KR20080055673A - Ｃｖｄ 챔버 세정을 위한 열적 ｆ2 에칭 공정 - Google Patents

Ｃｖｄ 챔버 세정을 위한 열적 ｆ2 에칭 공정 Download PDF

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KR20080055673A
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앤드류 데이비드 존슨
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Abstract

미리 희석시킨 불소를 사용하여, 반도체 공정 챔버 내에 바람직하지 못한 질화규소의 장치 표면을 세정하기 위한 열 처리 방법으로서,
(a) 챔버를 통해 불활성 기체 내에 미리 희석시킨 불소를 유동시키는 단계;
(b) 챔버를 230℃ 내지 565℃의 고온으로 유지하여 불소를 열 분해하는 단계;
(c) (b)단계에서 열 분해된 불소와 바람직하지 못한 질화규소의 화학반응에 의해 휘발성 반응 생성물을 형성하도록 하여 표면으로부터 바람직하지 못한 질화규소를 세정하는 단계; 및
(d) 챔버로부터 휘발성 반응 생성물 제거하는 단계를 포함하는 방법.

Description

ＣＶＤ 챔버 세정을 위한 열적 Ｆ2 에칭 공정{THERMAL F2 ETCH PROCESS FOR CLEANING CVD CHAMBERS}
저압 화학 기상 증착(LPCVD)은 집적 회로의 상보적 금속 산화물 반도체(CMOS) 제조 연속 단계의 일부로서 매우 중요한 역할을 하고 있다. 질화규소는 전형적으로 LPCVD에서, 고온벽 반응기(hot-wall reactor) 내의 디클로로-실란 (DCS)과 암모니아의 반응에 의해 퇴적된다. 반응의 주요 구동력은 650 - 850℃의 온도에서 작동할 수 있는 반응기로부터의 열 에너지이다. 그러나, 기술 노드가 130nm에서 32nm 까지 진행되기 때문에, 열적 비용이 심각한 문제가 된다. 이러한 문제를 둘러싸고, 반응에 적은 열 에너지가 필요한 새로운 LPCVD 전구체들이 도입되고 있다. 예컨대, 700℃에서 질화규소를 퇴적하기 위해 DCS 및 암모니아를 사용하는 대신, 비스(3차 부틸 아미노) 실란 (BTBAS), 디이소프로필 아민 실란 (DIPAS), 및 디에틸 아민 실란 (DEAS)과 같은 유기 아민 치환된 실란, 또는 비스-3차 부틸 아미노 실란과 함께 트리비닐 실란 및 테트라 알릴 실란과 같은 유기 치환된 실란을 600℃ 또는 그 미만의 온도에서 암모니아와 반응시키는 것이 열적 비용을 상당히 감소시키기 때문에, 유리하다. 이러한 방법에 의해 제조된 질화규소 필름은 웨이퍼 상뿐만 아니라 석영 반응기 및 반응기 구성요소들의 벽 상에도 퇴적된 다. 더욱이, 이러한 방법에 의해 제조된 질화규소 필름은 반응기 내의 누적 퇴적물로 인하여 필름 스폴링으로부터 장치 웨이퍼의 입자 오염을 높은 수준으로 야기할 수 있는 큰 인장 응력을 갖는다. 웨이퍼 오염을 방지하기 위하여, 질화물 반응로는 누적 퇴적물이 스폴링을 시작하기 전에 세정 되어야 한다. 더 높은 응력을 가지는 필름은 필름 스폴링에 의해 야기되는 입자 생성 때문에 LPCVD 반응기 및 웨이퍼 홀더를 더 많은 횟수 세정할 필요가 있다.
현재의 실무 기술은 실온까지 석영 튜브를 냉각한 후, 이를 분리하여, 습식 HF 에칭시킴으로써 질화규소 퇴적물의 LPCVD 반응기를 수동으로 세정하는 것이다. 이러한 습식 세정 과정에는 모두 8 내지 6 시간의 장치 정지 시간이 필요하다. 단지 제조 60 내지 90일 이후의 세정만이 필요한 DCS 질화물 반응로에 비하여, BTBAS 질화물 반응로는 전형적으로 조작 후 매 2일 마다의 세정을 필요로 한다. 따라서, 실제 대량 반도체 제조를 위한 유기 아민 치환된 실란 또는 유기 치환된 실란 질화물 공정에 대하여, 2-3 시간의 사이클 시간의 원위치(In-situ) 세정이 필요할 것이다. 더욱이, 유기 아민 치환된 실란 또는 유기 치환된 실란의 퇴적에는 500 - 600℃의 온도 범위가 요구된다. 따라서, 500℃ 내지 600℃ 온도 범위인 반응기 온도의 함수인 세정 시간이 더욱더 중요해진다.
