KR20040030888A - 유기 일렉트로루미네선스 소자용 투명성 기판 및 유기일렉트로루미네선스 소자 - Google Patents
유기 일렉트로루미네선스 소자용 투명성 기판 및 유기일렉트로루미네선스 소자 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20040030888A KR20040030888A KR10-2004-7001476A KR20047001476A KR20040030888A KR 20040030888 A KR20040030888 A KR 20040030888A KR 20047001476 A KR20047001476 A KR 20047001476A KR 20040030888 A KR20040030888 A KR 20040030888A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- organic electroluminescent
- substrate
- refractive index
- transparent substrate
- binder
- Prior art date
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 103
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 title description 3
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 claims description 34
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 claims description 23
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 21
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 16
- 239000011859 microparticle Substances 0.000 claims description 15
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 10
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 8
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical group O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 4
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 3
- 229910052809 inorganic oxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 claims description 2
- 238000000605 extraction Methods 0.000 abstract description 9
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 45
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 12
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 12
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 9
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 4
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 4
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 4
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 3
- 229920005668 polycarbonate resin Polymers 0.000 description 3
- 239000004431 polycarbonate resin Substances 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 3
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 3
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 3
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 3
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 2
- PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N Aniline Chemical compound NC1=CC=CC=C1 PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- -1 B 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004640 Melamine resin Substances 0.000 description 2
- 229920000877 Melamine resin Polymers 0.000 description 2
- LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N N-Butanol Chemical compound CCCCO LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021607 Silver chloride Inorganic materials 0.000 description 2
- 206010047571 Visual impairment Diseases 0.000 description 2
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N bisphenol A Chemical compound C=1C=C(O)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LYQFWZFBNBDLEO-UHFFFAOYSA-M caesium bromide Chemical compound [Br-].[Cs+] LYQFWZFBNBDLEO-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- AIYUHDOJVYHVIT-UHFFFAOYSA-M caesium chloride Chemical compound [Cl-].[Cs+] AIYUHDOJVYHVIT-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Substances [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 2
- 229920002037 poly(vinyl butyral) polymer Polymers 0.000 description 2
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 2
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 2
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- HKZLPVFGJNLROG-UHFFFAOYSA-M silver monochloride Chemical compound [Cl-].[Ag+] HKZLPVFGJNLROG-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 2
- JOXIMZWYDAKGHI-UHFFFAOYSA-N toluene-4-sulfonic acid Chemical compound CC1=CC=C(S(O)(=O)=O)C=C1 JOXIMZWYDAKGHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000001637 1-naphthyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C2C(*)=C([H])C([H])=C([H])C2=C1[H] 0.000 description 1
- POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 2-butoxyethanol Chemical compound CCCCOCCO POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GZVHEAJQGPRDLQ-UHFFFAOYSA-N 6-phenyl-1,3,5-triazine-2,4-diamine Chemical compound NC1=NC(N)=NC(C=2C=CC=CC=2)=N1 GZVHEAJQGPRDLQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017115 AlSb Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004613 CdTe Inorganic materials 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N Dichloromethane Chemical class ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N Ethyl urethane Chemical compound CCOC(N)=O JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910005540 GaP Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910005542 GaSb Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000673 Indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N Indium phosphide Chemical compound [In]#P GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021193 La 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018068 Li 2 O Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021612 Silver iodide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002367 SrTiO Inorganic materials 0.000 description 1
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003848 UV Light-Curing Methods 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910007709 ZnTe Inorganic materials 0.000 description 1
- DHKHKXVYLBGOIT-UHFFFAOYSA-N acetaldehyde Diethyl Acetal Natural products CCOC(C)OCC DHKHKXVYLBGOIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002777 acetyl group Chemical class [H]C([H])([H])C(*)=O 0.000 description 1
- 150000004703 alkoxides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);selenium(2-) Chemical compound [Se-2].[Cd+2] UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XQPRBTXUXXVTKB-UHFFFAOYSA-M caesium iodide Inorganic materials [I-].[Cs+] XQPRBTXUXXVTKB-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 229910052956 cinnabar Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 1
- 239000003431 cross linking reagent Substances 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 1
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 1
- 239000002612 dispersion medium Substances 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 229910052949 galena Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- 238000007602 hot air drying Methods 0.000 description 1
- WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N indium antimonide Chemical compound [Sb]#[In] WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N indium arsenide Chemical compound [In]#[As] RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- SJCKRGFTWFGHGZ-UHFFFAOYSA-N magnesium silver Chemical compound [Mg].[Ag] SJCKRGFTWFGHGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910003465 moissanite Inorganic materials 0.000 description 1
- IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-1-amine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 239000003504 photosensitizing agent Substances 0.000 description 1
- 239000004014 plasticizer Substances 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920005596 polymer binder Polymers 0.000 description 1
- 239000002491 polymer binding agent Substances 0.000 description 1
- 229920000193 polymethacrylate Polymers 0.000 description 1
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 1
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 1
- 238000010992 reflux Methods 0.000 description 1
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical class [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004576 sand Substances 0.000 description 1
- SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N selenium;zinc Chemical compound [Se]=[Zn] SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RMAQACBXLXPBSY-UHFFFAOYSA-N silicic acid Chemical compound O[Si](O)(O)O RMAQACBXLXPBSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- ADZWSOLPGZMUMY-UHFFFAOYSA-M silver bromide Chemical compound [Ag]Br ADZWSOLPGZMUMY-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000005361 soda-lime glass Substances 0.000 description 1
- 229910052950 sphalerite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- LFQCEHFDDXELDD-UHFFFAOYSA-N tetramethyl orthosilicate Chemical compound CO[Si](OC)(OC)OC LFQCEHFDDXELDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001169 thermoplastic Polymers 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000004416 thermosoftening plastic Substances 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
- 229910052984 zinc sulfide Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
- H10K50/854—Arrangements for extracting light from the devices comprising scattering means
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
- H05B33/22—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of auxiliary dielectric or reflective layers
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
- Y10T428/24942—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.] including components having same physical characteristic in differing degree
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/25—Web or sheet containing structurally defined element or component and including a second component containing structurally defined particles
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
유기 일렉트로루미네선스 소자의 광추출 효율을 개선할 수 있는 투명성 기판 및 이를 이용한 실용적인 유기 일렉트로루미네선스 소자를 제공한다.
유기 일렉트로루미네선스 소자의 투명성 기판에서, 투명성 기판의 적어도 한쪽의 표면 위에, 발광 소자로부터의 발광에 대하여 반사, 굴절각에 교란을 발생시키는 영역을 형성한 것을 특징으로 하는 유기 일렉트로루미네선스 소자용 기판, 및 이 기판을 갖는 유기 일렉트로루미네선스 소자에 관한 것이다.
