KR20080080439A - 실리콘 고무 스폰지 조성물 - Google Patents

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Abstract

(A) 식 (I)로 표시되는 오가노폴리실록산,
R1 aSiO(4-a)/2 (I)
(식중, R1은 동일 또는 이종의 비치환 또는 치환된 1가 탄화수소기, a는 1.95∼2.04의 양수임.)
(B) 열분해에 의해 (A) 성분을 증점 또는 경화시키는 특성을 갖는 비시아노계 유기 아조 발포제,
(C) 아조디카본아미드계 발포제 및/또는 디니트로소펜타메틸렌테트라민계 발포제,
(D) 경화제
를 함유하여 이루어지며, 상압 열풍 가교 발포가 가능한 실리콘 고무 스폰지 조성물.
본 발명의 실리콘 고무 스폰지 조성물은 스폰지의 셀의 크기 및 발포 배율을 자유로이 컨트롤하는 것이 가능하며, 표면 가교성이 양호한 고발포 실리콘 고무 스폰지를 만드는 것이 가능하다. 또한, 이 스폰지는 시아노계 화합물을 포함하지 않기 때문에 독성이 매우 적다.
스폰지, 경화, 실리콘 고무, 발포, 무니 점도

Description

실리콘 고무 스폰지 조성물{SILICONE RUBBER SPONGE COMPOSITION}
본 발명은 건축 개스킷, 각종 스폰지 시트, 공업용 롤, 복사기 등의 사무기용 스폰지 롤, 단열 시트 등에 사용되는 실리콘 고무 스폰지를 제공하는 실리콘 고무 스폰지 조성물에 관계한다.
실리콘 스폰지는 실리콘 고무 특유의 물리 특성을 가지고 있으며, 내열성, 내한성, 전기 절연성, 난연성, 압축 영구 왜곡 등이 뛰어난 성질을 가지고 있다. 이 실리콘 고무 스폰지는 기본적으로 열경화성 실리콘 고무 조성물과 경화제, 발포제를 조합하고, 가열에 의해 발포, 경화시켜 스폰지를 형성시키는 것인데, 그 경우, 발포성이 뛰어나고, 균일하고 미세한 셀 구조를 가지며, 스킨층의 표면이 평활하고, 점착성이 없고, 게다가 실리콘 고무 특유의 물리 특성을 손상시키지 않는 것이 중요하다.
또한, 가공 성형 방법으로는 연속 성형이 가능해지는 상압 열기중에서 경화, 발포시키는 것이 많이 행해지고 있다. 이러한 상압 열기중의 성형으로 균일하고 미세한 셀 구조의 스폰지를 만들기 위해서는, 발포제가 분해할 때 발생하는 가스를 고무 내부에 자잘한 거품의 상태로 눌러넣어야 하기 때문에 통상의 경우에는 발포 제가 분해하기 이전에 이미 고무 조성물이 발포 압력을 눌러넣기 위하여 증점, 경화되어 있을 필요가 있다.
따라서, 스폰지를 성형시키는 경우에 고무 내에서 일어나는 반응 순서로는 이하의 순서가 일반적이다.
1) 경화제에 의한 실리콘 고무 스폰지를 형성하는 오가노폴리실록산 성분의 증점(경화)
2) 발포제의 분해에 의한 가스의 발생
실제로는 상기한 순서로 반응이 일어나도록 부가 가교의 촉매량을 조정하여 반응 제어하거나, 유기 과산화물의 분해 온도를 발포제의 분해 온도와 동일하거나 낮도록 선택하여 상기와 같은 반응 순서를 설정한다.
그러나, 이러한 고무의 초기 경화의 제어는 매우 어려우며, 부가 가교라면 제어제의 양이나 촉매의 강도에 따라 매번 변화할 가능성이 있고, 유기 과산화물 가교라면 발포제의 분해 온도에 따라 유기 과산화물을 찾아야 하는 것 이외에, 스폰지를 성형하는 온도 범위 전역에 있어서 분해의 거동이 발포제, 유기 과산화물 모두 동일하여야 하는 등 매우 델리케이트한 제어가 필요하였다.
한편, 실리콘 고무 스폰지의 발포에 사용되는 발포제로는 종래 AIBN(아조이소부티로니트릴)이 많이 사용되어 왔다. AIBN은 1분자량 당 발생 질소 가스가 많으며, 적은 첨가량으로 고발포의 스폰지를 얻을 수 있는 것, 및 부가 반응의 저해 물질이 되기 어려운 것에서, 유기 과산화물에 의한 가교 및 부가 반응에 의한 가교 모두의 경화계에서 사용되어 왔다. 그러나, 이 아조비스이소부티로니트릴은 분해 발생 가스가 안전 위생상 바람직하지 않고, 또한 그들을 완전히 제거하려고 하면 장시간의 포스트 큐어가 필요해지는 문제가 있어 보다 안전성이 높은 발포제가 요망되고 있었다.
실리콘에 적용되는 비AIBN 발포제로는 다양한 물질이 검토되고 있는데, 그 중에서도 특히 염화수소나트륨 등의 무기 염류의 발포제가 제안되어 있다(특허 문헌 1∼3: 일본 특허 공개 평5-156061호 공보, 일본 특허 공개 2006-083237호 공보, 일본 특허 공개 2006-193609호 공보). 그러나, 염화수소나트륨을 발포제로 한 스폰지 조성물은 스폰지 셀 형상의 재현성이 없거나, 고무 컴파운드의 함수 수분량에 따라 이상 발포를 일으키거나 하게 되어, 셀 형상, 발포 배율 등이 안정되지 않고, 또한 분해물의 탄산 나트륨이 고무 내에 남게 된다는 결점이 있었다.