본 발명의 참고문헌으로서 문헌[D. Foster, J. Ellenberger, R.B. Herring, A.D. Johnson, 및 C.L. Hartz, "저온 질화물 반응로의 주기적 세정을 위한 원위치 공정(In-situ process for periodic cleaning of low temperature nitride furnance)", Proceedings of 204 th Meeting of Electrochemical Society , Orlando FL. (The Electrochemical Society, Inc., Pennington, NJ, October 2003) p. 285-293]은 이 온도 범위에서 SiNx를 에칭하기 위해 20% NF3를 사용하고 있음을 기재하고 있으나, 에칭이 비교적 느리게 (550℃ 및 30 토르에서 0.02㎛/분) 이루어졌다. 실제 대량 반도체 제조를 위한 유기 아민 치환된 실란 또는 유기 치환된 실란 질화물 공정에 대하여, 약 500℃ 내지 600℃의 낮은 활성화 온도 범위에 의한 보다 효과적인 세정방법이 요구된다.
본 발명에 따른 일 실시예는 챔버를 통해 불활성 기체 내에 미리 희석시킨 불소를 유동시키는 단계; 챔버를 230℃ 내지 565℃의 고온으로 유지하여 불소를 열 분해하는 단계; 열적으로 활성화된 불소와 바람직하지 못한 질화규소의 화학반응에 의해 형성된 휘발성 반응 생성물 SiF4을 제거함으로써 CVD 챔버를 세정하는 단계를 포함한다. 본 발명의 다른 실시예에 있어서, 450℃ 내지 550℃의 고온이 사용될 수 있다.
본 발명에 따른 일 실시예의 개략도가 도 1에 도시되어 있다. 기구의 중심 구성요소는 반응기 튜브(1)로서, 니켈 201 합금과 튜브에 용접된 스테인리스 강철 융합 플랜지 끝 부분으로 이루어져 있다. 튜브는 외부 직경("O.D")이 2¼"이고, 튜 브의 중간에서 질화물 웨이퍼 쿠폰(3)을 붙잡고 있는 6 인치 X 1.5 인치 니켈 트레이(2)를 포함한다. 트레이(2)는 융합 플랜지를 제거함으로써 튜브(1)의 단부에서 삽입된다. 샘플의 온도를 올리는 데 사용되는 가열장치를 포함하는 고급 온도 시스템(Advanced Temperature Systems)으로 제조된 반응로(4)에 의해 반응기 튜브(1)가 둘러싸여 있다. 온도는 와트로우 PID 제어기(Watlow PID Controller)에 의해 제어된다. 고압 실린더로부터, 50 또는 100sccm의 유속으로, N2 내에 미리 희석시킨 20% F2를 유동시킴으로써 분자상태의 불소(5)가 반응기로 도입된다. 유동은 제어기[STEC 모델 3400 가열된 질량 유동 제어기(STEC model 3400 heated mass flow controller MFC)에 의해 제어된다. 반응기는 순수한 질소(6)에 의해, 각 실험 전후에 깨끗이 정화된다. 반응기 튜브 압력은 MKS 시스템에 의해 제조된 가열(100℃) 축전 용량식 유체 압력계(capacitance manometer) (1000 토르)에 의해 측정된다. 압력은 반응기의 산출량 측면에서 게이트 밸브(7)에 의해 시스템의 펌핑 속도를 조정함으로써 수동으로 제어된다. 시스템을 펌핑하기 위하여 알카텔 2단계 회전 펌프(8)(Alcatel two-stage rotary pump)가 사용된다.
DCS에 의해 퇴적된 질화규소 필름은 SiO2 층상의 약 1 마이크론 두께의 질화규소였다. 질화규소 웨이퍼는 약 2cm X 2cm의 작은 쿠폰(3)으로 붕괴한다. 쿠폰이 반응기에 위치하기 전에, 샘플을 유기 오염물을 제거하기 위하여, 암모니아-과산화물 용액(RCA-1 세정) 내에서 70℃의 온도로 10분간 먼저 세정하였다. 이후, 쿠폰을 5 - 10초 동안 0.5% HF 용액에 넣어 증가하였을지도 모르는 표면 산화물을 제거하 였다. 샘플을 린스, 건조하고, 반응기에 넣었다.
