DE102009002559A1 - Sensoranordnung - Google Patents

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DE102009002559A1
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infrared protection
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Sebastian Guenther
Nicolaus Ulbrich
Volker Materna
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Robert Bosch GmbH
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Abstract

Es wird eine Sensoranordnung, insbesondere eine Beschleunigungssensoranordnung, mit einem Sensorelement und einem Abdeckelement vorgeschlagen, wobei zumindest eine Seite des Sensorelements eine Überdeckung durch das Abdeckelement aufweist und wobei das Abdeckelement zumindest teilweise als Infrarotschutzelement ausgebildet ist.

Description

  • Stand der Technik
  • Die Erfindung geht aus von einer Sensoranordnung nach dem Oberbegriff des Anspruchs 1.
  • Solche Sensoranordnungen sind allgemein bekannt. Beispielsweise ist aus der Druckschrift DE 10 2006 026 880 A1 ein mikromechanischer Beschleunigungssensor mit einer in z-Richtung gegenüber einem Substrat auslenkbaren Schwungmasse in Form einer Wippe bekannt. Die Schwungmasse ist mittels einer Verankerungseinrichtung an dem Substrat derart aufgehängt, dass die Wippe eine bezüglich einer durch die Verankerungseinrichtung ausgebildeten Torsionsachse asymmetrische Geometrie aufweist. Diese asymmetrische Geometrie bewirkt ferner eine bezüglich der Torsionsachse asymmetrische Massenverteilung, so dass eine Beschleunigung des mikromechanischen Beschleunigungssensors in z-Richtung eine Auslenkung der Schwungmasse relativ zum Substrat aufgrund von Trägheitskräften erzeugt. Diese Auslenkung ist mittels Elektroden auf einer oder beiden Seiten der Torsionsachse und entsprechenden Gegenelektroden auf dem Substrat kapazitiv messbar.
  • Offenbarung der Erfindung
  • Die erfindungsgemäße Sensoranordnung gemäß Anspruch 1 hat gegenüber dem. Stand der Technik den Vorteil, dass unerwünschte Offsetveränderungen des Sensorelements aufgrund von Infraroteinstrahlung ausgeräumt bzw. in erheblicher Weise reduziert werden und somit die Messgenauigkeit der Sensoranordnung deutlich erhöht wird. Dies wird dadurch erreicht, dass die Sensoranordnung ein Abdeckelement aufweist, welches zumindest teilweise als Infrarotschutzele ment fungiert. Infrarotschutzelement im Sinne der vorliegenden Erfindung umfasst Schutzelemente, welche die Transmission von Infrarotstrahlung unterbinden und/oder die Intensität der Infrarotstrahlung bei Transmission in erheblicher Weise reduzieren und/oder eine vergleichsweise schlechte Wärmeleitfähigkeit aufweisen, so dass einstrahlende Infrarotstrahlung lediglich zu einer vergleichsweise geringen Aufwärmung des Infrarotschutzelements führt. Dies hat insbesondere zur Folge, dass das Emissionsspektrum des Infrarotschutzelements ebenfalls nur einen vergleichsweise geringen Anteil von Infrarotstrahlung aufweist. Infrarotstrahlung umfasst vorzugsweise elektromagnetische Wärmestrahlung im Bereich größer als 750 nm. Eine Abschirmung des Sensorelements gegen Infrarotstrahlung ist insbesondere dadurch von großer Bedeutung, dass die Sensorstrukturen üblicherweise seismische Massen aufweisen, welche einerseits aufgrund ihrer im Vergleich zum Substrat des Sensorelements geringen Masse nur eine sehr geringe Wärmekapazität umfassen und andererseits aufgrund ihrer Aufhängung lediglich mittels dünner Federelemente eine vergleichsweise gute thermische Isolierung gegenüber dem Substrat aufweisen. Bei Infraroteinstrahlung heizt sich die seismische Masse daher deutlich stärker auf als das Substrat, wodurch eine vergleichsweise starke Offsetänderung aufgrund thermischer Verbiegungen der seismischen Masse und/oder aufgrund des Seebeckeffekts resultiert. Dies folgt auch daraus, dass der Offset der Sensoranordnung üblicherweise über einen Temperaturabgleich abgeglichen wird, welcher im thermischen Gleichgewicht der Sensoranordnung durchgeführt wird. Eine Offsetänderung aufgrund einstrahlender Infrarotstrahlung wird bei der erfindungsgemäßen Sensoranordnung in vorteilhafter Weise unterdrückt.
