KR20040000453A - 자기 조립형 폴리머 막을 구비한 메모리 디바이스 및 그제조 방법 - Google Patents

자기 조립형 폴리머 막을 구비한 메모리 디바이스 및 그제조 방법 Download PDF

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Abstract

다중 비트 메모리 셀을 구비한 메모리 디바이스 및 그 제조방법이 트랜지스터 어레이에 대한 접속부 위에 폴리머 메모리 셀을 제공하기 위해 자기 조립을 이용한다. 자기 조립을 채용하는 것은 폴리머 메모리 셀을 트랜지스터 어레이의 접속부의 정확한 위치에 제공한다. 폴리머 메모리 셀들은 특정 임계치보다 큰 전기 전류에 응답하여 저항값들을 변화시킨다. 메모리 셀들은 일정 시간에 걸쳐 저항값들을 유지한다.

Description

자기 조립형 폴리머 막을 구비한 메모리 디바이스 및 그 제조 방법{A MEMORY DEVICE WITH A SELF-ASSEMBLED POLYMER FILM AND METHOD OF MAKING THE SAME}
관 련 출 원
본 발명은 대응 미국 가특허 출원 번호 제60/289,054호에 개시된 요지와 관련된 요지를 포함한다.
현재 컴퓨터 처리 시스템은 이진수 데이터로 작동하여, 논리 1은 고전압 레벨(대략 Vcc, 전형적으로는 3.3V 또는 5V)에 의해 표현되며, 논리 0은 저전압 레벨(대략 Vss, 전형적으로는 0V 또는 접지)에 의해 표현된다. DRAM과 같은 종래의 랜덤 액세스 메모리 셀들은, 논리 1을 저장하기 위해 셀 캐패시터를 고전압 레벨로 충전시키고, 논리 0을 저장하기 위해 캐패시터를 저전압 레벨로 방전시킨다. DRAM 판독 동안, 셀 캐패시터의 전압은, Vcc와 Vss사이에서 셋팅된 기준 전압에 대하여 다르게 감지되고, 그 다음 이 결과에 따라 완전한 Vcc또는 Vss레벨을 래칭시킴으로써 재저장된다. 셀로부터의 데이터는, 약 Vcc또는 Vss로 다양한 입력/출력(I/O) 라인들을 구동함으로써, 주변영역으로의 즉 DRAM 디바이스 자체의 가장 바깥으로의 출력과 유사하다.
계속 증가하는 메모리 요건은, 저장 용량을 증가시키기 위하여 DRAM 칩당 더 많은 비트를 저장할 것을 요구한다. DRAM 칩당 비트의 수는 DRAM 셀 밀도(즉, 소정의 칩 영역당 셀의 수)를 증가시키거나, 또는 DRAM 셀 용량(즉, 각 셀에 저장되는 비트의 수)을 증가시킴으로써 증가될 수 있다. DRAM 셀밀도의 증가는 개선된 회로 디자인 및 고밀도의 어레이로 셀을 더 작게 패킹하기 위한 제작 기술의 개발이 요구되며, 이는 많은 시간과 고비용의 포토리소그래픽 공정 설비를 필요로 한다. 더욱이, DRAM 셀이 더욱 작아지고 어레이들이 더욱 고밀도화 될수록, 캐패시터당 저장되는 전하 등과 같은 물리적인 디바이스 환경이 제한 요소가 될 것이다.
메모리 용량은, DRAM과 같은 휘발성 메모리 및 플래쉬 메모리와 같은 비휘발성 메모리 양자 모두에 대하여, 셀당 다중의 비트(multiple bit)를 저장함으로써 증가될 수 있다. 한 접근에서, 각각의 전압 레벨이 서로 다른 데이터 값을 나타내는 셀의 저장 메커니즘에서 전통적인 두 전압 레벨들 보다 많은 레벨들이 채용될 수 있다. 예를 들면, 소정의 셀에 대하여 데이터가 네개의 허용된 전압 레벨들 중 하나로서 저장될 수 있다고 가정한다. 0V의 전압은 2비트의 논리 문자 "00"을, 약 1V의 전압은 논리 "01"을, 약 2V의 전압은 논리 "10"을, 그리고 약 3V의 전압은 논리 "11"을 나타내기 위해 사용될 수 있다. 이러한 방식으로, 하나의 셀에 NSB 및LSB가 저장될 수 있다. 사용되는 정확한 전압치와 전압 레벨의 개수는 원하는 설계에 따라 결정된다.
다중의 값을 갖는 메모리(multi-valued memory)의 실제 구현은 많은 문제를 보인다. 예를 들면, 무로타니(Murotani) 등은 최상위 비트(MSB: most significant bit)와 최하위 비트(LSB: least significant bit) 양자 모두가 캐패시터 전압의 함수로서 단일 셀에 저장될 수 있는 4 레벨 저장 디바이스를 제안하였다(1997 IEEE International Solid State Circuit Conference, Digest of Technical Papers, pp. 74-75, 1997). MSB는, 실질적으로 Vcc의 반(one-half)인 기준 전압에 대비하여, 저장된 전압을 감지함으로써 감지된다. MSB를 감지한 후, 그 다음 LSB가 약 3분의 1 Vcc로 상쇄된 Vcc의 2분의 1에 대비하여 감지된다. 상쇄의 부호(+, -)는 MSB(1, 0)에 따라 결정된다.
이러한 시스템에서 적절한 감지 신호를 얻기 위해서는 저장 캐패시터가 큰 캐패시턴스(capacitance)을 가져야 하며, 이는 저장 소자에 의한 칩 영역의 차지 또는 캐패시터 구성에 고유전상수 물질의 사용 중, 하나 또는 이들의 결합을 의미하는 것이다.
칩 영역의 효율적인 사용이 가능한 다중의 값을 갖는 저장을 구현하기 위한 훌륭한 회로를 제공할 필요가 있다.
본 발명은 전자 메모리 분야에 관한 것으로, 보다 구체적으로는, 폴리머 메모리의 구조 및 형성에 관한 것이다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따라 구성된 메모리 칩의 개략도이다.
도 2는 조립 공정 1 단계 동안의 본 발명의 실시예들에 따른 메모리 칩의 일 부분의 단면도의 투시도이다.
도 3은 본 발명의 실시예들에 따른 조립 공정의 1 단계동안의, 도 2의 메모리 어레이의 측면도이다.
도 4는 본 발명의 실시예들에 따라, 도전 플러그 위에 장벽층을 후속하여 증착(deposition)한 도 3의 구조를 도시한다.
도 5는 본 발명의 실시예들에 따라, 장벽층 위에 점착층을 후속하여 증착한, 도 4의 구조를 도시한다.
도 6은 본 발명의 실시예들에 따라, 자기 조립에 의해 형성된, 도전 접속부 위에 폴리머 메모리 소자를 후속하여 증착한, 도 5의 구조를 도시한다.
