KR20070015604A - 박막 황동광 화합물 제조 방법 - Google Patents

박막 황동광 화합물 제조 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 황동광과 유기 바인더로 구성된 금속 미네랄 소금이 함유된 용액을 기판 상에 적층한 후 기판 상에 말려 고형막을 얻고, 마지막으로 막을 원소 주기표(periodic table)의 16족중 하나 혹은 둘 이상의 원소들을 함유한 분위기(atmosphere)에 접촉시킨 후, 열 반응으로 황동광을 형성하는 방법에 관한 것이다.

Description

박막 황동광 화합물 제조 방법{METHOD FOR PRODUCING A THIN-FILM CHALCOPYRITE COMPOUND}
본 발명은 황동광 화합물을 생산하는 방법에 관한 것이다.
황동광 화합물, 특히 디셀레늄 구리와 CIS라고도 불리는 CuInSe2 인듐, 갈륨 합금('CIGS')과 황('CIGSS')은 박막이라 불리는 광전지 내 빛을 흡수하는 층으로 활용될 때 유망한 후보자들(promising candidates)이다. USP 4,335,266은 CIS 전지들의 기술을 기재한 일 예이다. 상승하는 흡수율로 인해, 황동광 CIGS의 1내지 2mm 두께는 모든 잡광(incidental light)을 흡수하기에 충분하다. In/Ga와 Se/S의 비를 바꾸면서, 에너지 공백('band-gap') 값들의 큰 범위(1내지 2.4eV)가 얻어질 가능성이 있고, 점진적인 에너지 공백을 가진 구조들이 광전지들 내에서 높은 효율을 내며 사용된다. 하나의 다결정 CIGS 층을 가진 태양 전지들은, K. 라만싼 등이 작성한 광전 변환 공학, 2003, 11, 225쪽에 기재된 바와 같이, 19%이상의 전환 효율에 달하였다. 포왈라 등에 의해 2003년 일본 오사카에서 간행된 '제3차 WCPEC의 과정들'과 쿠시야 등에 의해 2003년 일본 오사카에서 간행된 '제3차 WCPEC의 과정들'에 기재된 것처럼, 일차 산업들은 속하고 그들의 박막 CIGS를 가진 태양 전지들 의 생산은 공동 증발 방식과 높은 진공을 필요로 하는 셀레니제인션(selenization) 과정에 근거를 둔다. 현재 태양 모듈 CIGS는 평균 10 내지 13%의 효율을 가지고 있으며, 목표는 결정질 실리콘의 생산 가격보다 낮게 하며 13내지 15%의 효율을 내는 것이다. 이러한 높은 효율을 갖는 CIGS 모듈들은 비싼 설비와 복잡한 제어 과정으로 얻어지며, 원재료의 20내지 40%의 손실도 불가피하다. 제조비용을 낮추기 위하여, 높은 압력이 요구되지 않는 과정들에 근거한 대안적인 방법들이 제안되고 연구되었다. 일반적으로, 이 방법들은 신속하고 간단하게 황동광 CIGS 층을 생산하는 것을 가능하게 하여야 하며, 희소하고 값비싼 인듐과 갈륨에 비해 원재료의 완전한 활용을 가능하게 해야 할 것이다. 잘 알려진 방법들, 말하자면 전기 화학 방법들로, 예를 들면 USP 5,871,630과 스프레이지에 의한 피로리즈를 보면, 예를 들어 USP 4,242,374 또는 USP 6,379,635에 따르면, 적층에 근거한 상기 방법들은 효율이 13%라는 점에서 최근 관심을 끌었다: 카퓌르 등에 의한 USP 6,127,202에 기재된 것처럼, 기판 상에 배열('닥터-블레이드')에 의해 처음 적층된 나노결정질 파우더로 된 금속 산화물을 포함하는 페이스트 방법이 개발되었다. 그러나 수소 분위기에서의 처리는 금속층에서 산소를 감소시켜 H2Se가 희석된 분위기에서 금속층이 과열된다. 한편으로 이 과정은 적절한 Cu/In과 Cu/Ga의 비를 갖는 금속 산화물의 나노금속성 파우더를 개발시키는 것을 필요로 하고, 다른 한 편으로 '셀레니제이션(selenization)'에 따른 수소 분위기에서의 감소는 사용되는 기체인 H2Se가 매우 독성이 강하고 과정을 증가시키므로 안정성을 확보하기 위해 가열된 진공 상태에서 적어도 두 번의 밀봉을 필요로 한다. 또한, 2층으로 된 금속 산화물 층을 처리하는 것은 황동광 박막을 얻기 위해 필요한 시간 주기를 상당히 연장시킨다.
