KR20040084684A - 반도체 열처리 장치 - Google Patents

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Abstract

대구경화, 대처리량화, 파티클 오염 방지 등의 요구에 대응하여, 사용하는 외부 튜브(외관) 등의 형상, 사용에 제약이 적고 내주에서 지지하지 않아도 외부 튜브의 내구성이 충분하며, 또한 시일성이 우수한 반도체 열처리 장치를 제공한다.
탄화규소질의 외관(72), 외관(72)을 하부에서 기밀하게 지지하는 기대(基臺)(65), 이 기대(65)의 중앙부 개구에 대하여 개폐 가능한 덮개체(66), 및 외관(72)의 외주면 등을 둘러싸고 내측에 히터(64)를 형성한 노벽(63)을 구비한 반도체 열처리 장치(60)로서, 외관(72)과 기대(65) 사이에 환형 시일 부재(68)와 환형 지지부재(92)를 개재시키고, 또한 지지부재(92)의 유효 열전달 계수가 50∼2000 W/㎡·K 인 것을 특징으로 하는 반도체 열처리 장치(60).

Description

반도체 열처리 장치 {SEMICONDUCTOR THERMAL PROCESSING APPARATUS}
본 발명은 반도체 웨이퍼의 표면에 예를 들어 폴리실리콘막이나 질화막 등의 비산화막이나 산화막을 형성하기 위한 반도체 열처리 장치에 관한 것이다.
종래 반도체 열처리용 저압 CVD 장치나 고온 열처리로에 사용되는 외부 튜브나 내부 튜브로는, 고순도인 것을 입수하기 쉽고, 내열성이 있으며, 열팽창률이 작으므로 발생 열응력이 작고, 게다가 열전도율이 작아서 단열성이 우수하다는 등의 이유로 석영 유리가 일반적으로 사용되어 왔다. 최근 퇴적막이 폴리실리콘막이나 질화막인 경우, 석영 유리와의 열팽창률 차에 의해 장치내의 퇴적막이 박리되어 웨이퍼의 오염원이 되는 파티클이 발생하는 문제나 추가적인 내열성의 요구로부터 탄화규소로 제조한 외부 튜브(일본 공개특허공보 평9-251991호(제 1∼7 페이지, 도 1) 및 동공보 평10-195657호(제 1∼8 페이지, 도 1∼7, 특히 도 7) 참조) 등을 사용한 반도체 열처리 장치가 제안되어 있다.
그러나 탄화규소는 석영 유리에 비하여 열팽창률과 열전도율이 모두 크기 때문에, 일본 공개특허공보 평10-195657호의 도 7(본건의 도 4)에 나타낸 바와 같이 주로 A, B, C 의 3 곳에 인장 응력이나 굽힘 응력이 발생하기 때문에 잘 부서진다는 문제가 있다. 그리고, 열전도율이 크기 때문에 외부 튜브와 기대(基臺) 사이에 시일 부재로서 통상 개재되는 O 링이 눌어붙기 쉬워, 그로 인해 가스 시일성이 손상되기 쉽다는 문제도 있다.
이 대책으로서, 열원으로부터 O 링을 물리적으로 떨어뜨리기 위하여 탄화규소질 외부 튜브의 하면과 히터의 최하단 사이의 거리를 200㎜ 이상으로 하는 방법(이하, 대책 A 라 함)이 제안되어 있다(일본 공개특허공보 평9-251991호 참조). 다른 대책으로서 탄화규소질 외부 튜브의 플랜지부와 기대 사이에 시일링을 개재시키는 동시에 상기 플랜지부의 상기 시일링보다도 내주의 부분을 기대 위에 맞닿게 하여 지지시키는 방법(이하, 대책 B 라 함)도 제안되어 있다(일본 공개특허공보 평10-195657호 참조).
그러나, 최근 1 회의 처리로 대량의 Si 웨이퍼를 처리하고자 하는 요망도 강해져 저압 CVD 장치 등의 반도체 열처리 장치 내에서의 Si 웨이퍼 처리장수를 증가시키기 위하여 균열대를 넓히는, 즉 히터 하단을 가능한 한 기대에 가깝게 하는 경향이 있어 상기 200㎜ 이상을 확보하는 것이 어려워지고 있으므로, 대책 A 이외의 방법이 요구되게 되어 왔다.
