WO1999011105A1 - Verfahren zur herstellung elektrisch leitfähiger strukturen - Google Patents
Verfahren zur herstellung elektrisch leitfähiger strukturen Download PDFInfo
- Publication number
- WO1999011105A1 WO1999011105A1 PCT/DE1998/002445 DE9802445W WO9911105A1 WO 1999011105 A1 WO1999011105 A1 WO 1999011105A1 DE 9802445 W DE9802445 W DE 9802445W WO 9911105 A1 WO9911105 A1 WO 9911105A1
- Authority
- WO
- WIPO (PCT)
- Prior art keywords
- thermoplastic
- substrate
- metal particles
- polymerized
- conductive structures
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/02—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/09—Use of materials for the conductive, e.g. metallic pattern
- H05K1/092—Dispersed materials, e.g. conductive pastes or inks
- H05K1/095—Dispersed materials, e.g. conductive pastes or inks for polymer thick films, i.e. having a permanent organic polymeric binder
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/46—Manufacturing multilayer circuits
- H05K3/4644—Manufacturing multilayer circuits by building the multilayer layer by layer, i.e. build-up multilayer circuits
- H05K3/4664—Adding a circuit layer by thick film methods, e.g. printing techniques or by other techniques for making conductive patterns by using pastes, inks or powders
Definitions
- the invention relates to a process for producing elec trically conductive ⁇ structures.
- the procedure described is relatively complex since it requires a large number of production steps to be carried out. In addition, several layers of material must be applied to the substrate.
- No. 4,710,253-A describes the production of conductive structures by applying a conductive powder to a substrate surface, in which the powder is partially heated by means of a laser beam. An adhesive is activated by heating and binds the conductive powder to the surface. The unbound portion of the powder is then removed from the surface.
- No. 4,900,581-A describes a manufacturing method for conductive structures, in which an organic metal composition in the form of a solution is applied as a layer to a substrate surface. The solvent is then removed by drying in an oven. Through a mask, the light source is opened irradiated layer located on the substrate surface, which then decomposes. The unexposed regions of the upper surface ⁇ are then washed with a solvent, so that a structured metal remains tallfilm only at the irradiated areas.
- the invention is based on the object of specifying a method for producing electrically conductive structures in which the conductive structures can be produced with little effort and in which areas which are not required for the conductive structures can subsequently be removed in a simple manner.
- a liquid thermoplastic is used as the carrier liquid, which is not polymerized or crosslinked. It therefore only has monomers and / or oligomers.
- the presence of oligo eren has the advantage that the liquid thermoplastic has a low viscosity that is favorable for application to the substrate. It is important that the temperature when the method is carried out is controlled so that the crosslinking temperature of the thermoplastic is initially not exceeded, so that it remains liquid. After the as yet uncrosslinked thermoplastic has been applied to the substrate, which contains the metal particles in as homogeneous a distribution as possible, the thermoplastic is crosslinked or polymerized in places, the metal particles located at these points being bound in the thermoplastic and in this way forming the conductive structures and be fixed on the substrate.
- thermoplastics with the ⁇ is in contained metal particles are removed.
- the removal of the unpolymerized areas of the thermoplastic is easier than the removal of the solid, polymerized areas in the subject of US Pat. No. 4,159,414-A.
- thermoplastic can advantageously be carried out by means of a laser beam.
- the polymerisation of the thermoplastic in places on the substrate is carried out by heating it in places over the crosslinking or.
- Polymerization temperature causes.
- the energy required for this can be generated, for example, with a laser beam.
- a photosensitive thermoplastic is used as the carrier liquid, which in turn is not initially polymerized.
- the crosslinking in places takes place here by appropriate partial exposure of the thermoplastic, for which a laser beam is again suitable, for example, but which does not have to have as high energy as in the previously described first variant.
- a layer of metal particles is applied to the substrate or the layer on which the conductive structures are to be produced.
- the metal particles are then fixed on the substrate only at the points at which the structures are to be formed.
- the metal particles are applied to the substrate with a carrier liquid.
- the application of the Tragermannmaschine with the contained metal particles on the substrate may, for example, by dipping the substrate m the Tra ⁇ germanntechnik or done by pouring the Tragermannmaschine to the substrate or by spraying.
