JPH1187202A - 炭化ケイ素モニタウエハ - Google Patents
炭化ケイ素モニタウエハInfo
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- JPH1187202A JPH1187202A JP26096297A JP26096297A JPH1187202A JP H1187202 A JPH1187202 A JP H1187202A JP 26096297 A JP26096297 A JP 26096297A JP 26096297 A JP26096297 A JP 26096297A JP H1187202 A JPH1187202 A JP H1187202A
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- JP
- Japan
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- silicon
- wafer
- silicon carbide
- film
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 シリコンウエハの成膜厚さなどのチェックが
容易に行える。 【解決手段】 炭化ケイ素ウエハ１０は、［１１１］方
向に配向して成長させてあり、［１１１］方向に炭素原
子Ｃが配列された層とケイ素原子Ｓｉが配列された層と
が交互に配置された構造をなしている。従って、炭化ケ
イ素ウエハ１０は、（１１１）面と平行な方向に切断ま
たは研磨されると、一方の面がＳｉ面となり、他方の面
がＣ面となる。
容易に行える。 【解決手段】 炭化ケイ素ウエハ１０は、［１１１］方
向に配向して成長させてあり、［１１１］方向に炭素原
子Ｃが配列された層とケイ素原子Ｓｉが配列された層と
が交互に配置された構造をなしている。従って、炭化ケ
イ素ウエハ１０は、（１１１）面と平行な方向に切断ま
たは研磨されると、一方の面がＳｉ面となり、他方の面
がＣ面となる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、炭化ケイ素からな
るウエハに係り、特に半導体ウエハとともにウエハボー
トに配置され、半導体ウエハに成膜された膜厚のチェッ
クや半導体ウエハに付着したパーティクル数のチェック
などに使用する炭化ケイ素モニタウエハに関する。
るウエハに係り、特に半導体ウエハとともにウエハボー
トに配置され、半導体ウエハに成膜された膜厚のチェッ
クや半導体ウエハに付着したパーティクル数のチェック
などに使用する炭化ケイ素モニタウエハに関する。
【０００２】
【従来の技術】シリコン単結晶を基板とする半導体デバ
イスは、シリコン基板（シリコンウエハ）の表面に酸化
膜を形成する酸化工程や不純物を拡散する拡散工程、さ
らには減圧下で窒化ケイ素膜、多結晶シリコン膜（ポリ
シリコン膜）などを形成する減圧ＣＶＤ（ＬＰＣＶＤ）
工程等を経て、シリコンウエハ上に微細な回路が形成さ
れる。これらの工程には、拡散装置、ＬＰＣＶＤ装置な
どと呼ばれる半導体製造装置が使用される。そして、こ
れらの装置は、いずれも複数のシリコンウエハを炉内に
挿入し、シリコンウエハ本体を高温に加熱する炉体部分
と、反応性ガスを炉内に供給するガス導入部、排気部な
どからなっており、多数枚のシリコンウエハを同時処理
（バッチ処理）できるようになっている。図３は、縦型
ＬＰＣＶＤ装置の一例を示したものである。
イスは、シリコン基板（シリコンウエハ）の表面に酸化
膜を形成する酸化工程や不純物を拡散する拡散工程、さ
らには減圧下で窒化ケイ素膜、多結晶シリコン膜（ポリ
シリコン膜）などを形成する減圧ＣＶＤ（ＬＰＣＶＤ）
工程等を経て、シリコンウエハ上に微細な回路が形成さ
れる。これらの工程には、拡散装置、ＬＰＣＶＤ装置な
どと呼ばれる半導体製造装置が使用される。そして、こ
れらの装置は、いずれも複数のシリコンウエハを炉内に
挿入し、シリコンウエハ本体を高温に加熱する炉体部分
と、反応性ガスを炉内に供給するガス導入部、排気部な
どからなっており、多数枚のシリコンウエハを同時処理
（バッチ処理）できるようになっている。図３は、縦型
ＬＰＣＶＤ装置の一例を示したものである。
【０００３】図３において、ＣＶＤ装置１０は、炉本体