또, Si 웨이퍼의 구경은 200㎜ 내지 300㎜ 이상으로 점점 대구경화되고, 그에 따라 외부 튜브의 외경도 350㎜ 이상으로 대구경화되고 있다. 따라서, 대책 B 를 채용하는 경우 외부 튜브의 플랜지의 냉각이 불충분해질 우려가 있는 것 외에, 내주에서 지지하는 곳이 선 접촉이고 그 접촉 위치도 열처리 온도에 따라 변화하기 때문에 시일 부재에 대한 하중 압력이 온도에 의해 변화하며, 특히 저온에서의 처리시에 시일압이 부족하여 가스가 누출될 우려도 있다.
즉, 대책 A, 대책 B 이외의 방법으로, 대구경화, 대처리량화, 파티클 오염 방지 등의 요구에 대응하여, 사용하는 외부 튜브 등의 형상, 사용에 제약이 없고 외부 튜브 등을 내주에서 지지하지 않아도 외부 튜브 등이 열응력에 의해 파손되지 않으며 내구성이 충분하고, 게다가 시일성이 우수한 반도체 열처리 장치는 제안되어 있지 않다.
본 발명은 대구경화, 대처리량화, 파티클 오염 방지 등의 요구에 대응하여, 사용하는 외부 튜브 등의 형상, 사용에 제약이 없고 외부 튜브 등을 수용하는 기대의 내주에 돌출접촉부를 형성하여 그 돌출접촉부로 지지하지 않아도 외부 튜브의 내구성이 충분하고, 게다가 시일성이 우수한 반도체 열처리 장치의 제공을 목적으로 한다.
도 1 은 본 장치에 관한 저압 CVD 장치의 종단면도.
도 2 는 도 1 의 지지부재(92) 주변의 부분확대도.
도 3 은 본 장치의 지지부재(92)의 실시 양태이며, (a)는 부재를 높이방향으로 적층하여 형성한 지지부재, (b)는 부재를 둘레방향으로 동심원상으로 적층하여 형성한 지지부재, (c)는 부재를 높이방향으로 적층한 후 플랜지부(72c)와 접하는 면에 테이퍼를 형성한 지지부재.
도 4 는 고온사용시의 외관(72)의 변형 개념도.
※ 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
50 : 웨이퍼 보트 60 : 본 장치(저압 CVD 장치)
61 : 금속 캔체 62 : 단열재
63 : 노벽 64 : 히터
65 : 기대 66 : 덮개체
67 : 가스의 도입 배출구 68 : 시일 부재(O 링)
71 : 내부 튜브(내관) 72 : 외부 튜브(외관)
72a : 둘레벽 72b : 상벽
72c : 플랜지부 73 : 이중관
92 : 지지부재
H : 외관 하단에서 히터(64) 최하단까지의 거리
W : 반도체 웨이퍼
본 발명은, 상부가 폐쇄되고 하부가 개구되며, 하부 외주에 플랜지부가 형성된 탄화규소질의 외부 튜브, 상기 외부 튜브를 하부에서 지지하고 상기 외부 튜브의 하면과의 사이를 기밀 시일하여 이루어지는 기대, 이 기대의 중앙부에 형성한 개구에 대하여 개폐 가능하게 형성된 덮개체, 및 상기 외부 튜브의 외주면 및 상면을 둘러싸고 내측에 히터를 형성한 노벽을 구비한 반도체 열처리 장치로서, 상기 외부 튜브와 상기 기대 사이에 환형 시일 부재와 환형 지지부재를 상기 시일 부재의 외주에 상기 지지부재가 배치되도록 개재시키고, 또한 상기 지지부재의 유효 열전달 계수가 50∼2000W/(㎡·K)인 것을 특징으로 하는 반도체 열처리 장치를 제공한다.
(발명의 실시형태)
본 발명의 반도체 열처리 장치(이하, 본 장치라 함)는, 상부가 폐쇄되고 하부가 개구되며, 하부 외주에 플랜지부가 형성된 탄화규소질의 외부 튜브(이하, 외관이라 함), 상기 외관을 하부에서 지지하고 상기 외관의 하면과의 사이를 기밀 시일하여 이루어지는 기대, 이 기대의 중앙부에 형성한 개구에 대하여 개폐 가능하게 형성된 덮개체, 및 상기 외관의 외주면 및 상면을 둘러싸고 내측에 히터를 형성한 노벽을 구비한 반도체 열처리 장치이다. 또, 본 발명을 저압 CVD 장치로서 사용하는 경우에는, 상기 외관의 내주에 소정 간격을 두고 배치되어 상하가 개구된 탄화 규소질의 내부 튜브(이하, 내관이라 함)를 상기 기대 위에 탑재하는 것이 바람직하다.
