KR20080052614A - 프로브 카드 - Google Patents

Abstract

본 발명은 높은 주파수를 가지는 전기신호의 전송특성이 우수하고, 비용이 들지 않아 경제적인 프로브 카드를 제공하는 것이다. 이 목적을 위하여, 검사대상인 반도체 웨이퍼에 설치되는 복수의 전극에 접촉하여 전기신호의 입력 또는 출력을 행하는 복수의 프로브와, 상기 복수의 프로브를 수용하는 프로브 헤드와, 상기 프로브 헤드에 접촉 가능하고, 상기 프로브 헤드에 대향하는 표면의 근방에 상기 복수의 프로브와 접속하는 배선을 가지는 기판과, 상기 기판에 매립되어 상기 기판보다 열팽창 계수가 작은 소재로 이루어지는 코어층과, 상기 배선을 거쳐 상기 복수의 프로브의 적어도 일부와 외부의 장치를 전기적으로 접속하는 접속수단을 구비한다.

Description

프로브 카드{PROBE CARD}

본 발명은 검사대상인 반도체 웨이퍼의 복수의 영역에 대한 전기신호의 입력 또는 출력을 행하는 프로브 카드에 관한 것이다.

반도체의 검사공정에서는, 다이싱하기 전의 반도체 웨이퍼의 상태에서 도전성을 가지는 프로브를 콘택트시킴으로써 도통검사를 행하고, 불량품을 검출하는 경우가 있다(WLT : Wafer Level Test). 이 WLT를 행할 때에는, 검사장치(테스터)로부터 송출되는 검사신호를 반도체 웨이퍼에 전하기 위하여, 다수의 프로브를 수용하는 프로브 카드가 사용된다. 통상, WLT에서는, 반도체 웨이퍼상의 다이를 프로브 카드로 스캐닝하면서 프로브를 다이마다 개별로 콘택트시키나, 반도체 웨이퍼상에는 수백∼수만이라는 다이가 형성되어 있기 때문에, 하나의 반도체 웨이퍼를 테스트하기 위해서는 상당한 시간을 요하고, 다이의 수가 증가함과 동시에 비용의 상승을 초래하고 있었다.

이와 같은 WLT의 문제점을 해소하기 위하여, 최근에서는, 반도체 웨이퍼상의 모든 다이, 또는 반도체 웨이퍼상의 적어도 1/4∼1/2 정도의 다이에 프로브를 일괄하여 콘택트시키는 FWLT(Full Wafer Level Test)라는 방법도 사용되고 있다(예를 들면, 특허문헌 1을 참조). 이 FWLT에서는, 반도체 웨이퍼의 미세한 전극 패드에 프로브의 선단을 콘택트시키지 않으면 안되어, 프로브의 선단위치 정밀도나 프로브 카드와 반도체 웨이퍼를 얼라이먼트하는 기술이 필요하게 된다.

도 13은, 상기한 FWLT에서 적용되는 프로브 카드의 하나의 구성예를 나타내는 도면이다. 상기 도면에 나타내는 프로브 카드(51)는, 반도체 웨이퍼상의 전극 패드의 배치 패턴에 대응하여 설치된 복수의 프로브(52)와, 이 복수의 프로브(52)를 수용하는 프로브 헤드(53)와, 프로브 헤드(53)에서의 미세한 배선 패턴을 더욱 넓은 공간에서의 배선 패턴으로 변환하는 스페이스 트랜스포머(54)와, 스페이스 트랜스포머(54)로부터 나온 배선을 중계(中繼)하는 인터포저(55)와, 인터포저(55)로 중계된 배선(56)의 스페이스를 더욱 넓혀 검사장치의 단자에 접속하는 기판(57)을 구비한다.

이상의 구성을 가지는 프로브 카드(51)에서는, 스페이스 트랜스포머(54)가, 반도체 웨이퍼의 열팽창 계수와 기판(57)의 열팽창 계수와의 차를 완화하는 기능도 하고 있어, 이것에 의하여, 고온 환경하에서의 검사시에 위치 어긋남이 생기는 것을 방지하고 있었다.

[특허문헌 1]

일본국 특개2003-240801호 공보

그러나, 상기한 바와 같이 스페이스 트랜스포머를 사용하여 프로브 카드를 구성하는 경우에는, 스페이스 트랜스포머와 기판과의 접속에 의하여 전기적인 손실이 생기기 쉽고, 특히 높은 주파수를 가지는 전기신호의 전송특성에 문제가 생길 염려가 있었다. 또, 스페이스 트랜스포머와 인터포저를 설치함으로써, 부품점수가 많아지기 때문에, 조립 공정수도 많아져, 비용의 삭감이 어렵다는 문제도 있었다.

본 발명은 상기를 감안하여 이루어진 것으로, 높은 주파수를 가지는 전기신호의 전송특성이 우수하고, 비용이 들지 않아 경제적인 프로브 카드를 제공하는 것을 목적으로 한다.

상기한 과제를 해결하고, 목적을 달성하기 위하여 청구항 1에 기재된 발명은, 검사대상인 반도체 웨이퍼의 복수의 영역에 대한 전기신호의 입력 또는 출력을 행하는 프로브 카드로서, 상기 반도체 웨이퍼에 설치되는 복수의 전극에 접촉하여 전기신호의 입력 또는 출력을 행하는 복수의 프로브와, 상기 복수의 프로브를 수용하는 프로브 헤드와, 상기 프로브 헤드에 접촉 가능하고 상기 프로브 헤드에 대향하는 표면의 근방에 상기 복수의 프로브와 접속하는 배선을 가지는 기판과, 상기 기판에 매립되고, 상기 기판보다 열팽창 계수가 작은 소재로 이루어지는 코어층과, 상기 배선을 거쳐 상기 복수의 프로브의 적어도 일부와 외부의 장치를 전기적으로 접속하는 접속 수단을 구비한 것을 특징으로 한다.

청구항 2에 기재된 발명은, 청구항 1에 기재된 발명에서, 상기 접속수단은, 상기 기판의 두께방향으로서 상기 코어층이 매립되어 있지 않은 부분의 두께방향을 관통하여 이루어지는 관통구멍을 포함하는 것을 특징으로 한다.

청구항 3에 기재된 발명은, 청구항 1에 기재된 발명에서, 상기 접속수단은, 쌍을 이루어 서로 결합되는 제로 인서션 포스(zero insertion force)형의 수커넥터 및 암커넥터 중 어느 한쪽을 포함하는 것을 특징으로 한다.