  • Vorteilhafte Ausgestaltungen und Weiterbildungen der Erfindung sind den Unteransprüchen, sowie der Beschreibung unter Bezugnahme auf die Zeichnungen entnehmbar.
  • Gemäß einer bevorzugten Weiterbildung ist vorgesehen, dass das Abdeckelement einen Verkappungswafer umfasst, wobei insbesondere ein dotierter Bereich des Verkappungswafers als Infrarotschutzelement vorgesehen ist. Besonders vorteilhaft ist das Infrarotschutzelement in einer vergleichsweise einfachen und kostengünstigen Weise herstellbar. Die Dotierung ist insbesondere in Standard-Halbleiterprozessen herstellbar und dient vorzugsweise als Absorptionselement, so dass einfallende Infrarotstrahlung von dem dotierten Bereich, d. h. vom Mate rial des Verkappungswafers, insbesondere Silizium, absorbiert wird. In einer besonders bevorzugten Ausführungsform weist die Sensoranordnung zusätzlich ein Gehäuse auf, wobei der als Infrarotschutzelement ausgebildete Verkappungswafer eine Abschirmung der Sensoranordnung gegenüber Infrarotstrahlung des Gehäuses ist. Die ist insbesondere bei Gehäusen aus Metall besonders vorteilhaft, da sich derartige Gehäuse vergleichsweise schnell aufheizen und die Wärme über Infrarotstrahlung an die Sensoranordnung weitergeben.
  • Gemäß einer weiteren bevorzugten Weiterbildung ist vorgesehen, dass das Abdeckelement ein Sensorgehäuse und/oder einen Sensorgehäusedeckel umfasst, wobei das Sensorelement zumindest teilweise innerhalb des Sensorgehäuses angeordnet ist. Besonders vorteilhaft wird die Sensoranordnung somit bereits durch das abschirmende Sensorgehäuse vor äußerer Infrarotstrahlung abgeschirmt, so dass vorzugsweise auch ein Aufheizen des Sensorgehäuses unterbunden wird. Besonders bevorzugt umfasst die Sensoranordnung sowohl ein als Infrarotschutzelement ausgebildeten Verkappungswafer, als auch ein als Infrarotschutzelement ausgebildetes Sensorgehäuse, so dass das Sensorelement doppelt vor Infrarotstrahlung geschützt wird.
  • Gemäß einer weiteren bevorzugten Weiterbildung ist vorgesehen, dass ein von dem Sensorgehäuse und/oder von dem Sensorelement thermisch isolierter Sensorgehäusedeckel als Infrarotschutzelement vorgesehen ist. Besonders vorteilhaft ist somit eine Abschirmung der Sensoranordnung mit einem bestehenden bzw. bekannten Sensorgehäuse möglich, wobei lediglich der Sensorgehäusedeckel als Infrarotschutzelement auszubilden ist. Besonders vorteilhaft umfasst der Sensorgehäusedeckel Kunststoff, welcher für Infrarotstrahlung nahezu undurchlässig ist.
  • Gemäß einer weiteren bevorzugten Weiterbildung ist vorgesehen, dass das Abdeckelement eine Vergussmasse umfasst, welche insbesondere zwischen dem Sensorgehäuse und dem Sensorelement und/oder zwischen dem Sensorgehäusedeckel und dem Sensorelement angeordnet ist. Besonders vorteilhaft ist durch einfaches „Auffüllen” des Innenraums des Sensorgehäuses mittels der IR-undurchlässigen Vergussmasse eine vergleichsweise einfache und kostengünstige Abschirmung des Sensorelements zu erzielen. Besonders bevorzugt dient die Vergussmasse gleichzeitig zur IR-Abschirmung und zum Schutz der Sensor anordnung vor mechanischen Einflüssen. Die Vergussmasse umfasst besonders bevorzugt Rutheniumoxid.
