KR101149033B1 - 박막 황동광 화합물 제조 방법 - Google Patents

박막 황동광 화합물 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR101149033B1
KR101149033B1 KR1020067025216A KR20067025216A KR101149033B1 KR 101149033 B1 KR101149033 B1 KR 101149033B1 KR 1020067025216 A KR1020067025216 A KR 1020067025216A KR 20067025216 A KR20067025216 A KR 20067025216A KR 101149033 B1 KR101149033 B1 KR 101149033B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
solution
anhydrous
hydrated
film
producing
Prior art date
Application number
KR1020067025216A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20070015604A (ko
Inventor
토비아스 마이어
티와리 아이오댜
마르끄 캘린
Original Assignee
솔라로닉스 에스에이
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 솔라로닉스 에스에이 filed Critical 솔라로닉스 에스에이
Publication of KR20070015604A publication Critical patent/KR20070015604A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101149033B1 publication Critical patent/KR101149033B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H01L31/1828—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof the active layers comprising only AIIBVI compounds, e.g. CdS, ZnS, CdTe
    • H01L31/1836—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof the active layers comprising only AIIBVI compounds, e.g. CdS, ZnS, CdTe comprising a growth substrate not being an AIIBVI compound
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
    • H01L31/0445—PV modules or arrays of single PV cells including thin film solar cells, e.g. single thin film a-Si, CIS or CdTe solar cells
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
    • C30B29/46—Sulfur-, selenium- or tellurium-containing compounds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B7/00—Single-crystal growth from solutions using solvents which are liquid at normal temperature, e.g. aqueous solutions
    • C30B7/005—Epitaxial layer growth
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/0256—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by the material
    • H01L31/0264—Inorganic materials
    • H01L31/032—Inorganic materials including, apart from doping materials or other impurities, only compounds not provided for in groups H01L31/0272 - H01L31/0312
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/0256—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by the material
    • H01L31/0264—Inorganic materials
    • H01L31/032—Inorganic materials including, apart from doping materials or other impurities, only compounds not provided for in groups H01L31/0272 - H01L31/0312
    • H01L31/0322—Inorganic materials including, apart from doping materials or other impurities, only compounds not provided for in groups H01L31/0272 - H01L31/0312 comprising only AIBIIICVI chalcopyrite compounds, e.g. Cu In Se2, Cu Ga Se2, Cu In Ga Se2
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/541—CuInSe2 material PV cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Abstract

본 발명은 황동광과 유기 바인더로 구성된, 금속 무기 염이 함유된 용액을 기판 상에 적층한 후 기판 상에서 건조시켜 고형 막을 얻고, 끝으로 막을 원소 주기율표(periodic table)의 제 16족으로부터 하나 또는 둘 이상의 원소들을 함유한 분위기(atmosphere)와 접촉시킨 후, 열 반응에 의해 황동광을 형성하는 방법에 관한 것이다.