도 7은 본 발명의 실시예들에 따라, 메모리 소자들을 덮는 공통 전극을 후속하여 형성한, 도 6의 구조를 도시한다.
도 8은 본 발명의 실시예들에 따른 자기 조립 공정의 개략도이다.
도 9는 본 발명의 실시예들에 따라, 자기 조립된 도전 경로 배치의 개략적인 단면도를 도시한다.
이들 및 다른 필요들은 본 발명의 실시예들에 의해 충족되며, 본 발명은 제1전극을 형성하는 단계와 자기 조립(self-assembly)에 의해 상기 제 1 전극 위에 메모리 소자를 형성하는 단계를 포함하는 메모리 셀을 형성하는 방법을 제공한다. 이 메모리 소자는 오직 제1 전극에만 부착되는 폴리머를 구비하며, 전계에 상기 폴리머를 노출함으로써 선택 가능한 다중의 저항 값을 가진다. 제2 전극은 상기 제1 메모리 소자 위에 형성된다.
전술한 필요들은, 트랜지스터들의 어드레스 가능한 어레이 및 이 트랜지스터 어레이를 덮는 유전층(dielectric layer)을 구비하는 메모리 디바이스를 제공하는 본 발명의 다른 실시예들에 의해서도 충족된다. 트랜지스터 어레이에 대한 복수의 접속부가 상기 유전층을 통해 제공되며, 적어도 몇 개의 접속부는 노출된다. 메모리 소자들이 적어도 몇 개의 접속부 위에 형성되며, 이 메모리 소자들은 오직 접속부 위에만 형성되고, 유전층 위에는 형성되지 않는다. 공통 전극이 각각의 메모리 소자들의 접속부에 제공된다.
본 발명의 또 다른 양상은, 트랜지스터들의 어레이를 형성하는 단계와, 그리고 이들 트랜지스터를 유전층으로 덮는 단계를 포함하는, 메모리 디바이스를 조립하는 방법을 제공한다. 트랜지스터에 대한 도전 접속부가 유전층을 통해 형성된다. 선택 가능한 다중의 저항 값을 갖는 메모리 소자들이 자기 조립(self-assembly)에 의해 도전 접속부 위에 형성된다. 공통 전극이 각 메모리 소자들에 접속하는 메모리 소자 위에 형성된다.
본 발명의 전술한 특징, 다른 특징, 실시 양상 및 이점들은 첨부한 도면들을 고려할 때, 후술의 본 발명의 상세한 설명으로부터 더욱 명백해질 것이다.
본 발명은 메모리 셀 및 메모리 디바이스의 형성에 관한 문제를 제기하고 해결하기 위해, 칩 밀도를 증가시키고 용이하게 조립될 수 있는 멀티 비트 메모리 셀을 제공한다. 본 발명은, 일부분, 트랜지스터들의 어드레스 가능한 어레이와, 트랜지스터 어레이를 덮는 유전층과, 그리고 유전층을 통과하는 상기 트랜지스터 어레이들에 대한 다중의 접속부를 구비한 메모리 디바이스를 제공함으로써 이를 달성한다. 메모리 소자들이 자기 조립 공정(self-assembly process)에 의해 상기 접속부들의 위에 형성된다. 이들 메모리 소자들은, 본 발명의 실시예에서, 인가된 전계에 응답하여 저항값이 변하는 물질로 이루어진다. 다중의 저항값들(mutiple resistance values)이 이들 메모리 소자에서 선택되어 정하여질 수 있다. 이 다중의 저항값들은 각 메모리 셀의 다중의 비트 값에 대응한다. 메모리 소자로서 채용되는 예시적인 물질들은 폴리컨쥬게이션된 폴리머들(polyconjugated polymers), 프탈로시아닌(phtalocyanine) 및 포르피린(porphyrin)들을 포함한다. 메모리 디바이스를 형성하는 자기 조립 방법은 굉장히 소형화된 다중 비트 메모리 셀을 구비하는 메모리 디바이스를 생산하는 유효하고도 훌륭한 방법을 제공한다.
저장 캐패시터(storage capacitor)로의 전하 주입은, 저장 캐패시터의 일측 단자에 그 소스가 연결되고, 전력 공급장치(예를 들면, Vss)에 그 드레인이 선택적으로 연결된 FET에 의해 제어된다. 저장 캐패시터의 타측 단자는 공통 접지(common ground)에 연결될 수 있다. 그러한 디바이스들 및 그 동작은 업계에 공지되어있다. 저장 캐패시터, FET 및 배선들(interconnects)은 고비용의 공정인 포토리소그래피에 의해 정해진다.
본 발명의 메모리 디바이스(10) DRAM 셀들(12)을 구비하며, 각 DRAM셀들(12)은 트랜지스터(14) 및 메모리 소자(16)를 갖는다. 도시된 예시적인 실시예에서, 총 16개의 DRAM 셀들(12)이 제공된다. 그러나 이러한 배열은 오직 설명을 목적으로 하는 예시로서 당업자에게 이해되어야 할 것이다. 메모리 어레이에 굉장히 많은 수의 DRAM 셀을 갖는 메모리 디바이스가 제공될 수 있다. 칼럼 디코더(column decoder)(18)와 로우 디코더(row decoder)(20)가 개별 메모리 셀들을 어드레스하기 위해 메모리 칩에 제공된다.
RGA 블록(22)이 예를 들면 DMA 데이터 전송동안 등록 어드레스 신호(RGA)를 수신하도록 동작한다. 이것은 데이터의 목적지를 결정하며, 메모리 셀들(12)에서 데이터의 위치를 선택하는 동적 RAM 어드레스를 생성한다.
각각의 메모리 셀(16)은, 일측 단자가 공통 전극(38)에 연결되고, 타측 단자가 개별 메모리 셀들(12)의 트랜지스터(14)에 연결된다.
도 2는 단면 Ⅲ-Ⅲ을 따라 절단한, 메모리 소자(16)는 없는 메모리 칩의 일부분의 단면도의 투시도를 도시한다.
예시적인 FET가 P형 실리콘 기판(22)의 위에 형성되고, 트랜지스터 어레이는 기판(22)내의 위에 형성된다. 오직 접속부(27)(또는 도전 플러그)만이 도시된다. 이들 도전 플러그(27)는 유전층(33)으로 연장되어 리세스(recess)(32)에서 끝난다. 실제로, 예를 들면 알루미늄 또는 구리 등과 같은 임의의 적절한 도전성 물질로 이루어질 수 있다. 장벽층(barrier layer)(30)이 이 도전 플러그(27)의 윗면에 제공되며, 하기에서 더욱 자세히 기술될 것이다. 장벽층(30)은 도전 플러그(27)와 장벽층(30)위에 형성될 점착층(adhesion layer)간의 상호 작용을 방지하는 물질로 이루어진다.