또한, 유기 발포제로는 합성 고무에서 일반적으로 사용되는 아조디카본아미드(ADCA) 등의 아민계 유기 아조 화합물, N,N'-디니트로소펜타메틸렌테트라민(DPT) 등의 니트로소 화합물을 발포제로서 사용하는 방법이 제안되어 있다(특허 문헌 4: 일본 특허 공개 소 55-29566호 공보). 그러나, 이들 발포제는 아조비스이소부티로니트릴의 경우와 같이 단순히 실리콘 고무 컴파운드에 배합하여 열풍하에서 자유 발포(HAV 성형)시키는 것만으로는 거의 발포하지 않는다. 이유로는, 분해 온도가 모두 140℃∼250℃로 높기 때문에 부가 가교계에서는 가교 제어하기가 어렵고, 분해 온도 범위가 좁은 유기 과산화물 가교제에서는 가교 제어하기 어려운데다가, 가교전 폴리머 점도가 낮은 실리콘 고무 컴파운드에서는 고온 HAV로 발포 압력을 억제할 수 없고, 완성된 스폰지는 가스 빠짐이나 이상 발포가 되어 표면 평활성이 현 저하게 떨어지고, 그 표면에 점착감이 남는다는 어려움이 있었다. 또한, 상기 ADCA, DPT를 이용하여 HAV 가교에 의해 스폰지를 얻는 방법으로서, 가교기를 종래의 비닐기 대신 1-에틸-1-부티닐기, 에틸리덴노르보르닐기 등으로 변경한 실리콘 폴리머를 베이스 폴리머로서 사용하는 방법(특허 문헌 5: 일본 특허 공개 평 2-16132호 공보)이나, 동 가교기를 시클로헥실기 등의 시클로알킬기 등으로 변경한 실리콘 폴리머를 베이스 폴리머로서 사용하는 방법(특허 문헌 6: 일본 특허 공개 평 2-251542호 공보), 탄소수가 4 이상이고 적어도 하나의 활성 3차 탄소를 갖는 탄화수소기를 규소 원자에 결합하는 유기기로서 갖는 폴리오가노실록산을 베이스 폴리머로 한 방법(특허 문헌 7: 특허 제3133401호 공보)이 HAV 가능한 스폰지로서 제안되어 있는데, 베이스 폴리머가 특수한 구조이기 때문에 비용이 비싸고, 또한 디메틸폴리실록산에 비하여 탄성률이 저하하거나, 압축 영구 왜곡이 나쁜 등의 결점이 있었다.
[특허 문헌 1] 일본 특허 공개 평 5-156061호 공보
[특허 문헌 2] 일본 특허 공개 2006-083237호 공보
[특허 문헌 3] 일본 특허 공개 2006-193609호 공보
[특허 문헌 4] 일본 특허 공개 소 55-29566호 공보
[특허 문헌 5] 일본 특허 공개 평 2-16132호 공보
[특허 문헌 6] 일본 특허 공개 평 2-251542호 공보
[특허 문헌 7] 특허 제3133401호 공보
본 발명은 상기 사정을 감안하여 이루어진 것으로서, 실리콘 고무 스폰지를 형성하는 오가노폴리실록산의 가교 속도의 제어나 발포체와 유기 과산화물의 델리케이트한 조합을 고려하지 않고, 상압 열풍 가교(HAV) 발포성이 뛰어나고, 균일하고 미세한 셀 구조를 가지며, 스킨층의 표면이 평활한 고발포 실리콘 고무 스폰지를 형성할 수 있고, 또한 발포제의 분해 가스에 독성이 있는 시아노 화합물을 발생하지 않는 안전한 스폰지를 안이하게 얻을 수 있는 실리콘 고무 조성물을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명자는 상기 목적을 달성하기 위하여 예의 검토한 결과, 오가노폴리실록산(실리콘 폴리머)을 증점시키는 것이 가능하고, 아민계 유기 아조 발포제보다 분해 온도가 높은 비시아노계 유기 아조 발포제, 특히 1,1'-아조비스(시클로헥산-1-메틸카르복실레이트) 및 아조디카본아미드계/디니트로소펜타메틸렌테트라민계 유기 발포제를 사용함(단, 발포제로서 염화수소나트륨은 함유하지 않음)으로써 실리콘 고무 스폰지 조성물을 상압 열기 가황시켰을 때 셀 형상이 균일한 고발포 실리콘 고무 스폰지를 재현성 양호하게 얻을 수 있고, 또한 발포제로부터 발생하는 분해 가스는 비시아노계이며, 인체에의 독성이 매우 작고, 안전하게 실리콘 고무 스폰지를 제조, 사용할 수 있는 것을 알아내고 본 발명을 이루기에 이르렀다.
따라서 본 발명은, 하기의 실리콘 고무 스폰지 조성물을 제공한다.
[Ⅰ] (A)하기 평균 조성식 (I)로 표시되는 오가노폴리실록산
R1 aSiO(4-a)/2 (I)
(식중, R1은 동일 또는 이종의 비치환 또는 치환된 1가 탄화수소기, a는 1.95∼2.04의 양수임.): 100질량부,
(B) 열분해에 의해 (A) 성분을 증점 또는 경화시키는 특성을 갖는 비시아노계 유기 아조 발포제: 0.1∼20질량부,
(C) 아조디카본아미드계 발포제 및/또는 디니트로소펜타메틸렌테트라민계 발포제: 1∼50질량부,
(D) 경화제
를 함유하여 이루어지며, 상압 열풍 가교 발포가 가능한 실리콘 고무 스폰지 조성물.
[Ⅱ] (B) 성분의 비시아노계 유기 아조계 발포제가, (A) 성분 100질량부에 (B) 성분 3질량부를 가한 후, 170℃에서 열분해시키면서 측정한 무니 점도 ML(1+4)가 (A) 성분 단체의 무니 점도에 대하여 100% 이상의 점도 상승을 나타내는 유기 발포체인 것을 특징으로 하는 [Ⅰ] 기재의 실리콘 고무 스폰지 조성물.
[Ⅲ] (B) 성분의 비시아노계 유기 아조 발포제 A가, 1,1'-아조비스(시클로헥산-1-메틸카르복실레이트)인 것을 특징으로 하는 [Ⅰ] 또는 [Ⅱ]에 기재된 실리콘 고무 스폰지 조성물.
[Ⅳ] (C) 성분의 아조디카본아미드계 발포제 및 디니트로소펜타메틸렌테트라 민계 발포제의 분해 조제로서 요소, 산화아연 및 유기 아연 화합물로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상을 사용하는 것을 특징으로 하는 [Ⅰ] 내지 [Ⅲ] 중 어느 하나에 기재된 실리콘 고무 스폰지 조성물.
[Ⅴ] (D) 성분의 경화제가, 히드록실화 촉매와 오가노하이드로젠폴리실록산과의 부가 반응계 경화제 단독, 유기 과산화물 단독 또는 부가 반응계 경화제와 유기 과산화물과의 병용계인 것을 특징으로 하는 [Ⅰ] 내지 [Ⅳ] 중 어느 하나에 기재된 실리콘 고무 스폰지 조성물.
[Ⅵ] (E) 성분으로서 도전성 카본을 (A) 성분 100질량부에 대하여 1∼60질량부 첨가하여 도전성을 부여한 것을 특징으로 하는 [Ⅰ] 내지 [Ⅴ] 중 어느 하나에 기재된 실리콘 고무 스폰지 조성물.
[Ⅶ] 경화되어 밀도가 0.3g/cm3 이하인 저밀도의 고발포 실리콘 고무 스폰지를 형성하는 [Ⅰ] 내지 [Ⅵ] 중 어느 하나에 기재된 실리콘 고무 스폰지 조성물.
