KR20080029849A - 전기 광학 장치 및 전자 기기 - Google Patents

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카소리 타카하시
타케히코 쿠보타
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세이코 엡슨 가부시키가이샤
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Abstract

(과제) 표시 품질의 향상에 기여하는 것.
(해결 수단) 구동 트랜지스터는, 그 게이트의 전위에 따른 구동 전류를 생성한다. OLED 소자는, 구동 전류에 따른 휘도로 발광한다. 트랜지스터는, 구동 트랜지스터(Tdr)의 게이트와 드레인과의 도통 및 비(非)도통을 전환한다. 용량 소자는, 제1 전극과 제2 전극을 갖는다. 제2 전극은 구동 트랜지스터의 게이트에 접속된다. 트랜지스터는, 데이터 전위가 공급되는 데이터선과 제1 전극과의 사이에 개재(interpose)된다. 또한, 용량 소자는, 용량 소자와 데이터선과의 사이에 형성되고 있고, 전원선과 구동 트랜지스터의 게이트간에 접속되어 있다.
주사선, 데이터선, 단위 회로

Description

전기 광학 장치 및 전자 기기{ELECTRO-OPTICAL DEVICE AND ELECTRONIC APPARATUS}
본 발명은, 유기 EL(Electroluminescence) 재료로 이루어지는 발광소자 등 각종의 전기 광학 소자를 구비한 전기 광학 장치를 구성하는 요소의 레이아웃, 및 전자기기에 관한 것이다.
이런 종류의 전기 광학 소자는 전류의 공급에 의해 계조(階調; 전형적으로는 휘도)가 변화한다. 이 전류(이하 「구동 전류」라고 함)를 트랜지스터(이하 「구동 트랜지스터」라고 함)에 의해 제어하는 구성이 종래부터 제안되고 있다. 그렇지만, 이 구성에 있어서는, 구동 트랜지스터의 특성(특히 임계치 전압)의 개체차이에 기인하여 각 전기 광학 소자의 계조에 불균일이 발생한다는 문제가 있다. 이 계조의 불균일을 억제하기 위해, 예를 들면 특허 문헌 1 내지 특허 문헌 2에는, 구동 트랜지스터의 임계치 전압의 상위(相違)를 보상하는 구성이 개시되어 있다.
도 17은, 특허 문헌 1에 개시된 화소 회로(P0)의 구성을 나타내는 회로도이다. 동도에 나타나는 바와 같이, 구동 트랜지스터(Tdr)의 게이트와 드레인과의 사이에는 트랜지스터(Tr1)가 개재(interpose)된다. 또한, 구동 트랜지스터(Tdr)의 게이트에는 용량 소자(C1)의 한쪽의 전극(L2)이 접속된다. 유지 용량(C2)은, 구동 트랜지스터(Tdr)의 게이트와 소스와의 사이에 개재된(interposed) 용량이다. 한편, 트랜지스터(Tr2)는, 유기 발광 다이오드 소자(이하 「OLED 소자」라고 함)(110)에 지정된 휘도에 따른 전위(이하 「데이터 전위」라고 함)(VD)가 공급되는 데이터선(103)과 용량 소자(C1)의 다른 한쪽의 전극(L1)과의 사이에 개재되어 양자의 도통 및 비(非)도통을 전환하는 스위칭 소자이다.
이상의 구성에 있어서, 첫째로, 신호(S2)에 의해 트랜지스터(Tr1)를 온 상태로 전이시킨다. 이렇게 하여 구동 트랜지스터(Tdr)가 다이오드 접속(diode-connected)되면, 구동 트랜지스터(Tdr)의 게이트의 전위는 「VEL－Vth」에 수렴(converge)한다(Vth는 구동 트랜지스터(Tdr)의 임계치 전압). 둘째로, 트랜지스터(Tr1)를 오프 상태로 한 후에, 신호(S1)에 의해 트랜지스터(Tr2)를 온 상태로 하여 용량 소자(C1)의 전극(L1)과 데이터선(103)을 도통시킨다. 이 동작에 의해, 구동 트랜지스터(Tdr)의 게이트의 전위는, 전극(L1)에 있어서의 전위의 변화분을 용량 소자(C1)와 유지 용량(C2)과의 용량비에 따라 분할한 레벨(즉 데이터 전위(VD)에 따른 레벨)만큼 변화한다. 셋째로, 트랜지스터(Tr2)를 오프 상태로 한 후에, 신호(S3)에 의해 트랜지스터(Tel)를 온 상태로 한다. 이 결과, 임계치 전압(Vth)에 의존하지 않는 구동 전류(Iel)가 구동 트랜지스터(Tdr) 및 트랜지스터(Tel)를 경유하여 OLED 소자(110)에 공급된다. 특허 문헌 2에 개시된 구성에 있어서도, 구동 트랜지스터(Tdr)의 임계치 전압(Vth)을 보상하기 위한 기본적인 원리는 동일하다.
[특허 문헌 1] 일본공개특허공보 2003－332072호 (도 1)
[특허 문헌 2] 일본공개특허공보 2006－30635호 (도 1 내지 도 3)
이러한 화소 회로에서는, 예를 들면 도 18에 나타내는 바와 같이, 데이터선과 전원선의 사이에 제1 용량(C1)이 배치된다. 이 때문에, 용량(C1)을 구성하는 도체 배선과 데이터선을 구성하는 도체 배선의 사이에서 기생 용량(parasitic capacitance)이 발생한다. 특히, 이 기생 용량을 통하여 용량(C1)과 데이터선(103)의 사이에서 크로스토크(crosstalk)가 발생하고, 용량(C1)의 전압이 변동하면, 구동 트랜지스터(Tdr)의 게이트의 전위나 이 전위에 따른 구동 전류(Iel)가 변동하기 때문에, OLED 소자(110)의 휘도의 변동이 발생한다.
특허 문헌 2에 기재된, 화소 회로에서는, 용량(C1, C2)의 주위에 금속 실드를 설치하여, 데이터선의 전계의 영향을 저감시키고 있지만, 이러한 구성에서는, 금속 실드를 설치하는 영역을 확보하기 때문에, 소자의 고집적화가 곤란한 문제가 있다. 본 발명은, 이러한 사정을 감안하여 이루어진 것이며, 구동 트랜지스터의 게이트의 전위의 변동을 억제하고, 표시 품질의 향상에 기여한다는 과제의 해결을 그 목적의 하나로 하고 있다.
본 발명은, 이하의 형태 또는 적용예로서 실현하는 것이 가능하다.
［적용예 1］전기 광학 장치가, 제1 주사선을 포함하는 복수의 주사선과, 제1 데이터선을 포함하는 복수의 데이터선과, 상기 복수의 주사선 및 상기 복수의 데이터선의 교차부에 따라 설치되어, 제1 단위 회로를 포함하는 복수의 단위 회 로(unit circuit)와, 전원 전압을 공급하는 전원선을 포함하고 있다. 여기서, 상기 제1 단위 회로는, 게이트의 전압에 따라 구동 전류를 설정하는 구동 트랜지스터와, 상기 구동 전류에 의해 구동되는 전기 광학 소자와, 제1 전극과 제2 전극을 구비한 제1 용량 소자와, 상기 제1 주사선을 통하여 공급되는 제어 신호에 기초하여 상기 제1 데이터선과 상기 제2 전극과의 사이의 전기적 접속을 제어하는 제1 스위칭 소자와, 제3 전극과 제4 전극을 구비한 제2 용량 소자를 구비하고 있다. 또한, 상기 구동 트랜지스터는 제1 단자와 제2 단자를 갖고 있다. 그리고, 상기 제1 단자는 상기 전원선에 접속되어 있다. 또한, 상기 제1 전극은 상기 게이트에 접속되어 있고, 상기 제3 전극은, 상기 게이트 또는 상기 제2 전극에 접속되어 있다. 그리고, 상기 제1 단위 회로에 있어서, 상기 제2 용량 소자의 적어도 일부는, 상기 제1 데이터선과 상기 제1 용량 소자의 사이에 배치되어 있다. 또한, 예를 들면, 나중에 설명하는 도 4 또는 도 6의 경우에는, 평면시 했을 경우, 제2 용량 소자의 적어도 일부는, 제1 데이터선과 제1 용량 소자의 사이에 배치되어 있다.
상기 적용예에 의하면, 데이터선과 상기 제1 용량 소자와의 사이에 제2 용량 소자가 배치되기 때문에, 데이터선과 제1 용량 소자와의 사이의 기생 용량을 삭감할 수 있다.
［적용예 2］상기 전기 광학 장치가 소정의 전위를 공급하는 전위선을 구비하고 있어도 좋다. 여기서, 상기 복수의 데이터선은, 제2 데이터선을 포함하고, 상기 전위선은, 상기 제1 데이터선 및 제2 데이터선이 연재(extend)하는 방향으로 설치되고, 상기 제1 데이터선과 상기 제2 데이터선의 사이에 있어, 상기 제1 용량 소자는, 상기 제2 용량 소자와 상기 전위선과의 사이에 배치된다.
또한, 나중에 설명하는 도 4 및 도 6으로 나타내는 바와 같이, 평면시 했을 경우, 제1 데이터선과 제2 데이터선의 사이에 있어서, 제1 용량 소자는, 제2 용량 소자와 전위선과의 사이에 배치되어 있다.
［적용예 3］상기 복수의 데이터선은, 제2 데이터선을 포함해도 좋다. 그리고 이 경우, 상기 제1 데이터선과 상기 제2 데이터선의 사이에 있어서, 상기 제1 용량 소자는, 상기 전기 광학 소자가 배치되는 영역과 상기 제2 용량 소자와의 사이에 배치되어도 좋다.
상기 적용예에 의하면, 제1 데이터선 또는 제2 데이터선과 제1 용량 소자와의 사이에는, 전기 광학 소자가 배치되는 영역 또는 제2 용량 소자가 배치된다. 따라서, 제1 및 제2 데이터선의 전위 변동이 제1 용량 소자에 영향을 미치는 것을 방지할 수 있다.