- Particularly advanta- geous is the Tragermanntechnik with the metal particles ⁇ spin coat onto the substrate (spin coating), as this e ne good planarity of the applied layer is achieved.
- the carrier liquid has a low viscosity in order to adhere to the substrate and to obtain low layer thicknesses.
- the metal particles have a very small size, so that particularly fine conductive structures can be produced.
- Such fine metal particles can be produced, for example, by atomizing from a molten metal under a protective gas. Copper and nickel in particular come into consideration as the material for the metal particles. Platinum, silver and gold are also suitable for this.
- FIGS. 1 to 4 successive steps of the manufacturing method according to the invention in a lateral cross-sectional representation
- Figure 5 shows the object of Figure 4 m in plan view.
- FIGS. 1 to 5 Two exemplary embodiments of the invention are explained below, FIGS. 1 to 5 being used in each case become. Explanations that apply to both exemplary embodiments are not repeated every time.
- Figure 1 shows part of an integrated circuit having a substrate 1 and clock-set at the top thereof located Kon ⁇ 5, the (e.g., a polyimide) are located in a passivation layer.
- the embodiments described are in the substrate 1 with the passivation layer 4 and -the contact surfaces 5 to a wafer containing a large number of inte grated circuits ⁇ .
- the invention is also applicable to any other substrates, for example be ⁇ undesirables layers within an integrated circuit to be produced.
- carrier liquid unpolymerized thermoplastic
- a carrier liquid 2 (in this case a non-polymerized thermoplastic, for example a polyimide) with the metal particles contained therein is spun onto the substrate 1 or the passivation layer 4 according to FIG. Subsequently, the spin-on polyimide is polymerized or crosslinked in places by heating by means of laser beam 6 according to FIG. 3. Conductive structures 3 are formed at the heated points.
- the non-crosslinked portions of the carrier liquid 2, which do not adhere to one another as well as the polymerized portions, can then be removed from the substrate 1 or the passivation layer 4, for example by washing, which leads to the object from FIG. 4.
- the conductive structures 3 consist of the now solidified thermoplastic with the metal particles contained therein, which cause the desired conductivity.
- the metal particles are therefore integrated into the cross-linked structure of the solidified carrier liquid. It is important when applying the thermoplastic that its crosslinking temperature is not already exceeded. Depending on the material, this is around 200 ° C. If you choose a spin-on temperature of 80 to 100 ° C for the thermoplastic, a sufficiently low viscosity is achieved.
- Suitable photo-sensitive thermoplastic materials include, for example, a photoresist, such as that used for the photoresist layers used in chip division, or a polyimide, to which a photo-sensitive hardener is added.
- the photosensitive thermoplastic is in turn spun on according to FIG. 2, but not polymerized, but in a liquid form. This is followed by partial exposure of the thermoplastic with the laser beam 6 according to FIG. 3.
- the photosensitive thermoplastic is crosslinked at the exposed locations, so that the conductive structures 3 are formed.
- the non-crosslinked parts of the thermoplastic with the metal particles therein are then removed again, which leads to the object according to FIG. 4.
- the first and second exemplary embodiment is a thermal or optical curing of the thermoplastic at the polymerized points.
- the metal particles are distributed as homogeneously as possible in the carrier liquid 2, so that conductive structures 3 which are as uniform as possible can subsequently be produced.
- the described production methods according to the invention have the following advantages: short process time, low chemical requirement (since only a single layer, namely that of the carrier liquid with the metal particles), the reusability of the carrier liquid removed after the structuring, with the ones contained therein, is reusable Metal particles and no need for masks to structure the carrier fluid and thus high flexibility when changing structures.
- a laser beam 6 offers the advantage of producing fine structures in a short time.
- a laser beam is easy to control and also has the energy necessary to crosslink the thermoplastic by heating.
- other controlled energy beams such as electron beams or ion beams can also be used to generate these energies.
- FIG. 5 shows the object from FIG. 4 in a top view (FIG. 4 is a cross-sectional illustration along the line AA in FIG. 5).
- FIG. 5 shows the passivation layer 4 located on the wafer or the substrate 1 and the contact areas 5 and the conductive structures 3.
- the contact areas 5 of the wafer are arranged in a narrow space and each have a relatively small area.
