KR20070032901A - 정전용량형 가속도 센서 - Google Patents

Abstract

정전용량형 가속도 센서에 있어서, 가동전극을 가지는 가속도 검출부를 수납하고 있는 밀폐 공간 내로의 수분 등의 침입 및 양극 접합시에 캡(8)에 축적되는 정전기로 인한 전계로 가동전극의 캡에 들러붙는 것을 방지한다. 밀폐 공간을 구성하고 있는 캡(8)의 내면 전체면에 연성변형하는 도전성의 실드막(9)을 설치하고, 상기 실드막(9)을 접합틀(7)과 캡(8) 사이에 개재하도록 연장시키며, 가동 전극(6)과 전기적으로 접속시킴으로써, 접합틀(7)의 표면에 요철이 존재하고 있어도, 양호한 접합틀(7)과 캡(8)과의 양극 접합이 가능하게 되며, 캡(8)에 축적된 정전기에 의한 전계를 차폐할 수 있다.

실드막, 정전기, 밀폐 공간, 전계

Description

정전용량형 가속도 센서{ELECTROSTATIC-CAPACITANCE-TYPE ACCELERATION SENSOR}

도 1은 본 발명에 따른 가속도 센서의 실시예 1을 나타내는 평면도 및 A-A단면도.

도 2는 도 1의 B-B단면도.

도 3은 도 1의 C-C단면도.

도 4는 본 발명에 따른 가속도 센서의 실시예 2를 나타내는 평면도 및 A-A단면도.

도 5는 본 발명에 따른 가속도 센서의 실시예 3을 나타내는 평면도 및 A-A단면도.

도 6은 도 5의 C-C단면도.

도 7은 도 5의 C-C단면도.(변형예）

도 8은 본 발명에 따른 가속도 센서의 실시예 4를 나타내는 평면도 및 D-D단면도이다.

[도면의 주요부분에 대한 부호의 설명]

1 : 반도체기판 2 : 열산화막

3 : 가속도 검출부 4 : 제1의 고정 전극

5 : 제2의 고정 전극 6 : 가동전극

7 : 접합틀 8 : 캡

9 :실드막 10 : 배선

11 : 외부 추출 전극 12 : 전위추출영역

13 : 접합틀(7)과 캡(8)이 접합되지 않는 영역

14 : 베이스

본 발명은, 반도체 미세 기계가공 기술을 사용하여 형성되는 정전용량형 가속도 센서에 관한 것이다.

이러한 가속도 센서에 있어서는, 가속도 검출부를 구성하는 질량체인 가동전극을, 진공중 혹은 불활성 가스중에서 양호하게 진동시키기 위해서, 유리캡 등의 분리벽에 의해 가속도 검출부를 밀폐할 필요가 있으며, 또한 한편으로는 유리캡 내부에 격납된 가속도 검출부로부터 외부로 신호를 추출하기 위해서, 상기 분리벽을 관통하여 배선을 설치할 필요가 있다.

이 때문에 특허문헌 1에는, 인 등의 불순물이 저레벨로 도핑된 단결정 실리콘으로 이루어지는 접합틀(프레임)에 유리캡(덮개)을 양극(陽極) 접합하고, 밀폐 공간을 형성한 가속도 센서가 나타나고 있다. 다시 말해, 실리콘 산화막으로 이루어지는 절연층 위에 설치된 고저항 단결정 실리콘층으로 접합틀를 형성함과 동시에, 인 등의 불순물을 확산하는 것으로, 같은 고저항 단결정 실리콘층을 배선으로서 이용하고 있다.

[특허문헌 1] 일본국 공개특허공보 특개2000-150916호(도 2)

이러한 가속도 센서에 있어서는, 유리캡 내부에 격납된 가속도 검출부로부터 외부로 신호를 추출하기 위해서, 접합틀로서 설치된 단결정 실리콘층을 이용하고 있으므로, 배선간의 절연을 위해 또는 밀폐성을 확보하기 위해, 역시 고저항 단결정 실리콘층을 이용하여 형성된 연결 구역을 필요로 한다. 또한 역시 접합틀로서 설치된 단결정 실리콘층을 이용하고 있으므로, 배선의 다층화를 할 수 없는 등배선설계의 자유도가 제약되어 있다.