USP 5,910,336에 기재된 다른 방법으로, 유기금속 화합물은 유기 용제에서 용해된 후, 기판 상에 스피닝('spin-coating') 혹은 딥-코팅('dip-coating')으로 적층된다. 불활성 혹은 감소 분위기에서의 열분해 후에, 얻어진 합금은 또한 용융로 안에서 열처리되고, 형성된 황동광막은 9%까지 효율을 갖는 태양 전지들로 완성된다. 이 방법은 또한 매우 독성이 강하고 값비싼 유기 금속 전구체가 필요하고, 또한 2단계(감소 후 열처리)로 이루어진 그 방법은 적층 속도를 불리하게 하고 비용을 증가시킨다.
본원 발명은 원료를 빠르고 신속한 방법과 관계 있으며, 청구항 1항에 따르면, 기판 상에 황동광 박막을 생산하기 위해 간단한 설비를 필요로 한다. 본 발명은 극성 용매에서 용해되는 미네랄 금속 소금과 유기 바인더를 포함하는 용액을 사용하는데 특징이 있다.
미네랄 소금은 수화하거나 불수화한, 할로겐, 질산염, 시안화물, 시안산염, 티오시안산염 또는 셀레노시안산염이 될 수 있다.
이 용액은 실크 스크린 인쇄(serigraphy), 스텐실, 템포그라피(tampography), 플랙소 인쇄(flexography), 스피닝(spinning) 또는 액막의 배열 방법들 ('닥터-블레이드' 혹은 '컵-코팅')과 같은 임프레션 방법 또는 몇 가지 임프레션 방법들의 하나의 조합에 의해 기판 상에 적층된다. 실제로 표면상에 액체를 옮길 수 있게 하는 모든 방법이 이용될 수 있으며, 미네랄 금속 소금 용액이 임프레션 또는 선택된 적층(deposition) 방법과 양립할 수 있도록 하기 위해 상기 용액의 점성과 유동성을 조정할 수 있도록 해 주는 유기 바인더도 포함한다. 유기 바인더는 일반적으로 셀룰로오스들, 셀룰로오스 대체물, 폴리비닐 알코올, 폴리에틸렌 산화물, 폴리아크릴로니트릴, 폴리사카라이드 그리고 적절한 용제 안의 가용성 니트로셀룰로오스 중에서 선택된다. 이 용액은 물이거나 아니면 지방족 알코올, 폴리글리콜, 폴리에테르, 폴리올, 에스테르, 세톤, 니트릴, 알콕시알코올 중 선택된 하나의 유기 화합물일 수 있으며, 이 목록은 고갈되지 않으며, 미네랄 금속 소금과 유기 바인더의 용해도가 거기서 확인되는 이상 모든 유기 용매가 사용된다. 물과 앞서 언급한 하나 또는 복수의 유기 화합물들의 혼합물을 가지는 것도 역시 가능하다. 본 발명에 따른 황동광 박막을 얻기 위하여, 미네랄 금속 소금을 포함하는 용액을 기판 상에 적층하고 난 후, 건조하여 금속 소금을 함유하는 고형 막을 구하는 것이 가능하다. 이와 같이 처리된 기판은 주기율표의 16족 (예전 6족)의 하나 혹은 복수의 원소들, 원래 셀레늄이나 황, 또는 둘의 혼합물,을 포함하는 분위기에 접촉되며, 가열은 반응을 유발하는데, 금속 소금을 함유하는 막이 박막으로 변하고 황동광에 들어맞게 한다. 만약 소금이 구리, 인듐, 그리고 적절한 비율로 갈륨도 역시 포함하며, 가열 처리 분위기에서 셀레늄을 포함한다면, Cu(InGa)Se2형 황동광은 물리적으로 전기적으로 태양광 전지들을 제조하기에 좋은 성질을 가지게 될 것이다. 기판은 광전지 CIGS에 사용되는 유리상에 적층되는 몰리브덴에 한정되지 않으며, 16족중 하나 혹은 복수의 원소들을 포함하는 분위기에서 열 처리 동안에 필요한 화학 저항을 제공하는 모든 기판은 본원 발명에 따른 황동광 박막을 찾을 수 있다.