Description

박막 황동광 화합물 제조 방법{METHOD FOR PRODUCING A THIN-FILM CHALCOPYRITE COMPOUND}
본 발명은 황동광 화합물을 생산하는 방법에 관한 것이다.
황동광 화합물, 특히 디셀레늄 구리와 CIS라고도 불리는 CuInSe2 인듐, 갈륨 합금('CIGS')과 황('CIGSS')은 박막이라 불리는 광전지내 빛을 흡수하는 층으로 활용될 때 유망한 후보자들(promising candidates)이다. USP 4,335,266은 CIS 전지들의 기술을 기재한 일 예이다. 높은 흡수율로 인해, 황동광 CIGS의 1 내지 2mm 두께는 모든 입사광(incidental light)을 흡수하기에 충분하다. In/Ga와 Se/S의 비를 바꾸면서, 밴드 갭('band-gap') 값들의 큰 범위(1내지 2.4eV)가 얻어질 가능성이 있고, 점진적인 밴드 갭을 가진 구조들이 광전지에서 높은 효율로 사용된다. 하나의 다결정 CIGS 층을 가진 태양 전지들은, K. 라만싼 등이 작성한 광전 변환 공학, 2003, 11, 225쪽에 기재된 바와 같이, 19%이상의 전환 효율에 달하였다. 포왈라 등에 의해 2003년 일본 오사카에서 간행된 '제3차 WCPEC의 과정들'과 쿠시야 등에 의해 2003년 일본 오사카에서 간행된 '제3차 WCPEC의 과정들'에 기재된 바와 같이, 일차 산업들이 출현하였고, 박막 CIGS를 가진 태양 전지들의 일차 산업 생산은 공동 증발 방식과 높은 진공을 필요로 하는 셀렌화(selenization) 과정에 기초한다. 현재 태양 모듈 CIGS는 평균 10 내지 13%의 효율을 가지고 있으며, 목표는 결정질 실리콘의 생산 비용보다 낮은 비용으로 13내지 15%의 효율을 내는 것이다. 이러한 높은 효율을 갖는 CIGS 모듈들은 비싼 설비와 복잡한 제어 과정으로 얻어지며, 원재료의 20 내지 40%의 손실도 불가피하다. 제조비용을 낮추기 위하여, 높은 압력이 요구되지 않는 과정들에 근거한 대안적인 방법들이 제안되고 연구되었다. 일반적으로, 이 방법들은 신속하고 간단하게 황동광 CIGS 층을 생산하는 것을 가능하게 해야 하며, 희소하고 값비싼 인듐과 갈륨에 비해 원재료를 완전히 활용가능하게 해야 할 것이다. 잘 알려진 방법들, 말하자면 전기 화학 방법들로, 예를 들면 USP 5,871,630과 분무에 의한 열분해를 보면, 예를 들어 USP 4,242,374 또는 USP 6,379,635에 따르면, 적층에 근거한 상기 방법들은 효율이 13% 초과라는 점에서 최근에 관심을 끌었다: 카퓌르 등에 의한 USP 6,127,202에 기재된 바와 같이, 기판 상에 배열('닥터-블레이드')에 의해 처음 적층된 나노결정질 파우더로 된 금속 산화물을 포함하는 페이스트 방법이 개발되었다. 그러나 수소 분위기에서의 처리는 금속층에서 산소를 감소시켜 H2Se가 희석된 분위기에서 금속층이 과열된다. 한편으로 이 과정은 적절한 Cu/In과 Cu/Ga의 비를 갖는 금속 산화물의 나노금속성 파우더를 개발시키는 것을 필요로 하고, 다른 한 편으로 '셀렌화(selenization)'에 따른 수소 분위기에서의 감소는 사용되는 기체인 H2Se가 매우 독성이 강하고 과정을 증가시키므로 안정성을 확보하기 위해 가열된 진공 상태에서 2회 이상의 밀봉을 필요로 한다. 또한, 2층으로 된 금속 산화물 층을 처리하는 것은 황동광 박막을 얻기 위해 필요한 시간 주기를 상당히 연장시킨다.
USP 5,910,336에 기재된 다른 방법으로, 유기금속 화합물이 유기 용매 중에서 용해된 후, 기판 상에 스피닝('spin-coating') 또는 딥-코팅('dip-coating')으로 적층된다. 불활성 혹은 감소 분위기에서의 열분해 후에, 얻어진 합금은 또한 용융로 안에서 열처리되고, 형성된 황동광막은 9% 이하의 효율을 갖는 태양 전지들로 완성된다. 이 방법은 또한 매우 독성이 강하고 값비싼 유기 금속 전구체가 필요하고, 또한 2단계(감소 후 열처리)로 이루어진 그 방법은 적층 속도를 불리하게 하고 비용을 증가시킨다.
본원 발명은 원료의 사용에 있어서 신속한 방법과 관계 있으며, 청구항 1항에 따르면, 기판 상에 황동광 박막을 생산하기 위해 간단한 설비를 필요로 한다. 본 발명은 극성 용매 중에 용해되는 금속 무기 염과 유기 바인더(binder)를 포함하는 용액을 사용하는데 특징이 있다.