［적용예 4］상기 전기 광학 소자가 배치되는 영역의 하방(下方)에는, 상기 제1 용량 소자 또는 상기 제2 용량 소자의 적어도 일부가 배치되어 있어도 좋다.
［적용예 5］상기 제3 전극은, 상기 제2 전극에 접속되어 있어도 좋다. 이 경우, 상기 제1 단위 회로는, 상기 구동 트랜지스터의 제1 반도체막, 상기 제1 전극, 및 상기 제4 전극을 포함한 반도체 패턴층과, 상기 반도체 패턴층을 덮는 절연층과, 상기 절연층상에 설치된 상기 제2 전극 및 상기 제3 전극을 포함한 배선 패턴층을 구비하고 있어도 좋다. 그리고 이 경우, 상기 제2 전극과 상기 제3 전극은, 공통으로 설치된 막으로 구성되고, 상기 제1 데이터선과 상기 제1 전극과의 사 이에는, 상기 제4 전극이 설치되고, 상기 제4 전극은 상기 전원선에 전기적으로 접속되어 있다.
상기 적용예에 의하면, 제1 데이터선과 제1 전극과의 사이에는 제4 전극이 개재하고, 제4 전극이 전원선에 접속되어 있기 때문에, 제1 데이터선과 제1 전극과의 사이의 결합 용량을 저감할 수 있다.
［적용예 6］상기 제3 전극은, 상기 게이트에 접속되어 있어도 좋다. 이 경우, 상기 제1 단위 회로는, 상기 구동 트랜지스터의 제1 반도체막, 상기 제1 전극, 및 상기 제3 전극을 포함하는 반도체 패턴층과, 상기 반도체 패턴층을 덮는 절연층과, 상기 절연층상에 설치된 상기 제2 전극 및 상기 제4 전극을 포함하는 배선 패턴층을 구비하고 있어도 좋다. 그리고 이 경우, 상기 제1 전극과 상기 제3 전극은, 공통으로 설치된 제2 반도체막으로 구성되어 있다.
상기 적용예에 있어서, 또한, 복수의 데이터선이, 상기 반도체 패턴층 또는 상기 배선 패턴층보다도 상층에서 형성되어 있으면, 복수의 데이터선과 제1 전극이 다른 층에 의해 형성되기 때문에, 복수의 데이터선과 제1 전극을 입체적으로 분리하여 배치할 수 있어, 이들간의 결합 용량을 저감시킬 수 있다.
［적용예 7］상기 제3 전극은, 상기 게이트에 접속되어 있어도 좋다. 이 경우, 상기 제1 단위 회로는, 상기 구동 트랜지스터의 제1 반도체막, 상기 제2 전극, 및 상기 제4 전극을 포함하는 반도체 패턴층과, 상기 반도체 패턴층을 덮는 절연층과, 상기 절연층상에 설치된 상기 제1 전극 및 상기 제3 전극을 포함한 배선 패턴층을 구비하고 있어도 좋다. 그리고 이 경우, 상기 제1 전극과 상기 제3 전극은, 공통으로 설치된 막으로 구성되어 있다.
［적용예 8］상기 제3 전극은, 상기 제2 전극에 접속되어 있어도 좋다. 이 경우, 상기 제1 단위 회로는, 상기 구동 트랜지스터의 제1 반도체막, 상기 제2 전극, 및 상기 제3 전극을 포함한 반도체 패턴층과, 상기 반도체 패턴층을 덮는 절연층과, 상기 절연층상에 설치된 상기 제1 전극 및 상기 제4 전극을 포함하는 배선 패턴층을 구비하고 있어도 좋다. 그리고 이 경우, 상기 제2 전극과 상기 제3 전극은, 공통으로 설치된 막으로 구성되어 있다.
여기서, 일반적으로, 배선 패턴은 반도체 패턴보다도 두껍다. 그렇지만, 적용예 7과 같이 제1 전극과 제3 전극을 공통으로 설치된 막으로 구성하는, 또는, 적용예 8과 같이 제2 전극과 제3 전극을 공통으로 설치된 막으로 구성함으로써, 이들의 전극을 패터닝 할 필요가 없고, 배선 패턴에 의한 요철이 형성되지 않는다. 따라서, 이러한 구성을 함으로써, 이들 전극의 상방(上方)으로 전기 광학 소자를 요철이 적은 면에 배치할 수 있다.
［적용예 9］전기 광학 장치가, 제1 주사선을 포함하는 복수의 주사선과, 제1 데이터선을 포함하는 복수의 데이터선과, 상기 복수의 주사선 및 상기 복수의 데이터선의 교차부에 따라 설치되고, 제1 단위 회로를 포함하는 복수의 단위 회로와, 전원 전압을 공급하는 전원선과, 소정의 전위를 공급하는 전위선을 포함하고 있다. 여기서, 상기 제1 단위 회로는, 게이트의 전압에 따라 구동 전류를 설정하는 구동 트랜지스터와, 상기 구동 전류에 의해 구동되는 전기 광학 소자와, 제1 전극과 제2 전극을 구비한 제1 용량 소자와, 제3 전극과 제4 전극을 구비한 제2 용량 소자와, 상기 제1 주사선을 통하여 공급되는 제어 신호에 기초하여 상기 제1 데이터선과 상기 제2 전극과의 사이의 전기적 접속을 제어하는 제1 스위칭 소자와, 제2 스위칭 소자와, 상기 제2 전극과 상기 전위선과의 전기적 접속을 제어하는 제3 스위칭 소자와를 구비하고 있다. 그리고, 상기 구동 트랜지스터는 제1 단자와 제2 단자를 갖고 있다. 상기 제1 단자는 상기 전원선에 접속되고 있고, 상기 제1 전극은 상기 게이트에 접속되고 있다. 또한 상기 제3 전극은, 상기 게이트 또는 상기 제2 전극에 접속되어 있고, 상기 제2 스위칭 소자는, 상기 제2 단자와 상기 게이트와의 사이의 전기적 접속을 제어한다. 게다가, 상기 제1 단위 회로에 있어서, 상기 제2 용량 소자의 적어도 일부는, 상기 제1 데이터선과 상기 제1 용량 소자와의 사이에 배치되어 있다.
상기 적용예의 구성의 경우에, 제3 트랜지스터를 온 상태로 하여 초기화 전위(상기 소정의 전위)를 제1 용량 소자의 제2 전극에 공급하고, 데이터 신호의 기입 기간에 제1 스위칭 소자를 온 상태로 하여 데이터 신호를 제1 용량 소자의 제2 전극에 기입하고, 발광 기간에 제1 스위칭 소자 및 제3 스위칭 소자를 오프 상태로 하면, 발광 기간에 있어서 제1 용량 소자의 제2 전극은 플로팅(floating) 상태가 된다. 이 때문에, 가령, 데이터선과 제2 전극과의 사이에 큰 기생 용량이 존재하면, 데이터선의 전압 변동에 수반하여, 제1 용량 소자의 제1 전극의 전압이 변동하고, 구동 전류의 크기가 변동한다. 그렇지만, 적용예 9의 구성에 의하면, 데이터선과 상기 제1 용량 소자와의 사이에 제2 용량 소자가 배치되기 때문에, 데이터선과 제1 용량 소자와의 사이의 기생 용량을 삭감할 수 있다.
［적용예 10］전자기기가 상기 전기 광학 장치를 구비하고 있어도 좋다.
［적용예 11］전기 광학 장치가, 복수의 주사선과, 복수의 데이터선과, 상기 복수의 주사선 및 상기 복수의 데이터선의 교차부에 대응하여 배열된 복수의 단위 회로(예를 들면, 도 1에 나타내는 400)와, 전원 전압을 공급하는 복수의 전원선(예를 들면, 도 1에 나타내는 31)을 포함하고 있어도 좋다. 이 경우, 상기 복수의 단위 회로의 각각은, 상기 전원선과 접속되는 제1 단자, 제2 단자, 및 게이트 단자를 구비하고, 상기 제1 단자와 상기 제2 단자와의 사이에 흐르는 구동 전류의 전류 레벨이 상기 게이트 단자의 전압에 따라 변화하는 구동 트랜지스터와, 상기 구동 전류에 의해 구동되는 전기 광학 소자와, 제1 전극(예를 들면, 도 2에 나타내는 L1a)과 제2 전극(예를 들면, 도 2에 나타내는 L1b)을 구비하고, 상기 제1 전극이 상기 게이트 단자에 접속된 제1 용량 소자와, 상기 주사선을 통하여 공급되는 제어 신호에 기초하여 상기 데이터선과 상기 제2 전극과의 전기적 접속을 제어받아, 온 상태의 경우에는, 상기 데이터선에 공급된 데이터 신호를 상기 제1 용량 소자를 통하여 상기 게이트 단자에 공급하는 제1 스위칭 소자(예를 들면, 도 2에 나타내는 Tr1)와, 제3 전극과 제4 전극을 구비하여, 상기 구동 트랜지스터로부터 상기 전기 광학 소자에 상기 구동 전류를 공급할 때, 상기 게이트 단자 또는 상기 제2 전극의 전위를 유지하기 위한 제2 용량 소자를 구비하고 있다. 또한, 상기 제1 용량 소자와 상기 제2 용량 소자와는 인접하여 배치되어 있고, 상기 데이터선과 상기 제1 용량 소자와의 사이에 상기 제2 용량 소자의 일부 또는 전부가 배치되어 있다.
상기 적용예에 의하면, 데이터선과 상기 제1 용량 소자와의 사이에 제2 용량 소자가 배치되기 때문에, 데이터선과 제1 용량 소자와의 사이의 기생 용량을 삭감할 수 있다. 이에 의해, 데이터선의 전압 변동이 구동 트랜지스터의 게이트 전압을 변동시키는 크로스토크를 억압할 수 있어, 표시 품질을 대폭으로 향상시킬 수 있다. 또한, 제2 용량 소자의 전부가 데이터선과 제1 용량 소자와의 사이에 배치될 필요는 없고 그 일부가 배치되어도 좋다. 예를 들면, 제1 용량 소자와 구동 트랜지스터와의 접속 배선이 제2 용량 소자보다도 데이터선측에 배치되어도 좋다. 이 경우에도, 제1 용량 소자가 제2 용량 소자의 일부를 사이에 두고 데이터선에 대향하기 때문에, 기생 용량을 삭감할 수 있다.
