KR20050045733A - 포토 다이오드 및 그 제조방법 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 36
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title abstract description 12
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 28
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 28
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 13
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 11
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 claims description 9
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 5
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims description 4
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 97
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 18
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 8
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 7
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 6
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 6
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 5
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 4
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012856 packing Methods 0.000 description 2
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 2
- 239000005368 silicate glass Substances 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003481 amorphous carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003667 anti-reflective effect Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N fluoromethane Chemical compound FC NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 description 1
- 230000002401 inhibitory effect Effects 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
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- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
- H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by potential barriers, e.g. phototransistors
- H01L31/101—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
- H01L31/102—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier
- H01L31/103—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier the potential barrier being of the PN homojunction type
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
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- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
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- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/548—Amorphous silicon PV cells
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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Abstract
직렬 저항이 감소된 포토 다이오드 및 그 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 포토 다이오드 제조방법에서는 기판에 제1 도전형 매몰층, 제1 도전형 제1 에피택셜층 및 제2 도전형 제2 에피택셜층을 순차 형성한 다음, 매몰층을 노출시키는 트렌치를 형성한다. 트렌치 안에 제1 도전형 도전성 플러그를 형성한 후, 도전성 플러그 상면에 접하는 제1 전극을 형성하고, 제2 에피택셜층 상면에 제2 전극을 형성한다. 도전성 플러그는 저항이 충분히 낮은 도전층을 매립하여 형성할 수 있으므로 도전성 플러그와 매몰층의 직렬 저항을 감소시킬 수 있다. 따라서, 포토 다이오드의 주파수 특성을 향상시킬 수 있다.
Description
본 발명은 입사광을 전기 신호로 변환하는 포토 다이오드(PD)에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 직렬 저항이 감소된 포토 다이오드 및 그 제조방법에 관한 것이다.
반도체 소자에서 광학 소자로 사용되는 포토 다이오드는 빛을 받아서 전기 신호(전류 혹은 전압)로 변환한다. 포토 다이오드를 제작하는 방법은 PN 접합을 활용하는 방법과 PIN(P형 전극 - 진성 에피택셜층(Intrinsic epitaxial layer) - N+형 층 - P형 기판) 타입, NIP(N형 전극 - 진성 에피택셜층 - P+형 층 - P형 기판) 타입으로 제작하는 방법, APD(Avalanch Breakdown PD)를 이용하는 방법 등이 있으며, 최근에는 주로 NIP나 PIN 구조를 제작하고 있다.
NIP나 PIN 구조의 포토 다이오드는 예를 들면 CD-ROM, CD-R/RW, DVD-ROM, DVD-R/RW 등의 광픽업에 사용되어, 디스크에 저장된 데이터를 독출하거나 디스크에 데이터를 저장하는 데에 이용된다. 그리고, 서보(servo)에 신호를 전달하는 인터페이스(interface) 역할도 한다.
도 1은 종래기술을 이용한 NIP 구조의 포토 다이오드를 나타낸다. 도 1에 도시한 포토 다이오드는 보통 다음과 같은 방법으로 제조된다. 먼저, P형 기판(1)에 P+형 매몰층(2) 공정을 진행한 후 P-형 에피택셜층(3)을 형성한다. 그런 다음, P+형 제1 분리 확산 영역(4)을 형성한다. 그리고, N형 에피택셜층(7)을 형성한 후, 제1 분리 확산 영역(4)과 중첩되게 P+형 제2 분리 확산 영역(8)을 형성한다. 여기서, 제1 및 제2 분리 확산 영역(4, 8) 형성은 이온주입 및 열 확산 공정으로 이루어진다. 계속하여 캐소드(cathode) 저항을 감소시키기 위해 N+형 층(13)을 형성한다. 분할(split) 포토 다이오드를 형성하기 위한 P+형 층(8')을 형성한 다음, 캐소드(14)와 아노드(anode)(15)를 형성한다.
