JP2000178751A - 炭化珪素体の製造方法 - Google Patents
炭化珪素体の製造方法Info
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- JP2000178751A JP2000178751A JP10357933A JP35793398A JP2000178751A JP 2000178751 A JP2000178751 A JP 2000178751A JP 10357933 A JP10357933 A JP 10357933A JP 35793398 A JP35793398 A JP 35793398A JP 2000178751 A JP2000178751 A JP 2000178751A
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/56—After-treatment
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
- C23C16/32—Carbides
- C23C16/325—Silicon carbide
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Abstract
(57)【要約】
【課題】化学的気相成長法によって得られた炭化珪素体
の電気抵抗率を顕著に上昇させる。 【解決手段】化学的気相成長法によって形成された炭化
珪素体を、２０００℃以上、特に好ましくは２２００℃
以上の温度で、真空下または不活性ガス雰囲気下で熱処
理することによって、熱処理前の炭化珪素体の電気抵抗
率よりも高い電気抵抗率を有する炭化珪素体を得る。
の電気抵抗率を顕著に上昇させる。 【解決手段】化学的気相成長法によって形成された炭化
珪素体を、２０００℃以上、特に好ましくは２２００℃
以上の温度で、真空下または不活性ガス雰囲気下で熱処
理することによって、熱処理前の炭化珪素体の電気抵抗
率よりも高い電気抵抗率を有する炭化珪素体を得る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、炭化珪素体を製造
する方法に関するものである。
する方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】黒鉛等の基材の表面に、化学的気相成長
法によって炭化珪素体を製造する方法は、例えば特開平
１０−２５６１０８、特開平０１−２２４２８６に記載
されている。こうした炭化珪素体は、緻密質であって、
高い耐蝕性を示す傾向がある。
法によって炭化珪素体を製造する方法は、例えば特開平
１０−２５６１０８、特開平０１−２２４２８６に記載
されている。こうした炭化珪素体は、緻密質であって、
高い耐蝕性を示す傾向がある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明者は、炭化珪素
体の電気抵抗率を向上させ、高抵抗の炭化珪素体を得る
必要に迫られていた。なぜなら、例えば半導体製造装置
の分野において、高抵抗炭化珪素体を形成するという要
求があったからである。しかし、化学的気相成長法を実
施する際の条件、例えばキャリアガスの流量、珪素源ガ
スの流量、炭素源ガスの流量、成膜温度、成膜時間等の
各製造条件をいかに工夫しても、炭化珪素体の電気抵抗
率をある程度以上上昇させることは困難であった。
体の電気抵抗率を向上させ、高抵抗の炭化珪素体を得る
必要に迫られていた。なぜなら、例えば半導体製造装置
の分野において、高抵抗炭化珪素体を形成するという要
求があったからである。しかし、化学的気相成長法を実
施する際の条件、例えばキャリアガスの流量、珪素源ガ
スの流量、炭素源ガスの流量、成膜温度、成膜時間等の
各製造条件をいかに工夫しても、炭化珪素体の電気抵抗
率をある程度以上上昇させることは困難であった。
【０００４】本発明の課題は、化学的気相成長法によっ
て得られた炭化珪素体の電気抵抗率を顕著に上昇させ得
る方法を提供することである。
て得られた炭化珪素体の電気抵抗率を顕著に上昇させ得
る方法を提供することである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明者は、化学的気相
成長法によって形成された炭化珪素体を、２０００℃以
上の温度で真空下または不活性ガス雰囲気下で熱処理す
ることによって、炭化珪素体の電気抵抗率が顕著に上昇
することを見いだし、本発明に到達した。
成長法によって形成された炭化珪素体を、２０００℃以
上の温度で真空下または不活性ガス雰囲気下で熱処理す
