JPH0961456A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH0961456A JPH0961456A JP7243597A JP24359795A JPH0961456A JP H0961456 A JPH0961456 A JP H0961456A JP 7243597 A JP7243597 A JP 7243597A JP 24359795 A JP24359795 A JP 24359795A JP H0961456 A JPH0961456 A JP H0961456A
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Abstract
ノイズを遮断できる半導体装置を提供する。 【解決手段】 半導体装置1は、基板2上に形成された
加速度センサ3と、導電性枠体7,絶縁性膜体10およ
び導電性遮蔽膜体11とから構成される。加速度センサ
3は、発振回路4と検出回路6とから構成される。導電
性枠体7は、発振回路4と検出回路6の周囲をそれぞれ
取囲むように基板2上に形成される。絶縁性膜体10
は、発振回路4と検出回路6とを表面から覆うように形
成される。また、絶縁性膜体10には導電性枠体7の形
成位置に貫通溝10Aが形成される。導電性遮蔽膜体1
1は、絶縁性膜体10を覆うように設けられ、貫通溝1
0Aを介して導電性枠体7と電気的に導通した状態で一
体的に形成される。
Description
載された半導体装置に関し、特に、基板上に形成された
半導体回路から発生する電磁気的ノイズ等を遮断する半
導体装置に関する。
を基板上に形成する場合、この半導体回路から放射され
る電磁気的ノイズ等によって同一の基板本体上に形成し
た検出回路等の周辺回路が影響を受け、S/N比が悪化
したり誤動作等を起こす場合がある。これを防止するた
めに、半導体回路に対してシールドを施し、該半導体回
路から発生するノイズを遮断する必要がある。
は、基板上に半導体回路の周囲を取囲む導電体の障壁を
設け、この障壁をアースに接続(接地)することによ
り、半導体回路から周辺回路に漏洩するノイズを低減す
るようにしている。
としては、例えばDCB(Diode Capacitor Bridge)回
路と呼ばれる検出回路を用いた加速度センサ等が知られ
ており、該加速度センサの検出部は、例えば特開昭62
−232171号公報等に記載され、静電容量センサと
して形成されている。そして、このような加速度センサ
の検出部では、センサに加わる加速度を静電容量の変化
として検出するものである。
抵抗等によりブリッジ回路を構成し、検出回路に付設し
た発振回路から出力される所定周波数を交流電圧として
ブリッジ回路に印加することにより、ブリッジ回路を構
成する検出部によるコンデンサの静電容量を検出し、増
幅して出力できるものである。
には、該発振回路を取囲むように、導電体の障壁となる
金属製の導電性枠体が基板上に立設され、この導電性枠
体をアースに接続することにより、発振回路と検出回路
とを電磁気的に遮蔽し、発振回路から基板に平行な方向
(以下、水平方向という)に漏洩するノイズを遮断して
いる。
発振回路の周囲を取囲んで形成した導電性枠体によって
水平方向に放射される発振回路からのノイズを遮断し、
発振回路から発生したノイズが同一の基板上に存在する
周辺回路(例えば、検出回路)に対して悪影響を与える
のを防止している。
来技術においては、導電性枠体は発振回路の周囲を取囲
む障壁として設けられているため、水平方向に伝播する
ノイズは遮断できるものの、基板と垂直な方向(以下、
垂直方向という)に放射されるノイズは遮断することが
できず、垂直方向に放射されたノイズが導電性枠体の上
方から検出回路等に回り込み、検出性能(S/N比)が
悪化したり、誤動作等を誘発するという問題がある。
のキャップを発振回路にかぶせ、このキャップにより水
平方向と垂直方向のノイズを遮断する方法があるが、前
述した加速度センサのように、約4〜5mm角の微小なチ
ップ上に発振回路と検出回路とが形成されている集積回
路にあっては、発振回路のみにキャップをかぶせること
は製造上の理由により困難である。
されたもので、基板上に形成された半導体回路から発生