셀을 덮어 하부 구조가 가려지지 않도록 하기 위해 도 1에는 도시되지 않았지만, 공통 전극(38)이 메모리 셀들(12)을 덮는다.
이제 도 3을 참조하면, 트랜지스터 및 트랜지스터 어레이 구조를 구비한 기판(22)의 단면이 도시된다. 소스 및 드레인 영역(24, 26)이 트랜지스터의 게이트 전극(28)과 함께 제공된다. 접속부(25, 29, 27)가 트랜지스터의 다양한 소자에 연장된 것이 도시된다. 실리콘 등과 같은 게이트 유전층이 참조번호 31로 표시된다. 도 3에 도시된 바와 같이, 도전 플러그(27)들은 드레인(26)에서부터 연장되어, 예를 들면, 유전층(33)의 리세스(32)의 개구에서 끝난다. 이 시점에서 종래의 트랜지스터 어레이 형성 방법이 사용될 수 있다.
전술한 바와 같은 장벽층(30)이 도 4에 도시된 바와 같이 도전 플러그(27)들의 상측에 형성된다. 장벽층(30)은 도전 플러그(27)의 재료와, 후속하여 그 위에 증착될 점착층 또는 폴리머 물질간의 상호작용을 방지하는 물질로 이루어진다. 도전 플러그(27)가 알루미늄으로 이루어지는 본 발명의 실시예에서, 장벽층(30)은 예를 들면 텅스텐으로 이루어질 수 있다. 장벽층으로서 사용되기에 적절한 다른 물질들이 본 발명의 범주를 벗어나지 않는 범위 내에서 이용될 수 있다. 그러나, 장벽층(30)은 도전성이어야 한다.
증착(evaporation)에 의한 장벽층(30)을 예를 들면, 약 100Å의 두께로 증착(deposition)한 다음, 본 발명의 어떤 실시예에서 얇은 점착층(39)이 이 장벽층(30)위에 제공된다. 이는 도 5에서 자세히 기술된다. 점착층(39)을 위한 재료는점착층(39)에 증착될 분자막(molecular film)이 점착층(39)에는 점착되고 유전층(33)에는 점착되지 않도록 선택된다. 예를 들어, 도전 플러그(27)가 알루미늄으로 이루어지고, 장벽층(30)이 텅스텐으로 이루어진다고 가정하면, 예시적인 실시예에서와 같이, 구리로 이루어진 점착층(39)이 폴리메틸페닐아세틸렌(polymethylphenylacetylene) 또는 쿠퍼프탈로시아닌(cupperphtaocyanine) 등과 같은 다수의 다른 분자막들을 위한 점착층으로서 적절히 기능할 것이다. 따라서, 얇은 점착층(39)은 사용될 분자막에 따라 특정된다. 자기 조립 방법은, 분자막 즉, 폴리머 막이 오직 점착층(39)에만 점착하고 유전층(33)에는 점착하지 않도록 하기 위해 이용된다. 이것은 트랜지스터 어레이에 연결되는 접속부 위의 정확한 위치에 메모리 소자를 위치시킨다.
뒤에서 더욱 상세히 기술될 바와 같이, 본 발명에서 자기 조립에 의해 증착되는 개개의 분자막들은 전계 또는 전류에 응답하여 제어가능하게 조절할 수 있는 저항성을 나타내는 특성을 갖는다. 일단 특정한 저항값 상태로 정하여 지면, 메모리 소자는 이 저항값이 소거되지 않는 한 일정 시간동안 그 상태를 유지할 것이다.
점착층(39) 위에 분자막을 자기 조립하기 위하여, 본 발명의 실시예에서, 메모리 어레이 또는 메모리 디바이스는 비교적 큰 부피의 챔버에 위치시키고 또는 작은 부피의 액체 단량체(liquid monomer)가 제공된다. 단량체 기체(monomer gas)가 또한 큰 부피에 제공된다. 메모리 셀 또는 메모리 디바이스는 일정 시간(예를 들면, 3시간)동안 놓여지고, 원하는 온도 범위(예를 들면, 상온)로 유지된다. 이 값들은 오직 예시이며, 다른 값들이 사용되는 구체적인 물질에 따라 사용될 수 있다.
다수의 서로 다른 물질들이 분자막 즉 폴리머막으로서 사용될 수 있다. 본 발명의 어떤 실시예에서, 이 물질은 컨쥬게이션된 폴리머이다. 또 다른 어떤 실시예에서, 이 물질은 프탈로시아닌(phtalocyanine)이다. 본 발명의 또 다른 실시예에서, 이 물질은 포르피린(porphyrin)이다. 이 물질들은 본 출원의 발명자들 중 한명(쥬리 에이치 크리거)에 의해 "Structural Instability of One-dimensional Systems as a Physical Principal Underlying the Functioning of Molecular Electronic Devices"의 제목으로, Structural Chemistry 저널(제 40권, 제 4호, 1999년)지의 기사에 기술되었다. 여기서, 이 참고문헌을 본 출원의 참조로서 명백히 인용한다.
점착층 위에 폴리머를 증착하기 위하여, 본 발명은 도 8에 도시된 바와 같이 큰 챔버에 메모리 디바이스 또는 메모리 셀이 놓이고, 기체 단량체가 제공되는, 자기 조립 방법이 제공된다. 비교적 작은 부피의 액체 단량체(52)가 또한 챔버(50)에 놓인다. 본 발명의 예시적인 실시예에서, 이 단량체는 메틸페닐아세틸렌(methylphenylacetylene)이다. 중합반응은 기체, 고체 인터페이스에서 발생하는 컨쥬게이션된 폴리머의 폴리머막을 생성한다. 이는 평평하지 않은 복잡한 표면(이 경우에는 트렌지스터 어레이의 접속부임) 위에 단량체로부터 폴리머막을 형성할 수 있도록 한다.
메틸페닐아세틸렌의 단량체의 예시적인 실시예에서, 형성된 폴리머막(polymeric film)(35)은 쿠퍼프탈로시아닌이다. 이 실시예들에서, 사용되는 단량체 기체는 테트라시아노벤젠(tetracyanobenzene)이다.
이 폴리머막들 및 단량체들은 오직 예시이며, 당업자들은 본 발명의 범주를 벗어남이 없이 그러한 막들을 생성하기 위한 다른 폴리머막 및 단량체가 사용될 수 있다는 것을 알 수 있을 것이다. 본 발명에서 유용한 폴리컨쥬게이션된 폴리머들의 예로서, 폴리파라페닐렌(polyparaphenylene), 폴리페닐베니엔(polyphenylvenyene), 폴리아닐린(polyaniline) 폴리티오펜(polythiophene) 또는 폴리피롤(polypyrrole)이 사용될 수 있다. 도 7에서 도시된 바와 같이, 트렌지스터 어레이에 대한 도전 접속부들의 위에 폴리머가 자기 조립에 의해 증착된 다음, 공통 전극이 각 접속부(35)의 위에 형성된다. 공통 전극(38)은 알루미늄, 텅스텐, 금, 구리 등과 같은 임의의 적절한 도전 물질일 수 있다. 공통 전극(38)은 예를 들면 증착(evaporation)에 의해 형성될 수 있다.