ることによって、炭化珪素体の電気抵抗率が顕著に上昇
することを見いだし、本発明に到達した。
【０００６】こうした電気抵抗率の上昇の原因は、明ら
かに予測を大幅に越えるものであり、その機構は現在の
ところ説明できず、新規なものと考えられる。
かに予測を大幅に越えるものであり、その機構は現在の
ところ説明できず、新規なものと考えられる。
【０００７】炭化珪素それ自体は、幾つかの結晶相を有
している。一般的には、６Ｈ相は炭化珪素の高温相であ
る。しかし、文献（「ＳｉＣ半導体材料、デバイスとコ
ンダクター材料」松渡弘元他、１９９４年「まてりあ」
３３巻、６号、７２０−７２４頁）によると、結晶相の
相違による電気抵抗率の変化は、各結晶相におけるキャ
リア移動度から計算すると、高くとも２倍程度である。
この一方、本発明による化学的気相成長炭化珪素体の電
気抵抗率の上昇は顕著であり、前記した結晶相の変化か
らは説明不可能であった。
している。一般的には、６Ｈ相は炭化珪素の高温相であ
る。しかし、文献（「ＳｉＣ半導体材料、デバイスとコ
ンダクター材料」松渡弘元他、１９９４年「まてりあ」
３３巻、６号、７２０−７２４頁）によると、結晶相の
相違による電気抵抗率の変化は、各結晶相におけるキャ
リア移動度から計算すると、高くとも２倍程度である。
この一方、本発明による化学的気相成長炭化珪素体の電
気抵抗率の上昇は顕著であり、前記した結晶相の変化か
らは説明不可能であった。
【０００８】炭化珪素体の熱処理温度２０００℃近辺に
おいて、熱処理後の炭化珪素体の電気抵抗率に著しい変
化が見られた。この熱処理温度は、２１００℃以上とす
ることが好ましく、２２００℃以上とすることが一層好
ましい。また、炭化珪素体が昇華しないような温度およ
び時間の範囲内であれば、熱処理温度の上限は特にない
が、一般的には２４００℃以下が好ましい。
おいて、熱処理後の炭化珪素体の電気抵抗率に著しい変
化が見られた。この熱処理温度は、２１００℃以上とす
ることが好ましく、２２００℃以上とすることが一層好
ましい。また、炭化珪素体が昇華しないような温度およ
び時間の範囲内であれば、熱処理温度の上限は特にない
が、一般的には２４００℃以下が好ましい。
【０００９】熱処理時の雰囲気は、真空または不活性ガ
ス雰囲気であるが、真空またはアルゴン雰囲気が特に好
ましい。窒素はドナーとして作用する可能性がある。
ス雰囲気であるが、真空またはアルゴン雰囲気が特に好
ましい。窒素はドナーとして作用する可能性がある。
【００１０】熱処理時の最高温度における保持時間も特
に制限されないが、一般的には１時間以上が好ましく、
２時間以上が更に好ましい。炭化珪素体の昇華が生じな
いようであれば、熱処理時間の上限は特にないが、経済
的な観点からは４８時間以下が好ましい。
に制限されないが、一般的には１時間以上が好ましく、
２時間以上が更に好ましい。炭化珪素体の昇華が生じな
いようであれば、熱処理時間の上限は特にないが、経済
的な観点からは４８時間以下が好ましい。
【００１１】炭化珪素体を形成するべき基材は特に限定
されないが、以下のものが好ましい。 （１）炭化珪素を主成分とする焼結体。例えば、炭化珪
素の組成比率が９０％以上であり、かつ相対密度が９０
％以上である焼結体、炭化珪素の組成比率が９０％以上
であり、かつ相対密度が５６％〜９０％である多孔質焼
結体、炭化珪素と金属シリコンとの混合焼結体。 （２）窒化珪素、窒化アルミニウム等の絶縁性セラミッ
クス。 （３）黒鉛。
されないが、以下のものが好ましい。 （１）炭化珪素を主成分とする焼結体。例えば、炭化珪
素の組成比率が９０％以上であり、かつ相対密度が９０
％以上である焼結体、炭化珪素の組成比率が９０％以上
であり、かつ相対密度が５６％〜９０％である多孔質焼
結体、炭化珪素と金属シリコンとの混合焼結体。 （２）窒化珪素、窒化アルミニウム等の絶縁性セラミッ
クス。 （３）黒鉛。
【００１２】好ましくは、炭化珪素体は、高純度で理論
密度と同じ完全緻密体であり、特に好ましくは、炭化珪
素体の純度が９９．９９９９％以上である。
密度と同じ完全緻密体であり、特に好ましくは、炭化珪
素体の純度が９９．９９９９％以上である。
【００１３】化学的気相成長法の好ましい条件は以下の
とおりである。
とおりである。
【００１４】好ましくは、成膜温度において、炉内にし
ばらく水素を流し続けた後に、珪素源化合物と炭素源化
合物とを炉内に導入し、炭化珪素体を形成する。成膜温
度において、珪素源化合物と炭素源化合物とを炉内に導
入する前に水素を流すことで、基材と炭化珪素体の密着
性が向上し、炭化珪素体の剥離を防止することができ
る。さらに望ましくは、炭素源化合物を導入するのに先