질화규소 샘플을 한쪽 끝 부분이 트레이로부터 약간 상승하고(~5mm), 쿠폰 정면이 가스 유동에 평행하도록 트레이 상의 열 반응기 중간에 위치시킨다. 반응기 튜브의 한쪽 끝 부분이 융합 진공 플랜지를 치환함으로써 밀봉된다. 수 회의 펌핑/진공 사이클을 수행하여 반응기로부터 대기 가스를 제거한다. 이후, 반응기를 100 sccm의 질소로 깨끗이 정화(purge)한다. 챔버가 일단 정화되면 반응로(4)가 턴-온(turn-on)되고, 2시간 내에 조작 온도에 이르게 되도록 프로그램된다. 일단 반응로가 설정 온도에 도달하게 되면, 내부 온도가 목표 온도에 확실히 도달하게 하기 위하여, 추가 2시간이 사용된다. 내부 온도는 챔버에 부착된 열전대 보호관(thermal couple well)에 의해 모니터된다. 반응기의 내부 온도가 목표치에 있으면, 질소 밸브를 닫고, 시스템을 정지하여, 압력이 100 밀리토르 미만(< 100 mtorr)으로 되게 한다. 기본 진공 레벨에 도달한 후, 불소 밸브가 열려 불소가 반응기로 도입된다. 더욱 심한 에칭 조건(더 높은 온도 및 압력)에 대해서는 1분, 보다 완화된 에칭 조건(더 낮은 온도 및 압력)에 대해서는 10분 이상까지 웨이퍼를 에칭한다. 불소 밸브를 잠그고, 즉시 챔버가 완전히 진공상태가 될 때까지 게이트 밸브(7)를 열고 휘발성 반응 생성물이 완전히 챔버로부터 펌핑하여 에칭을 정지시킨다. 에칭 시간은 질화규소가 불소 기체에 노출되는 시간에 따라 결정된다. 이 후, 샘플 쿠폰이 제거되기 전에 반응기를 냉각시킨다. 실제 반응 환경에 있어서는, 에칭 및 세정이 전형적인 조작 조건에서 행해진다.
질화규소 샘플을 반사측정법에 의하여 분석하여, 에칭 전후 필름 두께에 있 어서의 변화를 통해 에칭 속도를 결정한다. 에칭 속도는 나노미터에서 재질 두께의 변화를 에칭 시간으로 나누어 계산한다.
DOT 조절이 400psig 이하의 압력으로 실린더 내에 운반되는 순수한 불소를 제한하기 때문에, 희석(20% 이하) 분자 불소가 사용된다. 질소 또는 다른 불활성 기체로 희석된 불소는 이동되는 불소의 사용량을 최대화하면서, 불소로 인한 위험성을 감소시킨다. 이는 현실적으로 불소 발생기를 구비하지 않고도 챔버 세정을 위해 다량의 불소를 사용할 수 있게 한다.
실시예 1
실시예 1 에 있어서, 반응기 튜브를 400℃ 및 30 토르의 압력으로 유지하였다. N2 내에 미리 희석시킨 다양한 농도의 F2를 반응기 튜브에 넣었다. N2 내에 미리 희석시킨 20% F2로 에칭된 질화규소(SiN2)에 대한 에칭 속도 측정 결과를 F2 농도의 함수로 표 I에 나타내었다.
표 I F 2 농도의 함수로서 질화규소에 대한 에칭 속도
N 2 내 F 2 의 농도 온도(℃) 압력(토르) 에칭 속도( nm /분)
2.5 400 30 17
5 400 30 29
20 400 30 155
결과는 희석(20% 이하) 분자 불소가 낮은 열적 활성 온도를 갖는 것을 나타낸다. F2는 질화규소와 반응하여 챔버로부터 펌핑될 수 있는 SiF4를 형성한다. 에칭 속도는 2.5% F2에 대하여, 17nm/분, 5% F2에 대하여, 29nm/분, 및 20% F2에 대하 여, 155nm/분이다. 또한 결과는 고정된 온도 및 압력에서 F2 농도에 따라 에칭 속도가 증가하는 것을 나타내고 있다. 또한, 2.5% F2의 매우 낮은 농도에서도 400℃의 온도에서 에칭 속도가 0.017 ㎛/분을 나타내었으며, 이는 20% NF3에 대하여 550℃의 온도에서 0.02 ㎛/분의 에칭속도와 비교될 수 있는 것이다.
