KR20080042887A - 도전성 적층체 및 유기 ｅｌ 소자 - Google Patents

도전성 적층체 및 유기 ｅｌ 소자 Download PDF

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가즈요시 이노우에
시게오 마쯔자끼
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이데미쓰 고산 가부시키가이샤
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Abstract

본 발명은 금속 또는 투명 도전 물질로 이루어지는 제1층 (12)와, 제1층 (12) 위에, 인듐, 주석, 아연, 알루미늄, 마그네슘, 실리콘, 티탄, 바나듐, 망간, 코발트, 니켈, 구리, 갈륨, 게르마늄, 이트륨, 지르코니아, 니오븀, 몰리브덴, 안티몬, 바륨, 하프늄, 탄탈, 텅스텐, 비스무스, 란탄, 세륨, 프라세오디뮴, 네오디뮴, 사마륨, 유로퓸, 가돌리늄, 테르븀, 디스피로슘, 홀뮴, 에르븀, 툴륨 및 이테르븀으로부터 선택되는 1종 이상의 금속의 산화물, 탄화물 또는 질화물, 또는 카본으로 이루어지는 제2층 (14)로 구성되고, 상기 제2층 (14)의 일함수가 상기 제1층 (12)의 일함수보다 크고, 제2층 (14)의 막 두께가 0.5 nm 이상 50 nm 미만인 도전성 적층체 (10)을 제공한다.
도전성 적층체, 유기 전계 발광 소자

Description

도전성 적층체 및 유기 ＥＬ 소자{CONDUCTIVE LAMINATE AND ORGANIC EL DEVICE}
본 발명은 도전성 적층체 및 이것을 이용한 유기 전계 발광 소자(유기 EL 소자)에 관한 것이다.
유기 EL 디스플레이의 대형화를 실현하기 위한 최대 과제는 발광 효율 향상과 장기 수명화이다. 이 중, 발광 효율 향상에 대해서는, 구동 전압을 저하시키는 방법에 의해, 예를 들면 양극 재료의 일함수를 증대시킴으로써 정공의 주입 효율을 상승시키는 방법이 제안되어 왔다. 이것은, 일반적으로 정공 주입 전극으로서 이용되는 ITO(인듐 주석옥시드)의 일함수는 4.6 내지 5.0 eV인 것에 대하여, TPD(트리페닐디아민)로 대표되는 것과 같은 많은 정공 수송 재료의 이온화 포텐셜은 5.6 eV로 크기 때문이다. 이 때문에, ITO로부터 TPD에 정공이 주입될 때에, 0.6 내지 1.0 eV의 에너지 장벽이 존재한다.
ITO의 일함수를 높이기 위한 수단으로서 ITO 표면을 산소가 풍부하도록 하는 방법이 제안되었다. 예를 들면, 특허 문헌 1에서는, ITO를 실온 제막한 후에 산화성 분위기에서 가열 또는 산소 플라즈마 조사하는 방법, 특허 문헌 2에서는, 스퍼터 분위기 가스의 조성을 ITO 표면측에서 산소가 풍부하도록 하는 방법, 특허 문헌 3에서는, ITO 제막 후에 산소 이온 주입을 행하는 방법 등이 개시되었다.
한편, 소자의 장기 수명화에 관한 방법으로서는, 종래부터 발광 재료의 순도를 올리는, 유리 전이 온도가 높은 재료를 선택한다는 등의 보고가 있다. 또한, 특허 문헌 4, 특허 문헌 5, 특허 문헌 6, 특허 문헌 7, 특허 문헌 8에는 전극 재료부터의 접근법이 개시되었다. 이들 문헌에 개시되어 있는 유기 EL 소자는, 정공 주입층 또는 전자 주입층으로서의 무기 반도체층과 유기 발광층을 적층한 구조를 가지고 있다. 그리고, 유기층보다 열화가 적은 무기 반도체층을 이용함으로써 소자의 수명을 향상시켰다. 특허 문헌 4에 있어서는 무기 반도체층 재료로서, 예를 들면 비정질 Si1-XCX로 표시되는 III-V족이나 II-V족 비결정질 재료나 CuI, CuS, GaAs 및 ZnTe 등의 결정질 재료가 이용되었다. 또한, 특허 문헌 6 및 특허 문헌 7에 있어서는, 무기 반도체층 재료로서 Cu2O를 비롯한 결정질의 산화물 반도체 재료를 이용하는 예가 개시되었다. 또한, 특허 문헌 8에서는, 양극과 유기 발광층 사이에 비정질성 재료 또는 미세 결정 재료를 포함하고, 또한 유기 발광층의 밴드 갭 에너지보다 큰 밴드 갭 에너지를 갖는 무기 비축퇴 반도체층을 설치하는 방법이 개시되었다.
