KR20040104161A

KR20040104161A - 포토레지스트 제거용 씬너 조성물

Info

Publication number: KR20040104161A
Application number: KR1020030035683A
Authority: KR
Inventors: 윤석일; 전우식; 박희진
Original assignee: 주식회사 동진쎄미켐
Priority date: 2003-06-03
Filing date: 2003-06-03
Publication date: 2004-12-10
Also published as: KR100951364B1; JP2007531898A; TWI309757B; CN1799007A; WO2004107057A1; JP4512092B2; TW200504205A; CN100578367C

Abstract

본 발명은 반도체 소자 및 액정 디스플레이 소자의 제조공정에서 사용되는 포토레지스트 제거용 씬너(thinner) 조성물에 관한 것으로, 보다 상세하게는 a) 프로필렌글리콜 모노알킬에테르(propyleneglycol monoalkyl ether); b) 알킬 에타노에이트(alkyl ethanoate); 및 c) 씨클로 케톤(cyclo ketone)을 포함하는 씬너 조성물에 관한 것이다. 본 발명의 씬너 조성물은 d) 폴리에틸렌옥사이드계 계면활성제, 및 e) 플루오리네이티드 아크릴릭 코폴리머로 이루어진 군으로부터 1 종 이상 선택되는 화합물을 더욱 포함할 수 있다.

본 발명에 따른 포토레지스트 제거용 씬너 조성물은 액정 디스플레이 디바이스와 유기EL의 제조에 사용되는 기판 글래스 기판, 및 반도체 제조에 사용되는 웨이퍼의 가장자리와 후면 부위에 사용되어 불필요하게 부착되어진 포토레지스트를 단시간에 효율적으로 제거할 수 있고, 계면의 단차를 줄이며 특히 포토레지스트에 대한 계면침투현상을 억제할 수 있어 다양한 공정에 적용 가능하게 하고 경제적인 사용은 물론, 제조공정의 간편화 및 생산수율을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.

Description

포토레지스트 제거용 씬너 조성물{THINNER COMPOSITION FOR REMOVING PHOTOSENSITIVE RESIN}

본 발명은 포토레지스트 제거용 씬너 조성물에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 반도체 소자 및 액정 디스플레이 디바이스 제조 공정에서 포토레지스트를 도포한 후 불필요한 포토레지스트를 효과적으로 제거할 수 있는 씬너 조성물에 관한 것이다.

TFT-LCD 제조공정 중 TFT-어레이(array) 공정은 포토리소그래피 공정을 사용하는 실리콘(Silicon) 반도체 제조공정과 유사하다. 포토리소그래피 공정은 기판에 감광막을 도포하고, 포토마스크의 패턴을 전사 및 현상하고, 전사된 패턴에 따라 적절하게 깎아내는 식각 공정을 통하여 전자 회로를 구성하는 공정이다.

포토리소그래피 공정을 통해 궁극적으로 TFT-LCD를 제작하기 위해서 기판 상에 TFT-어레이를 형성시킨다. 이런 공정 중에 씬너 조성물에 의한 포토레지스트 계면 사이로의 침투현상으로 인해 에칭이나 이온주입 등과 같은 후속공정에서 여러 가지 불량을 발생시킬 수 있으며, 이에 따라 전체 공정의 수율 저하를 초래하게 된다.

이러한 포토레지스트 계면 사이로의 침투현상은 베이크 공정을 거친 후 노광시 디포커스(defocus)의 원인이 되고, TFT-LCD 제조공정의 수율을 저하시킨다.

원심력이 작용하는 실리콘 웨이퍼의 에지 부위 린스(rinse)와 달리 TFT-LCD의 유리 기판이 사각이므로 회전 EBR(edge bead removing, 에지 부위의 포토레지스트 제거) 작업이 불가능하다. 또한, 유리 기판은 고정되어 있고 분사구가 유리 기판의 4면을 따라 직선운동을 하기 때문에 포토레지스트가 도포된 경우에는 휘발속도가 저하되면 에지 부위에 생긴 포토레지스트를 제거한 후에라도 포토레지스트의 끝단 부분에서 계면 사이로의 침투현상이 발생된다. 이는 실리콘 웨이퍼에서 고속으로 회전시키면, 휘발속도가 느린 씬너라도 포토레지스트 끝 부분에서 계면 내로의 침투현상이 줄어드는 회전 EBR 작업과는 다르다. 즉, LCD 유리 기판은 고정되어 있고, 씬너 분사구만 움직이므로 종래의 용해속도가 큰 씬너를 사용하게 되면 에지 부위의 린스시 포토레지스트 계면 사이로의 침투현상이 발생해 전체 공정의 수율을 떨어뜨리게 된다.