본 발명의 실리콘 고무 스폰지 조성물은 상기 (B), (C) 성분의 발포제를 사용함으로써 스폰지의 셀의 크기 및 발포 배율을 자유로이 컨트롤하는 것이 가능하고, 표면 가교성이 양호한 고발포 실리콘 고무 스폰지를 만드는 것이 가능하다. 또한, 이 스폰지는 시아노계 화합물을 포함하지 않기 때문에 독성이 매우 적다. 상기 실리콘 고무 스폰지는 건축 개스킷, 전자 기기 패킹, 자동차용 웨더 스트립 등의 개스킷류, 사무기 정착 롤류, 프린터용 반도전성 롤류(특히 토너 반송 롤), 가정용 패킹류, 화장용 퍼프, 충격 흡수체 등의 다양한 용도로 사용할 수 있다.
(A) 성분의 오가노폴리실록산은 하기 평균 조성식 (Ⅰ)
R1 aSiO(4-a)/2 (I)
(식중, R1은 동일 또는 이종의 비치환 또는 치환된 1가 탄화수소기, a는 1.95∼2.04의 양수임.)
로 표시되는 오가노폴리실록산이다.
평균 조성식 (Ⅰ)에 있어서, R1으로는 메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기, 헥실기, 도데실기 등의 알킬기, 시클로헥실기 등의 시클로알킬기, 비닐기, 알릴기, 부테닐기, 헥세닐기 등의 알케닐기, 페닐기, 톨릴기 등의 아릴기, β-페닐프로필기 등의 아랄킬기, 또는 이들 기의 탄소 원자에 결합한 수소 원자의 일부 또는 전부를 할로겐 원자, 시아노기 등으로 치환한 클로로메틸기, 트리플루오로프로필기, 시아노에틸기 등으로부터 선택되는, 동일 또는 이종의 바람직하게는 탄소수 1∼12, 보다 바람직하게는 탄소수 1∼8의 비치환 또는 치환된 1가 탄화수소기를 들 수 있다. 또한, a는 1.95∼2.04의 양수이며, 이 오가노폴리실록산은 분자쇄 말단이 트리메틸실릴기, 디메틸비닐기, 디메틸히드록시실릴기, 트리비닐실릴기 등으로 봉쇄된 것으로 할 수 있는데, 본 발명에 있어서 이 오가노폴리실록산은 분자중에 적어도 2개의 알케닐기를 갖는 것이 필요하며, R1 중 0.001∼5몰%, 특히 0.01∼0.5몰%가 알케닐 기, 특히 비닐기인 것이 바람직하다.
이러한 종류의 오가노폴리실록산은 통상 선택된 오가노할로겐실란의 1종 또는 2종 이상을 공가수분해 축합함으로써, 또는 환상 폴리실록산(실록산의 3량체 또는 4량체 등)을 알칼리성 또는 산성의 촉매를 이용하여 개환 중합함으로써 얻을 수 있는 것으로서, 이것은 기본적으로는 직쇄상의 디오가노폴리실록산인데, 일부 분기되어 있을 수도 있다. 또한, 분자 구조가 다른 2종 또는 그 이상의 혼합물일 수도 있다.
또한, 이 오가노폴리실록산의 오스트왈드 점도계로 측정한 25℃에서의 동점도는 100mm2/s 이상인 것이 바람직하다. 보다 바람직하게는 100,000∼10,000,000mm2/s이다. 평균 중합도에서는 100 이상, 특히 3,000 이상이 바람직하고, 그 상한은 바람직하게는 100,000이며, 더욱 바람직하게는 10,000이다. 이 평균 중합도는 GPC(겔 침투 크로마토그래피) 측정 데이터로부터 폴리스티렌 표준 시료로 작성한 검량선을 사용하여 환산함으로써 구할 수 있다.
본 발명에서는 (B) 성분으로서 열분해에 의해 (A) 성분을 증점 또는 경화시킬 수 있는 특성을 가진 비시아노계 유기 아조 발포제를 사용한다.
이 특징을 가진 비시아노계 유기 아조 발포제는 구체적으로는 발포제의 분해에 의해 가스를 발생시킬 뿐만 아니라, (A) 성분의 오가노폴리실록산의 분자중에 존재하는 메틸기, 알케닐기를 라디칼 반응에 의해 가교 반응시키고, 폴리머 점도를 상승시킬 수 있다.
따라서, 본 발명과 같은 점도 상승을 나타내는 유기 아조 발포제에서는 스폰지 성형시에 고무 내에서 "경화제에 의한 (A) 성분의 증점(경화)"과 "발포제의 분해에 의한 가스의 발생"이 거의 동시에 일어나기 때문에 부가 가교의 촉매량을 조정하여 반응을 제어하거나, 유기 과산화물의 분해 온도에 얽매이지 않고 실리콘 고무 스폰지의 경도나 영구 왜곡 등이 양호한 물성을 구하여 자유로이 가교제의 선택을 할 수 있게 된다. 또한, 스폰지를 성형하는 온도도 마찬가지로 발포제의 분해와 동시에 가교하는 특성상, 저온부터 고온까지 매우 폭넓은 온도 범위에 있어서 안정된 스폰지를 성형할 수 있다. 이는 상압 열기중에서 경화시키는 스폰지뿐만 아니라, 프레스 발포나 원통형의 관내 발포 등이 규제된 공간에서도 안정된 발포체를 제작하는 것이 가능해진다.
여기서, 일반적으로 아조 화합물 등은 비닐 화합물의 라디칼 중합제로서 많이 사용되고 있으며, 오가노폴리실록산의 분자중의 알케닐기(이하, Si-Vi라 함)에 대해서도 당연히 동일한 중합제로서 기능할 것으로 생각되는데, 실제로는 통상의 발포제의 첨가량으로 점도를 증가시키는 강한 라디칼을 발생시키거나, 또한 발포제의 분해와 때를 같이 하여 점도 상승이 일어나는 발포제는 거의 없으며, 아조비스이소부티로니트릴이나 2,2'-아조비스-2-메틸부티로니트릴, 2,2'-아조비즈-2,4-디메틸발레로니트릴, 1,1'-아조비스(1-아세톡시-1-페닐에탄) 등에서도 분해에 의해 단시간에서의 점도 상승은 관측할 수 없다.
