KR20070007069A - 광전 모듈, 및 광전 모듈의 제조 방법 - Google Patents

광전 모듈, 및 광전 모듈의 제조 방법 Download PDF

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오스람 옵토 세미컨덕터스 게엠베하
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Abstract

본 발명은 캐리어 소자, 방사선 커플링면을 구비하고, 상기 캐리어 소자 상에 제공되어 전자기 방사선을 방출 또는 검출하기 위하여 도전 접속된 적어도 하나의 반도체 소자, 그리고 상기 반도체 소자에 할당된 적어도 하나의 광학 장치를 포함하는 광전 모듈에 관한 것이다. 상기 방사선 커플링면과 상기 광학 장치 사이에는, 방사선을 투과시킬 수 있는 변형 가능한 재료로 이루어진 연결층이 배치되며, 이 경우 상기 광학 장치 및 반도체 소자가 서로를 향하여 프레스 되도록 상호 상대적으로 고정됨으로써, 상기 연결층은 상기 광학 장치 및 방사선 커플링면을 서로 멀어지는 방향으로 밀어줄 수 있는 파워가 발생되도록 압착된다. 본 발명은 또한 상기와 같은 광전 모듈을 제조하기 위한 방법에 관한 것이다.

Description

광전 모듈, 및 광전 모듈의 제조 방법 {OPTOELECTRONIC MODULE, AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF}
본 발명은 특허 청구항 1의 전제부에 따른 광전 모듈 그리고 특허 청구항 10의 전제부에 따른 광전 모듈의 제조 방법에 관한 것이다.
본 특허 출원은 독일 특허 출원서 10361650.0호를 우선권으로 주장하며, 상기 우선권 서류의 공개 내용은 인용 방식으로 본 출원서에 기술된다.
전자기 방사선을 방출 또는 검출하기 위하여 사용되는 반도체 소자의 다수의 적용예에서는, 상기 전자기 방사선을 형성하기 위하여 추가의 광학 장치들이 사용된다. 이 경우에는 반도체 소자와 상기 광학 장치 사이에서 이루어지는 반사 작용 때문에, 방사 세기에 중대한 손실이 발생하는 경우가 많다. 상기 손실은 특히 반도체 소자와 광학 장치 사이의 경계면에서 발생하는 반사와 관련이 있다.
상기와 같은 반사를 최대로 광범위하게 회피하기 위해서는, 광학 장치를 반도체 소자와 광학적으로 가급적 우수하게 결합시키는 것이 중요하며, 이와 같은 목적을 위해서는 특히 빔 경로에서 나타나는 급격한 굴절율 변동이 회피되어야만 한다. 이와 같은 목적에 상응하게 조절된 굴절율을 갖는 젤을 사용하는 것이 공지되어 있는데, 상기 젤에 의해서는 반도체 소자와 광학 장치 사이의 빔 경로 상에 있는 중간 공간이 완전하게 채워진다.
상기와 같은 젤을 사용하는 경우의 단점은, 젤을 도포하기 위한 특수한 계량(dosing) 장치를 활용하는 특별한 제조 기술이 반드시 필요하다는 것이며, 이와 같은 필요성은 기술적인 복잡성을 확연하게 증가시키는 원인이 된다. 또한 젤은 비가역적으로 변형되기 쉽기 때문에, 진동과 같은 소자의 기계적인 부하가 야기될 수 있는 다수의 비-정적인(non-static) 적용예에서는 단지 제한적으로만 적합하다.
본 발명의 목적은, 반도체 소자와 광학 장치 사이의 광학적 결합을 개선할 수 있는 서문에 언급된 유형의 광전 모듈을 제공하는 것이다. 또 다른 목적은, 상기와 같은 광전 모듈을 제조하기 위한 간단하고 경제적인 방법을 제시하는 것이다.
상기 목적들은 청구항 1에 따른 광전 모듈 그리고 청구항 10에 따른 방법에 의해서 달성된다. 본 발명의 바람직한 개선예 및 바람직한 실시예들은 종속항들의 대상이다.