무기 염은 수화되거나, 무수성일 수 있는, 할로겐, 질산염, 시아니드, 시아네이트, 티오시아네이트 또는 셀레노시아네이트일 수 있다.
이 용액은 실크 스크린 인쇄(serigraphy), 스텐실, 템포그라피(tampography), 플랙소 인쇄(flexography), 스피닝(spinning) 또는 액막의 배열 방법들 ('닥터-블레이드' 혹은 '컵-코팅')과 같은 임프레션 방법 또는 수개의 임프레션(impression) 방법들의 하나의 조합에 의해 기판 상에 적층된다. 실제로 표면상에 액체를 옮길 수 있게 하는 모든 방법이 이용될 수 있으며, 금속 무기 염 용액이 임프레션 또는 선택된 적층(deposition) 방법과 양립할 수 있도록 하기 위해 상기 용액의 점성과 유동성을 조정할 수 있도록 해 주는 유기 바인더도 포함한다. 유기 바인더는 일반적으로 셀룰로오스, 셀룰로오스 대체물, 폴리비닐 알코올, 폴리에틸렌 옥사이드, 폴리아크릴로니트릴, 폴리사카라이드, 및 적절한 용매 중의 가용성 니트로셀룰로오스로부터 선택된다. 상기 용매는 물, 또는 지방족 알코올, 폴리글리콜, 폴리에테르, 폴리올, 에스테르, 에테르, 케톤, 니트릴, 알콕시알코올 중 선택된 유기 화합물일 수 있으며, 이러한 기재가 전부는 아니며, 금속 무기 염과 유기 바인더가 가용성이 되는 한, 모든 유기 용매가 사용된다. 물과 앞서 언급한 하나 또는 복수의 유기 화합물들의 혼합물을 가지는 것도 역시 가능하다. 본 발명에 따른 황동광 박막을 얻기 위하여, 금속 무기 염을 포함하는 용액을 기판 상에 적층하고 난 후, 건조하여 금속 염을 함유하는 고형 막(solid layer)을 얻는 것이 가능하다. 이와 같이 처리된 기판은 주기율표의 제 16족(예전 제 6족)의 하나 또는 복수의 원소들, 원래 셀레늄이나 황, 또는 둘의 혼합물을 포함하는 분위기에 접촉되며, 가열에 의해 반응이 유발되며, 금속 염을 함유하는 막이 박막으로 변하고 황동광에 들어맞게 한다. 상기 금속 염이 구리, 인듐, 및 가능하게는 적절한 원자 비율로 갈륨을 포함하고, 가열 처리 분위기가 셀레늄을 포함하는 경우, 태양광 전지를 제조하기에 유리한 물리적 및 전기적 성질을 갖는 Cu(InGa)Se2형 황동광이 얻어질 것이다. 기판은 광전지 CIGS에 사용되는 유리상에 적층되는 몰리브덴에 한정되지 않으며, 제 16족 중 하나 또는 복수의 원소들을 포함하는 분위기에서 열 처리 동안에 필요한 화학적 내성을 제공하는 임의의 기판이 본원 발명에 따른 황동광 박막으로 피복될 수 있다.
본원 발명은 CIGS형 황동광에 한정되지 않고, 예를 들면, CdTe, HgCdTe, 또는 Cu2ZnSnSe4와 같은 화합물들로 확장될 수 있다. 예를 들어, CuAlO2 또는 AgInS2형 황화물과 같은 혼합 산화물을, 상응하는 금속 염을 사용하는 경우에 사용하는 것이 또한 가능하다.
본원 발명에 따라 얻어진 황동광들의 적용은 태양광 전지들에 적용하는 것에 한정되지 않고 다른 적용도 가능하다는 것이 명확하다. 예를 들어 황동광은 HgCdTe의 경우에서처럼 적외선 탐지기로서, CuAlO2와 같이 투명한 전자 전도체, 또는 CdTe 같이 광전지 센서, 또는 전기 레지스터(resistor)에서의 반도체 물질로서, 또는 적합한 도핑(doping)을 사용함으로써 트랜지스터로서 사용될 수 있다. 만약 철(Fe), 니켈(Ni), 코발트(Co), 크롬(Cr)과 같은 금속이 황동광 조성물 내로 삽입된다면, 자기적 성질도 역시 가능하다.
캐소드 스퍼터링에 의해 적층된 몰리브덴막을 구비한 후속할 모든 예들이 소다켈식(sodacalcic) 유리 블레이드부터 제조되었다. 본원 발명에 따라 얻어진 황동광 박막들은 광전지들 내부에서 이용되고 황동광막들은 이러한 적용을 위해 가장 효과적인 상태로 적합화된다.
황동광을 생산하기 위한 본 발명에 따른 일반적인 절차는 4단계로 나뉜다:
단계 1: 극성 용매 내에 하나 또는 복수의 금속 무기 염과 하나 또는 복수의 유기 바인더를 함유하는 용액 제조
단계 2: 기판 상에 균일하고 제한된 액체막이 되게 하는 적절한 임프레션 방법으로 기판 상으로의 용액의 적층
단계 3: 금속 염을 포함하는 적합한 고형 막을 얻기 위한 산소 또는 불활성 분위기에서의 액체막이 있는 기판의 건조
