KR20070119523A - 화학 증폭 레지스트 재료용 광산 발생제, 및 상기 광산발생제를 함유하는 레지스트 재료, 및 이것을 이용한 패턴형성 방법 - Google Patents
화학 증폭 레지스트 재료용 광산 발생제, 및 상기 광산발생제를 함유하는 레지스트 재료, 및 이것을 이용한 패턴형성 방법Info
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Abstract
Description
Claims (17)
- (A) 산의 작용으로 알칼리 현상액에 대한 용해성이 변화되는 수지,(B) 제1항에 기재된 광산 발생제를 포함하는 것을 특징으로 하는 화학 증폭 레지스트 재료.
- (A) 산의 작용으로 알칼리 현상액에 대한 용해성이 변화되는 수지,(B) 제1항에 기재된 광산 발생제를 포함하는 것을 특징으로 하는 화학 증폭 포지티브형 레지스트 재료.
- 제2항 또는 제3항에 있어서, (C) 상기 (B) 성분 이외의 방사선 조사에 의해 산을 발생하는 화합물을 더 포함하는 레지스트 재료.
- 제2항 또는 제3항에 있어서, (A) 성분인 수지가 산의 작용으로 C-O-C 결합이 절단됨으로써 알칼리 현상액에 대한 용해성이 변화되는 치환기를 갖는 수지인 레지스트 재료.
- 제5항에 있어서, (A) 성분인 수지가, 페놀성 수산기의 수소 원자가 1종 또는 2종 이상의 산불안정기에 의해 페놀성 수산기의 수소 원자 전체의 평균 0 몰% 초과 80 몰% 이하의 비율로 치환되어 있는 중량 평균 분자량 3,000 내지 100,000의 고분자 화합물인 레지스트 재료.
- 제6항에 있어서, (A) 성분인 수지가 하기 화학식 2a로 표시되는 반복 단위를 갖는 고분자 화합물로서, 상기 고분자 화합물 중에서의 페놀성 수산기의 수소 원자의 일부가 1종 또는 2종 이상의 산불안정기에 의해 부분 치환된 단위를 포함하고, (A) 성분인 수지 전체에 대하여 산불안정기를 포함하는 단위가 평균 0 몰% 초과 80 몰% 이하의 비율로 치환되어 있는 중량 평균 분자량 3,000 내지 100,000의 고분자 화합물인 레지스트 재료.<화학식 2a>(식 중, R1은 수소 원자 또는 메틸기를 나타내고, R2는 탄소수 1 내지 8의 직쇄상, 분지상 또는 환상 알킬기를 나타내고, x는 0 또는 양의 정수이고, y는 양의 정수이고, x+y≤5를 만족시키는 수이고, R3은 산불안정기를 나타내고, S 및 T는 양의 정수를 나타내고, 0<T/(S+T)≤0.8을 만족시키는 수이다.)
- 제6항에 있어서, (A) 성분인 수지가 하기 화학식 2a'의 반복 단위를 갖는 고분자 화합물로서, 상기 고분자 화합물 중에서의 아크릴산에스테르 및 메타크릴산에스테르에 기초하는 단위가 (A) 성분인 수지의 반복 단위 전체에 대하여 평균 0 몰% 초과 50 몰% 이하의 비율로 함유되어 있고, (A) 성분인 수지의 반복 단위 전체에 대하여 산불안정기를 포함하는 단위가 평균 0 몰% 초과 80 몰% 이하의 비율로 치환되어 있는 중량 평균 분자량 3,000 내지 100,000의 고분자 화합물인 레지스트 재료.<화학식 2a'>(식 중, R1은 수소 원자 또는 메틸기를 나타내고, R2는 탄소수 1 내지 8의 직쇄상, 분지상 또는 환상 알킬기를 나타내고, R3은 산불안정기를 나타내고, R3a는 수소 원자 또는 산불안정기인데, 적어도 일부가 산불안정기이고, x는 0 또는 양의 정수이고, y는 양의 정수이고, x+y≤5를 만족시키는 수이고, M, N은 양의 정수이며, L은 0 또는 양의 정수이고, 0<N/(M+N+L)≤0.5 및 0<(N+L)/(M+N+L)≤0.8을 만족시키는 수이다.)