- the conductive structures 3 produced by the method according to the invention widen to other contact areas 6, which have a larger area than the contact areas 5.
- Such an arrangement is particularly advantageous for attaching bonding wires for external contacting of the wafer or the integrated circuit, if the contact surfaces 5 are too small to attach the bond wires directly to them.
- the conductive structures 3 represent a dewetting or rewiring and m m the other contact surfaces 6, the size so is chosen that bond wires can be easily attached to them.
- the contact areas 5 can then be connected via the conductive structures 3 and their other contact areas 6 as well as bonding wires to be fastened to the latter, for example with inner leads of a lead frame.
- the conductive structure 3 is connected to such a bonding wire 7 at the bottom right.
Abstract
Auf ein Substrat (1) wird eine Schicht einer Trägerflüssigkeit (2) aufgebracht, die Metallpartikel enthält. Anschließend wird die Schicht zur Bildung elektrisch leitfähiger Strukturen (3) strukturiert. Die Trägerflüssigkeit (2) ist ein nicht polymerisierter Thermoplast, der zur Ausbildung der Strukturen (3) thermisch oder optisch an den entsprechenden Stellen polymerisiert wird. Das Polymerisieren kann mittels eines Laserstrahls (6) erfolgen.
Description
Beschreibung
Verfahren zur Herstellung elektrisch leitfähiger Strukturen
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung elek¬ trisch leitfähiger Strukturen.
Zur Erzeugung elektrisch leitfähiger Strukturen bei der Halb¬ leiterherstellung sind verschiedene Verfahren bekannt. Es ist weit verbreitet, eine Metallschicht auf eine möglichst plana- re bzw. ebene darunterliegende Schicht bzw. ein Substrat durch Sputtern, Aufdampfen oder durch naßchemische Verfahren zu erzeugen. Die auf diese Weise erzeugte Metallschicht wird üblicherweise mit Hilfe einer zusätzlich aufzubringenden Fo- tolackschicht, die durch entsprechende Belichtung strukturiert wird, geätzt, wobei die herzustellenden leitfähigen Strukturen gebildet werden.
Die geschilderte Vorgehensweise ist relativ aufwendig, da sie die Durchführung einer Vielzahl von Fertigungsschritten verlangt. Außerdem müssen dabei mehrere Materialschichten auf das Substrat aufgebracht werden.
In der US 4,710,253-A ist die Herstellung leitfähiger Struk- turen durch Aufbringung eines leitfähigen Pulvers auf einer Substratoberfläche beschrieben, bei dem mittels Laserstrahl das Pulver stellenweise erhitzt wird. Ein Klebstoff wird durch das Erhitzen aktiviert und bindet das leitfähige Pulver an die Oberfläche. Anschließend wird der nicht gebundene An- teil des Pulvers von der Oberfläche entfernt.
In der US 4,900,581-A ist ein Herstellungsverfahren für leitfähige Strukturen beschrieben, bei dem eine organische Metallzusammensetzung in Form einer Lösung als Schicht auf eine Substratoberfläche aufgebracht wird. Anschließend wird das Lösungsmittel durch Trocknung in einem Ofen entfernt. Durch eine Maske hindurch wird mittels einer Lichtquelle die auf
der Substratoberfläche befindliche Schicht bestrahlt, die sich daraufhin zersetzt. Die unbestrahlten Regionen der Ober¬ fläche werden anschließend mit einem Lösungsmittel gewaschen, so daß nur an den bestrahlten Stellen ein strukturierter Me- tallfilm zurückbleibt.
In der US 4,159,414 A wird ein anderes Verfahren beschrieben, bei dem ein Polymer-Substrat, das eine metallische Komponente enthält, stellenweise erhitzt wird. Vor der Bestrahlung des Substrats liegt dieses in fester, polymerisierter Form vor.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren zur Herstellung elektrisch leitfähiger Strukturen anzugeben, bei dem die leitfähigen Strukturen mit wenig Aufwand herstellbar sind und bei dem anschließend nicht für die leitfähigen Strukturen benötigte Bereiche auf einfache Weise entfernt werden können.
Diese Aufgabe wird mit einem Verfahren gemäß Anspruch 1 ge- löst. Weiterbildungen und Ausführungen der Erfindung sind Gegenstand von abhängigen Ansprüchen.