포토 다이오드에서의 성능은 광 효율과 주파수 특성으로 평가할 수 있으며, 이러한 성능을 향상하기 위하여 연구 및 개발이 진행하고 있다. 그런데, 포토 다이오드의 제작에 필요한 주요 공정인 이온주입이나 확산 기술의 제한요소로 인하여 성능 향상에 부합되는 특성을 확보하는 데 한계가 있다.
하나의 예로서, 포토 다이오드의 성능 향상이 요구되면서 주파수 특성을 결정하는 직렬 저항을 최소화할 필요가 있다. 도 1에서 직렬 저항은 매몰층(2)과 제1 및 제2 분리 확산 영역(4, 6)의 직렬 저항으로 결정된다. 직렬 저항을 감소하기 위해 종래에는 깊은 접합(deep junction) 혹은 얕은 접합(shallow junction)을 형성하고 있다. 그러나 이온주입이나 확산 기술을 이용하여 저항을 감소시키는 것은 한계에 도달하고 있어 포토 다이오드 성능 향상에 영향을 미치게 된다.
예컨대, 높은 도즈(dose)를 적용하는 경우 하부로 불순물을 확산시키기 위해서는 충분한 열 공정이 필요하게 되므로 그에 따른 수평 방향으로 면적이 늘어나는 단점이 있다. 또, 높은 에너지 이온주입을 적용하는 경우 높은 도즈 도핑이 어려워 저항 감소에 한계가 있을 뿐만 아니라, 고에너지 적용에 따른 수평 방향으로의 확산도 피할 수 없어 역시 면적 측면에서 불리한 결과를 가져온다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 전극 단자(아노드 및/또는 캐소드) 형성시 야기되는 저항 문제를 개선함으로써 포토 다이오드의 주파수 특성을 개선할 수 있는 포토 다이오드 제조방법을 제공하는 것이다.
본 발명이 이루고자 하는 다른 기술적 과제는 직렬 저항이 감소된 포토 다이오드를 제공하는 것이다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명에 따른 포토 다이오드 제조방법에서는, 기판에 제1 도전형 매몰층, 제1 도전형 제1 에피택셜층 및 제2 도전형 제2 에피택셜층을 순차 형성한 다음, 상기 제2 및 제1 에피택셜층을 식각하여 상기 매몰층을 노출시키는 트렌치를 형성한다. 상기 트렌치 안에 제1 도전형 도전성 플러그를 형성한 후, 상기 도전성 플러그 상면에 접하는 제1 전극을 형성한다. 상기 제2 에피택셜층 상면에 제2 전극을 형성한다.
상기 도전성 플러그를 형성하는 단계는, 상기 트렌치를 완전히 매립하는 도전층을 형성한 후, 상기 제2 에피택셜층이 노출되도록 상기 도전층에 대한 에치백(etchback)을 실시하는 단계를 포함함이 바람직하다. 여기서, 상기 도전층은 BSG(Boro-Silicate-Glass)나 PSG(Phosphor-Silicate-Glass) 또는 N+/P+형 도프트 폴리실리콘(doped polysilicon)을 이용하는 것이 바람직하다. 이 때, 상기 도전층의 도펀트 농도는 1E20 내지 1E21 ions/cm3 정도로 높게 할 수 있다.
상기 다른 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명에 따른 포토 다이오드는, 기판 상에 순차 형성된 제1 도전형 매몰층, 제1 도전형 제1 에피택셜층 및 제2 도전형 제2 에피택셜층을 포함한다. 상기 제2 및 제1 에피택셜층을 관통하여 상기 매몰층에 접하도록 매립된 제1 도전형 도전성 플러그가 형성되어 있다. 상기 도전성 플러그 상면에는 제1 전극이, 상기 제2 에피택셜층 상면에는 제2 전극이 형성되어 있다.