立ち、珪素源化合物のみを水素およびアルゴンと共に炉
内に短時間導入することによって、基材と炭化珪素体の
密着性をさらに向上させることができる。
ばらく水素を流し続けた後に、珪素源化合物と炭素源化
合物とを炉内に導入し、炭化珪素体を形成する。成膜温
度において、珪素源化合物と炭素源化合物とを炉内に導
入する前に水素を流すことで、基材と炭化珪素体の密着
性が向上し、炭化珪素体の剥離を防止することができ
る。さらに望ましくは、炭素源化合物を導入するのに先
立ち、珪素源化合物のみを水素およびアルゴンと共に炉
内に短時間導入することによって、基材と炭化珪素体の
密着性をさらに向上させることができる。
【００１５】基材に対して化学的気相成長法によって炭
化珪素体を形成するのに際し、ＳｉＣｌ4 、ＳｉＨＣｌ
3 、ＳｉＣｌ2 Ｈ2 およびＳｉＨ4 からなる群より選ば
れた一種以上の珪素源化合物と、ＣＨ4 、Ｃ2 Ｈ6 およ
びＣ3 Ｈ8 からなる群より選ばれた一種以上の炭素源化
合物と、水素と、アルゴンとの混合ガスを原料ガスとす
ることが好ましい。
化珪素体を形成するのに際し、ＳｉＣｌ4 、ＳｉＨＣｌ
3 、ＳｉＣｌ2 Ｈ2 およびＳｉＨ4 からなる群より選ば
れた一種以上の珪素源化合物と、ＣＨ4 、Ｃ2 Ｈ6 およ
びＣ3 Ｈ8 からなる群より選ばれた一種以上の炭素源化
合物と、水素と、アルゴンとの混合ガスを原料ガスとす
ることが好ましい。
【００１６】この際には、原料ガスにおいて下記の関係
が満足されていることが好ましい。 ０．１４≦（〔Ａ〕＋〔Ｂ〕×ｎ）／（〔Ａｒ〕＋〔Ｈ
2 〕）≦０．５５ １．０≦〔Ａ〕／（〔Ｂ〕×ｎ）≦１．６ ０．０９≦〔Ａｒ〕／〔Ｈ2 〕≦５ （ただし、ｎは、炭素源化合物の一分子当りの炭素原子
数であり、〔Ａ〕は、珪素源化合物の標準状態の気体に
換算したときの体積であり、〔Ｂ〕は、炭素源化合物の
標準状態に換算したときの体積であり、〔Ａｒ〕は、ア
ルゴンの標準状態に換算したときの体積であり、
〔Ｈ2 〕は、水素の標準状態に換算したときの体積であ
る。）
が満足されていることが好ましい。 ０．１４≦（〔Ａ〕＋〔Ｂ〕×ｎ）／（〔Ａｒ〕＋〔Ｈ
2 〕）≦０．５５ １．０≦〔Ａ〕／（〔Ｂ〕×ｎ）≦１．６ ０．０９≦〔Ａｒ〕／〔Ｈ2 〕≦５ （ただし、ｎは、炭素源化合物の一分子当りの炭素原子
数であり、〔Ａ〕は、珪素源化合物の標準状態の気体に
換算したときの体積であり、〔Ｂ〕は、炭素源化合物の
標準状態に換算したときの体積であり、〔Ａｒ〕は、ア
ルゴンの標準状態に換算したときの体積であり、
〔Ｈ2 〕は、水素の標準状態に換算したときの体積であ
る。）
【００１７】
【実施例】化学的気相成長法によって、基材の表面に炭
化珪素体を形成した。基材として、直径φ１００ｍｍ、
厚さ１０ｍｍのグラファイト製の円盤状基材を用いた。
昇温時間の間、キャリアガスとしてアルゴンを供給し
た。次いで、１４５０℃の成膜温度に保持した。１４５
０℃になると、最初に水素を１０分間流し、次いで更に
四塩化珪素を１分間流し、次いで四塩化珪素およびメタ
ンを導入した。成膜温度における各ガスの流量比率は以
下のようにした。
化珪素体を形成した。基材として、直径φ１００ｍｍ、
厚さ１０ｍｍのグラファイト製の円盤状基材を用いた。
昇温時間の間、キャリアガスとしてアルゴンを供給し
た。次いで、１４５０℃の成膜温度に保持した。１４５
０℃になると、最初に水素を１０分間流し、次いで更に
四塩化珪素を１分間流し、次いで四塩化珪素およびメタ
ンを導入した。成膜温度における各ガスの流量比率は以
下のようにした。
【００１８】（〔Ａ〕＋〔Ｂ〕×ｎ）／（〔Ａｒ〕＋
〔Ｈ2 〕）＝０．３ 〔Ａ〕／（〔Ｂ〕×ｎ）＝１．２ 〔Ａｒ〕／〔Ｈ2 〕＝１
〔Ｈ2 〕）＝０．３ 〔Ａ〕／（〔Ｂ〕×ｎ）＝１．２ 〔Ａｒ〕／〔Ｈ2 〕＝１
【００１９】このようにして、Ａ、Ｂ、Ｃの各炭化珪素
体を、それぞれ製造した。炭化珪素体の厚さは３−５ｍ
ｍであった。次いで、Ａ、Ｂ、Ｃの各炭化珪素体につい
て、それぞれ炭化珪素体の部分のみを基材から切り出
し、図１に示すように、幅４ｍｍ、厚さ２ｍｍ、長さ４
０ｍｍの直方体形状の試料１を複数個得た。各試料は、
表１−表３に示すＡ１−Ａ７、Ｂ１−Ｂ６、Ｃ１−Ｃ６
に該当する。各試料について、それぞれ、図１に示すよ
うにして電気抵抗率を測定した。ただし、Ａ、Ｂ、Ｃの
各炭化珪素体について、それぞれ試料の位置によって電
気抵抗率にバラツキがある。
体を、それぞれ製造した。炭化珪素体の厚さは３−５ｍ
ｍであった。次いで、Ａ、Ｂ、Ｃの各炭化珪素体につい
て、それぞれ炭化珪素体の部分のみを基材から切り出
し、図１に示すように、幅４ｍｍ、厚さ２ｍｍ、長さ４
０ｍｍの直方体形状の試料１を複数個得た。各試料は、