일단 조립되면, 본 발명의 메모리 셀들은 전계 또는 전류의 인가에 응답하여 다른 저항값을 가질 수 있는 특성을 갖는다. 예를 들면, 기록 전류를 적절히 인가함으로써, 메모리 셀에는 서로 다른 선택된 저항값들이 기록된다. 예를 들면, 이 저항값 레벨들은 "00" 값에 대응하여 300옴, "01" 값에 대응하여 약 400옴, "11" 값에 대응하여 약 650옴이 될 수 있다. 이 서로 다른 저항값 레벨들은 메모리 셀에 서로 다른 기록 전류들을 인가함으로써 획득할 수 있다.
메모리 디바이스 형성에 사용하는 것 이외에도, 본 발명의 자기 조립 방법은 또한 가역의 프로그래밍 가능한 저항값을 갖는 접속 패드 및 경로의 형성에도 이용될 수 있다. 예를 들면, 도 9에 보여지는 바와 같이, 실리콘 기판(60)이 돌출 리브(overhanging rib)(62)를 제공하기 위해 에칭된다. 돌출 리브는 이방성 화학적에칭 또는 이온 빔 밀링 등과 같은 종래의 기술에 의해 만들어질 수 있다. 표면 위의 예시적인 분자 합성 물질(molecular composite material)의 증착층(64)이, 포토리소그래픽 공정 없이도, 형성될 복수의 전기적으로 절연된 경로를 생성한다. 이와 같은 경로들은 칩 위의 서로 다른 디바이스들을 선택적으로 상호 연결시키기 위한 새로운 경로를 제공할 수 있는데, 이는 이 경로를 통해 외부 전계를 인가함으로써 또는 전기 전류를 흘림으로써 이들 경로의 저항성이 "오프" 상태와 "온" 상태 사이에서 가역적으로 변화될 수 있기 때문이다.
상기 기술한 바와 같은 본 발명은, 자기 조립에 의해 용이하게 구성될 수 있고, 종래의 트랜지스터의 어레이에 다중 비트 메모리 셀들을 생산한다. 이는 메모리 디바이스의 효율적인 비트 저장 밀도를 증가시킨다. 자기 조립 방법은 메모리 셀들의 폴리머들이 트랜지스터 어레이의 각 접속부에 정확히 위치할 수 있도록 한다.
본 발명이 구체적으로 기술되고 도시되었지만, 이는 그와 같은 것의 명백한 이해를 위한 설명 및 예시일 뿐이고 한정을 위한 것이 아니며, 본 발명의 범주는 오직 첨부된 청구범위에 의해서만 제한된다.

Claims (35)

  1. 트랜지스터들의 어드레스 가능한 어레이와;
    상기 트랜지스터 어레이를 덮는 유전층과;
    상기 유전층을 통하여 상기 트랜지스터 어레이에 대해 형성된 복수의 접속부-적어도 몇 개의 접속부들은 노출된다-와;
    상기 적어도 몇 개의 접속부의 메모리 소자들-상기 메모리 소자들은 오직 상기 접속부 위에만 형성되고, 상기 유전층 위에는 형성되지 않는다-과; 그리고
    상기 각 메모리 소자들과 접속하는 공통 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 메모리 디바이스.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 접속부들은 상기 트랜지스터와 접속하고 상기 유전층을 통해 연장되는 제 1 도전물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 메모리 디바이스.
  3. 제 2항에 있어서,
    상기 메모리 소자들은 인가되는 전계에 응답하여 저항이 변화하는 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 메모리 디바이스.
  4. 제 3항에 있어서,
    상기 물질은 적어도 세개의 다른 저항값 중 하나의 값으로 정해지고 유지될 수 있는 것을 특징으로 하는 메모리 디바이스.
  5. 제 4항에 있어서,
    상기 물질은 오직 상기 접속부들에만 점착되고, 상기 유전층에는 점착되지 않는 특성을 갖는 것을 특징으로 하는 메모리 디바이스.
  6. 제 4항에 있어서,
    상기 물질은 폴리컨쥬게이션된 폴리머인 것을 특징으로 하는 메모리 디바이스.
  7. 제 6항에 있어서,
    상기 폴리컨쥬게이션된 폴리머는 폴리파라페닐렌(polyparaphenylene), 폴리페닐브니엔(polyphenylvenyene), 폴리아닐린(polyaniline) 폴리티오펜(polythiophene), 또는 폴리피롤(polypyrrole) 중 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 메모리 디바이스.
  8. 제 4항에 있어서,
    상기 물질은 폴리머형 프탈로시아닌(polymeric phtalocyanine)인 것을 특징으로 하는 메모리 디바이스.
  9. 제 4항에 있어서,
    상기 물질은 폴리머형 포르피린(polymeric porphyrin)인 것을 특징으로 하는 메모리 디바이스.
  10. 제 3항에 있어서,
    상기 접속부들은 상기 트랜지스터로부터 상기 유전체의 표면으로 연장된 도전 플러그와, 상기 도전 플러그의 표면 위의 장벽층과, 그리고 상기 장벽층 위의 점착층을 포함하는 것을 특징으로 하는 메모리 디바이스.
  11. 제 10항에 있어서,
    상기 도전 플러그는 알루미늄(aluminum)으로 이루어진 것을 특징으로 하는 특징으로 하는 메모리 디바이스.
  12. 제 11항에 있어서,
    상기 장벽층은 텅스텐(tungsten)으로 이루어진 것을 특징으로 하는 메모리 디바이스.
  13. 제 12항에 있어서,
    상기 점착층은 구리(copper) 또는 구리 합금(copper alloy)으로 이루어진 것을 특징으로 하는 메모리 디바이스.
  14. 제 13항에 있어서,
    상기 물질은 폴리컨쥬게이션된 폴리머인 것을 특징으로 하는 메모리 디바이스.
  15. 제 13항에 있어서,
    상기 물질은 폴리머형 프탈로시아닌인 것을 특징으로 하는 메모리 디바이스.
  16. 제 13항에 있어서,
    상기 물질은 폴리머형 포르피린인 것을 특징으로 하는 메모리 디바이스.
  17. 제 13항에 있어서,
    상기 물질은 폴리컨쥬게이션된 폴리머, 폴리머형 프탈로시아닌, 또는 폴리머형 포르피린 중 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 메모리 디바이스.
  18. 제 17항에 있어서,
    상기 공통 전극은 알루미늄으로 이루어진 것을 특징으로 하는 메모리 디바이스.