［적용예 12］상기 전기 광학 장치가, 초기화 전위를 공급하는 복수의 전위선을 포함하고 있어도 좋다. 이 경우, 상기 전위선은, 상기 데이터선과 평행하게 배치되어 있고, 어느 단위 회로의 데이터선, 상기 제2 용량 소자, 상기 제1 용량 소자, 상기 전위선, 및 해당 단위 회로에 인접하는 단위 회로의 데이터선의 순서로 배치되는 것이 바람직하다.
상기 적용예에 의하면, 제1 용량 소자와 인접하는 단위 회로의 데이터선과의 사이에 전위선이 배치된다. 이 전위선에는 고정의 초기화 전위가 공급되기 때문에 제1 용량 소자와 인접하는 단위 회로의 데이터선과의 사이의 기생 용량을 대폭으로 삭감할 수 있다. 이 결과, 해당 단위 회로 및 인접하는 단위 회로의 데이터선으로부터의 크로스토크를 억제하여, 표시 품질을 보다 한층 향상시킬 수 있다. 또한, 적용예 12에 있어서, 전위선과 데이터선이 평행하게 배치되어 있다는 것은, 전위선과 데이터선이 교차하지 않도록 배치되어 있는 것을 말한다. 따라서, 전위선과 데 이터선이 교차하지 않는 것을 의도하여 제조했음에도 불구하고, 제조상의 이유에 의해 엄밀하게 평행이 되지 않는 것도 포함된다.
［적용예 13］상기 제1 용량 소자의 상기 제2 전극, 상기 제2 용량 소자의 상기 제4 전극, 상기 복수의 데이터선, 및 상기 복수의 전위선이 동일한 배선층에서 형성되고, 상기 전기 광학 소자는 상기 배선층의 상방에 위치하는 층으로 형성되어도 좋다.
상기 적용예에 의하면, 제2 전극, 제4 전극, 데이터선, 및 전위선이 상기 배선층에서 형성되기 때문에, 전기 광학 소자를 형성하는 층의 베이스(base)의 요철을 감소시켜, 대략 평탄한 베이스 위에 전기 광학 소자를 형성할 수 있다. 이 결과, 전기 광학 소자의 특성을 균일화할 수 있다.
［적용예 14］상기 구동 트랜지스터는, 반도체층과, 상기 반도체층의 위에 형성되는 절연층을 구비하고, 상기 배선층은, 상기 절연층 위에 형성되고, 상기 제1 용량 소자의 상기 제1 전극과 상기 제2 용량 소자의 상기 제3 전극은, 상기 반도체층에서 형성되어 있어도 좋다.
상기 적용예에 의하면, 반도체층에 설치된 제1 전극, 배선층에 설치된 제2 전극, 및 그 사이에 설치된 절연막에 의해 제1 용량 소자가 구성되고, 반도체층에 설치된 제3 전극, 배선층에 설치된 제4 전극, 및 그 사이에 설치된 절연막에 의해 제2 용량 소자가 구성되기 때문에, 단위면적 당의 용량치를 크게 할 수 있다. 이 결과, 제1 용량 소자 및 제2 용량 소자의 점유 면적을 삭감할 수 있다.
［적용예 15］상기 복수의 단위 회로의 각각이, 상기 제2 단자와 상기 게이 트와의 전기적 접속을 제어하는 제2 스위칭 소자와, 상기 제1 전극과 상기 전위선과의 전기적 접속을 제어하는 제3 스위칭 소자를 추가로 구비하고 있어도 좋다. 이 경우, 상기 전기 광학 소자가 배치되는 영역의 하방(下方)에는, 상기 제1 용량 소자, 상기 제2 용량 소자, 상기 구동 트랜지스터, 및 상기 제1 스위칭 소자를 배치하지 않는 것이 바람직하다. 또한, 상기 반도체층이나 상기 배선층이 설치되는 쪽으로 빛을 방출하는 보텀 에미션형(bottom-emission type)에 의해 상기 전기 광학 소자를 구성하는 경우에는, 상기 단위 회로의 각각이, 상기 구동 트랜지스터의 상기 제2 단자와 상기 게이트 단자와의 전기적 접속을 제어하는 제2 스위칭 소자와, 상기 제1 용량 소자의 상기 제2 전극과 상기 전위선과의 전기적 접속을 제어하는 제3 스위칭 소자를 추가로 구비하고 있어도 좋다. 이 경우, 상기 전기 광학 소자가 배치되는 영역의 하방에는, 상기 제1 용량 소자, 상기 제2 용량 소자, 상기 구동 트랜지스터, 상기 제1 스위칭 소자를 배치하지 않는 것이 바람직하다. 또한, 상기 전기 광학 소자가 배치되는 영역의 하방에는, 상기 제2 스위칭 소자, 및 상기 제3 스위칭 소자를 배치하지 않는 것이 바람직하다.
상기 적용예에 의하면, 전기 광학 소자의 하방에는, 배선이나 용량 소자, 트랜지스터 또는 스위칭 소자가 형성되지 않기 때문에, 빛이 그러한 구조물에 의해 차단되는 일이 없다.
［적용예 16］상기 전기 광학 소자가 배치되는 영역의 하방에는, 상기 제1 용량 소자 또는 상기 제2 용량 소자의 적어도 일부가 배치되는 것이 바람직하다. 또한, 상기 반도체층이나 상기 배선층이 설치되는 쪽과는 반대쪽으로 빛을 방출하 는 톱 에미션형(top-emission type)에 의해 상기 전기 광학 소자를 구성하는 경우에는, 상기 전기 광학 소자가 배치되는 영역의 하방에는, 상기 제1 용량 소자의 일부 또는 전부, 및 상기 제2 용량 소자의 일부 또는 전부가 배치되는 것이 바람직하다.
상기 적용예에 의하면, 전기 광학 소자를 형성하는 영역과, 제1 용량 소자 및 제2 용량 소자를 형성하는 영역을 상하 방향으로 입체적으로 겹칠 수 있기 때문에, 개구율(aperture ratio)을 향상시켜, 보다 고해상도의 화상을 표시하는 것이 가능해진다.
［적용예 17］전기 광학 장치가, 복수의 주사선과, 복수의 데이터선과, 상기 복수의 주사선 및 상기 복수의 데이터선의 교차부에 대응하여 배열된 복수의 단위 회로(예를 들면, 도 1에 나타내는 400)와, 전원 전압을 공급하는 복수의 전원선과, 초기화 전위를 공급하는 복수의 전위선(예를 들면, 도 1에 나타내는 33)을 포함하고 있어도 좋다. 이 경우, 상기 복수의 단위 회로의 각각은, 상기 전원선과 접속되는 제1 단자, 제2 단자, 및 게이트 단자를 구비하고, 상기 제1 단자와 상기 제2 단자와의 사이에 흐르는 구동 전류의 전류 레벨이 상기 게이트 단자의 전압에 따라 변화하는 구동 트랜지스터와, 상기 구동 전류에 의해 구동되는 전기 광학 소자와, 제1 전극(예를 들면, 도 2에 나타내는 L1a)과 제2 전극(예를 들면, 도 2에 나타내는 L1b)을 구비하고, 상기 제1 전극이 상기 게이트 단자에 접속된 제1 용량 소자와, 제3 전극(예를 들면, 도 2에 나타내는 L2a)과 제4 전극(예를 들면, 도 2에 나타내는 L2b)을 구비하고, 상기 제3 전극이 상기 게이트 단자에 접속되고, 상기 제4 전극이 상기 전원선에 접속된 제2 용량 소자와, 상기 주사선을 통하여 공급되는 제어 신호에 기초하여, 상기 데이터선과 상기 제1 용량 소자의 상기 제2 전극과의 전기적 접속을 제어하는 제1 스위칭 소자(예를 들면, 도 2에 나타내는 Tr1)와, 상기 구동 트랜지스터의 상기 제2 단자와 상기 게이트 단자와의 전기적 접속을 제어하는 제2 스위칭 소자(예를 들면, 도 2에 나타내는 Tr2)와, 상기 제1 용량 소자의 상기 제2 전극과 상기 전위선과의 전기적 접속을 제어하는 제3 스위칭 소자(예를 들면, 도 2에 나타내는 Tr3)를 구비하고 있다. 그리고, 상기 제1 용량 소자와 상기 제2 용량 소자는 인접하여 배치되어 있고, 상기 데이터선과 상기 제1 용량 소자와의 사이에 상기 제2 용량 소자의 일부 또는 전부가 배치되어 있다.
상기 적용예에 의하면, 제3 트랜지스터를 온 상태로 하여 초기화 전위를 제1 용량 소자의 제2 전극에 공급하고, 데이터 신호의 기입에서는 제1 스위칭 소자를 온 상태로 하여 데이터 신호를 제1 용량 소자의 제2 전극에 기입한다. 그리고, 발광 기간에서는 제1 스위칭 소자 및 제3 스위칭 소자를 오프 상태로 한다. 따라서, 발광 기간에 있어서 제1 용량 소자의 제2 전극은 플로팅 상태가 된다. 이 때문에, 데이터선과 제2 전극과의 사이에 큰 기생 용량이 존재하면, 데이터선의 전압 변동에 수반하여, 제1 용량 소자의 제1 전극의 전압이 변동하고, 구동 전류의 크기가 변동한다. 이 전기 광학 장치에 의하면, 데이터선과 상기 제1 용량 소자와의 사이에 제2 용량 소자가 배치되기 때문에, 데이터선과 제1 용량 소자와의 사이의 기생 용량을 삭감할 수 있다. 이에 의해, 데이터선의 전압 변동이 구동 트랜지스터의 게이트 전압을 변동시키는 크로스토크을 억압할 수 있어, 표시 품질을 대폭으로 향 상시킬 수 있다. 또한, 제2 용량 소자의 전부가 데이터선과 제1 용량 소자와의 사이에 배치될 필요는 없고 그 일부가 배치되어도 좋다. 예를 들면, 제1 용량 소자와 구동 트랜지스터와의 접속 배선이 제2 용량 소자보다도 데이터선측에 배치되어도 좋다. 이 경우에도, 제1 용량 소자가 제2 용량 소자의 일부를 사이에 두고 데이터선에 대향하기 때문에, 기생 용량을 삭감할 수 있다.