종래의 씬너 조성물들을 살펴보면 다음과 같다.

일본 공개 특허공보 소63-69563호에는 씬너를 기판의 주도부, 연도부, 배면부의 불필요한 포토레지스트에 접촉시켜 제거하는 방법이 개시되어 있으며, 세정 제거용 유기 용제의 예를 들면 셀로솔브, 셀로솔브 아세테이트, 프로필렌글리콜 에테르, 프로필렌글리콜 에테르 아세테이트 등의 에테르 및 에테르 아세테이트류, 아세톤, 메틸에틸케톤, 메틸이소부틸케톤, 씨클로 헥사논 등의 케톤류, 메틸 락테이트, 에틸 락테이트, 메틸 아세테이트, 에틸 아세테이트, 부틸 아세테이트 등의 에스테르류를 씬너로 사용한다. 또한, 일본 공개 특허공보 평4-49938호에는 프로필렌글리콜 메틸에테르아세테이트의 씬너로서의 사용이 개시되어 있으며, 일본 공개 특허공보 평4-42523호에는 알킬알콕시 프로피오네이트의 씬너로서의 사용 방법 등이 개시되어 있다.

즉, 이들 용제들을 위와 같이 단독으로 사용하거나, 물성 개선 및 안전성의 이유로 단일 용제들을 혼합하여 사용하기도 하였다. 이러한 용제류는 기판은 고정된 채 직선 EBR을 하는 TFT-LCD의 제조공정과는 달리 초기 휘발속도가 높지 않더라도 회전하면서 EBR 작업을 실행하는 반도체 소자류 제작과정에서 회전속도를 높여 사용되어 왔다.

그러나, 기존에는 유리 기판 EBR시 포토레지스트 계면 사이로의 침투현상에 대해 대처를 못하는 문제점이 있었다.

본 발명은 상기와 같은 종래 기술의 문제점을 고려하여, 액정 디스플레이 디바이스의 제조에 사용되는 기판, 특히 유기 EL용 대형 글라스 기판의 가장자리에서의 포토레지스트에 대한 계면 침투현상을 방지하고, 단시간에 효율적으로 제거할 수 있는 포토레지스트 제거용 씬너 조성물을 제공하는 것을 목적으로 한다.

상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 a) 프로필렌글리콜 모노알킬에테르; b) 알킬 에타노에이트; 및 c) 씨클로 케톤을 포함하는 포토레지스트 제거용 씬너 조성물을 제공한다.

바람직하기로는, 상기 씬너 조성물은 a) 프로필렌글리콜 모노알킬에테르 10 내지 90 중량부; b) 알킬 에타노에이트 10 내지 70 중량부; 및 c) 씨클로 케톤 1 내지 70 중량부를 포함한다.

본 발명의 씬너 조성물은 d) 플루오리네이티드 아크릴릭 코폴리머; 및 e) 폴리에틸렌옥사이드계 축합물로 이루어진 군으로부터 1 종 이상 선택되는 화합물을 더욱 포함할 수 있다.

바람직하기로는, 상기 씬너 조성물은 a) 프로필렌글리콜 모노알킬에테르 10 내지 90 중량부; b) 알킬 에타노에이트 10 내지 70 중량부; c) 씨클로 케톤 1 내지 70 중량부; 및 d) 플루오리네이티드 아크릴릭 코폴리머 0.001 내지 1 중량부를 포함할 수 있다.

또한, 상기 씬너 조성물은 a) 프로필렌글리콜 모노알킬에테르 10 내지 90 중량부; b) 알킬 에타노에이트 10 내지 70 중량부; c) 씨클로 케톤 1 내지 70 중량부; 및 e) 폴리에틸렌옥사이드계 축합물 0.001 내지 1 중량부를 포함할 수 있다.