이에 대하여, 본 발명자들은 비아미노계 유기 아조 발포제에 있어서, 그 열분해에 의해 (A) 성분, 특히 오가노폴리실록산을 증점 또는 경화시키는 특성을 갖 는 것을 알아낸 것이다. 이 경우, 비시아노계 유기 아조 발포제는 특히 발포제 (B) 성분과 (A) 성분을 혼합한 혼합물 점도가, 발포제 (B)의 열분해 온도 이상의 승온에 의해 (B) 성분이 분해하고, 라디칼을 발생함으로써 (A) 성분이 증점하고, (A) 성분 단독의 동 조건에 의한 점도보다 50% 이상의 점도 상승을 나타내는 유기 발포제가 좋고, 더욱 바람직하게는 100% 이상의 점도 상승을 갖는 유기 발포체가 바람직하다. 더욱 구체적인 숫자로 나타내면, (B) 성분의 비시아노계 유기 아조계 발포제가, 특히 (A) 성분 100질량부에 (B) 성분 3질량부를 가한 후, 170℃에서 열분해시키면서 측정한 무니 점도 ML(1+4)가 (A) 성분 단체의 무니 점도에 대하여 100% 이상의 점도 상승인 것이 좋고, 더욱 바람직하게는 150% 이상의 점도 상승인 것이 바람직하다.
상기한 특성을 만족하는 비시아노계 유기 아조 발포제로는 1,1'-아조비스(시클로헥산-1-메틸카르복실레이트), 2,2'-아조비스〔N-(2-프로페닐)-2-메틸프로피온아미드〕 등을 들 수 있다. 본 발명에서는 특히 1,1'-아조비스(시클로헥산-1-메틸카르복실레이트)가 적합하다.
(B) 성분의 유기 발포제의 첨가량은 (A) 성분 100질량부에 대하여 0.1∼20질량부, 바람직하게는 0.5∼10질량부이다. 0.1질량부 미만이면 발포가 불충분하고, 20질량부보다 많으면 폴리머 성분의 증점 효과가 지나치게 커져 잘 발포되지 않아 불균일해지거나, 셀이 파괴되어 탄력이 없는 스폰지가 되거나, 깨끗한 스킨층도 형성되지 않게 된다.
본 발명에 있어서는, (C) 성분으로서 아조디카본아미드(ADCA)계 발포제 및/ 또는 디니트로소펜타메틸렌테트라민(DPT)계 발포제를 주발포제로서 사용한다. 아조디카본아미드는 가스 발생량이 270ml/g, 디니트로소펜타메틸렌테트라민은 가스 발생량이 260ml/g로 모두 많고, 또한 분해 온도가 약 200∼210℃로 고온이다. 또한 상기 발포제는 발포제 분해 조제를 사용함으로써 용이하게 분해 온도를 120∼170℃ 정도로 내리는 것이 가능하며, 분자 내에 오가노폴리실록산의 경화를 크게 저해하는 황 화합물, 인산염류 등을 갖지 않기 때문에 본 발명에 적합하게 사용된다.
(C) 성분의 아조디카본아미드, 디니트로소펜타메틸렌테트라민의 첨가량은 (A) 성분 100질량부에 대하여 각각 1∼50질량부, 바람직하게는 2∼30질량부이다. 발포제는 아조디카본아미드, 디니트로소펜타메틸렌테트라민 각각 단독으로의 사용 또는 아조디카본아미드 및 디니트로소펜타메틸렌테트라민의 병용이 가능하다. 상기한 발포제는 아조디카본아미드계 발포제에 대해서는 분해 조제에 요소계(요소, 요소 함유 필러), 산화아연(아연화, 도전성 산화아연), 유기 아연 화합물(루이스산을 갖는 아연 화합물, 스테아르산 아연 등)을 사용하는 것, 그리고 디니트로소펜타메틸렌테트라민계 발포제에 대해서는 분해 조제에 요소계를 사용함으로써 발포 분해 온도를 저하시키는 것이 가능하다. 발포제의 분해 온도는 상기 분해 조제의 첨가량에 따라 조정 가능하며, 본 발명에서는 이들 주발포제의 분해 온도를 120℃∼170℃로 설정하는 것이 바람직하다. 통상 발포 조제의 첨가량은 발포제 10질량부에 대하여 0.1∼8.0질량부이며, 보다 바람직하게는 0.5∼5.0질량부이다. 이들 (C) 성분 발포제의 첨가에 의해 스폰지는 고발포/저밀도로 하는 것이 가능하며, 50질량 부보다 많으면 발포 가스가 지나치게 많아 스폰지가 갈라지거나 분해물의 아민 화합물의 부가 가교 저해에 의해 표면 가교성이 저하하여 가스가 빠지거나 한다. 또한, 본 발명에 있어서는 발포제로서 탄산수소나트륨은 배합하지 않는다.
본 발명에 있어서, (D) 성분의 경화제는 (B), (C) 성분으로 가교, 증점, 발포한 (A) 성분을 더욱 보조적으로 완전 경화시키기 위하여 사용하는 것이다.
경화제로는 (A) 성분을 경화시킬 수 있는 것이면 특별히 한정되는 것은 아니나, 일반적으로 실리콘 고무 조성물의 경화제로서 이미 알려진, (1)오가노하이드로젠폴리실록산과 백금 금속계 촉매를 이용한 부가 반응에 의한 가교 반응이나 (2)유기 과산화물 가황제에 의한 가교 방법 등을 사용할 수 있다.
특히 본 발명에서는 부가 반응 가교와 유기 과산화물 가황제의 병용이 바람직하다.
(1)의 부가 반응에 의한 가교 반응을 이용하는 경우, (A) 성분에 사용되는 오가노폴리실록산으로는 1분자 중의 규소 원자에 결합한 유기기 R1 중 적어도 하나가 알케닐기, 특히 비닐기인 오가노폴리실록산이 사용된다.
부가 반응 촉매로는 종래 알려진 어느 것일 수도 있으며, 구체적으로는 백금족의 금속 단체 및 그 화합물을 사용할 수 있다. 예컨대, 실리카, 알루미나 또는 실리카겔과 같은 담체 상에 흡착된 미립자형 백금 금속, 염화제2백금, 염화백금산, 염화백금산 6수화물과 올레핀 또는 디비닐디메틸폴리실록산과의 착체, 염화백금산 6수염의 알코올 용액, 팔라듐 촉매, 로듐 촉매 등을 들 수 있다. 이들 촉매의 첨 가량은 촉매량이며, 통상 백금계 금속량으로 환산하여 (A) 성분에 대하여 1∼1,000ppm의 범위에서 사용되는데, 바람직하게는 10∼100ppm의 범위가 적당하다. 1ppm보다 적으면 가교 반응이 충분히 촉진되지 않고, 경화가 불충분하며, 한편 1,000ppm 보다 많이 가하여도 반응성에 대한 영향도 적고 또한 비경제적이다.
