KR20040080004A - ＳｉＣ 모니터 웨이퍼의 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 파티클 검출이 가능해질 때까지 웨이퍼 표면을 평탄화할 수 있는 SiC 모니터 웨이퍼를 얻는 것을 그 목적으로 갖는다. 결정계 3C 의 SiC 는 CVD (Chemical Vapor Deposition) 방법에 의해 기판 상에 장착되고, SiC 는 기판으로부터 분리된다. 기계적 연마 단독 사용 또는 CMP (Chemo Machanical Polishing) 와의 병용에 의해 SiC 표면이 평탄화된 후, SiC 웨이퍼 모니터를 제조하기 위해 표면 거칠기가 Ra = 0.5mm 이하, 웨이퍼 표면의 불순물 밀도가 1×1011atoms/cm2이하가 될 때까지 GCIB (Gas Cluster Ion Beam) 가 표면으로 조사된다.
Description
기술 분야
본 발명은 반도체 공정 장치에 도입되며 초평탄 및 고순도 표면을 갖는 SiC 모니터 웨이퍼의 제조방법에 관한 것이다.
배경 기술
기판으로서 실리콘 단결정을 갖는 반도체 장치는 실리콘 기판 (실리콘 웨이퍼) 의 표면 상에 산화막을 형성하기 위한 산화 공정, 불순물 확산을 위한 확산 공정, 감압 하에서 실리콘 질화막, 및 다결정 실리콘막 (폴리실리콘막) 을 형성하기 위한 감압 CVD (LPCVD) 공정 등을 거치며, 실리콘 웨이퍼 상에 형성되는 미세한 회로를 갖는다. 이들 공정용으로 확산 장치, LPCVD 장치 등으로 호칭되는 반도체 제조 장치가 사용된다. 이들 장치의 각각은 복수의 실리콘 웨이퍼가 삽입되며 실리콘 웨이퍼 본체를 고온으로 가열하는 퍼니스 (furnace) 부, 반응성 가스를 퍼니스에 공급하기 위한 가스 도입부, 배기부 등으로 구성되고, 다수의 실리콘 웨이퍼가 그 안에서 동시에 처리된다 (뱃치 처리 (batch processing)). 도 5 는 종형 LPCVD 장치의 일례를 나타내고 있다.
도 5 에서, CVD 장치 (10) 에는 그 내부가 고온으로 가열 및 유지될 수 있도록 퍼니스체 (12) 의 내주면에는 도시되지 않은 히터가 제공되며, 또한, CVD 장치는 내부가 10 Torr 이하로 감압되도록 도시되지 않은 진공 펌프에 접속된다.퍼니스체 (12) 의 내부에는 고순도 석영 및 탄화 실리콘 (SiC) 으로 형성되는 공정 튜브 (14) 가 제공된다.
보트대 (boat pedestal; 18) 은 공정 튜브 (14) 에 의해 덮여지는 베이스 (16) 의 중심부에 제공되며, SiC, 석영 등으로 형성되는 종형 랙 (rack) 형상의 웨이퍼 보트 (20) 가 이 보트대 (18) 상에 배치된다. 대규모 집적회로 (LSI) 등과 같은 반도체 장치를 형성하는 다수의 실리콘 웨이퍼 (22) 는 웨이퍼 보트 (20) 의 상하 방향으로 그들 사이에 적합한 간격을 두고 유지된다. 반응성 가스를퍼니스에 도입하기 위한 가스 도입관 (24) 및 퍼니스 내부 온도를 측정용의 서모커플 (thermocouple) 을 포함하는 서모커플 보호 튜브 (26) 가 웨이퍼 보트 (20) 의 측부에 배치된다.
전술한 바와 같이 구성되는 CVD 장치 (10) 에서, 다수의 실리콘 웨이퍼 (22) 가 웨이퍼 보트 (20) 를 통해 퍼니스 내에 배치된다. 퍼니스 내부 압력은 100 Torr 이하로 감압되고, 퍼니스 내부는 예를 들어, 800°C 내지 1200°C 의 고온으로 가열되며, H2와 같은 캐리어 가스, 및 SiCl4과 같은 반응성 가스 (원료 가스)가 가스 도입관 (24) 을 통해 퍼니스에 도입되어, 다결정 실리콘막 (폴리실리콘막) 및 실리콘 산화막이 실리콘 웨이퍼 (22) 의 표면 상에 형성된다.