Description
기술분야
본 발명은, 유기 일렉트로루미네선스 소자용 기판 및 이를 이용한 유기 일렉트로루미네선스 소자에 관한 것이다.
배경기술
유기 일렉트로루미네선스 소자는 최근의 평면 디스플레이의 수요가 높아짐에 따라 새롭게 주목받고 있는 소자이다. 유리 기판 위에 형성한 양극, 홀 수송층, 전자 수송성 발광층 및 음극으로 된 소자의 구성이 Tang 과 Vanslyke 에 의해 제안되어 있다 (Appl. Phys. Lett., 51, 913, 1987). 이 밖에는, 유리 기판 대신에 필름 기판을 사용하여 경량화나 가요성을 실현한 소자 (Semiconductor FPD World 2001, 6, 152), 상기 소자 구성 중 음극에 투명성 재료를 사용하고, 또한, 그 위에 투명성 필름을 설치하여 음극측으로부터 발광을 추출하는 톱에미션 방식을 채용한 소자 (Semiconductor FPD World 2001, 4, 136) 등이 알려져 있다. 유기 일렉트로루미네선스 소자는, 종래의 평면 패널 디스플레이로서 널리 사용되어 온 액정 소자와 비교하여 우수한 점을 갖는다. 즉, 자발광 소자이기 때문에 시야각 의존성이 적은 점, 소비전력이 작은 점 및 극히 얇은 소자로 할 수 있는 점이다.
그러나 평면 디스플레이로 하기 위해서는 아직 해결해야 할 문제점도 많다. 그 중 하나는 소자의 발광 수명이 짧다는 것이다.
이것에 대해서는 현재, 소자의 구성 요소 중 발광층 재료를 개량하는 것에 의해 1 만시간 정도의 수명을 달성하고 있지만, 평면 디스플레이에 이 소자를 적용하기에는 아직 만족할 만한 수명은 아니다. 수명이 짧으면 평면 디스플레이에 정지화상을 장시간 표시한 경우, 점등 화소와 비점등 화소의 사이에 휘도차가 발생하여 잔상으로서 시인된다는 잔상 현상이 있기 때문이다. 발광 수명에 관계하는 요인은 여러가지가 있지만, 발광 휘도를 높이기 위해서 보다 높은 전압을 소자에 인가하면, 수명이 보다 짧아지는 것이 알려져 있다.
그러나 유기 일렉트로루미네선스 소자를 사용한 디스플레이의 발광 휘도는 저전압의 인가 상태에서는 만족할 만한 것이 아니어서, 대낮 실외에서의 디스플레이의 시인성을 확보하기 위해서는 소자에 높은 전압을 인가하여 발광 휘도를 높일 필요가 있다. 이와 같이 유기 일렉트로루미네선스 소자에는, 수명을 길게 하고자 하면 발광 휘도를 약하게 해야만 하고, 시인성을 높이고자 하면 수명이 짧아진다는 딜레마가 있었다.
이 문제를 해결하기 위해, 종래부터 유기 일렉트로루미네선스 소자의 발광층 재료의 개량이 활발하게 진행되어 왔다. 즉, 보다 낮은 전압 인가에 의해 높은 발광 휘도를 실현하기 위해, 내부 에너지 효율이 높은 발광층 재료를 개발하는 것이다.
한편, Thompson 등에 의하면 유기 일렉트로루미네선스 소자의 발광 효율을 나타내는 외부 에너지 효율은, 소자의 내부 에너지 효율과 광추출 효율의 곱으로 나타낼 수 있다 (Optics Letters 22, 6, 396, 1997). 즉, 유기 일렉트로루미네선스 소자의 발광 효율을 향상시키기 위해서는, 내부 에너지 효율을 향상시키는 것 외에, 광추출 효율도 향상시킬 필요가 있다.
광추출 효율이란, 소자의 발광에 대하여 소자의 투명성 기판 정면으로부터 대기 중에 방출되는 발광의 비율이다. 즉, 발광층에서의 발광이 대기 중에 방출되기 위해서는 몇몇 굴절률이 상이한 매질의 계면을 통과해야 하지만, 스넬의 굴절 법칙에 따르면, 각 계면에 그 임계각 이상의 각도로 입사된 광은 계면에서 전반사되어 층 안에 도파하여 소실되거나 층 측면에서 방출되어, 그 몫만큼 소자 정면에서의 광의 방출이 감소된다.
상기 Thompson 등에 의하면 유기 일렉트로루미네선스 소자의 광추출 효율은 약 0.175 로, 발광층에서 발생한 광의 약 18% 는 소자 밖으로 추출되지만, 나머지 약 82% 는 소자 중에 가두어져 소실되거나 소자 측면으로부터 방출되고 있다.
이 때문에, 광추출 효율의 향상이 중요한 과제로서, 종래부터 여러가지 시도가 이루어지고 있다. 투명 전극이나 발광층에 입계(粒界)를 형성하여 가시광을 산란시키는 것 (일본 특허공보 평3-18320호), 투명성 기판으로서 일측의 표면이 조면화된 유리 기판을 사용하여 발광을 산란시키는 것 (일본 공개특허공보 소61-156691호) 및 전극과 유기층의 계면 부근에 산란 영역을 형성한 것 (일본 공개특허공보 평9-129375호) 이 개시되어 있다. 그러나 이들 시도는 모두 소자 각 층의막두께를 혼란시킬 우려가 있어 절연 파괴 및 소자 발광의 불균일성을 발생시키는 원인이 되기 때문에, 소자의 양산성 관점에서는 만족할 만한 것이 아니었다. 따라서, 유기 일렉트로루미네선스 소자의 광추출 효율이 낮다고 하는 문제점은 여전히 해결되어 있지 않다.
본 발명은 상술한 배경에 기초하여 이루어진 것으로, 그 목적은 유기 일렉트로루미네선스 소자의 광추출 효율을 개선시킬 수 있는 투명성 기판을 제공하고, 이를 이용함으로써 실용적인 유기 일렉트로루미네선스 소자를 제공하는 것에 있다.
발명의 개요
본 발명은, 이하의 특징을 갖는 유기 일렉트로루미네선스 소자용 투명성 기판 및 이를 이용한 유기 일렉트로루미네선스 소자를 제공한다.
(1) 유기 일렉트로루미네선스 소자용 투명성 기판에서, 투명성 기판의 적어도 한쪽의 표면 위에, 발광 소자로부터의 발광에 대하여 반사, 굴절각에 교란을 발생시키는 영역을 형성한 것을 특징으로 하는 유기 일렉트로루미네선스 소자용 기판.