  • Gemäß einer weiteren bevorzugten Weiterbildung ist vorgesehen, dass das Infrarotschutzelement ein Reflektions- und/oder Absorptionselement umfasst, so dass einfallende Infrarotstrahlung von dem Infrarotschutzelement absorbiert und/oder zurückreflektiert wird und somit die Transmission der Infrarotstrahlung in Richtung des Sensorelements reduziert bzw. verhindert wird.
  • Gemäß einer weiteren bevorzugten Weiterbildung ist vorgesehen, dass das Infrarotschutzelement einen dotierten Bereich, eine Metallschicht, eine dielektrische Schicht, einen dielektrischen Schichtstapel und/oder ein Kunststoffelement umfasst, so dass in vorteilhafter Weise einerseits die einfallende Infrarotstrahlung absorbiert und/oder reflektiert wird und andererseits das Infrarotschutzelement vergleichsweise einfach zu implementieren und kostengünstig, insbesondere in Standardherstellungsprozessen, herstellbar ist. Desweiteren benötigt das Infrarotschutzelement vorzugsweise keinen zusätzlichen Bauraum.
  • Gemäß einer weiteren bevorzugten Weiterbildung ist vorgesehen, dass das Infrarotschutzelement auf einer dem Sensorelement zugewandten Seite des Abdeckelements und/oder auf einer dem Sensorelement abgewandten Seite des Abdeckelements angeordnet ist, so dass in vorteilhafter Weise je nach Sensoraufbau und Herstellungsverfahren ein vergleichsweise einfach zu implementierendes Infrarotschutzelement realisierbar ist.
  • Gemäß einer weiteren bevorzugten Weiterbildung ist vorgesehen, dass das Abdeckelement einen dotierten Bereich und/oder eine Beschichtung des Sensorelements und insbesondere einer seismischen Masse des Sensorelements umfasst. Besonders vorteilhaft wird somit das Infrarotschutzelement unmittelbar auf dem Sensorelement realisiert, so dass einerseits keinerlei bauliche Veränderungen am Sensorgehäuse bzw. am Verkappungswafer zur IR-Abschirmung notwendig sind und andererseits das Infrarotschutzelement unmittelbar und vergleichsweise bauraumkompakt in die Sensorstruktur zu integrieren ist. Ferner ist eine Herstellung des Infrarotschutzelements direkt im Herstellungsprozess des Sensorelements möglich.
  • Gemäß einer weiteren bevorzugten Weiterbildung ist vorgesehen, dass das Sensorelement ein Beschleunigungssensor umfasst, welcher insbesondere senkrecht und/oder parallel zu einer Haupterstreckungsebene eines Substrats des Sensorelements sensitiv ist, so dass eine Offsetänderung insbesondere bei Sensoren möglich ist, welche eine vergleichsweise hohe Messauflösung gewährleisten sollen. Ferner wird eine hohe Messauflösung über einer breiteren Temperaturbereich sichergestellt.
  • Gemäß einer weiteren bevorzugten Weiterbildung ist vorgesehen, dass die seismische Masse als Wippenstruktur mit asymmetrischer Massenverteilung ausgeführt ist. Insbesondere bei Sensoren, welche eine Wippenstruktur aufweisen, ist eine IR-Abschirmung besonders vorteilhaft, da ansonsten aufgrund der guten thermischen Isolierung und der geringen Wärmekapazität der seismischen Masse bei Infraroteinstrahlung die Gefahr besteht, dass sich die seismische Masse vergleichsweise stark aufheizt und es somit zu einer die Messgenauigkeit des Sensor stark beeinträchtigenden Offsetveränderung kommt.
  • Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung sind in den Zeichnungen dargestellt und in der nachfolgenden Beschreibung näher erläutert.