전술한 바와 같이, CVD 장치 (10) 에서, 실리콘 웨이퍼 (22) 에 부착되는 파티클의 상태를 조사하거나 실리콘 웨이퍼 (22) 상에 형성되는 소정 두께의 막 등을 조사하기 위해 웨이퍼 보트 (20) 의 상하방향으로 적합한 위치에 복수의 모니터 웨이퍼 (30) 가 혼재되어 배치된다. 일반적으로, 대략 Ra = 0.25 nm 의 표면 두께를 갖는 Si 단결정 웨이퍼가 전술한 바와 같이 형성된 박막의 막 두께, 파티클 등의 관리를 수행하기 위해 사용되는 모니터 웨이퍼용으로 사용된다. 전술한 비정상적으로 평탄한 표면은 실리콘 단결정으로 획득되지만, 종래의 모니터 웨이퍼는 폴리실리콘막 또는 실리콘 산화막이 형성되면 산 (acid) 등으로 막을 세정함으로써 재사용될 수 없고, 1 회 사용 후에는 폐기되므로, 매우 비경제적이다. 그 결과, 질산 등에 대해 우수한 내식성을 지니고, 에칭에 의해 초래되는 부착물의 제거가 용이하며, 장기간 반복적으로 사용될 수 있는 SiC 웨이퍼가 주목을 받고 있다.
한편, SiC 는 높은 경도를 지니며, 초평탄 표면을 제조하기에 어렵다. 일반적으로, 다이어몬드 연마 입자를 사용하여 연마가 수행되지만, 연마 입자 또는 이탈하는 SiC 그 자체에 의해 웨이퍼 표면 상에 스크래치 손상이 가해지기 쉽다. 표면 청정도에 관해서는, 이 연마 공정에서 불순물이 혼입되는 문제가 있다.
종래의 SiC 연마 기술에 있어서, 저비용으로 초평탄하며 청정한 표면을 갖는 SiC 모니터 웨이퍼를 제조할 수 없다. 예를 들어, 디자인 룰 0.13㎛ 를 상정한 경우, 0.1㎛ 이상의 파티클 (먼지) 를 검출할 필요가 있다. 그러나, 현상의 양산 대응의 SiC 연마 기술에서는, 평균 거칠기가 대략 Ra = 20 nm 이므로, 이 표면 거칠기에서는 파티클 검출이 불가능하다는 것이 확인되어 있다.
본 발명은 전술한 종래의 문제점의 관점에서 개발되었으며, 그 목적은 파티클 검출이 가능할 때까지 표면을 평탄화할 수 있는 SiC 모니터 웨이퍼 제조방법을제공하는 것이다.
발명의 개요
전술한 목적을 달성하기 위해, 본 발명에 따른 SiC 모니터 웨이퍼의 제조방법에서는, CVD 에 의해 3C-SiC 가 [111] 방향으로 성장된다. SiC 의 C 표면은 연마되고 Ar 가스에 의한 GCIB 가 조사된다. 또한, CF4, SF6, NF3, CHF3또는 O2단독 또는 그들의 혼합물 가스가 GCIB 가스종으로서 사용된다.
보다 구체적으로, 본 발명에 따른 SiC 모니터 웨이퍼의 제조방법은, 결정계 3C 의 SiC 를 CVD (화학기상증착) 에 의해 기판 상에 증착하는 단계; SiC 를 기판으로부터 분리하는 단계; 기계 연마 단독 사용 또는 CMP (Chemo Mechanical Polishing) 와의 병용에 의해 SiC 표면을 평탄화하는 단계; 그 후, SiC 모니터 웨이퍼를 제조하기 위해 표면 거칠기가 Ra = 0.5nm 이하로 되고 웨이퍼 표면의 불순물 밀도가 1×1011atoms/cm2이하가 될 때까지 GCIB (Gas Cluster Ion Beam) 을 조사하는 단계를 포함한다.
또한, CVD 공정에서, 3C-SiC 결정은 [100] 또는 [110] 또는 [111] 방향으로 배향성장될 수 있고, 결정 배향이 균일할 수 있어서, 에칭속도 이방성이 CMP 및 GCIB 조사 시에 회피될 수 있으므로, SiC 모니터 웨이퍼를 제조한다.