청구항 4에 기재된 발명은, 청구항 3에 기재된 발명에서, 상기 기판은, 상기 수커넥터 및 상기 암커넥터 중 어느 한쪽을 삽입 고정하는 노치가 설치되어 이루어지는 것을 특징으로 한다.

청구항 5에 기재된 발명은, 청구항 3에 기재된 발명에서, 상기 기판은, 상기 수커넥터 및 상기 암커넥터 중 어느 한쪽을 장착하는 개구부가 설치되어 이루어지는 것을 특징으로 한다.

청구항 6에 기재된 발명은, 청구항 5에 기재된 발명에서, 상기 수커넥터 및 상기 암커넥터 중 어느 한쪽은, 쌍을 이루는 커넥터와 결합 가능한 제 1 커넥터와, 상기 개구부에 장착되어, 상기 배선과 전기적으로 접속함과 동시에 상기 제 1 커넥터에 결합되는 제 2 커넥터를 가지는 것을 특징으로 한다.

청구항 7에 기재된 발명은, 청구항 1 내지 청구항 6 중 어느 한 항에 기재된 발명에서, 상기 기판의 바깥 둘레에 장착되는 보강부재를 더 구비한 것을 특징으로 한다.

본 발명에 의하면, 검사대상인 반도체 웨이퍼에 설치되는 복수의 전극에 접촉하여 전기신호의 입력 또는 출력을 행하는 복수의 프로브와, 상기 복수의 프로브를 수용하는 프로브 헤드와, 상기 프로브 헤드에 접촉 가능하고 상기 프로브 헤드에 대향하는 표면의 근방에 상기 복수의 프로브와 접속하는 배선을 가지는 기판과, 상기 기판에 매립되고, 상기 기판보다 열팽창 계수가 작은 소재로 이루어지는 코어층과, 상기 배선을 거쳐 상기 복수의 프로브의 적어도 일부와 외부의 장치를 전기적으로 접속하는 접속수단을 구비함으로써, 높은 주파수를 가지는 전기신호의 전송특성이 우수하고, 비용이 들지 않아 경제적인 프로브 카드를 제공할 수 있다.

도 1은 본 발명의 실시형태 1에 관한 프로브 카드의 구성을 나타내는 평면도,

도 2는 도 1의 A-A 선을 지나는 단면구조의 일부를 나타내는 단면도,

도 3은 본 발명의 실시형태 1에 관한 프로브 카드가 구비하는 프로브 및 프로브 헤드 주요부의 구성을 나타내는 확대부분 단면도,

도 4는 본 발명의 실시형태 1의 변형예에 관한 프로브 카드의 구성을 나타내는 평면도,

도 5는 본 발명의 실시형태 2에 관한 프로브 카드의 구성을 나타내는 평면도,

도 6은 도 5의 B-B 선을 지나는 단면구조의 일부를 나타내는 단면도,

도 7은 본 발명의 실시형태 2에 관한 프로브 카드가 구비하는 수커넥터의 구성을 나타내는 도,

도 8은 도 7에 나타내는 수커넥터를 포함하는 프로브 카드의 개략구성을 나타내는 도,

도 9는 본 발명의 실시형태 3에 관한 프로브 카드의 구성을 나타내는 평면도,

도 10은 도 9의 D-D 선을 지나는 단면구조의 일부를 나타내는 단면도,

도 11은 본 발명의 실시형태 3에 관한 프로브 카드가 구비하는 수커넥터의 구성을 나타내는 도,

도 12는 도 11에 나타내는 수커넥터를 포함하는 프로브 카드의 개략구성을 나타내는 도,

도 13은 종래의 프로브 카드의 구성을 나타내는 도면이다.

※ 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명

1, 11, 12, 17, 51 : 프로브 카드 2, 52 : 프로브

3, 53 : 프로브 헤드 4, 4-2, 13, 18, 57 : 기판

5 : 유지부재 6, 14, 20 : 코어층

7 : 반도체 웨이퍼 8 : 단자

9 : 보강부재 15, 19 : 수커넥터

15a : 결합부 15b : 제 1 플랜지부

15c : 동체부 15d : 제 2 플랜지부

16 : 암커넥터 21 : 스프링부재

21a : 거칠게 감김부 21b : 조밀하게 감김부

22, 23 : 바늘형상체 22b, 23c : 보스부

22c : 축부 22a, 23a : 바늘형상부

23b : 플랜지부

31, 122, 152, 153, 172, 195, 196 : 구멍부

31a : 작은 지름 구멍 31b : 큰 지름 구멍

41, 56, 131, 181 : 배선 42 : 관통구멍

43, 132, 182 : 전극 54 : 스페이스 트랜스포머

55 : 인터포저 61, 81 : 나사

71 : 전극 패드 91 : 바깥 둘레부

92 : 스포크 93 : 중심부

101 : 웨이퍼 척 121 : 노치

151, 161, 193, 194 : 리드선 171 : 개구부

191 : 제 1 커넥터 191a : 제 1 결합부

191b : 제 3 플랜지부 191c : 제 2 결합부

192 : 제 2 커넥터 192a : 제 4 플랜지부

192b : 끼워 넣음부 201 : 단자자리

301 : 커넥터자리

이하, 첨부도면을 참조하여 본 발명을 실시하기 위한 최선의 형태(이후,「실시형태」라고 부른다)를 설명한다. 또한, 도면은 모식적인 것으로, 각 부분의 두께와 폭과의 관계, 각각의 부분의 두께의 비율 등은 현실의 것과는 다른 것에 유의해야 하며, 도면 상호간에 있어서도 서로의 치수의 관계나 비율이 다른 부분이 포함되어 있는 것은 물론이다.

(실시형태 1)

도 1은 본 발명의 실시형태 1에 관한 프로브 카드의 구성을 나타내는 평면도이다. 또, 도 2는 도 1의 A-A 선을 지나는 단면구조의 일부를 나타내는 단면도이 다. 이들 도면에 나타내는 프로브 카드(1)는, 검사대상에 대응하여 설치되는 복수의 프로브(2)(도전성 접촉자)와, 복수의 프로브(2)를 수용하는 원반형상의 프로브 헤드(3)와, 프로브 헤드(3)에 수용된 프로브(2)와 검사장치를 전기적으로 접속하는 배선 패턴을 가지고, 프로브 헤드(3)보다 지름이 큰 원반형상을 이루는 기판(4)과, 기판(4)에 고착되고, 프로브 헤드(3)를 유지하기 위하여 접시스프링 또는 판스프링 등에 의하여 형성되는 유지부재(5)와, 기판(4)의 내부에 매립되고, 기판(4)보다 열팽창 계수(CTE : Coefficient of Thermal Expansion)가 낮은 소재로 이루어지는 코어층(6)을 구비한다.