  • Kurze Beschreibung der Zeichnungen
  • Es zeigen
  • 1 eine schematische Schnittansicht einer Sensoranordnung gemäß einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung,
  • 2 eine schematische Schnittansicht einer Sensoranordnung gemäß einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung,
  • 3 eine schematische Schnittansicht einer Sensoranordnung gemäß einer dritten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung,
  • 4 eine schematische Schnittansicht einer Sensoranordnung gemäß einer vierten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung
  • 5 eine schematische Schnittansicht einer Sensoranordnung gemäß einer fünften Ausführungsform der vorliegenden Erfindung und
  • 6 eine schematische Schnittansicht einer Sensoranordnung gemäß einer sechsten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
  • Ausführungsformen der Erfindung
  • In den verschiedenen Figuren sind gleiche Teile stets mit den gleichen Bezugszeichen versehen und werden daher in der Regel auch jeweils nur einmal benannt bzw. erwähnt.
  • In 1 ist eine schematische Schnittansicht einer Sensoranordnung 1 gemäß einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung dargestellt, wobei die Sensoranordnung 1 ein Substrat 2, ein Sensorelement 3 und ein als Verkappungswafer 4 ausgebildetes Abdeckelement 22 aufweist. Das Sensorelement 3 ist als seismische Masse in Form einer Wippenstruktur 3' ausgebildet, wobei die seismische Masse 3'' mittels eines Federelements 5 derart am Substrat 2 befestigt ist, dass ein Verschwenken der seismischen Masse 3'' relativ zum Substrat in einer Richtung parallel zu einer Haupterstreckungsebene 100 des Substrats 2 möglich ist. Somit ist eine Detektion von senkrecht zur Haupterstreckungsebene 100 wirkenden Beschleunigungskräften möglich, da die seismische Masse 3'' bezüglich des Federelements 5 eine asymmetrische Massenverteilung aufweist und somit die Beschleunigungskräfte ein Verschwenken der seismischen Masse 3'' aus der Ruhelage heraus bewirken. Die Auslenkung der seismischen Masse 3'' wird kapazitiv mittels Festelektroden 6 gemessen, wobei die Festelektroden 6 fest mit dem Substrat 2 verbunden sind und wobei die seismische Masse 3'' als Gegenelektrode zur den Festelektroden 6 wirkt und somit eine Auslenkung der seismischen Masse 3'' zu einer messbaren Änderung der elektrischen Kapazität zwischen den Festelektroden 6 und der Gegenelektrode führt. Die Festelektroden 6, sowie die Anbindung der seismischen Masse 3'' sind vorzugsweise als Polysilizium-Bahnen ausgeführt, welche vorzugsweise mittels einer strukturierten Siliziumdioxid-Schicht an das Substrat 2 angebunden ist. Auf den Polysilizium-Bahnen sind die teilweise freitragende seismische Masse 3'' und weitere Strukturen 7 durch epitaktisches Silizium aufgebaut. Die Festelektroden 6 sind senkrecht zur Haupterstreckungsebene 100 zwischen freitragenden Bereichen der seismischen Masse und dem Substrat 2 angeordnet. Die seismische Masse 3'' wird mittels des Abdeckelements 22 in Form des Verkappungswafer 4 abgedeckt, so dass die seismische Masse 3'' senkrecht zur Haupterstreckungsebene 100 zwischen dem Verkappungswafer 4 und dem Substrat 2 angeordnet ist. Der Verkappungswafer wird dabei mittels einer Klebeschicht bzw. einem Sealglas mit den weiteren Strukturen 7 verbunden. Zumindest in einem die seismische Masse 3'' senkrecht zur Haupterstreckungsebene 100 überlappenden Bereich ist der Verkappungswafer als Infrarotschutzelement 8 ausgebildet, wobei der Verkappungswafer 4 insbesondere ein Silizium umfasst und das Infrarotschutzelement 8 insbesondere als eine Dotierung des Verkappungswafers 4 auf einer der seismischen Masse 3'' zugewandten Seite und auf einer der seismischen Masse 3'' abgewandten Seite des Verkappungswafers 4 ausgebildet ist. Die Dotierung ist dabei derart ausgebildet, dass Infrarotstrahlung von dem Silizium im Bereich der Dotierung absorbiert wird.