GCIB 가 조사되기 전의 기계 연마 단독 사용 또는 CMP 와의 병용에 의한 가공 단계에서, 웨이퍼 표면의 100㎛ 영역의 표면 두께 (PV 값) 는 5nm 내지 50nm 로 평탄화되고, 그 후, GCIB 에 의해 초평탄면이 제조된다.
SiC 표면을 기계적으로 연마하는 경우, 3C-SiC 결정의 C 표면이 형성되고 연마되는 표면을 구성하며, Si 표면 연마와 비교하여 큰 에칭속도가 얻어진다. 또한, GCIB 를 SiC 표면에 조사하는 경우, 3C-SiC 결정의 C 표면이 조사될 표면으로되어, Si 표면 조사와 비교하여 큰 에칭속도가 얻어진다. 또한, CF4, SF6, NF3, CHF3또는 O2단독 또는 그들의 혼합물 가스를 웨이퍼 표면으로 조사되는 가스종으로서 사용하여, 그 표면 상에 생성되는 F 라디칼이, 큰 에칭속도가 얻어지도록 SiC 표면 상에 화학 반응을 촉진하기 위해, 이용될 수 있다. 또한, CF4, SF6, NF3, CHF3또는 O2단독, 또는 그들의 혼합물 가스를 웨이퍼 표면으로 조사되는 GDIB 가스로서 사용하여 에칭이 수행된 후, Ar 가스 클러스터가 초평탄면으로 조사될 수 있다.
본 발명은, 결정 배향 제어, SiC 의 Si 표면/C 표면의 선택, 및 SiC 및 가스종의 반응성을 이용하여, 저비용으로 초평탄하며 청정한 SiC 표면을 얻는 것이다.
이온 에칭이 수행되는 경우, 스패터링률 (spattering rate) 을 증가시키기 위한 이상적인 입사각이 존재한다. SiC 의 결정배향이 균일하지 않은 경우, 이온 빔이 균일하게 조사되더라도, 웨이퍼를 구성하는 각 결정 입자 마다 에칭 깊이가 상이하게 된다. 이 문제점은 배향성장에 의해 해결된다. SiC 의 (111) 표면 및 (1-1-1-) 표면은 동등하지 않다. 전자는 Si 표면이라 하고, 후자는 C 표면이라 한다. 예를 들어, SiC 표면에 형성된 SiO2막 중의 산소 이온의 투과성에서는, Si 표면 상의 SiO2는 낮은 투과율, 즉, 큰 높은 내산화성을 갖는다. 에칭에 있어서, C 표면과 Si 표면 사이에 차가 예상된다. 또한, CF4, SF6, NF3, CHF3또는 O2단독 또는 그들의 혼합물 가스를 GCIB 가스종으로서 사용하여, SiC 표면 및 F 라디칼의 반응이 진행되고, Ar 가스의 경우와 비교하여 큰 에칭속도가 얻어진다. 이들 가스종의 경우에서, 에칭속도는 높지만, 평탄화 성능이 떨어지므로, Ar 가스에 의해 최종 마무리가 수행된다.
도면의 간단한 설명
도 1 은 실시형태에 따른 SiC 모니터 웨이퍼의 제조방법의 공정 단계를 나타낸 흐름도이다.
도 2a 내지 도 2d 는 SiC 웨이퍼의 제조 공정의 흐름도이다.
도 3 은 GCIB 장치이 단면도이다.
도 4 는 SiC 웨이퍼의 결정 구조를 나타낸 도면이다.
도 5 는 감압 CVD 장치의 설명도이다.
본 발명을 실시하기 위한 최적의 태양
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명을 따른 SiC 모니터 웨이퍼의 제조방법에 대한 바람직한 실시형태를 상세히 설명한다.
도 4 에 나타낸 바와 같이, SiC 는 그 결정 구조가 다이아몬드 치환형이며 탄소 원자 (C) 및 규소 원자 (Si) 가 육각형 격자를 형성하고 탄소 원자 (C) 가 배열되는 층 및 규소 원자 (Si) 가 배열되는 층이 [111] 축의 방향을 따라 교대로 배열되는 구조를 갖는다. 탄소 원자 (C) 가 배열되는 층과 규소 원자 (Si) 가 배열되는 층 사이의 결합력은 다른 부분의 결합력 보다 약하므로, (111) 면에 평행한 방향으로 절단되기 쉽다. 그러므로, SiC 는 탄소 원자 (C) 의 층과 규소 원자 (Si) 의 층의 경계로서 (111) 면에 평행한 방향으로 절단되기 쉽고, 탄소 원자 (C) 의 층과 규소 원자 (Si) 의 층이 절단면 상에 나타나게 된다.
