카본액의 조성을 다시 바꾼다. 즉, 5wt％의 카본 입자와, 0.3wt％의 아릴페놀술폰산포름알데히드 축합물을 물에 혼탁하고, 암모니아를 첨가하여 pH10으로 한 카본액을 이용한다. 그 이외는, 샘플(CA)와 동일하게 하여 고체 전해 콘덴서를 제작한다. 이때 카본층(14A)에서, 카본 입자 1에 대해서 아릴페놀술폰산포름알데히드 축합물은 0.06의 중량비율로 함유되고, 카본층(14A)에 균일하게 분산되어 있다.
샘플(CF)의 콘덴서 소자(15)를 제작할 때는, 카본층(14A)을 형성하는 카본액의 조성을 다시 바꾼다. 즉, 5wt％의 카본 입자와, 0.3wt％의 폴리스티렌술폰산나 트륨(분자량：10000)을 물에 혼탁하고, 암모니아를 첨가하여 pH10으로 한 카본액을 이용한다. 그 이외는, 샘플(CA)과 동일하게 하여 고체 전해 콘덴서를 제작한다. 이때 카본층(14A)에서, 카본 입자 1에 대해서 폴리스티렌술폰산나트륨은 0.06의 중량비율로 함유되고, 카본층(14A)에 균일하게 분산되어 있다.
샘플(CG)의 콘덴서 소자(15)를 제작할 때, 제2 첨가물로서 분자량이 1000000인 폴리스티렌술폰산나트륨을 이용한다. 그 이외는, 샘플(CF)와 동일하게 하여 고체 전해 콘덴서를 제작한다. 이때 카본층(14A)에서, 카본 입자 1에 대해서 폴리스티렌술폰산나트륨은 0.06의 중량비율로 함유되고, 카본층(14A)에 균일하게 분산되어 있다.
샘플(CH)의 콘덴서 소자(15)를 제작할 때는, 카본층(14A)을 형성하는 카본액의 조성을 다시 바꾼다. 즉, 5wt％의 카본 입자와, 2.5wt％의 폴리스티렌술폰산나트륨(분자량：20000)을 물에 혼탁하고, 암모니아를 첨가하여 pH10으로 한 카본액을 이용한다. 그 이외는, 샘플(CA)과 동일하게 하여 고체 전해 콘덴서를 제작한다. 이때 카본층(14A)에서, 카본 입자 1에 대해서 폴리스티렌술폰산나트륨은 0.5의 중량비율로 함유되고, 카본층(14A)에 균일하게 분산되어 있다.
샘플(CJ)의 콘덴서 소자(15)를 제작할 때는, 카본층(14A)을 형성하는 카본액의 조성을 다시 바꾼다. 즉, 5wt％의 카본 입자와, 6.25wt％의 폴리스티렌술폰산나트륨(분자량=10000)을 물에 혼탁하고, 암모니아를 첨가하여 pH10으로 한 카본액을 이용한다. 그 이외는, 샘플(CA)와 동일하게 하여 고체 전해 콘덴서를 제작한다. 이때 카본층(14A)에서, 카본 입자 1에 대해서 폴리스티렌술폰산나트륨은 1.25 의 중량비율로 함유되고, 카본층(14A)에 균일하게 분산되어 있다.
샘플(CK)의 콘덴서 소자(15)를 제작할 때는, 제2 첨가물로서 분자량이 1000000인 폴리스티렌술폰산나트륨을 이용한다. 그 이외는, 샘플(CJ)와 동일하게 하여 고체 전해 콘덴서를 제작한다. 이때 카본층(14A)에서, 카본 입자 1에 대해서 폴리스티렌술폰산나트륨은 1.25의 중량비율로 함유되고, 카본층(14A)에 균일하게 분산되어 있다.
샘플(CL)의 콘덴서 소자(15)를 제작할 때는, 카본층(14A)을 형성하는 카본액의 조성을 다시 바꾼다. 즉, 5wt％의 카본 입자와, 0.3wt％의 폴리스티렌술폰산(분자량：10000)을 물에 혼탁하고, 암모니아를 첨가하여 pH10으로 한 카본액을 이용한다. 그 이외는, 샘플(CA)와 동일하게 하여 고체 전해 콘덴서를 제작한다. 이때 카본층(14A)에서, 카본 입자 1에 대해서 폴리스티렌술폰산은 0.06의 중량비율로 함유되고, 카본층(14A)에 균일하게 분산되어 있다.