부가 반응용 가교제로는 1분자 중에 2개 이상의 SiH기를 갖는 오가노하이드로젠폴리실록산이 사용된다. 이 오가노하이드로젠폴리실록산은 직쇄상, 환상, 분기상 중 어느 것일 수도 있으며, 부가 반응 경화형 실리콘 고무 조성물의 경화제로서 공지인 오가노하이드로젠폴리실록산을 사용할 수 있는데, 통상 하기 평균 조성식 (Ⅱ)
R4 xHySiO(4-x-y)/2 (Ⅱ)
(식중, R4는 상기 R1과 동일한 바람직하게는 탄소수 1∼12, 특히 1∼8의 알킬기, 아릴기, 아랄킬기나 이들의 할로겐 치환체, 시아노기 치환체 등의 비치환 또는 치환 1가 탄화수소기인데, 바람직하게는 지방산 불포화 결합을 포함하지 않는 것이 바람직하다. x, y는 1≤x≤2.2, 0.002≤y≤1이며, 1.002≤x+y≤3을 만족시키는 양수임.)로 표시되는 것을 사용할 수 있다. 상기 SiH기는 1분자 중에 2개 이상, 바람직하게는 3개 이상 갖는데, 이는 분자쇄 말단에 있어도 도중에 있어도 좋다. 또한, 이 오가노하이드로젠폴리실록산으로는 25℃에서의 점도가 300cs 이하인 것이 바람직하다.
오가노하이드로젠폴리실록산의 배합량은 (A) 성분의 오가노폴리실록산 100질 량부에 대하여 0.01∼10질량부 배합된다. 바람직하게는, (A) 성분 중의 알케닐기 하나에 대하여, 규소 원자에 결합한 수소 원자가 0.5∼10개가 되는 범위가 적당하며, 보다 바람직하게는 1∼4개가 되는 범위가 적당하다. 0.5보다 적으면 가교가 충분하지 않고, 충분한 기계적 강도를 얻을 수 없을 수 있으며, 또한 10보다 많으면 경화후의 물리 특성이 저하하고, 특히 내열성과 압축 영구 왜곡이 현저하게 열화할 수 있다. 더욱이, 이 실리콘 고무 조성물에는 폴리메틸비닐실록산 환상 화합물, 아세틸렌기 함유 알코올, 과산화물 등의 공지의 백금 촉매 억제제를 첨가하는 것이 바람직하다.
(2)의 유기 과산화물 가황제로는 벤조일퍼옥사이드, 비스-2,4-디클로로벤조일퍼옥사이드, 비스-4-메틸벤조일퍼옥사이드, 비스-2-메틸벤조일퍼옥사이드, 2,4-메틸벤조일퍼옥사이드, 1,6-비스(파라-톨루오일퍼옥시카르보닐옥시)부탄, 1,6-비스(2,4-디메틸벤조일퍼옥시카르보닐옥시)헥산, 2,5-디메틸-2,5-디-t-부틸퍼옥시헥산, t-부틸퍼옥시벤조에이트, 디쿠밀퍼옥사이드, 쿠밀-t-부틸퍼옥사이드, 1,6-비스(t-부틸퍼옥시카르보닐옥시)헥산 등의 과산화물이 사용되며, 열공기 가황을 행하는 경우에는 비스(2,4-디클로로벤조일)퍼옥사이드, 4-메틸벤조일퍼옥사이드 등의 디아실계 유기 과산화물, 일본 특허 공개 평 10-182972호 공보에 개시되는 바와 같이 할로겐을 갖지 않는 알킬기 치환 벤조일퍼옥사이드 등 벤조일퍼옥사이드, 1,6-비스(파라-톨루오일퍼옥시카르보닐옥시)헥산, 1,6-비스(t-부틸퍼옥시카르보닐옥시)헥산 등이 적합하게 사용되며, 이들 유기 과산화물은 1종 단독으로 또는 2종 이상의 혼합물로서 사용하는 것도 임의이다.
상기한 유기 과산화물의 배합량은 (A) 성분의 오가노폴리실록산 100질량부에 대하여 0.01∼50질량부, 바람직하게는 0.5∼10질량부이다. 0.01질량부 미만이면 경화가 불충분하고, 50질량부를 초과하여도 경화 속도의 향상은 없으며, 미반응물이나 분해 잔사의 제거에 장시간이 필요해진다.
또한, 경화제로서의 유기 과산화물과, 부가 반응에 의한 가교 반응에 사용하는 부가 반응용 경화제와, 오가노하이드로젠폴리실록산의 병용, 즉 (1)과 (2)의 가교 반응을 병용한 가교 반응은 본 발명의 가교제로서 특히 권장된다. 부가 가교제는 비교적 저온 영역에서 고무 HAV 성형시의 열풍에 의한 표면 가교성의 향상에 유효한데, ADCA의 분해에 의한 아민 화합물 발생이 부가 가교 저해물이 되어 경화성이 저하한다. 유기 과산화물은 이것을 보충할 목적으로 첨가되며, 매우 탄성이 풍부한 스폰지가 된다.
이와 같이 본 발명의 스폰지의 발포 메커니즘은 (A) 성분을 증점시키고, 스폰지 셀의 초기 생성을 컨트롤하는 (B) 성분, 발포 가스 발생량 증가를 위한 (C) 성분, 완전 가교를 위한 (D) 성분과, 스폰지를 제작하기 위한 각 첨가제의 역할이 명확하게 분리 가능하기 때문에, 특히 (C) 성분의 발포제의 다량 첨가에 의해 고발포, 저경도 스폰지, 특히 스폰지 밀도가 0.3g/cm3 이하인 스폰지를 효율적으로 제작하는 것이 용이하고, 특히 스폰지 밀도를 0.15g/cm3 이하로 하는 것이 가능하다. 또한, 본 발명의 스폰지는 스폰지 밀도를 0.05g/cm3 이상으로 하는 것이 바람직하다. 또한, 본 발명에 있어서 스폰지 밀도는 JIS K6249에 준하여 측정한 값이다.
또한, 본 발명은 (E)도전성 카본 블랙을 첨가함으로써 도전성 스폰지로 할 수도 있다. 도전성 재료로는 그 종류, 배합량은 특별히 제한되지 않으나, 공지의 도전성 카본 블랙을 사용하는 것이 가능하다.