(2) 반사, 굴절각에 교란을 발생시키는 영역이, 미립자와 바인더를 포함하는 산란층으로 이루어지고, 또한, 미립자의 굴절률과 바인더의 굴절률이 상이한 것으로 이루어지는, 상기 (1) 에 기재된 유기 일렉트로루미네선스 소자용 기판.
(3) 미립자의 굴절률을 바인더의 굴절률로 나눈 상대 굴절률 n이 0.5<n<2.0 을 만족하는, 상기 (2) 에 기재된 유기 일렉트로루미네선스 소자용 기판.
(4) 바인더와 미립자의 상대 굴절률 n 이, 바람직하게는 0.5<n<0.91 의 범위이며 바인더의 굴절률이 미립자보다 높은, 상기 (2) 또는 (3) 에 기재된 유기 일렉트로루미네선스 소자용 기판.
(5) 바인더와 미립자의 상대 굴절률 n 이, 바람직하게는 1.09<n<2.0 의 범위이며 바인더의 굴절률이 미립자보다 낮은, 상기 (2) 또는 (3) 에 기재된 유기 일렉트로루미네선스 소자용 기판.
(6) 미립자가 금속, 무기 산화물, 반도체, 또는 유기 수지로 이루어지고, 또한, 직경 0.01∼10㎛ 의 입자인, 상기 (2) 내지 (5) 중 어느 한 항에 기재된 유기 일렉트로루미네선스 소자용 기판.
(7) 바인더가 유기 고분자 또는 무기 졸겔 재료인, 상기 (2) 내지 (6) 중 어느 한 항에 기재된 유기 일렉트로루미네선스 소자용 기판.
(8) 투명성 기판이, 실리카 유리, 소다 유리 또는 유기 필름인, 상기 (1) 내지 (7) 중 어느 한 항에 기재된 유기 일렉트로루미네선스 소자용 투명성 기판.
(9) 상기 (1) 내지 (8) 중 어느 한 항에 기재된 유기 일렉트로루미네선스 소자용 기판을 갖는 것을 특징으로 하는 유기 일렉트로루미네선스 소자.
도면의 간단한 설명
도 1 은 실시예 4 에서 제조한 투명성 기판을 유기 일렉트로루미네선스 소자에 적용한 것을 나타낸 단면도이다.
도 2 는 종래의 투명성 기판을 사용한 경우 발광층으로부터의 광이 내부에 갇히는 것을 나타낸 단면도이다.
도 3 은 실시예 4 에서 제조한 투명성 기판을 사용한 경우 발광층으로부터의광이 산란하고 기판 정면으로부터의 광을 추출하는 것을 나타낸 단면도이다.
부호의 설명
1 : 투명성 기판
2 : 투명성 전극
3 : 발광층을 갖는 유기층
4 : 전극
5 : 투명성 전극과 투명성 기판의 계면에서 반사하여 소자 안을 도파하는 광
6 : 투명성 기판과 대기의 계면에서 반사하여 소자 안을 도파하는 광
7 : 계면에서 전반사되지 않고, 소자로부터 추출된 광
8a : 입사광의 반사, 굴절각에 교란을 발생시키는 영역
8b : 입사광의 반사, 굴절각에 교란을 발생시키는 영역
9 : 본 발명에 의한 유기 일렉트로루미네선스 소자용 투명성 기판
10 : 투명성 기판의 발광층측에서 반사, 굴절각에 교란이 발생했기 때문에 소자 밖으로 추출된 광
11 : 투명성 기판의 대기측에서 반사, 굴절각에 교란이 발생했기 때문에 소자 밖으로 추출된 광
θ1: 투명성 전극과 투명성 기판의 계면의 전반사각
θ2: 투명성 기판과 대기의 계면의 전반사각
발명을 실시하기 위한 최선의 형태
본 발명의 유기 일렉트로루미네선스 소자용 투명성 기판은 유리, 유기 필름 등 투명성 기체의 양면 또는 한쪽에, 발광 소자로부터의 발광에 대하여 반사·굴절각에 교란을 발생시키는 영역으로서 표면이 평활한 산란층을 형성한 것을 특징으로 한다. 산란층은 기체 표면을 조면화한 후 투명성 수지 등으로 평탄화한 것이나 기체 표면에 산란성 구조물을 형성하는 것, 또는 다공질의 층을 형성할 수 있지만, 양산성이나 표면 평활성을 고려하면 바람직하게는 이 산란층은 미립자를 바인더에 분산시켜, 도포한 것이 사용된다.
본 발명의 투명성 기판을 사용한 유기 일렉트로루미네선스 소자의 예를 도 1 에 나타낸다. 도 1 에 나타낸 구성의 소자는, 통상적으로 본 발명에 의한 투명성 기판 (9) 위에 투명 전극 (2), 발광층을 포함하는 유기층 (3) 및 전극 (4) 을 순차적으로 적층해 나감으로써 제조된다. 이들 퇴적층의 두께는 매우 얇아, 투명성 기판 표면이 거친 면이면 절연 파괴를 일으킬 우려가 있다. 따라서, 본 발명에 의한 투명성 기판 (9) 의 소자측 표면은 충분히 평활화되어 있을 필요가 있다.
또한, 톱에미션 방식의 소자 구성에도 본 발명을 적용할 수 있고, 이 방식에서는 발광 소자를 별도의 기판에 형성한 후에 본 발명에 의한 투명성 기판을 조합하여 제조된다.
유기 일렉트로루미네선스 소자의 발광층에서 발생된 광은, 소자 안의 각 층을 투과하여 투명성 기판에 도달한다. 도 2 에 나타낸 바와 같이 종래의 투명성 기판 (1) 을 사용한 경우는 투명 전극 (2) 과 투명성 기판 (1) 의 사이에서 반사·굴절이 일어나 임계각 θ1이상의 각도로 입사된 광은 전반사된다. 전반사된 광 (5) 은 또 다른 한쪽의 전극 표면 (3) 에서 다시 전반사되고, 이것을 반복하는 것에 의해 광은 소자 안을 도파하여 소실된다. 임계각 θ1이하의 각도로 입사되어 투명성 기판 안에 입사된 광이어도, 투명성 기판 (1) 과 대기 계면에서 다시 반사·굴절이 일어나 임계각 θ2이상의 각도로 입사된 광 (6) 은 전반사되고, 투명성 기판 안을 도파하여 기판 정면으로부터 광을 추출하는 것이 불가능하다. 즉, 종래의 투명성 기판을 사용하고 있는 한, 각 계면에서 전반사 임계각 θ1, θ2보다 작은 입사 각도를 갖는 광 (7) 만이 소자 정면으로부터 추출될 수 있었다.