するノイズを遮断することができる半導体装置を提供す
ることを目的とする。
ために、請求項1に記載の発明による半導体装置は、基
板と、該基板上に設けられた半導体回路と、該半導体回
路の周囲を取囲むように前記基板上に設けられ導電性材
料からなる導電性枠体と、前記半導体回路の表面を覆う
ように前記基板上に設けられ絶縁材料からなる絶縁性膜
体と、該絶縁性膜体の表面を覆うように前記導電性枠体
に接触した状態で前記基板上に設けられ導電性材料から
なる導電性遮蔽膜体とから構成したことにある。
回路を発振回路としたことにある。
体回路を発振回路と検出回路とから構成したことにあ
る。
と、該基板上に形成された発振回路と、該発振回路と離
間して前記基板上に設けられたと、該検出回路と前記発
振回路の周囲を取囲む外枠部および該発振回路と検出回
路との間に介在させた隔壁部を有して前記基板上に設け
られた導電性材料からなる導電性枠体と、前記発振回路
と検出回路の表面を覆うように前記基板上に設けられ絶
縁材料からなる絶縁性膜体と、該絶縁性膜体の表面を覆
うように前記導電性枠体に接触した状態で前記基板上に
設けられ導電性材料からなる導電性遮蔽膜体とから構成
したことにある。
周囲を取囲むように導電性枠体を基板上に設け、前記半
導体回路の表面を絶縁性膜体を間に挟んで導電性遮蔽膜
体により覆うと共に、該導電性遮蔽膜体を導電性枠体と
接触した状態に形成したから、半導体回路から発生する
ノイズをこの導電性枠体と導電性遮蔽膜体によって外部
に対して電磁気的に遮断できる。しかも、半導体回路と
導電性遮蔽膜体との間に絶縁材料からなる絶縁性膜体を
設けたから、半導体回路と導電性材料からなる導電性遮
蔽膜体膜とを電気的に絶縁することができる。
路を発振回路としたから、該発振回路の周囲に設けた導
電性枠体と発振回路を覆うように設けた導電性遮蔽膜体
により、発振回路から発生する電磁気的ノイズを遮断す
ることができる。
路を発振回路と検出回路とから構成したから、発振回路
から発生するノイズを導電性枠体と導電性遮蔽膜体によ
り遮断し、発振回路と検出回路とを電磁気的に遮蔽する
ことができる。
形成された発振回路と検出回路の周囲を取囲む外枠部お
よび発振回路と検出回路との間に介在させた隔壁部を有
する導電性枠体を設けたから、該導電性枠体により発振
回路の周囲と検出回路の周囲とをそれぞれ独立に取囲む
ことができ、発振回路から発生するノイズを導電性枠体
と導電性遮蔽膜体により遮断し、発振回路と検出回路と
を電磁気的に遮蔽することができる。
体装置を、図1ないし図7に基づいて説明するに、本実
施例では、基板上に発振回路と検出回路とを形成した加
速度センサを例に挙げて示す。
置を示し、該半導体装置1は後述の基板2と、該基板2
上に形成した加速度センサ3を構成する発振回路4,検
出回路6と、該発振回路4,検出回路6を電磁気的に遮
蔽する導電性枠体7,絶縁性膜体10および導電性遮蔽
膜体11とから大略構成されている。そして、加速度セ
ンサ3は、従来技術で述べた検出回路を用いて構成さ
れ、該検出回路では発振回路4から出力される所定周波
数の電圧信号を印加し、検出回路6で加速度を静電容量
の変化として検出し、増幅して外部に出力する。
は例えば低抵抗シリコン等から板状に形成され、該基板
2上には、発振回路4と検出回路6とからなる加速度セ
ンサ3と、導電性枠体7,絶縁性膜体10および導電性
遮蔽膜体11とが形成されている。
示し、該加速度センサ3は加速度を静電容量の変化とし
て検出するコンデンサを含む検出回路6を用いて形成さ
れ、図2に示すように後述の発振回路4と、該発振回路
4と接続配線5を介して接続された検出回路6とから大
略構成されている。そして、加速度センサ3は、発振回
路4から出力される所定周波数の電圧信号を用いて、検
出回路6に形成されたブリッジ回路内のコンデンサ(即
ち、図示しない検出部の静電容量)により、基板2に作
用した加速度を検出するようになっている。
構成する半導体回路としての発振回路を示し、該発振回
路4は図3に示すように、基板2上に半導体製造技術に
より製造されている。また、発振回路4は検出回路6に
形成されたブリッジ回路に対し、所定周波数の電圧信号
を接続配線5を介して入力する。
るコンデンサを有するブリッジ回路が形成された検出回