실시예 II
N2 내에 미리 희석시킨 20% F2에 의한 질화규소의 열 에칭 속도를 결정하기 위하여, 실험 디자인(DOE) 연구가 행하여졌다. DOE 연구의 파라미터 간격은 230℃ 내지 511℃의 온도 및 10 내지 103 토르의 압력이었다. 다양한 온도 및 압력에서 총 12회의 질화규소 에칭 속도가 결정되었다. N2 내에 미리 희석시킨 20% F2로 에칭된 질화규소(SiN2)에 대한 에칭 속도 측정 결과를 F2 농도의 함수로 표 II에 나타내었다. 결과는 희석(20% 이하) 분자 불소가 낮은 열적 활성 온도를 가지며, 230℃의 낮은 온도에서도 질화규소의 에칭이 일어남을 다시 한번 나타내고 있다.
F2는 질화규소와 반응하여 챔버로부터 펌핑될 수 있는 SiF4를 형성한다. 에칭 속도는 2.5% F2에 대하여, 17nm/분, 5% F2에 대하여 29nm/분, 및 20% F2에 대하여 155nm/분이다. 또한 결과는 고정된 온도 및 압력에서 F2 농도에 따라 에칭 속도가 증가하는 것을 나타내고 있다. 또한, 2.5% F2의 매우 낮은 농도에서도 400℃의 온도에서 에칭 속도가 0.017 ㎛/분을 나타내었으며, 이는 20% NF3 에 대하여 550℃ 의 온도에서 0.02 ㎛/분의 에칭속도와 비교될 수 있는 것이다.
표 Il 질화규소에 대한 에칭 속도
실험 번호 온도(℃) 압력(토르) _ 에칭 속도( nm /분)
1 230 51.5 11.2
2 231 101 17.6
3 234 10.3 6.6
4 262 103 60.2
5 374 100 236.9
6 378 55.8 139.7
7 403 31 290.9
8 404 30.5 271.2
9 405 30.4 205.9
10 510 100 770.3
11 511 10 629.2
12 511 51.8 713.1
데이터는 에칭속도가 온도에 매우 의존적이며, 압력에는 덜 의존적인 것을 나타내고 있다. 에칭속도는 300℃ 미만의 온도에서는 상대적으로 낮고, 500℃ 및 100 토르에서 600 nm/분 초과의 속도까지 급격히 증가한다.
실시예 Ill
실시예 2를 기초로 하여, 고정 압력 조건하에서, 다양한 온도 조건에 따른 미리 희석시킨 20% F2에 의한 질화규소의 열 에칭 속도 변화를 더 조사하였다. 이러한 일련의 실험 조건 설정에 있어서, 300℃ 내지 550℃의 온도 범위에서 N2 내의 20% F2에 의해 여러 열적 에칭 속도 실험이 수행되었다. 에칭 속도와 온도의 실험 데이터를 도2에 도시하였다.
20% F2에 의한 열 에칭 속도는 300℃에서 53nm/분이고, 400℃에서 139nm/분이며, 및 550℃에서 965nm/분까지 급격히 증가하였다. 데이터는 온도에 따라 에칭 속도가 기하급수적으로 증가하는 것으로 나타났으며, 이는 도 2의 지수 그래프에 의해서도 확인할 수 있다.
도 3은 N2 내에 미리 희석시킨 20% F2에 의해 BTBAS로 퇴적된 질화규소 필름의 열적 NF3 에칭 속도를 나타낸 그래프로서, 30 토르의 압력에서 500℃ 내지 600℃ 범위의 온도 함수로서 나타내었다. 데이터는 본 발명의 참고문헌[D. Foster, J. Ellenberger, R.B. Herring, A.D. Johnson, 및 C.L. Hartz, "저온 질화물 반응로의 주기적 세정을 위한 원위치 공정(In-situ process for periodic℃leaning of low temperature nitride furnances)", Proceedings of 204 th Meeting of Electrochemical Society , Orlando FL . (The Electrochemical Society, Inc., Pennington, NJ, October 2003) p. 285-293]으로부터 추론되었다. 실선은 지수 함수(exponential fitting)를 나타내었다.