  19. 메모리 디바이스를 조립하는 방법으로서:
    트랜지스터의 어레이를 형성하는 단계와;
    상기 트랜지스터를 유전층으로 덮는 단계와;
    상기 유전층을 통과하는, 상기 트랜지스터에 대한 도전 접속부를 형성하는 단계와;
    자기 조립에 의해, 상기 도전 접속부 위에, 다중의 선택 가능한 저항값을 갖는 메모리 소자를 형성하는 단계와; 그리고
    상기 메모리 소자 위에, 상기 각 메모리 소자에 접속하는 공통 전극을 형성하는 것을 특징으로 하는 방법.
  20. 제 19항에 있어서,
    상기 메모리 소자를 형성하는 단계는 오직 상기 도전 접속부에만 점착하고, 상기 유전층에는 점착하지 않는 제1 물질을 증착하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  21. 제 20항에 있어서,
    상기 제1 물질은 폴리컨쥬게이션된 폴리머인 것을 특징으로 하는 방법.
  22. 제 21항에 있어서,
    상기 폴리컨쥬게이션된 폴리머는 폴리파라페닐렌, 폴리페닐베니엔, 폴리아닐린, 폴리티오펜, 또는 폴리피롤 중 하나인 것을 특징으로 하는 방법.
  23. 제 20항에 있어서,
    상기 제1 물질은 폴리머형 프탈로시아닌인 것을 특징으로 하는 방법.
  24. 제 20항에 있어서,
    상기 제1 물질은 폴리머형 포르피린인 것을 특징으로 하는 방법.
  25. 제 19항에 있어서,
    상기 도전 접속부를 형성하는 단계는 트랜지스터와 접속하는 바닥부와 그리고 상부를 가진 도전 플러그를 형성하는 단계와, 상기 도전 플러그의 상부 위에 장벽층을 형성하는 단계와, 그리고 상기 장벽층 위에 점착층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  26. 제 25항에 있어서,
    상기 메모리 소자를 형성하는 단계는 밀폐된 챔버안에 액체 단량체와 함께 상기 메모리 디바이스를 위치시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  27. 제 26항에 있어서,
    상기 메모리 소자를 형성하는 단계는 밀폐된 챔버안에 단량체 기체와 함께상기 메모리 디바이스를 위치시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  28. 제 27항에 있어서,
    상기 액체 단량체 및 상기 단량체 기체는 메틸페닐아세틸렌(methylphenylacetylene)이고, 폴리메틸페닐아세틸렌의 폴리컨쥬게이션된 폴리머가 상기 메모리 소자로서 형성되는 것을 특징으로 하는 방법.
  29. 제 28항에 있어서,
    상기 액체 단량체 및 상기 단량체 기체는 테트라시아노벤젠이고, 쿠퍼프탈로시아닌은 상기 메모리 소자로서 형성되는 것을 특징으로 하는 방법.
  30. 메모리 셀을 형성하는 방법으로서:
    제1 전극을 형성하는 단계와;
    자기 조립에 의해 상기 제 1 전극 위에 메모리 소자-상기 메모리 소자는 오직 상기 제1 전극에만 점착하는 폴리머를 포함하고, 상기 폴리머를 전계에 노출시킴으로써 선택 가능한 다중의 저항값을 가진다-를 형성하는 단계와; 그리고
    상기 메모리 소자 위에 제 2 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  31. 제 30항에 있어서,
    상기 폴리머는 폴리컨쥬게이션된 폴리머인 것을 특징으로 하는 방법.
  32. 제 31항에 있어서,
    상기 폴리컨쥬게이션된 폴리머는 폴리파라페닐렌, 폴리페닐베니엔, 폴리아닐린, 폴리티오펜, 또는 폴리피롤 중 하나인 것을 특징으로 하는 방법.
  33. 제 30항에 있어서,
    상기 폴리머는 폴리머형 프탈로시아닌인 것을 특징으로 하는 방법.
  34. 제 30항에 있어서,
    상기 프탈로시아닌은 쿠퍼프탈로시아닌인 것을 특징으로 하는 방법.
  35. 제 30항에 있어서,
    상기 폴리머는 폴리머형 포르피린인 것을 특징으로 하는 방법.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100691928B1 (ko) * 2005-09-16 2007-03-09 삼성전자주식회사 엠보싱 구조물에 의해 형성된 메모리 활성 영역을 포함하는유기 메모리 소자
KR100814031B1 (ko) * 2006-01-13 2008-03-17 한국과학기술원 폴리머 메모리 소자 및 이의 제조 방법

Families Citing this family (89)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6727192B2 (en) 2001-03-01 2004-04-27 Micron Technology, Inc. Methods of metal doping a chalcogenide material
US6818481B2 (en) 2001-03-07 2004-11-16 Micron Technology, Inc. Method to manufacture a buried electrode PCRAM cell
US6734455B2 (en) 2001-03-15 2004-05-11 Micron Technology, Inc. Agglomeration elimination for metal sputter deposition of chalcogenides
US6873540B2 (en) * 2001-05-07 2005-03-29 Advanced Micro Devices, Inc. Molecular memory cell
AU2002340793A1 (en) 2001-05-07 2002-11-18 Coatue Corporation Molecular memory device
WO2002091494A1 (en) 2001-05-07 2002-11-14 Advanced Micro Devices, Inc. Switch element having memeory effect
CN1276518C (zh) 2001-05-07 2006-09-20 先进微装置公司 使用复合分子材料的浮置栅极存储装置
DE60220912T2 (de) * 2001-05-07 2008-02-28 Advanced Micro Devices, Inc., Sunnyvale Speichervorrichtung mit einem sich selbst einbauenden polymer und verfahren zur herstellung derselben
AU2002340795A1 (en) 2001-05-07 2002-11-18 Advanced Micro Devices, Inc. Reversible field-programmable electric interconnects
US7102150B2 (en) 2001-05-11 2006-09-05 Harshfield Steven T PCRAM memory cell and method of making same
US6768157B2 (en) 2001-08-13 2004-07-27 Advanced Micro Devices, Inc. Memory device
US6838720B2 (en) * 2001-08-13 2005-01-04 Advanced Micro Devices, Inc. Memory device with active passive layers
US6806526B2 (en) 2001-08-13 2004-10-19 Advanced Micro Devices, Inc. Memory device
DE60130586T2 (de) 2001-08-13 2008-06-19 Advanced Micro Devices, Inc., Sunnyvale Speicherzelle
US6858481B2 (en) * 2001-08-13 2005-02-22 Advanced Micro Devices, Inc. Memory device with active and passive layers
US6737312B2 (en) 2001-08-27 2004-05-18 Micron Technology, Inc. Method of fabricating dual PCRAM cells sharing a common electrode
US6955940B2 (en) 2001-08-29 2005-10-18 Micron Technology, Inc. Method of forming chalcogenide comprising devices
US6881623B2 (en) 2001-08-29 2005-04-19 Micron Technology, Inc. Method of forming chalcogenide comprising devices, method of forming a programmable memory cell of memory circuitry, and a chalcogenide comprising device
US6646902B2 (en) 2001-08-30 2003-11-11 Micron Technology, Inc. Method of retaining memory state in a programmable conductor RAM
US6709958B2 (en) * 2001-08-30 2004-03-23 Micron Technology, Inc. Integrated circuit device and fabrication using metal-doped chalcogenide materials
US6815818B2 (en) 2001-11-19 2004-11-09 Micron Technology, Inc. Electrode structure for use in an integrated circuit
US6791859B2 (en) 2001-11-20 2004-09-14 Micron Technology, Inc. Complementary bit PCRAM sense amplifier and method of operation
US20030143782A1 (en) 2002-01-31 2003-07-31 Gilton Terry L. Methods of forming germanium selenide comprising devices and methods of forming silver selenide comprising structures
US6791885B2 (en) 2002-02-19 2004-09-14 Micron Technology, Inc. Programmable conductor random access memory and method for sensing same
US6809362B2 (en) 2002-02-20 2004-10-26 Micron Technology, Inc. Multiple data state memory cell
US6847535B2 (en) 2002-02-20 2005-01-25 Micron Technology, Inc. Removable programmable conductor memory card and associated read/write device and method of operation