路を示し、該検出回路6は図3に示すように、基板2上
に半導体製造技術により製造されている。また、検出回
路6は発振回路4と共に加速度センサ3を形成してい
る。
えば低抵抗シリコンからなる基板2にエッチング処理等
を行うことにより形成した可動部,固定部(図示せず)
等から構成されている。そして、基板2に作用した加速
度に応じて可動部を変位させ、可動部,固定部にそれぞ
れ設けた電極間の距離を変化させることにより、電極間
に発生する静電容量を変化させて加速度を検出するよう
になっている。
ら検出回路6に対して所定周波数が印加され、基板2に
作用した加速度に応じて検出用コンデンサの静電容量が
変化し、この静電容量の変化を電圧信号の変化として検
出,増幅して出力するものである。
なる導電性枠体を示し、該導電性枠体7は例えばスパッ
タリング等の手段により、例えばアルミニウム,金,チ
タン等の金属材料によって形成されている。また、該導
電性枠体7は図2に示すように、発振回路4と検出回路
6の周囲を取囲む外枠部8と、発振回路4と検出回路6
との間に介在させて設けた隔壁部9とから構成され、発
振回路4と検出回路6とをそれぞれ独立に取囲んでい
る。そして、隔壁部9には図2に示すように、発振回路
4と検出回路6とを接続する接続配線5の位置に切欠き
9Aが設けられている。また、導電性枠体7は基板2上
に設けられたアース配線(図示せず)に接続される。
うように形成された絶縁性膜体を示し、該絶縁性膜体1
0は、例えばCVD法等の手段により二酸化珪素(Si
O2),窒化珪素(Si N),ポリイミド等の電気的絶
縁性を有する薄膜を基板2に対して成膜することにより
形成されている。また、絶縁性膜体10は図1に示すよ
うに、発振回路4と後述する導電性遮蔽膜体11との
間、検出回路6と導電性遮蔽膜体11との間にそれぞれ
介在し、両者の電気的な絶縁を図るものである。
うに、導電性枠体7と同様の形成パターン(図2参照)
を用いたエッチング処理により矩形状の貫通溝10Aが
形成され、該貫通溝10Aが導電性枠体7の形成位置に
おいて絶縁性膜体10の表面と裏面とを連通することに
より、該貫通溝10Aを介して導電性枠体7の上側面7
Aと導電性遮蔽膜体11とは接触するようになってい
る。
形成された導電性遮蔽膜体を示し、該導電性遮蔽膜体1
1は図1に示すように、例えばスパッタリング等の手段
により形成された例えばアルミニウム,金,チタン等の
金属薄膜からなり、絶縁性膜体10を間に挟んで発振回
路4と検出回路6を上方から完全に覆うように設けられ
ている。また、導電性遮蔽膜体11は絶縁性膜体10の
貫通溝10Aを介して導電性枠体7の上側面7Aに接触
した状態で一体的に形成され、これにより該導電性枠体
7と導電性遮蔽膜体11とは電気的に導通状態となり、
協働して電磁波に対するシールドを構成している。
構成を有するもので、その製造工程を図3ないし図7に
基づいて説明する。
に用意した基板2を示し、該基板2には加速度センサ3
として、発振回路4,検出回路6および接続配線5が形
成されている。
は、スパッタリング等の手段を用いて基板2上に導電性
枠体7を図2に示すようなパターンをもって形成し、該
導電性枠体7の外枠部8により発振回路4と検出回路6
の周囲を取囲むと共に、導電性枠体7の隔壁部9を発振
回路4と検出回路6の間に介在させて形成し、該発振回
路4と検出回路6を独立に取囲むように構成する。ま
た、このとき導電性枠体7は、少なくともその一部を基
板2上に形成されたアース配線に接続する。
は、CVD法等の手段により二酸化珪素(Si O2),
窒化珪素(Si N)等の薄膜を絶縁性膜体10として基
板2上に形成し、該絶縁性膜体10によって発振回路
4,検出回路6および導電性枠体7の表面を完全に覆
う。
縁性膜体形成工程で形成した絶縁性膜体10に対してR
IE等の手段により異方性エッチング処理を行い、該絶
縁性膜体10の導電性枠体7形成位置に表面から裏面へ
と貫通する矩形状の貫通溝10Aを、前記導電性枠体7
と同様なパターンをもって形成する。この結果、絶縁性
膜体10の貫通溝10Aからは、導電性枠体7の上側面
7Aが露出する。
程では、スパッタリング等の手段によって絶縁性膜体1
0の表面にアルミニウム等の金属薄膜を導電性遮蔽膜体
11として形成する。このとき、導電性遮蔽膜体11を