단계 4: 황동광을 형성하기 위해 주기율표의 제 16족으로부터의 하나 또는 다수의 원소들을 포함하는 분위기에서의 열 처리
실시예 1
25ml의 메탄올 (Fluka 99.5%)에 1.106g의 염화 인듐(III) 무수물 InCI3(알드리치, 99.999%)을 용해시키고, 질산 구리(II) 반-오수화물 Cu(NO3)2.2.5H2O(알드리치, 99.99%)를 용해시킨 후, 조도(consistency)를 조절하기 위해 5-15mPas의 표준 점도를 갖는 3g의 에틸셀룰로오스 '에소셀(Ethocel)®' (Fluka)을 첨가하였다.
이 용액을 블레이드로서 역할을 하는 유리 막대기로 스프레딩하고, 이에 따라 얻어진 액체막의 두께를 규정하는 100mm의 스페이서를 이용함으로써 몰리브덴 코팅된 유리 상에 적층하였다. 약 1ml 부피의 용액이 10cm2의 기판을 적층하는데 적합하다. 액체막이 있는 기판을 즉시 2-3분 동안 100-120℃에서 건조시킨 후, 1-2분 동안 산소 중에서 250℃로 가열하였다.
마지막으로, 이와 같이 처리된 기판을 0.5g의 황(99.5%, Fluka)을 포함하는 가열된 흑연 분위기에 배치하고, 500℃에서 10분 후, 기판에 황동광 CuInS2 다결정 박막(약 1mm)이 피복되었다.
EDX(에너지 분산형 X선) 주사 전자 현미경 및 X선의 회절에 의한 분석으로 황동광이 얻어졌음을 확인할 수 있었다.
실시예 2
25ml의 메탄올 (Fluka 99.5%)에 0.256g의 염화 갈륨(III) 수화물 ( 99.999%, 알드리치)을 용해시키고, 0.885g의 염화 인듐(III) 무수물 InCI3(알드리치, 99.999%)를 용해시켜 In/Ga의 원자비가 4가 되게 한 후, 0.938g의 질산 구리(II) 반-오수화물 Cu(NO3)2.2.5H2O(알드리치, 99.99%)를 용해시켜 Cu/(In+Ga)의 원자비를 1이 되게 하고, 이후 조도를 조절하기 위해 5-15mPas의 표준 점도를 갖는 3g의 에틸셀룰로오스 '에소셀' (Fluka)을 용액에 첨가하였다.
선행 실시예에서와 같이, 상기 용액을 블레이드로서 역할을 하는 유리 막대기로 스프레딩하고, 이에 따라 얻어진 액체막의 두께를 규정하는 100mm의 스페이서를 이용함으로써 몰리브덴 코팅된 유리 상에 피복하였다. 액체막이 있는 기판을 2분 동안 120℃의 주변 온도를 통과시킴으로써 즉시 건조시킨 후, 3분 동안 120-300℃의 개방된 공기를 통과시킴으로써 가열하였다. 마지막으로, 이와 같이 처리된 기판을 질소 충전된 유리 튜브에 놓여지게 하고, 10mbar로 유지시켰다. 두 영역의 온도를 포함하는 상기 튜브는 한 온도 영역에서는 기판이 배치되고, 다른 온도 영역에서는 0.2g의 셀레늄(99.9%, 알드리치)을 함유하는 회분 접시(cupel)가 배치되었다. 셀레늄이 있는 영역을 300℃로 유지시키고, 기판이 있는 영역을 10분 동안 560℃로 가열하였다. 그 후, '셀렌화'라고도 일컫어지는 열처리 후, 기판에 바람직한 광전지 성질을 갖는 다결정 황동광 CuIn0.8Ga0.2Se2 박막 (약 1mm)이 피복되었다.
실시예 3
0.767g의 염화 갈륨(III) 수화물 (99.999%, 알드리치), 0.885g의 염화 인듐(III) 무수물 InCI3(알드리치, 99.999%)과 0.938g의 질산 구리(II) 반-오수화물 Cu(NO3)2.2.5H2O(알드리치, 99.99%)을 포함하는 5ml의 메탄올 (Fluka 99.5%)의 제 1 용액을 제조하였다. 제 1 용액과 같은 양의 금속 염에 5-15mPas의 표준 점도를 갖는 0.5g의 에틸셀룰로오스 '에소셀' (Fluka)을 추가로 포함하는 5ml의 1-펜탄올 (99%, Fluka)의 제 2 용액을 제조하였다.
요망되는 점도 및 유동성을 얻기 위해, 처리될 용액을 제 1 용액과 제 2 용액을 1 대 2의 비율로 혼합하여 형성하였다.
실시예 2에서 기술된 바와 같이, 몰리브덴 코팅된 유리에 적층하고, 건조시키고, 열처리하였다. 널리 공지되어 있는 '화학 배쓰(chemical bath) 방법'을 사용하고 캐소드 스퍼터링에 의해 적층된 알루미늄으로 도핑 처리된 ZnO를 함유하는 투명 컨택트에 의해 50nm의 CdS 박막이 적용되면, 형성된 황동광은 바람직한 광전지 성질을 가졌다. 이러한 광전지는 1000W/m2의 표준 조명 하에 6.7%의 전환 효율을 나타내었다.