表１−表３に示すＡ１−Ａ７、Ｂ１−Ｂ６、Ｃ１−Ｃ６
に該当する。各試料について、それぞれ、図１に示すよ
うにして電気抵抗率を測定した。ただし、Ａ、Ｂ、Ｃの
各炭化珪素体について、それぞれ試料の位置によって電
気抵抗率にバラツキがある。
【００２０】各試料１に、アルメル線３を４個所に巻付
け、アルメル線３を電流計５および電圧計４に接続し、
四端子法にて炭化珪素体の電気抵抗率を測定した。試料
１とアルメル線３の導通を確実にするため、カーボンペ
ースト２をアルメル線と試料１の表面との間に塗布し
た。４本のアルメル線のうち、外側の２本の線（電流端
子）に一定の電流を流し、その時の内側の２本の線（電
圧端子）間の電圧を測定した。測定は、２０℃に保たれ
た室内で行った。この時の電気抵抗率を次の式で計算し
た。
け、アルメル線３を電流計５および電圧計４に接続し、
四端子法にて炭化珪素体の電気抵抗率を測定した。試料
１とアルメル線３の導通を確実にするため、カーボンペ
ースト２をアルメル線と試料１の表面との間に塗布し
た。４本のアルメル線のうち、外側の２本の線（電流端
子）に一定の電流を流し、その時の内側の２本の線（電
圧端子）間の電圧を測定した。測定は、２０℃に保たれ
た室内で行った。この時の電気抵抗率を次の式で計算し
た。
【数１】電気抵抗率＝（試料の幅×厚み×電圧）／（電
圧端子間距離×電流）
圧端子間距離×電流）
【００２１】各試料について、表１−表３に示す各温度
で、真空雰囲気下またはアルゴン雰囲気下で熱処理し
た。この際、表１−表３に示す各熱処理温度に保持する
時間も、各表に示すように変更した。熱処理後の各試料
の電気抵抗率を測定従って、測定結果を各表に示した。
ただし、各表における「真空」とは０．３−０．５Ｔｏ
ｒｒであり、アルゴン雰囲気とは、７Ｎ、即ち９９．９
９９９９％の１．５気圧のアルゴン雰囲気を示す。ま
た、表１−表３には室温下での電気抵抗率を示し、表４
には１５０℃または２００℃での電気抵抗率を示す。
で、真空雰囲気下またはアルゴン雰囲気下で熱処理し
た。この際、表１−表３に示す各熱処理温度に保持する
時間も、各表に示すように変更した。熱処理後の各試料
の電気抵抗率を測定従って、測定結果を各表に示した。
ただし、各表における「真空」とは０．３−０．５Ｔｏ
ｒｒであり、アルゴン雰囲気とは、７Ｎ、即ち９９．９
９９９９％の１．５気圧のアルゴン雰囲気を示す。ま
た、表１−表３には室温下での電気抵抗率を示し、表４
には１５０℃または２００℃での電気抵抗率を示す。
【００２２】
【表１】
【００２３】
【表２】
【００２４】
【表３】
【００２５】
【表４】
【００２６】表１−表４から分かるように、１８００℃
で熱処理したときには電気抵抗率の上昇は顕著ではない
が、２０００℃以上で熱処理すると、電気抵抗率が著し
く上昇した。熱処理温度を２１００℃、特に２２００℃
以上とすると、電気抵抗率の上昇が一層顕著になった。
また、２２００℃で熱処理したときには、熱処理時間を
長くすることによっても、電気抵抗率が一層上昇するこ
とが判明した。
で熱処理したときには電気抵抗率の上昇は顕著ではない
が、２０００℃以上で熱処理すると、電気抵抗率が著し
く上昇した。熱処理温度を２１００℃、特に２２００℃
以上とすると、電気抵抗率の上昇が一層顕著になった。
また、２２００℃で熱処理したときには、熱処理時間を
長くすることによっても、電気抵抗率が一層上昇するこ
とが判明した。
【００２７】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、化
学的気相成長法によって得られた炭化珪素体の電気抵抗
率を顕著に上昇させ得る。
学的気相成長法によって得られた炭化珪素体の電気抵抗
率を顕著に上昇させ得る。
【図１】炭化珪素体の電気抵抗率を測定するための装置
を模式的に示す図である。
を模式的に示す図である。
１ 炭化珪素体の試料、３ アルメル線、４ 電圧計、
５ 電流計
５ 電流計
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 古久保 浩 愛知県名古屋市瑞穂区須田町２番56号 日 本碍子株式会社内 (72)発明者 相原 靖文 愛知県名古屋市瑞穂区須田町２番56号 日 本碍子株式会社内 (72)発明者 大橋 玄章 愛知県名古屋市瑞穂区須田町２番56号 日 本碍子株式会社内 Ｆターム(参考） 4K030 AA03 AA06 AA10 AA16 AA17 BA37 CA05 DA09 FA10 LA02
Claims (1)
- 【請求項１】化学的気相成長法によって形成された炭化
珪素体を、２０００℃以上の温度で真空下または不活性