카본 블랙으로는 통상 도전성 고무 조성물에 상용되고 있는 것을 사용할 수 있으며, 예컨대 아세틸렌 블랙, 컨덕티브 퍼니스 블랙(CF), 수퍼컨덕티브 퍼니스 블랙(SCF), 엑스트라컨덕티브 퍼니스 블랙(XCF), 컨덕티브 채널 블랙(CC), 1500∼3000℃ 정도의 고온에서 열처리된 퍼니스 블랙이나 채널 블랙 등을 들 수 있다. 구체적으로는, 아세틸렌 블랙으로는 덴카 블랙(덴키 가가쿠사 제조), 샤니건 아세틸렌 블랙(샤니건 케미칼사 제조) 등이, 컨덕티브 퍼니스 블랙으로는 컨티넥스 CF(콘티넨탈 카본사 제조), 불칸 C(캐보트사 제조) 등이, 수퍼컨덕티브 퍼니스 블랙으로는 콘티넥스 SCF(컨티넨탈 카본사 제조), 불칸 SC(캐보트사 제조) 등이, 엑스트라컨덕티브 퍼니스 블랙으로는 아사히 HS-500(아사히 카본사 제조), 불칸 XC-72(캐보트사 제조) 등이, 컨덕티브 채널 블랙으로는 코랙스 L(데굿사 제조) 등이 예시되며, 이외에 급냉 공정을 포함하지 않는 오일 연소법으로 제조되는 (MMM Process법) 카본 블랙 ENSACO260G, ENSACO250G, ENSACO210G(TIMCAL사 제조) 등을 들 수 있다. 또한, 퍼니스 블랙의 일종인 케첸 블랙 EC 및 케첸 블랙 EC-600JD(케첸 블랙 인터내셔널사 제조)를 사용할 수도 있다. 퍼니스 블랙은 불순물, 특히 황이나 황 화합물의 양이 황 원소의 농도로 6000ppm 이하, 보다 바람직하게는 3000ppm 이하가 바람직하다. 또한, 이들 중에서는 아세틸렌 블랙은 불순물 함유율이 적은 데다가, 발달한 2차 스트럭처 구조를 가지므로 도전성이 뛰어나며, 본 발 명에 있어서 특히 적합하게 사용된다. 또한, 그 탁월한 비표면적 때문에 저충전량으로도 뛰어난 도전성을 나타내는 케첸 블랙 EC300JD나 케첸 블랙 EC-600JD 등도 바람직하게 사용할 수 있다.
또한 탄소 섬유를 탄화하여 제조되는 카본 섬유도 사용할 수 있으며, 그 직경은 0.1∼10μm이고 섬유 길이는 5∼1,000μm이다. 또한 탄소를 아크 또는 레이저 등에 의해 증발시켜 합성되는 카본 나노튜브도 사용할 수 있다. 카본 나노튜브는 단층 카본 나노튜브 또는 다층 카본 나노튜브 중 어느 것일 수도 있으나, 그 직경은 0.5nm∼2.0nm이며 튜브 길이는 1nm∼1,000nm이다.
상기 도전성 카본 블랙의 첨가량은 전술한 (A) 성분 100질량부에 대하여 1∼60질량부, 특히 5∼40질량부로 하는 것이 바람직하다. 첨가량이 1질량부 미만에서는 원하는 도전성을 얻을 수 없는 경우가 있고, 60질량부를 초과하면 물리적 혼합이 어려워지거나 기계적 강도가 저하할 가능성이 있어 목적으로 하는 고무 탄성을 얻을 수 없을 수가 있다.
또한, 비흑색 도전성 스폰지를 얻고자 하는 경우에, 카본 블랙 대신 도전성 산화금속계 입자, 예컨대 도전성 아연화, 도전성 산화티타늄 등을 사용할 수 있고, 또한 도전 재료는 1종 단독으로도 2종 이상을 병용할 수도 있다. 비흑색의 도전성 금속 산화물 미립자로는 도전성 아연화, 산화티타늄, 주석 안티몬계 미립자 등을 들 수 있고, 구체적으로는 도전성 산화아연으로는 하쿠스이 테크(주) 제조의 산화아연 23-K나 혼조 케미칼(주) 제조의 도전성 아연화 FX가, 백색 도전성 산화티타늄으로는 예컨대 ET-500W(이시하라 산교(주) 제조)를 들 수 있다. 이들 미립자는 (A) 성분 100질량부에 대하여 1∼300질량부 첨가함으로써 원하는 전기 저항을 얻을 수 있고, 또한 카본과 병용하는 것도 임의이다.
본 발명의 실리콘 고무 스폰지 조성물에는 보강성 실리카 미분말이 첨가되어 있는 것이 바람직하다. 보강성 실리카 미분말은 기계적 강도가 뛰어난 실리콘 고무 스폰지를 얻기 위하여 필요해지는 것인데, 이 목적을 위해서는 비표면적이 50m2/g 이상, 바람직하게는 100∼400m2/g이다. 이 실리카 미분말로는 연무질 실리카(건식 실리카), 침전 실리카(습식 실리카)가 예시되며, 연무질 실리카(건식 실리카)가 바람직하다. 또한, 이들의 표면을 오가노폴리실록산, 오가노폴리실라잔, 클로로실란, 알콕시실란 등으로 소수화 처리할 수도 있다. 이들 실리카는 단독으로도 2종 이상 병용할 수도 있다. 또한, 이 실리카 미분말의 첨가량은 (A) 성분의 오가노폴리실록산 100질량부에 대하여 5∼100질량부, 바람직하게는 10∼90질량부, 특히 바람직하게는 30∼80질량부인 것이 바람직하다. (A) 성분 100질량부에 대하여 5질량부 미만에서는 지나치게 적어 충분한 보강 효과를 얻을 수 없고, 100질량부보다 많게 하면 가공성이 나빠지고, 또한 얻어지는 실리콘 고무 스폰지의 물리 특성이 저하할 수가 있다.
본 발명의 실리콘 고무 스폰지 조성물에는 필요에 따라 분쇄 석영, 규조토 등의 비보강성 실리카, 탄산 칼슘 등의 충전제, 착색제, 내열 향상제, 난연성 향상제, 수산제(受酸劑), 열전도 향상제 등의 첨가제나 이형제, 알콕시실란, 디페닐실란디올, 카본 펑셔널 실란, 양말단 실라놀 봉쇄 저분자 실록산 등의 분산제 등을 더 첨가할 수도 있다.
본 발명의 실리콘 고무 스폰지 조성물은 상기한 성분을 2개 롤, 밴버리 믹서, 도우 믹서(니더) 등의 고무 혼련기를 이용하여 균일하게 혼합함으로써 얻을 수 있다.
이와 같이 하여 조제된 실리콘 고무 스폰지 조성물은 가열 발포 경화시킴으로써 용이하게 실리콘 고무 스폰지를 얻을 수 있다. 그 경화 발포 방법은 발포의 분해 및 실리콘 고무의 가황에 충분한 열을 가할 수 있는 방법이면 되며, 또한 그 성형 방법도 압출 성형에 의한 연속 HAV 가교, 칼렌더 가공후에 배치식 HAV 가교 등의 상압 열기 가황이 적합하게 채용된다. 이 경우, 가열 온도는 100∼500℃, 특히 150∼400℃, 시간은 수 초∼1시간, 특히 10초∼30분인 것이 바람직하다. 또한, 필요에 따라 발포제 분해물이나 저분자 실리콘 오일을 제거할 목적으로 180∼250℃에서 1∼10시간 정도 2차 가황할 수도 있다.