프로브 카드(1)는, 도 2에 나타내는 바와 같이, 검사장치의 단자자리(201)에 수용되는 단자(8)를 거쳐 외부장치인 검사장치 본체(도시 생략)에 전기적으로 접속된다. 단자(8)로서는, 스프링작용이 있는 포고핀 등이 적용되고, 이 단자(8)를 거쳐 소정의 전기신호의 송수신을 행함으로써, 반도체 웨이퍼(7)의 전기적인 특성이 측정된다. 또한, 도 2에서는 프로브(2)의 피접촉체인 반도체 웨이퍼(7)가, 검사장치의 웨이퍼 척(101)에 탑재된 상태를 나타내고 있다.

프로브(2)는, 일반적으로 원반형상을 이루는 반도체 웨이퍼(7)의 전극 패드의 배치 패턴에 대응하여 한쪽의 선단이 돌출하도록 설치되어 있고, 각 프로브(2)의 선단이 반도체 웨이퍼(7)의 복수의 전극 패드의 표면에 대하여 수직한 방향에서 맞닿는다.

프로브 헤드(3)에 수용되는 프로브(2)의 수나 배치 패턴은, 반도체 웨이퍼(7)에 형성되는 반도체 칩의 수나 전극 패드의 배치 패턴에 따라 정해진다. 예를 들면 직경 8 인치(약 200 mm)의 반도체 웨이퍼(7)를 검사대상으로 하는 경우에는, 수백∼수천개의 프로브(2)가 필요하게 된다. 또, 직경 12 인치(약 300 mm)의 반도체 웨이퍼(7)를 검사대상으로 하는 경우에는, 수천개∼수만개의 프로브(2)가 필요하게 된다.

도 3은 프로브(2) 및 프로브 헤드(3) 주요부의 구성을 나타내는 확대부분 단면도이다. 프로브(2)는, 도전성 코일 스프링에 의하여 형성된 스프링부재(21)와, 도전성 재료에 의하여 형성되고, 스프링부재(21)의 양쪽 끝부에 각각의 첨예단이 서로 상반되는 방향을 지향하도록 배치된 한 쌍의 바늘형상체(22, 23)를 가진다. 프로브(2)가 프로브 헤드(3)에 수용된 상태에서, 바늘형상체(22)는 스프링부재(21)보다 기판(4)측(도 3에서 연직 상측)에 위치하는 한편, 바늘형상체(23)는 스프링부재(21)보다 반도체 웨이퍼(7)측(도 3에서 연직 하측)에 위치한다.

바늘형상체(22)는, 기판(4)에 형성되는 전극(43)에 접촉하는 첨예단을 포함하는 바늘형상부(22a)와, 바늘형상부(22a)의 첨예단과 반대측의 기단(基端)부로부터 돌출하고, 바늘형상부(22a)의 지름보다 작은 지름을 가지는 보스부(22b)와, 보스부(22b)의 바늘형상부(22a)가 접하는 측과 반대측의 표면으로부터 연장 돌출하는 축부(22c)를 구비하고, 길이방향에 축대칭인 형상을 하고 있다. 이것에 대하여 바늘형상체(23)는, 반도체 웨이퍼(7)의 전극 패드(71)에 접촉하는 첨예단을 포함하는 바늘형상부(23a)와, 바늘형상부(23a)의 첨예단과 반대측의 기단부에 설치되고, 바늘형상부(23a)의 지름보다 큰 지름을 가지는 플랜지부(23b)와, 플랜지부(23b)의 바늘형상부(23a)가 접하는 측과 반대측의 표면에서 돌출하고, 플랜지부(23b)의 지름 보다 작은 지름을 가지는 보스부(23c)를 구비하고, 길이방향에 축대칭인 형상을 하고 있다.

스프링부재(21)는, 바늘형상체(22)측이 거칠게 감김부(21a)인 한편, 바늘형상체(23)측이 조밀하게 감김부(21b)이고, 거칠게 감김부(21a)의 끝부는 바늘형상체(22)의 보스부(22b)에 감겨지고, 조밀하게 감김부(21a)의 끝부는 바늘형상체(23)의 보스부(23c)에 감겨져 있다. 조밀하게 감김부(21a)와 보스부(23c)와의 사이 및 거칠게 감김부(21b)와 보스부(22b)와의 사이는, 스프링의 감김력 및/또는 납땜에 의하여 접합되어 있다. 프로브(2)는, 스프링부재(21)를 구비함으로써, 바늘형상체(22, 23)가 도 3에서 상하방향으로 탄발적으로 이동 가능하다. 이 중 바늘형상체(23)의 바늘형상부(23a)의 첨예단은, 반도체 웨이퍼(7)를 상승시킴으로써 전극 패드(71)에 접촉한다.

프로브 헤드(3)는, 예를 들면 세라믹재를 이용하여 형성되고, 반도체 웨이퍼(7)의 배열에 따라 프로브(2)를 수용하기 위한 구멍부(31)가 두께가 두꺼운 방향(도 3의 연직방향)으로 관통되어 있다. 구멍부(31)는, 도 3에서 아래 쪽, 즉 반도체 웨이퍼(7)측의 끝면으로부터, 적어도 바늘형상부(23a)의 길이방향의 길이보다 작은 소정의 길이에 걸쳐 작은 지름 구멍(31a)이 형성되어 있고, 그것 이외의 부분은 작은 지름 구멍(31a)보다 지름이 큰, 큰 지름 구멍(31b)이 작은 지름 구멍(31a)과 동축적으로 형성되어 있다. 또, 도 3에서도 분명한 바와 같이, 작은 지름 구멍(31a)의 내경은, 바늘형상체(23)의 바늘형상부(23a)의 외경보다 크고, 플랜지부(23b)의 외경보다 작다. 이와 같이 구멍부(31)가 단이 있는 구멍형상으로 형성 됨으로써, 프로브(2)를 구성하는 바늘형상체(23)가 구멍부(31)로부터 하측으로 빠져 나오는 것을 방지하고 있다.

또한, 프로브 헤드(3)를, 도 3의 연직방향에 따라 상하 2개의 부분으로 분할하여 구성하여도 된다. 이 경우에는, 나사와 위치 결정핀을 사용하여 2개의 부분을 체결하나, 프로브(2)의 초기 하중으로 하측의 판이 팽창되는 것을 방지하기 위하여, 하측으로 오는 부분의 두께가 상측으로 오는 부분의 두께보다 두꺼워지도록 설정한다. 이와 같이 분할함으로써, 프로브(2)의 교환 등이 용이해진다.

