KR20050040161A - 전극 구조체 및 이를 구비하는 반도체 발광 소자 - Google Patents

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Abstract

저접촉 저항 및 고반사도를 동시에 만족할 수 있는 고반사막 전극 및 그를 구비하는 반도체 발광 소자가 개시된다. 개시된 반도체 발광 소자는 투명 기판과, 전자 주입층의 제 1 영역 상에 형성된 활성층과, 활성층 상에 형성된 정공 주입층과, 정공 주입층 상에 형성되며 높은 반사율과 낮은 접촉 저항을 동시에 제공할 수 있는 제 1 전극 구조와, 전자 주입층의 제 2 영역 상에 형성된 제 2 전극 구조 및 제 1 및 제 2 전극 구조와 전기적으로 결합된 회로 기판을 구비한다. 따라서, 정공 주입층 상에 접촉하는 컨택 메탈의 면적을 조절함으로써 컨택 메탈층에 의한 빛의 흡수를 감소시키면서도 반도체 발광 소자의 광효율을 향상시킬 수 있는 반도체 발광 소자를 얻을 수 있다.

Description

전극 구조체 및 이를 구비하는 반도체 발광 소자{Electrode structure and semiconductor light-emitting device provided with the same}
본 발명은 질화물 반도체 또는 이와 같은 물질을 이용하여 제작되는 반도체 발광 소자의 제조 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는, 저접촉 저항 및 고반사도를 동시에 만족할 수 있는 고반사막 전극 및 그를 구비하는 플립칩형 발광 소자에 관한 것이다.
일반적으로, 질화물계 화합물 반도체는 가시광 발광 소자용으로 많이 이용되고 있으며, 청색, 녹색의 가시광 영역을 거쳐 현재 백색 발광 소자를 위한 자외선 영역으로 발전되고 있다. 이러한 질화물 화합물 반도체는 활성층에서 발생한 빛 중에서 활성층의 상부로 향하는 빛을 추출하는 구조와 사파이어 기판과 같은 투명성 기판을 통과하여 활성층의 하부로 향하는 빛을 추출하는 구조로 크게 나누어진다.
이중에서, 투명성 기판을 통해서 빛을 추출하는 구조를 가지는 플립-칩(flip-chip)형 발광 소자에서는 상부 방향으로 향한 빛을 하부 방향으로 다시 반사시키기 위한 p-형 전극 계면에서의 반사도가 매우 중요하다.
한편, 발광소자는 낮은 구동 전압을 갖는 것이 유리하다. 현재, 발광소자의 구동 전압을 낮추기 위하여 사용되는 가장 일반적인 방법은 전극층과 활성층 사이에 형성된 물질층의 저항을 낮추는 방법이다. 특히, 플립-칩형 발광 소자에서는 정공 주입층과 p-형 전극이 오믹 컨택되어 있으므로, 구동 전압을 낮추기 위해서 이들 사이의 낮은 오믹 저항을 형성하는 것이 매우 바람직하다.
종래의 플립-칩형 질화물 반도체 발광 소자 중의 하나의 구조를 설명하기 위한 개략적인 단면도를 도 1에 도시한다.
도 1에 도시한 바와 같이, 종래의 플립-칩형 질화물 반도체 발광 소자(10)는 사파이어 기판(11), 사파이어 기판(11) 상에 순차적으로 적층되어 형성된 n-형 GaN 층(12), InGaN으로 이루어진 활성층(16), p-형 GaN 층(18), 니켈층(20) 및 p-형 전극(22)과 n-형 GaN 층(12)의 일측면에 형성된 n-형 전극(14)을 포함한다. n-형 GaN 층(12)은 제 1 도전형에 대한 클래딩 층으로 작용하고, p-형 GaN 층(18)은 제 2 도전형에 대한 클래딩 층으로 작용하는 이중 헤테로 구조를 갖는다.
또한, 니켈층(20)은 대략 10 nm의 두께로 p-형 전극(14) 상에 형성되며, 오믹 컨택을 형성하기 위한 컨택 메탈층으로 작용한다. 그리고, p-형 전극(22)은 알루미늄(Al) 또는 실버(Ag) 박막이어서, 컨택 메탈인 니켈층(20)을 투과하는 광이 p-형 전극(22)과 니켈층(20) 사이의 계면에서 반사된다.