본 발명에 따른 포토 다이오드는 상기 도전성 플러그를 둘러싸는 열산화막을 더 포함할 수 있다. 상기 도전성 플러그는 상면이 평탄한 것일 수 있으며, 상기 제2 전극과 상기 제2 에피택셜층 사이에는 제2 도전형 고농도 주입층이 더 포함될 수 있다. 그리고, 상기 제2 도전형 고농도 주입층을 분할하는 제1 도전형 고농도 주입층을 더 포함할 수도 있다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 설명한다. 그러나, 본 발명의 실시예들은 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 상술하는 실시예들로 인해 한정되어지는 것으로 해석되어져서는 안된다. 본 발명의 실시예들은 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되어지는 것이다. 따라서, 도면에서의 요소의 형상 등은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장되어진 것이며, 도면 상에서 동일한 부호로 표시된 요소는 동일한 요소를 의미한다.
본 발명의 실시예에서는 NIP 구조의 포토 다이오드를 제조하는 경우에 대하여 설명한다. 그리고, 본 발명의 실시예에서는 아노드가 공통되는 아노드 커먼(anode common) 타입의 분할 포토 다이오드에 대하여 설명한다. 그러나, 당업자라면 본 발명의 상세한 설명에서 설명하는 도전형과 반대되는 도전형을 도입하여 PIN 구조의 포토 다이오드를 실시할 수 있을 것이다. 그리고, 본 발명의 방법에 따라 제조한 포토 다이오드를 포함하는 기판 상에 포토 다이오드로부터의 전기 신호를 처리하기 위한 집적 회로를 더 집적하여 광픽업 소자를 제조할 수도 있을 것이다.
도 2 내지 도 7은 본 발명의 제1 실시예에 따라 포토 다이오드를 제조하는 방법을 공정 순서에 따라 도시한 단면도들이다.
먼저, 도 2에 도시한 바와 같이, 단결정 실리콘 기판과 같은 P형 기판(100)을 준비하여 그 전면에 P+형 매몰층(105)을 형성한다. 그런 다음, 매몰층(105) 상에 P-형 제1 에피택셜층(110)을 형성한다. 매몰층(105)은 B와 같은 불순물을 1E19 ions/cm3 정도로 고농도 이온주입한 다음, 열 확산(드라이브-인) 작업을 진행하여 형성할 수 있다. 제1 에피택셜층(110) 두께 및 비저항은 포토 다이오드의 성능을 확보하는 데 있어 중요한 인자로 작용한다. 이 점을 고려하여 예컨대, 제1 에피택셜층(110)의 두께는 대략 8~12㎛로 성장시키고, 비저항은 약 100~200Ω.㎝ 수준으로 진행한다. 또한, 제1 에피택셜층(110) 공정 진행시 매몰층(105)에 의한 외확산(out-diffusion)을 최소화하기 위한 공정 조건으로 진행한다. 그런 다음, 제1 에피택셜층(110) 상에 N형 제2 에피택셜층(115)을 형성한다.
다음으로 도 3에 도시한 바와 같이, 소자분리막(120)을 형성하여 활성영역을 정의한다. 소자분리막(120)은 통상적인 LOCOS(LOCal Oxidation of Silicon) 또는 STI(Shallow Trench Isolation)를 이용할 수 있다. 다음으로, 제2 에피택셜층(115)과 제1 에피택셜층(110)을 식각하여 매몰층(105)을 노출시키는 트렌치(125)를 형성한다. 트렌치(125)를 형성하는 단계는 다음과 같을 수 있다. 예를 들어, 제2 에피택셜층(115) 상에 얇은 패드 산화막 및 패드 질화막을 형성한 다음 이들을 패터닝하여 트렌치를 형성할 부위에 개구부를 만든다. 다음에 패터닝된 패드 산화막과 패드 질화막을 마스크로 사용하여 제2 및 제1 에피택셜층(115, 110)을 식각함으로써 수-수십 ㎛ 정도 깊이의 트렌치(125)를 형성한다. 제2 및 제1 에피택셜층(115, 110)의 식각은 Cl2와 SF6를 이용한 반응성 이온 식각(RIE)법으로 진행할 수 있다. 그런 다음, 패드 산화막 및 패드 질화막을 제거한다.