  • In 2 ist eine schematische Schnittansicht einer Sensoranordnung 1 gemäß einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung dargestellt, wobei die zweite Ausführungsform im Wesentlichen identisch der in 1 illustrierten ersten Ausführungsform ist, wobei das Infrarotschutzelement 8 Absorptions- und/oder Reflektionsschicht 8' auf einer der seismischen Masse 3'' zugewandten Seite und auf einer der seismischen Masse 3'' abgewandten Seite des Verkappungswafers 4 ausgebildet ist. Die Absorptions- und/oder Reflektionsschicht 8' umfasst dabei eine Metallisierung, eine dielektrische Schicht und/oder einen Schichtstapel.
  • In 3 ist eine schematische Schnittansicht einer Sensoranordnung 1 gemäß einer dritten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung dargestellt, wobei die dritte Ausführungsform im Wesentlichen identisch der in 2 illustrierten zweiten Ausführungsform ist, wobei der Verkappungswafer 4 kein Infrarotschutzelement 8 aufweist, sondern das Sensorelement 3 ein Infrarotschutzelement 8 in Form einer Absorptions- und/oder Reflektionsschicht 8' umfasst, welche insbesondere eine Metallisierung, eine dielektrische Schicht und/oder einen Schichtstapel auf einer dem Verkappungswafer 4 zugewandten Seite der seismischen Masse 3'' umfasst.
  • In 4 eine schematische Schnittansicht einer Sensoranordnung 1 gemäß einer vierten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung dargestellt, wobei die vierte Ausführungsform im Wesentlichen identisch der in 1 illustrierten ersten Ausführungsform ist, wobei der Verkappungswafer 4 kein Infrarotschutzelement 8 aufweist, sondern die Sensoranordnung 1 ein Abdeckelement 22 in Form eines Sensorgehäuses 9 aufweist, welches das Sensorelement 3 vollständig umgibt und zumindest teilweise als Infrarotschutzelement 8 ausgebildet ist. In dem Sensorgehäuse 9 ist beispielhaft ein weiterer Chip 10 angeordnet, welcher über einen Bonddraht 11 und entsprechende Bondpads 12 mit dem Sensorelement 3 elektrisch leitfähig verbunden ist, wobei das Sensorgehäuse 9 Gehäusepins 13 aufweist, welche zur Kontaktierung des weiteren Chips 10 und/oder des Sensorelements 3 beispielhaft mit einer Leiterplatte 14 kontaktiert sind. Das Sensorgehäuse 9 weist einen Sensorgehäusedeckel 15 auf, welcher aus einem für Infrarotstrahlung undurchlässigen Kunststoff besteht und von dem restlichen Sensorgehäuse 9 thermisch isoliert ist. Zur Veranschaulichung der Abschirmung ist in 4 schematisch eine äußere Wärmequelle 16 dargestellt, welche Infrarotstrahlung 17 in Richtung des Sensorelements 3 ausstrahlt. Ferner wird von der äußeren Wärmequelle 16 Wärme durch Konvektion 18 der Umgebungsluft in Richtung des Sensorelements 3 transportiert. Durch den thermischen isolierten und aus Kunststoff gefertigten Sensorgehäusedeckel 15 wird das Sensorelement 3 sowohl vor der Infrarotstrahlung 17, als auch von der durch Konvektion 18 transportierten Wärme abgeschirmt.
  • In 5 ist eine schematische Schnittansicht einer Sensoranordnung 1 gemäß einer fünften Ausführungsform der vorliegenden Erfindung, wobei die fünfte Ausführungsform im Wesentlichen identisch der in 4 illustrierten vierten Ausführungsform ist, wobei das Sensorgehäuse 9 kein Infrarotschutzelement 8 aufweist, sondern die Sensoranordnung 1 ein Abdeckelement 22 in Form einer Vergussmasse 19 aufweist, wobei die Vergussmasse 19 im Wesentlichen zwischen dem Sensorelement 3 und dem Sensorgehäuse 9 angeordnet ist und indirekte Infrarotstrahlung 20, welche beispielsweise von einem aufgewärmten Sensorgehäusedeckel 15 in Richtung des Sensorelements 3 emittiert wird, absorbiert.