20% NF 3 의 경우에도 질화규소 에칭 속도가 기하급수적인 증가를 나타내었지만, 이러한 20% NF3(~ 580℃)의 경우에 있어서 증가 윈도우는 20% F2(~ 370℃)의 경우 보다 약 200℃ 가량 더 높았다. 이는 차세대 질화규소 퇴적 공정이 580℃ 보다 상당히 아래의 온도에서 일어나기 때문에 매우 중요하다.
도 3에 도시한 바와 같이, 열적 20% NF3 에칭 속도는 300℃ 내지 600℃의 온도범위에서 열적 20% F2 에칭 속도(도 2에 도시)에 비하여 상당히 낮다. 예컨대, 500℃ 및 30 토르에서, 20% NF3 에칭 속도(~2 nm/분)는 20% F2 에칭 속도(~500 nm/ 분)에 비하여 동일한 온도 및 압력조건하에서 두 자리 이상의 차이로 더 낮다.
실험 결과는 희석(20% 이하) 분자 불소가 낮은 열적 활성 온도 및 더 높은 에칭 속도를 갖는 것을 나타낸다. 따라서, 희석(20% 이하) 분자 불소는 약 300℃ 내지 600℃의 낮은 열적 활성 온도범위에서, 반도체 공정 챔버 내의 바람직하지 못한 질화규소의 장치 표면을 세정하는 데 더 효과적이다.
실시예 4
에칭으로 인하여 발생할 수 있는 석영 반응기에 대한 잠재적인 손상을 측정하기 위하여, 실시예 2의 조건하에서, 석영 상의 20% F 2 및 100% NF 3 의 효과를 시험하는 실험이 수행되었다. 열적 F2 및 NF3 노출 후, 플레인 연마 석영(SiO2)의 표면 손상 및 질량 손실이 측정되었다. 이러한 측정은 질화물 선택에 있어서 평가 견적을 제공하며, 20% F2 및 100% NF3에 의한 석영 반응기의 잠재적 손상 가능성을 설명해 준다.
결과는 표 IV에 요약되어 있다. 550℃에서 불소로 에칭된 샘플은 10분간 에칭되었으며, 그외 나머지 모든 석영 샘플은 20분간 에칭되었다. 외관 관찰에 의하면, 20% 불소 에칭된 석영 단편은 400℃에서 에칭된 샘플의 경우, 매끈하고 약간 흐릿한 상태(hazy)부터, 550℃에서 에칭된 샘플의 경우 매우 흐릿한 상태까지의 외관을 나타내었다. 반면, 100% NF 3 에 의한 에칭의 경우, 흐릿하게 되는 것에 더하여, 석영 단편의 변색(갈색 흔적을 남김)이 일어났다. 상기 질화규소 에칭 속도 데이터 와 관련한 이러한 석영 에칭 속도 데이터는, 질화규소에 대한 에칭 속도가 20% F2의 경우 훨씬 더 높으면서도, 석영의 바람직하지 못한 에칭은 400℃에서 20% F 2 에 의한 경우와 550℃에서 100% NF 3 에 의한 경우가 비슷한 것을 나타내고 있다.
표 1V. 열적 F 2 및 NF 3 노출 후, 플레임 연마 석영의 표면의 품질 저하 및 에칭 속도
에칭 가스 온도 압력 % 에칭 속도 와관 표면 손상
(℃) (토르) (질량 손실 %/분)
공백 n/a nla n/a 매끈, 투명 외관
F2 550 50 0.496 매우 흐릿, 변색은 없음
F2 400 50 0.045 약간 흐릿, 변색은 없음
NF3 550 100 0.023 흐릿, 갈변
NF3 550 10 0.042 약간 흐릿, 갈변
본 발명의 상세한 설명에 있어서 특정하게 실시한 예들을 기재하였으나, 당해 기기술분야의 통사의 기술을 가진 자에 의해 해당 실시예 이외의 다양한 실시예들이 가능하며, 발명의 상세한 설명의 기재를 기초로 하여 세부적인 부분들에 대한 다양한 변형 및 응용이 가능하다. 따라서, 기재되어 있는 구체적인 실시형태가 첨부되는 특허 청구범위의 기재 및 그의 균등 범위인 본 발명의 범위를 제한하는 것은 아니다.
도 1은 본 발명을 위한 열적 F2 에칭 공정의 일례를 나타내는 개략도이다.