본원 발명은 CIGS형 황동광에 한정되지 않고, 예를 들면, CdTe, HgCdTe, 또는 Cu2ZnSnSe4와 같은 화합물들로 확장될 수 있다. CuAlO2와 예를 들어 AgInS2형 황화물과 같은 혼합 산화물들은 상응하는 금속 소금을 사용하는 것 역시 가능하다.
본원 발명에 따라 얻어진 황동광들의 적용은 태양광 전지들에 적용하는 것에 한정되지 않고 다른 적용도 가능하다는 것이 명확하다. 예를 들어 황동광은 CdTe 같은, 아니면 발광 다이오드 구조 내부의 발광 전류계, 혹은 전기 저항 내부의 반도체 물질, 혹은 적절한 도핑을 사용하는 트랜지스트와 같은 광전지 포획자의 CuAlO2와 같이 투명한 전자 전도체 막인 HgCdTe의 경우에서처럼 적외선 탐지기로 이용될 수 있다. 만약 철(Fe), 니켈(Ni), 코발트(Co), 크롬(Cr)과 같은 금속이 황동광 조성물 내로 삽입된다면, 자기적 성질도 역시 가능하다.
캐소드 스퍼터링에 의해 적층된 몰리브덴막을 구비한 후속할 모든 예들이 소다켈식(sodacalcic) 유리 블레이드부터 준비했다. 본원 발명에 따라 얻어진 황동광 박막들은 광전지들 내부에서 이용되고 황동광막들은 이 적용을 위해 가장 효과적인 상태로 특징 지워진다.
황동광을 생산하기 위한 본 발명에 따른 일반적인 절차는 4단계로 나뉜다:
단계 1: 극성 용매 내에 하나 또는 복수의 미네랄 금속 소금과 하나 또는 복수의 유기 바인더들을 포함하는 용액의 준비
단계 2: 기판 상에 균일하고 제한된 액경막을 보증하기 위한 적절한 임프레션 방법으로 기판 상에 용액의 적층
단계 3: 금속 소금들을 포함하는 적합한 고형 막을 얻기 위해 액경막과 함께 기판의 산소 혹은 불활성 분위기에서의 건조
단계 4: 황동광을 형성하기 위해 주기율표의 16족중 하나 또는 다수의 원소들을 포함하는 분위기에서의 열 처리
예 1
25ml 부피의 메탄올 (플루카 99.5%)에 1.106g의 염화 인듐(III) 무수물 InCI3(올드리치, 99.999%)가 용해되고, 질산 구리(II) 반-오수화물 Cu(NO3)2.2.5H2O(올드리치, 99.99%)가 용해되고, 그 후 5-15mPas의 표준화된 점성을 갖는 3g의 에틸셀룰로오스 '에소겔' (플루카)가 균일성을 맞추기 위해 용액에 첨가된다.
이 용액은 오피스 어브 라클을 하는 유리 막대기로 용액을 펼치며, 역시 얻어진 액경막의 농도를 규정하는 100mm의 간격을 이용하여 몰리브덴이 덮인 유리 상에 마련된다. 약 1ml 부피의 용액은 10cm2의 기판에 적합하다. 액경막이 있는 기판은 2-3분 동안 100-120℃에서 즉시 건조된 후, 1-2분 동안 산소로 250℃로 가열된다.
마지막으로, 이와 같이 처리된 기판은 0.5g의 황(99.5%, 플루카)을 포함하는 흑연으로 가열된 주변에 준비되고 나서, 10분 후에 500℃에서, 기판은 황동광 CuInS2 다결정 박막(약 1mm)를 얻는다.
EDX(에너지 분산형 X선)과 X선의 회절에 의해, 주사 전자 현미경으로 분석하면 황동광이 얻어졌음을 확인할 수 있다.