한편, 도 3 에 나타낸 바와 같이, 본 발명에 의한 반사·굴절각에 교란을 발생시키는 영역 (8a, 8b) 을 한쪽 면 또는 양면에 구비한 투명성 기판 (9) 을 사용하면, 입사광은 이 영역 (8a, 8b) 에서 다방향성이 된다. 이 때문에 투명성 기판과의 계면에 임계각 θ1및 θ2이상의 각도로 입사된 광 (1O, 11) 이어도, 투명성 기판 정면으로부터 추출할 수 있게 된다. 또한, 소자 안에 갇힌 광이어도, 산란 영역 (8a, 8b) 으로 인해 도파가 단절되어, 최종적으로는 대부분의 광을 투명성 기판 정면으로부터 추출할 수 있다. 따라서, 본 발명에 의한 투명성 기판 (9) 을 사용하는 것만으로 통상의 유기 일렉트로루미네선스 소자의 외부 발광 효율을 대폭 향상시킬 수 있고, 나아가서는 전술한 바와 같이 유기 일렉트로루미네선스 소자의 발광 휘도 및 수명을 양립해서 달성하는 것이 가능하게 된다.
본 발명에 사용하는 투명성 기판이란, 실리카 유리, 소다 유리 및 유기 필름 등의 투명한 기판이다. 표면에 컬러 필터나 블랙 매트릭스가 형성되어 있는 것이어도 된다. 이 투명성 기판의 한쪽 표면 또는 양쪽 표면에, 입사광에 대하여 반사·굴절각에 교란을 발생시킬 수 있는 영역 (이하, 산란층이라고도 한다) 을 형성한다.
상술하면, 이 영역은 서로 상이한 2 개 이상의 굴절률을 갖는 물질로 이루어지는 영역이고, 또한, 상기 반사·굴절각에 교란을 발생시키기 위해 서로의 물질 계면이 복잡하게 교란된 것이다. 무아레 등 회절 현상을 회피하기 위해서는 이 영역의 물질 계면의 교란은 미시적으로 규칙성을 갖지 않는 것이 바람직하다. 또한, 소자의 광추출 효율을 보다 향상시키기 위해서는, 이 영역의 후방 산란을 감소시켜, 보다 전방 산란으로 하는 것이 좋다. 이것을 실현시키는 것으로는 기체 표면을 조면화한 후 투명성 수지 등으로 평탄화한 것이나 기체 표면에 산란성의 구조물을 형성하는 것, 또는 다공질의 층을 형성하는 것이나 상기 방법을 복수 조합하는 것 등을 적용할 수 있다. 그러나, 양산성이나 표면 평활성 및 전방 산란성을 고려하면, 이 산란층은 미립자 100 중량부에 대하여 바인더를 바람직하게는 0.01∼100 중량부, 특히 바람직하게는 0.1∼10 중량부의 비율로 분산시킨 것이 사용된다.
여기서 사용되는 미립자는, 직경 0.01∼10㎛ 의 구형이나 판형상 등의 입자이다. 그 재질은 유기물 및 무기물에 상관없지만 바인더 중에서의 분산성이나 투명성 기판에 대한 도포성, 굴절률 및 투명성 등을 고려하여 결정된다. 또한,미립자는 단독으로 사용할 수도 있고 2 종 이상을 혼합하여 사용할 수도 있다. 2 종 이상 혼합하여 사용하는 경우에는, 굴절률이 상이한 2 종 이상의 미립자이어도 되고, 단순히 입자 직경이 상이한 2 종 이상의 미립자이어도 된다.
미립자로는 금, 은, 구리, 크롬, 니켈, 아연, 철, 안티몬, 백금 및 로듐 등 금속 미립자, AgCl, AgBr, AgI, CsCl, CsBr, CsI 등의 금속염, ZnS, ZnSe, ZnTe, CdS, CdSe, CdTe, AlAs, AlSb, GaP, GaAs, GaSb, InP, InAs, InSb, SiC, PbS, HgS, Si 및 Ge 등 반도체 미립자, TiO2, SrTiO3, SiO2, ZnO, MgO, Ag2O, CuO, Al2O3, B2O3, ZrO2, Li2O, Na2O, K2O, BaO, CaO, PbO, P2O5, Cs2O, La2O3, SrO, WO3, CdO 및 Ta2O5등 무기 산화물 미립자 및 이들의 혼합물의 무기계의 미립자, 폴리아크릴레이트, 폴리메타아크릴레이트, 폴리스티렌, 폴리우레탄, 벤조구아나민, 실리콘 수지 및 멜라민 수지 등의 유기계의 미립자를 사용할 수 있고, 바람직하게는 실리카 미립자, 폴리아크릴레이트 미립자, 또는 폴리스티렌 미립자가 적용된다.
또한, 바인더란, 상기 미립자를 잘 분산시키고, 또한 투명성 기판에 대한 도포성이 우수한 것이다. 그 재질은 유기물 및 무기물에 상관없이 미립자의 분산성이나 투명성 기판에 대한 도포성, 굴절률 및 투명성 등을 고려하여 결정된다. 또, 열가소성, 열경화성 및 자외선경화성 바인더를 사용할 수도 있다.
바인더로는, 우레탄계 물질, 아크릴계 물질, 아크릴-우레탄 공중합물질, 에폭시 수지계 물질, 멜라민 수지계 물질, 폴리비닐아세탈계 물질, 폴리비닐알코올계 물질, 폴리카보네이트 수지계 및 금속 알콕시드의 가수분해물인 졸겔 재료 등이 사용된다. 그 중에서도, 알콕시실란의 가수분해물인 졸겔 재료, 아크릴 수지, 폴리비닐부티랄 및 폴리카보네이트 수지 등이 바람직하다.
바인더의 굴절률에 대한 미립자의 상대 굴절률 (구형 미립자의 굴절률을 투명 고분자 바인더의 굴절률로 나눈 값으로, 이하 간단하게 상대 굴절률이라고 한다) 을 n 으로 했을 때, 이 상대 굴절률 n 이, 바람직하게는 0.5<n<2.0, 특히 바람직하게는 0.5<n<0.91 또는 1.09<n<2.0 인 것이 적당하다.
이 산란층 전체의 굴절률은, 대기측의 산란층은 사용하는 투명성 기판의 굴절률에 가까운 것이 좋고, 소자측의 산란층은 투명성 전극의 굴절률에 보다 가까운 것이 좋다. 바람직하게는 산란층 전체의 굴절률 n' 이 1.20<n'<2.00 이다.