전술한 바와 같은 사정이 있기 때문에, 최근은 접합틀 및 배선은 다결정 실리콘과 절연막과의 적층구조로 구성되고 있다. 그러나, 다결정 실리콘의 경우에는, 일반적으로 표면의 요철은 단결정 실리콘보다 커지고, 또한 적층구조의 경우에는 접합틀의 하층의 요철이 상층의 다결정 실리콘 표면에 영향을 주어, 그 요철을 더욱 크게 하는 경향이 있었다. 이러한 요철이 어느 정도 커지면 양극 접합에 의한 유리캡과 접합틀과의 기밀 밀봉이 불충분하게 되어, 밀폐 공간 내에 수분 등의 침입이 발생하고, 가속도 센서로서의 전기적 특성에 경년 변화를 일으키는 문제가 있었다.

또한, 이러한 가속도 센서의 제조에 있어서는, 상기한 바와 같이 양극 접합에 의해 유리캡과 접합틀과의 접합을 행하지만, 이 양극 접합 시에 인가되는 전압에 의해 유리캡에 정전기가 발생하고, 가속도 검출부를 구성하는 가동전극이 유리캡 측으로 변이하여 들러붙게 되는 경우가 있다는 문제도 있었다.

본 발명은, 상술한 바와 같은 과제를 해결하기 위한 것으로서, 그 목적은, 배선설계의 자유도를 확보하면서, 가속도 검출부의 기밀성을 확보할 수 있고, 아울러 가동전극이 유리캡 측으로 변이하여 들러붙게 되는 것을 방지할 수 있는 가속도 센서를 제공하고자 하는 것이다.

상기의 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 정전용량형 가속도 센서는, 가속도를 검출하기 위한 가동부를 가지는 가속도 검출부를 가지는 기판과, 상기 가속도 검출부를 둘러싸도록 상기 기판위에 고정된 접합틀과, 상기 기판위에 설치되어, 상기 기판과 대향하는 면이 상기 접합틀과 고정되어 있는 가장자리영역과 그 이외의 중앙영역으로 구성되어 있는 캡과, 상기 캡의 적어도 상기 중앙영역의 표면에 형성된 도전성의 실드막을 가지고, 상기 실드막은 상기 가동부와 전기적으로 접속되고 있는 것을 특징으로 한다. 또한, 본 발명에 따른 정전용량형 가속도 센서는, 상기 실드막은, 상기 가장자리영역의 표면에 연장하여 형성되는 것을 특징으로 한다.

[발명을 실시하기 위한 최선의 형태]

<실시예 1>

이하, 본 발명의 실시예 1을 도면에 의거하여 설명한다. 도 1은 본 발명에 따른 가속도 센서의 실시예 1을 나타내는 평면도 및 A-A단면도이다. 평면도에 있어서는 편의상 캡을 생략하고 있다.

도 1에 있어서, 반도체 기판(1)은 실리콘으로 이루어지고, 상대향하는 2개의 평행한 주면을 가지며, 두께가 400㎛이고 2.25mm x 2.5mm의 장방형의 기판이다. 반도체 기판(1)의 윗면에는 절연을 위한 두께 1.6㎛의 열산화막(2)이 설치된다. 반도체 기판(1) 위에는 열산화막(2)을 통해 두께 8㎛의 가속도 검출부(3)가 설치된다. 가속도 검출부(3)는 제1의 고정 전극(4), 제2의 고정 전극(5) 및 가동 전극(6)으로 구성되고, 제1의 고정 전극(4) 및 제2의 고정 전극(5)과 가동 전극(6) 사이의 정전용량의 변화로부터 가속도를 검출하고 있다. 이와 같이 제1의 고정 전극(4), 제2의 고정 전극(5) 및 가동 전극(6)은 캐퍼시터로서 작용하므로, 도전성을 부여하기 위해, 인 등의 불순물이 도프되어 저저항화된 다결정 실리콘, 소위 도프트 폴리실리콘으로 구성된다. 또 가동성을 부여하므로, 가동 전극(6)은 반도체 기판(1)으로부터 뜬 상태로 변이 가능하도록 지지되어 있다.

