KR101363339B1 - 고체 전해 콘덴서의 제조방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 고분자 조성의 용액을 제조하여 사용하고 에칭된 알루미늄판에 산화알루미늄피막이 생성된 판상의 알루미늄 소자를 사용하여 전기적 특성이 우수하고 고성능 고신뢰성의 고체 전해 콘덴서의 제조방법이 개시된다. 본 발명은 종래부터 사용했던 알루미늄전극박막을 에칭하고 화학중합법으로 산화알루미늄층을 형성한 소자에 도전성 고분자를 고체 전해질로 함침 및 코팅하여 정전용량이 높으며 ESR 및 고주파임피던스가 낮은 전해 콘덴서의 제조방법을 제공함에 그 목적이 있다.

Description

고체 전해 콘덴서의 제조방법{A method of Solid electrolytic capacitor}

본 발명은 고체 전해 콘덴서의 제조방법에 관한 것으로서, 고분자 조성의 용액을 제조하여 사용하고 에칭된 알루미늄판에 산화알루미늄피막이 생성된 판상의 알루미늄 소자를 사용하여 전기적 특성이 우수하고 고성능 고신뢰성의 고체 전해 콘덴서의 제조방법에 관한 것이다.

일반적으로 고체 전해 콘덴서는 원하는 용량에 따라 콘덴서 엘리먼트(element) 적정수를 중첩한 후 중첩된 엘리먼트들을 양극단자와 음극단자에 병렬로 접속하여, 그 주위를 수지 외장으로 몰딩함으로써 칩의 형태로 제공된다.

상기와 같은 통상적인 고체 전해 콘덴서는 양극 산화알루미늄피막이 형성되어 있는 알루미늄박판, 상기 양극산화피막상에 도포된 전해질층, 음극으로서 카본층과 은페이스트층, 그리고 양극과 음극을 분리시키는 절연층으로 구성된다.

여기서 전해질층을 형성하기 위하여는 알루미늄박판의 산화피막상에 전도성층을 미리 형성시켜야 하는데, 이러한 전도성층으로서 질산망간을 열분해하여 얻어지는 이상화망간을 형성하거나(Synth, Met, 41, 1133, 1991), 특허공고 제 1991-9477호에서와 같이 산화중화법으로 전도성 고분자층을 형성하는 기술을 사용할 수 있다. 그런데, 전자의 경우에는 열분해 과정에서 유전체 산화피막이 훼손되어 누설전류가 증가 할 수 있고, 후자의 경우에는 기계적 강도가 약하고 중합으로 형성된 전도성 고분자층의 전도도가 낮아 콘덴서의 전기적 특성이 저하되는 문제점이 있었다.

상기와 같은 문제점들을 해결하고자 등록특허 제 765838호에서는, 알루미늄에칭박 상부에 유전체층을 형성시키고, 상기 유전체층 상부를 산화제로 코팅하고, 에칭박을 가용성-전도성 고분자용액에 피롤단량체가 용해된 혼합용액에 침적시킨 후 건조시켜 화학적 산화중합방식에 의해 유전체층 상부에 폴리피롤 및 가용성-전도성 고분자층의 혼합층을 코팅하고, 상기 에칭박을 가용성-전도성 고분자 용액에 침적시켜 전기화학적 산화중합방식에 의해 혼합층 상부에 전도성 고분자층을 코팅하는 단계로 된 알루미늄 고체 전해 콘덴서의 제조방법을 개시하고 있다.

또한 공개특허 제 2008-48406호에서는, 양극처리된 막을 갖는 밸브금속을 형성하고, 화학산화중합법으로 상기 양극처리된 막에 내부 전도성 폴리머막을 형성한 다음, 폴리스티렌술폰산 등의 제1 폴리머 용액을 준비하고, 붕산 등의 물질을 비수용매에 용해하여, 상기 용해된 용매와 순수를 혼합해 첨가용액을 만들고, 상기 첨가 용액을 제1 폴리머 용액에 첨가해 제2 폴리머 용액을 만들어서, 이를 내부전도성 폴리머막에 도포하여 외부전도성 폴리머막을 형성하는 고체 전해 콘덴서의 형성 방법을 공개하고 있다.