또한, 다른 형태에서는, 전자기기가, 전술한 전기 광학 장치를 구비해도 좋다. 전자기기에는, 예를 들면, 휴대 전화기, 퍼스널 컴퓨터, 또는 전자 스틸 카메라가 해당한다. 그러나, 상기 전기 광학 장치의 용도는 화상의 표시에 한정되지 않는다. 예를 들면, 광선의 조사에 의해 감광체 드럼 등의 상 담지체(image carrier)에 잠상(潛像)을 형성하는 구성의 화상 형성 장치(인쇄 장치)에 있어서는, 상 담지체를 노광하는 수단(소위 노광 헤드)으로서 상기 전기 광학 장치를 채용할 수 있다.
(발명을 실시하기 위한 최선의 형태)
＜A：전기 광학 장치의 구성＞
도 1 및 도 2를 참조하면서, 본 실시 형태의 전기 광학 장치의 설명을 한다. 도 1은, 본 실시 형태에 따른 전기 광학 장치의 구성을 나타내는 블록도이다. 동(同)도에 나타내는 바와 같이, 전기 광학 장치(1)는, 화소 영역(A), 주사선 구동 회로(100), 데이터선 구동 회로(200), 제어 회로(300), 및 전원 회로(500)를 구비한다. 이 중 화소 영역(A)에는, X방향으로 연재하는 m개의 주사선(10)과, 각 주사 선(10)에 쌍을 이루어 X방향으로 연재하는 m개의 전원선(31)과, X방향으로 직교하는 Y방향으로 연재하는 n개의 데이터선(103)이 형성된다. 주사선(10)과 데이터선(103)과의 각 교차에 대응하는 위치에는 화소 회로(400)가 배치된다. 따라서, 이러한 화소 회로(400)는, 종m행×횡n열의 매트릭스 형상으로 배열한다.
주사선 구동 회로(100)는, 화소 영역(A)에 배열하는 각 화소 회로(400)를 수평 주사 기간마다 행 단위로 선택하여 동작시키기 위한 회로이다. 한편, 데이터선 구동 회로(200)는, 각 수평 주사 기간에 있어서, 주사선 구동 회로(100)가 선택한 1행분 (n개)의 화소 회로(400)의 각각에 대응하는 데이터 전압(Vdata)을 생성하여 각 데이터선(103)에 출력한다. 이 데이터 전압(Vdata)은, 각 화소 회로(400)에 대하여 지정된 계조(휘도)에 대응하는 전압이다.
제어 회로(300)는, 클록 신호 등 각종의 제어 신호를 주사선 구동 회로(100) 및 데이터선 구동 회로(200)에 공급함으로써 각 회로를 제어함과 함께, 각 화소 회로(400)의 계조를 지정하는 화상 데이터를 데이터선 구동 회로(200)에 공급한다. 한편, 전원 회로(500)는, 전원의 고위(高位)측의 전압(이하 「전원 전압」이라고 함)(Vdd), 저위(低位)측의 전압(이하 「접지 전압」이라고 함)(Vss), 및 초기화 전위(VST)를 생성한다. 전원 전압(Vdd)은 전원선(31)을 통하여 각 화소 회로(400)에 급전된다. 또한, 접지 전압(Vss)은, 소정의 배선(도 2에 나타나는 접지선(32))을 통하여 모든 화소 회로(400)에 공급된다. 이 접지 전압(Vss)은 전압의 기준이 되는 전위이다. 또한, 초기화 전위(VST)는, 초기화용 전원선(33)을 통하여 각 화소 회로(400)에 공급한다.
다음으로, 도 2를 참조하여, 각 화소 회로(400)의 구성을 설명한다. 동 도에 있어서는, 제i행(i는 1≤i≤m을 만족시키는 정수)에 속하는 제j열째(j는 1≤j≤n을 만족시키는 정수)의 하나의 화소 회로(400)만이 도시되어 있지만, 다른 화소 회로(400)도 동일한 구성이다. 또한, 화소 회로(400)를 구성하는 각 트랜지스터의 도전형은 도 2의 예시에 한정되지 않는다. 또한, 도 2에 나타나는 각 트랜지스터의 전형예는, 저온 폴리 실리콘을 반도체층에 이용한 박막 트랜지스터이지만, 각 트랜지스터의 형태나 재료는 어떠한 한정도 되지 않는다.
도 2에 나타내는 바와 같이, 화소 회로(400)는, 전원 전압(Vdd)이 공급되는 전원선(31)과 접지 전압(Vss)이 공급되는 접지선(32)과의 사이에 각각이 개재된 OLED 소자(420) 및 p채널형의 트랜지스터(이하 「구동 트랜지스터」라고 함)(Tdr)를 포함한다. OLED 소자(420)는, 그 순방향(forward direction)으로 흐르는 전류(이하 「구동 전류」라고 함)에 따른 휘도로 발광하는 소자로서, 유기 EL재료로 이루어지는 발광층을 양극과 음극과의 사이에 개재시킨 구조로 되어 있다. 이 발광층은, 예를 들면, 잉크젯 방식(액적 토출 방식)의 헤드로부터 유기 EL재료의 액적을 토출하여, 이를 건조시킴으로써 형성된다. OLED 소자(420)의 음극은 접지선(32)에 접속된다. 한편, 구동 트랜지스터(Tdr)는, OLED 소자(420)에 흐르는 구동 전류를 제어하기 위한 트랜지스터이다.
또한, OLED 소자(420)의 재료로서는, 저분자·고분자 또는 덴드리마(dendrimer) 등의 유기 발광재료가 이용된다. 그러나, OLED 소자(420)는 발광소 자의 일 예에 지나지 않는다. 즉, OLED 소자(420)에 대신하여, 무기 EL소자나, 필드·에미션(FE) 소자, 표면 도전형 에미션(SE：Surface-conduction Electron-emitter) 소자, 탄도 전자 방출(BS：Ballistic electron Surface emitting) 소자, LED(Light Emitting Diode) 소자 등 여러가지 자발광 소자, 나아가서는, 전기 영동(electrophoresis) 소자나 일렉트로크로믹(electro-chromic) 소자 등을 이용해도 좋다. 또한, 광기입형의 프린터나 전자 복사기에 이용되는 기입 헤드 등의 노광 장치에도 본 실시 형태와 동일하게 본 발명이 적용된다. 또한, 예를 들면, 바이오 칩(bio chip) 등의 센싱 장치에도 본 발명은 적용된다.
도 1에 있어서 편의상 1개의 배선으로서 도시된 주사선(10)은, 실제로는 도 2에 나타나는 바와 같이 제1 제어선(11), 제2 제어선(12), 제3 제어선(13), 제4 제어선(14)을 포함한다. 각 행의 제1 제어선(11)에는, 데이터 전압(Vdata)을 화소 회로(400)에 취입(taking)하는 기간을 규정하기 위한 제1 제어 신호(Sc1[1] 내지 Sc1[m])가 주사선 구동 회로(100)로부터 공급된다. 또한, 각 행의 제2 제어선(12)에는, 화소 회로(400)의 보상 기간을 규정하기 위한 제2 제어 신호(Sc2[1] 내지 Sc2[m])가 주사선 구동 회로(100)로부터 공급된다. 또한, 각 행의 제3 제어선(13)에는, 화소 회로(400)의 초기화 기간을 규정하기 위한 제3 제어 신호(Sc3[1] 내지 Sc3[m])가 주사선 구동 회로(100)로부터 공급된다. 또한, 각 행의 제4 제어선(14)에는, 화소 회로(400)의 발광 기간을 규정하기 위한 제4 제어 신호(Sc4[1] 내지 Sc4[m])가 주사선 구동 회로(100)로부터 공급된다.
또한, 이 화소 회로는, n채널형의 트랜지스터(Tr1), 트랜지스터(Tr2), 트랜 지스터(Tr3) 및 트랜지스터(Tr4)를 구비한다. 각 트랜지스터(Tr1)∼트랜지스터(Tr4)의 게이트 전극은, 각각 제1 제어 신호(Sc1[i]), 제2 제어 신호(Sc2[i]), 제3 제어 신호(Sc3[i]), 제4 제어 신호(Sc4[i])가 공급되는 제1 제어선(11), 제2 제어선(12), 제3 제어선(13), 제4 제어선(14)에 접속되어 있다.
발광 제어 트랜지스터(Tr4)는, 구동 트랜지스터(Tdr)로부터 OLED 소자(420)에 대한 구동 전류의 공급의 여부를 제어하기 위한 스위칭 소자로서 설치되어 있고, 그 드레인 전극이 OLED 소자(420)의 양극에 접속됨과 함께 소스 전극이 구동 트랜지스터(Tdr)의 드레인 전극에 접속된 n채널형의 트랜지스터이다. 이 발광 제어 트랜지스터(Tr4)의 게이트 전극은 제4 제어선(14)에 접속되어 있다. 따라서, 발광 제어 트랜지스터(Tr4)는, 제4 제어선(14)에 공급되는 제4 제어 신호(Sc4[i])가 하이 레벨이면 온 상태가 되고 로우 레벨이면 오프 상태가 된다.
트랜지스터(Tr1)는, 그 소스 전극이 데이터선(103)에 접속됨과 함께 드레인 전극이 용량 소자(C1)의 제2 전극(L1b)에 접속된 n채널형의 트랜지스터이며, 용량 소자(C1)와 데이터선(103)과의 도통 및 비(非)도통을 전환하기 위한 스위칭 소자로서 기능한다. 이 트랜지스터(Tr1)의 게이트 전극은 제1 제어선(11)에 접속된다. 따라서, 제1 트랜지스터(Tr1)는, 제1 제어 신호(Sc1[i])가 하이 레벨이면 온 상태가 되고, 제1 제어 신호(Sc1[i])가 로우 레벨이면 오프 상태가 된다. 트랜지스터(Tr1)가 온 상태일 때, 데이터선의 전압(Vdata)이 용량 소자(C1)의 제2 전극(L1b)에 공급된다.