또한, 상기 씬너 조성물은 a) 프로필렌글리콜 모노알킬에테르 10 내지 90 중량부; b) 알킬 에타노에이트 10 내지 70 중량부; c) 씨클로 케톤 1 내지 70 중량부; d) 플루오리네이티드 아크릴릭 코폴리머 0.001 내지 1 중량부; 및 e) 폴리에틸렌옥사이드계 축합물 0.001 내지 1 중량부를 포함할 수 있다.

이하에서 본 발명을 상세하게 설명한다.

본 발명은 포토레지스트에 대한 계면 침투현상을 억제할 수 있어 반도체 소자 및 액정 디스플레이 소자의 제조공정에서 사용되기에 효과적인 포토레지스트 제거용 씬너(thinner) 조성물을 제공하는 특징이 있다.

이러한 본 발명의 포토레지시트 제거용 씬너 조성물은 a) 프로필렌글리콜 모노알킬에테르; b) 알킬 에타노에이트; 및 c) 씨클로 케톤을 포함한다.

본 발명의 포토레지스트 제거용 씬너 조성물에서 용제로 사용되는 프로필렌글리콜 모노알킬에테르, 알킬 에타노에이트, 및 씨클로 케톤은 각각 반도체 등급의 극히 순수한 것을 선택하여 사용할 수 있으며, VLSI 등급에서는 0.1 ㎛ 수준으로 여과한 것을 사용하는 것이 바람직하다.

본 발명의 씬너 조성물에 있어서, a) 프로필렌글리콜 모노알킬에테르는 알킬기의 탄소수가 1 내지 5인 것이 사용가능하며, 구체적 예로는 프로필렌글리콜 모노메틸 에테르, 프로필렌글리콜 모노에틸에테르, 프로필렌글리콜 모노프로필에테르, 및 프로필렌글리콜 모노부틸에테르로 이루어진 군으로부터 1 종 이상 선택되는 것이 바람직하다. 이중에서, 고분자에 대한 용해도가 탁월한 프로필렌글리콜 모노메틸에테르를 사용하는 것이 더욱 바람직하다.

상기 프로필렌글리콜 모노메틸에테르는 공기중에 노출시 인체에 대한 안전성이 높으며, 물질대사 측면에서도 인체에서 급속히 프로필렌글리콜과 알코올로 분해되어 안전하다. 독성실험에서 마우스에 구강투여로 인한 50 % 치사량을 나타내는 LD₅₀(mouse)은 4.4 g/kg을 나타내며 가수분해에 의하여 빠르게 분해된다. 그 물리적 성질은 끓는점 132.8 ℃, 인화점 (클로즈드 컵방식으로 측정) 32 ℃, 점도(25 ℃에서) 1.86 cps, 표면장력 26.5 dyne/㎠, 및 용해도 파라미터가 10.4 이다.

상기 프로필렌글리콜 모노알킬에테르의 함량은 전체 조성물에 대하여 10 내지 90 중량부로 사용하는 것이 바람직하다. 상기 프로필렌글리콜 모노알킬에테르의 함량이 10 중량부 미만이면 감광막의 용해력이 저하되는 문제가 있고, 90 중량부를 초과하면 휘발력이 저하되어 드라이후 씬너가 표면에 남게되는 문제가 있다.

또한, 본 발명의 씬너 조성물에 사용되는 b) 알킬 에타노에이트는 알킬기의 탄소수가 1 내지 4 인 것이 바람직하며, 구체적 예를 들면 메틸 에타노에이트, 에틸 에타노에이트, 이소프로필 에타노에이트, 노말프로필 에타노에이트, 및 부틸 에타노에이트로 이루어진 군으로부터 1 종 이상 선택되는 것이 바람직하다. 이중에서 이소프로필 에타노에이트, 노말프로필 에타노에이트, 또는 부틸 에타노에이트와 같은 용제를 사용하는 것이 더욱 바람직하며, 이들은 점도가 비교적 낮으면서 적당한 휘발도를 가지고 있다. 이러한 알킬 에타노에이트의 사용량은 전체 조성물에 대하여 10 내지 70 중량부로 사용하는 것이 바람직하다. 상기 알킬 에타노에이트의 함량이 10 중량부 미만이면 씬너의 휘발력이 떨어져 드라이 후 씬너가 기판에 남는 문제가 있고, 70 중량부를 초과하면 씬너의 용해력이 저하되는 문제가 있다.