기판(4)은, 일반적인 PCB(Printed Circuit Board)기판에 적용되는 베이클라이트나 에폭시수지 등의 절연성 물질로 이루어진다. 이 기판(4)에는, 프로브 헤드(3)보다 약간 지름이 큰 원반형상을 이루는 코어층(6)이 매립되어 있다. 이 코어층(6)은, 기판(4)을 구성하는 절연성 물질보다 작은 열팽창 계수를 가지는 소재로 구성되어 있고, 구체적으로는 인바재나 코바르재(등록상표) 등으로 구성된다. 또, 코어층(6)으로서, 온도가 상승함과 동시에 수축을 일으키는 음의 열팽창 계수를 가지는 소재를 적용하는 것도 가능하다.

기판(4) 중, 코어층(6)보다 프로브 헤드(3)에 가까운 측, 즉 프로브 헤드(3)에 대향하는 표면의 근방에는, 프로브(2)와 검사장치를 전기적으로 접속하기 위한 배선(41)이 비아홀 등에 의하여 입체적으로 형성되어 있다. 이것에 대하여, 코어층(6)보다 프로브 헤드(3)로부터 먼측, 즉 검사장치측에는 배선이 설치되어 있지 않다. 이 의미에서, 기판(4)은 프로브 헤드(3)에 가까운 한쪽 면측에만 복수의 배선(41)으로 이루어지는 배선층(배선 패턴)이 형성되어 있다.

배선(41)의 한쪽 끝은, 기판(4)의 하단부에 형성되는 전극(43)을 거쳐 프로브 헤드(3) 내의 프로브(2)의 바늘형상체(22)에 접속되는 한편, 그 배선(41)의 다른쪽 끝은, 기판(4)의 바깥 가장자리부 부근에 기판(4)의 두께방향, 즉 도 2의 연직방향과 평행한 방향으로 기판(4)을 관통하여 형성된 복수의 관통구멍(42) 중 어느 하나에 접속되어 있다. 또한, 도 2에서는 기재를 간략하게 하기 위하여, 일부의 배선(41)만을 나타내고 있다.

일반적으로 프로브 카드(1)를 사용하여 검사를 행할 때에는, 번인 테스트 등과 같이 상온보다 고온 환경하에서 반도체 웨이퍼(7)를 검사하는 경우가 있기 때문에, 반도체 웨이퍼(7)의 열팽창 계수와 프로브 헤드(3)나 기판(4)의 열팽창 계수가 가능한 한 가까운 쪽이 바람직하다. 예를 들면, 실리콘을 주성분으로 하는 반도체 웨이퍼(7)(실리콘 웨이퍼)의 열팽창 계수는 3.4(ppm/℃)정도인 것에 대하여, 기판(4)의 열팽창 계수는 12∼15(ppm/℃)정도이기 때문에, 정밀도가 좋은 검사를 행하기 위해서는 그 차를 완화할 필요가 있다. 본 실시형태 1에서는, 열팽창율이 기판(4)보다 현저하게 낮은 재질(음의 열팽창율을 가지는 재질을 포함한다)을 코어층(6)으로서 기판(4)에 매립하여 적층함으로써, 열팽창 계수의 차를 완화한다. 기판(4)과 코어층(6)과의 두께의 관계나 구체적인 재질은, 반도체 웨이퍼(7)의 열팽창 계수와 프로브 카드(1) 전체로서의 열팽창 계수의 관계나, 검사를 행하는 환경 등의 조건에 따라 최적화하면 된다.

또한, 반도체 웨이퍼(7)의 열팽창 계수와 프로브 카드(1) 전체의 열팽창 계수는 완전히 일치하지 않아도 되고, 반도체 웨이퍼(7)의 전극 패드(71)와 프로 브(2)와의 사이의 전기적 접속에 지장이 없을 정도로 그 차가 완화되어 있으면 된다. 또 모든 온도조건하에서 열팽창 계수의 정합을 도모할 필요는 없고, 검사시의 온도조건하에서 프로브 카드(1)와 반도체 웨이퍼(7)와의 열팽창의 정도가 검사의 정밀도에 영향을 미치지 않을 정도로 적합하여 있으면 된다.

이상의 구성을 가지는 프로브 카드(1)에서, 코어층(6)은 프로브 헤드(3)가 고정되어 있는 원반의 중앙부 부근에만 형성되어 있고, 검사장치의 단자(8)가 맞닿는 기판(4)의 바깥 둘레부에는 코어층(6)이 없다. 이 때문에 기판(4)의 바깥 둘레부에는, 그 두께가 두꺼운 방향(도 2의 연직 상하방향)으로 관통하는 관통구멍(42)을 용이하게 형성할 수 있고, 도 13에 나타내는 종래의 프로브 카드(51)와 같이, 배선(41)을 단자(8)측까지 연장함으로써 검사장치와의 접속을 확립할 필요가 없어진다. 이 결과, 기판(4)을 구성하기 위한 공정수도 적어도 된다. 따라서 반도체 웨이퍼(7)와의 사이의 열팽창 계수의 차이를 해소하고, 검사시의 온도환경하에서 생길 수 있는 위치 어긋남을 방지하여, 더욱 정밀도가 높은 검사를 실현하는 것이 가능하게 된다.

관통구멍(42)을 형성할 때에는, 펀칭가공, 레이저가공, 전자빔가공, 이온빔가공, 와이어방전가공, 프레스가공, 와이어컷가공, 또는 에칭가공 등을 적용하는 것이 가능하다. 이 관통구멍(42)의 배치 패턴은, 도 1에 나타내는 경우에 한정되는 것은 아니다.

그런데 기판(4)에서의 배선층을 한쪽 면에만 설치한다는 의미에서는, 코어층(6)과 다른 기판(4)을 이루는 층과의 표면적을 동일하게 취하여, 코어층(6)을 완 전한 샌드위치상태로 하는 것도 생각할 수 있으나, 이 경우에는 다음과 같은 문제가 있다.

(1) 상기와 같은 특성을 가지는 코어층(6)을 통과하는 관통구멍을 형성하는 것은 기술적으로 곤란하다.

(2) 검사장치에 배선하는 전극이 프로브 헤드(3)에 접하는 표면측에 형성되기 때문에, 이들을 반대측 표면, 즉 검사장치측의 표면까지 배선하는 것은, 단자의 수가 수백∼수만에도 미치기 때문에 현실적이지 않다.