예 2
25ml 부피의 메탄올 (플루카 99.5%)에 0.256g의 염화 갈륨(III) 수화물 ( 99.999%, 올드리치)가 용해되고, In/Ga 4의 전자비를 가능하게 해 주는 0.885g의 염화 인듐(III) 무수물 InCI3(올드리치, 99.999%)가 용해되고, 그 후 Cu/(In+Ga) 1의 전자비를 가능하게 해 주는 0.938g의 질산 구리(II) 반-오수화물 Cu(NO3)2.2.5H2O(올드리치, 99.99%)가 용해되는데, 그 후 5-15mPas의 표준화된 점성을 갖는 3g의 에틸셀룰로오스 '에소겔' (플루카)가 균일성을 맞추기 위해 용액에 첨가된다.
선행하는 예에서처럼, 이 용액은 오피스 어브 라클을 하는 유리 막대기로 용액을 펼치며, 역시 얻어진 액경막의 농도를 규정하는 100mm의 간격을 이용하여 몰리브덴이 덮인 유리 상에 마련된다. 액경막이 있는 기판은 2분 동안 주변 온도에서 120℃까지를 지나는 산소로 즉시 건조된 후, 3분 동안 120-300℃를 지나는 자유로운 산소로 가열된다. 마지막으로, 이와 같이 처리된 기판은 질소로 가득 차고 10mbar로 유지되는 유리로 된 관모양의 엔클로저 내에 놓여진다. 두 영역의 온도를 포함하는 이 엔클로저는 하나의 온도 영역에서는 기판이 위치하고, 다른 온도 영역에서는 0.2g의 셀레늄(99.9%, 올드리치)을 함유하는 회분 접시(cupel)가 위치된다. 셀레늄이 있는 영역은 300℃로 유지되고, 기판이 있는 영역은 10분 동안 560℃로 가열된다. 그 후, '셀레니제이션'이라고도 일컫는 열처리가 이루어지고, 기판은 바람직한 광전지 성질을 갖는 다결정 황동광 CuIn0 .8Ga0 .2Se2 박막 (약 1mm)을 얻는다.
예 3
첫 번째 용액은 0.767g의 염화 갈륨(III) 수화물 (99.999%, 올드리치), 0.885g의 염화 인듐(III) 무수물 InCI3(올드리치, 99.999%)과 0.938g의 질산 구리(II) 반-오수화물 Cu(NO3)2.2.5H2O(올드리치, 99.99%)을 포함하는 5ml의 메탄올 (플루카 99.5%)로 준비된다. 두 번째 용액은 첫 번째 용액과 같은 양의 금속 소금에 5-15mPas의 표준화된 점성을 갖는 0.5g의 에틸셀룰로오스 '에소겔' (플루카)을 더 포함하는 5ml의 1-펜탄올 (99%, 플루카)로 준비된다.
원하는 점성과 유동성을 얻기 위해, 처리될 용액은 첫 번째 용액과 두 번째 용액을 1대 2의 비율로 섞어 형성된다.
유리 상의 적층물은 몰리브덴으로 덮여 있고, 예 2에서 기술한 바와 같이 건조와 열 처리가 행해진다. 이렇게 얻어진 황동광은 바람직한 광전지 성질을 갖는다. '화학 배쓰(chemical bath)'로 잘 알려진 방법으로 50nm의 CdS 박막이 거기에 적용되면, 캐소드 스퍼터링에 의해 적층된 알루미늄으로 도핑 처리된 ZnO를 함유하는 투명 접촉이 이루어진다. 상기한 광전지는 1000W/m2의 표준 조명보다 적은 6.7% 의 전환 효율을 나타내었다.