그러나, 상술한 특허 문헌 4 및 특허 문헌 5에 개시된 유기 EL 소자에 있어서, CuI 등의 결정질 재료를 이용한 경우에는, 통상 다결정 무기 반도체층이 형성된다. 다결정 무기 반도체층의 표면은 평탄성이 나쁘고, 50 nm 정도 이상의 요철이 있다. 그 때문에, 다결정 무기 반도체층 상에 유기 발광층의 박막을 형성한 경 우, 무기 반도체층의 표면 볼록부가 박막을 꿰뚫고 나가는 경우가 있다. 그 경우, 무기 반도체층과 유기 발광층 상의 전극이 단락되어 누설 전류가 발생한다. 또한, 단락되지 않더라도 볼록부에 전계 집중이 발생하기 때문에, 누설 전류가 발생하기 쉽다. 이 때문에, 이들 유기 EL 소자에는, 발광 효율이 저하된다고 하는 문제점이 있었다. 또한, 무기 반도체층을 형성할 때는, 유기 발광층의 내열 온도보다 높은 온도(200 ℃ 이상)가 된다. 이 때문에, 유기 발광층은 무기 반도체층을 형성한 후에 형성해야만 하였다.
또한, 특허 문헌 4 및 특허 문헌 5에 개시된 유기 EL 소자에 있어서 이용되는 Si1-XCX의 비정질 재료의 에너지 갭은 2.6 eV보다 작다. 이에 대하여, 알루미늄 착체나 스틸벤 유도체 등을 포함하는 유기 발광층의 에너지 갭은 2.6 eV보다 크다. 그 결과, 유기 발광층에서 생성된 여기 상태는 무기 반도체층으로 에너지 이동하여 실활되기 쉽다. 이 때문에, 유기 EL 소자의 발광 효율이 저하된다고 하는 문제가 있었다.
특허 문헌 6 및 특허 문헌 7에 있어서 사용되는 Cu2O 등의 산화물 반도체는 결정질이다. Cu2O 등의 산화물 반도체는 고온에서 소성되기 때문에, 50 nm 이상의 막 두께에서는 통상 다결정이 된다. 이 경우에도, 특허 문헌 4 및 특허 문헌 5의 경우와 동일하게, 표면 요철 때문에 누설 전류가 발생하여 발광 효율이 저하된다고 하는 문제점이 있었다.
또한, 특허 문헌 8의 유기 EL 소자는 제1 전극층, 무기 비축퇴 반도체층, 발 광층을 포함하는 1층 이상의 유기층 및 제2 전극층을 순차로 적층한 구조를 가지고, 무기 비축퇴 반도체층은 비정질성 재료 또는 미세 결정 재료를 포함하고, 또한 유기 발광층의 밴드 갭 에너지보다 큰 밴드 갭 에너지를 갖는 것이 특징이고, 소자의 효율 향상과 장기 수명화를 달성할 수 있다고 알려져 있다.
그러나, 특허 문헌 8의 방법은, 유기물인 발광층과 무기물인 반도체층의 접촉 계면을 에너지 레벨의 대소만 규정하였고, 밀착성에 따라서는 반드시 주입이 촉진되는 것은 아니라고 하는 난점이 있었다.