본 발명에 따라, 서문에 언급된 유형의 광전 모듈에서는, 방사선 커플링면과 광학 장치 사이에 방사선을 투과시키는 변형 가능한 재료로 이루어진 연결층이 배치된다. 상기 광학 장치 및 반도체 소자가 서로를 향하여 프레스 되도록 상호 상대적으로 고정됨으로써, 상기 연결층은 상기 광학 장치 및 방사선 커플링면을 서로 멀어지는 방향으로 밀어줄 수 있는 파워가 발생되도록 압착된다.
상기 "방사선 커플링면"이란 방사선 분리면 및/또는 방사선 결합면을 의미하는 것으로, 다시 말하자면 방사선이 반도체 소자로부터 분리되거나 또는 반도체 소자에 결합될 때에 매개가 되는 반도체 소자의 면을 일컫는다.
본 발명과의 관계에서 "서로를 향하여 프레스 되도록"이라는 표현이 의미하 는 바는, 광학 장치 및 반도체 소자가 연결층의 파워에 대항하여서, 고정 장치에 의해 영구적으로 서로를 향하여 밀어주는 상태를 유지하는 것을 말하며, 이와 같은 상태에 의해서는 변형 가능한 파워가 상기 연결층에 작용하게 된다.
연결층의 파워는 상기 변형 가능한 파워를 저지한다. 상기 변형 가능한 파워가 제거된 경우, 즉 광학 장치 및 반도체 소자의 상대적인 고정이 제거된 경우에는, 상기 연결층의 파워가 상기 광학 장치 및 반도체 소자를 서로 멀어지는 방향으로 밀어준다.
상기 연결층은, 이 연결층에 의해 발생되는 파워가 상기 연결층과 인접한 면 사이에 공기 갭이 형성되는 것을 가급적 광범위하게 방지할 수 있도록 제조된다. 이와 같은 내용은 특히 모듈의 전체 작동 온도 범위에 대하여 그리고 예를 들어 진동 또는 원심력과 같이 연결층에 가해지는 추가의 변형 가능한 파워에 대하여 적용된다.
상기와 같은 내용에 따라, 연결층은 특히 종래의 젤보다 높은 강도를 가지며 광전 모듈의 전체 작동 온도 범위에 걸쳐서 흐를 수 없는 재료로 이루어진다.
본 발명에 의해서는, 예를 들어 온도 변동시 상이한 팽창 계수를 갖는 반도체 소자 재료와 광학 장치 재료의 조합에 의하여 발생할 수 있는 반도체 재료와 광학 장치 사이의 간격 변동이 효과적으로 보상될 수 있다. 상기 간격을 확대하는 경우에는, 상기 압착된 연결층이 팽창되어 반도체 소자와 방사선 커플링면 사이에 공기 갭이 형성될 위험이 최소로 된다.
광학 장치는, 반도체 소자에 의해서 방출되거나 수신되는 전자기 방사선을 적어도 부분적으로 방향 전환하는 것을 목적으로 한다. 상기 광학 장치는 전자기 방사선의 원뿔을 압축하거나 확장하기 위한 렌즈거나, 또는 예를 들어 프리즘일 수도 있다.
광전 모듈의 한 바람직한 실시예에서는, 연결층이 30 ㎛, 바람직하게는 100 ㎛의 최소 두께를 갖는다. 특히 바람직하게는 상기 연결층이 150 ㎛보다 크거나 같고 350 ㎛보다 작거나 같은 두께를 갖는다. 이와 같은 두께는, 반도체 소자와 광학 장치 사이에 공기 갭이 전혀 존재하지 않으며, 간격 변동 및 팽창 차이가 가급적 우수하게 보상될 수 있을 정도로 충분히 강한 파워가 형성되도록, 상기 반도체 소자 및 광학 장치가 연결층을 향하여 프레스 될 수 있기에 바람직하다.