또한 반도체 기판(1)위에는, 다결정 실리콘과 절연막과의 적층체로 이루어지는 접합틀(7)이 가속도 검출부(3)의 주위를 둘러싸도록 설치되어 있고, 그 위에 양극 접합에 의해 기밀하게 접합된 유리 등으로 이루어지는 캡(8)과 함께 검출부를 외계로부터 격리하고 있다. 캡(8)의 반도체 기판(1)에 대향하는 면의 가장자리 부 분은 접합틀(7)과의 접합면이 되고 있고, 그것을 제외한 부분에는, 가속도 검출부(3)와 접촉하지 않도록 오목부가 샌드브러스트 가공 또는 에칭가공에 의해 형성되어 있다. 오목부의 깊이는, 가동 전극(6)이 캡 방향으로 변이했을 경우에 가동 전극(6)의 파괴나 고정 전극으로 타올라가는 것을 방지하기 위해서, 본 실시예에서는 가동 전극(6)과 같은 정도의 9㎛로 하고 있다. 캡(8)의 오목부가 형성된 표면에는 두께 0.1㎛의 실드막(9)이 형성되어 있다. 실드막(9)은 연성변형하는 도전성 재료로서, 본 실시예에서는 알루미늄을 사용하고 있다. 실드막(9)은 캡(8)의 오목부가 형성된 표면 뿐만아니라, 도 1에는 도시하지 않지만, 캡(8)의 가장자리 부분의 접합틀(7)과 대향하는 면에도 연장하여 설치되어 있다. 또한 제1의 고정 전극(4), 제2의 고정 전극(5), 가동 전극(6) 및 접합틀(7)에서는, 도프트 폴리실리콘으로 이루어지는 두께 0.4㎛의 복수의 배선(10a, 10b, 10c, 10d)이, 접합틀(7)을 관통하여 접합틀(7) 외측의 반도체 기판(1)위에 설치된 각각의 외부 추출 전극(11a, 11b, 11c, 11d)에 접속되도록 반도체 기판(1)위에 형성되어 있다. 또한 전극(11b)과 전극(11d)은 배선(10e)에 의해 전기적으로 접속되어 있다.

도 2는 접합틀(7)의 구조를 상세히 설명하기 위한 도 1의 B-B단면도이다. 도 2에서 알 수 있는 바와 같이, 접합틀(7)은, 반도체 기판(1) 위의 열산화막(2)위에 순서대로 형성된, 두께 0.7㎛의 고온 산화막(7a), 두께 0.45㎛의 TEOS산화막(7b), 두께 0.1㎛의 고온 산화막(7c), 두께 0.1㎛의 질화막(7d), 두께 8㎛의 도프트 폴리실리콘막(7e), 두께 0.1㎛의 TEOS산화막(7f) 및 두께 0.6㎛의 불순물이 도프 되지 않은 다결정 실리콘막인 논도프 폴리실리콘막(7g)의 적층체로서 구성되 어 있다. 또한, TEOS산화막은 TEOS(Tetra Ethyl Ortho Silicate)를 실리콘 소스로서 CVD법에 의해 형성되는 2산화 실리콘막이다. TEOS산화막(7b)의 일부는 접합틀(7)을 관통하고 있는 배선(10)(10a, 10b, 10c, 10d)에 의해 치환되고 있다. 또한 도시하고 있지 않지만, 배선(10d)은 도프트 폴리실리콘막(7e)과 전기적으로 접속되도록 처리되고 있다.

본 실시예에서는, 최상층의 논도프 폴리실리콘막(7g)과 캡(8)이 양극 접합되게 되지만, TEOS산화막(7f)과 논도프 폴리실리콘막(7g)을 생략하고, 직접 도프트 폴리실리콘막(7e)과 캡(8)을 양극 접합시키는 것도 가능하다. 그러나, 도프트 폴리실리콘막(7e)에 포함되는 불순물이 인일 경우에는, 양극 접합시에 도프트 폴리실리콘막(7e)의 표면에 인을 포함하는 피막이 형성되어, 충분한 접합 강도가 확보되지 않는 경우가 있다. 논도프 폴리실리콘막(7g)이면 불순물로서 인을 포함하지 않고, 또한 TEOS산화막(7f)이 하층의 도프트 폴리실리콘막(7e)으로부터의 인의 확산을 방지하므로, 본 실시예 쪽이 보다 바람직한 구조이다.