또한, 이 산란층에는, 이밖에 분산제, 레벨링제, 착색제, 가소제, 가교재, 감광재, 증감제 및 계면활성제 등을 필요에 따라 첨가할 수 있다.
그런데, 입자는 반드시 층 내부에만 존재하는 것이 아니라, 표면 부근이나 표면에서 돌출하는 입자가 존재하는 경우도 있다. 이 표면에서 돌출한 입자는, 표면에 요철을 형성하여 유기 일렉트로루미네선스 소자의 절연 파괴의 원인이 된다. 이러한 경우는 이 산란층 표면을 연마, 프레스 및 투명성 평탄화막의 도포 등의 방법에 의해 평활화하지 않으면 안된다.
다음에, 본 발명에 의한 유기 일렉트로루미네선스 소자용 투명성 기판의 제조방법의 일례에 대해 설명한다.
우선, 전술한 바인더를 용제 등에 의해 적당한 점도로 조정한 후, 전술한 미립자를, 교반, 샌드밀, 제트밀 등의 방법으로 분산하여, 도포액을 제조한다.
다음으로, 투명성 기판의 한면에 이 도포액을 스핀 코터나 인쇄 등의 방법에 의해 소정 막두께가 되도록 도포한 후, 도포액에 따라 열풍 건조, UV 경화 등의 방법으로 건조 및 경화시켜 유기 일렉트로루미네선스 소자용 투명성 기판을 형성한다.
또한, 투명성 기판의 양면에 산란층을 형성하는 경우에는, 이밖에 딥 (dip) 법을 사용할 수 있다.
이후, 산란층을 형성한 투명성 기판을 필요에 따라 연마, 프레스, 투명성 평탄화막의 도포 등의 방법에 의해 평활화할 수도 있다.
실시예
이하, 실시예에 의해 본 발명을 더욱 상세히 설명하지만, 이들은 예시적인 것으로, 본 발명을 한정하기 위한 것이 아니다.
실시예 1
환류관을 장착한 반응 플라스크에 알콕시실란으로서 테트라에톡시실란 20.8g 과, 용매로서 에탄올 70.1g 을 넣고, 마그네틱 교반기를 이용하여 교반 및 혼합했다. 여기에, 촉매로서 옥살산 0.1g 을 물 9g 에 용해시킨 것을 첨가하여 혼합했다. 혼합 후, 액온은 약 1O℃ 발열했다. 그대로 30 분간 교반을 계속하고, 이어서 76℃ 에서 60 분간 가온한 후, 실온까지 냉각하여, 고형분농도가 SiO2로서 6 질량% 포함되는 용액을 제조했다. 이 용액을 실리콘 기판에 도포하고 소성하여, 굴절률을 측정한 결과 1.32 였다.
상기 용액 10g 과, 입자 직경 80nm 에서 SiO2로서 30 질량% 의 실리카 입자 (굴절률 1.35) 를 함유하여 IPA (이소프로판올) 을 분산매로 하는 실리카졸 13.3g 과, 용매로 에탄올 34.2g 및 부틸셀로솔브 57.5g 을 마그네틱 교반기를 이용하여 혼합하여, 도포액으로 했다. 이 도포액의 고형분 질량비는 6/40 이었다.
이렇게 얻어진 도포액을, 파장 550nm 의 투과율이 91% 인 두께 1.1mm 의 소다라임 유리 기판 위에 스핀 코터를 사용하여 막형성하고, 80℃ 의 핫플레이트 위에서 5 분간 건조시킨 다음, 300℃ 의 클린 오븐에서 60 분간 가열하여, 막두께 약 1000Å (옴스트롬) 의 경화 피막으로 했다. 그리고, 파장 550nm 에서 분광광도계 (가부시키가이샤 시마즈 세이사쿠쇼 제조, W-160 형) 에 의해 투과율을 측정한 결과 94.8% 였다.
동일한 방법에 의해 실리콘 기판 위에 막두께 약 1000Å (옴스트롬) 의 경화 피막을 형성하고 굴절률을 측정한 결과 1.32 였다. 굴절률은 엘립소미터 (미조지리 고가쿠 고교쇼 제조) 에 의해 측정했다.
실시예 2
폴리비닐부티랄 700g 을 n-부탄올 630g 에 용해한 후, 메탄올 400g, 물 100g, 또한, 가교제로서 테트라메톡시실란 5g 을 첨가하여 균일하게 될 때까지 교반했다. 다음으로, 여기에 경화 촉매로서 P-톨루엔술폰산 1g 및 계면활성제 1g 을 첨가하여 교반했다. 바인더만의 굴절률은 1.40 이었다. 그리고, 입자 직경 1㎛ 의 염화은 미립자 (굴절률 2.09) 를 분산시킨 수용액 (고형분농도 0.1질량%) 20g 을 첨가하고, 다시 1 시간 교반하는 것에 의해 코팅액을 제작했다. 저압 수은 램프의 자외선을 1 분간 조사하여 사전처리를 실시한 아크릴제 기판에 상기 코팅액을 딥코트법에 의해 인상 속도 2mm/초로 도포했다. 100℃ 에서 15 분간 가열 처리를 실시함으로써 경화시켜 본 실시예의 산란층을 갖는 투명성 기판을 제작했다.
실시예 3
비스페놀 A 형 폴리카보네이트 수지 (점도 평균 분자량 40000, 굴절률 1.65) 240g 과 염화메틸렌 60g 을 용해하여 혼합했다. 이 혼합 용액 80체적% 와 아크릴 수지제 미립자 (소켄 가가쿠 가부시키가이샤 제조: 수평균 입경 0.5㎛, 굴절률 1.45) 20체적% 를 혼합하고, 초음파에 의해 2 시간 분산시켰다. 이것을 유리 기판 위에 스핀 코팅 (840rpm; 10초) 하고, 오븐을 사용하여 100℃ 에서 10 분 프리 베이크한 후, 230℃ 에서 20 분 포스트 베이크를 실시하여, 본 실시예의 산란층을 갖는 투명성 기판을 제작했다.