연결층은 바람직하게 래커 코팅, 특히 바람직하게는 플레이트 래커 코팅을 구비하며, 이 경우 "플레이트 래커 코팅"이란 회로 기판용 보호 래커 코팅으로서 적합한 래커 코팅을 일컫는다. 젤을 사용하는 것과 달리 적합한 플레이트 래커 코팅을 사용하는 경우에는, 래커링 표준 공정이 활용될 수 있음으로써, 제조 복잡성 그리고 제조 비용이 확실하게 줄어들 수 있다.
추가의 한 바람직한 실시예에서는, 외부 영향으로부터의 적어도 부분적인 보호를 목적으로, 연결층에도 함유된 재료로 캐리어 소자의 표면이 코팅된다. 바람직하게는 이를 위하여 적합한 플레이트 래커 코팅이 사용될 수 있다. 다시 말해서, 상기 플레이트 래커 코팅은 캐리어 소자의 표면에 뿐만 아니라 반도체 소자와 광학 장치 사이에도 도포된다. 그럼으로써 비용이 절감될 수 있는데, 그 이유는 하나의 재료층에 의해서 두 가지 기능이 충족되기 때문이다.
본 발명에 따른 모듈의 특히 바람직한 실시예에서는, 연결층의 굴절율이 상기 연결층에 인접하는 반도체 소자의 재료의 굴절율에 맞추어 조절되고 및/또는 상기 연결층에 인접하는 광학 장치의 재료의 굴절율에 맞추어 조절된다.
광학 장치는 바람직하게 굴절 부재 및/또는 반사 부재를 포함한다.
특히 바람직하게는 반도체 소자가 발광 다이오드-소자이다. 본 발명의 한 바람직한 실시예에서는 표면 장착 가능한 반도체 소자가 취급된다.
서문에 언급된 유형의 방법에서는 본 발명에 따라, 광학 장치를 장착하기 전에 경화 가능한 및 경화된 상태에서 방사선을 투과시킬 수 있는 및 변형 가능한 재료가 적어도 상기 반도체 소자의 방사선 커플링면 위에 도포된다. 그 다음에 상기 도포된 재료가 적어도 부분적으로 경화되거나 또는 상기 재료를 경화시킨다. 추가의 한 방법 단계에서는, 상기 광학 장치 및 반도체 소자가 서로를 향하여 프레스 되도록 상호 상대적으로 고정되었기 때문에, 상기 재료는 상기 광학 장치 및 방사선 커플링면을 서로 멀어지는 방향으로 밀어줄 수 있는 파워가 발생되도록 압착된다.
상기 방법과 관련된 "서로를 향하여 프레스 되도록"이라는 표현에 대해서도 광전 모듈과 관련하여 전술된 내용이 적용된다. 동일한 내용이 변형 가능한 재료의 대상에도 적용된다.
상기 재료는 바람직하게 30 ㎛, 바람직하게는 100 ㎛의 최소 두께를 갖는 층의 형태로 도포된다. 상기 재료는 특히 바람직하게 150 ㎛보다 크거나 같고 350 ㎛보다 작거나 같은 두께를 갖는 층의 형태로 도포된다.
상기 재료는 바람직하게 래커 코팅, 특히 바람직하게는 플레이트 래커 코팅을 구비하며, 상기 래커 코팅은 경화된 상태에서 변형될 수 있는데, 예를 들면 최대로 광범위하게 탄성적으로 변형될 수 있다. 이미 전술된 바와 같이 래커 코팅, 특히 플레이트 래커 코팅은 젤보다 훨씬 더 경제적이고 훨씬 더 적은 비용으로 도포될 수 있다.
본 발명에 따른 방법의 한 특히 바람직한 실시예에서는, 외부 영향으로부터의 보호를 목적으로 재료가 캐리어 소자의 표면의 적어도 일부분에 도포된다. 이와 같은 도포는 래커 코팅에 의해서, 특히 플레이트 래커 코팅에 의해서 매우 바람직하게 성취될 수 있다.
재료를 방사선 커플링 면에 그리고 캐리어 소자의 표면에 도포하는 작업은 매우 바람직하게 단 하나의 방법 단계에서 이루어진다.