본 실시형태 1에서는, 코어층(6)을, 프로브 헤드(3)상부와 같이 조정이 가장 필요하게 되는 부분에만 형성하고, 기판(4)의 바깥 둘레부에는 코어층(6)을 매립하고 있지 않기 때문에, 그 바깥 둘레부에 관통구멍(42)을 간단하게 형성할 수 있다. 또한 관통구멍(42)을 거쳐 프로브(2)가 돌출하는 것과 반대측 표면에서 검사장치의 단자(8)에 접속할 수 있기 때문에, 단자의 수가 많아도 용이하게 배선을 행할 수 있다.

또한, 도 2에서는 프로브(2)와 단자(8)는, 배선(41) 및 관통구멍(42)을 거쳐 1 대 1로 대응하고 있는 것처럼 기재되어 있으나, 프로브(2) 중에는, 그라운드를 취하기 위한 프로브나, 전력을 공급하기 위한 프로브도 포함된다(도시 생략). 이 때문에, 프로브(2)에 접속되는 배선(41) 중에는, 그라운드층이나 전원층에 접속되는 것도 있어, 모두가 검사장치에 접속된다고는 한정하지 않는다.

이상 설명한 본 발명의 실시형태 1에 의하면, 검사대상인 반도체 웨이퍼에 설치되는 복수의 전극에 접촉하여 전기신호의 입력 또는 출력을 행하는 복수의 프 로브와, 상기 복수의 프로브를 수용하는 프로브 헤드와, 상기 프로브 헤드에 접촉 가능하고 상기 프로브 헤드에 대향하는 표면의 근방에 상기 복수의 프로브와 접속하는 배선을 가지는 기판과, 상기 기판에 매립되고, 상기 기판보다 열팽창 계수가 작은 소재로 이루어지는 코어층과, 상기 배선을 거쳐 상기 복수의 프로브의 적어도 일부와 외부의 장치를 전기적으로 접속하는 접속수단(배선에 연결되는 관통구멍을 포함한다)을 구비함으로써, 도 13에 나타내는 종래의 프로브 카드(51)와 같이 스페이스 트랜스포머를 사용하지 않고 프로브 카드를 구성할 수 있다. 따라서 높은 주파수를 가지는 전기신호의 전송특성이 우수하기 때문에, 고속신호 테스트를 고정밀도로 행할 수 있다. 또 부품점수가 적어 조립이 용이해지기 때문에, 비용을 줄일 수 있어 경제적이다.

아울러, 본 실시형태 1에서는, 기판 내에 코어층을 매립하여 열팽창의 정도를 반도체 웨이퍼의 열팽창의 정도에 근접함으로써, 검사시의 기판에 위치 어긋남이나 휘어짐이 생기는 것을 방지하고 있다. 이 결과, 모든 프로브의 반도체 웨이퍼에의 균일한 콘택트를 실현할 수 있고, 프로브 사이의 마모의 정도에 차가 생기는 것을 방지할 수 있으며, 각 프로브의 내구성을 향상시키는 것이 가능해진다.

(실시형태 1의 변형예)

도 4는, 본 실시형태 1의 하나의 변형예에 관한 프로브 카드의 구성을 나타내는 평면도이다. 상기 도면에 나타내는 프로브 카드(11)는, 기판(4)과 동일한 구성을 가지는 기판(4-2)에 대하여 보강부재(9)를 장착하고 있다. 이 보강부재(9)는, 기판(4-2)의 바깥 둘레에 끼워 맞춰지는 원형의 바깥 둘레부(91)와, 바깥 둘레 부(91)의 안쪽 면으로부터 바깥 둘레부(91)가 이루는 원의 중심방향으로 연장 돌출하는 스포크(92)와, 바깥 둘레부(91)가 이루는 원과 동일한 중심을 가지는 원반형상을 이루고, 스포크(92)를 거쳐 바깥 둘레부(91)와 접속되어 있는 중심부(93)를 구비한다.

이 보강부재(9)를 장착할 때에는, 기판(4-2)의 검사장치 접속측(도 1의 이면측)으로부터 보강부재(9)를 장착하고, 나사를 거쳐 스포크(92)나 중심부(93)를 기판(4-2)에 고착한다(도 4에서는 간단하게 하기 위하여 나사를 1개소만 기재). 이 경우, 스포크(92)나 중심부(93)가 장착되는 부분에 기판(4-2)의 관통구멍(42)이 겹치지 않도록 되어 있으면 더욱 바람직하다. 이상의 구성을 가지는 보강부재(9)로서는, 알루마이트 마무리를 행한 알루미늄, 스테인리스, 인바재, 코바르재(등록상표), 두랄루민 등 강성이 높은 소재가 적용된다.

이상 설명한 본 실시형태 1의 하나의 변형예에 의하면, 상기 실시형태 1과 동일한 효과에 더하여, 보강부재에 의하여 기판의 강성을 높임으로써, 프로브가 반도체 웨이퍼에 콘택트할 때의 프로브 카드의 변형을 더욱 확실하게 방지하는 것이 가능해진다.

(실시형태 2)

도 5는, 본 발명의 실시형태 2에 관한 프로브 카드의 구성을 나타내는 평면도이다. 또, 도 6은 도 5의 B-B 선을 지나는 단면구조의 일부를 나타내는 단면도이다. 이들 도면에 나타내는 프로브 카드(12)는, 검사대상에 대응하여 설치되는 복수의 프로브(2)와, 복수의 프로브(2)를 수용하는 원반형상의 프로브 헤드(3)와, 프로브 헤드(3)보다 지름이 큰 원반형상을 이루는 기판(13)과, 기판(13)에 고착되고, 프로브 헤드(3)를 유지하기 위하여 접시스프링 또는 판스프링 등에 의하여 형성되는 유지부재(5)와, 기판(13)의 내부에 기판(13)과 동일한 표면적을 가지도록 적층되어 매립되고, 기판(13)보다 열팽창 계수가 낮은 소재로 이루어지는 코어층(14)과, 검사장치와의 접속을 행하기 위하여 기판(13)의 중심에 대하여 방사상으로 설치되는 복수의 수커넥터(15)를 구비한다.