샘플(CM)의 콘덴서 소자(15)를 제작할 때는, 카본층(14A)을 형성하는 카본액의 조성을 다시 바꾼다. 즉, 5wt％의 카본 입자와, 0.3wt％의 페놀술폰산포름알데히드 축합물과, 0.5wt％의 피로갈롤을 물에 혼탁하고, 암모니아를 첨가하여 pH10으로 한 카본액을 이용한다. 그 이외는, 샘플(CA)와 동일하게 하여 고체 전해 콘덴서를 제작한다. 이때 카본층(14A)에서, 카본 입자 1에 대해서 페놀술폰산포름알데히드 축합물은 0.06, 피로갈롤은 0.1의 중량비율로 함유되고, 카본층(14A)에 균일하게 분산되어 있다.
샘플(CN)의 콘덴서 소자(15)를 제작할 때는, 카본액을 침지에 의해서 도포한 고체 전해질층(13)을 130℃로 건조시킨다. 그 이외는, 샘플(CM)와 동일하게 하여 고체 전해 콘덴서를 제작한다. 이때 카본층(14A)에서, 카본 입자 1에 대해서 페놀술폰산포름알데히드 축합물은 0.06, 피로갈롤은 0.1의 중량비율로 함유되고, 카본층(14A)에 균일하게 분산되어 있다.
샘플(CP)의 콘덴서 소자(15)를 제작할 때는, 카본층(14A)을 형성하는 카본액의 조성을 다시 바꾼다. 즉, 5wt％의 카본 입자와, 0.3wt％의 페놀술폰산포름알데히드 축합물과, 5wt％의 피로갈롤을 물에 혼탁하고, 암모니아를 첨가하여 pH10으로 한 카본액을 이용한다. 그 이외는, 샘플(CA)와 동일하게 하여 고체 전해 콘덴서를 제작한다. 이때 카본층(14A)에서, 카본 입자 1에 대해서 페놀술폰산포름알데히드 축합물은 0.06, 피로갈롤은 1의 중량비율로 함유되고, 카본층(14A)에 균일하게 분산되어 있다.
샘플(CQ)의 콘덴서 소자(15)를 제작할 때는, 카본층(14A)을 형성하는 카본액의 조성을 다시 바꾼다. 즉, 5wt％의 카본 입자와, 0.3wt％의 페놀술폰산포름알데히드 축합물과, 9wt％의 피로갈롤을 물에 혼탁하고, 암모니아를 첨가하여 pH10으로 한 카본액을 이용한다. 그 이외는, 샘플(CA)과 동일하게 하여 고체 전해 콘덴서를 제작한다. 이때 카본층(14A)에서, 카본 입자 1에 대해서 페놀술폰산포름알데히드 축합물은 0.06, 피로갈롤은 1.8의 중량비율로 함유되고, 카본층(14A)에 균일하게 분산되어 있다.
샘플(CR)의 콘덴서 소자(15)를 제작할 때는, 카본층(14A)을 형성하는 카본액의 조성을 다시 바꾼다. 즉, 5wt％의 카본 입자와, 0.3wt％의 나프탈렌술폰산나트 륨포름알데히드 축합물과, 0.5wt％의 피로갈롤을 물에 혼탁하고, 암모니아를 첨가하여 pH10으로 한 카본액을 이용한다. 그 이외는, 샘플(CA)와 동일하게 하여 고체 전해 콘덴서를 제작한다. 이때 카본층(14A)에서, 카본 입자 1에 대해서 나프탈렌술폰산나트륨포름알데히드 축합물은 0.06, 피로갈롤은 0.1의 중량비율로 함유되고, 카본층(14A)에 균일하게 분산되어 있다.
샘플(CS)의 콘덴서 소자(15)를 제작할 때는, 카본층(14A)을 형성하는 카본액의 조성을 다시 바꾼다. 즉, 5wt％의 카본 입자와, 0.3wt％의 아릴페놀술폰산포름알데히드 축합물과, 0.5wt％의 피로갈롤을 물에 혼탁하고, 암모니아를 첨가하여 pH10으로 한 카본액을 이용한다. 그 이외는, 샘플(CA)와 동일하게 하여 고체 전해 콘덴서를 제작한다. 이때 카본층(14A)에서, 카본 입자 1에 대해서 아릴페놀술폰산포름알데히드 축합물은 0.06, 피로갈롤은 0.1의 중량비율로 함유되고, 카본층(14A)에 균일하게 분산되어 있다.