Bei der Erfindung wird als Trägerflüssigkeit ein flüssiger Thermoplast verwendet, der nicht polymerisiert bzw. vernetzt ist. Er weist also lediglich Monomere und/oder Oligomere auf. Das Vorliegen von Oligo eren hat den Vorteil, daß der flüssige Thermoplast eine für das Aufbringen auf das Substrat günstige niedrige Viskosität aufweist. Wichtig ist, daß die Temperatur bei der Durchführung des Verfahrens so gesteuert wird, daß die Vernetzungstemperatur des Thermoplasten zunächst nicht überschritten wird, so daß er flüssig bleibt. Nach dem Aufbringen des noch nicht vernetzten Thermoplasten auf das Substrat, der die Metallpartikel in möglichst homogener Verteilung enthält, wird der Thermoplast stellenweise vernetzt bzw. polymerisiert, wobei die an diesen Stellen befindlichen Metallpartikel im Thermoplasten gebunden werden und auf diese Weise die leitfähigen Strukturen gebildet und
auf dem Substrat fixiert werden. Anschließend werden die nicht polymerisierten Bereiche des Thermoplasten mit den dar¬ in enthaltenen Metallpartikeln entfernt. Das Entfernen der nicht polymerisierten Bereiche des Thermoplasten ist dabei leichter möglich als die Entfernung der festen, polymerisierten Bereiche beim Gegenstand der US 4,159,414-A.
Das Aushärten des Thermoplasten kann günstigerweise mittels eines Laserstrahls durchgeführt werden.
Nach einer ersten Variante der Erfindung wird das stellenweise Polymerisieren des Thermoplasten auf dem Substrat durch entsprechendes stellenweises Erhitzen über die Vernetzungsbzw. Polymerisationstemperatur bewirkt. Die dafür notwendige Energie kann beispielsweise mit einem Laserstrahl erzeugt werden.
Nach einer zweiten Variante der Erfindung wird als Trägerflüssigkeit ein fotoempfindlicher Thermoplast eingesetzt, der auch wiederum zunächst nicht polymerisiert ist. Das stellenweise Vernetzen erfolgt hierbei durch entsprechendes partielles Belichten des Thermoplasten, wofür sich beispielsweise wieder ein Laserstrahl eignet, der jedoch keine so hohe Energie wie bei der zuvor geschilderten ersten Variante haben muß .
Erfindungsgemäß ist es vorgesehen, eine Schicht von Metallpartikel auf das Substrat bzw. die Schicht aufzubringen, auf der die leitfähigen Strukturen erzeugt werden sollen. An- schließend werden die Metallpartikel nur an den Stellen, an denen die Strukturen zu bilden sind, auf dem Substrat fixiert. Dies hat den Vorteil, daß nur eine einzige Schicht (nämlich die der Metallpartikel) zur Bildung der leitfähigen Strukturen aufgebracht werden muß. Die Metallpartikel werden also nicht ganzflächig auf dem Substrat fixiert, so daß eine sich an die Fixierung der Metallpartikel anschließend Strukturierung entfällt. Es müssen keine weiteren für eine Struk-
turierung notwendigen Hilfsschichten, wie beispielsweise eine Fotoresistschicht, zusätzlich aufgebracht werden.
Die Metallpartikel werden mit einer Tragerflussigkeit auf das Substrat aufgebracht. Das Aufbringen der Tragerflussigkeit mit den darin enthaltenen Metallpartikeln auf das Substrat kann beispielsweise durch Tauchen des Substrats m die Tra¬ gerflussigkeit oder durch Aufgießen der Tragerflussigkeit auf das Substrat oder durch Aufsprühen geschehen. Besonders vor- teilhaft ist es jedoch, die Tragerflussigkeit mit den Metall¬ partikeln auf das Substrat aufzuschleudern (Spin Coating) , da hierdurch e ne gute Planaritat der aufgebrachten Schicht erzielt wird. Für alle Aufbringverfahren ist es günstig, wenn die Tragerflussigkeit eine niedrige Viskosität aufweist, um auf dem Substrat zu haften und niedrige Schichtdicken zu erhalten.