Claims (35)

  1. 기판 상에 황동광 막을 제조하는 방법으로서,
    황동광 조성에 유입되는 하나 이상의 금속 무기 염 및 유기 바인더를 포함하는, 하나 이상의 극성 용매를 포함하는 용액의 하나 이상의 액체막을 우선적으로 기판 상에 적층시키되, 상기 용액이 주기율표의 제 3족 내지 제 15족으로부터 선택된 하나 또는 복수의 금속을 무기 염의 형태로 포함하고, 상기 용액의 극성 용매가 물, 및 지방족 알코올, 니트릴, 폴리글리콜, 폴리에테르, 폴리올, 에스테르, 에테르, 케톤, 디올, 및 알콕시알코올을 포함하는 유기 화합물로부터 선택되며, 상기 유기 바인더가 셀룰로오스, 셀룰로오스 대체물, 알킬 셀룰로오스, 폴리비닐 알코올, 폴리에틸렌 옥사이드, 폴리아크릴로니트릴, 폴리사카라이드, 및 니트로셀룰로오스로부터 선택되며;
    상기 액체막을 건조시켜 기판을 덮고 있는 고형 막(solid layer)을 얻고;
    상기 고형 막을 주기율표의 제 16족으로부터 하나 이상의 원소를 포함하는 분위기와 접촉하여 열처리함으로써 황동광을 형성시킴을 특징으로 하는, 황동광 막을 제조하는 방법.
  2. 삭제
  3. 제 1항에 있어서, 상기 용액이 전이 금속, 및 주기율표의 제 13족, 제 14족, 제 15족으로부터 선택된 하나 또는 복수의 금속을 무기 염의 형태로 포함함을 특징으로 하는, 황동광 막을 제조하는 방법.
  4. 제 1항에 있어서, 상기 용액이 주기율표의 제 11족 내지 제 15족으로부터 선택된 하나 또는 복수의 금속을 무기 염의 형태로 포함함을 특징으로 하는, 황동광 막을 제조하는 방법.
  5. 제 1항에 있어서, 상기 용액이 주기율표의 제 11족 및 제 12족으로부터 선택된 하나 또는 복수의 금속, 및 주기율표의 제 13족 및 제 14족으로부터 선택된 하나 또는 복수의 금속을 무기 염의 형태로 포함함을 특징으로 하는, 황동광 막을 제조하는 방법.
  6. 제 1 항에 있어서, 상기 용액이 주기율표의 제 11족으로부터 선택된 하나 이상의 금속, 및 주기율표의 제 13족으로부터 선택된 하나 이상의 금속을 무기 염의 형태로 포함함을 특징으로 하는, 황동광 막을 제조하는 방법.
  7. 제 1 항에 있어서, 상기 용액이 구리, 은, 철, 아연, 주석, 카드뮴, 알루미늄, 갈륨, 인듐, 안티몬, 및 비스무트로부터 선택된 하나 이상 또는 복수의 금속을 무기 염의 형태로 포함함을 특징으로 하는, 황동광 막을 제조하는 방법.
  8. 제 1 항에 있어서, 상기 용액이 구리, 은, 철, 아연, 주석, 및 카드뮴으로부터 선택된 하나 이상 또는 복수의 금속, 및 알루미늄, 갈륨 및 인듐으로부터 선택된 하나 이상 또는 복수의 금속을 무기 염의 형태로 포함함을 특징으로 하는, 황동광 막을 제조하는 방법.
  9. 제 1 항에 있어서, 상기 용액이 하나 이상의 구리, 및 알루미늄, 갈륨, 및 인듐으로부터 선택된 하나 이상 또는 복수의 금속을 무기 염의 형태로 포함함을 특징으로 하는, 황동광 막을 제조하는 방법.
  10. 제 1 항에 있어서, 상기 무기 염이 할로겐, 니트레이트, 시아네이트, 티오시아네이트 및 셀레노시아네이트로부터 선택된 하나 이상의 음이온을 포함함을 특징으로 하는, 황동광 막을 제조하는 방법.
  11. 제 1 항에 있어서, 상기 무기 염이 클로라이드 및 니트라이드로부터 선택된 하나 이상의 음이온을 포함함을 특징으로 하는, 황동광 막을 제조하는 방법.
  12. 제 1 항에 있어서, 상기 용액이 니트라이드, 및 무수 또는 수화된 염화 구리 중 하나 이상, 및 니트라이드, 무수 또는 수화된 클로라이드 형태의 알루미늄, 갈륨, 및 인듐으로부터 선택된 하나 이상 또는 복수의 금속을 포함함을 특징으로 하는, 황동광 막을 제조하는 방법.
  13. 제 1 항에 있어서, 상기 용액이 하나 이상의 무수 또는 수화된 질산구리(II), 하나 이상의 무수 또는 수화된 염화 인듐(III), 및 하나 이상의 무수 또는 수화된 질산 갈륨(III)을 포함함을 특징으로 하는, 황동광 막을 제조하는 방법.
  14. 제 1 항에 있어서, 상기 용액이 하나 이상의 무수 또는 수화된 질산카드뮴(II), 및 하나 이상의 무수 또는 수화된 염화 카드뮴(II)을 포함함을 특징으로 하는, 황동광 막을 제조하는 방법.
  15. 삭제
  16. 제 1 항에 있어서, 상기 용액의 극성 용매가 물, 및 지방족 알코올, 니트릴, 폴리글리콜, 폴리에테르, 폴리올, 에스테르, 에테르, 케톤, 디올, 및 알콕시알코올로부터 선택된 하나 또는 복수의 유기 화합물의 혼합물임을 특징으로 하는, 황동광 막을 제조 하는 방법.
  17. 제 1 항에 있어서, 상기 용액의 극성 용매가 물, 메탄올, 에탄올, 1-프로판, 1,2-프로판디올, 1,3-프로판디올, 1-펜탄올, 1,2-펜탄디올, 1,3-프로판디올, 글리세린, 디글림, 테트라디글림, 아세토니트릴, 프로피온니트릴, 및 3-메타옥시프로피온니트릴로부터 선택됨을 특징으로 하는, 황동광 막을 제조하는 방법.
  18. 제 1 항에 있어서, 상기 용액의 극성 용매가 메탄올, 에탄올, 1-펜탄올 및 1,2-프로판디올로부터 선택됨을 특징으로 하는, 황동광 막을 제조하는 방법.
  19. 삭제
  20. 제 1 항에 있어서, 상기 유기 바인더가 셀룰로오스, 셀룰로오스 대체물, 알킬 셀룰로오스, 폴리비닐 알코올, 폴리에틸렌 옥사이드, 폴리아크릴로니트릴, 폴리사카라이드, 및 니트로셀룰로오스로부터 선택된 두개 이상의 유기 화합물로 형성된 혼합물임을 특징으로 하는, 황동광 막을 제조하는 방법.
  21. 제 1 항에 있어서, 상기 유기 바인더로서 에틸셀룰로오스가 사용됨을 특징으로 하는, 황동광 막을 제조하는 방법.
  22. 제 1 항에 있어서, 상기 용액이 하나 이상의 무수 또는 수화된 질산구리(II), 하나 이상의 무수 또는 수화된 염화 인듐(III), 및 하나 이상의 무수 또는 수화된 질산 갈륨(III)을 포함하고, 유기 바인더가 메탄올에 용해되거나, 메탄올과 1-펜탄올의 혼합물에 용해된 하나 이상의 타입의 에틸셀룰로오스를 포함함을 특징으로 하는, 황동광 막을 제조하는 방법.