<실시예>
이하, 실시예와 비교예를 들어 본 발명을 구체적으로 설명하는데, 본 발명은 하기의 실시예에 제한되지 않는다. 또한, 하기 예에서 부는 질량부를 나타낸다.
[실시예 1]
보강성 실리카 미분말을 약 30질량% 함유하는 열경화성 실리콘 컴파운드(신 에쓰 가가쿠 고교(주) 제조 상품명 KE-551-U: 솔리드 고무의 밀도 1.14) 100부에 대하여, 발포제로서 1,1'-아조비스(시클로헥산-1-메틸카르복실레이트)를 3부, 아조디카본아미드를 4.0부, 가교제로서 부가 가교제인 C-25A와 C-25B(신에쓰 가가쿠 고 교 제조)를 각각 1.0부, 2.0부를 배합하고, 2개 롤을 사용하여 혼련후 5mm 두께의 시트를 제작하고, 이것을 230℃에서 15분간 가열하였다. 그 후 얻어진 스폰지를 200℃/4시간의 2차 가교(포스트 큐어)를 행하고, 스폰지의 상태, 스폰지 경도(아스카 C), 스폰지 밀도(g/cm3: JIS K6249)를 각각 측정하였다.
[실시예 2]
발포제를 아조디카본아미드 4.0부에서 디니트로소펜타메틸렌테트라민 4.0부로 변경한 것 이외에는 실시예 1과 동일한 방법으로 스폰지를 성형하였다.
[실시예 3]
발포제를 아조디카본아미드 4.0부에서 요소를 첨가하여 분해 온도를 150℃로 저하시킨 아조디카본아미드 4.0부로 변경한 것 이외에는 실시예 1과 동일한 방법으로 스폰지를 성형하였다.
[실시예 4]
발포제를 아조디카본아미드 4.0부에서 유기 아연 화합물을 첨가하여 분해 온도를 150℃로 저하시킨 아조디카본아미드 4.0부로 변경한 것 이외에는 실시예 1과 동일한 방법으로 스폰지를 성형하였다.
[실시예 5]
가교제로서 2,5-디메틸-2,5-디-t-부틸퍼옥시헥산을 1.5부 첨가한 것 이외에는 실시예 3과 동일한 방법으로 스폰지를 성형하였다.
[실시예 6]
발포제를 1,1'-아조비스(시클로헥산-1-메틸카르복실레이트)에서 2,2'-아조비스〔N-(2-프로페닐)-2-메틸프로피온아미드〕로 변경한 것 이외에는 실시예 5와 동일한 방법으로 스폰지를 성형하였다.
[실시예 7]
발포제를 1,1'-아조비스(시클로헥산-1-메틸카르복실레이트) 3.0부에서 0.5부로 감소시킨 것 이외에는 실시예 5와 동일한 방법으로 스폰지를 성형하였다.
[실시예 8]
발포제를 1,1'-아조비스(시클로헥산-1-메틸카르복실레이트) 3.0부에서 6.0부로 증량시킨 것 이외에는 실시예 5와 동일한 방법으로 스폰지를 성형하였다.
[실시예 9]
발포제에 유기 아연 화합물을 첨가하여 분해 온도를 150℃로 저하시킨 아조디카본아미드를 4.0부에서 1.0부로 감량시킨 것 이외에는 실시예 4와 동일한 방법으로 스폰지를 성형하였다.
[실시예 10]
발포제를 유기 아연 화합물을 첨가하여 분해 온도를 150℃로 저하시킨 아조디카본아미드 4.0부에서 12.0부로 증량시킨 것 이외에는 실시예 4와 동일한 방법으로 스폰지를 성형하였다.
[실시예 11]
가교제로서 부가 가교에서 비스-4-메틸벤조일퍼옥사이드 0.5부, 2,5-디메틸-2,5-디-t-부틸퍼옥시헥산을 1.5부 첨가로 변경한 것 이외에는 실시예 3과 동일한 방법으로 스폰지를 성형하였다.
[실시예 12]
KE-551-U 100부에 대하여 덴카 블랙(덴키 가가쿠사 제조) 17부를 밴버리 믹서로 충분히 혼련후, 발포제로서 1,1'-아조비스(시클로헥산-1-메틸카르복실레이트) 3부, 유기 아연 화합물을 첨가하여 분해 온도를 150℃로 저하시킨 아조디카본아미드를 8.0부, 가교제로서 부가 가교제인 C-25A와 C-25B 각각 1.0부, 2.0부 및 2,5-디메틸-2,5-디-t-부틸퍼옥시헥산을 1.5부를 더 배합한 것 이외에는 실시예 1과 동일한 방법으로 스폰지를 성형하였다.
[비교예 1]
발포제를 1,1'-아조비스(시클로헥산-1-메틸카르복실레이트) 8.0부로만 한 것 이외에는 실시예 1과 동일한 방법으로 스폰지를 성형하였다.
[비교예 2]
발포제를 1,1'-아조비스(시클로헥산-1-메틸카르복실레이트) 20.0부로만 한 것 이외에는 실시예 1과 동일한 방법으로 스폰지를 성형하였다.
[비교예 3]
발포제를 아조디카본아미드 4.0부로만 한 것 이외에는 실시예 1과 동일한 방법으로 스폰지를 성형하였다.
[비교예 4]
발포제를 디니트로소펜타메틸렌테트라민 4.0부로만 한 것 이외에는 실시예 1과 동일한 방법으로 스폰지를 성형하였다.
[비교예 5]
가교제로서 부가 가교제의 백금 촉매인 C-25A를 1.0부에서 2.0부로 증량한 것 이외에는 비교예 3과 동일한 방법으로 스폰지를 성형하였다.
[비교예 6]
발포제를 아조디카본아미드 4.0부에서 요소를 첨가하여 분해 온도를 150℃로 저하시킨 아조디카본아미드 4.0부로 변경한 것 이외에는 비교예 5와 동일한 방법으로 스폰지를 성형하였다.
[비교예 7]
발포제를 아조디카본아미드 4.0부에서 유기 아연 화합물을 첨가하여 분해 온도를 150℃로 저하시킨 아조디카본아미드 4.0부로 변경한 것 이외에는 비교예 5와 동일한 방법으로 스폰지를 성형하였다.
[비교예 8]
가교제로서 부가 가교제 C-25A/C-25B에서 2,5-디메틸-2,5-디-t-부틸퍼옥시헥산 1.5부 및 비스-4-메틸벤조일퍼옥사이드 0.5부로 한 것 이외에는 비교예 6과 동일한 방법으로 스폰지를 성형하였다.