- 제6항에 있어서, (A) 성분인 수지가 하기 화학식 2a''의 반복 단위를 갖는 고분자 화합물로서, 상기 고분자 화합물 중에서의 인덴 및/또는 치환 인덴에 기초하는 단위가 (A) 성분인 수지의 반복 단위 전체에 대하여 평균 0 몰% 초과 50 몰% 이하의 비율로 함유되어 있고, (A) 성분인 수지의 반복 단위 전체에 대하여 산불안정기를 포함하는 단위가 평균 0 몰% 초과 80 몰% 이하의 비율로 치환되어 있는 중량 평균 분자량 3,000 내지 100,000의 고분자 화합물인 레지스트 재료.<화학식 2a''>(식 중, R1은 수소 원자 또는 메틸기를 나타내고, R2는 탄소수 1 내지 8의 직쇄상, 분지상 또는 환상 알킬기를 나타내고, R3은 산불안정기를 나타내고, R3a는 수소 원자 또는 산불안정기인데, 적어도 일부가 산불안정기이고, x는 0 또는 양의 정수이고, y는 양의 정수이고, x+y≤5를 만족시키는 수이고, yy는 0 또는 양의 정 수이고, x+yy≤4를 만족시키는 수이고, A, B는 양의 정수이며, C, D, E는 0 또는 양의 정수이고, 0<(B+E)/(A+B+C+D+E)≤0.5 및 0<(C+D+E)/(A+B+C+D+E)≤0.8을 만족시키는 수이다.)
- 제6항에 있어서, (A) 성분인 수지가 하기 화학식 2a'''의 반복 단위를 갖는 고분자 화합물로서, 상기 고분자 화합물 중에서의 3급 알콕시카르보닐스티렌에 기초하는 단위가 (A) 성분인 수지의 반복 단위 전체에 대하여 평균 0 몰% 초과 50 몰% 이하의 비율로 함유되어 있고, (A) 성분인 수지의 반복 단위 전체에 대하여 산불안정기를 포함하는 단위가 평균 0 몰% 초과 80 몰% 이하의 비율로 치환되어 있는 중량 평균 분자량 3,000 내지 100,000의 고분자 화합물인 레지스트 재료.<화학식 2a'''>(식 중, R1은 수소 원자 또는 메틸기를 나타내고, R2는 탄소수 1 내지 8의 직쇄상, 분지상 또는 환상 알킬기를 나타내고, R3은 산불안정기를 나타내고, R4는 탄소수 4 내지 20의 3급 알킬기를 나타내고, x는 0 또는 양의 정수이고, y는 양의 정수이고, x+y≤5를 만족시키는 수이고, F, H는 양의 정수이며, G는 0 또는 양의 정수이고, 0<H/(F+G+H)≤0.5 및 0<(G+H)/(F+G+H)≤0.8을 만족시키는 수이다.)
- 제5항에 있어서, 산불안정기가 하기 화학식 5 및 6으로 표시되는 기 및 탄소수 4 내지 20의 3급 알킬기로부터 선택되는 기인 레지스트 재료.<화학식 5><화학식 6>(식 중, R9는 탄소수 1 내지 8의 직쇄상, 분지상 또는 환상 알킬기 또는 탄소수 6 내지 20의 치환될 수도 있는 아릴기를 나타내고, h는 0 또는 1이고, i는 0, 1, 2, 3 중 어느 것이고, 2h+i=2 또는 3을 만족시키는 수이고, R10은 탄소수 1 내지 8의 직쇄상, 분지상 또는 환상 알킬기 또는 탄소수 6 내지 20의 치환될 수도 있는 아릴기를 나타내고, R11 내지 R20은 각각 독립적으로 수소 원자 또는 탄소수 1 내지 15의 헤테로 원자를 포함할 수도 있는 1가의 탄화수소기를 나타내고, R11 내지 R20은 서로 환을 형성할 수도 있고, 그 경우에는 탄소수 1 내지 15의 헤테로 원자를 포함할 수도 있는 2가의 탄화수소기를 나타내고, 또한, R11 내지 R20은 인접하는 탄소에 결합하는 것끼리 아무것도 개재하지 않고 결합하고, 이중 결합을 형성할 수도 있다.)