트렌치(125)를 형성한 다음에는, 식각시 발생된 응력을 이완시킬 수 있도록 적정 조건의 열처리를 진행할 수도 있다. 예를 들어, 트렌치(125)의 내벽에 약 50Å ~ 200Å 정도 두께의 얇은 열산화막(130)을 형성하는 방식으로 열처리를 진행할 수 있다. 그러나, 열산화막(130)은 생략될 수도 있다.
다음, 도 4를 참조하여, 트렌치(125)를 완전히 매립하는 P+형 도전층(135)을 형성한다. 여기서, 도전층(135)은 아노드 단자의 저항을 감소시키기 위하여 형성하는 것으로, BSG(Boro-Silicate-Glass)나 P+형 도프트 폴리실리콘으로 형성할 수 있다. 이 때, 도전층(135)의 도펀트 농도는 1E20 내지 1E21 ions/cm3 정도로 하는 것이 바람직하다. 도프트 폴리실리콘의 경우는 LPCVD(Low Pressure Chemical Vapor Deposition)법으로 500℃ 내지 700℃의 온도에서 증착하며, 수~수십Ω/□ 정도의 저항을 갖게 형성하면 충분한 저항 감소 효과를 얻을 수 있게 된다. 이 때, 불순물이 도핑되지 않은 상태로 증착한 후 불순물을 이온주입으로 도핑시킬 수도 있고, 증착시 인-시츄(in-situ)로 불순물을 도핑하여 증착할 수도 있다.
본 실시예에서의 도전형과 반대로, PIN 구조의 포토 다이오드를 제조하는 경우에는 매몰층의 도전형이 N+형이다. 따라서, N+형 매몰층까지 연장하며 단자(이 경우에는 캐소드)의 저항을 감소시키기 위해 형성하는 도전층은 N형 도전층, 예컨대 PSG(Phosphor-Silicate-Glass) 또는 N+형 도프트 폴리실리콘을 이용함이 바람직하다.
다음으로 도 5를 참조하여, 제2 에피택셜층(115)이 노출되도록 도전층(135)에 대한 에치백(etchback)을 실시한다. 이로써, 트렌치(125) 안에 매립된 도전성 플러그(135a)가 형성된다. 에치백 단계에서는 HBr, HeO2, N2 및 CF4 가스의 혼합가스를 사용할 수 있다. 그리고, 기판(100) 쪽으로 바이어스를 가하여 식각가스의 직진성을 더욱 크게 할 수도 있다. 에치백 단계에서는 예컨대, 도전층(135)과 제2 에피택셜층(115)의 식각율(etch rate)이 다른 점을 이용하여 제2 에피택셜층(115)을 에치백 공정의 스토퍼(stopper)로 사용할 수 있다. 대신에, 도 3을 참조하여 설명한 단계에서 트렌치(125)를 형성하는 데에 사용한 패드 질화막과 패드 산화막을 제거하지 않고 남겨두어 패드 질화막을 에치백 공정의 스토퍼로 사용할 수 있다. 그럴 경우, 패드 질화막과 패드 산화막은 에치백 후 제거한다.
여기서, 도전층(135)의 도핑 농도를 조절하여 도전성 플러그(135a)의 저항을 충분히 작게 할 수 있으므로 도전성 플러그(135a)와 매몰층(105)의 직렬 저항이 감소된다. 따라서, 후속 공정에서 도전성 플러그(135a)와 접하게 형성되는 단자의 저항을 작게 할 수 있으므로, 주파수 특성이 우수해지며 이에 따른 포토 다이오드의 성능도 향상시킬 수 있다. 또한, 확산을 위한 열 공정이 필요 없어 열적 부담이 적으며, 수평 방향으로의 확산도 방지되므로 소자의 고집적화에 매우 유리하다.