  23. 제 1 항에 있어서, 상기 용액이 0.05 내지 3몰의 농도로 하나 이상의 무수 또는 수화된 질산구리(II), 0.03 내지 3몰의 농도로 하나 이상의 무수 또는 수화된 염화 인듐(III), 및 0 내지 1몰의 농도로 하나 이상의 무수 또는 수화된 질산 갈륨(III)을 포함하고, 유기 바인더가 메탄올, 또는 메탄올과 1-펜탄올의 혼합물에 용해된 하나 이상의 타입의 에틸셀룰로오스를 2 내지 200g/l의 농도로 포함함을 특징으로 하는, 황동광 막을 제조하는 방법.
  24. 제 1 항에 있어서, 상기 용액이 0.2 내지 1몰의 농도로 하나 이상의 무수 또는 수화된 질산구리(II), 0.2 내지 1몰의 농도로 하나 이상의 무수 또는 수화된 염화 인듐(III), 및 0 내지 0.4몰의 농도로 하나 이상의 무수 또는 수화된 질산 갈륨(III)을 포함하고, 유기 바인더가 메탄올 또는 메탄올과 1-펜탄올의 혼합물에 용해된 하나 이상의 타입의 에틸셀룰로오스를 50 내지 150 /l의 농도로 포함함을 특징으로 하는, 황동광 막을 제조하는 방법.
  25. 제 1 항에 있어서, 상기 용액이 0.04몰의 농도로 수화된 질산 갈륨(III)을 먼저 메탄올에 용해시킨 후, 0.16몰의 농도로 무수 염화 인듐(III)을 메탄올에 용해시키고, 0.2몰의 농도로 반-오수화물인 질산구리(II)를 메탄올에 용해시키고, 마지막으로 5-15mPas(톨루엔/EtOH 80:20 혼합물 중에서 5% 내용물을 25℃에서 측정함)의 표준 점도를 갖는 120g/l의 에틸셀룰로오스 양을 메탄올에 용해시켜 얻어짐을 특징으로 하는, 황동광 막을 제조하는 방법.
  26. 제 1 항에 있어서, 상기 용액이 용액 A와 용액 B를 1 대 2의 비율로 혼합하여 얻어지며, 상기 용액 A는 0.767g의 수화된 질산 갈륨(III), 0.885g의 무수 염화 인듐(III) 및 0.938g의 반-오수화된 질산구리(II)를 포함하는 5ml의 메탄올로 제조되고, 상기 용액 B는 0.767g의 수화된 질산 갈륨(III), 0.885g의 무수 염화 인듐(III), 0.938g의 반-오수화물과 5-15 mPas(톨루엔/EtOH 80:20 혼합물 중에서 5% 내용물을 25℃에서 측정함)의 표준 점도를 갖는 0.5g의 에틸셀룰로오스를 포함하는 5ml의 1-펜탄올로 제조됨을 특징으로 하는, 황동광 막을 제조하는 방법 .
  27. 제 1 항에 있어서, 상기 용액이 실크 스크린 인쇄(serigraphy), 스텐실, 스프라지(sprayage), 스피닝(spin-coating), 템포그라피(tampography), 플랙소 인쇄(flexography), 및 유용한 표면의 어느 한면에 위치하여 배치된 스페이서 위를 활주하고 액체막의 두께를 적층하는 블레이드를 갖는 기판 상에 용액을 스프레딩하는 것으로 이루어진 '닥터-블레이드' 법으로부터 선택된 임프레션 방법에 의해 적층됨을 특징으로 하는, 황동광 막을 제조하는 방법.
  28. 제 1 항에 있어서, 상기 기판 상에 적층된 용액의 막을 중립 분위기 또는 개방된 공기 중에서 150 내지 300℃의 온도로 점진적으로 가열함으로써 건조시킴을 특징으로 하는, 황동광 막을 제조하는 방법.
  29. 제 1 항에 있어서, 상기 기판을 덮는 상기 고형 막을 1 내지 30분 동안 주기율표의 제 16족으로부터 하나 이상의 원소를 포함하는 분위기와 접촉하도록 배치함으로써 300 내지 650℃의 온도에서 수행되는 열반응에 의해 상기 고형 막이 황동광으로 변하게 됨을 특징으로 하는, 황동광 막을 제조하는 방법.
  30. 제 1 항에 있어서, 상기 기판을 덮는 상기 고형 막을 5 내지 20분 동안 초기 단계에서 셀레늄 또는 황을 포함하거나, 초기 단계에서 셀레늄과 황의 혼합물을 포함하는 분위기와 접촉하도록 배치함으로써 500 내지 600℃의 온도에서 수행되는 열반응에 의해 상기 고형 막이 황동광으로 변하게 됨을 특징으로 하는, 황동광 막을 제조하는 방법.
  31. 제 14 항에 있어서, 황동광이 카드뮴텔루륨(CdTe)로서 얻어짐을 특징으로 하는 황동광 막을 제조하는 방법.
  32. 제 23 항에 있어서, 황동광이 x+y의 합이 0.8 내지 1.5이고, y가 0 내지 0.6인 CuInxGaySe2로서 얻어짐을 특징으로 하는 황동광 막을 제조하는 방법.
  33. 제 24 항에 있어서, 황동광이 x+y의 합이 0.8 내지 1.5이고, y가 0 내지 0.6인 CuInxGaySe2로서 얻어짐을 특징으로 하는 황동광 막을 제조하는 방법.
  34. 제 1 항에 있어서, 기판으로서 유리 또는 중합체 상의 박막에 증착된 몰리브덴을 사용함을 특징으로 하는, 황동광 막을 제조하는 방법.
  35. 제 1 항, 제 3 항 내지 제 14 항, 제 16 항 내지 제 18 항, 또는 제 20 항 내지 제 34 항 중 어느 한 항에 있어서, 황동광의 박막이 광전지에 이용됨을 특징으로 하는, 황동광 막을 제조하는 방법.
KR1020067025216A 2004-05-03 2005-05-03 박막 황동광 화합물 제조 방법 KR101149033B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CH00783/04A CH697007A5 (fr) 2004-05-03 2004-05-03 Procédé pour produire un composé chalcopyrite en couche mince.
CH00783/04 2004-05-03
PCT/IB2005/051437 WO2005106967A1 (fr) 2004-05-03 2005-05-03 Procede pour produire un compose chalcopyrite en couche mince