- 제2항 또는 제3항에 있어서, (D) 염기성 화합물을 더 배합하는 것을 특징으로 하는 레지스트 재료.
- 제2항 또는 제3항에 있어서, (E) 유기산 유도체를 더 배합하는 것을 특징으로 하는 레지스트 재료.
- 제2항 또는 제3항에 있어서, (F) 유기 용제로서 프로필렌글리콜 알킬에테르 아세테이트 및/또는 락트산알킬에스테르를 포함하는 레지스트 재료.
- (i) 제2항 또는 제3항에 기재된 레지스트 재료를 기판 상에 도포하는 공정,(ii) 이어서 가열 처리 후, 포토마스크를 통해 파장 300 nm 이하의 고에너지선 또는 전자선으로 노광하는 공정 및(iii) 필요에 따라서 가열 처리한 후, 현상액을 이용하여 현상하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 패턴 형성 방법.
- 제15항에 있어서, 기판이 무기 기판인 패턴 형성 방법.
- 제16항에 있어서, 무기 기판 상에 형성되는 레지스트 재료의 막 두께가 0.4 ㎛ 이하인 패턴 형성 방법.
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20100086238A (ko) * | 2009-01-22 | 2010-07-30 | 삼성전자주식회사 | 감광성 수지 조성물 및 이를 이용한 패턴의 형성 방법 |
KR20120084271A (ko) * | 2011-01-19 | 2012-07-27 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 화학 증폭 포지티브형 레지스트 재료 및 패턴 형성 방법 |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4676542B2 (ja) * | 2008-03-28 | 2011-04-27 | 富士フイルム株式会社 | ポジ型感光性樹脂組成物及びそれを用いた硬化膜形成方法 |
JP4718623B2 (ja) * | 2008-03-28 | 2011-07-06 | 富士フイルム株式会社 | ポジ型感光性樹脂組成物及びそれを用いた硬化膜形成方法 |
TWI518458B (zh) * | 2008-03-28 | 2016-01-21 | 富士軟片股份有限公司 | 正型感光性樹脂組成物及使用它的硬化膜形成方法 |
JP5136792B2 (ja) | 2008-11-21 | 2013-02-06 | 信越化学工業株式会社 | ポジ型レジスト材料及びパターン形成方法 |
JP5321498B2 (ja) * | 2010-02-23 | 2013-10-23 | 信越化学工業株式会社 | 封止材パターンの形成方法 |
JP5348062B2 (ja) * | 2010-04-23 | 2013-11-20 | 信越化学工業株式会社 | 化学増幅ポジ型レジスト材料を用いたレジストパターン形成方法及びメッキパターン形成方法 |
US10095113B2 (en) * | 2013-12-06 | 2018-10-09 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Photoresist and method |
JP2022102496A (ja) * | 2020-12-25 | 2022-07-07 | 東京応化工業株式会社 | レジスト組成物、及びレジストパターン形成方法 |
Family Cites Families (32)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2906999B2 (ja) | 1994-04-26 | 1999-06-21 | 信越化学工業株式会社 | レジスト材料 |
JP3830183B2 (ja) | 1995-09-29 | 2006-10-04 | 東京応化工業株式会社 | オキシムスルホネート化合物及びレジスト用酸発生剤 |
JP3587413B2 (ja) | 1995-12-20 | 2004-11-10 | 東京応化工業株式会社 | 化学増幅型レジスト組成物及びそれに用いる酸発生剤 |
JP3798458B2 (ja) | 1996-02-02 | 2006-07-19 | 東京応化工業株式会社 | オキシムスルホネート化合物及びレジスト用酸発生剤 |
JP3879139B2 (ja) | 1996-05-08 | 2007-02-07 | 住友化学株式会社 | グリオキシム系エステル、その製法および用途 |
TW550439B (en) * | 1997-07-01 | 2003-09-01 | Ciba Sc Holding Ag | New oxime sulfonates as latent acids and compositions and photoresists comprising said oxime sulfonates |
JP3796559B2 (ja) | 1997-10-08 | 2006-07-12 | 信越化学工業株式会社 | レジスト材料及びパターン形成方法 |