연마가 수행된 경우와 같이, (111) 이 연마되면, 규소 원자 (Si) 층이 그 표면 상에 나타나고, 그 반대면이 연마되면, 탄소 원자 (C) 의 층이 나타난다. 따라서, (111) SiC 웨이퍼에서, 항상 한측면은 규소 원자 (Si) 의 층이 나타나는 소위 Si 면이고, 나머지 면은 탄소 원자 (C) 의 층이 나타나는 소위 C 면이다.
본 실시형태에 따른 SiC 모니터 웨이퍼 제조방법은 다음과 같이 수행된다. 제조 공정의 흐름도는 도 1 에 도시되어 있다. 도 1 에 나타낸 바와 같이, SiC 웨이퍼의 표면이 (111) 이 되도록 CVD 에 의해 흑연 기재면 상에 SiC 웨이퍼가 제조되고 (스텝 100), SiC 웨이퍼가 분리되도록 기재가 연소된다 (스텝 102). 따라서, SiC 웨이퍼의 표면은 기계적으로 연마되어 얻어지며 (스텝 104), 그 후, 웨이퍼 C 면에 대한 CMP 연마가 수행되고 (스텝 106), 최종적으로, GCIB 가 소위 연마 작업을 종료하기 위해 조사된다.
SiC 모니터 웨이퍼 제조에서, 우선 SiC 웨이퍼가 제조된다. 이것에 대해, 제조될 SiC 웨이퍼의 크기에 대응하는 고순도 흑연으로 구성되는 소정 크기의 원판 형상의 흑연 기재 (40) 가 도 2a 에 나타낸 바와 같이 구성된다. 이 후, 원판 형상의 흑연 기재 (40) 는 CVD 장치에 들어가게 되고, 퍼니스 내부 온도가 가열되어 소정의 온도 (예를 들어, 1000 내지 1600°C) 에서 유지되며, 퍼니스 내부는 소정의 압력 (예를 들어, 100 Torr) 로 제어된다. 그 후, 수소 가스 (H2) 외에도 SiC 의 원료가 될 SiCl4, C3H8등이 체적 % 에서 5 내지 20 % 만큼 공급되며, 0.3 내지 1 mm 의 SiC 층이 흑연 기재 (40) 면 상에 형성된다 (도 2b). 그 후, 흑연 기재 (40) 는 CVD 장치로부터 꺼내져서, SiC 층 (42) 의 주위면이 연삭되고, 흑연 기재 (40) 의 주위면이 노출된다 (도 2c). 그 후, SiC 층 (42) 에 의해 개재되는 흑연 기재 (40) 는 900 내지 1400°C 에서 퍼니스로 넣어져서, 산소가 공급되고, 흑연 기재 (40) 가 연소되어 제거되어, 2 개의 SiC 웨이퍼 (50) 가 얻어진다 (도 2d). 그 후, SiC 웨이퍼가 연마된다.
얻어진 SiC 웨이퍼 (50) 가 모니터 웨이퍼로 사용될 수 있도록 연마 공정이 수행된다. 우선, 다이아몬드 연마 입자를 사용하여 웨이퍼가 Ra = 0.02㎛ 로 연마된 후, CMP 연마가 수행된다. 연마재로서 콜로이달 실리카 (colloidal silica) 를 사용하여, 알칼리를 추가하여 슬러리의 pH 가 10 내지 11 로 조정된다.
연마 시간은 12 시간이다. CMP 가 수행되는 면은 C 면이다. 55°C 에서의 에칭률은 pH 10 에서 0.1㎛/h, pH 11 에서 0.2㎛/h 이다. 에칭률은 실온 근처에서는 훨씬 작아진다. Si 표면에서, 에칭률은 C 면 상에서의 속도와 비교하여 절반 이하이다.