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20070015604A KR20070015604A (ko) 2007-02-05
KR101149033B1 true KR101149033B1 (ko) 2012-07-09

Family

ID=34981992

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020067025216A KR101149033B1 (ko) 2004-05-03 2005-05-03 박막 황동광 화합물 제조 방법

Country Status (8)

Country Link
US (1) US8097305B2 (ko)
EP (1) EP1784871B1 (ko)
JP (1) JP2008507835A (ko)
KR (1) KR101149033B1 (ko)
CN (1) CN101040390A (ko)
AU (1) AU2005239161B2 (ko)
CH (1) CH697007A5 (ko)
WO (1) WO2005106967A1 (ko)

Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
ATE486156T1 (de) * 2006-05-24 2010-11-15 Atotech Deutschland Gmbh Zusammensetzung zur stromlosen metallabscheidung und verfahren zur abscheidung von kupfer-zink- zinn, das zur herstellung einer dünnfilm- solarzelle geeignet ist
AT503837B1 (de) * 2006-06-22 2009-01-15 Isovolta Verfahren zum herstellen von photoaktiven schichten sowie bauelemente umfassend diese schicht(en)
AU2010206814A1 (en) 2009-01-21 2011-08-11 Purdue Research Foundation Selenization of precursor layer containing CulnS2 nanoparticles
US7922804B2 (en) * 2009-03-25 2011-04-12 Jenn Feng Industrial Co., Ltd. Method for preparing sol-gel solution for CIGS solar cell
AU2010254119A1 (en) * 2009-05-26 2012-01-12 Purdue Research Foundation Thin films for photovoltaic cells
WO2011025715A1 (en) * 2009-08-24 2011-03-03 First Solar, Inc. Doped transparent conductive oxide
KR101121476B1 (ko) 2010-02-08 2012-03-13 영남대학교 산학협력단 연속흐름반응법을 이용한 화합물 태양전지용 ＣｕＩｎＳｅ２ 박막의 제조방법
KR101114685B1 (ko) 2010-02-08 2012-04-17 영남대학교 산학협력단 연속흐름반응법을 이용한 화합물 태양전지용 ＣｕＩｎＳ２ 박막의 제조방법
TWI539493B (zh) * 2010-03-08 2016-06-21 黛納羅伊有限責任公司 用於摻雜具有分子單層之矽基材之方法及組合物
FR2957365B1 (fr) * 2010-03-11 2012-04-27 Electricite De France Procede de preparation d'une couche mince d'absorbeur pour cellules photovoltaiques
WO2012107256A1 (en) 2011-02-10 2012-08-16 Empa Process for producing light absorbing chalcogenide films
WO2012114879A1 (ja) * 2011-02-25 2012-08-30 京セラ株式会社 半導体層の製造方法および光電変換装置の製造方法
JP5409960B2 (ja) * 2011-04-25 2014-02-05 京セラ株式会社 光電変換装置
JP2013021231A (ja) * 2011-07-13 2013-01-31 Kyocera Corp 半導体層の製造方法および光電変換装置の製造方法
ES2402313B1 (es) 2011-09-30 2014-03-04 Universitat Jaume I De Castellón Tintas para la obtención "in situ" de calcógenos y/o calcogenuros que dan lugar a capas de semiconductores, su obtención y modo de empleo
US9082619B2 (en) 2012-07-09 2015-07-14 International Solar Electric Technology, Inc. Methods and apparatuses for forming semiconductor films
US8853438B2 (en) 2012-11-05 2014-10-07 Dynaloy, Llc Formulations of solutions and processes for forming a substrate including an arsenic dopant
US9105798B2 (en) * 2013-05-14 2015-08-11 Sun Harmonics, Ltd Preparation of CIGS absorber layers using coated semiconductor nanoparticle and nanowire networks
CN103288143A (zh) * 2013-05-22 2013-09-11 济南大学 一种禁带宽度可调纳米黄铜矿的合成方法
CN104037248A (zh) * 2014-07-08 2014-09-10 厦门大学 一种铜铟镓硫硒薄膜材料的制备方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5028274A (en) 1989-06-07 1991-07-02 International Solar Electric Technology, Inc. Group I-III-VI2 semiconductor films for solar cell application
US5147851A (en) 1988-11-02 1992-09-15 Hitachi Chemical Company Ltd. Superconducting thick film circuit board, production thereof, thick film superconductor and production thereof
JP2000058893A (ja) 1998-07-02 2000-02-25 Internatl Solar Electric Technol Inc 酸化物に基づき、化合物半導体膜を製造し、更に関連する電子デバイスを製造する方法
JP2004111664A (ja) 2002-09-19 2004-04-08 Shinto Fine Co Ltd 化合物半導体薄膜の形成方法