계속하여 도 6을 참조하여, 제2 에피택셜층(115) 안에 캐소드 저항을 감소시키기 위한 N+형 주입층(140)을 형성한다. N+형 주입층(140)은 가능한 얕은 접합(shallow junction)을 갖는 구조로 형성하는 것이 성능 향상에 중요하다. 그런 다음, 분할 포토 다이오드 형성을 위해 N+형 주입층(140)을 분할하는 P+형 주입층(145)을 형성한다. 기판(100) 위로 층간절연막(ILD)(150)을 형성한 다음, 도전성 플러그(135a) 상면에 접하는 아노드(155)를 형성하고, N+형 주입층(140)과 접하는 캐소드(160)를 형성한다.
후속적으로는 차광막 공정 및/또는 반사방지막(ARC : Anti Reflection Coating) 공정을 진행할 수 있다. 도 7은, 금속간절연막(IMD)(165)을 형성한 후 Al과 같은 금속으로 이루어진 차광막(170)을 형성하여 수광부를 정의하고, 수광부 안의 금속간절연막(165)과 층간절연막(150)을 식각한 후, 실리콘 산화막(175)과 실리콘 질화막(177)의 이중층으로 된 콘포멀(conformal)한 반사방지막(180)을 형성한 예를 도시한다. 여기서, 실리콘 산화막(175)은 SiH4와 O2(또는 N2O)의 반응을 이용하여 PECVD(Plasma Enhanced CVD) 등의 방법으로 증착한다. 실리콘 질화막(177)의 경우에도 PECVD로 증착하는데, SiH4와 NH3를 소스 가스로, Ar 또는 He을 캐리어 가스로 이용할 수 있다. 반사방지막 공정은 포토 다이오드의 빛의 흡수 능력을 좌우하는 것으로, 빛의 흡수율을 최대화할 수 있도록 막질 및 두께를 결정하는 것이 바람직하다. 그리고, 반사방지막(180)은 여기에 언급한 실리콘 산화막, 실리콘 질화막 대신에 비정질 카본으로 형성할 수도 있다. 도 7에서 금속간절연막(165), 차광막(170) 및 반사방지막(180)의 구조는 하나의 예에 불과하며 본 발명의 범위를 제한하려는 것은 아니다.
이상에서 자세히 설명한 바와 같이, 도 7을 참조하면, 본 발명에 따른 포토 다이오드는 기판(100) 상에 순차 형성된 제1 도전형(여기서는 P+형) 매몰층(105), 제1 도전형(여기서는 P-형) 제1 에피택셜층(110) 및 제2 도전형(여기서는 N형) 제2 에피택셜층(115)을 포함한다. 제2 및 제1 에피택셜층(115, 110)을 관통하여 매몰층(105)에 접하도록 도전성 플러그(135a)가 매립되어 있다. 도전성 플러그(135a) 상면에는 제1 전극(155)(여기서는 아노드)이 형성되어 있고, 제2 에피택셜층(115) 상면에는 제2 전극(160)(여기서는 캐소드)이 형성되어 있다. 도전성 플러그(135a)는 상면이 평탄하다. 캐소드(160)와 제2 에피택셜층(115) 사이에는 제2 도전형 고농도 주입층, 즉 N+형 주입층(140)이 형성되어 있다. 그리고, N+형 주입층(140)은 제1 도전형 고농도 주입층, 즉 P+형 주입층(145)에 의해 분할되어 있다. 아노드(155)와 캐소드(160)는 금속간절연막(165)으로 더 덮여져 있고, 그 위에는 수광부를 정의하는 차광막(170)이 형성되어 있을 수 있다. 수광부 안에는 콘포멀한 반사방지막(180)이 더 구비될 수 있다.