특허 문헌 1: 일본 특허 공개 (평)8-167479호 공보
특허 문헌 2: 일본 특허 공개 제2000-68073호 공보
특허 문헌 3: 일본 특허 공개 제2001-284060호 공보
특허 문헌 4: 일본 특허 공개 (평)1-312873호 공보
특허 문헌 5: 일본 특허 공개 (평)2-207488호 공보
특허 문헌 6: 일본 특허 공개 (평)5-41285호 공보
특허 문헌 7: 일본 특허 공개 (평)6-119973호 공보
특허 문헌 8: 일본 특허 공개 (평)11-297478호 공보
본 발명의 목적은 구동 전압이 낮으며 발광 효율이 높고, 긴 수명의 유기 EL 소자를 제공하는 것이다.
<발명의 개시>
본 발명자들은 상기 과제를 해결하기 위해서 예의 연구를 거듭한 결과, 양극으로서, 특정한 제1층과 제2층으로 이루어지는 도전성 적층체를 이용하면, 구동 전압의 감소, 발광 효율 향상, 장기 수명화를 동시에 만족시키는 유기 EL을 얻을 수 있는 것을 발견하였다.
본 발명에 따르면, 이하의 도전성 적층체 및 유기 EL 소자가 제공된다.
1. 금속 또는 투명 도전 물질로 이루어지는 제1층과,
상기 제1층 위에, 인듐, 주석, 아연, 알루미늄, 마그네슘, 실리콘, 티탄, 바나듐, 망간, 코발트, 니켈, 구리, 갈륨, 게르마늄, 이트륨, 지르코니아, 니오븀, 몰리브덴, 안티몬, 바륨, 하프늄, 탄탈, 텅스텐, 비스무스, 란탄, 세륨, 프라세오디뮴, 네오디뮴, 사마륨, 유로퓸, 가돌리늄, 테르븀, 디스피로슘, 홀뮴, 에르븀, 툴륨 및 이테르븀으로부터 선택되는 1종 이상의 금속의 산화물, 탄화물 또는 질화물, 또는 카본으로 이루어지는 제2층으로 구성되고,
상기 제2층의 일함수가 상기 제1층의 일함수보다 크고,
상기 제2층의 막 두께가 0.5 nm 이상 50 nm 미만인 도전성 적층체.
2. 1에 있어서, 상기 제2층의 막 두께가 1 nm 이상 20 nm 이하인 도전성 적층체.
3. 1 또는 2에 있어서, 상기 제2층의 캐리어 농도가 1015 cm-3 이상인 도전성 적층체.
4. 1 내지 3 중 어느 하나에 있어서, 상기 제1층이 금, 백금, 팔라듐, 구리, 알루미늄, 네오디뮴, 실리콘, 티탄, 크롬, 니켈, 은 및 몰리브덴으로부터 선택되는 1종 이상의 금속으로 이루어지는 도전성 적층체.
5. 1 내지 3 중 어느 하나에 있어서, 상기 제1층을 구성하는 투명 도전 물질이 인듐, 아연, 주석, 알루미늄, 갈륨, 티탄 및 니오븀으로부터 선택되는 1종 이상의 금속의 산화물인 도전성 적층체.
6. 1 내지 5 중 어느 하나에 있어서, 상기 제2층이 인듐, 주석, 아연, 란탄, 세륨, 프라세오디뮴, 네오디뮴, 사마륨, 유로퓸, 가돌리늄, 테르븀, 디스피로슘, 홀뮴, 에르븀, 툴륨 및 이테르븀으로부터 선택되는 1종 이상의 금속의 산화물로 이루어지는 도전성 적층체.
7. 음극과 양극 사이에 발광층을 포함하는 유기층이 개재되어 이루어지는 유기 전계 발광 소자이며, 1 내지 6 중 어느 하나에 기재된 도전성 적층체를 상기 양극에 이용한 유기 전계 발광 소자.
본 발명에 따르면, 구동 전압이 낮으며 발광 효율이 높고, 긴 수명의 유기 EL 소자를 제공할 수 있다.
도 1은 본 발명의 유기 EL 소자의 1 실시 형태를 나타낸 도면이다.
<발명을 실시하기 위한 최선의 형태>
본 발명의 도전성 적층체는 제1층과 제2층으로 이루어진다.