[비교예 9]
가교제로서 유기 과산화물 가교제 비스-4-메틸벤조일퍼옥사이드 0.5부에서 1.0부로 증량한 것 이외에는 비교예 8과 동일한 방법으로 스폰지를 성형하였다.
[비교예 10]
가교제로서 2,5-디메틸-2,5-디-t-부틸퍼옥시헥산을 1.5부 더 첨가한 것 이외 에는 비교예 6과 동일한 방법으로 스폰지를 성형하였다.
[비교예 11]
발포제를 유기 아연 화합물을 첨가하여 분해 온도를 150℃로 저하시킨 아조디카본아미드 4.0부에서 8.0부로 증가시킨 것 이외에는 비교예 10과 동일한 방법으로 스폰지를 성형하였다.
[비교예 12]
KE-551-U 100부에 대하여 덴카 블랙(덴키 가가쿠사 제조) 17부를 밴버리 믹서로 충분히 혼련후, 발포제로서 유기 아연 화합물을 더 첨가하여 분해 온도를 150℃로 저하시킨 아조디카본아미드를 8.0부, 가교제로서 부가 가교제인 C-25A와 C-25B를 각각 1.0부, 2.0부 및 2,5-디메틸-2,5-디-t-부틸퍼옥시헥산을 1.5부 배합한 것 이외에는 실시예 1과 동일한 방법으로 스폰지를 성형하였다.
결과를 표 1∼표 4에 기재하였다.
Figure 112008014884377-PAT00001
Figure 112008014884377-PAT00002
Figure 112008014884377-PAT00003
Figure 112008014884377-PAT00004
PO 가교제 A: 2,5-디메틸-2,5-디-t-부틸퍼옥시헥산
PO 가교제 B: 비스-4-메틸벤조일퍼옥사이드카본 A: 아세틸렌 블랙
표 1∼표 4 중의 스폰지 상태의 설명
미세: 셀이 구형이고 셀 벽도 얇다. 셀 크기는 500μm 미만
가늘다: 셀이 구형이고 셀 벽도 얇다. 셀 크기는 500∼1000μm
가스 빠짐: 발포 가스가 빠져 셀은 찌그러져 구형이 아니다. 대략 솔리드의 상태.
스폰지 갈라짐: 셀은 양호하지만 스폰지 외관이 파열되어 있는 상태.
실시예, 비교예에 기재한 유기 발포체의 무니 점도(ML1+4)의 상승에 대하여 표 5에 기재하였다.
Figure 112008014884377-PAT00005
(무니 점도 측정 조건) JIS K 6300에 준한다.
·사용 기기는 TOYOSEIKI RLM-1
·KE-551-U/100질량부+유기 발포제/3질량부
발포제 A) 1,1'-아조비스(시클로헥산-1-메틸카르복실레이트): 분해 온도 약 106℃
발포제 B) 2,2'-아조비스〔N-(2-프로페닐)-2-메틸프로피온아미드〕: 분해 온도 약 69℃
발포제 C) 아조디카본아미드: 분해 온도 약 204℃
발포제 D) 디니트로소펜타메틸렌테트라민계 발포제: 분해 온도 약 205℃
발포제 E) 아조디카본아미드+요소계 분해 조제 함유품: 분해 온도 약 150℃
발포제 F) 아조디카본아미드+유기 아연 화합물 분해 조제 함유품: 분해 온도 약 150℃
발포제 G) 아조비스이소부티로니트릴: 분해 온도 약 103℃
요소계 분해 조제: 셀톤 NP(산쿄 가세이 가부시키가이샤 제조)
[발포제의 분해 온도 측정 방법]
발포제 분해 온도는 가스량 자동 측정 장치(TYPE CT-1)를 이용하여 발포제 1g/DOP 10ml, 2℃/분의 조건으로 측정하였다.
[스폰지 특성 측정법]
스폰지의 스폰지 경도(아스카 C형 고무 경도계로 측정), 스폰지 밀도(g/cm3)(JIS K 6249) 및 셀 크기(5mm2 범위 내의 평균 셀 지름, 유효 숫자 2자리)를 측정하고, 스폰지 셀의 상태를 육안 관찰하였다.

Claims (7)

  1. (A) 하기 평균 조성식 (I)로 표시되는 오가노폴리실록산
    R1 aSiO(4-a)/2 (I)
    (식중, R1은 동일 또는 이종의 비치환 또는 치환된 1가 탄화수소기, a는 1.95∼2.04의 양수임.): 100질량부,
    (B) 열분해에 의해 (A) 성분을 증점 또는 경화시키는 특성을 갖는 비시아노계 유기 아조 발포제: 0.1∼20질량부,
    (C) 아조디카본아미드계 발포제 및/또는 디니트로소펜타메틸렌테트라민계 발포제: 1∼50질량부,
    (D) 경화제
    를 함유하여 이루어지며, 상압 열풍 가교 발포가 가능한 실리콘 고무 스폰지 조성물.
  2. 제 1 항에 있어서, (B) 성분의 비시아노계 유기 아조계 발포제가, (A) 성분 100질량부에 (B) 성분 3질량부를 가한 후, 170℃에서 열분해시키면서 측정한 무니 점도 ML(1+4)가 (A) 성분 단체의 무니 점도에 대하여 100% 이상의 점도 상승을 나타내는 유기 발포체인 것을 특징으로 하는 실리콘 고무 스폰지 조성물.
  3. 제 1 항에 있어서, (B) 성분의 비시아노계 유기 아조 발포제 A가 1,1'-아조비스(시클로헥산-1-메틸카르복실레이트)인 것을 특징으로 하는 실리콘 고무 스폰지 조성물.
  4. 제 1 항에 있어서, (C) 성분의 아조디카본아미드계 발포제 및 디니트로소펜타메틸렌테트라민계 발포제의 분해 조제로서 요소, 산화아연 및 유기 아연 화합물로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상을 사용하는 것을 특징으로 하는 실리콘 고무 스폰지 조성물.
  5. 제 1 항에 있어서, (D) 성분의 경화제가, 히드록실화 촉매와 오가노하이드로젠폴리실록산과의 부가 반응계 경화제 단독, 유기 과산화물 단독 또는 부가 반응계 경화제와 유기 과산화물과의 병용계인 것을 특징으로 하는 실리콘 고무 스폰지 조성물.
  6. 제 1 항에 있어서, (E) 성분으로서 도전성 카본을 (A) 성분 100질량부에 대하여 1∼60질량부 첨가하여 도전성을 부여한 것을 특징으로 하는 실리콘 고무 스폰지 조성물.
  7. 제 1 항에 있어서, 경화되어 밀도가 0.3g/cm3 이하인 저밀도의 고발포 실리 콘 고무 스폰지를 형성하는 것을 특징으로 하는 실리콘 고무 스폰지 조성물.
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