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2081985A (en) * 1934-11-23 1937-06-01 Sylvania Ind Corp Metallized product and process for preparing the same
US4061588A (en) * 1975-09-30 1977-12-06 Shipley Company Inc. Catalyst composition and method of preparation
US4242374A (en) 1979-04-19 1980-12-30 Exxon Research & Engineering Co. Process for thin film deposition of metal and mixed metal chalcogenides displaying semi-conductor properties
IL58003A (en) 1979-08-08 1982-08-31 Yeda Res & Dev Preparation of semiconductor layers for semiconductor containing devices and for photoelectrodes
US4335266A (en) 1980-12-31 1982-06-15 The Boeing Company Methods for forming thin-film heterojunction solar cells from I-III-VI.sub.2
US5436204A (en) 1993-04-12 1995-07-25 Midwest Research Institute Recrystallization method to selenization of thin-film Cu(In,Ga)Se2 for semiconductor device applications
GB9518910D0 (en) 1995-09-15 1995-11-15 Imperial College Process
US5730852A (en) 1995-09-25 1998-03-24 Davis, Joseph & Negley Preparation of cuxinygazsen (X=0-2, Y=0-2, Z=0-2, N=0-3) precursor films by electrodeposition for fabricating high efficiency solar cells
JP3589380B2 (ja) * 1997-06-05 2004-11-17 松下電器産業株式会社 半導体薄膜の製造方法および薄膜太陽電池の製造方法
JPH10219472A (ja) * 1997-02-04 1998-08-18 Shinto Paint Co Ltd 化合物半導体薄膜の形成方法
JPH10273783A (ja) 1997-03-31 1998-10-13 Yazaki Corp カルコパイライト光吸収膜の製造法
JP2001274176A (ja) * 2000-03-24 2001-10-05 Central Glass Co Ltd 化合物半導体膜の製造方法
US20060057766A1 (en) * 2003-07-08 2006-03-16 Quanxi Jia Method for preparation of semiconductive films

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5147851A (en) 1988-11-02 1992-09-15 Hitachi Chemical Company Ltd. Superconducting thick film circuit board, production thereof, thick film superconductor and production thereof
US5028274A (en) 1989-06-07 1991-07-02 International Solar Electric Technology, Inc. Group I-III-VI2 semiconductor films for solar cell application
JP2000058893A (ja) 1998-07-02 2000-02-25 Internatl Solar Electric Technol Inc 酸化物に基づき、化合物半導体膜を製造し、更に関連する電子デバイスを製造する方法
JP2004111664A (ja) 2002-09-19 2004-04-08 Shinto Fine Co Ltd 化合物半導体薄膜の形成方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP2008507835A (ja) 2008-03-13
AU2005239161A1 (en) 2005-11-10
KR20070015604A (ko) 2007-02-05
US20080044570A1 (en) 2008-02-21
EP1784871A1 (fr) 2007-05-16
CN101040390A (zh) 2007-09-19
AU2005239161B2 (en) 2010-07-29
WO2005106967A1 (fr) 2005-11-10
EP1784871B1 (fr) 2012-07-18
CH697007A5 (fr) 2008-03-14
US8097305B2 (en) 2012-01-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101149033B1 (ko) 박막 황동광 화합물 제조 방법
Miyasaka et al. Perovskite solar cells: can we go organic‐free, lead‐free, and dopant‐free?
US6127202A (en) Oxide-based method of making compound semiconductor films and making related electronic devices
US8617642B2 (en) Preparation of thin film for solar cell using paste
KR102037130B1 (ko) 박막 광전지 소자를 위한 무기염-나노입자 잉크 및 이에 관련된 방법
JP2009076842A (ja) 太陽電池の薄膜組成用インクとその製造方法、これを利用したｃｉｇｓ薄膜型太陽電池、及びその製造方法
Liu et al. Butyldithiocarbamate acid solution processing: its fundamentals and applications in chalcogenide thin film solar cells
CN110176517A (zh) 结构优化的银掺杂铜锌锡硫薄膜太阳电池及其制备方法
KR20100034817A (ko) 태양전지 및 이의 제조방법
Albalawneh et al. solution processing of CIGSe solar cells using simple thiol-amine solvents mixture: a review
KR101653184B1 (ko) 태양전지 광흡수층 제조방법 및 이에 따라 제조되는 태양전지 광흡수층
Wu et al. The effect of different Cu/Sn ratios on the properties of monoclinic Cu 2 SnS 3 thin films and solar cells fabricated by the sol–gel method
KR102512512B1 (ko) 은 원소가 혼입된 찰코파이라이트 화합물계 박막 및 그 제조 방법
CN111403558B (zh) 高效率柔性叠层薄膜太阳能电池及其制备方法
KR102225468B1 (ko) 알칼리 원소를 도입한 칼코파이라이트 화합물계 박막 및 그 제조 방법
KR101583027B1 (ko) Czts계 태양전지 광흡수층 제조방법 및 이에 따라 제조되는 czts계 태양전지 광흡수층
CN109473552B (zh) 一种基于溶液法的太阳能电池及其制备方法
CN113078224A (zh) 透明导电玻璃铜铟硒薄膜太阳能电池器件及其制备方法与应用
KR102042657B1 (ko) 박막 태양전지 및 이의 제조방법
KR101723096B1 (ko) 태양전지용 SnS 박막 형성 방법 및 이를 이용한 태양전지의 제조방법
Chu et al. Use of a precursor solution to fill the gaps between indium tin oxide nanorods, for preparation of three-dimensional CuInGaS 2 thin-film solar cells
CN114122170B (zh) 一种铜锌锡硫吸收层薄膜、制备及包含其的太阳电池
Kapur et al. Oxide-based method of making compound semiconductor films and making related electronic devices
CN116564823A (zh) 一种CuIn(S,Se)2薄膜、太阳能电池及制备方法
TWI559560B (zh) 光吸收層、包含光吸收層的太陽能電池、用以製備光吸收層的前驅物溶液及製造光吸收層的方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150518

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160429

Year of fee payment: 5

LAPS Lapse due to unpaid annual fee