Claims (34)

  1. 기판 상에 황동광 막을 제조하는 방법으로서,
    상기 방법은 황동광 화합물 안에 들어가는 적어도 하나의 금속 미네랄 소금과 유기 바인더를 포함하는 적어도 하나의 극성 용매로 구성된 용액의 액경막을 기판 상에 우선적으로 적어도 한 번 적층시키고, 그 후 상기 액경막을 기판을 덮는 고형 막을 얻기 위해 건조시켜, 주기표의 16족 중 적어도 하나의 원소를 포함하는 분위기에서 상기 고형막을 접촉하여 열처리에 의해 황동광을 형성하는 것을 특징으로 하는 황동광 막 제조 방법.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 용액은 주기표의 3 내지 15 족 중에 선택된 하나 또는 복수의 금속들을 미네랄 소금의 형태로 포함하는 것을 특징으로 하는 황동광 막 제조 방법.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 용액은 전이 금속들과 주기표의 13, 14, 15 족 중에 선택된 하나 또는 복수의 금속들을 미네랄 소금의 형태로 포함하는 것을 특징으로 하는 황동광 막 제조 방법.
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 용액은 주기표의 11 내지 15족 중에 선택된 하나 또는 복수의 금속들을 미네랄 소금의 형태로 포함하는 것을 특징으로 하는 황동광 막 제조 방법.
  5. 제 1항에 있어서,
    상기 용액은 주기표의 11 및 12족 중에 선택된 하나 또는 복수의 금속들과 주기표의 13 및 14 족 중에 선택된 하나 또는 복수의 금속들을 미네랄 소금의 형태로 포함하는 것을 특징으로 하는 황동광 막 제조 방법.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 용액은 주기표의 11족 중에 선택된 적어도 하나의 금속과 주기표의 13 족 중에 선택된 적어도 하나의 금속을 미네랄 소금의 형태로 포함하는 것을 특징으로 하는 황동광 막 제조 방법.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 용액은 구리, 은, 철, 아연, 주석, 카드뮴, 알루미늄, 갈륨, 인듐, 안티몬, 비스무드(창연) 중에서 선택된 적어도 하나 또는 복수의 금속들을 미네랄 소금의 형태로 포함하는 것을 특징으로 하는 황동광 막 제조 방법.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 용액은 구리, 은, 철, 아연, 주석, 카드뮴 중에서 선택된 적어도 하나 또는 복수의 금속들과 알루미늄, 갈륨, 인듐 중에서 선택된 적어도 하나 또는 복수의 금속들을 미네랄 소금의 형태로 포함하는 것을 특징으로 하는 황동광 막 제조 방법.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 용액은 적어도 하나의 구리와 알루미늄, 갈륨, 인듐 중에서 선택된 적어도 하나 또는 복수의 금속들을 미네랄 소금의 형태로 포함하는 것을 특징으로 하는 황동광 막 제조 방법.
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 미네랄 소금은 할로겐, 질산염, 시안화물, 시안산염, 티오시안산염과 셀레노시안산염 중에 선택된 적어도 하나의 음이온을 포함하는 것을 특징으로 하는 황동광 막 제조 방법.
  11. 제 1 항에 있어서,
    상기 미네랄 소금은 염화물과 질화물 중에 선택된 적어도 하나의 음이온을 포함하는 것을 특징으로 하는 황동광 막 제조 방법.
  12. 제 1 항에 있어서,
    상기 용액은 무수물이거나 수화물인 적어도 하나의 질화물과 염화 구리와 알 루미늄, 갈륨, 인듐 중에서 선택된 적어도 하나 또는 복수의 금속들을 질화물, 염화물, 무수물 또는 수화물의 형태로 포함하는 것을 특징으로 하는 황동광 막 제조 방법.
  13. 제 1 항에 있어서,
    상기 용액은 무수물이거나 수화물인 적어도 하나의 질산동(II)과 무수물이거나 수화물인 적어도 하나의 염화 인듐(III)과 무수물이거나 수화물인 적어도 하나의 질산 갈륨(III)을 포함하는 것을 특징으로 하는 황동광 막 제조 방법.
  14. 제 1 항에 있어서,
    상기 용액은 무수물이거나 수화물인 적어도 하나의 질산카드뮴(II)과 무수물이거나 수화물인 적어도 하나의 염화 카드뮴(II)을 포함하는 것을 특징으로 하는 황동광 막 제조 방법.
  15. 제 1 항에 있어서, 상기 용액의 극성 용매는 물과 지방족 알코올, 니트릴, 폴리글리콜, 폴리에테르, 폴리올, 에스테르, 세톤, 디올, 알콕시알코올과 같은 유기 화합물 중에 선택되는 것을 특징으로 하는 황동광 막 제조 방법.