Es ist gunstig, wenn die Metallpartikel eine sehr geringe Große aufweisen, so daß besonders feine leitfahige Strukturen herstellbar sind. Die Herstellung solcher feiner Metallparti- kel kann beispielsweise durch Verdusen aus einer Metallschmelze unter Schutzgas erfolgen. Als Material für die Me- tallpartikel kommt insbesondere Kupfer und Nickel m Betracht. Aber auch Platin, Silber und Gold eignen sich dafür.
Die Erfindung wird im folgenden anhand der Figuren naher erläutert. Die Ausfuhrungsbeispiele der Erfindung zeigen:
Figuren 1 bis 4 aufeinanderfolgende Schritte des erfm- dungsgemaßen Herstellverfahrens m einer seitlichen QuerschnittdarStellung,
Figur 5 den Gegenstand aus Figur 4 m einer Draufsicht .
Im folgenden werden zwei Ausfuhrungsbeispiele der Erfindung erläutert, wobei jeweils die Figuren 1 bis 5 herangezogen
werden. Erläuterungen, die auf beide Ausführungsbeispiele zu¬ treffen, werden dabei nicht jedes Mal wiederholt.
Figur 1 zeigt ausschnittsweise eine integrierte Schaltung mit einem Substrat 1 und an dessen Oberseite befindlichen Kon¬ taktstellen 5, die sich in einer Passivierungsschicht 4 (beispielsweise einem Polyimid) befinden. Bei den im folgen¬ den erläuterten Ausführungsbeispielen handelt es sich bei dem Substrat 1 mit der Passivierungsschicht 4 sowie -den Kontakt- flächen 5 um einen Wafer, der eine große Anzahl von inte¬ grierten Schaltungen enthält. Die Erfindung ist jedoch auch auf beliebige andere Substrate anwendbar, beispielsweise be¬ liebige Schichten innerhalb einer zu erzeugenden integrierten Schaltung.
1. Ausführungsbeispiel: Tragerflussigkeit = nicht polymerisierter Thermoplast
Eine Trägerflüssigkeit 2 (in diesem Fall ein nicht polymeri- sierter Thermoplast, z.B. ein Polyimid) mit den darin enthaltenen Metallpartikeln wird gemäß Figur 2 auf das Substrat 1 bzw. die Passivierungsschicht 4 aufgeschleudert . Anschließend wird mittels Laserstrahl 6 gemäß Figur 3 das aufgeschleuderte Polyimid stellenweise durch Erhitzen polymerisiert bzw. ver- netzt. An den erhitzten Stellen werden leitfähige Strukturen 3 gebildet. Die nicht vernetzten Partien der Trägerflüssigkeit 2, die nicht so gut wie die polymerisierten Partien aneinanderheften, können daraufhin, beispielsweise durch Abwaschen, vom Substrat 1 bzw. der Passivierungsschicht 4 ent- fernt werden, womit man zum Gegenstand aus Figur 4 gelangt. Die leitfähigen Strukturen 3 bestehen aus dem inzwischen erstarrten Thermoplasten mit den darin enthaltenen Metallpartikeln, die die gewünschte Leitfähigkeit bedingen. Die Metallpartikel sind also in die vernetzte Struktur der erstarrten Trägerflüssigkeit eingebunden.
Wichtig beim Aufbringen des Thermoplasten ist, daß dabei nicht bereits seine Vernetzungstemperatur überschritten wird. Diese liegt je nach Material bei etwa 200°C. Wählt man eine Aufschleudertemperatur von 80 bis 100°C für den Thermopla- sten, erzielt man eine ausreichend niedrige Viskosität.
2. Ausfuhrungsbeispiel : Tragerflussigkeit = Fotoempfmdlicher, nicht polymerisierter Thermoplast
Als fotoempfmdlicher Thermoplast eignet sich beispielsweise ein Fotolack, wie er auch für die bei der Chiphersteilung eingesetzten Fotoresistschichten zum Einsatz kommt, oder ein Polyimid, dem ein fotoempfmdlicher Ausharter beigegeben ist.