본 장치는, 상기 서술한 바와 같은 대책 A 나 대책 B 를 채용하지 않아도 외관에 발생하는 열응력을 저감시킬 수 있고 또한 외관이 잘 파손되지 않으며 시일성도 우수한 반도체 열처리 장치를 제공하기 위하여 시일성의 확보는 어디까지나 O 링으로 대표되는 환형 시일 부재에 의한 것으로 하고, 외관에 발생하는 열응력을 저감시키고 환형 시일 부재의 온도를 적정하게 냉각하기 위하여 환형 시일 부재의 외주측에 환형 지지부재를 형성하여, 그 지지부재의 유효 열전달 계수를 50∼2000W/(㎡·K)로 함으로써 외관 플랜지부로부터 상기 기대의 열전도를 제어하는 것을 특징으로 한다.
이하, 본 장치를 도면을 사용하여 설명한다. 도 1 은 본 장치(60)가 외관(72)과 내관(71)을 함께 구비한 저압 CVD 장치인 경우의 종단면도의 일례이다. 이 본 장치(60)는 금속 캔체(61)와, 이 내주에 붙여진 단열재(62)로 이루어지는 노벽(63)을 가지고 있다. 노벽(63)의 내주에는 히터(64)가 부착되어 있다. 노벽(63)의 하면은 기대(65)에 의해 폐쇄되어 있다. 기대(65)의 중앙에는 반도체 웨이퍼(W)의 도출입구를 이루는 개구가 형성되고, 도시하지 않은 리프트에 의해 승강동작함으로써 상기 개구를 개폐하는 덮개체(66)가 형성되어 있다. 그리고, 기대(65)에는 가스의 도입 배출구(67)가 형성되어 있다.
기대(65) 위에는 상하 단면이 개구된 탄화수소질의 내관(71)과, 이 내관(71)의 외주를 소정 간격을 두고 둘러싸는, 동일하게 탄화규소질의 외관(72)의 이중관(73)이 설치되어 있다. 그리고, 내관(71)은 본 장치에서는 꼭 필요한 것은 아니지만, 저압 CVD 장치에서는 통상 있는 것이다. 외관(72)은 원통형 둘레벽(72a), 이 둘레벽(72a)의 상면을 폐쇄하는 상벽(72b), 및 둘레벽(72a)의 하단 외주에 형성된 플랜지부(72c)로 구성되어 있다.
기대(65)에서 플랜지부(72c)의 하면이 접하는 부분에는 환형 오목부, 또는 스텝이 형성되며, 이 오목부 등에 환형 시일 부재(68)가 개재되어 있어 플랜지부(72c)의 하면을 기밀하게 시일하고 있다. 또, 기대(65) 내에는 도시하지 않은 수랭 재킷이 형성되어 있어, 환형 시일 부재(68)의 열손상을 방지하게 되어 있다. 환형 시일 부재(68)의 외주에는 환형 지지부재(92)가 있다.
본 장치에서 지지부재(92)는 유효 열전달 계수(열통과율)가50∼2000W/(㎡·K)이다. 여기에서 유효 열전달 계수란, 상기 외관의 플랜지부(72c)로부터 기대(65)로 단위시간당 통과하는 열량을 지지부재의 면적으로 나눈 것을 말하며, 지지부재(92)의 면적이란 사용상태에서 위로부터의 투영면적을 말한다.
유효 열전달 계수가 50W/(㎡·K) 미만이면 플랜지부의 냉각이 불충분하여 O 링 등의 시일 부재(68)가 눌어붙는 등 열손상될 우려가 있고, 한편 유효 열전달 계수가 2000W/(㎡·K)를 초과하면 플랜지부(72c)의 내주와 외주에서의 온도차가 과도하게 커져 플랜지부에서 파손되기 쉽다는 우려가 있다. 유효 열전달 계수로는 1000W/(㎡·K) 이하이면 바람직하다. 비교적 고온의 반도체 공정에 사용하기 위해서는, 유효 열전달 계수가 100∼600W/(㎡·K)이면 바람직하고, 200∼500W/(㎡·K)이면 더욱 바람직하다.
