KR20050116666A - 반도체 소자의 저장전극 형성 방법 - Google Patents

반도체 소자의 저장전극 형성 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 반도체 소자의 저장 전극 형성 방법에 관한 것으로써, 특히 반도체 소자의 저장전극 영역 형성시 저장전극용 희생산화막 상부에 발생하는 손상을 방지하기 위하여, 하드 마스크 폴리실리콘층 상부의 소정 영역을 열처리하여 배리어층을 형성하는 반도체 소자의 저장전극 형성 방법에 관한 것이다.

Description

반도체 소자의 저장전극 형성 방법{METHOD FOR FABRICATING STORAGE NODE OF SEMICONDUCTOR DEVICE}
본 발명은 반도체 소자의 저장전극 형성 방법에 관한 것으로써, 특히 반도체 소자의 저장전극 영역 형성시 저장전극용 희생산화막의 상부에 발생하는 손상을 방지하기 위하여, 하드 마스크 폴리실리콘층 상부의 소정영역을 열처리하여 배리어를 형성하는 반도체 소자의 저장전극 형성 방법에 관한 것이다.
도 1은 종래 기술에 따른 반도체 소자의 저장전극 형성 방법을 도시한 단면도이다.
도 1을 참조하면, 스토리지 노드 콘택(미도시)을 구비한 반도체 기판(10) 상에 저장전극용 희생산화막(20) 및 하드 마스크용 폴리실리콘층(30)을 순차적으로 형성한다. 다음에는, 하드 마스크 폴리실리콘층(30) 및 저장전극용 희생산화막(20)을 패터닝하여 저장전극 영역을 형성하고 저장전극(미도시)을 형성한다. 이때, 저장전극용 희생산화막(20)의 두께는 15000Å 이상 형성되어야 한다. 이에 따른 식각 시간의 증가에 비례하여 하드 마스크 폴리실리콘층(30)의 두께도 증가 시켜야 한다. 그러나, 공정 마진을 고려할 때 하드 마스크용 폴리실리콘층(30)의 두께는 일정 두께 이상 형성하지 못한다. 이로 인해, 저장전극용 희생산화막(20) 식각시 과도식각에 의한 하드 마스크 폴리실리콘층(30)이 손상되고 저장전극 영역간에 브릿지되는 현상이 발생한다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로, 본 발명의 목적은 저장전극 영역 형성시 하드 마스크 폴리실리콘층 상에 배리어층을 더 형성하여 과도 식각에 의한 하드 마스크 폴리실리콘층의 손상을 방지함으로써, 저장전극용 희생산화막 상부의 손상을 감소시키고 저장전극 영역간에 브릿지되는 현상을 방지하는 반도체 소자의 저장전극 형성 방법을 제공함에 있다.
본 발명은 상기와 같은 목적을 달성하기 위한 것으로서, 스토리지 노드 콘택을 구비한 반도체 기판 상에 저장전극용 희생산화막을 형성하는 단계와, 상기 희생산화막 상에 하드 마스크용 폴리실리콘층을 형성하는 단계와, 질소를 포함하는 가스 분위기 열처리 공정을 수행하여 상기 하드 마스크 폴리실리콘층 상부에 배리어층을 형성하는 단계와, 상기 하드 마스크 베리어층과 폴리실리콘층 및 희생산화막을 패터닝하여 저장전극 영역을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 반도체 소자의 저장전극 형성 방법에 관하여 상세히 설명하면 다음과 같다.
도 2a 및 도 2b는 본 발명에 따른 반도체 소자의 저장전극 형성 방법을 도시한 단면도들이다.
도 2a를 참조하면, 스토리지 노드 콘택(미도시)을 구비한 반도체 기판(100) 상에 저장전극용 희생산화막(120)을 형성한다. 다음에는, 저장전극용 희생산화막(120) 상에 하드 마스크용 폴리실리콘층(130)을 형성한다. 그 다음에는 하드 마스크용 폴리실리콘층(130) 상부를 열처리하여 배리어층(140)을 형성한다. 이때, 베리어층(140)은 NH3, N2O 또는 NH3+O2 혼합가스를 이용하여 600 내지 850℃의 온도 하에서 100 내지 300Å의 두께로 형성하는 것이 바람직하다.
일반적으로 폴리실리콘층은 Si-Si 격자 결합을 하고 있다. 여기에 배리어층은 NH3, N2O 또는 NH3+O2 혼합가스를 이용하여 열처리를 수행하면 하드 마스크 폴리실리콘층(130)의 상부 조직이 Si-O-N, Si-N 또는 Si-O 격자 결합으로 변화하게 된다. 이는 질화막과 동일한 필름 특성을 갖게 되므로 저장전극용 희생산화막(120)을 식각하는 공정에서 하드 마스크 폴리실리콘층(130)을 보호해주는 역할을 수행한다.
도 2b를 참조하면, 배리어층(140), 하드 마스크 폴리실리콘층(130) 및 저장전극용 희생산화막(120)을 패터닝하여 저장전극 영역을 형성한다. 이 과정에서 배리어층(140)은 과도식각에 의하여 하드 마스크 폴리층이 손상 받는 것을 방지한다. 다음에는 상기 저장전극 영역에 저장전극을 형성한다.
이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명에 따른 반도체 소자의 저장전극 형성시 저장전극용 희생산화막이 유실되는 것을 방지하기 위하여 하드 마스크 폴리실리콘층 상부의 소정영역을 열처리하여 베리어층으로 변형시킴으로써, 과도식각에 의한 하드 마스크 폴리실리콘층의 손상을 방지할 수 있다. 따라서 반도체 소자의 저장전극용 희생산화막이 유실될 위험이 없어져 서로 인접한 저장전극간에 브릿지되는 현상을 방지하는 효과가 있다.
도 1은 종래 기술에 따른 반도체 소자의 저장전극 형성 방법을 도시한 단면도.
도 2a 및 도 2b는 본 발명에 따른 반도체 소자의 저장전극 형성 방법을 도시한 단면도.
< 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 >
10, 100 : 반도체 기판 20, 120 : 저장전극용 희생산화막
30, 130 : 하드 마스크 폴리실리콘층 140 : 배리어층

Claims (3)

  1. 스토리지 노드 콘택을 구비한 반도체 기판 상에 저장전극용 희생산화막을 형성하는 단계;
    상기 희생산화막 상에 하드 마스크용 폴리실리콘층을 형성하는 단계;
    질소를 포함하는 가스 분위기 열처리 공정을 수행하여 상기 하드 마스크 폴리실리콘층 상부에 배리어층을 형성하는 단계; 및
    상기 베리어층, 하드 마스크 폴리실리콘층 및 희생산화막을 패터닝하여 저장전극 영역을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 저장전극 형성 방법.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 배리어층은 NH3, N2O 또는 NH3+O2 혼합가스를 이용하여 600 내지 850℃의 온도 하에서 100 내지 300Å의 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 저장전극 형성 방법.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 배리어층은 Si-O-N, Si-N 또는 Si-O 화합물의 격자결합으로 구성된 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 저장전극 형성 방법.
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