KR20060062619A - 박막 트랜지스터, 이의 제조 방법 및 상기 박막트랜지스터를 구비한 평판 표시 장치 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (13)
- 게이트 전극;상기 게이트 전극과 절연된 소스 및 드레인 전극;상기 게이트 전극과 절연되고, 상기 소스 및 드레인 전극에 각각 접하는 유기 반도체층;상기 소스 및 드레인 전극 및 상기 유기 반도체층과 상기 게이트 전극을 절연시키는 절연층;상기 게이트 전극에 연결된 제1배선; 및상기 소스 및 드레인 전극 중 어느 하나에 연결된 제2배선을 구비하고,상기 게이트 전극, 상기 제1배선, 상기 소스 및 드레인 전극 및 상기 제2배선 중 적어도 하나가 도전성 나노 입자 및 경화성(curable) 수지의 경화물을 포함한 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터.
- 제1항에 있어서, 상기 도전성 나노 입자는 Au, Ag, Cu, Ni, Pt, Pd 및 Al 나노 입자로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상인 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터.
- 제1항에 있어서, 상기 도전성 나노 입자는 2.0m2/g 내지 10.0m2/g의 비표면적을 갖는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터.
- 제1항에 있어서, 상기 도전성 나노 입자는 10nm 내지 100nm의 평균 입경을 갖는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터.
- 제1항에 있어서, 상기 경화성 수지의 경화물은 프탈레이트계 수지, 에폭시계 수지, 우레아계 수지, 멜라민계 수지, 아세틸렌계 수지, 피롤(pyrrole)계 수지, 티오펜계 수지 및 올레핀계 수지로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상인 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터.
- 제1항에 있어서, 상기 경화성 수지의 경화물은 폴리에틸렌프탈레이트, 폴리부틸렌프탈레이트, 폴리디히드록시메틸사이클로헥실 테레프탈레이트, 우레아-포름알데히드 수지, 멜라민(2,4,6-트리아미노-1,3,5-트리아진)-포름알데히드 수지, 멜라민-우레아 수지, 멜라민-페놀 수지, 폴리아세틸렌, 폴리피롤, 폴리(3-알킬티오펜), 폴리페닐렌 비닐리덴 및 폴리티에틸 비닐리덴으로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상인 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터.
- 제1항에 있어서, 상기 게이트 전극, 상기 제1배선, 상기 소스 및 드레인 전 극 및 상기 제2배선 중 적어도 하나의 표면 조도가 5Å 내지 500Å인 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터.
- 제1항에 있어서, 상기 유기 반도체층은 펜타센(pentacene), 테트라센(tetracene), 안트라센(anthracene), 나프탈렌(naphthalene), 알파-6-티오펜, 알파-4-티오펜, 페릴렌(perylene) 및 그 유도체, 루브렌(rubrene) 및 그 유도체, 코로넨(coronene) 및 그 유도체, 페릴렌테트라카르복실릭디이미드(perylene tetracarboxylic diimide) 및 그 유도체, 페릴렌테트라카르복실릭디안하이드라이드(perylene tetracarboxylic dianhydride) 및 그 유도체, 폴리티오펜 및 그 유도체, 폴리파라페닐렌비닐렌 및 그 유도체, 폴리파라페닐렌 및 그 유도체, 폴리플로렌 및 그 유도체, 폴리티오펜비닐렌 및 그 유도체, 폴리티오펜-헤테로고리방향족 공중합체 및 그 유도체, 나프탈렌의 올리고아센 및 이들의 유도체, 알파-5-티오펜의 올리고티오펜 및 이들의 유도체, 금속을 함유하거나 함유하지 않은 프탈로시아닌 및 이들의 유도체, 파이로멜리틱 디안하이드라이드 및 그 유도체, 파이로멜리틱 디이미드 및 이들의 유도체로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 물질인 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터.
- 도전성 나노 입자 및 경화성 수지를 포함하는 경화성 페이스트 조성물을 제공하는 단계;상기 경화성 페이스트 조성물을 기판에 도포하는 단계;상기 경화성 페이스트 조성물을 게이트 전극, 상기 게이트 전극에 연결된 제1배선, 소스 및 드레인 전극 및 상기 소스 및 드레인 전극 중 어느 하나에 연결된 제2배선 중 적어도 하나의 패턴을 따라 경화시키는 단계; 및미경화된 경화성 페이스트 조성물을 제거하여, 게이트 전극, 상기 제1배선, 소스 및 드레인 전극 및 상기 제2배선 중 적어도 하나를 형성하는 단계;를 포함하는 박막 트랜지스터의 제조 방법.