지지부재로는 유효 열전달 계수가 상기 범위이면 특별히 제한되지 않지만, 일체물에 한정되지 않고 복수의 동일 재료, 동종 재료 또는 이종 재료를 적층하여 구성할 수도 있다. 도 2 에 본 장치의 지지부재(92) 주변의 확대도를 나타낸다. 도면 중 부호 92 가 환형 시일 부재(68)의 외주에 개재되는 환형 지지부재이다. 또, 시일 부재(68), 지지부재(92) 모두 환형이지만 일체물인 링일 필요는 없으며, 링을 복수로 분할하고 합쳐 링으로 할 수도 있다.
도 3 에 지지부재(92)의 대표적인 형태를 나타낸다. 도 3(a)는 부재를 높이방향으로 적층하여 지지부재(92)를 형성한 경우를, 도 3(b)는 나무의 나이테와 같이 부재를 둘레방향으로 동심원상으로 적층하여 지지부재(92)를 형성한 경우를,도 3(c)는 높이방향으로 부재를 적층한 후 외관의 플랜지부(72c)와 접하는 면에 테이퍼를 형성한 지지부재(92)로 한 경우를 각각 나타낸다. 그리고, 적층의 방법으로는 높이방향과 둘레방향의 양 방향으로 적층할 수도 있다. 또, 높이방향으로 적층하는 경우는 도 3(a)와 같이 적층하는 부재의 형상을 동일하게 맞출 필요는 없으며, 예를 들어 위에서 아래로 차례대로 면적이 커지도록 할 수도 있고, 또 가장 아래에 있는 부재의 면적만 크게 할 수도 있다.
도 3(a)와 같이 높이방향으로 적층하는 경우는, 이종 재료를 복합화하는 경우뿐만 아니라 동종 재료를 다층화하는 것으로도 유효 열전달 계수를 제어할 수 있기 때문에, 동종 재료, 이종 재료 모두 적층화할 수도 있다. 그러나, 도 3(b)와 같이 동심원상으로 적층하는 경우, 전열 방법이 상하방향이기 때문에 동종 재료를 다층화하는 것으로는 유효 열전달 계수의 제어는 실질적으로 어려워 이종 재료를 동심원상으로 다층화하는 것이 바람직하며, 이종 재료를 교대로 동심원상으로 다층화하는 것이 보다 바람직하다.
필요에 따라 지지부재의 외관 플랜지(72c)와 접하는 면에 사용시의 열변형에 대응하도록 테이퍼나 스텝을 형성하면 외관의 파손 방지라는 점에서 바람직하다(도 3(c) 참조). 테이퍼를 형성하는 경우는, 외관 플랜지(72c)와 접하는 면 전체를 테이퍼로 할 수도 있고, 또한 상기 접하는 면의 일부에 테이퍼를 형성할 수도 있다. 스텝을 형성하는 경우의 단수나 스텝 높이, 폭 등도 적절히 선택할 수 있다.
지지부재(92)의 탄성률이 0.2∼120GPa 이면 바람직하다. 탄성률이 이 범위에 있으면 외관 플랜지부의 열변형에 대응하여 지지부재(92)가 변형될 수 있기 때문에 외관(72)의 파손 방지에 기여하여 바람직하다. 지지부재(92)의 탄성률이 120GPa를 초과하면 탄화규소질의 외관의 탄성률 약 350GPa, 기대에 사용되는 경우가 많은 스테인리스의 탄성률 약 200GPa 와의 차가 상대적으로 작아져 외관(72)의 열변형에 추종하여 잘 변형되지 않는다. 한편, 지지부재(92)의 탄성률이 0.2GPa 미만이면 O 링 등의 시일 부재(68)가 하중으로 잘 부서질 우려가 있다.
지지부재(92)의 탄성률은 사용온도가 높을수록 열변형에 기인하는 변형이 커지고, 그것에 대응하기 위해서는 탄성률이 100GPa 이하이면 바람직하며, 탄성률이 80GPa 이하이면 더욱 바람직하다. 지지부재(92)의 탄성률이 50GPa 이하이면 특히 바람직하다. 한편, 시일 부재(68)의 일례인 O 링이 부서지는 것 등을 막아 내구성을 향상시키기 위해서는 지지부재(92)의 탄성률이 0.5GPa 이상이면 바람직하고, 1GPa 이상이면 더욱 바람직하다.