샘플(CT)의 콘덴서 소자(15)를 제작할 때는, 카본층(14A)을 형성하는 카본액의 조성을 다시 바꾼다. 즉, 5wt％의 카본 입자와, 0.3wt％의 폴리스티렌술폰산나트륨(분자량：10000)과, 0.5wt％의 피로갈롤을 물에 혼탁하고, 암모니아를 첨가하여 pH10으로 한 카본액을 이용한다. 그 이외는, 샘플(CA)와 동일하게 하여 고체 전해 콘덴서를 제작한다. 이때 카본층(14A)에서, 카본 입자 1에 대해서 폴리스티렌술폰산나트륨은 0.06, 피로갈롤은 0.1의 중량비율로 함유되고, 카본층(14A)에 균일하게 분산되어 있다.
샘플(CU)의 콘덴서 소자(15)를 제작할 때는, 분자량이 1000000인 폴리스티렌 술폰산나트륨을 이용한다. 그 이외는, 샘플(CT)와 동일하게 하여 고체 전해 콘덴서를 제작한다. 이때 카본층(14A)에서, 카본 입자 1에 대해서 폴리스티렌술폰산나트륨은 0.06, 피로갈롤은 0.1의 중량비율로 함유되고, 카본층(14A)에 균일하게 분산되어 있다.
샘플(CV)의 콘덴서 소자(15)를 제작할 때는, 카본층(14A)을 형성하는 카본액의 조성을 다시 바꾼다. 즉, 5wt％의 카본 입자와, 0.3wt％의 폴리스티렌술폰산나트륨(분자량：20000)과, 5wt％의 피로갈롤을 물에 혼탁하고, 암모니아를 첨가하여 pH10으로 한 카본액을 이용한다. 그 이외는, 샘플(CA)와 동일하게 하여 고체 전해 콘덴서를 제작한다. 이때 카본층(14A)에서, 카본 입자 1에 대해서 폴리스티렌술폰산나트륨은 0.06, 피로갈롤은 1의 중량비율로 함유되고, 카본층(14A)에 균일하게 분산되어 있다.
샘플(CW)의 콘덴서 소자(15)를 제작할 때는, 카본층(14A)을 형성하는 카본액의 조성을 다시 바꾼다. 즉, 5wt％의 카본 입자와, 0.3wt％의 폴리스티렌술폰산나트륨(분자량：10000)과, 9wt％의 피로갈롤을 물에 혼탁하고, 암모니아를 첨가하여 pH10으로 한 카본액을 이용한다. 그 이외는, 샘플(CA)과 동일하게 하여 고체 전해 콘덴서를 제작한다. 이때 카본층(14A)에서, 카본 입자 1에 대해서 폴리스티렌술폰산나트륨은 0.06, 피로갈롤은 1.8의 중량비율로 함유되어, 카본층(14A)에 균일하게 분산되어 있다.
샘플(CX)의 콘덴서 소자(15)를 제작할 때는, 분자량이 1000000인 폴리스티렌술폰산나트륨을 이용한다. 그 이외는, 샘플(CW)과 동일하게 하여 고체 전해 콘덴 서를 제작한다. 이때 카본층(14A)에서, 카본 입자 1에 대해서 폴리스티렌술폰산나트륨은 0.06, 피로갈롤은 1.8의 중량비율로 함유되고, 카본층(14A)에 균일하게 분산되어 있다.
샘플(CY)의 콘덴서 소자(15)를 제작할 때는, 카본층(14A)을 형성하는 카본액의 조성을 다시 바꾼다. 즉, 5wt％의 카본 입자와, 0.3wt％의 폴리스티렌술폰산(분자량=10000)과, 0.5wt％의 피로갈롤을 물에 혼탁하고, 암모니아를 첨가하여 pH10으로 한 카본액을 이용한다. 그 이외는, 샘플(CA)과 동일하게 하여 고체 전해 콘덴서를 제작한다. 이때 카본층(14A)에서, 카본 입자 1에 대해서 폴리스티렌술폰산나트륨은 0.06, 피로갈롤은 0.1의 중량비율로 함유되고, 카본층(14A)에 균일하게 분산되어 있다.