이때, 상기 알킬 에타노에이트의 하나인 부틸 에타노에이트의 경우 각종 수지에 대한 용해도가 우수하며 특히 표면장력이 낮고, 휘발성이 탁월하여 씬너 조성물에 소정의 함량만 첨가해도 우수한 계면 특성을 발휘할 수 있다. 상기 부틸 에타노에이트는 독성실험에서 마우스에 구강투여로 인한 50 % 치사량을 나타내는 LD₅₀(mouse)은 7.0 g/kg을 나타내고, 물리적 성질은 끓는점 126.1 ℃, 인화점(클로즈드 컵방식으로 측정) 23 ℃, 점도(25 ℃에서) 0.74 cps, 표면장력이 25 dyne/㎠이다.

본 발명의 씬너 조성물에 있어서, c) 씨클로 케톤은 씨클로 펜타논, 씨클로 헥사논, 시클로 헵타논 등이 있다. 이주에서 각종 수지에 대한 용해력이 우수한 씨클로 헥사논을 사용하는 것이 더욱 바람직하다.

상기 씨클로 케톤의 함량은 전체 조성물에 대하여 1 내지 70 중량부로 사용한다. 상기 씨클로 케톤의 함량이 1 중량부 미만이면 여러 감광막을 포괄적으로 제거하는 능력이 떨어지는 문제가 있고, 70 중량부를 초과하면 특정 감광막에 대한 용해력 저하의 문제가 있다.

또한, 본 발명의 씬너 조성물은 d) 플루오리네이티드 아크릴릭 코폴리머; 및 e) 폴리에틸렌옥사이드계 축합물로 이루어진 군으로부터 1 종 이상 선택되는 화합물을 더욱 포함할 수 있다.

본 발명의 씬너 조성물에 있어서, d) 플루오리네이티드 아크릴릭 코폴리머는 물과 각종 용제에 우수한 용해성을 지니며, 상용화된 제품으로는 다이니뽄잉크 앤드 케미칼사의 '메가페이스 R-08'을 들 수 있다.

상기 플루오리네이티드 아크릴릭 코폴리머의 함량은 전체 조성물에 대하여 0.001 내지 1 중량부가 바람직하다. 상기 이 코폴리머의 함량이 0.001 중량부 미만이면 포토레지스트에 대한 용해력이 현저히 저하되고, 1 중량부를 초과하게 되면 계면에서 동적 표면장력을 낮추어 우수한 제거성능을 나타내지만 반면 거품이 심하게 발생하여 사용시 액량을 감지하는 센서의 오동작을 유발시킬 수 있다.

상기 플루오리네이티드 아크릴릭 코폴리머는 중량평균분자량이 3000 내지 10000인 것을 사용하며, 인화점(오픈컵 방식으로 측정) 200 ℃, 비중 1.10 g/ml(25℃), 점도(20 ℃) 2100 cst, 표면장력이 에틸 락테이트상에서 24.0 mN/m(Wilhermy method)을 나타내며 에틸 락테이트에 희석 혼합하여 사용하는 것이 바람직하다.

또한, 본 발명의 씬너 조성물에 있어서, e) 폴리에틸렌옥사이드계 축합물은 비이온계 계면활성제로 작용하며, 구체적인 예는 직쇄 또는 측쇄배열의 탄소수 6 내지 12의 알킬기를 갖는 알킬페놀과 이 알킬페놀 1몰 당 5 내지 25 몰의 에틸렌 옥사이드를 축합시킨 축합생성물이 포함된다. 여기에서 알킬페놀의 알킬치환체의 예를 들면, 중합시킨 프로필렌, 디이소부틸렌, 옥텐 또는 노넨으로부터 유도된 것일 수 있다. 이런 유형의 화합물의 예로는 노닐페놀 1 몰당 에틸렌 옥사이드 약 9.5 몰을 축합시킨 노닐페놀, 페놀 1 몰당 약 12 몰의 에틸렌 옥사이드를 축합시킨 도데실페놀, 페놀 1 몰당 약 15 몰의 에틸렌 옥사이드를 축합시킨 디이소옥틸페놀이 등이 있다. 이들은 물과 각종 용제에 우수한 용해성을 지니며 씬너가 포토레지스트와 만날 때 계면에서 그 단차를 줄여주는 역할을 하며, 상용화된 제품으로는 동남합성사의 비이온성 모노폴 시리즈 계면활성제를 들 수 있다.