Der fotoempfmdliche Thermoplast wird wiederum gemäß Figur 2 nicht polymerisierter, jedoch flussiger Form aufgeschleudert. Anschließend erfolgt gemäß Figur 3 ein partielles Belichten des Thermoplasten mit dem Laserstrahl 6. An den belichteten Stellen erfolgt ein Vernetzen des fotoempfindlichen Thermoplasten, so daß die leitfahigen Strukturen 3 gebildet werden. Anschließend werden wiederum die nicht vernetzten Partien des Thermoplasten mit den darin befindlichen Metallpartikeln entfernt, womit man zum Gegenstand gemäß Figur 4 gelangt .
Beim ersten und zweiten Ausfuhrungsbeispiel handelt es sich um ein thermisches bzw. optisches Ausharten des Thermoplasten an den polymerisierten Stellen.
Besonders gunstig ist es, wenn die Metallpartikel in der Tragerflussigkeit 2 möglichst homogen verteilt sind, damit anschließend möglichst gleichmäßige leitfahige Strukturen 3 erzeugt werden können.
Zum Aufschleudern der Tragerflussigkeit 2 können herkömmliche Spm-Coater eingesetzt werden, die beispielsweise bereits zum Aufschleudern von Fotoresistschichten verwendet werden.
Die geschilderten erfmdungsgemaßen Herstellungsverfahren weisen folgende Vorteile auf: Kurze Prozeßzeit, geringer Che- ikalienbedarf (da nur eine einzige Schicht, nämlich die der Tragerflussigkeit mit den Metallpartikeln aufgebracht werden muß) , die Wiederverwendbarkeit von nach dem Strukturieren entfernter, nicht benötigter Tragerflussigkeit mit den darin befindlichen Metallpartikeln sowie kein Bedarf von Masken zur Strukturierung der Tragerflussigkeit und somit hohe Flexibi- litat bei Strukturwechseln.
Die Verwendung eines Laserstrahls 6 bei den beschriebenen Ausfuhrungsbeispielen bietet den Vorteil der Erzeugung feiner Strukturen m kurzer Zeit. Ein Laserstrahl ist leicht zu steuern und hat auch die für das Vernetzen des Thermoplasten durch Erhitzen notige Energie. Anstelle eines Laserstrahls können auch andere gesteuerte Energiestrahlen wie beispielsweise Elektronenstrahlen oder Ionenstrahlen zur Erzeugung dieser Energien verwendet werden.
Figur 5 zeigt den Gegenstand aus Figur 4 m einer Draufsicht (Figur 4 ist eine Querschnittdarstellung entlang der Linie AA m Figur 5) . Dargestellt ist in Figur 5 die auf dem Wafer bzw. dem Substrat 1 befindliche Passivierungsschicht 4 und die Kontaktflachen 5 sowie die leitfahigen Strukturen 3. In Figur 5 sind die Kontaktflachen 5 des Wafers auf engem Raum angeordnet und weisen jeweils eine relativ geringe Flache auf. Die durch die erfmdungsgemaßen Verfahren hergestellten leitfahigen Strukturen 3 verbreitern sich zu anderen Kontakt- flachen 6, die eine größere Flache aufweisen als die Kontaktflachen 5. Eine solche Anordnung eignet sich besonders vorteilhaft zur Anbringung von Bonddrahten für eine externe Kon- taktierung des Wafers bzw. der integrierten Schaltung, wenn die Kontaktflachen 5 eine zu geringe Große aufweisen, um die Bonddrahte auf ihnen direkt zu befestigen. Die leitfahigen Strukturen 3 stellen eine Entnetzung bzw. Umverdrahtung dar und munden m den anderen Kontaktflachen 6, deren Große so
gewählt ist, daß auf ihnen problemlos Bonddrahte befestigt werden können. Die Kontaktflachen 5 sind dann über die leitfahigen Strukturen 3 und deren andere Kontaktflachen 6 sowie auf letzteren zu befestigende Bonddrahte beispielsweise mit inneren Leads eines Leadframes verbindbar. In Figur 5 ist die leitfahige Struktur 3 rechts unten mit einem derartigen Bonddraht 7 verbunden.
Die anhand Figur 5 erläuterte vorteilhafte Umverdrahtung zum Zweck der Schaffung von zusätzlichen Kontaktflachen 6, die mit Bonddrahten versehen werden können, laßt sich auch mit anderen als den zuvor beschriebenen Herstellungsverfahren für die leitfahigen Strukturen 3 durchfuhren.