샘플(DA)의 콘덴서 소자(15)를 제작할 때는, 카본층(14A)을 형성하는 카본액의 조성을 다시 바꾼다. 즉, 5wt％의 카본 입자와, 0.3wt％의 폴리에틸렌글리콜라우릴에테르를 물에 혼탁하고 암모니아를 첨가하여 pH10으로 한 카본액을 이용한다. 여기서 폴리에틸렌글리콜라우릴에테르는 에틸렌옥사이드 8분자의 부가반응으로 합성되는 폴리에틸렌글리콜과 라우릴알코올로 합성되는 에테르이다. 폴리에틸렌글리콜라우릴에테르는 본 발명에 있어서의 제2 첨가물은 아니다. 그 이외는, 샘플(CA)과 동일하게 하여 고체 전해 콘덴서를 제작한다. 이때 카본층(14A)에서, 카본 입자 1에 대해서 폴리에틸렌글리콜라우릴에테르는 0.06의 중량비율로 함유되고, 카본층(14A)에 균일하게 분산되어 있다.
샘플(DB)의 콘덴서 소자(15)를 제작할 때는, 카본층(14A)을 형성하는 카본액 의 조성을 다시 바꾼다. 즉, 5wt％의 카본 입자와, 0.3wt％의 분기형 도데실벤젠술폰산나트륨을 물에 혼탁하고, 암모니아를 첨가하여 pH10으로 한 카본액을 이용한다. 분기형 도데실벤젠술폰산나트륨도 본 발명에서의 제2 첨가물은 아니다. 그 이외는, 샘플(CA)와 동일하게 하여 고체 전해 콘덴서를 제작한다. 이때 카본층(14A)에서, 카본 입자 1에 대해서 분기 알킬벤젠술폰산나트륨은 0.06의 중량비율로 함유되고, 카본층(14A)에 균일하게 분산되어 있다.
샘플(DC)의 콘덴서 소자(15)를 제작할 때는, 5wt％의 카본 입자를 물에 현탁하고 암모니아를 첨가하여 pH10으로 한 카본액을 이용한다. 그 이외는, 샘플(CA)과 동일하게 하여 고체 전해 콘덴서를 제작한다.
샘플(DD)의 콘덴서 소자(15)를 제작할 때는, 5wt％의 카본 입자와, 0.5wt％의 피로갈롤을 물에 혼탁하고, 암모니아를 첨가하여 pH10으로 한 카본액을 이용한다. 그 이외는, 샘플(CA)과 동일하게 하여 콘덴서 소자(15)를 제작한다. 이때 카본층(14A)에서, 카본 입자 1에 대해서 피로갈롤은 0.1의 중량비율로 함유되고, 카본층(14A)에 균일하게 분산되어 있다.
(표 2)
(표 3)
이와 같이 하여 제작된 샘플(CA∼CY), 및 샘플(DA∼DD)의 콘덴서 소자(15)의 정전 용량(C)과 ESR을 평가한다. 이때, 125℃로 500시간 방치하는 전후에 정전 용량(C)와 ESR을 측정하고, 방치 전후의 용량 변화율(△C)과 ESR 변화율(△ESR)을 산출한다. 각 샘플의 평가 결과를 표 4에 표시한다. 측정 조건은 실시의 형태 1에서 고체 전해 콘덴서를 평가한 조건과 동일하다.
또 각 샘플의 콘덴서 소자(15)의 양극 인출부(1A)에 양극 단자(16)를 용접하고, 도전체층(14B)에 도전성 접착제를 이용해 음극 단자(18)를 접속한다. 그 후, 양극 단자(16), 음극 단자(18)의 각 접속부(16A, 18A)를 각각 노출시키도록 하여 콘덴서 소자(15)를 절연성의 외장 수지(19)로 피복한다. 이와 같이 하여 각 샘플의 고체 전해 콘덴서를 제작한다. 이 고체 전해 콘덴서의 치수는 7.3×4.3×2.8㎜, 정격치는 4.OWV, 47μF이다.
이와 같이 하여 제작한 각 샘플의 고체 전해 콘덴서를 실시의 형태 1과 동일하게 하여 평가한다. 즉, 105℃로 1000시간 방치했을 때의 용량 변화율(△C)과 ESR 변화율(△ESR)을 산출한다. 이 결과도 아울러 표 4에 표시한다.