수커넥터(15)는, 검사장치의 커넥터자리(301)에서 대향하는 위치에 설치되는 암커넥터(16)와 쌍을 이루고, 프로브(2)와 검사장치와의 전기적인 접속을 확립한다. 본 실시형태 2에서는, 쌍을 이루는 수커넥터(15)와 암커넥터(16)로 구성되는 커넥터로서 제로 인서션 포스(ZIF : Zero Insertion Force)형 커넥터를 적용한다. 이 ZIF 형 커넥터는, 쌍을 이루어 서로 결합하는 커넥터끼리를 끼우고 뺄때에, 외력을 거의 필요로 하지 않는 타입의 커넥터이고, 커넥터끼리를 결합한 후에 외력에 의하여 압접력(壓接力)을 가함으로써, 서로의 접속단자의 접촉을 도모하는 것이다. 이와 같은 ZIF형 커넥터로서는, 일반적인 ZIF형 커넥터를 적용할 수 있다(예를 들면, 일본국 실개평7-42043호 공보, 특개2000-208570호 공보 등을 참조).

도 7은 본 실시형태 2에서 사용되는 ZIF형의 수커넥터(15)의 개략 구성을 나타내는 도면이다. 상기 도면에 나타내는 바와 같이, 수커넥터(15)는, 기판(13)[및 코어층(14)]에 형성된 노치(121)에 설치되는 것으로, 측면에 복수의 리드선(151)이 노출되어 검사장치측의 암커넥터(16)와 결합하는 결합부(15a)와, 결합부(15a)의 기단부에 형성되고, 기판(13)에 설치되었을 때에 기판(13)의 한쪽 면(도 7의 상면)에 위치하고, 노치(121)로부터의 탈락 방지기능을 하는 제 1 플랜지부(15b)와, 노치(121)의 내부에 삽입되는 동체부(15c)와, 동체부(15c)측의 표면에 복수의 리드선(151)이 노출됨과 동시에, 기판(13)에 설치되었을 때에 기판(13)의 다른쪽 면(도 7의 바닥면)에 위치하여 노치(121)로부터의 탈락 방지기능을 하는 제 2 플랜지부(15d)를 구비한다. 제 1 플랜지부(15b) 및 제 2 플랜지부(15d)의 대향하는 표면끼리는 대략 동일한 면적을 가지고 있고, 제 1 플랜지부(15b) 및 제 2 플랜지부(15d)의 각 표면의 소정의 위치에는, 복수의 나사 삽입용 구멍부(152, 153)가 각각 형성되어 있다(도 7에서는 4개씩).

수커넥터(15)를 기판(13)에 설치할 때에는, 도 7에 나타내는 바와 같이 기판(13)의 바깥 둘레측으로부터 기판(13)의 중심방향으로 수커넥터(15)를 슬라이드하여 삽입 고정한 후, 기판(13)에 설치된 구멍부(122)와 상기한 구멍부(152, 153)를 얼라이먼트 핀 등을 이용하여 위치 맞춤하고, 대응하는 구멍부(122, 152, 153)에 대하여 나사(61)를 나사 결합함으로써, 수커넥터(15)를 기판(13)에 대하여 고착한다[도 7에서는 간단하게 하기 위하여 하나의 나사(61)만 기재]. 이에 의하여 리드선(151)이 전극(132)에 강하게 가압되기 때문에, 배선(131)과 리드선(151)을 확실하게 접속시킬 수 있다. 또한, 수커넥터(15)를 교환 가능하게 하기 위하여, 리드선(151)의 전극(132)에 대한 납땜은 행하지 않고 그냥 둔다.

도 8은, 수커넥터(15)를 포함하는 프로브 카드(12)의 개략 구성을 나타냄과 동시에 검사장치의 커넥터자리(301)에 설치된 암커넥터(16)의 개략 구성을 나타내는 도면이고, 도 6의 C-C선 단면도이다. 이 도 8에 나타내는 바와 같이, 수커넥 터(15)는, 제 2 플랜지부(15d)의 상면에 노출되어 있는 리드선(151)이, 기판(13)의 전극(132)을 거쳐 기판(13) 내의 배선(131) 중 어느 하나와 접속하고 있다. 리드선(151)은, 동체부(15c)의 내부로부터 제 1 플랜지부(15b)를 경유하여 결합부(15a)의 바깥쪽 면에 도달하고, 외부에 노출되어 있다. 한편, 암커넥터(16)의 오목형 형상을 이루는 안쪽 면에도 복수의 리드선(161)이 노출되어 있고, 수커넥터(15)와 암커넥터(16)를 결합하였을 때에, 리드선(151)과 리드선(161)이 접촉함으로써 프로브 카드(12)와 검사장치와의 전기적인 접속이 확립된다.

수커넥터(15)가 가지는 제 1 플랜지부(15b)는, 상기한 바와 같이 기판(13)으로부터의 탈락 방지기능을 할 뿐만 아니라, 암커넥터(16)를 접촉시킨 후, 소정의 기구에 의하여 양 커넥터를 고착 결합시킬 때에, 자신에게 가해지는 외력에 저항하여 암커넥터(16)와의 확실한 결합을 실현시키는 기능을 하고 있다.

이상 설명한 본 발명의 실시형태 2에 의하면, 검사대상인 반도체 웨이퍼에 설치되는 복수의 전극에 접촉하여 전기신호의 입력 또는 출력을 행하는 복수의 프로브와, 상기 복수의 프로브를 수용하는 프로브 헤드와, 상기 프로브 헤드에 접촉 가능하고 상기 프로브 헤드에 대향하는 표면의 근방에 상기 복수의 프로브와 접속하는 배선을 가지는 기판과, 상기 기판에 매립되고, 상기 기판보다 열팽창 계수가 작은 소재로 이루어지는 코어층과, 상기 배선을 거쳐 상기 복수의 프로브의 적어도 일부와 외부의 장치를 전기적으로 접속하는 접속수단(ZIF형 커넥터의 수커넥터를 포함한다)을 구비함으로써, 상기 실시형태 1과 마찬가지로, 높은 주파수를 가지는 전기신호의 전송특성이 우수하고, 비용이 들지 않아 경제적인 프로브 카드를 제공 하는 것이 가능해진다.

또, 본 실시형태 2에 의하면, 접속수단으로서 ZIF형 커넥터를 적용함으로써, 프로브의 수가 많아 스프링작용이 있는 단자에서는 반력이 방대해져 프로브 카드나 테스터에 가해지는 스트레스가 커지는 경우이어도, 스트레스를 발생시키지 않고 확실한 전기적 접속을 얻을 수 있다. 따라서, 프로브의 수가 많아 배선이 복잡한 프로브 카드의 경우에도, 도통 불량이나 프로브의 열화가 생기기 어렵게 되어, 프로브 카드의 내구성을 향상시킬 수 있다.

또한, 본 실시형태 2에서는, 코어층의 표면적을 기판의 표면적과 동일한 정도만큼 취할 수 있기 때문에, 기판의 형성이 간단함과 동시에, 반도체 웨이퍼와의 열팽창 계수의 적합을 도모하는 것이 한층 용이해진다.