  16. 제 1 항에 있어서,
    상기 용액의 극성 용매는 물과 지방족 알코올, 니트릴, 폴리글리콜, 폴리에 테르, 폴리올, 에스테르, 세톤, 디올, 알콕시알코올 중에 선택된 하나 또는 복수의 유기 화합물의 혼합물인 것을 특징으로 하는 황동광 막 제조 방법.
  17. 제 1 항에 있어서,
    상기 용액의 극성 용매는 물, 메탄올, 에탄올, 1-프로판, 1,2-프로판디올, 1,3-프로판디올, 1-펜탄올, 1,2-펜탄디올, 1,3-프로판디올, 글리세린, 디글림, 테트라디글림, 아세토니트릴, 프로피온니트릴, 3-메타옥시프로피온니트릴 중에서 선택되는 것을 특징으로 하는 황동광 막 제조 방법.
  18. 제 1 항에 있어서,
    상기 용액의 극성 용매는 메탄올, 에탄올, 1-펜탄올 1,2-프로판디올 중에서 선택되는 것을 특징으로 하는 황동광 막 제조 방법.
  19. 제 1 항에 있어서,
    상기 유기 바인더는 셀룰로오스, 셀룰로오스 대체물, 알킬 셀룰로오스, 폴리비닐 알코올, 폴리에틸렌 산화물, 폴리아크릴로니트릴, 폴리사카라이드, 니트로셀룰로오스 중에서 선택되는 것을 특징으로 하는 황동광 막 제조 방법.
  20. 제 1 항에 있어서,
    상기 유기 바인더는 셀룰로오스, 셀룰로오스 대체물, 알킬 셀룰로오스, 폴리 비닐 알코올, 폴리에틸렌 산화물, 폴리아크릴로니트릴, 폴리사카라이드, 니트로셀룰로오스 중에서 선택되는 적어도 두개의 유기 화합물로 형성된 혼합물인 것을 특징으로 하는 황동광 막 제조 방법.
  21. 제 1 항에 있어서,
    상기 유기 바인더는 에틸셀룰로오스들 중에서 선택되는 것을 특징으로 하는 황동광 막 제조 방법.
  22. 제 1 항에 있어서,
    상기 용액은 무수물이거나 수화물인 적어도 하나의 질산동(II)과 무수물이거나 수화물인 적어도 하나의 염화 인듐(III)과 무수물이거나 수화물인 적어도 하나의 질산 갈륨(III)을 포함하고 유기 바인더는 메탄올에 용해되거나 또는 메탄올과 1-펜탄올의 혼합물에 용해된 적어도 하나의 타입의 에틸셀룰로오스를 포함하는 것을 특징으로 하는 황동광 막 제조 방법.
  23. 제 1 항에 있어서,
    상기 용액은 0.05 내지 3몰의 농도에서 무수물이거나 수화물인 적어도 하나의 질산동(II)과 0.03 내지 3몰의 농도에서 무수물이거나 수화물인 적어도 하나의 염화 인듐(III)과 0 내지 1몰의 농도에서 무수물이거나 수화물인 적어도 하나의 질산 갈륨(III)을 포함하고 유기 바인더는 메탄올에 또는 메탄올과 1-펜탄올의 혼합 물에 용해되는 2 내지 200 g/l의 농도에서 적어도 하나의 타입의 에틸셀룰로오스를 포함하는 것을 특징으로 하는 황동광 막 제조 방법.
  24. 제 1 항에 있어서,
    상기 용액은 0.2 내지 1몰의 농도에서 무수물이거나 수화물인 적어도 하나의 질산동(II)과 0.2 내지 1몰의 농도에서 무수물이거나 수화물인 적어도 하나의 염화 인듐(III)과 0 내지 0.4몰의 농도에서 무수물이거나 수화물인 적어도 하나의 질산 갈륨(III)을 포함하고 유기 바인더는 메탄올에 또는 메탄올과 1-펜탄올의 혼합물에 용해되는 50 내지 150 g/l의 농도에서 적어도 하나의 타입의 에틸셀룰로오스를 포함하는 것을 특징으로 하는 황동광 막 제조 방법.