(표 4)
샘플(CA~CL)의 콘덴서 소자(15)에서는, 카본층(14A)이 방향족 술폰산포름알데히드 축합물, 폴리스티렌술폰산, 또는 이들의 염을 함유하고 있다. 이 때문에, 표 4에서 명백한 바와 같이, 이들의 샘플에서는, 샘플(DA), 샘플(DB)에 대해서, 고온 방치했을 때의 △ESR이 작아진다. 샘플(DA)에서는 카본층(14A)이 폴리에틸렌글리콜라우릴에테르를 함유하고, 샘플(DB)에서는 분기형 도데실벤젠술폰산나트륨을 함유한다.
또, 샘플(CA∼CC)의 콘덴서 소자(15)에서는, 카본층(14A)에서, 카본 입자에 대한 페놀술폰산포름알데히드 축합물의 함유 비율이 다르다. 표 4에서 명백한 바와 같이, 카본 입자 1에 대해서 페놀술폰산포름알데히드 축합물의 함유 비율을, 0.06 이상 1.25 이하의 범위로 함으로써, △ESR을 확실히 억제할 수 있다.
샘플(CA)에는, 카본층(14A)에 함유하는 방향족 술폰산포름알데히드 축합물로서, 페놀술폰산포름알데히드 축합물을 이용한다. 한편, 샘플(CD, CE)에는, 그 외의 방향족 술폰산포름알데히드 축합물을 이용한다. 샘플(CA)는 샘플(CD, CE)와 비교하여, 특히 ESR의 변화가 적은 것을 알 수 있다.
또, 샘플(CF∼CL)의 콘덴서 소자(15)에서는, 카본층(14A)에서, 카본 입자에 대한 폴리스티렌술폰산나트륨의 분자량과 함유 비율을 변화시킨다. 표 4에서 명백한 바와 같이, 폴리스티렌술폰산나트륨의 분자량을, 10000 이상 1000000 이하의 범위로 함으로써, △ESR를 확실하게 억제할 수 있다. 또 폴리스티렌술폰산나트륨의 함유 비율을, 카본 입자 1에 대해서 0.06 이상 1.25 이하로 함으로써, △ESR을 확실하게 억제할 수 있다.
샘플(DD)의 콘덴서 소자(15)에서는, 카본층(14A)이 일반식 (1)로 표시되는 방향족 화합물인 피로갈롤을 함유하고 있다. 이 구성에서도, 샘플(DC)과 비교하여 정전 용량(C) 및 ESR의 초기 특성이 개선되고, 또한 125℃에서 500시간 방치 후의 △ESR이 저감된다.
한편, 샘플(CM∼CY)에 도시하는 콘덴서 소자(15)에서는, 카본층(14A)이 제2 첨가물과 피로갈롤을 함께 함유하고 있다. 이 때문에, 고온 환경하에서, 고체 전해질층(13)과 카본층(14A)의 밀착력을 지속하는 작용이 상승적으로 높아진다고 생 각된다. 이 결과, 카본층(14A)이 제2 첨가물만을 함유하는 샘플(CA∼CL)이나 피로갈롤만을 함유하는 샘플(DD)에 비해 △ESR이 저감된다.
또, 샘플(CM∼CY)의 콘덴서 소자(15)에서는, 카본층(14A)에서, 카본 입자에 대한 피로갈롤의 함유 비율을 변화시키고 있다. 표 4에서 명백한 것처럼, 피로갈롤의 함유 비율을, 카본 입자 1에 대해서 0.1 이상 1.8 이하의 범위로 함으로써, △ESR를 확실하게 억제할 수 있다.
또, 샘플(CM, CN)의 콘덴서 소자(15)에서는, 카본층(14A)의 형성 시에, 카본액을 도포한 고체 전해질층(13)을 건조시키는 온도를 변화시키고 있다. 이 건조 온도를, 130℃ 이상 215℃ 이하의 범위로 함으로써, △ESR를 확실하게 억제할 수 있다.
또한 이상의 설명은, 콘덴서 소자(15)의 평가 결과에 관한 것인데, 표 4에 표시하는 바와 같이 고체 전해 콘덴서의 평가 결과도 동일한 경향을 나타낸다.