US7151273B2 (en) 2002-02-20 2006-12-19 Micron Technology, Inc. Silver-selenide/chalcogenide glass stack for resistance variable memory
US6849868B2 (en) 2002-03-14 2005-02-01 Micron Technology, Inc. Methods and apparatus for resistance variable material cells
US6751114B2 (en) 2002-03-28 2004-06-15 Micron Technology, Inc. Method for programming a memory cell
US6864500B2 (en) * 2002-04-10 2005-03-08 Micron Technology, Inc. Programmable conductor memory cell structure
US6731528B2 (en) * 2002-05-03 2004-05-04 Micron Technology, Inc. Dual write cycle programmable conductor memory system and method of operation
US6890790B2 (en) * 2002-06-06 2005-05-10 Micron Technology, Inc. Co-sputter deposition of metal-doped chalcogenides
US6825135B2 (en) 2002-06-06 2004-11-30 Micron Technology, Inc. Elimination of dendrite formation during metal/chalcogenide glass deposition
US6867996B2 (en) * 2002-08-29 2005-03-15 Micron Technology, Inc. Single-polarity programmable resistance-variable memory element
US6864521B2 (en) 2002-08-29 2005-03-08 Micron Technology, Inc. Method to control silver concentration in a resistance variable memory element
US6831019B1 (en) 2002-08-29 2004-12-14 Micron Technology, Inc. Plasma etching methods and methods of forming memory devices comprising a chalcogenide comprising layer received operably proximate conductive electrodes
US7364644B2 (en) 2002-08-29 2008-04-29 Micron Technology, Inc. Silver selenide film stoichiometry and morphology control in sputter deposition
US7012276B2 (en) * 2002-09-17 2006-03-14 Advanced Micro Devices, Inc. Organic thin film Zener diodes
US6903394B2 (en) * 2002-11-27 2005-06-07 Micron Technology, Inc. CMOS imager with improved color response
US7220985B2 (en) * 2002-12-09 2007-05-22 Spansion, Llc Self aligned memory element and wordline
WO2004070789A2 (en) * 2003-02-03 2004-08-19 The Regent Of The University Of California Rewritable nano-surface organic electrical bistable devices
WO2004076344A2 (en) * 2003-02-25 2004-09-10 Yeda Research And Development Company Ltd. Nanoscopic structure and devices using the same
US6813178B2 (en) * 2003-03-12 2004-11-02 Micron Technology, Inc. Chalcogenide glass constant current device, and its method of fabrication and operation
US7022579B2 (en) * 2003-03-14 2006-04-04 Micron Technology, Inc. Method for filling via with metal
US20070042154A1 (en) * 2003-04-08 2007-02-22 Seagate Technology Llc Self-assembled monolayer enhanced DLC coatings
US7050327B2 (en) 2003-04-10 2006-05-23 Micron Technology, Inc. Differential negative resistance memory
US7049153B2 (en) * 2003-04-23 2006-05-23 Micron Technology, Inc. Polymer-based ferroelectric memory
US6921912B2 (en) * 2003-06-03 2005-07-26 Micron Technology, Inc. Diode/superionic conductor/polymer memory structure
US6787458B1 (en) * 2003-07-07 2004-09-07 Advanced Micro Devices, Inc. Polymer memory device formed in via opening
US7259039B2 (en) * 2003-07-09 2007-08-21 Spansion Llc Memory device and methods of using and making the device
US7274035B2 (en) * 2003-09-03 2007-09-25 The Regents Of The University Of California Memory devices based on electric field programmable films
US7317521B2 (en) 2003-09-18 2008-01-08 Micron Technology, Inc. Particle detection method
US6852586B1 (en) * 2003-10-01 2005-02-08 Advanced Micro Devices, Inc. Self assembly of conducting polymer for formation of polymer memory cell
US7544966B2 (en) * 2003-12-03 2009-06-09 The Regents Of The University Of California Three-terminal electrical bistable devices
US20050162895A1 (en) * 2004-01-28 2005-07-28 Kuhr Werner G. Molecular memory arrays and devices
US7583551B2 (en) 2004-03-10 2009-09-01 Micron Technology, Inc. Power management control and controlling memory refresh operations
US6956761B2 (en) * 2004-03-10 2005-10-18 Micron Technology, Inc. Method to manufacture polymer memory with copper ion switching species
US20050212022A1 (en) * 2004-03-24 2005-09-29 Greer Edward C Memory cell having an electric field programmable storage element, and method of operating same
US7608855B2 (en) * 2004-04-02 2009-10-27 Spansion Llc Polymer dielectrics for memory element array interconnect
EP1748866B1 (en) * 2004-04-29 2011-03-09 Zettacore, Inc. Molecular memory and processing systems and methods therefor
WO2006001923A2 (en) * 2004-05-17 2006-01-05 The Regents Of The University Of California Bistable nanoparticle- polymer composite for use in memory devices
US7554111B2 (en) * 2004-05-20 2009-06-30 The Regents Of The University Of California Nanoparticle-polymer bistable devices
US7354793B2 (en) 2004-08-12 2008-04-08 Micron Technology, Inc. Method of forming a PCRAM device incorporating a resistance-variable chalocogenide element
US7326950B2 (en) 2004-07-19 2008-02-05 Micron Technology, Inc. Memory device with switching glass layer
US7365411B2 (en) 2004-08-12 2008-04-29 Micron Technology, Inc. Resistance variable memory with temperature tolerant materials
WO2006043611A1 (en) * 2004-10-22 2006-04-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
CA2587051A1 (en) * 2004-10-28 2006-05-11 The Regents Of The University Of California Organic-complex thin film for nonvolatile memory applications
JP5007566B2 (ja) 2004-11-08 2012-08-22 学校法人早稲田大学 メモリー素子及びその製造方法
US7374174B2 (en) 2004-12-22 2008-05-20 Micron Technology, Inc. Small electrode for resistance variable devices
US20060131555A1 (en) * 2004-12-22 2006-06-22 Micron Technology, Inc. Resistance variable devices with controllable channels