본 발명의 추가의 특징, 장점 및 합목적성은 도 1 및 2를 참조하여 기술된 아래의 실시예들로부터 도출된다.
도 1은 본 발명에 따른 방법의 실시예의 한 방법 단계에서 광전 모듈의 한 단면을 개략적으로 확대 도시한 단면도이며,
도 2는 본 발명에 따른 광전 모듈의 한 실시예를 개략적으로 확대 도시한 단면도이다.
실시예 및 도면에서 동일한 또는 동일하게 작용하는 구성 부품들은 각각 동일한 도면 부호를 갖는다. 도면에 도시된 부재들은 척도에 맞는 것으로 간주될 수 없고, 오히려 이해를 돕기 위하여 부분적으로 과도한 크기로 도시될 수 있다.
도 1에 단면도로 도시된 광전 모듈은 캐리어 소자(1)를 포함하고, 상기 캐리어 소자 상에 반도체 소자(2)가 제공된다. 상기 캐리어 소자는 전기 접속 전극(41, 42)을 포함하고, 상기 전극에서는 반도체 소자(2)가 각각 땜납(15)에 의해서 하우징 접속 라인(17, 18)과 도전 접속된다.
반도체 소자는 예를 들어 광을 방출하는 소자이다. 상기 반도체 소자는 하우징 베이스 바디(11)를 포함하고, 상기 베이스 바디 내부에는 발광 다이오드 칩(10)이 장착되며, 상기 발광 다이오드 칩의 전기 접속면은 상기 하우징 접속 라인(17, 18)과 도전 접속된다. 예를 들어 상기 발광 다이오드 칩(10)의 후면은 제 1 하우징 접속 라인(17)에 납땜되고, 정면은 본딩 와이어(13)에 의해서 제 2 하우징 접속 라인(18)과 도전 접속된다. 상기 발광 다이오드 칩(10)은 캐스팅 재료로 주조되고, 하우징으로부터 떨어져서 마주보는 상기 캐스팅 재료의 외부면은 방사선 커플링면(16)을 형성하며, 상기 방사선 커플링면을 통하여 반도체 소자(2)의 작동시 발생되는 광이 상기 반도체 소자로부터 해체된다.
대안적으로, 반도체 소자(2)는 예를 들어 전자기 광선을 위한 검파기일 수도 있다. 이 경우, 반도체 소자(2) 상에 입사되는 전자기 광선은 상응하게 방사선 커플링면(16)에서 반도체 소자(2) 내부에 결합된다.
이와 같은 유형의 반도체 소자는 당업자에게 일반적으로 공지되어 있기 때문에 본 명세서에서는 더 이상 기술하지 않는다.
광전 모듈은 전자기 광선을 방출 또는 검출하기 위한 상기와 같은 단 하나의 또는 다수의 반도체 소자(2)를 구비할 수 있다. 그밖에 저항, 커패시터 및/또는 인덕터와 같은 다른 형태의 추가의 소자들도 캐리어 소자(1) 상에 제공되고/제공되거나 상기 캐리어 소자와 도전 접속될 수 있다.
캐리어 소자(1)의 표면 부분에 그리고 반도체 소자(2)의 방사선 커플링면(16)에도, 방사선을 투과시키는 변형 가능한 재료가 층의 형태로 도포된다.
상기 층은 캐리어의 표면에서는 제 1 보호층(7)으로서 이용되고, 전술된 기존의 다른 형태의 소자 상에도 적층될 수 있다. 상기 층은 캐리어의 표면 그리고 경우에 따라서는 다른 형태의 소자를 외부 영향으로부터 보호한다.
상기 층은 캐리어 소자(2)의 표면에서는 연결층(6)으로서 이용되고, 상기 연결층에 의해서는 상기 반도체 소자 및 방사선 커플링면(16) 위에 배치되는(도 2 참조) 상기 광학 장치(3)가 서로 광학적으로 연결될 수 있다.