도 2는 30 토르에서 온도의 함수로서 N2 내에 미리 희석시킨 20% F2에 의한 질화규소의 열적 F2 에칭 속도를 나타내는 그래프이다.
도 3는 30 토르에서 온도의 함수로서 N2 내에 미리 희석시킨 20% NF3에 의한 질화규소의 열적 NF3 에칭 속도를 나타내는 그래프이다.

Claims (14)

  1. 미리 희석시킨 불소를 사용하여, 반도체 공정 챔버 내에 바람직하지 못한 질화규소의 장치 표면을 세정하기 위한 열 처리 방법으로서,
    (a) 챔버를 통해 불활성 기체 내에 미리 희석시킨 불소를 유동시키는 단계;
    (b) 챔버를 230℃ 내지 565℃의 고온으로 유지하여 불소를 열 분해하는 단계;
    (c) (b)단계에서 열 분해된 불소와 바람직하지 못한 질화규소의 화학반응에 의해 휘발성 반응 생성물을 형성하도록 하여 표면으로부터 바람직하지 못한 질화규소를 세정하는 단계; 및
    (d) 챔버로부터 휘발성 반응 생성물 제거하는 단계를 포함하는 방법.
  2. 제 1 항에 있어서, 불활성 기체 내에 미리 희석시킨 불소가 20% 이하의 불소농도를 가지는 것을 특징으로 하는 방법.
  3. 제 1 항에 있어서, 불활성 기체가 질소, 아르곤, 헬륨 및 그 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 방법.
  4. 제 1 항에 있어서, (e) 챔버 내 압력을 10 내지 101 토르의 압력으로 유지하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  5. 제 1 항에 있어서, 질화규소가 유기 아민 치환된 실란 또는 유기 치환된 실란과 암모니아의 반응에 의해 퇴적되는 것을 특징으로 하는 방법.
  6. 제 5 항에 있어서, 유기 아민 치환된 실란이 비스-3차 부틸 아민 실란 (BTBAS), 디이소프로필 아민 실란 (DIPAS) 및 디에틸 아민 실란 (DEAS)로 이루어진 군에서 선택되며; 유기 치환된 실란이 비스-3차 부틸 아미노 실란과 함께 트리비닐 실란 및 테트라 알릴 실란으로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 방법.
  7. 제 1 항에 있어서, 질화규소가 디클로로-실란(DCS)과 암모니아의 반응에 의해 퇴적되는 것을 특징으로 하는 방법.
  8. 미리 희석시킨 불소를 사용하여, 반도체 공정 챔버 내에 바람직하지 못한 질화규소의 장치 표면을 세정하기 위한 열 처리 방법으로서,
    (a) 챔버를 통해 불활성 기체 내에 미리 희석시킨 불소를 유동시키는 단계;
    (b) 챔버를 450℃ 내지 550℃의 고온으로 유지하여 불소를 열 분해하는 단계;
    (c) (b)단계에서 열 분해된 불소와 바람직하지 못한 질화규소의 화학반응에 의해 휘발성 반응 생성물을 형성하도록 하여 표면으로부터 바람직하지 못한 질화규 소를 세정하는 단계; 및
    (d) 챔버로부터 휘발성 반응 생성물 제거하는 단계를 포함하는 방법.
  9. 제 8 항에 있어서, 불활성 기체 내에 미리 희석시킨 불소가 20% 이하의 불소농도를 가지는 것을 특징으로 하는 방법.
  10. 제 8 항에 있어서, 불활성 기체가 질소, 아르곤, 헬륨 및 그 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 방법.
  11. 제 8 항에 있어서, (e) 챔버 내 압력을 10 내지 101 토르의 압력으로 유지하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  12. 제 8 항에 있어서, 질화규소가 유기 아민 치환된 실란 또는 유기 치환된 실란과 암모니아의 반응에 의해 퇴적되는 것을 특징으로 하는 방법.
  13. 제 12 항에 있어서, 유기 아민 치환된 실란이 비스-3차 부틸 아민 실란 (BTBAS), 디이소프로필 아민 실란 (DIPAS) 및 디에틸 아민 실란 (DEAS)로 이루어진 군에서 선택되며; 유기 치환된 실란이 비스-3차 부틸 아미노 실란과 함께 트리비닐 실란 및 테트라 알릴 실란으로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 방법.
  14. 제 8 항에 있어서, 질화규소가 디클로로-실란(DCS)과 암모니아의 반응에 의해 퇴적되는 것을 특징으로 하는 방법.
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