図2に示す導電性枠体7の形成パターンより広い範囲を
もって設けることにより、絶縁性膜体10の表面に貫通
溝10Aを介して露出した導電性枠体7の上側面7Aに
導電性遮蔽膜体11を一体的に形成する。
では、基板2上に外枠部8と隔壁部9とからなる導電性
枠体7をアース配線に接続した状態で立設して形成し、
外枠部8により発振回路4と検出回路6の周囲を取囲む
と共に、隔壁部9を発振回路4と検出回路6との間に介
在させて設けて発振回路4と検出回路6を独立して取囲
むようにしたから、発振回路4から水平方向に漏洩する
ノイズを導電性枠体7により遮断できる。
10を挟んで発振回路4と検出回路6とを覆うように形
成すると共に、前記導電性枠体7の上側面7Aと接触し
た状態で設け、該導電性枠体7と電気的な導通状態とな
るようにしたから、発振回路4から垂直方向に漏洩する
ノイズを導電性遮蔽膜体11により遮断でき、導電性枠
体7と導電性遮蔽膜体11とが協働することによって発
振回路4と検出回路6とを電磁気的に遮蔽することがで
きる。
11とにより、発振回路4の周囲に電磁気的な遮蔽空間
を画成でき、発振回路4から外部に漏洩する電磁波ノイ
ズを著しく低減することができる。従って、発振回路4
から漏洩したノイズ等に起因する検出回路6の誤動作や
検出性能の低下を確実に防止でき、基板2に形成した加
速度センサ3の検出精度および信頼性を大幅に向上する
ことができる。
縁性膜体10を形成し、発振回路4と検出回路6とは、
絶縁性膜体10を挟んで導電性遮蔽膜体11に覆われる
ようにしたから、該絶縁性膜体10により発振回路4と
導電性遮蔽膜体11、検出回路6と導電性遮蔽膜体11
との間の電気的な絶縁をそれぞれ図ることができ、発振
回路4や検出回路6の種類や構造に関係なく導電性遮蔽
膜体11を形成でき、発振回路4と検出回路6の作動に
影響を与えることなく導電性遮蔽膜体11を容易に形成
することができる。
び導電性遮蔽膜体11を半導体製造技術により形成でき
るから、発振回路4と検出回路6とが入組んでいて複雑
な形状の導電性枠体7が必要な場合や、基板2の垂直方
向上側に僅かな隙間しかない場合等であっても、発振回
路4と検出回路6に対して導電性枠体7,絶縁性膜体1
0および導電性遮蔽膜体11を確実かつ容易に形成する
ことができる。
と検出回路6に対し導電性枠体7,絶縁性膜体10およ
び導電性遮蔽膜体11を形成したが、本発明はこれに限
らず、発振回路4と検出回路6のうち少なくとも発振回
路4を取囲むように導電性枠体7,絶縁性膜体10およ
び導電性遮蔽膜体11を形成する構成とし、発振回路4
から発生するノイズ等を遮断すればよく、検出回路6に
は上記遮蔽構造を施す必要はない。
回路4に対して導電性枠体7,絶縁性膜体10および導
電性遮蔽膜体11を形成したが、本発明はこれに限ら
ず、複数個の発振回路4が存在する場合にも適用でき、
導電性枠体7の形成パターンを工夫して各発振回路4の
周囲を取囲むようにすることにより、複数個の発振回路
4に対して導電性枠体7,絶縁性膜体10および導電性
遮蔽膜体11を形成してもよい。この場合、発振回路4
および検出回路6の形成工程において、半導体製造技術
により導電性枠体7を同時に形成することもできる。
7を基板2上のアース配線に接続したが、本発明はこれ
に限らず、導電性遮蔽膜体11をジャンパー線等を介し
てアース配線に接続してもよい。
置1に加速度センサ3を形成する場合を例に挙げて説明
したが、本発明はこれに限らず、基板上に発振回路を形
成する場合であれば適用することができ、例えば半導体
製造技術により形成された速度センサ,角速度センサ等
の処理回路等のように所定周波数の交流信号が必要なも
のに適用してもよく、さらに例えば電波の発信,受信等
に用いる発振回路に適用することにより、無線機等に用
いられる半導体装置を形成してもよい。
明によれば、半導体回路の周囲を取囲むように導電性枠
体を基板上に設け、前記半導体回路の表面を絶縁性膜体
を間に挟んで導電性遮蔽膜体により覆うと共に、該導電
性遮蔽膜体を導電性枠体と接触した状態に形成したか
ら、導電性枠体と導電性遮蔽膜体によって発振回路の周
囲に電磁気的な遮蔽空間を画成することができる。従っ
て、半導体回路から外部に漏洩するノイズを確実に低減
でき、ノイズによる半導体装置の誤動作を防止し、半導