그러나 상기 발명들은 고분자 알갱이들이 미세다공구조의 알루미늄박의 에칭피트보다 큰 경우가 많아 에칭피트 내부까지 침투하지 못하여 용량저하 및 전류손실이 증가 될 수 있는 문제점이 있다.

본 발명은 상기와 같은 종래기술의 문제점을 해결하기 위한것으로서, 본 발명의 목적은 종래부터 사용했던 알루미늄전극박막을 에칭하고 화학중합법으로 산화알루미늄층을 형성한 소자에 도전성 고분자를 고체 전해질로 함침 및 코팅하여 정전용량이 높으며 ESR 및 고주파임피던스가 낮은 전해 콘덴서의 제조방법을 제공함에 있다.

본 발명은 상기와 같은 본 발명의 목적을 달성하기 위하여;

알루미늄에칭박에 아디핀산계의 화성액을 사용하여 알루미늄판에 2~150V의 화성전압을 인가하여 산화알루미늄 유전체 피막이 생성된 알루미늄판을 만드는단계(S1); 산화제와 모노머 혼합액과 에틸알콜이나 부틸알콜로 이루어지는 용액에 알루미늄판을 함침시켜 전극형성을 위한 제1 전도층을 만드는 단계(S2); 통상의 도판트, 피롤 등을 이용해 전기 중합하여 전해질인 고전도성 고분자를 형성하는 단계(S3);

중합된 소자에 탄소(C) 및 은(Ag) 페이스트 전극을 도포하여 건조하고 양극과 음극을 인출한 후 에폭시 수지로 사출성형하는 단계(S4)를 포함하는 고체전해 콘덴서의 제조방법을 제공한다.

상기에서 단계(S1), (S3) 및 (S4)단계는 통상의 방법으로 행한다.

본 발명은 상기 단계(S2)에서의 제1 전도층을 형성하기 위한 전해질 및 함침 조건 등에 특징이 있다.

상기에서, 상기 단계(S2)에서의 산화제는 파라톨루엔 술폰산 제3 철염을, 모노머로는 3, 4-에틸렌 디엑토시 티오펜을 사용함이 바람직하고, 에틸알콜이나 부틸알콜은 용매로서 사용된다.

상기 산화제와 모노머는 중량으로 모노머 4.7~10%, 산화제 35~43.7% 그리고 나머지는 용매를 사용하면 된다.

상기에서 모노머의 함량이 4.7중량% 이하로 낮게 되면 중합량이 부족하게 되고, 10중량% 이상이 되면 중합도가 떨어지게 되어 상기와 같이 정하며, 산화제가 35중량% 이하가 되면 중합상태가 미비하게 되고 43.7중량% 이상이 되면 잉여산화제가 존재하여 문제가 될 수 있기 때문이다. 또한 상기에서 전해질 용액에 알루미늄판을 함침 시키는데, 함침시간은 약 8~15분으로 하고, 온도는 -25~30℃로 함이 바람직한데, 함침시간이 너무 짧으면 전해질 용액이 알루미늄판에 제대로 함침되지 않고, 너무 길으면 더 이상의 효과가 없기 때문이고, 함침 온도가 -25℃이하이면 점도가 크게 되고 30℃를 넘게 되면 겔화가 이루어져 부적절하기 때문이다. 함침 후에는 25~60℃에서 10~20분간 건조시키는데 너무 낮은 온도에서는 용매가 완전히 휘발되지 않고 60℃를 넘게 되면 빠른 휘발로 고분자 형성이 불안정하기 때문이며, 상기 온도 범위에서는 상기 시간에서 완전 휘발이 이루어진다. 바람직하게는 건조시간은 15분이다. 이후 150℃에서 10분간 중합시킨다. 이 온도 및 시간은 고분자 형성의 최적조건이 된다.

본 발명에 의하면, 본 발명의 방법에 따라 제조되는 고체 전해 콘덴서는 종래 기술에 따른 고체 전해 콘덴서에 비해 함침이 용이하고 함침율이 높으며, 산화알루미늄 피막상에 균일한 고체 전해질이 코팅될 수 있어서 누설 전류 특성이 우수하고 정전용량이 매우 크게 된다. 또한 상압하에서 전도성 고분자 용액에 산화알루미늄 기판상의 콘덴서 소자를 단순히 함침하여도 높은 함침율을 갖게 되어 공정이 단순하고 공정조건 또한 매우 간단해 경제적이어서 제품의 제조단가를 크게 절감할 수 있고, 이에 따라 실용성과 산업적 가치가 매우 큰 효과를 기대할 수 있다.