실시예 4
상기 실시예 1∼3 에서 얻어진 산란층을 갖는 투명성 기판, 및 산란층이 형성되어 있지 않은 투명성 기판을 비교예로서 사용하여, 각각 유기 일렉트로루미네선스 소자를 제조했다. 각각의 투명성 기판의 산란층 위에, 투명성 전극으로서 스퍼터링법에 의해 산화인듐주석 (ITO) 을 100nm 의 두께로 막형성했다. 이 때의 시트 저항값은 20Ω/cm2이었다. 이 표면에 홀 수송층 재료로는 본 출원인이앞서 출원한 일본 특허출원 2000-341775호에 기재된 올리고아닐린 유도체 (아닐린 5 량체를 DMF 에 용해시키고 여기에 3 배 몰 당량의 5-술포살리실을 도핑한 것) 를 70nm 의 두께로, 발광층으로는 N,N'-비스 (1-나프틸)-N,N'-디페닐-1,1'-비스페닐-4, 4'-디아민 (α-NPD) 을 50nm 의 두께로, 전자 수송층으로는 트리스(8-히드록시퀴놀린)알루미늄 (Alq3) 을 50nm 의 두께로 순차적으로 형성했다. 계속해서 음극으로서 마그네슘-은 합금을 증착하여 형성했다. 이 때의 음극의 막두께는 200nm 으로 했다.
이렇게 제조한 유기 일렉트로루미네선스 소자의 양 전극에 전압을 1OV 인가하여 투명성 기판 정면으로부터의 발광량을 측정하고, 비교예의 측정값을 1로 하여 실시예 1 과 실시예 2 의 투명성 기판으로부터 제조한 소자의 측정값과 비교했다.
그 결과, 실시예 1 의 소자에서는 1.1, 실시예 2 의 소자에서는 1.5, 실시예 3 의 소자에서는 1.3 으로 되어, 이것으로부터 본 발명에 의한 투명성 기판을 사용함으로써 종래 구조의 유기 일렉트로루미네선스 소자의 면발광 휘도를 대폭 상승시키는 것을 확인할 수 있었다.
산업상이용가능성
이상, 상술한 바와 같이 본 발명의 유기 일렉트로루미네선스 소자용 기판은 양산성이 우수하고, 또한, 이 기판을 사용하여 소자를 구성함으로써, 발광의 불균일성이나 절연 파괴 등을 발생시키지 않고 광의 외부 추출 효율을 향상시킬 수 있다.
Claims (9)
- 유기 일렉트로루미네선스 소자용의 투명성 기판에 있어서,투명성 기판의 적어도 한쪽의 표면 위에, 발광 소자로부터의 발광에 대하여 반사, 굴절각에 교란을 발생시키는 영역을 형성한 것을 특징으로 하는 유기 일렉트로루미네선스 소자용 기판.
- 제 1 항에 있어서,반사, 굴절각에 교란을 발생시키는 영역이, 미립자와 바인더를 포함하는 산란층으로 이루어지고, 또한, 미립자의 굴절률과 바인더의 굴절률이 상이한 것으로 이루어지는, 유기 일렉트로루미네선스 소자용 기판.
- 제 2 항에 있어서,미립자의 굴절률을 바인더의 굴절률로 나눈 상대 굴절률 n 이, 0.5<n<2.0 을 만족하는, 유기 일렉트로루미네선스 소자용 기판.
- 제 2 항 또는 제 3 항에 있어서,바인더의 굴절률이 미립자의 굴절률보다 높은, 유기 일렉트로루미네선스 소자용 기판.
- 제 2 항 또는 제 3 항에 있어서,바인더의 굴절률이 미립자의 굴절률보다 낮은, 유기 일렉트로루미네선스 소자용 기판.
- 제 2 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,미립자가 금속, 무기 산화물, 반도체, 또는 유기 수지로 이루어지고, 또한, 직경 0.01∼10㎛ 의 입자인, 유기 일렉트로루미네선스 소자용 기판.
- 제 2 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,바인더가 유기 고분자 또는 무기 졸겔 재료인, 유기 일렉트로루미네선스 소자용 기판.
- 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,투명성 기판이 실리카 유리, 소다 유리 또는 유기 필름인, 유기 일렉트로루미네선스 소자용 투명성 기판.
- 제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 기재된 유기 일렉트로루미네선스 소자용 기판을 갖는, 유기 일렉트로루미네선스 소자.
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001277742 | 2001-09-13 | ||
| JPJP-P-2001-00277742 | 2001-09-13 | ||
| PCT/JP2002/009373 WO2003026357A1 (fr) | 2001-09-13 | 2002-09-12 | Substrat transparent utilisant un element electroluminescent organique et element electroluminescent organique |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20040030888A true KR20040030888A (ko) | 2004-04-09 |
Family
ID=19102219
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR10-2004-7001476A KR20040030888A (ko) | 2001-09-13 | 2002-09-12 | 유기 일렉트로루미네선스 소자용 투명성 기판 및 유기일렉트로루미네선스 소자 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20040241421A1 (ko) |
| EP (1) | EP1435762A4 (ko) |
| JP (1) | JPWO2003026357A1 (ko) |
| KR (1) | KR20040030888A (ko) |
| CN (1) | CN1554212A (ko) |
| WO (1) | WO2003026357A1 (ko) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100623685B1 (ko) * | 2003-07-29 | 2006-09-19 | 삼성에스디아이 주식회사 | 광학소자용 기판, 유기전계발광소자 및유기전계발광표시장치 |
| US8408960B2 (en) | 2009-11-18 | 2013-04-02 | Electronics And Telecommunications Research Institute | Method of fabricating an organic light emitting diode using phase separation |
| US8685768B2 (en) | 2011-09-06 | 2014-04-01 | Electronics And Telecommunications Research Institute | Organic light emitting diodes and methods of manufacturing the same |
| US8859309B2 (en) | 2011-05-31 | 2014-10-14 | Electronics And Telecommunications Research Institute | Organic light emitting diode and method of fabricating the same |
| KR20150017625A (ko) * | 2013-08-07 | 2015-02-17 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
Families Citing this family (48)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4569740B2 (ja) * | 2002-02-20 | 2010-10-27 | 日産化学工業株式会社 | 有機導電性材料及び導電性ワニス |
| KR100999974B1 (ko) * | 2003-03-12 | 2010-12-13 | 미쓰비시 가가꾸 가부시키가이샤 | 일렉트로루미네센스 소자 |
| EP1476002B1 (en) | 2003-05-08 | 2018-07-04 | Samsung Display Co., Ltd. | Method of manufacturing a substrate for organic electroluminescent device |
| JP4323859B2 (ja) * | 2003-05-08 | 2009-09-02 | 三星モバイルディスプレイ株式會社 | 有機エレクトロルミネセンス素子用基板の製造方法 |
| JP4382388B2 (ja) * | 2003-05-13 | 2009-12-09 | 三星モバイルディスプレイ株式會社 | 有機エレクトロルミネセンス素子用基板、ならびにこれを用いた有機エレクトロルミネセンス素子 |
| JP4220305B2 (ja) | 2003-05-22 | 2009-02-04 | 三星エスディアイ株式会社 | 有機エレクトロルミネセンス素子 |
| TW200530350A (en) * | 2003-12-18 | 2005-09-16 | Nissan Chemical Ind Ltd | Water repellent coating film having low refractive index |
| JP4887784B2 (ja) * | 2003-12-19 | 2012-02-29 | 日産化学工業株式会社 | 低屈折率及び大きい水接触角を有する被膜 |
| JP2005191219A (ja) * | 2003-12-25 | 2005-07-14 | Sanken Electric Co Ltd | 半導体発光素子およびその製造方法 |