体装置の信頼性を大幅に向上することができる。
に絶縁性膜体を介在させたから、半導体回路の種類や構
造を制限することなく、導電性遮蔽膜体を容易に形成す
ることができる。そして、導電性枠体,絶縁性膜体およ
び導電性遮蔽膜体を半導体製造技術により高精度に形成
できるから、複雑な形状をもって周辺の回路と入組んだ
半導体回路に対しても、導電性枠体,絶縁性膜体および
導電性遮蔽膜体を容易に形成することができる。
路を発振回路としたから、該発振回路の周囲に設けた導
電性枠体と発振回路を覆うように設けた導電性遮蔽膜体
により、発振回路から発生する電磁気的ノイズを確実に
遮断でき、周辺の回路の誤動作を防止することができ
る。
路を発振回路と検出回路とから構成したから、発振回路
と検出回路とを電磁気的に確実に遮蔽することができ、
発振回路から発生するノイズにより検出回路の誤動作や
検出精度の低下を確実に防止することができる。
と検出回路の周囲を取囲む外枠部および発振回路と検出
回路との間に介在させた隔壁部を有する導電性枠体を設
けたから、該導電性枠体により発振回路の周囲と検出回
路の周囲とをそれぞれ独立に取囲むことができ、発振回
路と検出回路とを電磁気的に確実に遮蔽し、検出回路の
誤動作や検出精度の低下を防止することができる。
図である。
す縦断面図である。
の周囲に導電性枠体を形成した状態を示す縦断面図であ
る。
体形成工程により、発振回路と検出回路の表面に絶縁性
膜体を形成した状態を示す縦断面図である。
成工程により、絶縁性膜体の導電性枠体形成位置に貫通
溝を形成した状態を示す縦断面図である。
体形成工程により、絶縁性膜体の表面に導電性遮蔽膜体
を形成した状態を示す縦断面図である。
Claims (4)
- 【請求項1】 基板と、該基板上に設けられた半導体回
路と、該半導体回路の周囲を取囲むように前記基板上に
設けられ導電性材料からなる導電性枠体と、前記半導体
回路の表面を覆うように前記基板上に設けられ絶縁材料
からなる絶縁性膜体と、該絶縁性膜体の表面を覆うよう
に前記導電性枠体に接触した状態で前記基板上に設けら
れ導電性材料からなる導電性遮蔽膜体とから構成してな
る半導体装置。 - 【請求項2】 前記半導体回路は、発振回路である請求
項1に記載の半導体装置。 - 【請求項3】 前記半導体回路は、発振回路と検出回路
とから構成してなる請求項1または2に記載の半導体装
置。 - 【請求項4】 基板と、該基板上に形成された発振回路
と、該発振回路と離間して前記基板上に設けられた検出
回路と、該検出回路と前記発振回路の周囲を取囲む外枠
部および該発振回路と検出回路との間に介在させた隔壁
部を有して前記基板上に設けられた導電性材料からなる
導電性枠体と、前記発振回路と検出回路の表面を覆うよ
うに前記基板上に設けられ絶縁材料からなる絶縁性膜体
と、該絶縁性膜体の表面を覆うように前記導電性枠体に
接触した状態で前記基板上に設けられ導電性材料からな
る導電性遮蔽膜体とから構成してなる半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7243597A JPH0961456A (ja) | 1995-08-29 | 1995-08-29 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7243597A JPH0961456A (ja) | 1995-08-29 | 1995-08-29 | 半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0961456A true JPH0961456A (ja) | 1997-03-07 |
Family
ID=17106189
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP7243597A Pending JPH0961456A (ja) | 1995-08-29 | 1995-08-29 | 半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0961456A (ja) |
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