JP4637787B2 - 有機薄膜トランジスタ、それを備えた平板ディスプレイ装置、該有機薄膜トランジスタの製造方法 - Google Patents
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Description
特許文献3及び4は、インクジェットプリンティングによって集積回路の少なくとも一部分を形成する方法を開示している。
特許文献8は、トランジスタの製造方法を開示している。停止したシャドーマスクがソース/ドレイン電極を限定するために使われている。
特許文献10は、マトリックスに配列され、壁に取り囲まれた複数個の発光部を有する有機電界発光ディスプレイパネルの製造方法を開示している。その方法で、媒体を蒸着するためにシャドーマスクが使われている。媒体をシャドーマスクの開口部を通じて蒸着するために常に反復的に配置し、かつアラインする段階が必要である。
本発明が解決しようとする他の課題は、OTFT、特に、低コストを必要とする回路またはマトリックスで基板上に配列された複数個のOTFTの製造方法を提供することである。
望ましくは、隣接した対の電極間の最小距離は、一対のドレイン電極とソース電極との間の最小距離より少なくとも200%大きい。
望ましい第1実施形態で、パターンの適用は、シャドーマスクを通じた熱蒸着によって半導体要素を配置させることによってなされる。望ましくは、六角形のパターンを備えるシャドーマスクが使われ、シャドーマスクは、シャドーマスクの六角形がドレイン電極及びソース電極の長手方向軸に対して15°傾くように配列される。さらに、本発明は、複数個の薄膜トランジスタ用の半導体要素の適用のためのシャドーマスクを提供するが、シャドーマスクは、六角形のパターンを備える。望ましくは、シャドーマスクは、長方形であるが、シャドーマスクのパターンの六角形がシャドーマスクのエッジのうち一つに対して15°傾いている。
図6Aは、半導体要素1(チャンネル11)の適用前にソース電極2、ドレイン電極2a及びゲート電極4を有する二つの薄膜トランジスタを備えた基板5の一部分を示す平面図である。図6CのA部分の拡大図である図6Dを共に参照すれば、一対のドレイン電極2aとソース電極2との間の最小距離16は、隣接した対の電極2,2a間の最小距離19または基板5の他の配線(図示せず)と電極2,2aとの間の最小距離より小さい。図6Aの予備製品の製造は、現在の技術水準で知られている。図6Bは、半導体要素1(チャンネル11)の適用に使われるシャドーマスク13を示している。シャドーマスク13は、六角形パターンとエッジ9,10とを備えるが、六角形21は、エッジ10の長手方向軸に対して15°傾いている(図12によって、さらに詳細に示されている)。ここで、六角形21というのは、図6Bに示したように、シャドーマスク13の隣接した六つの開口部の中央を連結すれば、六角形となるという意味である。このようなシャドーマスク13を利用して半導体要素1を形成すれば、半導体要素1も六角形パターンで配列されるが、この六角形は、結果的にドレイン電極及びソース電極の長手方向軸に対して15°傾いている。このような配列は、基板の全ての水平ライン及び垂直ラインに対して半導体要素1の優秀な均一な分布の結果をもたらす。
図7は、図6DのVII−VII線の断面図であって、ボトムゲート構造を表したものであるが、本発明は、必ずしもこれに限定されるものではなく、図8に示したように、ゲート絶縁膜3とゲート電極4とがドレイン電極2a及びソース電極2の上部に位置したトップゲート構造にも同一に適用されうる。
図14は、そのうち、一例である有機発光ディスプレイ装置に前記薄膜トランジスタを適用したところを表したものである。図14は、有機発光ディスプレイ装置の一つの副画素を示したものであって、このような各副画素には、自発光素子として有機発光素子(Organic Light Emitting Diode:OLED)を備えており、薄膜トランジスタが少なくても一つ以上備えられている。そして、別途のキャパシタ(図示せず)がさらに備えられている。
このような赤(R)、緑(G)、青(B)色の各副画素は、図14に示したような薄膜トランジスタ構造と自発光素子であるOLEDとを有する。このOTFTは、前述した薄膜トランジスタとなりうる。しかし、必ずしもこれに限定されるものではなく、多様な構造の薄膜トランジスタを備えうる。
前記パシベーション膜21の上部には、OLEDの一電極である画素電極31が形成され、その上部に画素定義膜22が形成され、この画素定義膜22に所定の開口部23を形成した後、OLEDの有機発光膜32を形成する。