상기 보호층(7) 및 연결층(6)은 예를 들어 적합한 플레이트 래커 코팅과 같은 동일한 재료로 이루어지며, 두 개의 층 모두 예를 들어 단 하나의 방법 단계에서 적층된다. 그럼으로써, 플레이트 래커 코팅의 표준 공정에 의해서는 바람직하게 두드러진 추가 경비 없이 보호층(7)과 동시에 연결층(6)도 형성될 수 있다.
적합한 플레이트 래커 코팅이 방사선을 투과시킬 수 있고, 경화된 상태에서 변형될 수 있으며, 더욱 바람직하게는 하나의 충분히 두꺼운 층으로 도포됨으로써, 광학 소자(3)는 연결층(6)이 변형되어 광학 소자(3)와 상기 연결층 사이에 공기 갭이 전혀 형성되지 않도록 연결층(6)을 향하여 프레스 될 수 있다.
상기 연결층은 예를 들어 300 ㎛의 두께를 가지며, 예를 들어 실리콘 래커로 이루어진다. 이 목적을 위해서는 라크베르케 페터스 게엠베하 운트 코 카게 사 (社)의 후막 래커 DSL 1706 FLZ가 적합하다. 상기 후막 래커는 폴리오르가노실록산을 기재로 하고, 실온에서 신속한 응축 가교 특성을 갖는다.
반도체 소자(2) 및 광학 장치(3)의 우수한 광학적 결합을 위하여, 상기 연결층(6)의 재료의 굴절율이 최대로 광범위하게 상기 캐스팅 재료(14) 및 상기 광학 장치(3)의 굴절율에 맞추어 조절된다. 다시 말해서, 상기 굴절율들은 거의 동일하거나, 또는 캐스팅 재료(14) 및 광학 장치(3)의 굴절율이 서로 명확하게 상이하다면, 상기 연결층(6)의 재료의 굴절율은 상기 캐스팅 재료(14)의 굴절율과 상기 광학 장치(3)의 굴절율 사이에 놓이게 된다.
연결층(6)이 경화된 후에는, 상기 연결층(6)이 압착되도록 광학 장치(3)가 반도체 소자(2)의 방사선 커플링면(16) 위에 장착된다. 이 목적을 위하여, 캐리어 소자(1)는 예를 들어 상기 캐리어 소자(1)의 주(主) 연장 평면에 대하여 수직으로 돌출하는 2개 또는 다수의, 나선을 갖는 장착용 바다(8)를 구비한다.
광학 장치(3)는 예를 들어 그 내부에 홀이 형성된 측면 연장부를 갖는 광학 볼록 렌즈로서, 상기 광학 장치는 상기 장착용 바아(8)가 상기 홀을 통과하도록 장착된다. 그 다음에 광학 장치가 너트(9)에 의해 고정됨으로써, 상기 광학 장치는 연결층을 향해 프레스 되고, 이와 같은 동작은 도면에서 광학 장치에 화살표로 지시되어 있다. 이와 같은 동작에 의해 연결층이 함께 프레스 되거나 또는 함께 압착된다. 변형된 상태에서는, 연결층(6)이 또한 자신의 주 연장 평면에서 서로 멀어지는 방향으로 프레스 된다(도 2와 도 1 비교).
상기 광학 장치는 도 2에 도시된 렌즈의 대안으로서 굴절 및/또는 반사 부재 를 구비할 수 있다.
또한, 상기 연결층을 상기 반도체 소자를 향하고 있는 상기 광학 장치(3)의 측면 상에 제공하고, 상기 광학 장치를 상기 연결층(6)과 함께 방사선 커플링면(16) 위에 장착하는 것도 가능하다. 그러나, 연결층을 먼저 방사선 커플링면(16) 위에 장착하고, 그 다음에 비로소 광학 장치(3)를 연결층(6) 위에 장착하는 것이 바람직하다.
상기 연결층(6)과 상기 방사선 커플링면(16) 또는 상기 광학 장치(3) 사이에는 추가의 부재들이 배치될 수 있다. 다시 말하면, 연결층이 반드시 상기 방사선 커플링면(16) 또는 상기 광학 장치(3)에 직접 연결될 필요는 없다.