도 3은 도 1에 있어서의 C-C단면의 상세도이며, 접합틀(7)과 캡(8)과의 접합 구조를 나타내고 있지만, 실드막(9)의 일부는 접합틀(7)과 캡(8) 사이에, 접합틀(7)과 캡(8)과의 접합부의 전체 둘레에 걸쳐 개재하고 있다. 또한 실드막(9)은 접합틀(7)의 접합 표면 전체에 걸쳐 형성되고 있지 않으며, 본 실시예와 같이, 접합틀(7)의 접합 표면의 내연으로부터 100㎛정도를 덮고 있다. 접합틀(7)의 구조가 도프트 폴리실리콘막(7e)이 표면에 노출한 구조인 경우에는, 이 상태 그대로 실드막(9)과 도프트 폴리실리콘막(7e)과는 전기적으로 접속되지만, 본 실시예와 같이 최상층이 논도프 폴리실리콘막(7g)으로 되어 있는 구조이면, 접합틀(7)의 일부에 전위추출영역(12)을 설치하여, 이 영역의 TEOS산화막(7f)를 제거하고, 이 영역의 논도프 폴리실리콘막(7g)에 불순물을 도입하여 저저항화함으로써, 실드막(9)과 도프트 폴리실리콘막(7e)을 이 전위추출영역(12)에 있어서 전기적으로 접속시킬 수 있다.

양극 접합은 유리와 같은 절연물과 실리콘과 같은 반도체 혹은 금속과 같은 도체를 접합하는 기술로, 본 실시예에서는 반도체인 접합틀(7)과 절연물인 캡(8)과의 접합으로, 접합틀(7)과 캡측의 대응부가 겹치도록 위치 맞춤을 행하고, 진공 또는 불활성가스 분위기중에서 400℃전후로 가열하여, 실리콘 기판측을 양극, 캡측을 음극으로 하여 수백Ⅴ의 전압을 인가하는 것으로 행한다. 처리 시간은 수십 분에서 수시간이다.

가속도 검출부(3)의 가동 전극(6)은 가속도를 검출하므로, 힘이 가해지면 자유롭게 움직이는 상태에 있다. 상기한 바와 같이 양극 접합 시에는 전압이 인가되는 상태에 있기 때문에, 캡(8)에 정전기가 축적되고, 그 정전기력에 의해 가동 전극(6)이 캡측으로 변이하여 들러붙게 되는 것은 과제로서 설명했지만, 본 실시예에 있어서의 실드막(9)은 이러한 과제해결을 위해 설치된다. 즉 양극 접합시에 실드막(9)과 가동 전극(6)을 전기적으로 접속하여 양자가 동전위가 되도록 해 두면, 캡(8)에 축적된 정전기에 의한 전계는 차폐되므로, 가동 전극(6)의 캡(8)에 들러붙는 문제는 일어나지 않는다. 상기한 바와 같이 실드막(9)과 도프트 폴리실리콘막(7e)은 전기적으로 접속되고 있고, 도프트 폴리실리콘막(7e)과 외부 추출 전 극(11d)은 배선(10d)을 통해 전기적으로 접속되고 있으므로, 양극 접합 시에는 배선(10e)에 의해 외부 추출 전극(11b)과 (11d)을 서로 단락해 두면 좋다. 배선(10e)은 양극 접합 후에 제거하거나 그렇지 않아도, 본래의 가속도검출 기능을 손상시키지 않지만, 실제 동작시에 있어서의 외래의 전자 노이즈에 대한 차폐 기능을 가지므로, 배선(10e)을 남겨 외부 추출 전극(11b)과 (11d)을 서로 단락한 상태로 해 두는 것이 더 바람직하다.