상기한 바와 같은 특성을 갖는 지지부재(92)의 구체적인 재질로는 폴리테트라플루오로에틸렌(PTFE), 사불화에틸렌과 육불화프로필렌의 공중합체(FEP), 사불화에틸렌과 퍼플루오로알콕시에틸렌의 공중합체(PFA), 사불화에틸렌과 에틸렌의 공중합체(ETFE) 등의 불소 수지를 들 수 있다. 탄성률이나 열특성을 제어하기 위하여 유리섬유와의 복합재료로 할 수도 있고 다공질체로 할 수도 있다.
내열성 수지 이외의 것으로는, 알루미늄(Al), 규소(Si), 실루민(Al 88%-Si 12%)으로 대표되는 알루미늄-규소 합금이나 알루미늄(이하 Al 이라 함) 등의 비철금속을 단독으로 또는 병용하여 사용하는 것을 들 수 있다. 또, 지지부재(69)와 함께 외관(72)과 기대(65) 사이에 개재되는 시일 부재(68)로는, 저압 CVD 장치 용도 등에서는 내열성이 있는 불소고무로 제조된 O 링을, 이들보다 고온의 용도에서는 Al로 제조된 개스킷을 각각 들 수 있다.
본 장치(60)에서 외관(72)은 반도체 처리 용도의 탄화규소질이라면 특별히 제한은 없지만, 철로 대표되는 불순물이 50질량ppm 이하인 고순도이면 바람직하고, 표면에 탄화규소막이 CVD 코팅되어 있으면 HF 등의 산에 의해 반복된 세정에 대해서도 내구성이 높아지기 때문에 더욱 바람직하다. 내관(71)을 병용하는 이중관의 경우, 내관(71)이 외관과 동일한 고순도 탄화규소이면 더욱 바람직하다. 또, 기대(65), 덮개체(66), 노벽(63)은 통상의 것이 바람직하게 사용되며, 이것도 특별히 제한은 없다. 보통 기대(65), 덮개체(66)는 스테인리스로 제조되며, 노벽(63)은 스테인리스의 캔체(61)와 실리카 알루미나계 단열재(62)의 조합이 많이 사용된다.
또, 본 장치(60)는 상기 구성을 가지며 반도체 웨이퍼를 열처리하는 것이라면 특별히 제한은 없지만, 용도로는 저압 CVD 장치, 열산화처리로, 어닐링로 등을 들 수 있다. 도 1 은 본 장치(60)가 저압 CVD 장치인 예이다. 저압 CVD 장치의 사용방법은, 웨이퍼 보트(50)에 다수의 반도체 웨이퍼(W)를 삽입 지지시켜 덮개체(66) 위에 탑재시키고 이중관(73) 내에 도입하여 덮개체(66)에 의해 기대(65)의 개구부를 닫는다.
다음으로, 가스 도입 배출구(67)를 통하여 이중관(73) 내를 감압하고 반응 가스를 도입시켜 반도체 웨이퍼(W)의 표면에 CVD 막을 형성한다. 이렇게 하여막형성이 종료되면 이중관(73) 내의 감압을 해제하고 덮개체(66)를 하강시켜 웨이퍼 보트(50)에 지지된 반도체 웨이퍼를 꺼낸다. 이러한 조작을 반복함으로써 반도체 웨이퍼(W)의 표면에 반복하여 CVD 막을 형성할 수 있다.
(실시예)
이하에 본 발명의 실시예(예 1, 예 2)와 비교예(예 3)를 나타낸다.
[예 1]
내경 270(㎜), 두께 2.5(㎜), 높이 1200(㎜)이며 불순물로서 Fe 5 질량ppm을 함유하는 탄화규소로 이루어지는 내관(71)과, 내경 307(㎜), 두께 4.5(㎜), 높이 1400(㎜), 플랜지 내경 307(㎜), 플랜지 외경 400(㎜), 플랜지 두께 10(㎜)이며 불순물로서 Fe 5 질량ppm을 함유하는 탄화규소로 이루어지는 외관(72)을 구비한 도 1 의 구성의 저압 CVD 장치를 사용하였다.
상기 외관(72)과 상기 기대(65) 사이에는, 시일 부재(68)로서 불화비닐리덴 고무로 제조된 O 링(JIS B2401 번호 V335)을 개재시키고, 지지부재(92)로서 외경 410(㎜), 내경 350(㎜), 높이 약 4(㎜)이고 도 3(b)에 나타낸 바와 같이 Al 과 다공질 PTFE 를 동심원상으로 외주로부터 PTFE, Al, PTFE 의 순서로 거의 균등한 폭이 되는 5 층 구성으로 한 것을 O 링(68)의 외측에 개재시켰다.