제1층은 금속 또는 투명 도전 물질로 이루어진다.
도전성 적층체를 전극 등으로서 사용할 때 투명성이 요구되지 않으면, 제1층을 구성하는 금속은 금, 백금, 팔라듐, 구리, 알루미늄, 네오디뮴, 실리콘, 티탄, 크롬, 니켈, 아연, 몰리브덴, 인듐, 주석, 은 및 안티몬으로부터 선택되는 1종 이상의 금속이 바람직하다. 금, 백금, 팔라듐, 구리, 알루미늄, 네오디뮴, 실리콘, 티탄, 크롬, 니켈, 은 및 몰리브덴으로부터 선택되는 1종 이상의 금속이 보다 바람직하다.
제1층의 막 두께는 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면 10 nm 내지 500 nm이다. 또한, 전극측으로부터 빛을 취출하는 등의 이유로 투명성이 요구되는 경우에는, 상기 금속을 5 nm 이상 50 nm 이하로 하면 적어도 반투명 전극이 얻어진다.
투명성이 더욱 필요하면, 제1층은 투명 도전성 물질인 인듐, 아연, 주석, 알루미늄, 갈륨, 티탄 및 니오븀으로부터 선택되는 1종 이상의 금속의 산화물 등으로 구성되는 것이 바람직하다. 예를 들면, 인듐과 주석의 산화물, 인듐, 주석 및 아연의 산화물, 아연과 알루미늄의 산화물, 아연과 갈륨의 산화물, 티탄과 니오븀의 산화물, 인듐과 아연의 산화물의 투명 도전성 물질을 들 수 있다.
제2층은 인듐, 주석, 아연, 알루미늄, 마그네슘, 실리콘, 티탄, 바나듐, 망간, 코발트, 니켈, 구리, 갈륨, 게르마늄, 이트륨, 지르코니아, 니오븀, 몰리브덴, 안티몬, 바륨, 하프늄, 탄탈, 텅스텐, 비스무스, 란탄, 세륨, 프라세오디뮴, 네오디뮴, 사마륨, 유로퓸, 가돌리늄, 테르븀, 디스피로슘, 홀뮴, 에르븀, 툴륨 및 이테르븀으로부터 선택되는 1종 이상의 금속의 산화물, 탄화물 또는 질화물, 또는 카본으로 이루어진다.
또한, 제2층은 인듐, 주석, 아연, 알루미늄, 란탄, 세륨, 프라세오디뮴, 네오디뮴, 사마륨, 유로퓸, 가돌리늄, 테르븀, 디스피로슘, 홀뮴, 에르븀, 툴륨 및 이테르븀으로부터 선택되는 1종 이상의 금속의 산화물로 구성되면, 더욱 효과적으로 유기 EL 소자의 구동 전압 감소, 발광 효율 향상, 장기 수명화를 실현할 수 있다.
또한, 제2층을 구성하는 물질로서, 도전성 카본이나 SiC, TiC 등의 탄화물, TiN 등의 질화물도, 제1층의 일함수보다 크면 정공을 효과적으로 주입하는 재료로서 사용할 수 있다.
제2층의 막 두께는 0.5 nm 이상 50 nm 미만인 것이 바람직하다. 제2층의 막 두께가 0.5 nm 미만인 경우, 막 두께가 너무 얇기 때문에, 전계 발생의 효과가 없어질 우려가 있다. 또한, 제2층의 막 두께가 50 nm 이상인 경우, 막 두께가 너무 두껍기 때문에, 정공 주입을 촉진시키기 위한 전계가 효과적으로 작용하지 않을 우려가 있다. 보다 바람직한 막 두께는 1 nm 이상 20 nm 이하이다.
본 발명의 적층체에 있어서 제2층의 일함수는 제1층의 일함수보다 크다.
제2층의 일함수가 제1층의 일함수보다 큰 경우, 둘다를 적층시켰을 때에, 페르미 준위가 일치하도록 제1층에서 제2층으로 전자가 확산된다. 이에 의해서 정공이 적극적으로 주입되기 쉬워지는 방향으로 전계가 생성된다.