- 제9항에 있어서, 상기 경화성 페이스트 조성물이 TEOS, 터피네올(terpineol), 부틸 카르비톨(butyl carbitol:BC), 부틸 카르비톨 아세테이트(butyl carbitol acetate:BCA), 톨루엔(toluene) 및 텍사놀(texanol)로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 비이클을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조 방법.
- 제9항에 있어서, 상기 경화성 페이스트 조성물의 점도가 10cps 내지 100cps인 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조 방법.
- 제9항에 있어서, 상기 경화 단계를 UV 레이저 또는 IR 레이저를 이용하여 수행하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조 방법.
- 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항의 박막 트랜지스터를 각 화소에 구비하고, 상기 박막 트랜지스터의 소스 전극 또는 드레인 전극에 화소 전극이 접속된 것을 특징으로 하는 평판 표시 장치.
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Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100730192B1 (ko) * | 2005-12-24 | 2007-06-19 | 삼성에스디아이 주식회사 | 박막 트랜지스터 및 도전막 제조 방법 |
KR100878872B1 (ko) * | 2007-09-03 | 2009-01-15 | 성균관대학교산학협력단 | 나노결정 전도성 탄소층을 게이트 전극으로 포함하여 이루어진 유기 박막 트랜지스터, 이의 제조방법 및 이를 포함하여 이루어진 유기 반도체 소자 |
KR100934260B1 (ko) * | 2007-09-14 | 2009-12-28 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 박막트랜지스터와 그의 제조방법, 유기전계발광표시장치와그의 제조방법 및 레이저 열 전사법용 도너기판 |
KR100964283B1 (ko) * | 2005-03-18 | 2010-06-16 | 코비오 인코포레이티드 | 레이저로 패터닝한 금속 게이트를 가지는 모스(mos)트랜지스터와 그 제조방법 |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007073856A (ja) * | 2005-09-09 | 2007-03-22 | Sony Corp | 導電性パターンの形成方法、半導体装置の製造方法、および有機電界発光素子の製造方法 |
JP2009194351A (ja) * | 2007-04-27 | 2009-08-27 | Canon Inc | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
KR100917709B1 (ko) * | 2007-10-23 | 2009-09-21 | 에스케이씨 주식회사 | 전도성 고분자 용액 조성물을 이용한 고분자 막 |
JP5008146B2 (ja) * | 2008-02-29 | 2012-08-22 | 三菱マテリアル株式会社 | 密着性に優れた銅合金複合膜 |
KR20130049075A (ko) * | 2011-11-03 | 2013-05-13 | 삼성디스플레이 주식회사 | 신규한 헤테로고리 화합물 및 이를 포함한 유기발광 소자 |
KR101973166B1 (ko) * | 2012-03-27 | 2019-04-29 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 소자 및 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치 |
KR20150106016A (ko) * | 2014-03-10 | 2015-09-21 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시장치 |
EP3214655A4 (en) * | 2014-10-29 | 2018-07-11 | Toppan Printing Co., Ltd. | Thin-film transistor and method for producing same |
KR102343573B1 (ko) * | 2017-05-26 | 2021-12-28 | 삼성디스플레이 주식회사 | 플렉서블 디스플레이 장치 |
CN107316885B (zh) * | 2017-06-30 | 2020-09-25 | 联想(北京)有限公司 | 一种有机发光二极管oled显示屏及一种电子设备 |
CN111863605A (zh) * | 2020-07-31 | 2020-10-30 | 合肥维信诺科技有限公司 | 薄膜晶体管及其制备方法和显示器 |
Family Cites Families (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6046422B2 (ja) * | 1978-12-07 | 1985-10-16 | 東京応化工業株式会社 | 新規なフオトレジスト組成物 |
JPH03262187A (ja) * | 1990-03-13 | 1991-11-21 | Fujitsu Ltd | パターン形成方法 |
US5561030A (en) * | 1991-05-30 | 1996-10-01 | Simon Fraser University | Fabrication of electronically conducting polymeric patterns |
US5492863A (en) * | 1994-10-19 | 1996-02-20 | Motorola, Inc. | Method for forming conductive bumps on a semiconductor device |
JPH0951098A (ja) * | 1995-08-04 | 1997-02-18 | Sharp Corp | 薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
AU1438197A (en) * | 1996-01-25 | 1997-08-20 | Danionics A/S | Electrode/current collector, laminates for an electrochemical device |