前記有機発光膜32は、低分子または高分子有機膜が使われうるが、低分子有機膜を使用する場合、ホール注入層(HIL:Hole Injection Layer)、ホール輸送層(HTL:Hole Transport Layer)、発光層(EML:EMission Layer)、電子輸送層(ETL:Electron Transport Layer)、電子注入層(EIL:Electron Injection Layer)が単一あるいは複合の構造で積層されて形成され、使用可能な有機材料も銅フタロシアニン(CuPc)、N,N−ジ(ナフタレン−1−イル)−N,N'−ジフェニル−ベンジジン(NPB)、トリス−8−ヒドロキシキノリンアルミニウム(Alq3)をはじめとして、多様に適用可能である。これら低分子有機膜は、真空蒸着の方法で形成される。
前記画素電極31は、アノード電極の機能を行い、前記対向電極33は、カソード電極の機能を行うが、もちろん、これら画素電極31及び対向電極33の極性は、逆になってもよい。
液晶ディスプレイ装置の場合、これとは違って、画素電極を覆う下部配向膜(図示せず)を形成することによって、液晶ディスプレイ装置の下部基板の製造を完成する。
そして、有機発光ディスプレイ装置は、基板5としてフレキシブルな基板の使用が適するが、それには、プラスチック基板や、金属ホイールが使われ、ガラス基板も適用可能である。
2 ソース電極
2a ドレイン電極
3 絶縁体
4 ゲート電極
5 基板
Claims (23)
- 薄膜トランジスタ用ドレイン電極及びソース電極の複数個の対を備える基板であって、
一対のドレイン電極とソース電極との間の最小距離は、隣接した対の電極間の最小距離または基板の他の配線と電極との間の最小距離より小さく、
基板は、該基板の全面に均一な分布で六角形に配列された円形の半導体要素を備えるが、半導体要素の最大サイズは、隣接した対の電極間の最小距離または基板の他の配線と電極との間の最小距離より小さいが、一対のドレイン電極とソース電極との間の最小距離とは少なくとも同じであり、各薄膜トランジスタのドレイン電極とソース電極とを連結する円形の半導体要素が常に存在する基板。 - ドレイン電極及びソース電極は、一対のドレイン電極及びソース電極の長手方向軸が相互平行に配置された長方形であることを特徴とする請求項1に記載の基板。
- 半導体要素の最大サイズは、一対のドレイン電極とソース電極との間の最小距離より少なくとも50%大きいことを特徴とする請求項1に記載の基板。
- 半導体要素の最大サイズは、一対のドレイン電極とソース電極との間の最小距離より少なくとも100%大きいことを特徴とする請求項1に記載の基板。
- 隣接した対の電極間の最小距離は、一対のドレイン電極とソース電極との間の最小距離より少なくとも200%大きいことを特徴とする請求項1に記載の基板。
- 六角形は、ドレイン電極及びソース電極の長手方向軸に対して15°傾いていることを特徴とする請求項1に記載の基板。
- 半導体要素は、ペンタセン、テトラセン、アントラセン、ナフタレン、α−6−チオフェン、α−4−チオフェン、ペリレン及びその誘導体、ルブレン及びその誘導体、コロネン及びその誘導体、ペリレンテトラカルボン酸ジイミド及びその誘導体、ペリレンテトラカルボン酸二無水物及びその誘導体、ナフタレンのオリゴアセン及びこれらの誘導体、α−5−チオフェンのオリゴチオフェン及びこれらの誘導体、金属を含有するか、または含有していないフタロシアニン及びこれらの誘導体、ナフタレンテトラカルボン酸ジイミド及びその誘導体、ナフタレンテトラカルボン酸二無水物及びその誘導体、ピロメリット酸二無水物及びその誘導体、ピロメリット酸ジイミド及びこれらの誘導体、チオフェンを含む共役系高分子及びその誘導体、及びフルオレンを含む高分子及びその誘導体のうち、少なくとも何れか一つを含むことを特徴とする請求項1に記載の基板。
- 複数個の薄膜トランジスタを備えた基板であって、各トランジスタは、ドレイン電極と、ソース電極と、ゲート電極と、ドレイン電極とソース電極との間の半導体要素のチャンネルと、を備え、一トランジスタのドレイン電極とソース電極との間の最小距離は、隣接したトランジスタの電極間の最小距離または基板の他の配線と電極との間の最小距離より小さく、
薄膜トランジスタの半導体要素のチャンネルは、基板の全面に均一な分布で六角形に配列された円形の半導体要素で形成されるが、半導体要素の最大サイズは、隣接した対の電極間の最小距離または基板の他の配線と電極との間の最小距離より小さいが、一対のドレイン電極とソース電極との間の最小距離とは少なくとも同じであり、各薄膜トランジスタのドレイン電極とソース電極とを連結する円形の半導体要素が常に存在する基板。 - ドレイン電極及びソース電極は、一対のドレイン電極及びソース電極の長手方向軸が相互平行に配置された長方形であることを特徴とする請求項8に記載の基板。