또한, 제2층의 캐리어 농도는 1015 cm-3 이상인 것이 바람직하다. 캐리어 농도가 1015 cm-3 미만인 경우, 제1층과 접합시킨 경우에 전자를 수용할 수 없어, 정공 주입을 촉진시키기 위한 전계가 발생하지 않을 우려가 있다.
본 발명의 도전성 적층체를 전극으로서 사용할 때, 통상 절연성 기재 위에, 제1층이 기재측이 되도록 적층체를 형성한다.
본 발명의 도전성 적층체는 스퍼터링, 이온 플레이팅, 진공 증착법, 졸겔법, 인쇄 등의 방법에 의해 2층을 차례로 적층하여 제조할 수 있다.
본 발명의 도전성 적층체는 전극, 특히 정공 주입성을 촉진시키기 위한 유기 EL 전극 등으로서 사용할 수 있다.
본 발명의 유기 EL 소자는 양극에 상기 도전성 적층체를 이용한 것이다.
도 1에 본 발명의 유기 EL 소자의 1 실시 형태를 나타낸다.
이 도면에 나타낸 바와 같이, 유기 EL 소자 (1)이 유리 기판 (2) 상에 설치되고, 유기 EL 소자 (1)은 대향하는 양극 (10)과 음극 (30) 사이에 유기층 (20)을 갖는다.
양극 (10)은 본 발명의 도전성 적층체로 이루어지고, 제1층 (12)와 제2층 (14)로 이루어지는 적층체이다.
유기층 (20)은 정공 주입층 (22), 정공 수송층 (24), 발광층 (26), 전자 주입층 (28)로 이루어진다. 발광층 (26)에 있어서, 정공 수송층 (24)로부터 공급되는 정공과 전자 주입층 (28)로부터 공급되는 전자가 결합하여 발광한다.
음극 (30)은 전도층 (32)와 전자 주입 금속층 (34)로 이루어지는 적층체이다.
또한, 유기 EL 소자의 구성은 도 1의 구성으로 한정되지 않고, 다양한 변경이 가능하다.
[실시예 1]
(1) 타겟 1의 제조
순도 99.99 ％의 산화인듐 분말(평균 입경 1 μm) 260 g, 순도 99.99 ％의 산화주석 분말(평균 입경 1 μm) 40 g을 에탄올, 알루미나 볼과 함께 폴리이미드제포트에 넣고, 유성 볼 밀로 2 시간 혼합하였다. 얻어진 혼합 분말을 금형에 넣고, 금형 프레스 성형기로 100 kg/cm2의 압력에서 예비 성형을 행하였다. 다음에, 냉간 정수압 프레스 성형기에 의해 4 t/cm2의 압력으로 압밀화한 후, 소결로에서 공기 분위기 중 1300 ℃에서 4 시간 소결시켰다. 얻어진 소결체에 대해서 ICP 분석에 의해 조성 분석한 결과, 금속 원자비(In:Sn)는 83:17이었다. 또한, 소결체 밀도는 95 ％였다.
(2) 타겟 2의 제조
순도 99.99 ％의 산화인듐 분말(평균 입경 1 μm) 260 g, 순도 99.99 ％의 산화아연 분말(평균 입경 1 μm) 40 g을 에탄올, 알루미나 볼과 함께 폴리이미드제포트에 넣고, 유성 볼 밀로 2 시간 혼합하였다. 얻어진 혼합 분말을 금형에 넣고, 금형 프레스 성형기로 100 kg/cm2의 압력에서 예비 성형을 행하였다. 다음에, 냉간 정수압 프레스 성형기에 의해 4 t/cm2의 압력으로 압밀화한 후, 소결로에서 공기 분위기 중 1300 ℃에서 4 시간 소결시켰다. 얻어진 소결체에 대해서 ICP 분석에 의해 조성 분석한 결과, 금속 원자비(In:Zn)는 85:15였다. 또한, 소결체 밀도는 95 ％였다.