반사도가 높은 알루미늄(Al) 또는 실버(Ag)와 같은 물질로 이루어진 p-형 전극(22)으로부터 직접 빛을 추출할 수도 있으며, 이러한 경우에 높은 광 추출 효율을 얻을 수 있지만, 직접 고반사막 전극을 사용하게 되면 접촉 저항이 높아지게 되는 단점이 있다. 따라서, 이러한 접촉 저항을 줄이기 위하여 오믹 컨택을 형성하기 위한 컨택 메탈로 니켈층(20)을 형성한 것이다.
하지만, 컨택 메탈로 니켈층(20)을 구비하고 있는 플립-칩형 질화물 반도체 발광 소자(10)에 있어서, InGaN으로 이루어진 활성층(16)에서 발생된 빛이 니켈층(20)을 통과한 후 니켈층(20)과 p-형 전극(22)의 계면에서 반사된 다음, 다시 니켈층(20) 및 사파이어 기판(11)을 통과한 후 빛을 방출하기 때문에, 니켈층(20)에서 빛의 흡수가 많이 일어나게 되고, 이로 인하여 반사율을 증가시킬 수 없다는 문제점이 있다.
즉, 컨택층인 니켈층(20)이 p-형 GaN 층(18)과의 신뢰성 있는 컨택을 확보하기 위한 목적으로 사용되고 있어서, 니켈층(20)의 두께가 두꺼울수록 양호한 컨택을 얻을 수는 있지만, 만약 50 nm 이상의 두께를 갖게 되면 충분한 반사도를 얻기가 어려워지게 된다.
따라서, 반도체 발광 소자의 높은 반사율을 유지하면서도 낮은 접촉 저항을 유지할 수 있는 반사 구조를 갖는 반도체 발광 소자의 개발이 필요한 실정이다.
본 발명은 상기한 바와 같은 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 본 발명이 이루고자 하는 기술적인 과제는 저접촉 저항 및 높은 반사율을 동시에 만족할 수 있는 p-형 전극 구조를 구비하는 반도체 발광 소자를 제공하는 것이다.
본 발명이 이루고자 하는 다른 기술적 과제는 반도체 발광 소자에 사용되는 저접촉 저항 및 높은 반사율을 동시에 만족할 수 있는 전극 구조를 제공하는 것이다.
상기한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 한 유형에 따르면 투명 기판과, 투명 기판 상에 형성된 전자 주입층과, 전자 주입층의 제 1 영역 상에 형성된 활성층과, 활성층 상에 형성된 정공 주입층과, 정공 주입층 상에 형성되며 높은 반사율과 낮은 접촉 저항을 동시에 제공할 수 있는 제 1 전극 구조와, 전자 주입층의 제 2 영역 상에 형성된 제 2 전극 구조 및 제 1 및 상기 제 2 전극 구조와 전기적으로 결합된 회로 기판을 포함하되, 제 1 전극 구조가 접촉 저항이 낮은 니켈, 팔라듐, 백금 또는 ITO를 포함하는 그룹 중 선택된 어느 하나로 이루어진 컨택 메탈 구조 및 알루미늄 박막 또는 실버와 같이 높은 반사율을 갖는 반사층을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자가 제공된다.
본 발명의 다른 유형에 따르면, 투명 기판, 투명 기판 상에 순차적으로 형성된 전자 주입층, 활성층 및 정공 주입층을 구비하는 반도체 발광 소자에 사용하기 이하여 접촉 저항이 낮은 니켈, 팔라듐, 백금 또는 ITO를 포함하는 그룹 중 선택된 어느 하나로 이루어진 컨택 메탈 구조 및 알루미늄 박막 또는 실버와 같이 높은 반사율을 갖는 반사층을 포함하는 반도체 발광 소자에 사용되는 전극 구조가 제공된다.
또한, 컨택 메탈 구조가 아일런드 형 또는 메시 형으로 형성된 것이 바람직하다.
또한, 컨택 메탈 구조의 두께가 대략 200 nm 이하이며 면적이 상기 반사층의 면적에 대비하여 1 % 내지 90 %의 비율이 되는 것이 바람직하다.