상기 비이온성 계면활성제로 사용되는 폴리에틸렌옥사이드계 축합물의 함량은 전체 조성물에 대하여 0.001 내지 1 중량부인 것이 바람직하며, 이때 그 함량이 0.001 중량부 미만이면 기판의 끝단에서의 씬너의 휘발성과 세정력이 현저히 저하되고, 1 중량부를 초과하게 되면 거품이 심하게 발생하여 사용이 불편하다.

본 발명은 포토레지스트를 도포기를 사용하여 도포하고 기판의 에지와 후면부위에 발생된 불필요한 포토레지스트를 상기 씬너 조성물에 적하 혹은 노즐을 통한 스프레이 방식으로 분사하여 제거한다. 본 발명의 씬너 조성물의 적하 혹은 분사량은 사용하는 감광성 수지의 종류, 막의 두께에 따라 조절이 가능하며, 적정량은 5 내지 100 cc/min의 범위에서 선택하여 사용하는 것이 바람직하다. 본 발명은 상기와 같이 씬너 조성물을 분사한 후 후속 포토리소그래피 공정을 거쳐 미세 회로 패턴을 형성할 수 있다.

이하, 실시예와 비교예를 통하여 본 발명을 더욱 상세하게 설명한다. 단, 실시예는 본 발명을 예시하기 위한 것이지 이들만으로 한정하는 것이 아니다.

[실시예]

본 실시예에서 사용된 기판 시편은 하기와 같이 준비하였다.

직경이 8 인치인 산화 실리콘 기판을 사용하였다. 이들 기판을 먼저 각각 과산화수소/황산 혼합물을 함유하는 2개의 욕에서 세정(각각의 욕에서 5분 동안 침잠시킴)한 다음 초순수로 헹구었다. 이 과정은 주문 제작한 세정 설비에서 진행하였다. 이후 이들 기판을 스핀 드라이어(VERTEQ사 제품, 모델 SRD 1800-6)에서 회전 건조시켰다. 이어서 기판의 상부면에 각각의 포토레지스트를 일정 두께로 피복하였다. 포토레지스트를 도포하기 위해 회전 피복기 (고려반도체사제품, 모델 EBR TRACK)를 사용하였다.

상기 회전 피복조작에 있어서 포토레지스트 10 cc를 정지된 기판의 중앙에 적하하였다. 이후에 회전 피복기를 사용하여 500 rpm에서 3 초간 포토레지스트를 분포시켰다. 이후에 기판을 약 2000 내지 4000 rpm 정도의 회전속도로 가속시켜각 포토레지스트를 소정의 두께로 조정하였다. 이 속도에서 회전 시간은 약 20 내지 30 초이다.

실시예 1 ~ 5 및 비교예 1 ~ 5

하기 표 1과 같은 조성과 함량을 가지는 실시예 1 내지 5 및 비교예 1 내지 5의 씬너 조성물을 각각 제조하였다.

구분(중량부)	PGME¹	PGMEA²	n-PE³	CXN⁴	GBL⁵	OP-10156⁶	R-08⁷
실시예	1	60	-	30	10	-	-	-
	2	20	-	10	70	-	-	-
	3	80	-	10	10	-	-	-
	4	10	-	70	20	-	-	-
	5	60	-	30	10	-	-	0.01
	6	60	-	30	10	-	0.5	-
	7	60	-	30	10	-	0.5	0.01
비교예	1	-	60	30	10	-	-	-
	2	60	-	-	10	30	-	-
	3	70	30	-	-	-	-	-
	4	50	-	50	-	-	-	-
	5	50	-	-	50	-	-	0.01

주)