이처럼, 본 발명에 의하면 종래 이온주입과 확산 기술에 의해 매몰층에 연결되게 형성하던 분리 확산 영역 대신에, 트렌치를 형성한 후 도전층으로 매립하여 도전성 플러그를 형성한다. 도전층의 도핑 농도를 충분히 높게 하는 것이 가능하므로 도전성 플러그의 저항을 감소시킬 수 있다. 따라서, 전극 단자-도전성 플러그-매몰층의 직렬 저항을 감소시켜 포토 다이오드의 주파수 특성을 향상시킬 수 있다. 또한, 이온주입 열 확산시에 접합 영역이 증가되어 고집적화를 저해하던 요인이 제거되므로 고집적화에 유리하게 적용할 수 있다. 따라서, 필요로 하는 소자의 성능은 유지/향상하면서도 소자의 팩킹밀도를 증가시킬 수 있다.
도 8 및 도 9는 본 발명의 다른 실시예에 따라 포토 다이오드를 제조하는 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
먼저 도 1 내지 도 5를 참조하여 설명한 단계까지 진행하여 도전성 플러그(135a)를 형성한 다음, 도전성 플러그(135a)가 형성된 결과물 상에 캡핑막(137)을 형성한다. 도전성 플러그(135a)가 BSG와 같은 산화막으로 형성되는 경우에 후속 공정에 의하여 산화막 손실 가능성이 높을 수 있다. 따라서, 실리콘 질화막과 같은 막질로 캡핑막(137)을 형성한 다음, 콘택 공정에서 오픈하여 사용하도록 한다. 실리콘 질화막으로 된 캡핑막(137)을 식각할 때에는 불화 탄소계 가스를 사용한다. 예를 들면, CxFy계, CaHbFc계 가스, 예컨대 CF4, CHF3, C2F6, C4F8, CH2F2, CH3F, CH4, C2H2, C4
F6 등과 같은 가스 또는 이들의 혼합가스를 사용할 수 있다. 캡핑막(137)을 형성한 다음에는 N+형 주입층(140)과 P+형 주입층(145)을 형성한다. 층간절연막(150)을 형성한 다음, 캡핑막(137)을 관통하여 아노드(155)와 캐소드(160)를 형성한다.
다음, 도 9를 참조하여 아노드(155)와 캐소드(160) 위로 금속간절연막(165)을 형성한 후 차광막(170)을 형성하여 수광부를 정의한다. 수광부 안의 금속간절연막(165)과 층간절연막(150)을 식각한 후, 반사방지막, 예컨대 실리콘 산화막(175)과 실리콘 질화막(177)의 이중층으로 된 반사방지막(180)을 형성한다.
이상에서는 본 발명의 실시예들에 대하여 설명하였으나, 본 발명은 상기한 실시예들에만 한정되는 것은 아니고 다양한 변경이나 변형이 가능하다. 본 발명은 첨부된 청구범위에 의해 정의되는 본 발명의 사상 및 범주 내에 포함될 수 있는 대안, 변형 및 등가를 포함한다.
본 발명에서는 에피택셜층에 도전층을 매립하여 도전성 플러그를 형성한 후 아노드(NIP 구조의 경우) 또는 캐소드(PIN 구조의 경우) 단자에 연결한다. 도전층으로는 저항 감소 효과가 충분할 정도로 도핑할 수 있는 도프트 폴리실리콘 또는 BSG, PSG와 같은 전도성 산화막을 이용한다. 도전성 플러그의 저항을 충분히 감소시킬 수 있으므로 전극 단자와의 직렬 저항을 감소시킬 수 있다. 따라서, 포토 다이오드의 주파수 특성을 향상시킬 수 있다.
그리고, 이온주입과 접합 확산 공정이 생략되므로, 기존 공정에서 열 확산시에 접합 영역이 증가되어 고집적화를 저해하던 요인이 제거되므로 고집적화에 유리하게 적용할 수 있다. 따라서, 필요로 하는 소자의 성능은 유지/향상하면서도 소자의 팩킹밀도를 증가시킬 수 있다.
도 1은 종래 NIP 구조의 포토 다이오드의 단면도이다.