또한, 반사층이 반사도가 높은 알루미늄 또는 실버(Ag)으로 이루어지는 것이 바람직하다.
또한, 투명 기판이 사파이어 또는 실리콘 카바이드로 이루어진 것이 바람직하다.
또한, 전자 주입층은 n-형 GaN으로 이루어지고, 활성층이 InGaN으로 이루어지며 정공 주입층이 p-형 GaN으로 이루어지는 것이 바람직하다.
이하, 첨부된 도면을 참조하면서 본 발명에 따른 저접촉 저항 및 고반사도를 동시에 만족할 수 있는 고반사막 전극 구조와, 이를 구비하는 플립-칩형 발광 소자 및 그 제조방법의 바람직한 실시예들을 상세히 설명한다. 이하의 도면들에서 동일한 참조부호는 동일한 구성요소를 나타낸다.
도 2는 본 발명의 바람직한 실시예에 따라 제조된 반도체 발광 소자를 설명하기 위한 단면도이다.
도 2에 도시한 바와 같이, 반도체 발광 소자(100)는 사파이어(Al2O3) 또는 실리콘 카바이드(SiC)와 같은 투명한 물질로 이루어진 투명 기판(102), 투명 기판(102) 상에 순차적으로 적층되어 형성된 n-형 GaN으로 이루어진 전자 주입층(104), InGaN으로 이루어진 활성층(106) 및 p-형 GaN으로 이루어진 정공 주입층(108)을 포함한다. 전자 주입층(104)은 제 1 부분과 제 2 부분을 구비하며, 제 1 부분이 제 2 부분 보다 두께가 가늘게 형성되어 있는 계단 모양을 이루고 있으며, 활성층(106) 및 정공 주입층(108)은 제 2 부분 상에 형성되어 있다.
또한, 반도체 발광 소자(100)는 정공 주입층(108) 상에 형성된 반사막으로 작용하기도 하는 p-형 전극 구조체(110)를 더 포함한다. 본 발명의 바람직한 실시예에 따르면, p-형 전극 구조체(110)는 접촉 저항을 줄이기 위하여 오믹 컨택을 형성하기 위한 컨택 메탈로 작용하는 컨택 메탈 및 반사도가 높은 실버(Ag) 또는 알루미늄(Al)과 같은 금속을 이용하여 형성된 반사층을 포함하는 것이 바람직하다.
도 3a 및 도 3b는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 도 2에 도시한 반도체 발광 소자에 사용되는 p-형 전극 구조체를 설명하기 위한 단면도들이다.
먼저, 도 3a를 참조하면, 본 발명의 바람직한 제 1 실시예에 따른 p-형 전극 구조체(110)는 정공 주입층(108) 상에 형성되며, 접촉 저항을 줄이기 위하여 오믹 컨택을 형성하기 위한 컨택 메탈로 작용하는 컨택 메탈 구조체(110A) 및 반사층(110B)을 포함한다. 그리고, 컨택 메탈 구조체(110A)는 접촉 저항이 낮은 니켈(Ni), 팔라듐(Pd), 백금(Pt) 또는 ITO(indium tin oxide)를 포함하는 그룹 중 선택된 어느 하나로 이루어지는 것이 바람직하며, 반사층(110B)은 알루미늄 박막 또는 실버(Ag)와 같이 높은 반사율을 갖는 금속으로 형성하는 것이 바람직하다.
또한, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 p-형 전극 구조체(110)는 컨택의 목적뿐만 아니라 나중에 결합되는 회로 보드로부터 인가되는 전류를 정공 주입층(108)에 균일하게 분배시키기 위한 역할도 수행한다.
한편, 활성층(106)에서는 전자 주입층(104)로부터 주입된 전자들과 정공 주입층(108)으로부터 주입된 정공이 만나게 되고, 이렇게 만나게된 전자와 정공은 낮은 에너지 밴드로 떨어지면서 빛을 발생하게 된다. 이때, 발생된 빛은 p-형 전극 구조체(110)의 반사층(110B)과 컨택 메탈 구조체(110A) 사이의 계면 및 반사층(110B)과 정공 주입층(108) 사이의 계면에서 반사를 하게되고 이렇게 반사된 빛은 정공 주입층(108), 활성층(106), 전자 주입층(104) 및 투명 기판(102)을 순차적으로 빠져나가면서 도 2에서 화살표로 표시된 방향에 따라 빛이 방출된다.