또, 이상의 예에서는 제2 첨가제로서 페놀술폰산포름알데히드 축합물, 나프탈렌술폰산포름알데히드 축합물, 아릴페놀술폰산포름알데히드 축합물, 폴리스티렌술폰산나트륨을 이용한 경우를 설명한다. 그 이외의 방향족 술폰산포름알데히드 축합물, 폴리스티렌술폰산, 또는 이들의 염을 이용해도 된다. 또 일반식 (1)로 표시되는 방향족 화합물로서 피로갈롤을 이용한 경우를 설명하고 있다. 그러나, 본 발명은 이 조합에 한정되지 않는다. 실시의 형태 1과 동일하게 일반식 (1)로 표시되는 다른 방향족 화합물을 이용해도 된다.
이상과 같이, 본 발명의 고체 전해 콘덴서에서는, 카본층이 카본 입자와 제1 첨가제 또는 제2 첨가제를 함유한다. 제1 첨가제는 규산과 규산염으로 이루어지는 군에서 선택된 적어도 1종으로 이루어진다. 제2 첨가제는 방향족 술폰산포름알데히드 축합물, 방향족 술폰산포름알데히드 축합물염, 폴리스티렌술폰산, 폴리스티렌술폰산염으로 이루어지는 군에서 선택된 적어도 1종으로 이루어진다. 이 구성에 의해, 고온 환경 하에서도 고체 전해질층에의 카본층의 밀착력을 지속시키기 때문에, 카본층의 박리를 억제할 수 있다. 결과적으로, 고체 전해질층과 카본층의 계면 저항의 증가를 막을 수 있다. 또 외부의 산소의 침입을 억제하여 고체 전해질층 자체의 고유 저항의 증가를 막을 수 있다. 이 때문에, ESR의 경시적 변화가 작은 고체 전해 콘덴서를 제작할 수 있다. 이 고체 전해 콘덴서는 각종 전자 기기용으로서 유용하다.
도 1은 본 발명의 실시의 형태에서의 고체 전해 콘덴서의 단면도이다.
도 2는 종래의 고체 전해 콘덴서의 단면도이다.
Claims (17)
- 밸브 작용 금속으로 구성된 양극체와,상기 양극체의 표면에 형성된 유전체 산화 피막층과,상기 유전체 산화 피막층의 표면에 형성된 고체 전해질층과,상기 고체 전해질층의 표면에 형성되고,카본 입자와,규산과 규산염으로 이루어지는 군에서 선택된 적어도 1종으로 이루어지는 제1 첨가제와, 방향족 술폰산 포름알데히드 축합물, 방향족 술폰산 포름알데히드 축합물염, 폴리스티렌술폰산, 폴리스티렌술폰산염으로 이루어지는 군에서 선택된 적어도 1종으로 이루어지는 제2 첨가제중 어느 하나를 함유하는 카본층과,상기 카본층의 표면에 형성된 도전체층과,상기 양극체에 접속된 양극 단자와,상기 도전체층에 접속된 음극 단자를 구비한,고체 전해 콘덴서.
- 청구항 1에 있어서, 상기 카본층은 상기 제1 첨가제를 포함하고, 카본 입자 1에 대한 상기 제1 첨가제의 중량비율이 0.06 이상 0.9 이하인, 고체 전해 콘덴서.
- 청구항 1에 있어서, 상기 카본층이 상기 제1 첨가제로서 규산마그네슘 알루 미늄을 포함하는, 고체 전해 콘덴서.
- 청구항 1에 있어서, 상기 카본층이, 일반식 (1)로 표시되는 방향족 화합물을 더 함유하는, 고체 전해 콘덴서.
- 청구항 4에 있어서, 상기 방향족 화합물이, 카테콜, 피로갈롤 중 어느 하나인, 고체 전해 콘덴서.
- 청구항 4에 있어서, 상기 카본층은 상기 제1 첨가제와 상기 방향족 화합물을 포함하고, 카본 입자 1에 대한 상기 제1 첨가제의 중량비율이 0.06 이상 0.9 이하이며, 상기 방향족 화합물의 중량비율이 0.1 이상 1.8 이하인, 고체 전해 콘덴서.
- 청구항 4에 있어서, 상기 카본층은 상기 제2 첨가제와 상기 방향족 화합물을 포함하고, 카본 입자 1에 대한 상기 방향족 화합물의 중량비율이 0.1 이상 1.8 이하인, 고체 전해 콘덴서.