또, 외관(72)의 플랜지 하단으로부터의 히터 높이(H)는 80㎜ 가 되도록 하였다. 이 저압 CVD 장치(60)를 사용하여 반도체 웨이퍼(W)에 대한 플랫폴리실리콘(F-Poly) CVD 막의 형성 작업을 630℃에서 40 회 반복하였으나, 외관(72), O 링(68)에 크랙 등의 이상은 관찰되지 않았다. 또, 시일성도 충분하여이중관(73)의 내부 진공도도 일정한 범위내이었다. 또, 지지부재(92)의 탄성률은 29GPa, 유효 열전달 계수는 550W/(㎡·K)이었다.
[예 2]
예 1 의 저압 CVD 장치에서 도 3(a)에 나타낸 바와 같이 지지부재(92)로서 3㎜ 두께의 Al 과 1㎜ 두께의 PTFE를 높이방향으로 적층한 것을 사용한 것 이외에는 예 1 과 동일하게 하였다. 이것을 사용하여 예 1 과 동일한 CVD 막의 형성 작업을 40회 반복하였으나, 외관(72), O 링(68)에 크랙 등의 이상은 관찰되지 않았다. 또, 시일성도 충분하여 이중관(73)의 내부 진공도도 일정한 범위내이었다. 그리고, 이 저압 CVD 장치를 사용하여 예 1 보다 온도가 높은 750℃에서 질화규소 CVD 막의 형성 작업을 40회 반복하였으나 마찬가지로 문제는 없었다. 또, 지지부재(92)의 탄성률은 1.9GPa, 유효 열전달 계수는 222W/(㎡·K)이었다.
[예 3]
예 1 의 저압 CVD 장치에서 지지부재(92)를 개재시키지 않고 O 링(68)만으로 한 것 이외에는 예 1 과 동일하게 하였다. 이것을 사용하여 예 1 과 동일한 CVD 막의 형성 작업을 2 회 반복한 시점에서 외관(72)의 하부(72b) 부분에 크랙이 형성되어 있는 것을 확인하였기 때문에 작업을 중지하고, 장치를 분해하여 관찰하였더니 O 링(68)의 일부에 탄 자국이 확인되었다.
본 장치에서는, 특정한 유효 열전달 계수를 갖는 지지부재를 시일 부재와 병용함으로써 열처리시에 외관에 발생하는 열응력을 흡수할 수 있고, 그 결과 외관형상의 제약이 적기 때문에 외관 설계의 자유도가 높아지며, 게다가 외관의 제조도 용이해진다. 또, 본 장치에 의해 반도체 열처리 장치의 외관 구경을 대구경화하거나 히터의 최하단 위치를 외관 하단에서 200㎜보다도 꽤 많이 가깝게 하여도 외관이 발생하는 열응력에 의해 파손되지 않기 때문에, 1회의 열처리로 대량의 반도체 웨이퍼를 처리할 수 있는 특징이 있다. 또, 외관을 기대의 내주에서 지지하는 경우에 비하여 시일성도 현격히 향상된다.

Claims (4)

  1. 상부가 폐쇄되고 하부가 개구되며, 하부 외주에 플랜지부가 형성된 탄화규소질의 외부 튜브, 상기 외부 튜브를 하부에서 지지하고 상기 외부 튜브의 하면과의 사이를 기밀 시일하여 이루어지는 기대(基臺), 이 기대의 중앙부에 형성한 개구에 대하여 개폐 가능하게 형성된 덮개체, 및 상기 외부 튜브의 외주면 및 상면을 둘러싸고 내측에 히터를 형성한 노벽을 구비한 반도체 열처리 장치로서, 상기 외부 튜브와 상기 기대 사이에 환형 시일 부재와 환형 지지부재를 상기 시일 부재의 외주에 상기 지지부재가 배치되도록 개재시키고, 또한 상기 지지부재의 유효 열전달 계수가 50∼2000W/(㎡·K)인 것을 특징으로 하는 반도체 열처리 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 지지부재가 복수의 부재를 높이방향 및/또는 둘레방향으로 적층한 것을 특징으로 하는 반도체 열처리 장치.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 지지부재가 불소 수지 및/또는 알루미늄인 것을 특징으로 하는 반도체 열처리 장치.
  4. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 외부 튜브의 내주에 소정의 간격을 두고 배치되며, 상하가 개구된 탄화규소질의 내부 튜브를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 열처리 장치.
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