본 발명의 보호 범위는 실시예를 참조한 본 발명의 상세한 설명에 의해서 한정되지 않는다. 오히려 본 발명은 각각의 새로운 특징 그리고 상기 특징들의 각각의 조합을 포함하며, 특히 개별 특징들의 각각의 조합은 비록 이 조합이 특허청구범위에 명시적으로 기술되어 있지 않더라도 특허청구범위에 포함된 것으로 간주된다.

Claims (15)

  1. 전기 접속 전극 및 전기 라인을 구비한 캐리어 소자,
    방사선 커플링면을 구비하고, 상기 캐리어 소자 상에 제공되어 상기 캐리어 소자의 접속 전극에 전기 접속된, 전자기 방사선을 방출 또는 검출하기 위한 적어도 하나의 반도체 소자, 및
    상기 반도체 소자에 할당된 적어도 하나의 광학 장치를 포함하는, 광전 모듈로서,
    상기 방사선 커플링면과 상기 광학 장치 사이의 간극에는 방사선을 투과시키는 변형 가능한 재료로 이루어진 연결층이 배치되며,
    상기 광학 장치 및 반도체 소자가 서로를 향하여 프레스 되도록 상호 상대적으로 고정됨으로써, 상기 광학 장치 및 방사선 커플링면을 서로 멀어지는 방향으로 밀어줄 수 있는 파워가 발생되도록 상기 연결층이 압착된,
    광전 모듈.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 연결층이 적어도 30 ㎛, 바람직하게는 적어도 100 ㎛의 두께를 갖는 것을 특징으로 하는,
    광전 모듈.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 연결층이 150 ㎛보다 크거나 같고, 350 ㎛보다 작거나 같은 두께를 갖는 것을 특징으로 하는,
    광전 모듈.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 연결층이 래커 코팅, 바람직하게는 경화된 상태에서 변형 가능한 플레이트 래커 코팅을 포함하는 것을 특징으로 하는,
    광전 모듈.
  5. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 캐리어 소자의 표면이 적어도 부분적으로 외부 영향으로부터의 보호를 목적으로, 상기 연결층에도 포함된 재료로 코팅되는 것을 특징으로 하는,
    광전 모듈.
  6. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 연결층의 굴절율이 상기 연결층에 인접하는 반도체 소자의 재료의 굴절율에 맞추어 조절되고 및/또는 상기 연결층에 인접하는 광학 장치의 재료의 굴절율에 맞추어 조절되는 것을 특징으로 하는,
    광전 모듈.
  7. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 광학 장치가 굴절 및/또는 반사 부재를 구비하는 것을 특징으로 하는,
    광전 모듈.
  8. 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 반도체 소자가 발광 다이오드-소자인 것을 특징으로 하는,
    광전 모듈.
  9. 제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 반도체 소자가 표면 장착 가능한 소자인 것을 특징으로 하는,
    광전 모듈.
  10. 전기 접속 전극 및 전기 라인을 구비한 캐리어 소자, 방사선 커플링면을 구비하여 전자기 방사선을 방출 또는 검출하기 위한 반도체 소자, 및 광학 장치를 제공하는 단계,
    상기 반도체 소자를 캐리어 소자 상에 제공하고, 상기 반도체 소자를 상기 접속 전극에 전기 접속하는 단계 및
    상기 광학 장치를 상기 반도체 소자의 방사선 커플링면 아래에 장착하는 단계를 갖는, 광전 모듈의 제조 방법으로서,
    상기 광학 장치를 장착하기 전에, 경화 가능한 및 경화된 상태에서 방사선을 투과시킬 수 있고 변형 가능한 재료를 적어도 상기 반도체 소자의 방사선 커플링면 위에 도포하고,
    상기 도포된 재료가 적어도 부분적으로 경화되거나 또는 상기 재료를 경화시키며,
    상기 광학 장치 및 반도체 소자가 서로를 향하여 프레스 되도록, 상기 광학 장치 및 반도체 소자를 상호 상대적으로 고정함으로써, 상기 광학 장치 및 방사선 커플링면을 서로 멀어지는 방향으로 밀어줄 수 있는 파워가 발생되도록 상기 재료를 압착하는,
    광전 모듈의 제조 방법.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 재료를 적어도 30 ㎛, 바람직하게는 적어도 100 ㎛의 두께를 갖는 층의 형태로 도포하는 것을 특징으로 하는,
    광전 모듈의 제조 방법.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 재료를 150 ㎛보다 크거나 같고, 350 ㎛보다 작거나 같은 두께를 갖는 층의 형태로 도포하는 것을 특징으로 하는,
    광전 모듈의 제조 방법.