또한, 트랜지스터(Tr2)는, 구동 트랜지스터(Tdr)의 보상용으로 설치되어 있 고, 그 드레인 전극이 구동 트랜지스터(Tdr)의 드레인 전극에 접속됨과 함께, 소스 전극이 구동 트랜지스터(Tdr)의 게이트 전극에 접속된 n채널형의 트랜지스터이다. 이 트랜지스터(Tr2)의 게이트 전극은 제2 제어선(12)에 접속된다. 따라서, 트랜지스터(Tr2)는, 제2 제어 신호(Sc2[i])가 하이 레벨이면 온 상태가 되고, 제2 제어 신호(Sc2[i])가 로우 레벨이면 오프 상태가 된다. 트랜지스터(Tr2)가 온 상태로 전이하면 구동 트랜지스터(Tdr)는 게이트 전극과 소스 전극이 도통하여 다이오드로서 기능하도록 되어 있다.
용량 소자(C1)는, 계조 신호에 따른 전압을 유지하기 위해 설치되어 있고, 그 제1 전극(L1a)과 제2 전극(L1b)과의 사이에 전하를 유지하는 용량이다. 제1 전극(L1a)은 구동 트랜지스터(Tdr)의 게이트 전극에 접속되고, 제2 전극(L1b)은 트랜지스터(Tr1)의 드레인 전극에 접속되어 있다. 또한, 용량 소자(C2)는, 구동 트랜지스터(Tdr)의 보상용의 전압을 유지하기 위해 설치되어 있고, 그 제1 전극(L2a)과 제2 전극(L2b)과의 사이에 전하를 유지하는 용량이다. 제1 전극(L2a)은 구동 트랜지스터(Tdr)의 게이트 전극에 접속되고, 제2 전극(L2b)은 전원선(31)에 접속되어 있다.
트랜지스터(Tr3)는, 초기화(initialization)용으로 설치되어 있고, 그 드레인 전극이 초기화용 전원선(33)에 접속됨과 함께, 소스 전극이 용량 소자(C1)의 제2 전극(L1b)에 접속된 n채널형의 트랜지스터이다. 이 트랜지스터(Tr3)의 게이트 전극은 제3 제어선(13)에 접속된다. 따라서, 트랜지스터(Tr3)는, 제3 제어 신호(Sc3[i])가 하이 레벨이면 온 상태가 되고, 제3 제어 신호(Sc3[i])가 로우 레벨 이면 오프 상태가 된다.
＜B：전기 광학 장치의 동작＞
도 3은, 화소 회로(400)에 공급되는 각 신호의 파형을 나타내는 타이밍 차트이다. 동 도에 나타나는 바와 같이, 제1 제어 신호(Sc1[1] 내지 Sc1[m])는, 수직 주사 기간(1V) 중에, 수평 주사 기간(1H)마다 순번으로 하이 레벨이 된다. 각 행의 화소 회로(400)의 구동은, 초기화, 보상, 기입, 발광의 각 스텝의 동작에 의해 행해진다. 먼저, 초기화 동작에 있어서, 주사선 구동 회로(100)는, i행째의 제1 제어 신호(Sc1[i])를 로우 레벨로 하고, i행째의 제2 제어 신호(Sc2[i]), 제3 제어 신호(Sc3[i]), 제4 제어 신호(Sc4[i])를 하이 레벨로 한다. 이에 의해, 트랜지스터(Tr1)가 오프, 트랜지스터(Tr2), 트랜지스터(Tr3), 트랜지스터(Tr4)가 온이 된다. 이 때, 초기화용 전원선(33)의 초기화 전위(VST)(예를 들면 저전위)가 제1 용량 소자(C1)의 제2 전극(L1b)에 공급되는 한편, 제1 전극(L1a)이 트랜지스터(Tr2) 및 트랜지스터(Tr4)를 통하여 OLED 소자(420)에 접속된다. 이에 의해, 제1 용량 소자(C1)의 양단의 전위가 초기화되어, 용량 소자(C1)에 축적된 전하가 배출된다.
이후, 보상 동작에 있어서, 주사선 구동 회로(100)는, 제2 제어 신호(Sc2[i])만 하이 레벨로 하고, 제1 제어 신호(Sc1[i]), 제3 제어 신호(Sc3[i]), 제4 제어 신호(Sc4[i])를 로우 레벨로 한다. 이에 의해, 트랜지스터(Tr2)가 온, 트랜지스터(Tr1), 트랜지스터(Tr3), 트랜지스터(Tr4)가 오프가 되고, 구동 트랜지스터(Tdr)의 게이트 전극의 전압(VG)이 「Vdd－Vth」로 수렴(converge)하고, 용량 소자(C2)에는 -Vth의 전압이 유지된 상태가 된다. 여기서, Vth는 구동 트랜지스터(Tdr)의 임계치이다.
이후, 기입 동작에 있어서, 데이터선 구동 회로(200)는, 제어 회로(300)로부터의 지시에 따라 대응하는 각 데이터선(103)에 기입 전압(Vdata)을 공급하고, 주사선 구동 회로(100)는, 제1 제어 신호(Sc1[i])만 하이 레벨로 하고, 제2 제어 신호(Sc2[i]), 제3 제어 신호(Sc3[i]), 제4 제어 신호(Sc4[i])를 로우 레벨로 한다. 이에 의해, 트랜지스터(Tr1)가 온, 트랜지스터(Tr2), 트랜지스터(Tr3), 트랜지스터(Tr4)가 오프가 되어, 데이터선(103)의 전압(Vdata)이 제1 용량 소자(C1)의 제2 전극(L1b)에 공급된다. 제2 전극(L1b)의 전압은, 초기화 동작에서 설정된 초기화 전위(VST)로부터 데이터 전압(Vdata)으로 변화한다. 이렇게 하여 제2 전극(L1b)의 전압이 ΔV(ΔV=VST－Vdata)만큼 변화하면, 제1 용량 소자(C1)와 제2 용량 소자(C2)와의 용량 커플링(capacitative coupling)에 의해, 구동 트랜지스터(Tdr)의 게이트 전극의 전압(VG)은, 제2 전극(L1b)에 있어서의 전압의 변화분 ΔV를 제1 용량 소자(C1)의 정전 용량(Ca)과 제2 용량 소자(C2)와의 정전 용량(Cb)과의 비율에 따라 분할한 레벨만큼 그 직전의 전압(Vdd－Vth)으로부터 변화한다. 접속점(NG)에 있어서의 전압(VG)의 변화분은 「ΔV·Ca/(Ca＋Cb)」라고 표현되기 때문에, 기입 동작에 의해, 접속점(NG)의 전압(VG)은, 다음 식과 같이 된다.
VG=Vdd－Vth－ΔV·Ca/(Ca＋Cb)　　　…(1)
기입이 종료한 후, 주사선 구동 회로(100)는, 제4 제어 신호(Sc4[i])만 하이 레벨로 하고, 제1 제어 신호(Sc1[i]) , 제2 제어 신호(Sc2[i]), 제3 제어 신호(Sc3[i])를 로우 레벨로 한다. 이에 의해, 트랜지스터(Tr4)가 온, 트랜지스터(Tr1), 트랜지스터(Tr2), 트랜지스터(Tr3)가 오프가 되고, OLED 소자(420)에는, 구동 트랜지스터(Tdr)의 게이트·소스간 전압에 따른 구동 전류(Iel)가 흐른다. 구동 트랜지스터(Tdr)의 소스 전극을 기준으로 했을 때의 게이트 전극의 전압은 「－(VG－Vdd)」이기 때문에, 구동 전류(Iel)는, 다음 식으로 나타난다.
Iel=(1/2)β(Vdd－VG－Vth)2　　　…(2)
이 식(2)에 식(1)을 대입하면, 다음 식과 같이 변형할 수 있다.
Iel=(1/2)β(k·ΔV)2　　 　…(3)
단, k는 「Ca/(Ca＋Cb)」이다. 이 식(3)에 나타나는 바와 같이, OLED 소자(420)에 공급되는 구동 전류(Iel)는, 데이터 전압(Vdata)과 전원 전압(Vdd)과의 차분ΔV(=Vdd－Vdata)만에 의해 결정되고, 구동 트랜지스터(Tdr)의 임계치 전압(Vth)에는 의존하지 않는다. 즉, 본 실시 형태에 있어서도, 각 화소 회로(400)에 있어서의 구동 트랜지스터(Tdr)의 임계치 전압(Vth)의 불균일을 보상하고, OLED 소자(420)를 높은 정밀도로 소기의 휘도로 발광시킬 수 있다.
＜C：용량 소자 등의 구조＞
도 4는, 전술한 바와 같이 구성된 전기 광학 장치의 1 화소분의 구조를 개념 적으로 나타내는 평면도이며, 도 5는 도 4 중의 a－a'단면도이다. 또한 도 4에서는, 반도체층(반도체 패턴층이라고도 칭함), 게이트 배선층(도(圖)에 있어서의 「 제1 배선층」；하부 배선 패턴층이라고도 칭함) 및 소스 배선층(도에 있어서의 「 제2 배선층」；상부 배선 패턴층이라고도 칭함)만을 도시하고 있지만, 이들의 층은 도 5에 나타내는 바와 같이, 예를 들면 유리 등의 기판상에 형성되고 있고, 각층간에는 절연층 등의 층이 개재하고 있지만, 도시의 편의상 생략하고 있다. 또한, 소스 배선층(상부 배선 패턴층)의 위에는, 절연층(상부 절연층이라고도 칭함)이 형성되어 있고, 이 절연층(상부 절연층)의 위에는 단자(T0)를 통하여 소스 배선층에 접속되는 OLED 소자(420)가 형성되어 있다. 또한, 이 OLED 소자(420)상에 공통 전극(접지)이 형성되고 있지만, 이들은 도시를 생략하고 있다.