１２の内周面に図示しないヒータが配設してあって内部
を高温に加熱、維持できるようになっているとともに、
図示しない真空ポンプに接続してあり、内部を１０Ｔｏ
ｒｒ以下に減圧できるようにしてある。また、炉本体１
２の内部には、高純度石英や炭化ケイ素（ＳｉＣ）によ
って形成したプロセスチューブ１４が設けてある。
１２の内周面に図示しないヒータが配設してあって内部
を高温に加熱、維持できるようになっているとともに、
図示しない真空ポンプに接続してあり、内部を１０Ｔｏ
ｒｒ以下に減圧できるようにしてある。また、炉本体１
２の内部には、高純度石英や炭化ケイ素（ＳｉＣ）によ
って形成したプロセスチューブ１４が設けてある。
【０００４】プロセスチューブ１４によって覆われるベ
ース１６の中央部には、ボート受け１８が設けてあっ
て、このボート受け１８上にＳｉＣや石英などから形成
した縦型ラック状のウエハボート２０が配置してある。
そして、ウエハボート２０の上下方向には、大規模集積
回路（ＬＳＩ）などの半導デバイスを形成するための多
数のシリコンウエハ２２が適宜の間隔をあけて保持させ
てある。また、ウエハボート２０の側部には、反応ガス
を炉内に導入するためのガス導入管２４が配設してある
とともに、炉内温度を測定する熱電対を内蔵した熱電対
保護管２６が設けてある。
ース１６の中央部には、ボート受け１８が設けてあっ
て、このボート受け１８上にＳｉＣや石英などから形成
した縦型ラック状のウエハボート２０が配置してある。
そして、ウエハボート２０の上下方向には、大規模集積
回路（ＬＳＩ）などの半導デバイスを形成するための多
数のシリコンウエハ２２が適宜の間隔をあけて保持させ
てある。また、ウエハボート２０の側部には、反応ガス
を炉内に導入するためのガス導入管２４が配設してある
とともに、炉内温度を測定する熱電対を内蔵した熱電対
保護管２６が設けてある。
【０００５】このように構成したＣＶＤ装置１０は、ウ
エハボート２０を介して多数のシリコンウエハ２２が炉
内に配置される。そして、炉内を１００Ｔｏｒｒ以下に
減圧するとともに、例えば８００〜１２００℃の高温に
加熱し、ガス導入管２４を介してＨ2 などのキャリアガ
スとともにＳｉＣｌ4 などの反応性ガス（原料ガス）を
炉内に導入し、シリコンウエハ２２の表面に多結晶シリ
コン膜（ポリシリコン膜）やシリコン酸化膜（ＳｉＯ
2 ）の形成などが行われる。
エハボート２０を介して多数のシリコンウエハ２２が炉
内に配置される。そして、炉内を１００Ｔｏｒｒ以下に
減圧するとともに、例えば８００〜１２００℃の高温に
加熱し、ガス導入管２４を介してＨ2 などのキャリアガ
スとともにＳｉＣｌ4 などの反応性ガス（原料ガス）を
炉内に導入し、シリコンウエハ２２の表面に多結晶シリ
コン膜（ポリシリコン膜）やシリコン酸化膜（ＳｉＯ
2 ）の形成などが行われる。
【０００６】ところで、このようなＣＶＤ装置１０にお
いては、炉内全体を均一な状態にすることは困難であ
る。そこで、従来からウエハボート２０の上下部には、
炉内のガスの流れや温度の均一性を保持すること等を目
的として、シリコンウエハ２２と同一形状のダミーウエ
ハ２０と称するウエハを数枚ずつ配置している。また、
シリコンウエハ２２に付着するパーティクルの状態や、
シリコンウエハ２２に所定の膜厚が形成されているか等
を調べるために、ウエハボート２０の上下方向の適宜の
位置に複数枚のモニタウエハ３０をシリコンウエハ２２
と混在させて配置している。これらのダミーウエハ２
８、モニタウエハ３０は、従来、シリコン単結晶や高純
度石英によって形成した厚さが０．５〜１ｍｍ程度のも
のを使用してきた。
いては、炉内全体を均一な状態にすることは困難であ
る。そこで、従来からウエハボート２０の上下部には、
炉内のガスの流れや温度の均一性を保持すること等を目
的として、シリコンウエハ２２と同一形状のダミーウエ
ハ２０と称するウエハを数枚ずつ配置している。また、
シリコンウエハ２２に付着するパーティクルの状態や、
シリコンウエハ２２に所定の膜厚が形成されているか等
を調べるために、ウエハボート２０の上下方向の適宜の
位置に複数枚のモニタウエハ３０をシリコンウエハ２２
と混在させて配置している。これらのダミーウエハ２
８、モニタウエハ３０は、従来、シリコン単結晶や高純