Claims
1. Verfahren zur Herstellung elektrisch leitfähiger Struktu¬ ren (3) auf einem Substrat (1), bei dem - ein flüssiger, nicht polymerisierter Thermoplast (2), der Metallpartikel enthält, als Schicht auf das Substrat (1) aufgebracht wird,
- der Thermoplast nach dem Aufbringen auf das Substrat (1) stellenweise polymerisiert wird, wobei die an diesen Stel- len befindlichen Metallpartikel im Thermoplasten gebunden werden und auf diese Weise die leitfähigen Strukturen (3) gebildet werden,
- und anschließend die nicht polymerisierten Bereiche des Thermoplasten mit den nicht gebundenen Metallpartikeln ent- fernt werden.
2. Verfahren nach Anspruch 1, bei dem das stellenweise Polymerisieren des Thermoplasten durch stellenweises Erhitzen bewirkt wird.
3. Verfahren nach Anspruch 1, bei dem ein photoempfindlicher Thermoplast eingesetzt wird, und bei dem das stellenweise Polymerisieren des Thermoplasten durch stellenweises Belichten erfolgt.
4. Verfahren nach einem der Ansprüche 2 oder 3, bei dem das Erhitzen des Thermoplasten bzw. das Belichten des photoempfindlichen Thermoplasten durch einen gesteuerten Energiestrahl (6) erfolgt.
5. Verfahren nach einem der vorstehenden Ansprüche, bei dem die Tragerflussigkeit (2) auf das Substrat (1) aufgeschleudert wird.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19736694 | 1997-08-22 | ||
DE19736694.5 | 1997-08-22 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
WO1999011105A1 true WO1999011105A1 (de) | 1999-03-04 |
Family
ID=7839925
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
PCT/DE1998/002445 WO1999011105A1 (de) | 1997-08-22 | 1998-08-21 | Verfahren zur herstellung elektrisch leitfähiger strukturen |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
WO (1) | WO1999011105A1 (de) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1677374B1 (de) * | 2004-12-04 | 2013-09-11 | Samsung Display Co., Ltd. | Herstellungsverfahren für organischen Dünnfilmtransistor |
CN103857482A (zh) * | 2011-08-16 | 2014-06-11 | 泽农公司 | 烧结工艺和设备 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2914404A (en) * | 1953-07-31 | 1959-11-24 | Blaupunkt Werke Gmbh | Method of producing two-dimensional circuits or circuit elements on supporting bases |
DE1112770B (de) * | 1957-03-08 | 1961-08-17 | Siemens Ag | Verfahren zum Aufbringen metallischer Symbole auf Isolierstoff-oberflaechen, insbesondere zur Herstellung sogenannter gedruckter Schaltungen |
EP0130615A2 (de) * | 1983-07-05 | 1985-01-09 | Gebr. Schmid GmbH & Co. | Verfahren und Herstellung gedruckter Schaltungen und Photolack zur Durchführung dieses Verfahrens |
US4710253A (en) * | 1984-06-04 | 1987-12-01 | Somich Technology Inc. | Method for manufacturing a circuit board |
DD263179A1 (de) * | 1987-07-20 | 1988-12-21 | Th Mittweida | Verfahren zur lokalen vernetzung von polymeren |
US4942110A (en) * | 1988-08-29 | 1990-07-17 | Xerox Corporation | High resolution conductor patterning |
-
1998
- 1998-08-21 WO PCT/DE1998/002445 patent/WO1999011105A1/de active Application Filing
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2914404A (en) * | 1953-07-31 | 1959-11-24 | Blaupunkt Werke Gmbh | Method of producing two-dimensional circuits or circuit elements on supporting bases |
DE1112770B (de) * | 1957-03-08 | 1961-08-17 | Siemens Ag | Verfahren zum Aufbringen metallischer Symbole auf Isolierstoff-oberflaechen, insbesondere zur Herstellung sogenannter gedruckter Schaltungen |
EP0130615A2 (de) * | 1983-07-05 | 1985-01-09 | Gebr. Schmid GmbH & Co. | Verfahren und Herstellung gedruckter Schaltungen und Photolack zur Durchführung dieses Verfahrens |
US4710253A (en) * | 1984-06-04 | 1987-12-01 | Somich Technology Inc. | Method for manufacturing a circuit board |