다음으로, GCIB 가 기계적 연마만이 수행되는 웨이퍼 뿐만 아니라 기계적 연마 및 CMP 가 병용되는 웨이퍼로도 GCIB 가 조사되어, 웨이퍼가 평탄화된다.GCIB 장치는 도 3 에 도시되어 있다. GCIB 장치 (70) 에 있어서, 도 3 에 나타낸 바와 같이, 공지된 장치, 예를 들어, 소스 챔버 진공 펌프, 및 메인 챔버 진공 펌프에 의해 배기하도록 동작되는, 2 개의 진공 챔버, 소스 챔버 (71) 및 메인 챔버 (72) 를 갖는 장치가 사용될 수 있다. 가스 클러스터는, 초음속으로 노즐 (74) 로부터 분출하기 위해 가스 실린더 등으로부터 공급되는 소스 가스를 일으켜서 단열팽창하여 형성된다. 생성된 클러스터는 스키머 (76) 를 통과시켜 빔 형상을 갖추어 이온화부 (78) 에 도입된다. 이 이온화부 (78) 에서, 필라멘트로부터 추출되는 전자 충돌에 의해 이온화가 수행된다. 이 경우, 가속부 (80) 에서, 클러스터가 전기장에 의해 가속되고 감속 전계부 (82) 에서 전기장을 감속시켜 클러스터의 크기에 의해 가스 클러스터 이온이 선택되고, 가속부 (84) 에서 추가적으로 가속되며 고전압이 인가되는 목표로서 웨이퍼 (50) 로 조사된다. 웨이퍼 (50) 로 조사되는 가스 클러스터 이온은 웨이퍼 (50) 와의 충돌 결과로서 부서져서, 그 경우, 클러스터 구성원자 또는 분자와 목표 원자 또는 분자 사이에 다체 충돌이 일어나서, 웨이퍼 (50) 의 표면에 대해 수평방향으로의 이동이 현저해 져서, 그 결과, 웨이퍼 표면에에 대한 횡방향으로 절삭이 가능해진다. 그 결과, 때려진 (sputtered) 원자들이 웨이퍼 (50) 표면 상에서 횡방향으로 이동하며, 표면 상의 철부가 주로 때려져서 원자 크기의 평탄한 초정밀 연마가 얻어질 수 있다.
도입되는 소스 가스로서는, 에칭률이 큰 CF4, SF6, NF3, CHF3또는 O2단독 또는 그들의 혼합물 가스가 사용된다. 이들 종류의 가스에 있어서, 에칭 속도가크지만, 평탄화 성능이 떨어지므로, 예를 들어, 아르곤, 질소 가스, 산소 가스 등 뿐만 아니라, 화합물 이산화 탄소 가스와 같은 1종 또는 2종 이상의 가스를 단독 또는 혼합하여 사용될 수 있다.
전술한 바와 같이 GCIB 에 의해, 표면 거칠기는 원자 레벨 크기로 향상된다. 가스 클러스터 이온 빔에서, 이온이 갖는 에너지는 통상의 이온 에칭과는 달리 낮아지므로, 웨이퍼 표면에 손상을 주지 않고 원하는 초정밀 연마를 가능하게 한다. 기판 표면으로의 가스 클러스터 이온 빔의 조사에서는, 표면에 대해 실질적으로 수직한 방향으로 빔을 조사하는 것이 바람직하다.
표 1 은 전술한 GCIB 에 의한 일반적인 조사를 제공한다.
표 1
에칭 깊이는 조사부와 마스킹을 적용한 비조사부와의 단차로부터 얻어진다. 표 2 는 CF4조사에 의한 평탄화의 효과에 대한 요약을 제공한다.
표 2
CF4가 C 면으로 조사되는 경우에 에칠률은 1㎛/h 이다. Si 표면에 대해, 에칭률은 0.4㎛ 이다. Ar 가스 클러스터 조사에서는, C 면 및 Si 면의 에칭률은 CF4와 비교하여 1/10 이 된다. Ar 가스만의 사용에서는 처리량이 극도로 저하된다. CF4의 조사 후, 최종 마무리로서 Ar 가스 클러스터가 조사된다. AFN 으로 표면을 관찰한 결과로서로서, 가장 평탄한 표면을 갖는 웨이퍼는 C 면 (CMP 병용) 이고, 평균 거칠기의 Ra 값은 0.2nm 이다.