度石英によって形成した厚さが０．５〜１ｍｍ程度のも
のを使用してきた。
【０００７】ところが、シリコン単結晶によって形成し
た従来のモニタウエハ３０は、ポリシリコン膜やシリコ
ン酸化膜を形成した場合、膜を酸などによって洗い流し
て再使用することができず、１回限りの使い捨てとなっ
ており、不経済であった。このため、硝酸などに対する
耐蝕性に優れており、エッチングによる付着物の除去が
容易に行え、長期間の繰返し使用が可能である炭化ケイ
素ウエハが注目されている。
た従来のモニタウエハ３０は、ポリシリコン膜やシリコ
ン酸化膜を形成した場合、膜を酸などによって洗い流し
て再使用することができず、１回限りの使い捨てとなっ
ており、不経済であった。このため、硝酸などに対する
耐蝕性に優れており、エッチングによる付着物の除去が
容易に行え、長期間の繰返し使用が可能である炭化ケイ
素ウエハが注目されている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来の炭化ケ
イ素ウエハは、ケイ素と炭素とからなっているため、シ
リコンウエハと性質が異る。このため、炭化ケイ素ウエ
ハを成膜用のモニタとして使用した場合に、炭化ケイ素
ウエハに実際に付着した膜厚をシリコンウエハに成膜さ
れた膜厚に換算する必要があり、チェック作業が面倒で
ある。また、シリコンウエハに形成された膜の厚さを換
算して求めるようにしているため、シリコンウエハ上の
正確な膜厚を求めることが困難であった。本発明は、前
記従来技術の欠点を解消するためになされたもので、シ
リコンウエハの成膜厚さなどを容易に求めることができ
る炭化ケイ素モニタウエハを提供することを目的として
いる。
イ素ウエハは、ケイ素と炭素とからなっているため、シ
リコンウエハと性質が異る。このため、炭化ケイ素ウエ
ハを成膜用のモニタとして使用した場合に、炭化ケイ素
ウエハに実際に付着した膜厚をシリコンウエハに成膜さ
れた膜厚に換算する必要があり、チェック作業が面倒で
ある。また、シリコンウエハに形成された膜の厚さを換
算して求めるようにしているため、シリコンウエハ上の
正確な膜厚を求めることが困難であった。本発明は、前
記従来技術の欠点を解消するためになされたもので、シ
リコンウエハの成膜厚さなどを容易に求めることができ
る炭化ケイ素モニタウエハを提供することを目的として
いる。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明に係る炭化ケイ素モニタウエハは、一方の
面がＳｉ面、他方の面がＣ面となるように配向させたＳ
ｉＣ結晶からなることを特徴としている。ＳｉＣ結晶
は、ＣＶＤにより［１１１］方向に成長さて形成すると
よい。また、Ｓｉ面は、鏡面仕上げすることが望まし
い。
めに、本発明に係る炭化ケイ素モニタウエハは、一方の
面がＳｉ面、他方の面がＣ面となるように配向させたＳ
ｉＣ結晶からなることを特徴としている。ＳｉＣ結晶
は、ＣＶＤにより［１１１］方向に成長さて形成すると
よい。また、Ｓｉ面は、鏡面仕上げすることが望まし
い。
【００１０】
【作用】上記のごとく構成した本発明は、一方の面がＳ
ｉ原子の層が現われたＳｉ面となっているため、シリコ
ンウエハと近似した性質を有しており、ポリシリコン膜
やシリコン酸化膜などを成膜した場合に、シリコンウエ
ハと同じ様な膜の成長が行われる。従って、本発明に係
る炭化ケイ素ウエハに形成された膜の厚さを計測するこ
とにより、それをそのままシリコンウエハに形成された
膜の厚さと見なすことができ、成膜厚さのチェックが容
易となるばかりでなく、シリコンウエハに形成された膜
の厚さを正確に知ることができる。
ｉ原子の層が現われたＳｉ面となっているため、シリコ
ンウエハと近似した性質を有しており、ポリシリコン膜
やシリコン酸化膜などを成膜した場合に、シリコンウエ
ハと同じ様な膜の成長が行われる。従って、本発明に係
る炭化ケイ素ウエハに形成された膜の厚さを計測するこ
とにより、それをそのままシリコンウエハに形成された
膜の厚さと見なすことができ、成膜厚さのチェックが容
易となるばかりでなく、シリコンウエハに形成された膜
の厚さを正確に知ることができる。
【００１１】ＳｉＣ結晶をＣＶＤ法によって［１１１］
方向に成長させて形成すると、［１１１］方向にケイ素
（Ｓｉ）原子の層と炭素（Ｃ）原子の層とが交互に配置