본 발명의 바람직한 제 1 실시예에 따르면, 컨택 메탈 구조체(110A)는 아일런드(island) 형태로 존재하며 그 위를 반사층(110B)이 덮고 있다. 비록, 각각의 아일런드 형태가 직사각형의 모양을 나타내고 있지만 이는 본 발명의 사상을 벗어나지 않는 한 반구형(semispherical) 또는 정사면체의 형태등 그 밖의 다른 형태로 형성이 가능하다고 할 것이다.
도 3b를 참조하면, 본 발명의 바람직한 제 2 실시예에 따른 p-형 전극 구조체(210)는 정공 주입층(208) 상에 형성되며, 접촉 저항을 줄이기 위하여 오믹 컨택을 형성하기 위한 컨택 메탈로 작용하는 컨택 메탈 구조체(210A) 및 반사층(210B)을 포함한다. 그리고, 반사층(210B)은 알루미늄(Al) 또는 실버(Ag)와 같이 높은 반사율을 갖는 금속으로 형성하는 것이 바람직하다.
본 발명의 바람직한 제 2 실시예에 따르면, 컨택 메탈 구조체(210A)는 메시(mesh) 형태로 존재하며 그 위를 반사층(110B)이 덮고 있다. 비록, 메시 형태가 정사각형의 바 모양을 나타내고 있지만 이는 본 발명의 사상을 벗어나지 않는 한 실린더 또는 직사각형의 형태등 그 밖의 다른 형태로 형성이 가능하다.
다시, 도 2를 참조하면, 전자 주입층(104)의 두께가 얇은 제 1 부분 상에 n-형 전극(112)이 형성된다. n-형 전극(112)은 Ti/Al/Pt/Au와 같이 메탈이 적층된 전극 구조체로 형성될 수도 있다. 이와 같이, 반도체 발광 부품들이 투명 기판(102) 상에 장착되고 나면, 리드 프레임(lead frame)과 같은 회로 보드(118) 상에 소정의 배선 형태를 이루고 있는 Au 층(116)과 Au 층(116) 상에 형성된 솔더 볼(114)을 구비하는 서브 마운트(submount) 상에 반도체 발광 부품들이 장착된 투명 기판(102)을 정렬한다.
그리고 나서, 플립-칩 본딩을 이용하여 서브 마운트와 반도체 발광 부품들이 장착된 투명 기판(102)을 어셈블리함으로써, 반도체 발광 소자(100)를 완성한다. 비록, 도면에 자세하게 도시하지는 않았지만, p-형 전극 구조체(110) 및 n-형 전극(112) 상에 서브 마운트와의 결합을 위한 본딩 메탈을 형성하는 공정이 추가될 수 있다.
도 4a 내지 도 4f는 본 발명에 따라 팔라듐/실버(Pd/Ag)의 면적비를 변경하면서 형성한 전극 구조체를 설명하기 위한 평면도들이다.
도 4a 내지 도 4f는 본 발명에 따라 형성된 반도체 발광 소자들의 평면도들로서 정공 주입층 상에 메시형 구조체의 팔라듐(Pd)을 대략 3 nm의 두께로 형성한 컨택 메탈층을 나타낸다. 이는 본 발명의 효과를 설명하기 위하여 도 4a에서 도 4f로 가면서 Pd층의 면적과 Ag층의 면적의 비율을 변경해 가면서 실험한 결과를 나타내고 있다.
보다 상세하게 설명하면, 도 4a는 402로 표시한 부분 모두가 Pd층으로 형성한 경우이며, Pd층은 대략 25 Å 내지 35 Å 정도의 두께로 형성한 표준형에 해당한다. 그리고, 도 4b 내지 도 4e는 메시_1 내지 메시_4 영역에 각각 해당하는 것으로서 이들 각각의 (Pd 층의 면적)/(Ag 층의 면적)은 1.25, 0.78, 0.56 및 0.44를 각각 나타내는 경우에 해당한다. 여기서, 도면 부호 400은 Ag로 형성된 반사층을 나타내며, 402는 Pd로 형성된 컨택 메탈층을 나타낸다. 마지막으로, 도 4f는 Pd층이 없이 Ag만을 형성한 경우에 해당한다.