표 3
전술한 바와 같이, 본 실시형태에 따르면, SiC 결정의 방향은 CVD 에 의해 [111] 로 정렬되고, CMP 및 GCIB 를 C 면 상에 적용하고, GCIB 가스로서 CF4와 같은 반응성 물질을 사용하여, 가공하기 어려운 SiC 의 표면이 초평탄화될 수 있다. 전술한 실시형태에서, SiC 결정의 방향이 [111] 로 정렬되는 경우를 설명하였지만, 결정 방향이 [100] 및 [110] 인 경우에도 동일한 효과를 얻을 수 있다.
산업상 이용가능성
이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명은, CVD 방법으로 결정계 3C 의 SiC 가 기판 상에 증착되고, 이 SiC 가 기판으로부터 분리된 후에 SiC 표면은 기계적 연마단독 사용 또는 CMP (Chemo Mechanical Polishing) 와의 병용에 의해 평탄화되며, 표면 거칠기가 Ra = 0.5nm 이하, 웨이퍼 표면 상의 불순물 밀도가 1×1011atoms/cm2이하가 될 때까지 GCIB (Gas Cluster Ion Beam) 가 조사되도록 구성되므로, 파티클의 검출이 가능할 때까지 SiC 웨이퍼의 표면이 초평탄화될 수 있는 우수한 효과가 얻어진다.
Claims (7)
- 초평탄하며 청정한 표면을 갖는 SiC 모니터 웨이퍼를 제조하는 방법으로서,CVD 방법에 의해 기판 상에 결정계 3C 의 SiC 을 증착하는 단계;상기 기판으로부터 상기 SiC 를 분리하는 단계;기계적 연마 단독 사용 또는 CMP (Chemo mechanical Polishing) 와의 병용에 의해 상기 SiC 표면을 평탄화하는 단계;그 후, SiC 모니터 웨이퍼를 제조하기 위해 표면 거칠기가 Ra = 0.5nm 이하, 웨이퍼 표면의 불순물 밀도가 1×1011atoms/cm2이하가 될 때까지 GCIB (Gas Cluster Ion Beam) 를 상기 표면에 조사하는 단계를 포함하는, SiC 모니터 웨이퍼의 제조방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 CVD 공정에서, 3C-SiC 결정은 [100] 또는 [110] 또는 [111] 방향으로 배향성장되고, 결정 배향이 균일해짐으로써, CMP 및 GCB 조사 시에 에칭률 이방성이 회피되는, SiC 모니터 웨이퍼의 제조방법.
- 제 1 항에 있어서,GCIB 가 조사되기 전에, 기계적 연마가 단독으로 사용되거나 또는 CMP 와의병용으로 사용되는 가공 단계에서, 상기 웨이퍼 표면의 100㎛ 의 영역에서 표면 거칠기 (PV 값) 는 5nm 내지 50nm 로 평탄화되고, 그 후, GCIB 에 의해 초평탄면이 제조되는, SiC 모니터 웨이퍼의 제조방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 SiC 표면을 기계적으로 연마하는 경우, 3C-SiC 결정의 C 면이 연마될 표면으로 되며, Si 표면 연마와 비교하여 큰 에칭률이 얻어지는, SiC 모니터 웨이퍼의 제조방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 SiC 표면이 GCIB 로 조사되는 경우, 3C-SiC 결정의 C 면이 조사될 표면으로 되며, Si 표면 조사와 비교하여 큰 에칭률이 얻어지는, SiC 모니터 웨이퍼의 제조방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 웨이퍼 표면에 조사될 GCIB 가스로서 CF4, SF6, NF3, CHF3또는 O2단독 또는 그들의 혼합물 가스를 사용하여, 상기 웨이퍼 표면 상에 생성되는 F 라디칼이 상기 SiC 표면 상의 화학 반응을 촉진하는데 이용되어 큰 에칭률이 얻어지는, SiC 모니터 웨이퍼의 제조방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 웨이퍼 표면에 조사될 GCIB 가스로서 CF4, SF6, NF3, CHF3또는 O2단독 또는 그들의 혼합물 가스를 사용하여 에칭이 수행된 후, Ar 가스 클러스터가 상기 웨이퍼 표면을 초평탄화 하기 위해 조사되는, SiC 모니터 웨이퍼의 제조방법.
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