された状態の結晶が得られ、容易に片側の面をＳｉ面、
他側の面をＣ面とすることができる。また、Ｓｉ面を鏡
面に仕上げると、シリコンウエハの面と同様となり、シ
リコンウエハの正確なモリタリングをすることができ
る。
方向に成長させて形成すると、［１１１］方向にケイ素
（Ｓｉ）原子の層と炭素（Ｃ）原子の層とが交互に配置
された状態の結晶が得られ、容易に片側の面をＳｉ面、
他側の面をＣ面とすることができる。また、Ｓｉ面を鏡
面に仕上げると、シリコンウエハの面と同様となり、シ
リコンウエハの正確なモリタリングをすることができ
る。
【００１２】
【発明の実施の形態】本発明に係る炭化ケイ素モニタウ
エハの好ましい実施の形態を、添付図面に従って詳細に
説明する。図１は、本発明の実施の形態に係る炭化ケイ
素モニタウエハの結晶構造を示したものである。
エハの好ましい実施の形態を、添付図面に従って詳細に
説明する。図１は、本発明の実施の形態に係る炭化ケイ
素モニタウエハの結晶構造を示したものである。
【００１３】図１において、炭化ケイ素ウエハ１０は、
結晶構造がダイヤモンドの置換型であって、炭素原子Ｃ
とケイ素原子Ｓｉとが六角形の格子を形成しているとと
もに、［１１１］軸１２の方向に沿って炭素原子Ｃの配
列された層とケイ素原子Ｓｉの配列された層とが交互に
配置された構造をしている。そして、この炭素原子Ｃが
配列された層とケイ素原子Ｓｉが配列された層との結合
力は、他の部分の結合力より弱いため、（１１１）面と
平行な方向に切断されやすい。
結晶構造がダイヤモンドの置換型であって、炭素原子Ｃ
とケイ素原子Ｓｉとが六角形の格子を形成しているとと
もに、［１１１］軸１２の方向に沿って炭素原子Ｃの配
列された層とケイ素原子Ｓｉの配列された層とが交互に
配置された構造をしている。そして、この炭素原子Ｃが
配列された層とケイ素原子Ｓｉが配列された層との結合
力は、他の部分の結合力より弱いため、（１１１）面と
平行な方向に切断されやすい。
【００１４】このため、炭化ケイ素ウエハ１０は、一点
鎖線１４に示したように、炭素原子Ｃの層とケイ素原子
Ｓｉの層との境界である（１１１）面と平行な方向に容
易に切断され、切断面に炭素原子Ｃの層とケイ素原子Ｓ
ｉの層とが現われる。また、研磨を行った場合にも同様
であって、（１１１）を研磨すると、その表面にはケイ
素原子Ｓｉの層が現われ、反対側の面を研磨した場合に
は炭素原子Ｃの層が現われる。従って、炭化ケイ素ウエ
ハ１０は、常に一方の面がケイ素原子Ｓｉの層が現われ
ているいわゆるＳｉ面となり、他方の面が炭素原子Ｃの
層が現われているいわゆるＣ面となっている。
鎖線１４に示したように、炭素原子Ｃの層とケイ素原子
Ｓｉの層との境界である（１１１）面と平行な方向に容
易に切断され、切断面に炭素原子Ｃの層とケイ素原子Ｓ
ｉの層とが現われる。また、研磨を行った場合にも同様
であって、（１１１）を研磨すると、その表面にはケイ
素原子Ｓｉの層が現われ、反対側の面を研磨した場合に
は炭素原子Ｃの層が現われる。従って、炭化ケイ素ウエ
ハ１０は、常に一方の面がケイ素原子Ｓｉの層が現われ
ているいわゆるＳｉ面となり、他方の面が炭素原子Ｃの
層が現われているいわゆるＣ面となっている。
【００１５】そこで、炭化ケイ素ウエハ１０をモニタウ
エハとして使用する場合、Ｓｉ面をシリコンウエハと同
様に研磨して鏡面に仕上げ、この鏡面仕上げしたＳｉ面
をモニタ面とする。そして、鏡面仕上げしたＳｉ面にポ
リシリコンなどが成膜された場合、シリコンウエハに成
膜したのと同様な成膜が行われる。従って、シリコンウ
エハへの成膜状態や、成膜厚さ、パーティクル数などを
チェックする場合に、炭化ケイ素モニタウエハの成膜状
態、成膜厚さ、パーティクル数をそのままシリコンウエ
ハの成膜状態、成膜厚さ、パーティクル数と見なすこと
ができ、換算などを必要としないためにチェックが容易
で、成膜厚さなどを正確に知ることができる。しかも、
炭化ケイ素ウエハ１０は、シリコンウエハなどよりも耐
食性に優れていて酸にほとんど侵されることがなく、成
膜されたポリシリコン膜などを酸洗浄によって除去する
ことにより、繰り返し使用することができ、半導体デバ
イスの製造コストを低減することができる。なお、パー
ティクル数のチェック用モニタウエハの場合、Ｃ面を使
用してもよい。
エハとして使用する場合、Ｓｉ面をシリコンウエハと同