또한 본 실시예에 있어서의 실드막(9)의 효과로서 다음 점을 들 수 있다. 다결정 실리콘과 고온 산화막이나 TEOS산화막 등의 절연막과의 적층체로 되어 있는 것에 의해, 또한 다결정 실리콘의 입자 지름이 다른 것에 의해, 접합틀(7)의 표면에는 미세한 요철이 존재한다. 일반적으로 양극 접합에서는, 이러한 요철이 300nm이하이면 충분한 기밀접합이 생긴다고 생각할 수 있지만, 그것을 초월하면 양호한 기밀접합을 형성하는 것은 곤란하다. 그러나, 본 실시예와 같이 실드막(9)이 캡(8)의 접합틀(7)과 대향하는 면에도 연장하여 설치되어 있을 경우에는, 실드막(9)은 연성변형하는 도전성 재료이므로, 정전기력에 의한 압축력을 받아 상기 요철을 메우는 방향으로 소성변형하여, 양호한 기밀접합 형성에 기여한다. 이러한 가속도 센서에 있어서는, 접합틀(7)의 표면에 요철이 있어도 양극 접합에 의한 기밀접합이 가능하고, 기밀이 유지되지 않는 것으로 발생하는 문제, 예를 들면 장기 사용에 의한 수분침입에 의한 열화, 악환경하에서의 사용에 의한 특성의 변동 등이 발생하지 않게 되어, 고정밀도로 고신뢰도의 가속도 센서를 얻을 수 있는 효과가 있다. 이 경우 실드막(9)을 캡(8)의 접합틀(7)과 대향하는 면 전체면에 설치하면, 실드막(9)은 직접 외기와 접촉하게 되고, 외기가 닿은 부분에서 실드막(9)을 구성하는 도전성 재료의 부식이 점차로 진행할 우려가 있다. 본 실시예와 같이 실드막(9)의 접합면으로의 연장 설치를 일부에 머무르게 하여 외부로 노출시키지 않도록 해 두면, 실드막(9)의 두께가 충분히 작으면, 실드막(9)이 존재하지 않는 영역에서도, 불충분하면서도 접합틀(7)과 캡(8)과의 접합은 형성되고, 그 접합에 의해 실드막(9)과 외기와의 접촉을 억제할 수 있기 때문에, 상기 부식의 진행은 대폭 억제된다.

<실시예 2>

상기 실시예 1에 있어서는, 실드막(9)을 접합틀(7)에 끼우기 위해서, 실드막(9)자체의 두께에 의해, 도 3에 나타나 있는 바와 같이 접합틀(7)과 캡(8)이 접합되지 않은 영역(13)이 생긴다. 발명자들의 실험에서는, 이 접합되지 않는 영역(13)은 수평방향으로 실드막(9)의 막두께의 100∼500배의 거리에 이르는 것을 알 수 있다. 예를 들면 상기 실시예 1에서는 그 거리는 10∼50㎛에 달한다. 실드막(9)의 막두께를 크게 하면 접합할 수 없는 영역의 폭이 커지고, 그 만큼 접합되는 영역의 폭이 작아지지만, 접합해야만 하는 폭은 제품의 강도로 정해지므로, 실드막(9)의 막두께는 작은 쪽이 바람직하게 된다. 한편 실드막(9)이 알루미늄이나 금 등의 금속인 경우에는, 실드막(9)의 막두께가 지나치게 얇으면, 실리콘이나 유리에 확산하거나 마이그레이션을 일으키거나 해서, 부분적으로 실드막(9)이 소멸하거나 균열이 생기는 경우가 있다. 이러한 경우, 당초의 목적이었던 실드막(9)과 가속도 검출부(3)를 동전위로 하여 정전기력을 차폐할 수 없게 된다.

실시예 2는 상술한 바와 같은 상반하는 과제에 대응하기 위한 형태이며, 그 구조의 단면도를 도 4에 나타낸다. 본 도면에 있어서 실드막(9)은, 비교적 막두께가 얇은 제1의 층(9a)과 비교적 막두께가 두꺼운 제2의 층(9b)의 2층으로 구성되고 있으며, 그 이외의 부분은 실시예 1의 구조를 나타낸 도 1과 같다. 제1의 층은, 실시예 1의 경우로 같으며, 캡(8)의 오목부가 형성된 표면 뿐만아니라, 접합틀(7)과 대향하는 면에도 연장하여 설치되고 있으며, 그 두께는 0.1㎛이다. 제2의 층은 캡(8)의 오목부가 형성된 표면에만 형성되며, 그 두께는 바람직하게는 0.4㎛이상이고, 본 실시예에서는 0.7㎛이다. 따라서 캡(8)의 오목부가 형성된 표면에 있어서는, 실드막(9)은 제1의 층과 제2의 층은 모두 두께 0.8㎛가 된다. 이러한 구조로 함으로써, 캡(8)의 오목부가 형성된 표면에 있어서는, 실드막(9)은 충분한 막두께를 확보할 수 있기 때문에 소멸하거나 균열이 생기는 경우가 없으며, 또 캡(8)의 접합틀(7)과 대향하는 면에 있어서는, 실드막(9)의 막두께는 얇은 상태이기 때문에 접합되지 않는 영역(13)이 증가하지 않고 충분한 접합 폭을 확보할 수 있으며, 전술한 과제의 해결이 가능하게 된다.