도 5a 및 도 5b는 도 4a 내지 도 4f에 도시된 각각의 메시_1 내지 메시_4에 따른 반도체 발광 소자의 광출력 및 동작전압에 대한 상관 관계를 설명하기 위한 그래프를 각각 나타낸다.
도 5a를 참조하면, 도 4a 내지 도 4f에 도시된 각각의 표준, 메시_1 내지 메시_4 및 Ag 반사층 만을 형성한 경우에 따라 본 발명의 LED의 광출력의 상관 관계를 나타낸다.
도시된 바와 같이, 컨택층으로 Pd 층을 전체적으로 형성한 후 그 위에 Al 반사층을 전체적으로 형성한 표준 구조체의 경우가 휘도가 가장 낮음을 알 수 있다. 전술한 바와 같이, 이러한 현상은 활성층에서 발생된 빛이 Pd 컨택 흡수층과 p-형 전극 사이의 계면에서 반사되어 투명기판 쪽으로 방출되기 때문에, Pd 컨택 흡수층에서 많은 흡수가 발생하기 때문이다.
본 발명의 바람직한 실시예에 따르면, Pd 메시 컨택 메탈층과 Ag 반사층을 조합한 경우에는 휘도가 10% 이상이 향상됨을 보여줌을 알 수 있다. 또한, Ag 반사층 면적대비 Pd 메시의 면적이 감소함에 따라 휘도가 점진적으로 증가함을 알 수 있다. 한편, 표준형의 경우에 가장 낮은 휘도를 갖고 Ag 반사층 만을 형성한 경우에 가장 높은 휘도를 나타냄을 알 수 있다.
한편, 도 5b를 참조하면, 도 4a 내지 도 4f에 도시된 각각의 표준, 메시_1 내지 메시_4 및 Ag 반사층 만을 형성한 경우에 따른 본 발명의 LED의 동작 전압의 상관 관계를 나타낸다.
LED의 휘도는 Pd 메시 컨택 메탈층은 형성하지 않고 Ag 반사층을 형성한 경우에, 도 5a 도시한 바와 같이, 가장 높지만, 이 경우에 동작전압은 5b에서 도시한 바와 같이 4.99 V를 넘어서게 되어 실제 소자에 적용할 수 있는 3,80 V 이내의 수준을 크게 초과하게 된다. 이는, Ag 반사층만을 사용하게 되면 접촉 저항이 높아지게 되기 때문이다.
하지만, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 Pd 메시 컨택 메탈층과 Ag 반사층을 조합한 경우에는 종래의 전극 구조체에 비하여 동작 전압이 크게 높지 않으면서도 높은 반사도를 제공하게 되어 LED 광출력을 유지할 수 있다. 또한, 본 발명에 따르면, Pd 메시 컨택 메탈층의 면적을 제어하여 동작 전압 및 p-형 전극의 반사도를 동시에 제어함으로써 LED의 광효율을 최적화시킬 수 있음을 알 수 있다.
상기한 바와 같이 구성된 본 발명의 바람직한 실시예에 따르면, p-형 반도체로 이루어진 정공 주입층 상에 접촉하는 컨택 메탈의 면적을 조절함으로써 컨택 메탈층에 의한 빛의 흡수를 감소시키면서도 반도체 발광 소자의 광효율을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.
본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나, 이는 예시적인 것에 불구하며, 당해 분야에서 통상적인 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 상세한 설명의 범위 내로 정해지는 것이 아니라 첨부된 특허청구범위로 정해져야 할 것이다.
도 1은 종래의 질화물 반도체 발광 소자의 구조를 설명하기 위한 개략적인 단면도이다.
도 2는 본 발명의 바람직한 실시예에 따라 제조된 반도체 발광 소자를 설명하기 위한 단면도이다.
도 3a 및 도 3b는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 도 2에 도시한 반도체 발광 소자에 사용되는 전극 구조를 설명하기 위한 단면도들이다.