또한, 본 실시형태 2에서도, 상기 실시형태 1에서 설명한 것과 동일한 구성을 가지는 보강부재를 기판에 장착할 수 있다. 특히 본 실시형태 2의 경우에는, 기판의 바깥 둘레부에 노치가 설치되어 있기 때문에, 기판의 소재에 따라서는 강도적인 문제가 생길 가능성도 있다. 이 의미에서 보강부재를 장착하면, 염려되는 강도상의 문제의 발생을 방지하고, 기판에 대하여 적절한 강도를 부여하는 것이 가능해진다.

또, 수커넥터의 형상이나 기판에 대한 배치위치는 반드시 상기한 것에 한정되는 것은 아니고, 그 형상이나 배치위치에 따라, 검사장치측에 설치되는 암커넥터의 형상이나 배치위치도 변경된다.

(실시형태 3)

도 9는, 본 발명의 실시형태 3에 관한 프로브 카드의 구성을 나타내는 평면도이다. 또, 도 10은 도 9의 D-D선을 지나는 단면구조의 일부를 나타내는 단면도이다. 이들 도면에 나타내는 프로브 카드(17)는, 검사대상에 대응하여 설치되는 복수의 프로브(2)와, 복수의 프로브(2)를 수용하는 원반형상의 프로브 헤드(3)와, 프로브 헤드(3)보다 지름이 큰 원반형상을 이루는 기판(18)과, 기판(18)에 고착되고, 프로브 헤드(3)를 유지하기 위하여 접시스프링 또는 판스프링 등에 의하여 형성되는 유지부재(5)와, 기판(18)의 내부에 기판(18)과 동일한 표면적을 가지도록 적층되어 매립되고, 기판(18)보다 열팽창 계수가 낮은 소재로 이루어지는 코어층(20)과, 검사장치와의 접속을 행하기 위하여 기판(18)의 중심에 대하여 방사상으로 설치되는 복수의 ZIF 형의 수커넥터(19)를 구비한다.

도 11은 수커넥터(19)의 개략 구성을 나타내는 도면이다. 상기 도면에 나타내는 수커넥터(19)는, 2개의 커넥터가 조립되어 이루어진다. 더욱 구체적으로는, 수커넥터(19)는, 쌍을 이루는 암커넥터(16)와 결합 가능한 제 1 커넥터(191)와, 기판(18)[및 코어층(20)]에 형성된 개구부(171)에 장착되고, 기판(18)의 배선(181)과 전기적으로 접속함과 동시에 제 1 커넥터(191)와 결합하는 제 2 커넥터(192)가 조합하여 이루어진다.

제 1 커넥터(191)는, 암커넥터(16)에 장착되어 결합하는 볼록형상의 제 1 결합부(191a)와, 기판(18)에 설치되었을 때에 기판(18)의 한쪽 표면(도 11에서 상면)에 위치하는 제 3 플랜지부(191b)와, 제 2 커넥터(192)에 결합되는 볼록형상의 제 2 결합부(191c)를 구비한다. 제 1 결합부(191a) 및 제 2 결합부(191c)의 각 측면 에는 복수의 리드선(193)이 노출되어 있다. 한편, 제 2 커넥터(192)는, 기판(18)에 설치하였을 때에 기판(18)의 다른쪽 표면(도 11에서 하면)에 위치하는 제 4 플랜지부(192a)와, 제 1 커넥터(191)의 제 2 결합부(191c)를 끼워 넣어 결합하는 오목형상의 끼워 넣음부(192b)를 구비한다. 제 4 플랜지부(192a)의 상면 및 끼워 넣음부(192b)의 안쪽 면에는 복수의 리드선(194)이 노출되어 있다.

도 12는 수커넥터(19)를 포함하는 프로브 카드(17)의 개략 구성을 나타냄과 동시에 검사장치의 커넥터자리(301)에 설치된 ZlF형의 암커넥터(16)의 개략 구성을 나타내는 도면으로, 도 10의 E-E선 단면도이다. 이 도 12에 나타내는 바와 같이, 제 2 커넥터(192)는, 제 4 플랜지부(192a)의 상면에 노출되어 있는 리드선(194)이, 기판(18)의 전극(182)을 거쳐 기판(18) 내의 배선(181) 중 어느 하나와 접속하고 있다. 리드선(194)은 제 2 커넥터(192)의 끼워 넣음부(192b)의 안쪽 면에서 제 1 커넥터(191)의 제 2 결합부(191c)의 표면에 노출되는 리드선(193)과 접촉한다. 이 리드선(193)은, 제 2 결합부(191c)로부터 제 3 플랜지부(191b)를 경유하여 제 1 결합부(191a)의 바깥쪽 면에 도달하여 외부로 노출된다. 그리고 상기 실시형태 2와 마찬가지로, 수커넥터(19)를 암커넥터(16)에 삽입 고정하였을 때에, 암커넥터(16)의 오목형 형상을 이루는 안쪽 면에 노출되는 리드선(161)에 접촉함으로써 프로브 카드(17)와 검사장치와의 전기적인 접속을 확립한다.

또한, 제 2 결합부(191c)의 표면과 끼워 넣음부(192b)의 안쪽 면에 금도금을 실시하여 두어도 된다. 이에 의하여, 제 1 커넥터(191)와 제 2 커넥터(192)를 결합하였을 때의 수커넥터(19) 전체의 전기적인 특성을 더욱 양호한 것으로 할 수 있 다.

수커넥터(19)를 기판(18)에 설치할 때에는, 개구부(171)에 제 2 커넥터(192)의 끼워 넣음부(192b)를 장착한 후, 이 끼워 넣음부(192b)에 제 1 커넥터(191)의 제 2 결합부(191c)를 끼워 맞추고, 제일 마지막에 제 1 커넥터(191)에 설치된 구멍부(195), 기판(18)에 설치된 구멍부(172) 및 제 2 커넥터(192)에 설치된 구멍부(196)에 대하여 나사(81)를 나사 결합한다[도 11에서는 간단하게 하기 위하여 하나의 나사(81)만 기재]. 이 설치를 행함으로써, 리드선(194)은 전극(182)에 강하게 가압되기 때문에, 배선(181)과 리드선(194)을 확실하게 접속시킬 수 있다. 또한 여기서도 수커넥터(19)를 교환 가능하게 하기 위하여, 리드선(194)의 전극(182)에 대한 납땜은 행하지 않고 그냥 둔다.