<실시예 3>

실시예 3은 역시 상술한 바와 같은 상반하는 과제에 대응하는 별도의 형태이며, 그 구조의 상세를 도 5 및 도 5의 C-C단면도를 도 6에 나타낸다. 도 5에 있어서 실드막(9)은 두께 0.8㎛이며, 그 이외의 부분은 실시예 1의 구조를 나타낸 도 1과 같다. 도 6은 접합틀(7)과 캡(8)과의 접합 구조를 나타내고 있지만, 실드막(9)의 일부는 접합틀(7)과 캡(8) 사이에 개재하고 있다. 접합틀(7)의 실드막(9)이 개 재하고 있는 부분에는, 실드막(9)의 막두께와 같은 정도 혹은 다소 얇은 깊이를 가지는 오목부(71)가 접합틀(7)의 전체 둘레에 걸쳐 형성되어 있다. 접합틀(7)의 구조를 이와 같이 함으로써, 막두께의 제약을 받지 않고 실드막(9)을 설치할 수 있게 되어, 충분한 접합 강도를 확보할 수 있고, 또한 부분적으로 실드막(9)이 소멸하거나 균열이 생기거나 하는 경우는 없다. 또한 실드막(9)을 두껍게 형성할 수 있는 것에 의해, 접합틀(7)이 보다 큰 요철에도 대응할 수 있고, 신뢰성이 향상함과 동시에, 접합틀(7)의 요철을 신경쓰지 않고 설계·제조를 할 수 있으며, 요철을 메우는 공정을 제거할 수 있는 등의 효과를 얻을 수 있다. 이 오목부(71)는, 접합틀(7)의 구조가 도프트 폴리실리콘막(7e)이 표면으로 노출한 구조인 경우에는, 접합틀(7)의 이 부분의 도프트 폴리실리콘막(7e)을 에칭에 의해 제거하는 것에 의해 얻을 수 있으며, 접합틀(7)의 구조가 그 최상층이 논도프 폴리실리콘막(7g)이 되는 구조이면, 그 제거량이 TEOS산화막(7f)의 막두께와 아울러 실드막(9)의 막두께와 같은 정도 혹은 다소 얇아지도록, 접합틀(7)의 이 부분의 도프트 폴리실리콘막(7e)을 에칭에 의해 제거하고, 이 영역의 TEOS산화막(7f)을 제거함으로써 얻어진다. 단, 이 영역의 논도프 폴리실리콘막(7g)에 불순물을 도입하여 저저항화해 둘 필요가 있다.

마찬가지의 오목부는 도 7과 같이 캡(8)측에 설치하는 것도 가능하다. 도 7은 실시예 3의 변형예에 있어서의 접합틀(7)과 캡(8)과의 접합 구조를 나타내고 있으며, 역시 도 5의 C-C단면도이다. 도 7에 있어서는, 오목부(81)는 캡(8)측에 그 전체 둘레에 걸쳐 실드막(9)의 막두께와 같은 정도 혹은 다소 얇은 깊이로 설치된 다. 작용 효과에 관해서는 도 6의 경우와 같으므로, 설명을 생략한다.

<실시예 4>

다음에 본 발명의 실시예 4를 도면에 의거하여 설명한다. 도 8은 본 발명에 따른 가속도 센서의 실시예 4를 나타내는 평면도 및 D-D단면도이다. 평면도에 있어서는 역시 편의상 캡을 생략하고 있다. 도 8에 있어서는, 전위추출영역(12)을 접합틀(7)에 설치하지 않고, 캡(8)에 지지 기둥(8a)을 설치하여, 반도체 기판(1)위에 배선(10d)에 전기적으로 접속된 베이스(14)를 설치하고, 지지 기둥(8a)와 베이스(14)과가 실드막(9) 을 거쳐서 접속되고 있어, 그 이외의 부분은 실시예 1의 구조를 나타낸 도 1로 같다.다시 말해, 실시예 1의 전위추출영역(12)의 역할을, 접합틀(7)과 독립하다해서 설치한 베이스(14)에 주고 있다.이러한 구성으로 함으로써, 접합틀(7), 캡(8) 또는 실드막(9)의 제조 편차나 접합틀(7)과 캡(8)의 위치 맞춤 편차의 영향을 받지 않고 지지 기둥(8a)과 베이스(14)와의 접촉 면적을 일정하게 할 수 있다. 이와 같이 본 실시예는, 지지 기둥(8a)과 베이스(14)와의 접촉 면적을 일정하게 함으로써, 제조 편차에 의해 양극 접합시의 정전기에 의한 전계의 차폐가 손상되지 않으며, 안정된 제조가 가능하게 되어 제조 제품 비율이 향상되는 효과를 가진다.