| EP1548856A3 (en) * | 2003-12-26 | 2012-08-08 | Nitto Denko Corporation | Electroluminescence device, planar light source and display using the same |
| JP5005164B2 (ja) | 2004-03-03 | 2012-08-22 | 株式会社ジャパンディスプレイイースト | 発光素子，発光型表示装置及び照明装置 |
| KR20120127515A (ko) * | 2004-05-26 | 2012-11-21 | 닛산 가가쿠 고교 가부시키 가이샤 | 면발광체 |
| TWI294252B (en) * | 2004-09-28 | 2008-03-01 | Toshiba Matsushita Display Tec | Display |
| JP2006100042A (ja) * | 2004-09-28 | 2006-04-13 | Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd | 有機ｅｌ表示装置 |
| JP2006171228A (ja) * | 2004-12-14 | 2006-06-29 | Dainippon Printing Co Ltd | 自発光型表示装置用カラーフィルタ |
| US20080176041A1 (en) * | 2005-03-10 | 2008-07-24 | Konica Minolta Holdings, Inc | Resin Film Substrate for Organic Electroluminescence and Organic Electroluminescence Device |
| JP5066814B2 (ja) * | 2005-03-11 | 2012-11-07 | 三菱化学株式会社 | エレクトロルミネッセンス素子及び照明装置 |
| WO2006095632A1 (ja) * | 2005-03-11 | 2006-09-14 | Mitsubishi Chemical Corporation | エレクトロルミネッセンス素子及び照明装置 |
| US20070001591A1 (en) * | 2005-06-29 | 2007-01-04 | Jun Tanaka | Organic electroluminescence display and manufacturing method thereof |
| TWI280812B (en) * | 2005-08-23 | 2007-05-01 | Chunghwa Picture Tubes Ltd | Organic electroluminescence device |
| JP5072216B2 (ja) * | 2005-11-21 | 2012-11-14 | 株式会社ジャパンディスプレイセントラル | 両面表示装置 |
| JP2007273397A (ja) * | 2006-03-31 | 2007-10-18 | Pioneer Electronic Corp | 有機ｅｌ多色ディスプレイパネル |
| KR100966367B1 (ko) * | 2007-06-15 | 2010-06-28 | 삼성엘이디 주식회사 | 반도체 발광소자 및 그의 제조방법 |
| US8040046B2 (en) * | 2007-08-21 | 2011-10-18 | Fujifilm Corporation | Organic electroluminescent display having light scattering film |
| RU2480967C2 (ru) * | 2008-02-27 | 2013-04-27 | Конинклейке Филипс Электроникс Н.В. | Скрытые органические оптоэлектронные устройства со светорассеивающим слоем |
| WO2009116531A1 (ja) | 2008-03-18 | 2009-09-24 | 旭硝子株式会社 | 電子デバイス用基板、有機ｌｅｄ素子用積層体及びその製造方法、有機ｌｅｄ素子及びその製造方法 |
| FR2944147B1 (fr) * | 2009-04-02 | 2011-09-23 | Saint Gobain | Procede de fabrication d'une structure a surface externe texturee pour dispositif a diode electroluminescente organique et struture a surface externe texturee |
| DE102009036135A1 (de) * | 2009-08-05 | 2011-02-10 | Schott Ag | Strukturiertes Substratglas für Lumineszenzdioden und Verfahren zu dessen Herstellung |
| DE102009036134A1 (de) * | 2009-08-05 | 2011-02-10 | Schott Ag | Substratglas für Lumineszenzdioden mit einer Streupartikel enthaltenden Schicht und Verfahren zu dessen Herstellung |
| US20110062454A1 (en) * | 2009-09-11 | 2011-03-17 | Hong Kong Applied Science And Technology Research Institute Co., Ltd. | Light emitting device having remotely located light scattering material |
| JP5056827B2 (ja) * | 2009-10-09 | 2012-10-24 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子、それを用いた照明装置 |
| FR2955575B1 (fr) | 2010-01-22 | 2012-02-24 | Saint Gobain | Substrat verrier revetu d'une couche haut indice sous un revetement electrode et dispositif electroluminescent organique comportant un tel substrat. |
| WO2011093120A1 (ja) * | 2010-01-26 | 2011-08-04 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子及び照明装置 |
| JP2012022997A (ja) * | 2010-07-16 | 2012-02-02 | Jsr Corp | 発光素子および粒子含有層形成用組成物 |
| JP5492798B2 (ja) * | 2011-01-24 | 2014-05-14 | 株式会社日立製作所 | 有機発光装置およびこれを用いた光源装置 |
| TWI451611B (zh) * | 2011-05-19 | 2014-09-01 | Au Optronics Corp | 有機發光裝置 |
| DE102012200224A1 (de) * | 2012-01-10 | 2013-07-11 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches bauelement, verfahren zum herstellen eines optoelektronischen bauelements, vorrichtung zum abtrennen eines raumes und möbelstück |
| KR102193808B1 (ko) | 2012-01-10 | 2020-12-22 | 미쯔비시 케미컬 주식회사 | 코팅용 조성물, 다공질막, 광 산란막 및 유기 전계 발광 소자 |
| JP5834327B2 (ja) * | 2012-01-16 | 2015-12-16 | 東洋インキＳｃホールディングス株式会社 | 光散乱用樹脂組成物、および該光散乱樹脂組成物から形成される光散乱層、および該光散乱層を具備する有機ｅｌ表示装置または有機ｅｌ照明装置 |
| KR20130111154A (ko) | 2012-03-30 | 2013-10-10 | 주식회사 엘지화학 | 유기전자소자용 기판 |
| JP6042103B2 (ja) | 2012-05-30 | 2016-12-14 | ユー・ディー・シー アイルランド リミテッド | 有機電界発光素子 |
| KR20150064203A (ko) | 2012-10-11 | 2015-06-10 | 파나소닉 아이피 매니지먼트 가부시키가이샤 | 유기 전계 발광 소자 및 조명 장치 |
| TWI489670B (zh) * | 2012-11-13 | 2015-06-21 | Ind Tech Res Inst | 光取出元件及發光裝置 |
| WO2014097387A1 (ja) | 2012-12-18 | 2014-06-26 | パイオニア株式会社 | 発光装置 |
| CN104051663A (zh) * | 2013-03-12 | 2014-09-17 | 海洋王照明科技股份有限公司 | 一种有机电致发光器件及其制备方法 |
| KR101583147B1 (ko) | 2013-07-19 | 2016-01-06 | 주식회사 엘지화학 | 전극 적층체 및 유기 발광 소자 |
| CN103700781A (zh) * | 2013-12-25 | 2014-04-02 | 京东方科技集团股份有限公司 | 有机电致发光器件、显示基板和有机电致发光显示器 |