이상 설명한 본 발명의 실시형태 3에 의하면, 검사대상인 반도체 웨이퍼에 설치되는 복수의 전극에 접촉하여 전기신호의 입력 또는 출력을 행하는 복수의 프로브와, 상기 복수의 프로브를 수용하는 프로브 헤드와, 상기 프로브 헤드에 접촉 가능하고 상기 프로브 헤드에 대향하는 표면의 근방에 상기 복수의 프로브와 접속하는 배선을 가지는 기판과, 상기 기판에 매립되고, 상기 기판보다 열팽창 계수가 작은 소재로 이루어지는 코어층과, 상기 배선을 거쳐 상기 복수의 프로브의 적어도 일부와 외부의 장치를 전기적으로 접속하는 접속수단(ZIF형 커넥터의 수커넥터를 포함한다)을 구비함으로써, 상기 실시형태 2와 마찬가지로, 높은 주파수를 가지는 전기신호의 전송특성이 우수하고, 비용이 들지 않아 경제적인 프로브 카드를 제공하는 것이 가능해진다.

또, 본 실시형태 3에 의하면, 수커넥터를 2개의 커넥터로 분할하여 구성함으로써, 상기 실시형태 2와 같은 노치를 기판에 형성하는 대신에 기판에 개구부를 설치하면 되기 때문에, 기판의 강성을 높게 취한다는 의미에서는 더욱 바람직한 효과를 얻을 수 있다. 또, 기판의 그라운드층이나 전원층이 기판의 바깥 둘레부에서 끊어지는 일 없이 연결하여 둘 수 있기 때문에, 리턴 전류의 경로가 확보되고, 높은 주파수를 가지는 전기신호의 전송특성을 한층 양호하게 할 수 있다.

또한, 본 실시형태 3에서도, 기판의 강성을 높이기 위하여, 상기 실시형태 1에서 설명한 것과 동일한 구성을 가지는 보강부재를 기판에 장착하여도 된다.

또, 상기 실시형태 2와 마찬가지로, 수커넥터의 형상이나 기판에 대한 배치위치가 반드시 상기한 것에 한정되는 것은 아니고, 그 형상이나 배치위치에 따라, 검사장치측에 설치되는 암커넥터의 형상이나 배치위치도 변경된다.

(그 밖의 실시형태)

여기까지 본 발명을 실시하기 위한 최선의 형태로서, 실시형태 1 내지 실시형태 3을 상세하게 설명하였으나, 본 발명은 그것들 3개의 실시형태에 의해서만 한정되어야 하는 것은 아니다. 예를 들면 본 발명에 관한 프로브 카드는 원반형상 이외의 형상을 이루는 기판이나 프로브 헤드를 구비하여도 되고, 그것들의 형상은 검사대상의 형상 또는 전극 패드의 배치 패턴에 의하여 변경 가능하다.

또, 본 발명에 관한 프로브 카드에 적용되는 프로브도, 도 3을 참조하여 설명한 프로브(2)에 한정되는 것은 아니다. 즉, 본 발명에 관한 프로브 카드는, 종래 알려져 있는 여러가지 종류의 프로브 중 어느 하나를 사용하여 구성하는 것이 가능하다.

또한, 상기 실시형태 2 및 3에서는, 기판에 ZIF형의 수커넥터를 장착하는 경우를 설명하였으나, 기판에 ZIF형의 암커넥터를 장착하도록 하여도 된다. 이 경우에는, 커넥터자리에 수커넥터가 장착되는 것은 물론이다.

이와 같이 본 발명은, 여기서는 기재하고 있지 않는 여러가지 실시형태 등을 포함할 수 있는 것으로, 특허청구범위에 의하여 특정되는 기술적 사상을 일탈하지 않는 범위 내에서 여러가지의 설계변경 등을 실시하는 것이 가능하다.

본 발명에 관한 프로브 카드는, 반도체의 도통검사 등에 유용하고, 특히, 반도체 웨이퍼상의 적어도 1/4∼1/2 정도의 다이에 프로브를 일괄하여 콘택트시키는 FWLT에 적합하다.

Claims (7)

1. 검사대상인 반도체 웨이퍼의 복수의 영역에 대한 전기신호의 입력 또는 출력을 행하는 프로브 카드에 있어서,

   상기 반도체 웨이퍼에 설치되는 복수의 전극에 접촉하여 전기신호의 입력 또는 출력을 행하는 복수의 프로브와,

   상기 복수의 프로브를 수용하는 프로브 헤드와,

   상기 프로브 헤드에 접촉 가능하고 상기 프로브 헤드에 대향하는 표면의 근방에 상기 복수의 프로브와 접속하는 배선을 가지는 기판과,

   상기 기판에 매립되고, 상기 기판보다 열팽창 계수가 작은 소재로 이루어지는 코어층과,

   상기 배선을 거쳐 상기 복수의 프로브의 적어도 일부와 외부의 장치를 전기적으로 접속하는 접속수단을 구비한 것을 특징으로 하는 프로브 카드.
2. 제 1항에 있어서,

   상기 접속수단은,

   상기 기판의 두께방향으로서 상기 코어층이 매립되어 있지 않은 부분의 두께가 두꺼운 방향으로 관통되어 이루어지는 관통구멍(through hole)을 포함하는 것을 특징으로 하는 프로브 카드.
3. 제 1항에 있어서,

   상기 접속수단은,

   쌍을 이루어 서로 결합되는 제로 인서션 포스(zero insertion force)형의 수커넥터 및 암커넥터 중 어느 한쪽을 포함하는 것을 특징으로 하는 프로브 카드.
4. 제 3항에 있어서,

   상기 기판은, 상기 수커넥터 및 상기 암커넥터 중 어느 한쪽을 삽입하여 고정하는 노치가 설치되어 이루어지는 것을 특징으로 하는 프로브 카드.
5. 제 3항에 있어서,

   상기 기판은, 상기 수커넥터 및 상기 암커넥터 중 어느 한쪽을 장착하는 개구부가 설치되어 이루어지는 것을 특징으로 하는 프로브 카드.
6. 제 5항에 있어서,

   상기 수커넥터 및 상기 암커넥터 중 어느 한쪽은,

   쌍을 이루는 커넥터와 결합 가능한 제 1 커넥터와,

   상기 개구부에 장착되어, 상기 배선과 전기적으로 접속함과 동시에 상기 제 1 커넥터에 결합되는 제 2 커넥터를 가지는 것을 특징으로 하는 프로브 카드.
7. 제 1항 내지 제 6항 중 어느 한 항에 있어서,

   상기 기판의 바깥 둘레에 장착되는 보강부재를 더 구비한 것을 특징으로 하는 프로브 카드.

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