이상, 본 발명의 구체적인 실시예를 설명했지만, 본 발명은 이들에 한정되지 않고 여러가지의 개변이 가능하다. 예를 들면 상기 실시예에 있어서는 실드막(9)의 재질은 알루미늄이지만, 적어도 연성변형하는 도전성 재료이면, 본 발명의 범위에 포함된다. 또 상기 실시예에 있어서는, 가동 전극(6)과 실드막(9)은 각각 외부 추출 전극(11b)과 외부 추출 전극(11d)에 전기적으로 접속되도록 배선(10b)과 배선(10d)에 의해 캡(8)의 외부로 추출되고, 배선(10e)에 의해 외부 추출 전극(11b)과 외부 추출 전극(11d)이 단락되고 있지만, 캡(8)내부에서 배선에 의해 서로 단락되고 있어도 본 발명의 범위에 포함된다. 또한, 가동 전극(6)과 실드막(9)에 각각 전기적으로 접속된 외부 추출 전극(11b)과 외부 추출 전극(11d)이, 캡(8)의 외부에 있어서 서로 접속가능하도록 배치되어 있으면, 양극 접합 시에 있어서만 양쪽 외부추출 전극이 단락되도록 처리를 하는 것은 용이하므로, 본 발명의 범위에 포함된다.

상기와 같은 구성으로 했기 때문에, 본 발명에 따른 정전용량형 가속도 센서는, 가속도 검출부의 가동전극이 캡측으로 변이하여 들러붙는 것을 방지할 수 있음과 동시에, 캡 내부의 기밀성이 유지됨으로써 전기적 특성의 경년 변화를 방지할 수 있다.

Claims (6)

1. 가속도를 검출하기 위한 가동부를 가지는 가속도 검출부를 가지는 기판과,

   상기 가속도 검출부를 둘러싸도록 상기 기판 위에 고정된 접합틀과,

   상기 기판 위에 설치되고, 상기 기판과 대향하는 면이 상기 접합틀과 고정되어 있는 가장자리영역과 그 이외의 중앙영역으로 구성되어 있는 캡과,

   상기 캡의 적어도 상기 중앙영역의 표면전체에 걸쳐 형성된 도전성의 실드막을 가지고,

   상기 실드막은 상기 가동부와 전기적으로 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 정전용량형 가속도 센서.
2. 제 1항에 있어서,

   상기 실드막은, 상기 가장자리영역의 표면에 연장해서 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 정전용량형 가속도 센서.
3. 제 2항에 있어서,

   상기 실드막은, 제1의 두께를 가지는 제1의 부분과, 제1의 두께보다 두꺼운 두께를 가지고 상기 중앙영역에 설치된 제2의 부분을 가지는 것을 특징으로 하는 정전용량형 가속도 센서.
4. 제 2항에 있어서,

   상기 접합틀 또는 상기 캡에는, 상기 실드막을 수용하는 오목부가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 정전용량형 가속도 센서.
5. 제 2항에 있어서,

   상기 캡은 상기 중앙영역으로부터 돌출한 지지 기둥을 가지고, 상기 지지 기둥의 표면에 형성된 상기 실드막을 경유하여 상기 실드막과 상기 가동부가 전기적으로 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 정전용량형 가속도 센서.
6. 가속도를 검출하기 위한 가동부를 가지는 가속도 검출부를 가지는 기판과,

   상기 가속도 검출부를 둘러싸도록 상기 기판 위에 고정된 접합틀과,

   상기 기판 위에 설치되고, 상기 기판과 대향하는 면이 상기 접합틀과 고정되어 있는 가장자리영역과 그 이외의 중앙영역으로 구성되어 있는 캡과,

   상기 캡의 적어도 상기 중앙영역의 표면전체에 걸쳐 형성된 도전성의 실드막과,

   상기 가동부에 접속된 제1의 외부전극과,

   상기 실드막에 접속된 제2의 외부전극을 가지고,

   상기 제1의 외부전극과 상기 제2의 외부전극은 전기적으로 접속 가능하도록 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 정전용량형 가속도 센서.

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