US7317200B2 (en) 2005-02-23 2008-01-08 Micron Technology, Inc. SnSe-based limited reprogrammable cell
US7709289B2 (en) 2005-04-22 2010-05-04 Micron Technology, Inc. Memory elements having patterned electrodes and method of forming the same
US7427770B2 (en) 2005-04-22 2008-09-23 Micron Technology, Inc. Memory array for increased bit density
US20070009821A1 (en) * 2005-07-08 2007-01-11 Charlotte Cutler Devices containing multi-bit data
US7274034B2 (en) 2005-08-01 2007-09-25 Micron Technology, Inc. Resistance variable memory device with sputtered metal-chalcogenide region and method of fabrication
US7332735B2 (en) 2005-08-02 2008-02-19 Micron Technology, Inc. Phase change memory cell and method of formation
US7579615B2 (en) 2005-08-09 2009-08-25 Micron Technology, Inc. Access transistor for memory device
KR101369864B1 (ko) * 2005-08-12 2014-03-05 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체장치 및 그 제조방법
US7251154B2 (en) 2005-08-15 2007-07-31 Micron Technology, Inc. Method and apparatus providing a cross-point memory array using a variable resistance memory cell and capacitance
KR100630437B1 (ko) * 2005-08-31 2006-10-02 삼성전자주식회사 비휘발성 유기물 저항 메모리 장치 및 그 제조 방법
US20070196673A1 (en) * 2006-02-17 2007-08-23 Seagate Technology Llc Lubricative and protective thin film
US7605410B2 (en) * 2006-02-23 2009-10-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
CN100415508C (zh) * 2006-05-30 2008-09-03 浙江大学 一种高阻隔性自组装多层复合薄膜的制备方法
US7560723B2 (en) 2006-08-29 2009-07-14 Micron Technology, Inc. Enhanced memory density resistance variable memory cells, arrays, devices and systems including the same, and methods of fabrication
KR100836759B1 (ko) * 2006-10-04 2008-06-10 삼성전자주식회사 유기 메모리 소자 및 그 형성 방법
US8283724B2 (en) * 2007-02-26 2012-10-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory element and semiconductor device, and method for manufacturing the same
US8467236B2 (en) 2008-08-01 2013-06-18 Boise State University Continuously variable resistor
JP5436455B2 (ja) 2009-01-29 2014-03-05 パナソニック株式会社 ハーモニックリジェクションミキサ
FR2957925B1 (fr) * 2010-03-29 2012-04-13 Centre Nat Rech Scient Polymeres organometalliques monocouches, et procede de synthese

Family Cites Families (108)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5012598B1 (ko) * 1970-04-02 1975-05-13
US3810127A (en) * 1970-06-23 1974-05-07 Intel Corp Programmable circuit {13 {11 the method of programming thereof and the devices so programmed
JPS5589980A (en) * 1978-11-27 1980-07-08 Nec Corp Semiconductor memory unit
US4267558A (en) * 1979-01-05 1981-05-12 Texas Instruments Incorporated Electrically erasable memory with self-limiting erase
US4652894A (en) * 1980-03-14 1987-03-24 The Johns Hopkins University Electrical organic thin film switching device switching between detectably different oxidation states
US4371883A (en) * 1980-03-14 1983-02-01 The Johns Hopkins University Current controlled bistable electrical organic thin film switching device
JPS5864068A (ja) * 1981-10-14 1983-04-16 Agency Of Ind Science & Technol 不揮発性半導体メモリの書き込み方法
US4677742A (en) * 1983-01-18 1987-07-07 Energy Conversion Devices, Inc. Electronic matrix arrays and method for making the same
GB2160049B (en) * 1984-05-28 1987-06-03 Suwa Seikosha Kk A non-volatile memory circuit
JPH0630394B2 (ja) 1984-10-31 1994-04-20 株式会社日立製作所 接合素子の製造方法
US5034192A (en) * 1984-11-23 1991-07-23 Massachusetts Institute Of Technology Molecule-based microelectronic devices
US4631562A (en) * 1985-05-31 1986-12-23 Rca Corporation Zener diode structure
DE3602887A1 (de) * 1986-01-31 1987-08-06 Bayer Ag Nichtfluechtiger elektronischer speicher
US4727514A (en) * 1986-02-11 1988-02-23 Texas Instruments Incorporated Programmable memory with memory cells programmed by addressing
US4834911A (en) * 1986-08-25 1989-05-30 Electro-Organic Company Intrinsically conductive and semiconductive polymers, products formed with such polymers and methods of forming same
EP0268370B1 (en) 1986-10-13 1995-06-28 Canon Kabushiki Kaisha Switching device
JPH0828000B2 (ja) 1987-05-27 1996-03-21 株式会社リコー 強誘電性高分子光メモリ−
AU2485788A (en) * 1987-07-28 1989-03-01 Maxdem, Inc. Electrically settable resistance device
JPH01100788A (ja) * 1987-10-13 1989-04-19 Hitachi Ltd 半導体集積回路装置
US4839700A (en) * 1987-12-16 1989-06-13 California Institute Of Technology Solid-state non-volatile electronically programmable reversible variable resistance device
US5440518A (en) * 1991-06-12 1995-08-08 Hazani; Emanuel Non-volatile memory circuits, architecture and methods
US5136212A (en) * 1988-02-18 1992-08-04 Canon Kabushiki Kaisha Electron emitting device, electron generator employing said electron emitting device, and method for driving said generator
US5208301A (en) * 1988-05-13 1993-05-04 Ohio State University Research Foundation Sulfonated polyaniline compositions, ammonium salts thereof, process for their preparation and uses thereof
US5196912A (en) * 1988-10-28 1993-03-23 Casio Computer Co., Ltd. Thin film transistor having memory function and method for using thin film transistor as memory element
US5892244A (en) * 1989-01-10 1999-04-06 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Field effect transistor including πconjugate polymer and liquid crystal display including the field effect transistor
JP2636035B2 (ja) 1989-02-27 1997-07-30 松下電器産業株式会社 強誘電性液晶組成物および強誘電性液晶表示装置
DE69018348T2 (de) * 1989-07-25 1995-08-03 Matsushita Electric Ind Co Ltd Speicherbauelement aus organischem Halbleiter mit einer MISFET-Struktur und sein Kontrollverfahren.