전술한 각 트랜지스터(Tr1∼Tr4, Tdr)는, 반도체층(반도체 패턴층)과 게이트 배선층(하부 배선 패턴층)을 포함한 구조에 의해 구성되어 있다. 게이트 배선층과 반도체층의 사이에는 하부 절연층이 형성되어 있고, 반도체층에 설치된 공통 전극(L1a, L2a에 상당)과, 게이트 배선층에 설치된 전극(L1b, L2b)의 사이에서 용량 소자(C1) 및 용량 소자(C2)가 형성되어 있다. 이 전기 광학 장치에서는, 용량 소자(C2)는 용량 소자(C1)와 데이터선(103)의 사이에 배치되어 있다.
구체적으로 본 실시 형태에서는, 다음과 같다. 유리 기판의 표면 등의 베이스(base)의 표면상에, 구동 트랜지스터(Tdr) 및 트랜지스터(Tr1∼Tr4)의 각각의 채널 영역이 규정된 각각의 반도체막과, 용량 소자(C1)의 제1 전극(L1a)과, 용량 소자(C2)의 제1 전극(L2a)을 포함한 반도체 패턴층이 형성되어 있다. 채널 영역이 규정된 반도체막과, 제1 전극(L1a) 및 제1 전극(L2a)은, 베이스의 표면상에 형성된 반도체막에 대한 불순물 주입을 선택적으로 실시하고, 이어 패터닝 함으로써, 형성되어진다. 선택적인 불순물 주입에 의해, 제1 전극(L1a)과, 제1 전극(L2a)의 도전율은, 채널 영역이 규정된 반도체막의 도전율보다도 양호하지만, 본 실시 형태에서는, 제1 전극(L1a)도 제1 전극(L2a)도 「반도체층」즉 「반도체 패턴층」의 일부로서 정의하고 있다.
그리고, 반도체 패턴층은 하부 절연층에 덮여져 있다. 이 하부 절연층상에는, 데이터선(103)과, 용량 소자(C1)의 제2 전극(L1b)과, 용량 소자(C2)의 제2 전극(L2b)과, 초기화용 전원선(33)을 포함한 하부 배선 패턴층이 설치되어 있다. 또한, 하부 배선 패턴층은, 상부 절연층에 의해 덮여져 있다.
이러한 레이아웃을 채용한 것은, 이하의 이유에 의한다. 즉, 데이터선(103)에는 1 수평 주사 기간(H)마다, 각 행의 화소 회로(400)에 기입하는 데이터 전압(Vdata)이 공급된다. 따라서, 데이터선(103)의 전위는 1 수평 주사 기간(H)마다 변동한다. 선택되어 있지 않은 행에서는, 트랜지스터(Tr1)가 오프 상태가 되기 때문에, 이상적으로는 제1 용량 소자(C1)의 제2 전극(L1b)의 전위는 변화하지 않는다. 그렇지만, 실제의 레이아웃에서는, 제2 전극(L1b)과 데이터선(103)과의 사이에 기생 용량이 존재한다. 이 때문에, 기생 용량을 통하여 제2 전극(L1b)과 데이터선(103)이 용량 커플링 하고, 제2 전극(L1b)의 전위가 변동한다. 제2 전극(L1b)의 전위의 변동을 억제하기 위해서는, 기생 용량을 감소시키는 것이 중요하다. 가령, 제1 용량 소자(C1)가 제2 용량 소자(C2)보다도 데이터선(103)에 가깝게 배치되 면, 기생 용량이 커져, 제2 전극(L1b)의 전위가 크게 변동한다. 그래서, 제1 용량 소자(C1)와 데이터선(103)의 사이에 제2 용량 소자(C2)를 설치하여, 제1 용량 소자(C1)를 데이터선(103)의 거리를 길게 했다.
이 레이아웃에 의하면, 기생 용량을 감소시켜 용량 소자(C1)와 데이터선(103)의 사이의 크로스토크를 감소시킬 수 있다. 이에 의해, 용량 소자(C1)의 전위의 변동에 의한 구동 트랜지스터(Tdr)의 게이트의 전위의 변동을 억제하여, 표시 품질의 향상에 기여할 수 있다. 도 4 중의 a－a'단면도인 도 5에 나타나는 바와 같이, 본 실시 형태에 있어서는, 데이터선(103), 용량 소자(C1)의 제2 전극(L1b), 및 용량 소자(C2)의 제2 전극(L2b)은, 제1 배선층에서 설치되고, 용량 소자(C1)의 제1 전극(L1a) 및 용량 소자(C2)의 제1 전극(L2a)은 반도체층에서 설치되어 있다. 이와 같이, 용량 소자(C1)의 제1 전극(L1a) 및 용량 소자(C2)의 제1 전극(L2a)과, 데이터선(103)과는 다른 층으로 형성되고 있는 것이 바람직하다. 여기서, 용량 소자(C1)의 제1 전극(L1a)은, 전원 전압(Vdd)이 공급되는 전원선(31)에 접속되어 있다. 따라서, 제1 전극(L1a)에는 전원 전압(Vdd)이 공급되고 있지만, 제1 전극(L1a)은 고정 전위가 공급된 다른 배선에 접속되어 있어도 좋다.
또한, 이 실시 형태에서는, 용량 소자(C1)의 제1 전극(L1a)과, 용량 소자(C2)의 제1 전극(L2a)을 반도체층에 설치한 공통 전극으로 하고 있기 때문에, 레이아웃 면적을 저감시키고, 고집적화에 기여할 수 있다. 또한, 용량 소자(C1)의 제1 전극(L1a), 용량 소자(C2)의 제1 전극(L2a), 데이터선(103), 초기화용 전원선(33) 등을 제1 배선층의 동일 평면상에서 형성하고 있기 때문에, 투명 전극층의 요철을 감소시키고, 발광 기능층의 평면성을 향상시킬 수 있다. 이에 의해, 표시 품질의 향상에 기여할 수 있다.
＜D：변형예＞
이상의 각 형태에는 여러가지 변형을 더할 수 있다.
(1) 예를 들면 전술의 실시 형태에서는, 도 4 및 도 5에 나타내는 바와 같이, OLED 소자(420)를 보텀 에미션형으로서 구성한 예에 대하여 설명했지만, 예를 들면 도 6 및 도 7에 나타내는 바와 같이, 톱 에미션형으로서 구성할 수도 있다. 도 7에 나타내는 톱 에미션형의 OLED 소자(420)에서는, 빛이 상방(上方)으로 방출된다. 이 때문에, 반사 메탈을 설치하여, 발광 기능층으로부터 하방을 향한 빛을 반사한다. 톱 에미션형에서는, OLED 소자(420)의 하방의 영역에 회로 소자를 레이아웃 할 수 있다. 이 예에서는, 제1 용량 소자(C1) 및 제2 용량 소자(C2)가 배치된다.
도 6에 나타내는 바와 같이, X방향에 대하여, 데이터선(103)→제2 용량 소자(C2)→제1 용량 소자(C1)→초기화용 전원선(33)→데이터선(103)…의 순서로 레이아웃 된다. 톱 에미션형에서는, OLED 소자(420)를 형성하는 영역은 제1 용량 소자(C1)를 배치할 수 있기 때문에, 제1 용량 소자(C1)는, 해당 화소 회로(400)의 데이터선(103a)과는 제2 용량 소자(C2)를 통하여 떨어지지만, 인접하는 화소 회로의 데이터선(103b)과 거리가 가까워진다. 그렇지만, 제1 용량 소자(C1)와 데이터선(103b)과의 사이에는 초기화용 전원선(33)이 배치된다. 이 초기화용 전원선(33) 에는 고정의 초기화 전위(VST)가 공급되기 때문에, 제1 용량 소자(C1)와 데이터선(103b)과의 사이의 기생 용량을 작게 할 수 있다. 이에 의해, 용량 소자(C1)와 인접하는 화소 회로의 데이터선(103b)과의 사이의 크로스토크를 감소시켜, 표시 화상의 품질을 향상시킬 수 있다. 더하여, OLED 소자(420)와 각종의 회로 소자를 입체적으로 레이아웃 할 수 있기 때문에, 개구율을 향상시켜, 보다 고해상도의 화상을 표시하는 것이 가능해진다.
(2) 상기 실시 형태에 있어서, 용량 소자(C2)의 제1 전극(L2a)(제3 전극)은, 용량 소자(C1)의 제1 전극(L1a)(제1 전극)에 전기적으로 접속되어 있다. 그렇지만, 도 8에 나타내는 바와 같이, 용량 소자(C2)의 제1 전극(L2a)(제3 전극)은, 용량 소자(C1)의 제2 전극(L1b)(제2 전극)에 전기적으로 접속되어 있어도 좋다.
(3) 상기 실시 형태에 있어서, 데이터선(103)은, 하부 절연층상에 설치된 하부 배선 패턴층에 포함되어 있다. 그렇지만, 도 9 및 도 10에 나타내는 바와 같이, 데이터선(103m)이, 하부 배선 패턴층(704)을 덮는 상부 절연층(705)상에 설치된 상부 배선 패턴층(706)에 포함되어도 좋다.
(4) 도 4 내지 도 7에 있어서는, 용량 소자(C2)의 제1 전극(L2a)(제3 전극)은, 구동 트랜지스터(Tdr)의 게이트에 전기적으로 접속되어 있다. 이 경우에는, 용량 소자(C1)의 제1 전극(L1a)(제1 전극)과 용량 소자(C2)의 제1 전극(L2a)(제3 전극)은, 반도체 패턴층에 있어서 공통의 반도체막에 의해 구성되어 있다. 데이터선(103)은, 반도체 패턴층을 덮는 하부 절연층상에 위치하고 있으며, 이와 같이 함 으로써, 공통의 반도체막과 데이터선(103)을 입체적으로 이반(離反)시킬 수 있다. 따라서, 공통의 반도체막과 데이터선(103)과의 사이의 결합 용량을 저감시킬 수 있다.
한편으로, 도 11(a) 및 (b)에 나타내는 바와 같이, 용량 소자(C2)의 제1 전극(L2a)(제3 전극)이 용량 소자(C1)의 제2 전극(L1b)(제2 전극)에 전기적으로 접속되어 있는 경우에는, 용량 소자(C1)의 제2 전극(L1b)(제2 전극)과 용량 소자(C2)의 제1 전극(L2a)(제3 전극)이, 공통의 반도체막에 의해 구성되어도 좋다.