(3) 전극의 성막
(1)에서 얻은 타겟 1을 스퍼터링 장치에 장전하고, 2×10-4 Pa까지 탈기시킨 후, 스퍼터 압력 0.1 Pa, 아르곤:산소=98:2, 스퍼터 출력 0.1 W/cm2, 스퍼터 시간 5분의 조건에서 유리 상에 성막을 행하였다. 이와 같이 하여 얻어진 도전막의 막 두께는 120 nm, 비저항은 2×10-3 Ωㆍcm였다. 다음에, 이 도전막을 공기 중 300 ℃, 1 시간의 조건에서 어닐링하여 투명 전극 ITO를 얻었다(ITO 기판). 이와 같이 하여 얻어진 ITO의 일함수를 AC-1(리켄 게이끼)로 측정한 결과, 4.8 eV였다. 또한, 이 ITO 유리를 1 cm 사방의 정방형으로 잘라내고, 은 페이스트를 4 코너에 도포하여 홀 효과를 도요 테크니카제 장치(RESITEST8300)로 측정하였다. 그 결과, 캐리어 농도는 9×1021 cm-3이었다.
(2)에서 얻은 타겟 2를 스퍼터링 장치에 장전하고, 2×10-4 Pa까지 탈기시킨 후, 스퍼터 압력 0.1 Pa, 아르곤:산소=98:2, 스퍼터 출력 0.1 W/cm2, 스퍼터 시간 5초의 조건에서 유리 상에 성막을 행하여 IZO(인듐아연 산화물)을 얻었다. 성막 기판은 상기에서 얻어진 ITO 기판과 슬라이드 유리를 모두 사용하였다. IZO 단독의 여러 물성 측정은 슬라이드 유리 상에 성막한 것을 사용하고, ITO와 동일한 평가를 행하였다. 그 결과, 막 두께는 2 nm, 비저항은 2×10-2 Ωㆍcm, 일함수는 5.3 eV, 캐리어 농도는 5×1019 cm-3이었다. 또한, 막 두께는 타겟 2를 사용하여 동 조건에서 5 분 성막한 경우의 막 두께를 DEKTAK(슬로안(주)(SLOAN) 제조)로 측정하여 검량선을 만들고, 성막 시간에 의해 제어하였다.
(4) EL 소자의 제조
(3)에서 얻어진 ITO(120 nm)/IZO(2 nm) 적층체 상에, 발광층으로서 전자 수송성 유기 화합물인 8-히드록시퀴놀린 Al 착체(Alq 착체)를 저항 가열에 의해 60 nm의 두께로 증착시켰다. 또한, 이 발광층 상에, 대향 전극으로서 Al:Li 합금을 저항 가열에 의해 200 nm의 두께로 증착시켰다. 실시예 1에서는, 이 대향 전극이 음극이다. 이상의 공정을 거쳐, 실시예 1의 유기 EL 소자를 형성하였다.
(5) EL 소자의 성능 측정
하부 전극과 대향 전극 사이에 6 V의 전압을 인가하고, 소자를 정전압 구동하였다. 이 때의 초기 휘도는 120 cd/m2이고, 발광 효율은 1.5 lm/W였다. 그리고, 120 cd/m2의 전류값을 일정하게 하여 반감 수명을 측정한 결과, 5700 시간이었다. 또한, 반감 수명이란, 휘도가 초기 휘도의 반값이 되기까지 소요되는 시간을 말한다.
유기 EL 소자의 이들 성능을 이하의 기준을 바탕으로 종합적으로 평가하여 표 1에 나타내었다.
◎ 초기 휘도 200 cd/m2 이상, 효율 1.5 lm/W, 반감 수명 5000 시간 이상을 모두 만족시킨다.
○ 초기 휘도 100 cd/m2 이상, 효율 1.2 lm/W, 반감 수명 2000 시간 이상을 모두 만족시킨다.
△ 초기 휘도 50 cd/m2 이상, 효율 1.0 lm/W, 반감 수명 1000 시간 이상을 모두 만족시킨다.
× 초기 휘도 50 cd/m2 이상, 효율 1.0 lm/W, 반감 수명 1000 시간 이상을 어느 하나 또는 모두를 만족시키지 못한다.