도 2 내지 도 7은 본 발명의 일 실시예에 따라 포토 다이오드를 제조하는 방법을 공정 순서에 따라 도시한 단면도들이다.
도 8 및 도 9는 본 발명의 다른 실시예에 따라 포토 다이오드를 제조하는 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
100...기판 105...매몰층
110...제1 에피택셜층 115...제2 에피택셜층
125...트렌치 135a...도전성 플러그
140...제2 도전형 고농도 주입층 145...제1 도전형 고농도 주입층
155...제1 전극 160...제2 전극
Claims (20)
- 기판에 제1 도전형 매몰층, 제1 도전형 제1 에피택셜층 및 제2 도전형 제2 에피택셜층을 순차 형성하는 단계;상기 제2 및 제1 에피택셜층을 식각하여 상기 매몰층을 노출시키는 트렌치를 형성하는 단계;상기 트렌치 안에 제1 도전형 도전성 플러그를 형성하는 단계;상기 도전성 플러그 상면에 접하는 제1 전극을 형성하는 단계; 및상기 제2 에피택셜층 상면에 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하는 포토 다이오드 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 트렌치 내벽에 열산화막을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 포토 다이오드 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 도전성 플러그를 형성하는 단계는,상기 트렌치를 완전히 매립하는 도전층을 형성하는 단계; 및상기 제2 에피택셜층이 노출되도록 상기 도전층에 대한 에치백을 실시하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 포토 다이오드 제조방법.
- 제3항에 있어서, 상기 도전층으로는 BSG, PSG 또는 도프트 폴리실리콘을 형성하는 것을 특징으로 하는 포토 다이오드 제조방법.
- 제3항에 있어서, 상기 도전층의 도펀트 농도는 1E20 내지 1E21 ions/cm3인 것을 특징으로 하는 포토 다이오드 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제2 전극을 형성하는 단계는,상기 제2 에피택셜층 안에 제2 도전형 고농도 주입층을 형성하는 단계; 및상기 제2 도전형 고농도 주입층에 접하는 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 포토 다이오드 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제2 도전형 고농도 주입층을 분할하는 제1 도전형 고농도 주입층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 포토 다이오드 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 도전성 플러그가 형성된 결과물 상에 캡핑막을 형성하는 단계를 더 포함하고, 상기 제1 전극 및 제2 전극은 상기 캡핑막을 관통하여 형성하는 것을 특징으로 하는 포토 다이오드 제조방법.
- 제1항에 있어서,상기 제1 전극과 제2 전극 위로 절연막을 형성하는 단계;상기 절연막 상에 차광막을 형성하여 수광부를 정의하는 단계;상기 수광부 안의 상기 절연막을 식각하는 단계; 및상기 수광부 안에 콘포멀(conformal)한 반사방지막을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 포토 다이오드 제조방법.
- P형 기판에 전면 P+형 매몰층, P-형 에피택셜층 및 N형 에피택셜층을 순차 형성하는 단계;상기 N형 에피택셜층과 P-형 에피택셜층을 식각하여 상기 매몰층을 노출시키는 트렌치를 형성하는 단계;상기 트렌치 안에 P+형 도전성 플러그를 형성하는 단계;상기 N형 에피택셜층 안에 N+형 주입층을 형성하는 단계;상기 N+형 주입층을 분할하는 P+형 주입층을 형성하는 단계;상기 도전성 플러그 상면에 접하는 아노드를 형성하는 단계; 및상기 N+형 주입층과 접하는 캐소드를 형성하는 단계를 포함하는 포토 다이오드 제조방법.
- 제10항에 있어서, 상기 도전성 플러그를 형성하는 단계는,상기 트렌치를 완전히 매립하는 P+형 도전층을 형성하는 단계; 및상기 N형 에피택셜층이 노출되도록 상기 P+형 도전층에 대한 에치백을 실시하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 포토 다이오드 제조방법.
- 제11항에 있어서, 상기 P+형 도전층으로는 BSG 또는 도프트 폴리실리콘을 형성하는 것을 특징으로 하는 포토 다이오드 제조방법.