  13. 제 10 항 내지 제 12 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 재료가 경화된 상태에서 변형 가능한 래커 코팅, 바람직하게는 플레이트 래커 코팅을 포함하는 것을 특징으로 하는,
    광전 모듈의 제조 방법.
  14. 제 10 항 내지 제 13 항 중 어느 한 항에 있어서,
    적어도 상기 캐리어 소자의 표면의 일부분에 대한 외부 영향으로부터의 보호를 목적으로 상기 재료를 도포하는 것을 특징으로 하는,
    광전 모듈의 제조 방법.
  15. 제 14 항에 있어서,
    상기 재료를 상기 방사선 커플링면 및 상기 캐리어 소자의 표면에 도포하는 작업을 단 하나의 방법 단계에서 실시하는 것을 특징으로 하는,
    광전 모듈의 제조 방법.
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Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102006010729A1 (de) * 2005-12-09 2007-06-14 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optisches Element, Herstellungsverfahren hierfür und Verbund-Bauteil mit einem optischen Element
US8265487B2 (en) * 2009-07-29 2012-09-11 Avago Technologies Fiber Ip (Singapore) Pte. Ltd. Half-duplex, single-fiber (S-F) optical transceiver module and method
EP2480916A4 (en) * 2009-09-25 2013-07-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh SEMICONDUCTOR LUMINAIRE
US8455888B2 (en) 2010-05-20 2013-06-04 Industrial Technology Research Institute Light emitting diode module, and light emitting diode lamp
DE102010024545B4 (de) * 2010-06-22 2022-01-13 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements
JP5536021B2 (ja) * 2011-12-12 2014-07-02 株式会社朝日ラバー レンズ体
DE102012220909A1 (de) * 2012-09-27 2014-05-15 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum Vereinzeln von Bereichen einer Halbleiterschicht
JP2013175751A (ja) * 2013-04-05 2013-09-05 Shin Etsu Chem Co Ltd 発光半導体装置、実装基板及びそれらの製造方法
TWI624957B (zh) * 2015-08-19 2018-05-21 乾坤科技股份有限公司 光電模組及其製造方法
DE102017207491A1 (de) 2017-05-04 2018-11-08 Bayerische Motoren Werke Aktiengesellschaft Elektronikmodul

Family Cites Families (38)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59596Y2 (ja) * 1975-03-14 1984-01-09 株式会社ニコン ロシウツケイノジユコウキ
JPS5353983U (ko) * 1976-10-12 1978-05-09
GB2127220B (en) 1982-08-31 1986-04-23 Tokyo Shibaura Electric Co Light-triggered semiconductor device and light guide thereto
NL8303251A (nl) * 1983-09-22 1985-04-16 Philips Nv Werkwijze voor het optisch verbinden van een lichtgeleider aan een elektrooptische inrichting.
JPS61214566A (ja) * 1985-03-20 1986-09-24 Toshiba Corp 半導体光センサ装置
IT1186165B (it) * 1985-12-20 1987-11-18 Sgs Microelettronica Spa Dispositivo a semiconduttore di tipo eprom cancellabile con raggi ultravioletti e suo processo di fabbricazione
ES2150409T3 (es) 1989-05-31 2000-12-01 Osram Opto Semiconductors Gmbh Procedimiento para montar un opto-componente que se puede montar sobre una superficie.