- 半導体要素の最大サイズは、一対のドレイン電極とソース電極との間の最小距離より少なくとも50%大きいことを特徴とする請求項8に記載の基板。
- 半導体要素の最大サイズは、一対のドレイン電極とソース電極との間の最小距離より少なくとも100%大きいことを特徴とする請求項8に記載の基板。
- 隣接した対の電極間の最小距離は、一対のドレイン電極とソース電極との間の最小距離より少なくとも200%大きいことを特徴とする請求項8に記載の基板。
- 六角形は、ドレイン電極及びソース電極の長手方向軸に対して15°傾いていることを特徴とする請求項8に記載の基板。
- 半導体要素は、ペンタセン、テトラセン、アントラセン、ナフタレン、α−6−チオフェン、α−4−チオフェン、ペリレン及びその誘導体、ルブレン及びその誘導体、コロネン及びその誘導体、ペリレンテトラカルボン酸ジイミド及びその誘導体、ペリレンテトラカルボン酸二無水物及びその誘導体、ナフタレンのオリゴアセン及びこれらの誘導体、α−5−チオフェンのオリゴチオフェン及びこれらの誘導体、金属を含有するか、または含有していないフタロシアニン及びこれらの誘導体、ナフタレンテトラカルボン酸ジイミド及びその誘導体、ナフタレンテトラカルボン酸二無水物及びその誘導体、ピロメリット酸二無水物及びその誘導体、ピロメリット酸ジイミド及びこれらの誘導体、チオフェンを含む共役系高分子及びその誘導体、及びフルオレンを含む高分子及びその誘導体のうち、少なくとも何れか一つを含むことを特徴とする請求項8に記載の基板。
- それぞれドレイン電極と、ソース電極と、ゲート電極と、ドレイン電極とソース電極との間の半導体要素のチャンネルと、を備える複数個の薄膜トランジスタを備えた基板の製造方法であって、
一対のドレイン電極とソース電極との間の最小距離が、隣接した対の電極間の最小距離または基板の他の配線と電極との間の最小距離より小さく基板上にドレイン電極及びソース電極の複数個の対を形成するステップを備え、
半導体要素の最大サイズが、隣接した対の電極間の最小距離または基板の他の配線と電極との間の最小距離より小さいが、一対のドレイン電極とソース電極との間の最小距離とは少なくとも同一であり、各薄膜トランジスタのドレイン電極とソース電極とを連結する円形の半導体要素が常に存在するように、基板の全面に均一な分布で六角形に配列された円形の半導体要素を適用することによって複数個の薄膜トランジスタの半導体要素のチャンネルを形成する製造方法。 - パターンの適用は、シャドーマスクを通じた半導体要素の蒸着を通じて行われることを特徴とする請求項15に記載の製造方法。
- 六角形のパターンを有するシャドーマスクを利用して、シャドーマスクの六角形がドレイン電極及びソース電極の長手方向軸に対して15°傾くようにシャドーマスクが配列されることを特徴とする請求項16に記載の製造方法。
- パターンの適用は、アラインメント手順またはローカルレジストレーションなしに液滴のパターンをプリンティングして半導体要素を配置させることを通じて行われることを特徴とする請求項15に記載の製造方法。
- 液滴のパターンをプリントするためにインクジェットプリンティングを利用して、六角形のパターンは、六角形がドレイン電極及びソース電極の長手方向軸に対して15°傾くように適用されることを特徴とする請求項18に記載の製造方法。
- 請求項1に記載の基板と、
前記基板上のドレイン電極及びソース電極の対のうち、少なくとも一部の対のドレイン電極またはソース電極に電気的に接続されたディスプレイ要素と、を備えることを特徴とする平板ディスプレイ装置。 - 前記ディスプレイ要素は、相互対向した画素電極及び対向電極と、画素電極と対向電極との間に介在されて発光する有機発光膜と、を備えることを特徴とする請求項20に記載の平板ディスプレイ装置。
- 請求項8に記載の基板と、
前記基板上のドレイン電極及びソース電極の対のうち少なくとも一部の対のドレイン電極またはソース電極に電気的に接続されたディスプレイ要素と、を備えることを特徴とする平板ディスプレイ装置。 - 前記ディスプレイ要素は、相互対向した画素電極及び対向電極と、画素電極と対向電極との間に介在されて発光する有機発光膜と、を備えることを特徴とする請求項22に記載の平板ディスプレイ装置。
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