  • In 6 ist eine schematische Schnittansicht einer Sensoranordnung 1 gemäß einer sechsten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung, wobei die sechste Ausführungsform im Wesentlichen identisch der in 5 illustrierten fünften Ausführungsform ist, wobei das Sensorgehäuse 9 keine Vergussmasse 19 aufweist, sondern das Abdeckelement 22 in Form eines Absorptionselements ausgebildet ist, welches auf dem Verkappungswafer 4 zwischen dem Sensorgehäusedeckel 15 und dem Verkappungswafer 4 angeordnet ist und die indirekte Infrarotstrahlung 20, welche beispielsweise von einem aufgewärmten Sensorgehäusedeckel 15 in Richtung des Sensorelements 3 emittiert wird, absorbiert.
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
  • Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
  • Zitierte Patentliteratur
    • - DE 102006026880 A1 [0002]

Claims (12)

  1. Sensoranordnung (1), insbesondere Beschleunigungssensoranordnung, mit einem Sensorelement (3) und einem Abdeckelement (22), wobei zumindest eine Seite des Sensorelements (3) eine Überdeckung durch das Abdeckelement (22) aufweist, dadurch gekennzeichnet, dass das Abdeckelement (22) zumindest teilweise als Infrarotschutzelement (8) ausgebildet ist.
  2. Sensoranordnung (1) nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das Abdeckelement (22) einen Verkappungswafer (4) umfasst, wobei insbesondere ein dotierter Bereich des Verkappungswafers (4) als Infrarotschutzelement (8) vorgesehen ist.
  3. Sensoranordnung (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das Abdeckelement (22) ein Sensorgehäuse (9) und/oder einen Sensorgehäusedeckel (15) umfasst, wobei das Sensorelement (3) zumindest teilweise innerhalb des Sensorgehäuses (9) angeordnet ist.
  4. Sensoranordnung (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass ein von dem Sensorgehäuse (9) und/oder von dem Sensorelement (3) thermisch isolierter Sensorgehäusedeckel (15) als Infrarotschutzelement (8) vorgesehen ist.
  5. Sensoranordnung (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das Abdeckelement (22) eine Vergussmasse (19) umfasst, welche insbesondere zwischen dem Sensorgehäuse (9) und dem Sensorelement (3 und/oder zwischen dem Sensorgehäusedeckel (15) und dem Sensorelement (3) angeordnet ist.
  6. Sensoranordnung (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Vergussmasse (19) Rutheniumoxid umfasst.
  7. Sensoranordnung (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das Infrarotschutzelement (8) ein Reflektions- und/oder Absorptionselement umfasst.
  8. Sensoranordnung (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das Infrarotschutzelement (8) einen dotierten Bereich, eine Metallschicht, eine dielektrische Schicht, einen dielektrischen Schichtstapel und/oder ein Kunststoffelement umfasst.
  9. Sensoranordnung (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das Infrarotschutzelement (8) auf einer dem Sensorelement (3) zugewandten Seite des Abdeckelements (22) und/oder auf einer dem Sensorelement (3) abgewandten Seite des Abdeckelements (22) angeordnet ist.
  10. Sensoranordnung (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das Abdeckelement (22) einen dotierten Bereich und/oder eine Beschichtung des Sensorelements (3) und insbesondere einer seismischen Masse (3'') des Sensorelements (3) umfasst.
  11. Sensoranordnung (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass das Sensorelement (3) einen Beschleunigungssensor umfasst, welcher insbesondere senkrecht und/oder parallel zu einer Haupterstreckungsebene (100) eines Substrats (2) des Sensorelements (3) sensitiv ist.
  12. Sensoranordnung (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die seismische Masse (3'') als Wippenstruktur (3') mit asymmetrischer Massenverteilung ausgeführt ist.
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