様に研磨して鏡面に仕上げ、この鏡面仕上げしたＳｉ面
をモニタ面とする。そして、鏡面仕上げしたＳｉ面にポ
リシリコンなどが成膜された場合、シリコンウエハに成
膜したのと同様な成膜が行われる。従って、シリコンウ
エハへの成膜状態や、成膜厚さ、パーティクル数などを
チェックする場合に、炭化ケイ素モニタウエハの成膜状
態、成膜厚さ、パーティクル数をそのままシリコンウエ
ハの成膜状態、成膜厚さ、パーティクル数と見なすこと
ができ、換算などを必要としないためにチェックが容易
で、成膜厚さなどを正確に知ることができる。しかも、
炭化ケイ素ウエハ１０は、シリコンウエハなどよりも耐
食性に優れていて酸にほとんど侵されることがなく、成
膜されたポリシリコン膜などを酸洗浄によって除去する
ことにより、繰り返し使用することができ、半導体デバ
イスの製造コストを低減することができる。なお、パー
ティクル数のチェック用モニタウエハの場合、Ｃ面を使
用してもよい。
【００１６】図２は、本発明に係る炭化ケイ素ウエハの
製造工程を示したものである。図２（１）に示したよう
に、まず、製造する炭化ケイ素ウエハ１０の寸法に合せ
た、高純度黒鉛からなる所定寸法の円板状黒鉛基材２０
を製作する。その後、円板状黒鉛基材２０をＣＶＤ装置
に入れ、装置（炉）内を所定の温度（例えば、１０００
〜１６００℃）に加熱、保持しするとともに、炉内を所
定の圧力（例えば、１００Ｔｏｒｒ）に制御する。そし
て、キャリアガスである水素ガス（Ｈ2）とともに、炭
化ケイ素の原料となるＳｉＣｌ4 、Ｃ3 Ｈ8 などを体積
％で５〜２０％供給し、同図（２）に示したように、黒
鉛基材２０の表面に炭化ケイ素の層２２を０．３〜１ｍ
ｍ成膜する。
製造工程を示したものである。図２（１）に示したよう
に、まず、製造する炭化ケイ素ウエハ１０の寸法に合せ
た、高純度黒鉛からなる所定寸法の円板状黒鉛基材２０
を製作する。その後、円板状黒鉛基材２０をＣＶＤ装置
に入れ、装置（炉）内を所定の温度（例えば、１０００
〜１６００℃）に加熱、保持しするとともに、炉内を所
定の圧力（例えば、１００Ｔｏｒｒ）に制御する。そし
て、キャリアガスである水素ガス（Ｈ2）とともに、炭
化ケイ素の原料となるＳｉＣｌ4 、Ｃ3 Ｈ8 などを体積
％で５〜２０％供給し、同図（２）に示したように、黒
鉛基材２０の表面に炭化ケイ素の層２２を０．３〜１ｍ
ｍ成膜する。
【００１７】その後、黒鉛基材２０をＣＶＤ装置から取
り出し、機械加工によって炭化ケイ素層２２の周面を研
削して切除し、図２（３）に示したように、黒鉛基材２
０の周面を露出させる。そして、炭化ケイ素層２２に挟
まれた状態の黒鉛基材２０を９００〜１４００℃の炉に
入れて酸素を供給し、黒鉛基材２２を燃焼させて除去し
て２枚の炭化ケイ素ウエハ１０を得る（図２（４））。
その後、炭化ケイ素ウエハ１０を研磨するとともに周縁
部を面取りし、洗浄して製品にする。
り出し、機械加工によって炭化ケイ素層２２の周面を研
削して切除し、図２（３）に示したように、黒鉛基材２
０の周面を露出させる。そして、炭化ケイ素層２２に挟
まれた状態の黒鉛基材２０を９００〜１４００℃の炉に
入れて酸素を供給し、黒鉛基材２２を燃焼させて除去し
て２枚の炭化ケイ素ウエハ１０を得る（図２（４））。
その後、炭化ケイ素ウエハ１０を研磨するとともに周縁
部を面取りし、洗浄して製品にする。
【００１８】
【発明の効果】以上に説明したように、本発明によれ
ば、一方の面がＳｉ原子の層が現われたＳｉ面となって
いるため、その面をシリコンウエハと近似したものにで
き、ポリシリコン膜やシリコン酸化膜などを成膜した場
合に、シリコンウエハと同じ様な膜の成長が行われ、そ
の膜の厚さを計測することにより、それをそのままシリ
コンウエハに形成された膜の厚さと見なすことができ、
シリコンウエハの成膜厚さのチェックが容易となるばか
りでなく、シリコンウエハに形成された膜の厚さを正確
に知ることができる。
ば、一方の面がＳｉ原子の層が現われたＳｉ面となって
いるため、その面をシリコンウエハと近似したものにで
き、ポリシリコン膜やシリコン酸化膜などを成膜した場
合に、シリコンウエハと同じ様な膜の成長が行われ、そ
の膜の厚さを計測することにより、それをそのままシリ
コンウエハに形成された膜の厚さと見なすことができ、