ガス雰囲気下で熱処理することによって、熱処理前の炭
化珪素体の電気抵抗率よりも高い電気抵抗率を有する炭
化珪素体を得ることを特徴とする、炭化珪素体の製造方
法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10357933A JP2000178751A (ja) | 1998-12-16 | 1998-12-16 | 炭化珪素体の製造方法 |
| US09/460,018 US6365460B1 (en) | 1998-12-16 | 1999-12-13 | Production of silicon carbide bodies |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10357933A JP2000178751A (ja) | 1998-12-16 | 1998-12-16 | 炭化珪素体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000178751A true JP2000178751A (ja) | 2000-06-27 |
Family
ID=18456690
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10357933A Withdrawn JP2000178751A (ja) | 1998-12-16 | 1998-12-16 | 炭化珪素体の製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6365460B1 (ja) |
| JP (1) | JP2000178751A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100760336B1 (ko) | 2006-06-22 | 2007-09-20 | (주)글로벌코센테크 | 화학적 기상 반응 방법을 이용하여 흑연의 표면 특성을개질하는 방법 |
| CN108359958A (zh) * | 2018-03-14 | 2018-08-03 | 深圳市志橙半导体材料有限公司 | 一种cvd法碳化硅涂层的制备方法 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3881562B2 (ja) * | 2002-02-22 | 2007-02-14 | 三井造船株式会社 | ＳｉＣモニタウェハ製造方法 |
| US20060008661A1 (en) * | 2003-08-01 | 2006-01-12 | Wijesundara Muthu B | Manufacturable low-temperature silicon carbide deposition technology |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2660346B2 (ja) | 1987-09-17 | 1997-10-08 | 株式会社豊田中央研究所 | セラミックス複合材料 |
| US5279780A (en) * | 1992-07-22 | 1994-01-18 | Dow Corning Corporation | Preparation of polycrystalline ceramic fibers |
| JPH10256108A (ja) | 1997-03-17 | 1998-09-25 | Toyo Tanso Kk | 炭化ケイ素質ダミーウェハ |
| JPH11121311A (ja) * | 1997-10-13 | 1999-04-30 | Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd | 炭化ケイ素材およびその製造方法並びに炭化ケイ素ウエハ |
-
1998
- 1998-12-16 JP JP10357933A patent/JP2000178751A/ja not_active Withdrawn
-
1999
- 1999-12-13 US US09/460,018 patent/US6365460B1/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100760336B1 (ko) | 2006-06-22 | 2007-09-20 | (주)글로벌코센테크 | 화학적 기상 반응 방법을 이용하여 흑연의 표면 특성을개질하는 방법 |
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