| US10512126B2 (en) * | 2016-08-02 | 2019-12-17 | GM Global Technology Operations LLC | Treated heated window grid for improved durability in harsh environments |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5747152A (en) * | 1993-12-02 | 1998-05-05 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Transparent functional membrane containing functional ultrafine particles, transparent functional film, and process for producing the same |
| JP2931211B2 (ja) * | 1994-09-13 | 1999-08-09 | 出光興産株式会社 | 有機ｅｌ装置 |
| TW386609U (en) * | 1996-10-15 | 2000-04-01 | Koninkl Philips Electronics Nv | Electroluminescent illumination apparatus |
| JPH10260403A (ja) * | 1997-01-20 | 1998-09-29 | Seiko Epson Corp | 液晶装置及び電子機器 |
| JPH118070A (ja) * | 1997-06-17 | 1999-01-12 | Casio Comput Co Ltd | 表示装置 |
| JPH11329742A (ja) * | 1998-05-18 | 1999-11-30 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子および発光装置 |
| JP3515401B2 (ja) * | 1998-12-18 | 2004-04-05 | 大日本印刷株式会社 | 防眩フィルム、偏光板及び透過型表示装置 |
| JP2000231985A (ja) * | 1999-02-12 | 2000-08-22 | Denso Corp | 有機ｅｌ素子 |
| GB2367692A (en) * | 1999-06-09 | 2002-04-10 | Cambridge Display Tech Ltd | Method of producing organic light-emissive devices |
| KR20010050120A (ko) * | 1999-08-25 | 2001-06-15 | 고사이 아끼오 | 광 산란 수지층, 이를 이용한 컬러 필터, 및 액정 표시 장치 |
| US6262479B1 (en) * | 1999-10-05 | 2001-07-17 | Pan Pacific Semiconductor Co., Ltd. | Semiconductor packaging structure |
| JP3657869B2 (ja) * | 1999-10-29 | 2005-06-08 | 株式会社巴川製紙所 | 低反射部材 |
-
2002
- 2002-09-12 JP JP2003529818A patent/JPWO2003026357A1/ja active Pending
- 2002-09-12 US US10/489,111 patent/US20040241421A1/en not_active Abandoned
- 2002-09-12 CN CNA028176502A patent/CN1554212A/zh active Pending
- 2002-09-12 EP EP02765519A patent/EP1435762A4/en not_active Withdrawn
- 2002-09-12 WO PCT/JP2002/009373 patent/WO2003026357A1/ja active Application Filing
- 2002-09-12 KR KR10-2004-7001476A patent/KR20040030888A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100623685B1 (ko) * | 2003-07-29 | 2006-09-19 | 삼성에스디아이 주식회사 | 광학소자용 기판, 유기전계발광소자 및유기전계발광표시장치 |
| US8408960B2 (en) | 2009-11-18 | 2013-04-02 | Electronics And Telecommunications Research Institute | Method of fabricating an organic light emitting diode using phase separation |
| US8859309B2 (en) | 2011-05-31 | 2014-10-14 | Electronics And Telecommunications Research Institute | Organic light emitting diode and method of fabricating the same |
| US8685768B2 (en) | 2011-09-06 | 2014-04-01 | Electronics And Telecommunications Research Institute | Organic light emitting diodes and methods of manufacturing the same |
| US8994059B2 (en) | 2011-09-06 | 2015-03-31 | Electronics And Telecommunications Research Institute | Organic light emitting diodes and methods of manufacturing the same |
| KR20150017625A (ko) * | 2013-08-07 | 2015-02-17 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20040241421A1 (en) | 2004-12-02 |
| JPWO2003026357A1 (ja) | 2005-01-06 |
| CN1554212A (zh) | 2004-12-08 |
| EP1435762A4 (en) | 2010-03-24 |
| EP1435762A1 (en) | 2004-07-07 |
| WO2003026357A1 (fr) | 2003-03-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR20040030888A (ko) | 유기 일렉트로루미네선스 소자용 투명성 기판 및 유기일렉트로루미네선스 소자 | |
| JP5930081B2 (ja) | 有機ｌｅｄ素子用の透光性基板、その製造方法、有機ｌｅｄ素子およびその製造方法 | |
| JP5066814B2 (ja) | エレクトロルミネッセンス素子及び照明装置 | |
| TWI389597B (zh) | 電致發光元件及照明裝置 | |
| TWI381029B (zh) | Surface luminous body | |
| JP5195755B2 (ja) | 透光性基板、その製造方法、有機ｌｅｄ素子及びその製造方法 | |
| JP5824807B2 (ja) | 電子デバイス用基板およびこれを用いた電子デバイス | |
| US20100187987A1 (en) | Electrode-attached substrate, method for producing the same, organic led element and method for producing the same | |
| TW588564B (en) | Organic electroluminescence element-use transparent substrate and element | |
| JP2008066027A (ja) | 凹凸表面を有する基板およびそれを用いた有機ｅｌ素子 | |
| JP2017138558A (ja) | 画像表示装置 | |
| WO2007114256A1 (ja) | 有機エレクトロルミネセンス多色ディスプレイパネル | |
| JP2007035313A (ja) | 光取出し膜、光取出し膜付き透光体及びエレクトロルミネッセンス素子 | |
| CN102165621B (zh) | 有机电致发光器件 | |
| KR101632614B1 (ko) | 유기발광소자용 광추출 기판 제조방법, 유기발광소자용 광추출 기판 및 이를 포함하는 유기발광소자 | |
| CN113136149A (zh) | 用于显示装置的亮度均匀性的保护膜及包括其的显示装置 | |
| CN107863450A (zh) | 一种oled显示装置及其制备方法 | |
| JP2006032088A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子及び、それを用いたエレクトロルミネッセンス表示装置 | |
| US20170256745A1 (en) | Method for manufacturing light extraction substrate for organic light-emitting diode, light extraction substrate for organic light-emitting diode, and organic light-emitting diode including same | |
| CN109155371A (zh) | 基板 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E601 | Decision to refuse application |