- 청구항 4에 있어서, 상기 방향족 화합물의 융점이, 130℃ 이상 215℃ 이하 인, 고체 전해 콘덴서.
- 청구항 1에 있어서, 상기 카본층은 상기 제2 첨가제를 포함하고, 카본 입자 1에 대한 상기 제2 첨가제의 중량비율이 0.06 이상 1.25 이하인, 고체 전해 콘덴서.
- 청구항 1에 있어서, 상기 카본층은, 상기 제2 첨가제로서, 분자량이 10000 이상 1000000 이하인 폴리스티렌술폰산과, 분자량이 10000 이상 1000000 이하인 폴리스티렌술폰산염중 적어도 어느 하나를 포함하는, 고체 전해 콘덴서.
- 청구항 1에 있어서,상기 카본층은, 상기 제2 첨가제로서, 상기 방향족 술폰산포름알데히드 축합물과 상기 방향족 술폰산포름알데히드 축합물염 중 적어도 어느 하나를 포함하고,상기 방향족 술폰산포름알데히드 축합물은, 아릴페놀술폰산포름알데히드 축합물, 페놀술폰산포름알데히드 축합물, 안트라퀴논술폰산포름알데히드 축합물, 나프탈렌술폰산포름알데히드 축합물로 이루어지는 군에서 선택된 적어도 1종이며,상기 방향족 술폰산포름알데히드 축합물염은, 아릴페놀술폰산포름알데히드 축합물염, 페놀술폰산포름알데히드 축합물염, 안트라퀴논술폰산포름알데히드 축합물염, 나프탈렌술폰산포름알데히드 축합물염으로 이루어지는 군에서 선택된 적어도 1종인,고체 전해 콘덴서.
- 청구항 1에 있어서, 상기 카본층은, 상기 제2 첨가제로서 폴리스티렌술폰산나트륨을 포함하는, 고체 전해 콘덴서.
- 청구항 1에 있어서, 상기 카본층은, 상기 제2 첨가제를 포함하고, 상기 제2 첨가제의 융점이, 130℃ 이상 215℃ 이하인, 고체 전해 콘덴서.
- 밸브 작용 금속으로 이루어지는 양극체의 표면에, 유전체 산화 피막층을 형성하는 단계와,상기 유전체 산화 피막층의 표면에, 고체 전해질층을 형성하는 단계와,상기 고체 전해질층의 표면에,카본 입자와,규산과 규산염으로 이루어지는 군에서 선택된 적어도 1종으로 이루어지는 제1 첨가제와, 방향족 술폰산포름알데히드 축합물, 방향족 술폰산포름알데히드 축합물염, 폴리스티렌술폰산, 폴리스티렌술폰산염으로 이루어지는 군에서 선택된 적어도 1종으로 이루어지는 제2 첨가제 중 어느 하나를 포함하는 카본층을 형성하는 단계와,상기 카본층의 표면에, 도전체층을 형성하는 단계와,상기 양극체에 양극 단자를 접속하는 단계와,상기 도전체층에 음극 단자를 접속하는 단계를 구비한,고체 전해 콘덴서의 제조 방법.
- 청구항 14에 있어서,상기 카본층을 형성하는 단계는,상기 카본 입자와, 상기 제1 첨가제와 상기 제2 첨가제 중 어느 하나를 혼탁시킨 혼탁액을 상기 양극체에 도포하는 단계와,상기 혼탁액을 도포한 상기 양극체를 건조시키는 단계를 포함하는,고체 전해 콘덴서의 제조 방법.
- 청구항 14에 있어서, 상기 카본층을 형성하는 단계에서, 일반식 (1)로 표시되는 방향족 화합물을 상기 카본층에 더 포함시키는, 고체 전해 콘덴서의 제조 방법.
- 청구항 16에 있어서, 상기 카본층을 형성하는 단계는,상기 카본 입자와, 상기 제1 첨가제와 상기 제2 첨가제 중 어느 하나와, 상기 방향족 화합물을 혼탁시킨 혼탁액을 상기 양극체에 도포하는 단계와,상기 혼탁액을 도포한 상기 양극체를 건조시키는 단계를 포함하는,고체 전해 콘덴서의 제조 방법.
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