도 4a 내지 도 4f는 본 발명에 따라 팔라듐/실버(Pd/Ag)의 면적비를 변경하면서 형성한 전극 구조를 설명하기 위한 평면도들이다.
도 5a 및 도 5b는 도 4a 내지 도 4f에 도시된 각각의 메시들에 따른 반도체 발광 소자의 광출력 및 동작전압에 대한 상관 관계를 설명하기 위한 그래프를 각각 나타낸다.
*도면의 주요 부분에 대한 부호설명*
100: 반도체 발광 소자102: 사파이어 기판
104: 전자 주입층 106: 활성층
108: 정공 주입층 110: p-형 전극
112: n-형 전극 114: 솔더 볼
116: Au 층 118: 서브 마운트

Claims (17)

  1. 투명 기판;
    상기 투명 기판 상에 형성된 전자 주입층;
    상기 전자 주입층의 제 1 영역 상에 형성된 활성층;
    상기 활성층 상에 형성된 정공 주입층;
    상기 정공 주입층 상에 형성되며 높은 반사율과 낮은 접촉 저항을 동시에 제공할 수 있는 제 1 전극 구조체;
    상기 전자 주입층의 제 2 영역 상에 형성된 제 2 전극 구조체; 및
    상기 제 1 및 상기 제 2 전극 구조체와 전기적으로 결합된 회로 기판:을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 전극 구조체가:
    접촉 저항이 낮은 니켈, 팔라듐, 백금 또는 ITO를 포함하는 그룹 중 선택된 어느 하나로 이루어진 컨택 메탈 구조체; 및
    알루미늄 박막 또는 실버를 포함하는 반사층:을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 컨택 메탈 구조체가 아일런드 형으로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자.
  4. 제 2 항에 있어서,
    상기 컨택 메탈 구조체가 메시 형으로 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자.
  5. 제 3 항 또는 제 4 항에 있어서,
    상기 컨택 메탈 구조체의 면적이 상기 반사층의 면적에 대비하여 1 % 내지 90 %의 비율이 되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 컨택 메탈 구조체의 두께가 200 nm 이하인 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 반사층이 반사도가 높은 알루미늄(Al) 또는 실버(Ag)로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 투명 기판이 사파이어로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 정공 주입층이 p-형 GaN으로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자.
  10. 활성층 및 상기 활성층의 일면에 형성된 정공 주입층을 구비하는 반도체 발광 소자에 사용되는 전극 구조체에 있어서,
    상기 활성층과 마주하도록 상기 정공 주입층의 일면에 형성되며 접촉 저항이 낮은 니켈, 팔라듐, 백금 또는 ITO를 포함하는 그룹 중 선택된 어느 하나로 이루어진 컨택 메탈 구조체; 및
    상기 컨택 메탈 구조체 상에 형성되는 반사층:을 포함하는 것을 특징으로 하는 전극 구조체.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 컨택 메탈 구조체가 아일런드 형으로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소장에 사용되는 전극 구조체.
  12. 제 10 항에 있어서,
    상기 컨택 메탈 구조체가 메시 형으로 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자에 사용되는 전극 구조체.
  13. 제 11 항 또는 제 12 항에 있어서,
    상기 컨택 메탈 구조체의 면적이 상기 반사층의 면적에 대비하여 1 % 내지 90 %의 비율이 되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자에 사용되는 전극 구조체.
  14. 제 13 항에 있어서,
    상기 컨택 메탈 구조체의 두께가 대략 200 nm 이하인 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자에 사용되는 전극 구조체.
  15. 제 10 항에 있어서,
    상기 반사층이 반사도가 높은 알루미늄 또는 실버(Ag)으로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자에 사용되는 전극 구조체.
  16. 제 10 항에 있어서,
    상기 정공 주입층이 p-형 GaN으로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자에 사용되는 전극 구조체.
  17. 제 10 항에 있어서,
    상기 전자 주입층이 두꺼운 영역과 얇은 영역으로 형성되며, 상기 전극 구조체는 p-형 전극 구조체로서 두꺼운 영역 상에 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소장에 사용되는 전극 구조체.
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