이 경우, 구체적으로는, 유리 기판(701)의 표면 등의 베이스 표면상에, 구동 트랜지스터(Tdr)의 채널 영역이 규정되는 반도체막(도시하지 않음)과, 용량 소자(C1)의 제2 전극(L1b)(제2 전극)과, 용량 소자(C2)의 제1 전극(L2a)(제3 전극)을 포함한 반도체 패턴층(702)이 형성되어 있다. 그리고, 반도체 패턴층(702)은, 하부 절연층(703)으로 덮여져 있다. 또한, 하부 절연층(703)상에, 용량 소자(C1)의 제1 전극(L1a)(제1 전극)과, 용량 소자(C2)의 제2 전극(L2b)(제4 전극)을 포함한 하부 배선 패턴층(704)이 형성되어 있다. 또한, 본 변형예에서는 하부 배선 패턴층(704)에, 데이터선(103)도 포함된다. 또한, 하부 배선 패턴층(704)은, 상부 절연층(705)에 의해 덮여져 있다.
이와 같이 함으로써, 용량 소자(C1)의 제1 전극(L1a)(제1 전극), 용량 소자(C2)의 제2 전극(L2b)(제4 전극), 및 데이터선(103)이 공통의 하부 배선 패턴층(704)에 포함된다. 게다가, 용량 소자(C2)의 제2 전극(L2b)(제4 전극)이 용량 소자(C1)의 제1 전극(L1a)(제1 전극)과 데이터선(103)과의 사이에 개재하기 때문 에, 이들의 결합 용량을 저감시킬 수 있다. 또한, 용량 소자(C2)의 제2 전극(L2b)(제4 전극)은, 정전위(定電位)의 배선에 접속되는 것이 바람직하다. 예를 들면, 정전위의 배선이란 전원선(31)이다.
또한, 도 12(a) 및 (b)에 나타내는 바와 같이, 용량 소자(C2)의 제1 전극(L2a)(제3 전극)이 구동 트랜지스터(Tdr)의 게이트에 전기적으로 접속되어 있는 경우에는, 용량 소자(C1)의 제1 전극(L1a)(제1 전극)과, 용량 소자(C2)의 제1 전극(L2a)(제3 전극)과, 데이터선(103)은, 하부 절연층(703)상에 설치된 하부 배선 패턴층(704)에 포함되어 있어도 좋다. 또한, 용량 소자(C1)의 제1 전극(L1a)(제1 전극)과 용량 소자(C2)의 제1 전극(L2a)(제3 전극)과는 공통의 전극막에 의해 구성되어도 좋다.
이 경우, 구체적으로는, 유리 기판(701)의 표면 등의 베이스 표면상에, 구동 트랜지스터(Tdr)의 채널 영역이 규정되는 반도체막(도시하지 않음)과, 용량 소자(C1)의 제2 전극(L1b)(제2 전극)과, 용량 소자(C2)의 제2 전극(L2b)(제4 전극)을 포함한 반도체 패턴층(702)이 설치되어 있다. 그리고, 이 반도체 패턴층(702)은, 하부 절연층(703)으로 덮여져 있다. 또한, 하부 절연층(703)상에, 용량 소자(C1)의 제1 전극(L1a)(제1 전극)과, 용량 소자(C2)의 제1 전극(L2a)(제3 전극)을 포함한 하부 배선 패턴층(704)이 설치되어 있다. 그리고, 하부 배선 패턴층(704)에 있어서, 용량 소자(C1)의 제1 전극(L1a)(제1 전극)과 용량 소자(C2)의 제1 전극(L2a)(제3 전극)은, 공통의 전극막에 의해 구성되어 있다. 또한, 본 변형예에서도 이 하부 배선 패턴층(704)에, 데이터선(103)도 포함된다. 또한, 하부 배선 패 턴층(704)은, 상부 절연층(705)에 의해 덮여져 있다.
또한, 이 구성을 톱 에미션형의 구성에 적용했을 경우에는, 도 7과 비교하여, 용량 소자(C1)의 제1 전극(L1a)(제1 전극)과 용량 소자(C2)의 제1 전극(L2a)(제3 전극)과의 사이에서 하부 배선 패턴층(704)을 패터닝할 필요가 없다. 예를 들면, 반도체 패턴층(702)에 포함되는 막의 두께는 100nm정도이며, 하부 배선 패턴층(704)에 포함되는 막의 두께는 500nm정도이다. 일반적으로, 배선 패턴은 반도체 패턴보다도 두껍기 때문에, 용량 소자(C1)와 용량 소자(C2)와의 사이에서 반도체 패턴층(702)을 패터닝하는 경우의 쪽이 하부 배선 패턴층(704)을 패터닝하는 것보다도 요철을 저감시킬 수 있다. 따라서, 이러한 구성으로 함으로써, 발광 소자의 요철을 저감시킬 수 있다.
또한, 도 13(a) 및 (b)에 나타내는 바와 같이, 용량 소자(C2)의 제1 전극(L2a)(제3 전극)이 용량 소자(C1)의 제2 전극(L1b)(제2 전극)에 전기적으로 접속되어 있는 경우에는, 용량 소자(C2)의 제1 전극(L2a)(제3 전극)과, 용량 소자(C1)의 제2 전극(L1b)(제2 전극)이 하부 절연층(703)상에 설치된 하부 배선 패턴층(704)에 포함되어도 좋다.
이 경우, 구체적으로는, 유리 기판(701)의 표면 등의 베이스 표면상에, 구동 트랜지스터(Tdr)의 채널 영역이 규정되는 반도체막(도시하지 않음)과, 용량 소자(C1)의 제1 전극(L1a)(제1 전극)과 용량 소자(C2)의 제2 전극(L2b)(제4 전극)을 포함한 반도체 패턴층(702)이 설치되어 있다. 그리고, 이 반도체 패턴층(702)은, 하부 절연층(703)으로 덮여져 있다. 또한, 하부 절연층(703)상에, 용량 소자(C1) 의 제2 전극(L1b)(제2 전극)과, 용량 소자(C2)의 제1 전극(L2a)(제3 전극)을 포함한 하부 배선 패턴층(704)이 설치되어 있다. 여기서, 하부 배선 패턴층(704)에 있어서, 용량 소자(C1)의 제2 전극(L1b)(제2 전극)과, 용량 소자(C2)의 제1 전극(L2a)(제3 전극)은, 공통의 전극막에 의해 구성되어 있다. 또한, 하부 배선 패턴층(704)은, 상부 절연층(705)에 의해 덮여져 있다.
이 경우에 있어서도, 용량 소자(C1)의 제2 전극(L1b)(제2 전극)과 용량 소자(C2)의 제1 전극(L2a)(제3 전극)과의 사이에서 하부 배선 패턴층(704)을 패터닝할 필요가 없다. 따라서, 이 경우에 있어서도, 용량 소자(C1 및 C2)에서의 요철을 저감시킬 수 있다.
(5) 또한, 예를 들면 화소 회로(400)를 구성하는 각 트랜지스터의 도전형은 적절히 변경된다. 예를 들면, 도 2에 있어서의 구동 트랜지스터(Tdr)는 n채널형이어도 좋다. 이 경우에 있어서도, 전원선(31)에 공급되는 전위(Vdd)는, 구동 트랜지스터(Tdr)의 게이트에 공급되었을 때에 이 구동 트랜지스터(Tdr)를 온 상태로 하는 전위로 설정된다.
또한, 상기 실시 형태 및 변형예에 있어서, 유리 기판(701) 등의 기판의 표면이 보호막으로 덮여져 있어도 좋다. 기판의 표면에 보호막이 위치하는 경우라도, 본 명세서에서는, 그 보호막과, 그에 접해 있는 기판을 포함하여 「기판」이라고 표기한다.
＜E：응용예＞
다음으로, 전기 광학 장치(1)를 이용한 전자기기에 대하여 설명한다. 도 14 는, 앞에서 설명한 어느 쪽인가의 형태에 따른 전기 광학 장치(1)를 표시장치로서 채용한 모바일형의 퍼스널 컴퓨터의 구성을 나타내는 사시도이다. 퍼스널 컴퓨터(2000)는, 표시장치로서의 전기 광학 장치(1)와 본체부(2010)를 구비한다. 본체부(2010)에는, 전원 스위치(2001) 및 키보드(2002)가 설치되어 있다. 이 전기 광학 장치(1)는 전기 광학 소자에 OLED 소자를 사용하고 있기 때문에, 시야각이 넓고 보기 쉬운 화면을 표시할 수 있다.
도 15에, 실시 형태에 따른 전기 광학 장치(1)를 적용한 휴대 전화기의 구성을 나타낸다. 휴대 전화기(3000)는, 복수의 조작 버튼(3001) 및 스크롤 버튼(3002), 그리고 표시장치로서의 전기 광학 장치(1)를 구비한다. 스크롤 버튼(3002)을 조작함으로써, 전기 광학 장치(1)에 표시되는 화면이 스크롤된다.
도 16에, 실시 형태에 따른 전기 광학 장치(1)를 적용한 휴대 정보 단말(PDA：Personal Digital Assistants)의 구성을 나타낸다. 정보 휴대 단말(4000)은, 복수의 조작 버튼(4001) 및 전원 스위치(4002), 그리고 표시장치로서의 전기 광학 장치(1)를 구비한다. 전원 스위치(4002)를 조작하면, 주소록이나 스케쥴북(schedule book)이라고 하는 각종의 정보가 전기 광학 장치(1)에 표시된다.