シリコンウエハの成膜厚さのチェックが容易となるばか
りでなく、シリコンウエハに形成された膜の厚さを正確
に知ることができる。
【００１９】ＳｉＣ結晶をＣＶＤによって［１１１］方
向に成長させて形成すると、［１１１］方向にケイ素原
子の層と炭素原子の層とが交互に配置された状態の結晶
が得られ、容易に片側面をＳｉ面、他側面をＣ面とする
ことができる。また、Ｓｉ面を鏡面に仕上げると、シリ
コンウエハの面と同様となり、シリコンウエハの正確な
モリタリングをすることができる。
向に成長させて形成すると、［１１１］方向にケイ素原
子の層と炭素原子の層とが交互に配置された状態の結晶
が得られ、容易に片側面をＳｉ面、他側面をＣ面とする
ことができる。また、Ｓｉ面を鏡面に仕上げると、シリ
コンウエハの面と同様となり、シリコンウエハの正確な
モリタリングをすることができる。
【図１】本発明の実施の形態に係る炭化ケイ素ウエハの
結晶構造を示す図である。
結晶構造を示す図である。
【図２】本発明の実施の形態に係る炭化ケイ素ウエハの
製造工程の説明図である。
製造工程の説明図である。
【図３】減圧ＣＶＤ装置の説明図である。
１０ 炭化ケイ素ウエハ Ｃ 炭素原子 Ｓｉ ケイ素原子
Claims (3)
- 【請求項１】 一方の面がＳｉ面、他方の面がＣ面とな
るように配向させたＳｉＣ結晶からなることを特徴とす
る炭化ケイ素モニタウエハ。 - 【請求項２】 前記ＳｉＣ結晶は、ＣＶＤ法により［１
１１］方向に成長させたものであることを特徴とする請
求項１に記載の炭化ケイ素モニタウエハ。 - 【請求項３】 前記Ｓｉ面は、鏡面仕上げしてあること
を特徴とする請求項１または２に記載の炭化ケイ素モニ
タウエハ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26096297A JPH1187202A (ja) | 1997-09-09 | 1997-09-09 | 炭化ケイ素モニタウエハ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26096297A JPH1187202A (ja) | 1997-09-09 | 1997-09-09 | 炭化ケイ素モニタウエハ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1187202A true JPH1187202A (ja) | 1999-03-30 |
Family
ID=17355188
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26096297A Pending JPH1187202A (ja) | 1997-09-09 | 1997-09-09 | 炭化ケイ素モニタウエハ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1187202A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003071588A1 (en) * | 2002-02-22 | 2003-08-28 | Mitsui Engineering & Shipbuilding Co., Ltd. | Production method of sic monitor wafer |
-
1997
- 1997-09-09 JP JP26096297A patent/JPH1187202A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003071588A1 (en) * | 2002-02-22 | 2003-08-28 | Mitsui Engineering & Shipbuilding Co., Ltd. | Production method of sic monitor wafer |
| US7022545B2 (en) * | 2002-02-22 | 2006-04-04 | Mitsui Engineering & Shipbuilding Co., Ltd. | Production method of SiC monitor wafer |
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