US6165247A (en) * | 1997-02-24 | 2000-12-26 | Superior Micropowders, Llc | Methods for producing platinum powders |
WO1999011105A1 (de) * | 1997-08-22 | 1999-03-04 | Siemens Aktiengesellschaft | Verfahren zur herstellung elektrisch leitfähiger strukturen |
US6280527B1 (en) * | 1998-06-12 | 2001-08-28 | International Business Machines Corporation | Aqueous quaternary ammonium hydroxide as a screening mask cleaner |
JP2000269504A (ja) * | 1999-03-16 | 2000-09-29 | Hitachi Ltd | 半導体装置、その製造方法及び液晶表示装置 |
US6348295B1 (en) * | 1999-03-26 | 2002-02-19 | Massachusetts Institute Of Technology | Methods for manufacturing electronic and electromechanical elements and devices by thin-film deposition and imaging |
JP4250345B2 (ja) * | 2000-02-08 | 2009-04-08 | キヤノン株式会社 | 導電性膜形成用組成物、導電性膜の形成方法および画像形成装置の製造方法 |
EP1223615A1 (en) * | 2001-01-10 | 2002-07-17 | Eidgenössische Technische Hochschule Zürich | A method for producing a structure using nanoparticles |
US6433359B1 (en) | 2001-09-06 | 2002-08-13 | 3M Innovative Properties Company | Surface modifying layers for organic thin film transistors |
US7078702B2 (en) * | 2002-07-25 | 2006-07-18 | General Electric Company | Imager |
US7317047B2 (en) * | 2002-09-24 | 2008-01-08 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Electrically conducting organic polymer/nanoparticle composites and methods for use thereof |
US6872588B2 (en) * | 2002-11-22 | 2005-03-29 | Palo Alto Research Center Inc. | Method of fabrication of electronic devices using microfluidic channels |
EP1434282A3 (en) * | 2002-12-26 | 2007-06-27 | Konica Minolta Holdings, Inc. | Protective layer for an organic thin-film transistor |
CN100392828C (zh) * | 2003-02-06 | 2008-06-04 | 株式会社半导体能源研究所 | 显示装置的制造方法 |
US7037767B2 (en) * | 2003-03-24 | 2006-05-02 | Konica Minolta Holdings, Inc. | Thin-film transistor, thin-film transistor sheet and their manufacturing method |
WO2005089090A2 (en) * | 2003-10-14 | 2005-09-29 | North Dakota State University | Direct write and freeform fabrication apparatus and method |
US7569331B2 (en) * | 2005-06-01 | 2009-08-04 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Conductive patterning |
-
2004
- 2004-12-04 KR KR1020040101523A patent/KR100669802B1/ko active IP Right Grant
-
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Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100964283B1 (ko) * | 2005-03-18 | 2010-06-16 | 코비오 인코포레이티드 | 레이저로 패터닝한 금속 게이트를 가지는 모스(mos)트랜지스터와 그 제조방법 |
KR100730192B1 (ko) * | 2005-12-24 | 2007-06-19 | 삼성에스디아이 주식회사 | 박막 트랜지스터 및 도전막 제조 방법 |
KR100878872B1 (ko) * | 2007-09-03 | 2009-01-15 | 성균관대학교산학협력단 | 나노결정 전도성 탄소층을 게이트 전극으로 포함하여 이루어진 유기 박막 트랜지스터, 이의 제조방법 및 이를 포함하여 이루어진 유기 반도체 소자 |
KR100934260B1 (ko) * | 2007-09-14 | 2009-12-28 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 박막트랜지스터와 그의 제조방법, 유기전계발광표시장치와그의 제조방법 및 레이저 열 전사법용 도너기판 |
US8124963B2 (en) | 2007-09-14 | 2012-02-28 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Thin film transistor, method of fabricating the thin film transistor, organic light emitting diode display device, method of fabricating the organic light emitting diode display device, and donor substrate for laser induced thermal imaging |
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