TW546543B (en) | 1997-10-08 | 2003-08-11 | Shinetsu Chemical Co | Resist material and patterning process |
NL1014545C2 (nl) | 1999-03-31 | 2002-02-26 | Ciba Sc Holding Ag | Oxim-derivaten en de toepassing daarvan als latente zuren. |
SG78412A1 (en) | 1999-03-31 | 2001-02-20 | Ciba Sc Holding Ag | Oxime derivatives and the use thereof as latent acids |
JP2002202603A (ja) | 2000-10-23 | 2002-07-19 | Jsr Corp | 感放射線性樹脂組成物 |
JP3865048B2 (ja) | 2000-11-01 | 2007-01-10 | 信越化学工業株式会社 | レジスト材料及びパターン形成方法 |
EP1204001B1 (en) | 2000-11-01 | 2013-09-11 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Resist composition and patterning process |
TW562998B (en) | 2000-12-07 | 2003-11-21 | Shinetsu Chemical Co | Production method for polymer compound and resist material prepared by using the polymer compound |
JP4198351B2 (ja) | 2000-12-07 | 2008-12-17 | 信越化学工業株式会社 | 高分子化合物の製造方法及び該高分子化合物を用いたレジスト材料 |
JP2002278053A (ja) | 2001-03-16 | 2002-09-27 | Fuji Photo Film Co Ltd | ポジ型フォトレジスト組成物 |
JP3867778B2 (ja) | 2001-07-05 | 2007-01-10 | 信越化学工業株式会社 | レジスト材料及びパターン形成方法 |
JP3849486B2 (ja) * | 2001-10-19 | 2006-11-22 | 住友化学株式会社 | 化学増幅型ポジ型レジスト組成物 |
JP3821217B2 (ja) | 2001-10-30 | 2006-09-13 | 信越化学工業株式会社 | レジスト材料及びパターン形成方法 |
JP2003307840A (ja) | 2002-02-13 | 2003-10-31 | Fuji Photo Film Co Ltd | ポジ型フォトレジスト組成物 |
JP3913184B2 (ja) * | 2002-03-22 | 2007-05-09 | 独立行政法人科学技術振興機構 | 液晶レンズ |
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JP2004008766A (ja) | 2002-06-10 | 2004-01-15 | Eager Co Ltd | 歯茎マッサージ材料と歯茎マッサージ器具 |
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JP4862707B2 (ja) * | 2006-03-17 | 2012-01-25 | 住友化学株式会社 | 化学増幅型ポジ型レジスト組成物 |
JP2007328090A (ja) * | 2006-06-07 | 2007-12-20 | Fujifilm Corp | 感光性組成物、感光性フィルム、パターン形成方法、及びプリント基板 |
JP2007328234A (ja) * | 2006-06-09 | 2007-12-20 | Fujifilm Corp | パターン形成方法及びtftアレイ基板並びに液晶表示素子 |
JP4548617B2 (ja) * | 2006-06-09 | 2010-09-22 | 信越化学工業株式会社 | 化学増幅レジスト材料用光酸発生剤、及び該光酸発生剤を含有するレジスト材料、並びにこれを用いたパターン形成方法 |
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Cited By (2)
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KR20100086238A (ko) * | 2009-01-22 | 2010-07-30 | 삼성전자주식회사 | 감광성 수지 조성물 및 이를 이용한 패턴의 형성 방법 |
KR20120084271A (ko) * | 2011-01-19 | 2012-07-27 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 화학 증폭 포지티브형 레지스트 재료 및 패턴 형성 방법 |
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