DD263179A1 (de) * | 1987-07-20 | 1988-12-21 | Th Mittweida | Verfahren zur lokalen vernetzung von polymeren |
US4942110A (en) * | 1988-08-29 | 1990-07-17 | Xerox Corporation | High resolution conductor patterning |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1677374B1 (de) * | 2004-12-04 | 2013-09-11 | Samsung Display Co., Ltd. | Herstellungsverfahren für organischen Dünnfilmtransistor |
CN103857482A (zh) * | 2011-08-16 | 2014-06-11 | 泽农公司 | 烧结工艺和设备 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE69635397T2 (de) | Halbleitervorrichtung mit Chipabmessungen und Herstellungsverfahren | |
EP0001429B1 (de) | Verfahren zur Herstellung von Dünnfilmmustern unter Anwendung der Abhebetechnologie | |
DE4008624A1 (de) | Verfahren zur herstellung einer hybriden halbleiterstruktur und nach dem verfahren hergestellte halbleiterstruktur | |
DE2726667A1 (de) | Oberflaechenpassiviertes halbleiterbauelement und verfahren zum herstellen desselben | |
DE19632720A1 (de) | Mehrschicht-Kondensatoren unter Einsatz von amorphem, hydrierten Kohlenstoff sowie Verfahren zu deren Herstellung | |
DE2659604A1 (de) | Substrat fuer miniaturisierte schaltungsvorrichtungen und verfahren zur herstellung solcher vorrichtungen | |
DE3702354A1 (de) | Halbleiterbauelement und verfahren zu dessen herstellung | |
EP1716595A2 (de) | Halbleiterbauteil mit einem stapel aus halbleiterchips und verfahren zur herstellung desselben | |
DE2953117A1 (en) | Fabrication of integrated circuits utilizing thick high-resolution patterns | |
EP0358867A1 (de) | Flip-Chip-Montage mit einer Lötstoppschicht aus einem oxidierbaren Metall | |
DE69133409T2 (de) | Verfahren zur Herstellung von Mehrschichtstrukturen | |
DE2729030A1 (de) | Verfahren zum erzeugen eines mehrschichtigen leiterzugsmusters bei der herstellung monolithisch integrierter schaltungen | |
DE10031204A1 (de) | Systemträger für Halbleiterchips und elektronische Bauteile sowie Herstellungsverfahren für einen Systemträger und für elektronische Bauteile | |
EP1324389B1 (de) | Halbleiterbauelement im Chip-Format und Verfahren zu seiner Herstellung | |
EP0727925A1 (de) | Verfahren zur strukturierten Metallisierung der Oberfläche von Substraten | |
EP1412978A2 (de) | Elektronisches bauteil mit einem kunststoffgehäuse und verfahren zu seiner herstellung | |
DE19940633A1 (de) | IC-Gehäuse | |
DE3043289C2 (de) | ||
DE3820421C2 (de) | ||
DE2709933A1 (de) | Verfahren zum herstellen durchgehender metallischer verbindungen zwischen mehreren metallisierungsebenen in halbleitervorrichtungen | |
DE2548122A1 (de) | Verfahren zum herstellen eines einheitlichen bauelementes aus einem halbleiterplaettchen und einem substrat | |
DE10240460A1 (de) | Universelles Halbleitergehäuse mit vorvernetzten Kunststoffeinbettmassen und Verfahren zur Herstellung desselben | |
DE3524196A1 (de) | Lithografisches maskengebilde und verfahren zu dessen herstellung | |
DE1764758A1 (de) | Verfahren zum Bilden von Anschlussleitungen an einen Koerper aus Halbleitermaterial | |
WO2024061689A1 (de) | Verfahren zum herstellen eines elektronischen bauelements und elektronisches bauelement |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
AK | Designated states |
Kind code of ref document: A1 Designated state(s): JP KR US |
|
AL | Designated countries for regional patents |
Kind code of ref document: A1 Designated state(s): AT BE CH CY DE DK ES FI FR GB GR IE IT LU MC NL PT SE |
|
121 | Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application | ||
NENP | Non-entry into the national phase |
Ref country code: JP Ref document number: 1999513780 Format of ref document f/p: F |
|
122 | Ep: pct application non-entry in european phase |