  25. 제 1 항에 있어서,
    상기 용액은 0.04몰의 농도에서 수화된 질산 갈륨(III)을 먼저 메탄올에 용해시키고 난 후, 0.16몰의 농도에서 무수 염화 인듐(III)을 메탄올에 용해시키고, 0.2몰의 농도에서 반-오수화물인 질산동(II)을 메탄올에 용해시키고, 마지막으로 5-15 mPas(톨루엔/EtOH 80:20 혼합물에서 5% 내용물을 25℃에서 측정함)의 표준화된 점성을 갖는 120 g/l의 에틸셀룰로오스 양을 메탄올에 용해시켜 상기 용액을 얻음을 특징으로 하는 황동광 막 제조 방법.
  26. 제 1 항에 있어서,
    상기 용액은 용액 A와 용액 B를 1 대 2의 비율로 섞어 얻는데, 용액 A는 0.767g의 수화된 질산 갈륨(III)과 0.885g의 무수 염화 인듐(III)과 0.938G의 반-오수화된 질산동(II)을 포함하는 5ml의 메탄올로 구성되고, 용액 B는 0.767g의 수화된 질산 갈륨(III), 0.885g의 무수 염화 인듐(III), 0.938g의 반-오수화물과 5-15 mPas(톨루엔/EtOH 80:20 혼합물에서 5% 내용물을 25℃에서 측정함)의 표준화된 점성을 갖는 0.5g의 에틸셀룰로오스를 포함하는 5ml의 1-펜탄올로 준비됨을 특징으로 하는 황동광 막 제조 방법 .
  27. 제 1 항에 있어서,
    상기 용액은 실크 스크린 인쇄(serigraphy), 스텐실, 스프라지(sprayage), 스피닝(spin-coating), 템포그라피(tampography), 플랙소 인쇄(flexography) 그리고 용액을 기판 상에 유용한 면의 양면에 위치하여 적층되는 액경막의 두께를 부여하는 간격 장치들 상에서 미끄러지는 스크레퍼로 배열하는 '닥터-블레이드' 방법 중에서 선택되는 임프레션 방법으로 준비되는 것을 특징으로 하는 황동광 막 제조 방법.
  28. 제 1 항에 있어서,
    상기 기판 상에 적층되는 용액의 상기 막은 중립 분위기 혹은 자유로운 공기에서 150과 300℃ 사이의 온도까지 점차적으로 가열되면서 건조되는 것을 특징으로 하는 황동광 막 제조 방법.
  29. 제 1 항에 있어서,
    상기 기판을 덮는 상기 고형막은 주기표의 16족중 적어도 하나의 원소를 포함하는 분위기에서 상기 고형층을 1내지 30분 사이의 시간 동안 300 내지 650℃ 사이의 온도에서 실행되는 열반응으로 황동광으로 변하는 것을 특징으로 하는 황동광 막 제조 방법.
  30. 제 1 항에 있어서,
    상기 기판을 덮는 상기 고형막은 초기 단계에서 셀레늄 또는 황을 포함하고 초기 단계에서 셀레늄과 황의 혼합물을 포함하는 분위기에서 상기 고형막을 5 내지 20분 사이의 시간 동안 500 내지 600℃ 사이의 온도에서 실행되는 열반응으로 황동광으로 변하는 것을 특징으로 하는 황동광 막 제조 방법.
  31. 제 14항에 있어서,
    황동광은 카드뮴텔루르(CdTe)로부터 얻어지는 것을 특징으로 하는 황동광 막 제조 방법.
  32. 제 23항 또는 제 24항에 있어서,
    황동광은 0.8과 1.5 사이에 위치하고 0과 0.6 사이에 위치한 x+y 합을 가진 CuInxGaySe2로부터 얻어지는 것을 특징으로 하는 황동광 막 제조 방법.
  33. 제 1 항에 있어서,
    상기 기판은 유리 또는 중합체 상에서 박막 안에 적층된 몰리브덴으로 구성됨을 특징으로 하는 황동광 막 제조 방법.
  34. 제 1항 내지 제 33항 중 어느 한 항에 있어서,
    황동광의 박막은 광전지 내에서 이용되는 것을 특징으로 하는 황동광 막 제조 방법.
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