또한, 전기 광학 장치가 적용되는 전자기기로서는, 도 14 내지 도 16에 나타낸 것 외에, 디지털 카메라, 텔레비전, 비디오 카메라, 카 네비게이션 장치, 페이저(pager), 전자수첩, 전자 페이퍼, 전자 계산기, 워드 프로세서, 워크스테이션, TV 전화, POS 단말, 프린터, 스캐너, 복사기, 비디오 플레이어, 터치 패널을 구비한 기기 등을 들 수 있다. 또한, 전기 광학 장치의 용도는 화상의 표시에 한정되 지 않는다. 예를 들면, 광기입형의 프린터나 전자 복사기라고 하는 화상 형성 장치에 있어서는, 용지 등의 기록재에 형성되어야 할 화상에 따라 감광체를 노광하는 기입 헤드(writing head)가 사용되는데, 이런 종류의 기입 헤드로서도 상기 전기 광학 장치는 이용된다. 여기서, 전자 회로란, 각 실시 형태와 같이 표시장치의 화소를 구성하는 화소 회로 외에, 화상 형성 장치에 있어서의 노광의 단위가 되는 회로도 포함하는 개념이다.
도 1은 실시 형태에 따른 전기 광학 장치의 구성을 나타내는 블록도이다.
도 2는 화소 회로의 구성을 나타내는 회로도이다.
도 3은 각 신호의 파형을 나타내는 타이밍 차트이다.
도 4는 전기 광학 장치의 요부의 구성을 개념적으로 나타내는 평면도이다.
도 5는 전기 광학 장치의 요부의 구성을 개념적으로 나타내는 단면도이다.
도 6은 변형예에 따른 전기 광학 장치의 요부의 구성을 개념적으로 나타내는 평면도이다.
도 7은 변형예에 따른 전기 광학 장치의 요부의 구성을 개념적으로 나타내는 단면도이다.
도 8은 변형예에 따른 화소 회로의 구성을 나타내는 회로도이다.
도 9는 변형예에 따른 전기 광학 장치의 요부의 구성을 개념적으로 나타내는 평면도이다.
도 10은 변형예에 따른 전기 광학 장치의 요부의 구성을 개념적으로 나타내는 단면도이다.
도 11의 (a) 및 (b)는, 변형예에 따른 전기 광학 장치의 요부의 구성을 개념적으로 나타내는 평면도 및 단면도이다.
도 12의 (a) 및 (b)는, 변형예에 따른 전기 광학 장치의 요부의 구성을 개념적으로 나타내는 평면도 및 단면도이다.
도 13의 (a) 및(b)는, 변형예에 따른 전기 광학 장치의 요부의 구성을 개념 적으로 나타내는 평면도 및 단면도이다.
도 14는 본 실시 형태의 전자기기의 구체적인 형태를 나타내는 사시도이다.
도 15는 본 실시 형태의 전자기기의 구체적인 형태를 나타내는 사시도이다.
도 16은 본 실시 형태의 전자기기의 구체적인 형태를 나타내는 사시도이다.
도 17은 종래의 화소 회로의 구성을 나타내는 회로도이다.
도 18은 종래의 화소 회로의 구성을 나타내는 평면도이다.
(도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명)
1 : 전기 광학 장치
11, 12, 13, 14 : 제어선
31 : 전원선
32 : 접지선
33 : 초기화용 전원선
100 : 주사선 구동 회로
103 : 데이터선
200 : 데이터선 구동 회로
400 : 화소 회로
420 : OLED 소자
500 : 전원 회로
A : 화소 영역
Tdr : 구동 트랜지스터
Tr4 : 발광 제어 트랜지스터
Tr1, Tr2, Tr3 : 트랜지스터
Sc1, Sc2, Sc3, Sc4 : 제어 신호

Claims (10)

  1. 제1 주사선을 포함하는 복수의 주사선과,
    제1 데이터선을 포함하는 복수의 데이터선과,
    상기 복수의 주사선 및 상기 복수의 데이터선의 교차부에 따라 설치되어, 제1 단위 회로를 포함하는 복수의 단위 회로(unit circuit)와,
    전원 전압을 공급하는 전원선을 포함하며,
    상기 제1 단위 회로는,
    게이트의 전압에 따라 구동 전류를 설정하는 구동 트랜지스터와,
    상기 구동 전류에 의해 구동되는 전기 광학 소자와,
    제1 전극과 제2 전극을 구비한 제1 용량 소자와,
    상기 제1 주사선을 통하여 공급되는 제어 신호에 기초하여 상기 제1 데이터선과 상기 제2 전극과의 사이의 전기적 접속을 제어하는 제1 스위칭 소자와,
    제3 전극과 제4 전극을 구비한 제2 용량 소자를 구비하며,
    상기 구동 트랜지스터는 제1 단자와 제2 단자를 갖고, 상기 제1 단자는 상기 전원선에 접속되고 있으며,
    상기 제1 전극은 상기 게이트에 접속되고 있고,
    상기 제3 전극은, 상기 게이트 또는 상기 제2 전극에 접속되고 있으며,
    상기 제1 단위 회로에 있어서, 상기 제2 용량 소자의 적어도 일부는, 상기 제1 데이터선과 상기 제1 용량 소자의 사이에 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    소정의 전위를 공급하는 전위선을 추가로 구비하며,
    상기 복수의 데이터선은, 제2 데이터선을 포함하고,
    상기 전위선은, 상기 제1 데이터선 및 제2 데이터선이 연재(extend)하는 방향으로 설치되고,
    상기 제1 데이터선과 상기 제2 데이터선의 사이에 있어, 상기 제1 용량 소자는, 상기 제2 용량 소자와 상기 전위선과의 사이에 배치되는 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 복수의 데이터선은, 제2 데이터선을 포함하고,
    상기 제1 데이터선과 상기 제2 데이터선의 사이에 있어, 상기 제1 용량 소자는, 상기 전기 광학 소자가 배치되는 영역과 상기 제2 용량 소자와의 사이에 배치되는 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 전기 광학 소자가 배치되는 영역의 하방(下方)에는, 상기 제1 용량 소자 또는 상기 제2 용량 소자의 적어도 일부가 배치되는 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제3 전극은, 상기 제2 전극에 접속되어 있고,
    상기 제1 단위 회로는,
    상기 구동 트랜지스터의 제1 반도체막, 상기 제1 전극, 및 상기 제4 전극을 포함하는 반도체 패턴층과,
    상기 반도체 패턴층을 덮는 절연층과,
    상기 절연층상에 설치된 상기 제2 전극 및 상기 제3 전극을 포함하는 배선 패턴층을 구비하고,
    상기 제2 전극과 상기 제3 전극은, 공통으로 설치된 막으로 구성되고,
    상기 제1 데이터선과 상기 제1 전극과의 사이에는, 상기 제4 전극이 설치되고,
    상기 제4 전극은 상기 전원선에 전기적으로 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
  6. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제3 전극은, 상기 게이트에 접속되고 있고,
    상기 제1 단위 회로는,
    상기 구동 트랜지스터의 제1 반도체막, 상기 제1 전극, 및 상기 제3 전극을 포함하는 반도체 패턴층과,
    상기 반도체 패턴층을 덮는 절연층과,
    상기 절연층상에 설치된 상기 제2 전극 및 상기 제4 전극을 포함하는 배선 패턴층을 구비하고,
    상기 제1 전극과 상기 제3 전극은, 공통으로 설치된 제2 반도체막으로 구성되는 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
  7. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제3 전극은, 상기 게이트에 접속되어 있으며,
    상기 제1 단위 회로는,
    상기 구동 트랜지스터의 제1 반도체막, 상기 제2 전극, 및 상기 제4 전극을 포함하는 반도체 패턴층과,
    상기 반도체 패턴층을 덮는 절연층과,
    상기 절연층상에 설치된 상기 제1 전극 및 상기 제3 전극을 포함한 배선 패턴층을 구비하고,
    상기 제1 전극과 상기 제3 전극은, 공통으로 설치된 막으로 구성되는 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
  8. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제3 전극은, 상기 제2 전극에 접속되고 있으며,
    상기 제1 단위 회로는,
    상기 구동 트랜지스터의 제1 반도체막, 상기 제2 전극, 및 상기 제3 전극을 포함하는 반도체 패턴층과,
    상기 반도체 패턴층을 덮는 절연층과,
    상기 절연층상에 설치된 상기 제1 전극 및 상기 제4 전극을 포함한 배선 패턴층을 구비하며,
    상기 제2 전극과 상기 제3 전극은, 공통으로 설치된 막으로 구성되는 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
  9. 제1 주사선을 포함하는 복수의 주사선과,
    제1 데이터선을 포함하는 복수의 데이터선과,
    상기 복수의 주사선 및 상기 복수의 데이터선의 교차부에 따라 설치되어, 제1 단위 회로를 포함하는 복수의 단위 회로와,
    전원 전압을 공급하는 전원선과,
    소정의 전위를 공급하는 전위선을 포함하며,
    상기 제1 단위 회로는,
    게이트의 전압에 따라 구동 전류를 설정하는 구동 트랜지스터와,
    상기 구동 전류에 의해 구동되는 전기 광학 소자와,
    제1 전극과 제2 전극을 구비한 제1 용량 소자와,
    제3 전극과 제4 전극을 구비한 제2 용량 소자와,
    상기 제1 주사선을 통하여 공급되는 제어 신호에 기초하여 상기 제1 데이터선과 상기 제2 전극과의 사이의 전기적 접속을 제어하는 제1 스위칭 소자와,
    제2 스위칭 소자와,
    상기 제2 전극과 상기 전위선과의 전기적 접속을 제어하는 제3 스위칭 소자를 구비하며,
    상기 구동 트랜지스터는 제1 단자와 제2 단자를 갖고, 상기 제1 단자는 상기 전원선에 접속되어 있고,
    상기 제1 전극은 상기 게이트에 접속되어 있고,
    상기 제3 전극은, 상기 게이트 또는 상기 제2 전극에 접속되어 있고,
    상기 제2 스위칭 소자는, 상기 제2 단자와 상기 게이트와의 사이의 전기적 접속을 제어하고,
    상기 제1 단위 회로에 있어서, 상기 제2 용량 소자의 적어도 일부는, 상기 제1 데이터선과 상기 제1 용량 소자와의 사이에 배치되어 이루어지는 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
  10. 제1항 내지 제9항 중 어느 한 항에 기재된 전기 광학 장치를 구비하는 것을 특징으로 하는 전자기기.
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