1. PGME: 프로필렌글리콜 모노메틸 에테르(Propyleneglycol monomethyl ether),

2. PGMEA: 프로필렌글리콜 모노에틸 에테르 아테이트(Propyleneglycol monoethyl ether acetate),

3. n-PE: 노말프로필 에타노에이트(n-propyl ethanoate),

4. CXN: 씨클로 헥사논(cyclo hexanone),

5. GBL: 감마 부티로 락톤,

6. OP-1015: 옥틸페놀 1몰에 에틸렌 옥사이드 5몰을 축중합시킨 동남합성사의 "모노폴 OP-1015"를 지칭,

7. R-08: 플루오리네이티드 아크릴릭 코폴리머이며 다이니뽄잉크 앤드 케미칼사의 "메가페이스 R-08"을 지칭.

포토레지스트에 대한 씬너 조성물의 불필요 포토레지스트 제거 실험

8 인치 산화 실리콘 기판에 각각의 포토레지스트를 도포한 후 상기 실시예 1 내지 7 및 비교예 1 내지 5의 씬너 조성물로 에지 부위의 불필요한 포토레지스트를 제거하는 실험(Edge Bead Removing 실험 : 이하 EBR 실험이라 함)을 진행하였다. EBR 실험 또한 기판에 포토레지스트를 도포할 때 사용한 것과 동일한 회전 피복기를 사용하였다.

하기 표 2에 나타낸 포토레지스트가 피복된 기판에 EBR 노즐을 통해 상기 표 1에 나타낸 각 씬너 조성물을 분사하여 하기 표 3의 조건으로 포토레지스트를 제거하였다. 각 씬너 조성물들은 압력계가 장치된 가압통에서 공급되며, 이때의 가압 압력은 1.0 kgf이고, EBR노즐에서 나오는 씬너 조성물의 유량은 10 ~ 20 cc/min으로 하였다.

각 포토레지스트에 대한 EBR 실험 평가는 하기 표 4에 나타내었다.

포토레지스트 종류 및 막두께

구분	조성물종류	조성물제품명	막두께(㎛)
포토레지스트	g-라인형 포지티브형	DTFR-2000	1.5
	g-라인형 포지티브형	DNR-H100PL	4
	유이 EL용 PI	DL-1003	1.5

EBR 실험 조건

구 분	회전속도(rpm)	시간(sec)
분배(dispense) 조건	500	3
스핀코팅	포토레지스트 두께에 따라 조절
EBR 조건	400	7
	400	10
	500	7
	500	10

포토레지스트에 대한 EBR 실험 평가

구 분

EBR 조건

실시예

비교예

1

2

3

4

5

6

7

1

2

3

4

5

g-라인형 포지티브형

400 rpm 7sec

○

△

○

◎

○

◎

△

×

△

×

500 rpm 7sec

◎

○

◎

△

○

△

500 rpm 10sec

◎

○

◎

○

△

○

△

g-라인형네가티브형

400 rpm 7sec

○

△

○

◎

○

◎

△

×

△

×

500 rpm 7sec

○

◎

△

×

△

500 rpm 10sec

◎

○

◎

○

△

○

△

유기 EL형 PI

300 rpm 10sec

○

△

○

◎

○

◎

△

×

△

×

40 rpm 10sec

○

◎

△

×

△

×

500 rpm 10sec

◎

○

◎

○

△

○

△

상기 표 4에서, 평가기호 '◎'는 EBR후 포토레지스트에 대한 계면 침투현상이 없는 것을 나타낸 것이며, '○'는 EBR후 포토레지스트에 대한 계면 침투현상이 80% 이상 양호한 직선상태인 것을 나타낸 것이며, 평가기호 '△'는 EBR후 포토레지스트에 대한 계면 침투현상이 50% 이상 양호한 직선상태인 것을 나타내며, 평가기호 '×'는 EBR후 침투현상이 20% 이상 양호하며 에지 부위에 막의 테일링(tailing) 현상이 발생한 것을 나타낸 것이다.

상기 표 4에 나타난 바와 같이, 본 발명에 따른 실시예 1 내지 7의 씬너 조성물들은 모든 포토레지스트에 대하여 우수한 EBR 성능(포토레지스트에 대한 침투현상 억제)을 나타내었다. 특히, 실시예 5 및 7의 씬너 조성물의 경우 매우 우수한 EBR 성능을 나타내고, 포토레지스트에 대한 침투현상이 억제되었다. 이로써, 본 발명과 같이 폴리에틸렌옥사이드계 축합물, 플루오리네이티드 아크릴릭 코폴리머, 또는 이들의 혼합물을 포함하는 경우 포토레지스트 제거성능이 우수함을 알 수 있다.