- 기판 상에 순차 형성된 제1 도전형 매몰층, 제1 도전형 제1 에피택셜층 및 제2 도전형 제2 에피택셜층;상기 제2 및 제1 에피택셜층을 관통하여 상기 매몰층에 접하도록 매립된 도전성 플러그;상기 도전성 플러그 상면의 제1 전극; 및상기 제2 에피택셜층 상면의 제2 전극을 포함하는 포토 다이오드.
- 제13항에 있어서, 상기 도전성 플러그를 둘러싸는 열산화막을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 포토 다이오드.
- 제13항에 있어서, 상기 도전성 플러그는 BSG, PSG 또는 도프트 폴리실리콘으로 이루어진 것을 특징으로 하는 포토 다이오드.
- 제15항에 있어서, 상기 도전성 플러그의 도펀트 농도는 1E20 내지 1E21 ions/cm3인 것을 특징으로 하는 포토 다이오드.
- 제13항에 있어서, 상기 도전성 플러그는 상면이 평탄한 것을 특징으로 하는 포토 다이오드.
- 제13항에 있어서, 상기 제2 전극과 상기 제2 에피택셜층 사이에 제2 도전형 고농도 주입층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 포토 다이오드.
- 제13항에 있어서, 상기 제2 도전형 고농도 주입층을 분할하는 제1 도전형 고농도 주입층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 포토 다이오드.
- 제13항에 있어서,상기 제1 전극과 제2 전극을 덮는 절연막;상기 절연막 상에 형성되어 수광부를 정의하는 차광막; 및상기 수광부 안에 콘포멀하게 형성된 반사방지막을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 포토 다이오드.
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020030079903A KR100555526B1 (ko) | 2003-11-12 | 2003-11-12 | 포토 다이오드 및 그 제조방법 |
| US10/953,438 US7427530B2 (en) | 2003-11-12 | 2004-09-29 | Method of manufacturing photo diodes having a conductive plug contact to a buried layer |
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| CNB2004100104204A CN100530702C (zh) | 2003-11-12 | 2004-11-12 | 具有与掩埋层接触的导电插塞的光电二极管及其制造方法 |
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Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020030079903A KR100555526B1 (ko) | 2003-11-12 | 2003-11-12 | 포토 다이오드 및 그 제조방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20050045733A true KR20050045733A (ko) | 2005-05-17 |
| KR100555526B1 KR100555526B1 (ko) | 2006-03-03 |
Family
ID=34545865
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020030079903A KR100555526B1 (ko) | 2003-11-12 | 2003-11-12 | 포토 다이오드 및 그 제조방법 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US7427530B2 (ko) |
| JP (1) | JP2005150723A (ko) |
| KR (1) | KR100555526B1 (ko) |
| CN (1) | CN100530702C (ko) |
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| JP3798951B2 (ja) | 2000-06-07 | 2006-07-19 | シャープ株式会社 | 回路内蔵受光素子、その製造方法および該受光素子を用いた光学装置 |
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-
2003
- 2003-11-12 KR KR1020030079903A patent/KR100555526B1/ko not_active IP Right Cessation
-
2004
- 2004-09-29 US US10/953,438 patent/US7427530B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2004-11-10 JP JP2004326232A patent/JP2005150723A/ja active Pending
- 2004-11-12 CN CNB2004100104204A patent/CN100530702C/zh not_active Expired - Fee Related
-
2008
- 2008-09-17 US US12/212,437 patent/US20090008739A1/en not_active Abandoned
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN1624936A (zh) | 2005-06-08 |
| US20050101073A1 (en) | 2005-05-12 |
| US20090008739A1 (en) | 2009-01-08 |
| KR100555526B1 (ko) | 2006-03-03 |
| US7427530B2 (en) | 2008-09-23 |
| JP2005150723A (ja) | 2005-06-09 |
| CN100530702C (zh) | 2009-08-19 |
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Legal Events
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