[실시예 2 내지 27, 비교예 1 내지 3]
타겟 1, 타겟 2의 재료를 표 1 및 표 2에 나타낸 각 금속 원소의 산화물 분말로 변경하고, 실시예 1과 동일하게 하여 타겟을 제조하였다. 다음에, 실시예 1과 동일하게 적층체와 유기 EL 소자를 제조하고, 유기 EL 소자의 성능을 평가하였다. 결과를 표 1 및 표 2에 나타낸다.
또한, 타겟의 조성은 타겟내의 전체 금속 원자에 대한 각 금속 원자비를 나타내는 것이고, 타겟에는 금속 원자 외에 산소 원자가 포함되어 있다.
[실시예 28 내지 36]
실시예 28 내지 36에서는, 금속 박막을 제1층으로 사용하였다. 타겟 1은 표 2에 기재된 금속 또는 합금으로 이루어지는 타겟을 사용하였다. 타겟 2는 표 2에 나타낸 각 금속 원소의 산화물 분말로 변경한 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 하여 타겟을 제조하였다.
이들 타겟을 사용하여, 산소를 도입하지 않고 스퍼터링을 행한 것 이외에는, 실시예 1과 동일하게 하여 적층체와 유기 EL 소자를 제조하고, 유기 EL 소자의 성능을 평가하였다. 결과를 표 2에 나타낸다.
Figure 112008017483229-PCT00001
Figure 112008017483229-PCT00002
본 발명의 도전성 적층체는 전극으로서 사용할 수 있다. 특히 유기 EL 소자 등의 캐리어 주입을 제어할 필요가 있는 소자에 바람직하게 이용된다.
본 발명의 유기 EL 소자는 각종 표시 장치에 사용할 수 있다.

Claims (7)

  1. 금속 또는 투명 도전 물질로 이루어지는 제1층과,
    상기 제1층 위에, 인듐, 주석, 아연, 알루미늄, 마그네슘, 실리콘, 티탄, 바나듐, 망간, 코발트, 니켈, 구리, 갈륨, 게르마늄, 이트륨, 지르코니아, 니오븀, 몰리브덴, 안티몬, 바륨, 하프늄, 탄탈, 텅스텐, 비스무스, 란탄, 세륨, 프라세오디뮴, 네오디뮴, 사마륨, 유로퓸, 가돌리늄, 테르븀, 디스피로슘, 홀뮴, 에르븀, 툴륨 및 이테르븀으로부터 선택되는 1종 이상의 금속의 산화물, 탄화물 또는 질화물, 또는 카본으로 이루어지는 제2층으로 구성되고,
    상기 제2층의 일함수가 상기 제1층의 일함수보다 크고,
    상기 제2층의 막 두께가 0.5 nm 이상 50 nm 미만인 도전성 적층체.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제2층의 막 두께가 1 nm 이상 20 nm 이하인 도전성 적층체.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 제2층의 캐리어 농도가 1015 cm-3 이상인 도전성 적층체.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제1층이 금, 백금, 팔라듐, 구리, 알루미늄, 네오디뮴, 실리콘, 티탄, 크롬, 니켈, 은 및 몰리브덴으로부터 선택되는 1종 이상의 금속으로 이루어지는 도전성 적층체.
  5. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제1층을 구성하는 투명 도전 물질이 인듐, 아연, 주석, 알루미늄, 갈륨, 티탄 및 니오븀으로부터 선택되는 1종 이상의 금속의 산화물인 도전성 적층체.
  6. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제2층이 인듐, 주석, 아연, 란탄, 세륨, 프라세오디뮴, 네오디뮴, 사마륨, 유로퓸, 가돌리늄, 테르븀, 디스피로슘, 홀뮴, 에르븀, 툴륨 및 이테르븀으로부터 선택되는 1종 이상의 금속의 산화물로 이루어지는 도전성 적층체.
  7. 음극과 양극 사이에 발광층을 포함하는 유기층이 개재되어 이루어지는 유기 전계 발광 소자이며, 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 기재된 도전성 적층체를 상기 양극에 이용한 유기 전계 발광 소자.
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