반면, 비교예 1 내지 5의 씬너 조성물은 포토레지스트에 대한 침투현상을 억제하는데 있어서 실시예들에 비해 성능이 매우 떨어졌다. 이는 추후 공정을 진행하면서 반도체 소자 및 액정 디스플레이 소자류의 제조 수율을 떨어뜨리는 요인으로 작용한다.

이상에서 살펴본 바와 같이, 본 발명에 따른 포토레지스트 제거용 씬너 조성물은 액정 디스플레이 디바이스의 제조에 사용되는 기판, 특히 유기 EL용 대형 글라스 기판의 가장자리와 후면 부위에 사용되어 불필요하게 부착되어진 포토레지스트를 단시간에 효율적으로 제거할 수 있고, 계면의 단차를 줄이며 특히 포토레지스트에 대한 계면 침투현상을 억제할 수 있어 다양한 공정에 적용 가능하게 하여 경제적인 사용은 물론, 제조공정의 간편화 및 생산수율을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.

Claims

a) 프로필렌글리콜 모노알킬에테르;

b) 알킬 에타노에이트; 및

c) 씨클로 케톤

을 포함하는 포토레지스트 제거용 씬너 조성물.
제 1항에 있어서,

a) 프로필렌글리콜 모노알킬에테르 10 내지 90 중량부;

b) 알킬 에타노에이트 10 내지 70 중량부; 및

c) 씨클로 케톤 1 내지 70 중량부

를 포함하는 씬너 조성물.
제 1항에 있어서,

상기 조성물이 d) 플루오리네이티드 아크릴릭 코폴리머; 및 e) 폴리에틸렌옥사이드계 축합물로 이루어진 군으로부터 1 종 이상 선택되는 화합물을 더욱 포함하는 씬너 조성물.
제 1항에 있어서,

a) 프로필렌글리콜 모노알킬에테르 10 내지 90 중량부;

b) 알킬 에타노에이트 10 내지 70 중량부;

c) 씨클로 케톤 1 내지 70 중량부; 및

d) 플루오리네이티드 아크릴릭 코폴리머 0.001 내지 1 중량부

를 포함하는 씬너 조성물.
제 1항에 있어서,

a) 프로필렌글리콜 모노알킬에테르 10 내지 90 중량부;

b) 알킬 에타노에이트 10 내지 70 중량부;

c) 씨클로 케톤 1 내지 70 중량부; 및

e) 폴리에틸렌옥사이드계 축합물 0.001 내지 1 중량부

를 포함하는 씬너 조성물.
제 1항에 있어서,

a) 프로필렌글리콜 모노알킬에테르 10 내지 90 중량부;

b) 알킬 에타노에이트 10 내지 70 중량부;

c) 씨클로 케톤 1 내지 70 중량부;

d) 플루오리네이티드 아크릴릭 코폴리머 0.001 내지 1 중량부; 및

e) 폴리에틸렌옥사이드계 축합물 0.001 내지 1 중량부

를 포함하는 씬너 조성물.
제 1항에 있어서,

상기 프로필렌글리콜 모노알킬에테르가 프로필렌글리콜 모노메틸에테르, 프로필렌글리콜 모노에틸에테르, 프로필렌글리콜 모노프로필에테르, 및 프로필렌글리콜 모노부틸에테르로 이루어진 군으로부터 1 종 이상 선택되는 씬너 조성물.
제 1항에 있어서,

상기 알킬 에타노에이트가 메틸 에타노에이트, 에틸 에타노에이트, 이소프로필 에타노에이트, 노말프로필 에타노에이트, 및 부틸 에타노에이트로 이루어진 군으로부터 1 종 이상 선택되는 씬너 조성물.
제 1항에 있어서,

상기 씨클로 케톤이 씨클로 펜타논, 씨클로 헥사논, 및 시클로 헵타논으로 이루어진 군으로부터 1 종 이상 선택되는 씬너 조성물.
제 3항에 있어서,

상기 플루오리네이티드 아크릴릭 코폴리머는 중량평균분자량이 3000 내지 10000인 씬너 조성물.
제 3항에 있어서,

상기 폴리에틸렌옥사이드계 축합물이 직쇄 또는 측쇄배열의 C₆내지 C₁₂의 알킬기를 가지고 있는 알킬페놀 및 이러한 알킬페놀 1 몰당 5 내지 25 몰의 에틸렌 옥사이드의 축합생성물인 씬너 조성물.