이하에서는 바람직한 실시 예를 통하여 본 발명을 보다 상세히 설명한다. 하기의 설명은 본 발명의 이해를 돕기 위한 것이지 본 발명을 이에 한정하는 것은 아니다.

본 발명에서는 고체 전해질로서 전도성이 높고 대기 및 열적 안정성이 우수하며 함침 및 코팅이 용이한 전해질 용액을 사용하는데, 본 발명에 사용하는 것을 산화제로서의 파라톨루엔 술폰산제3철염과 모노머인 3, 4-에틸렌 디엑토시티오펜 혼합액과 에틸알콜이나 부틸알콜을 용매로 하여 사용한다.

[실시예]

먼저, 알루미늄에칭박막에 아디프산계 화성액을 사용하여 4V의 화성전압에서 화성한 산화알루미늄박막에 양극알루미늄박과 산화알루미늄 유전체 소자를 구분 짓는 접착테이프를 부착한 후 금형 타발에 의해 일정한 형상으로 성형된 산화알루미늄판상의 소자를 만들었다. 이 소자를 본 발명의 전해질용액에 침적시켜 함침 및 코팅하였다. 상기와 같은 방법은 통상의 방법이다.

상기와 같은 산화 알루미늄판상의 소자를 파라톨루엔술폰산제3철염 43.7중량%와 3, 4-에틸렌 디엑토시티오펜 4.7중량%로 하고 나머지 에틸알콜 51.6중량%으로된 전해질 용액에에 10℃에서 10분간 함침하였다. 그 다음에는 도판트, 피롤 등을 이용해 전기 중합하여 제2전도층을 형성하였는데 이 방법은 통상의 방법을 사용하였다. 즉 도판트인 부틸 나프탈렌술폰산 3.8중량 % 와 피롤 1.6중량 %하고 나머지는 순수 94.6 중량%으로 된 중합용액에 니켈 또는 구리 전극테이프로 전극을 인출한 제1전도층이 형성된 소자를 담구어 2V의 전압을 50분인가하여 제2 전도층을 형성하였다.

그 다음 통상의 방법으로 종합된 소자에 탄소 및 은 페이스트전극을 도포하고 건조한 다음 양극과 음극을 인출한 후 수지로 고분자 고체전해콘덴서를 만들었다.

하기 표1은 본 발명의 전해질 용액을 사용해 실시한 것과 전도층 형성에 종래기술인 이산화망간(비교 예1), 폴리피롤(비교 예2) 및 통상의 전도성고분자(비교 예3)를 사용한 콘덴서의 성능비교표이다.

표 1

상기표에서 알 수 있듯이, 본 발명에 의한 전해질 용액으로 제1전도층을 형성시켜 제조한 콘덴서가 종래의 것보다 정전용량, 탄젠트손실각, ESR 및 누설전류 등에서 월등히 우수함을 알 수 있다.

Claims (3)

1. 전압을 인가하여 산화알루미늄 유전체 피막이 생성된 알루미늄판을 만드는 단계(S1); 전해질용액을 제조하여 상기 알루미늄판에 제1전도층을 형성하는 단계(S2); 전해질인 전도성 고분자 형성을 위한 제2전도층을 형성하는 단계(S3); 그리고 상대전극형성을 위한 음극형성단계(S4)로 이루어지는 고체 전해 콘덴서의 제조 방법에 있어서,
   상기 단계(S2)에서의 전해질 용액은 산화제인 파라톨루엔술폰산제3철염 35~43.7중량%와, 3, 4-에틸렌 디엑토시 티오펜 4.7~10중량%와 나머지 에틸알콜로 구성됨을 특징으로 하는 고체 전해 콘덴서의 제조방법.
2. 삭제
3. 제1항에 있어서, 상기 제1전도층 형성은 전해질 용액에 알루미늄판을 -25~30℃의 온도에서 10분간 함침한 후, 25~60℃에서 15분간 건조한 다음 150℃에서 10~30분간 중합하여 구성됨을 특징으로 하는 고체 전해 콘덴서의 제조방법.