JP2605174B2 (ja) * 1989-11-30 1997-04-30 富士写真フイルム株式会社 固体撮像装置の取付構造
AT398876B (de) * 1991-10-31 1995-02-27 Philips Nv Zwei- oder mehrlagige leiterplatte
KR0137398B1 (ko) * 1992-10-23 1998-04-29 모리시타 요이찌 완전밀착형 이미지센서 및 유닛 그리고 그 제조방법
JPH06218627A (ja) 1993-01-26 1994-08-09 Hitachi Seiko Ltd ワイヤ放電加工機
JPH07122585A (ja) * 1993-10-28 1995-05-12 Sanyo Electric Co Ltd 樹脂塗布装置
DE19508222C1 (de) * 1995-03-08 1996-06-05 Siemens Ag Optoelektronischer Wandler und Herstellverfahren
EP2267801B1 (de) * 1996-06-26 2015-05-27 OSRAM Opto Semiconductors GmbH Licht abstrahlendes Halbleiterbauelement mit Lumineszenzkonversionselement
US6274890B1 (en) * 1997-01-15 2001-08-14 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor light emitting device and its manufacturing method
JPH10222080A (ja) * 1997-01-31 1998-08-21 Nippon Columbia Co Ltd 表示装置
US6583444B2 (en) 1997-02-18 2003-06-24 Tessera, Inc. Semiconductor packages having light-sensitive chips
US5821532A (en) * 1997-06-16 1998-10-13 Eastman Kodak Company Imager package substrate
JPH1197656A (ja) * 1997-09-22 1999-04-09 Fuji Electric Co Ltd 半導体光センサデバイス
US5920120A (en) * 1997-12-19 1999-07-06 Intel Corporation Assembly for dissipatating heat from a semiconductor chip wherein a stress on the semiconductor chip due to a thermally conductive member is partially relieved
JPH11337798A (ja) * 1998-05-27 1999-12-10 Fuji Photo Film Co Ltd レンズ付きフイルムユニット
US6130448A (en) * 1998-08-21 2000-10-10 Gentex Corporation Optical sensor package and method of making same
US5959316A (en) * 1998-09-01 1999-09-28 Hewlett-Packard Company Multiple encapsulation of phosphor-LED devices
DE19958229B4 (de) * 1998-12-09 2007-05-31 Fuji Electric Co., Ltd., Kawasaki Optisches Halbleiter-Sensorbauelement
DE19918370B4 (de) * 1999-04-22 2006-06-08 Osram Opto Semiconductors Gmbh LED-Weißlichtquelle mit Linse
US6455774B1 (en) * 1999-12-08 2002-09-24 Amkor Technology, Inc. Molded image sensor package
JP4944301B2 (ja) * 2000-02-01 2012-05-30 パナソニック株式会社 光電子装置およびその製造方法
DE10023353A1 (de) * 2000-05-12 2001-11-29 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung
US7059040B1 (en) * 2001-01-16 2006-06-13 Amkor Technology, Inc. Optical module with lens integral holder fabrication method
TW479378B (en) 2001-03-30 2002-03-11 Galaxy Optoelectronics Co Ltd Package of light emitting diode chip and its condensing lens
JP2002314143A (ja) * 2001-04-09 2002-10-25 Toshiba Corp 発光装置
TW495936B (en) 2001-06-20 2002-07-21 Solidlite Corp LED package
DE10129785B4 (de) * 2001-06-20 2010-03-18 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu seiner Herstellung
KR100439402B1 (ko) 2001-12-24 2004-07-09 삼성전기주식회사 발광다이오드 패키지
JP2003234008A (ja) 2002-02-06 2003-08-22 Nichia Chem Ind Ltd 面発光装置
US6924514B2 (en) * 2002-02-19 2005-08-02 Nichia Corporation Light-emitting device and process for producing thereof
JP3980933B2 (ja) * 2002-05-23 2007-09-26 ローム株式会社 イメージセンサモジュールの製造方法
US7091571B1 (en) * 2003-12-11 2006-08-15 Amkor Technology, Inc. Image sensor package and method for manufacture thereof

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Publication number Publication date
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