US5206525A (en) * 1989-12-27 1993-04-27 Nippon Petrochemicals Co., Ltd. Electric element capable of controlling the electric conductivity of π-conjugated macromolecular materials
US5272101A (en) * 1990-04-12 1993-12-21 Actel Corporation Electrically programmable antifuse and fabrication processes
US5552627A (en) * 1990-04-12 1996-09-03 Actel Corporation Electrically programmable antifuse incorporating dielectric and amorphous silicon interlayers
US5130380A (en) * 1990-05-29 1992-07-14 Carew Evan B Conductive polymers
JPH0770731B2 (ja) * 1990-11-22 1995-07-31 松下電器産業株式会社 電気可塑性素子
US5245543A (en) * 1990-12-21 1993-09-14 Texas Instruments Incorporated Method and apparatus for integrated circuit design
US5296716A (en) * 1991-01-18 1994-03-22 Energy Conversion Devices, Inc. Electrically erasable, directly overwritable, multibit single cell memory elements and arrays fabricated therefrom
FR2672158B1 (fr) * 1991-01-24 1993-04-09 Commissariat Energie Atomique Capteur pour la detection d'especes chimiques ou de photons utilisant un transistor a effet de champ.
JP3224829B2 (ja) * 1991-08-15 2001-11-05 株式会社東芝 有機電界効果型素子
GB9117680D0 (en) * 1991-08-16 1991-10-02 Philips Electronic Associated Electronic matrix array devices
JP3454821B2 (ja) 1991-08-19 2003-10-06 エナージー・コンバーション・デバイセス・インコーポレーテッド 電気的に消去可能な、直接重ね書き可能なマルチビット単セルメモリ素子およびそれらから作製したアレイ
US5563081A (en) * 1992-03-23 1996-10-08 Rohm Co., Inc. Method for making a nonvolatile memory device utilizing a field effect transistor having a ferroelectric gate film
JP2822791B2 (ja) * 1992-06-30 1998-11-11 日本電気株式会社 半導体装置
RU2071126C1 (ru) 1992-08-27 1996-12-27 Кригер Юрий Генрихович Запоминающий элемент
US6559469B1 (en) * 1992-10-23 2003-05-06 Symetrix Corporation Ferroelectric and high dielectric constant transistors
US5579199A (en) * 1992-11-26 1996-11-26 Sharp Kabushiki Kaisha Non-volatile memory device and a method for producing the same
US5581111A (en) * 1993-07-07 1996-12-03 Actel Corporation Dielectric-polysilicon-dielectric antifuse for field programmable logic applications
US5818749A (en) * 1993-08-20 1998-10-06 Micron Technology, Inc. Integrated circuit memory device
JPH07106440A (ja) 1993-10-04 1995-04-21 Hitachi Ltd 不揮発性半導体記憶装置及びそれを用いた応用システム
JP3467858B2 (ja) * 1993-11-02 2003-11-17 ソニー株式会社 光電変換素子
US5446299A (en) * 1994-04-29 1995-08-29 International Business Machines Corporation Semiconductor random access memory cell on silicon-on-insulator with dual control gates
JP4278721B2 (ja) * 1994-09-30 2009-06-17 テキサス インスツルメンツ インコーポレイテツド 高い逆降伏電圧を有するツェナーダイオード
JPH08222648A (ja) 1995-02-14 1996-08-30 Canon Inc 記憶装置
US5572472A (en) * 1995-04-14 1996-11-05 Delco Electronics Corporation Integrated zener-zap nonvolatile memory cell with programming and pretest capability
NO952545D0 (no) * 1995-06-23 1995-06-23 Opticon As Fremgangsmåte til skriving av data i et optisk minne
US5691935A (en) * 1995-07-13 1997-11-25 Douglass; Barry G. Memory element and method of operation thereof
US5849403A (en) * 1995-09-13 1998-12-15 Kabushiki Kaisha Toshiba Organic thin film device
DE69515876T2 (de) * 1995-11-06 2000-08-17 St Microelectronics Srl Leistungsbauelement in MOS-Technologie mit niedrigem Ausgangswiderstand und geringer Kapazität und dessen Herstellungsverfahren
WO1997033316A1 (fr) * 1996-03-08 1997-09-12 Hitachi, Ltd. Composant a semi-conducteur et sa fabrication
US5761115A (en) * 1996-05-30 1998-06-02 Axon Technologies Corporation Programmable metallization cell structure and method of making same
US5734605A (en) * 1996-09-10 1998-03-31 Motorola, Inc. Multi-layer magnetic tunneling junction memory cells
DE19640239A1 (de) * 1996-09-30 1998-04-02 Siemens Ag Speicherzelle mit Polymerkondensator
JP3349638B2 (ja) * 1996-11-15 2002-11-25 シャープ株式会社 表示装置を駆動する方法および回路
US6461916B1 (en) * 1997-03-28 2002-10-08 Hitachi, Ltd. Non-volatile semiconductor memory and method of making same, and semiconductor device and method of making the device
NO972803D0 (no) * 1997-06-17 1997-06-17 Opticom As Elektrisk adresserbar logisk innretning, fremgangsmåte til elektrisk adressering av samme og anvendelse av innretning og fremgangsmåte
IL121312A (en) 1997-07-14 2001-09-13 Technion Res & Dev Foundation Microelectronic components, their manufacture and electronic networks containing them
JP3569112B2 (ja) * 1997-07-17 2004-09-22 株式会社東芝 半導体集積回路およびその製造方法
NO304956B1 (no) 1997-07-22 1999-03-08 Opticom As Elektrodeanordning uten og med et funksjonselement, samt en elektrodeinnretning dannet av elektrodeanordninger med funksjonselement og anvendelser derav
US6969866B1 (en) * 1997-10-01 2005-11-29 Ovonyx, Inc. Electrically programmable memory element with improved contacts
SG77608A1 (en) * 1997-10-03 2001-01-16 Inst Data Storage Improvements relating to optical memories using electron trapping material
US6346741B1 (en) * 1997-11-20 2002-02-12 Advanced Technology Materials, Inc. Compositions and structures for chemical mechanical polishing of FeRAM capacitors and method of fabricating FeRAM capacitors using same
WO1999028914A2 (en) * 1997-12-04 1999-06-10 Axon Technologies Corporation Programmable sub-surface aggregating metallization structure and method of making same
US6693318B1 (en) * 1997-12-18 2004-02-17 Infineon Technologies North America Reduced diffusion of a mobile specie from a metal oxide ceramic
US6350643B1 (en) * 1997-12-18 2002-02-26 Advanced Technology Materials, Inc. Reduced degradation of metal oxide ceramic due to diffusion of a mobile specie therefrom
NO306529B1 (no) * 1998-01-16 1999-11-15 Opticom As Transistor
ATE377842T1 (de) * 1998-01-28 2007-11-15 Thin Film Electronics Asa Methode zur herstellung zwei- oder dreidimensionaler elektrisch leitender oder halbleitender strukturen, eine löschmethode derselben und ein generator/modulator eines elektrischen feldes zum gebrauch in der herstellungsmethode
US6064589A (en) * 1998-02-02 2000-05-16 Walker; Darryl G. Double gate DRAM memory cell
JPH11312393A (ja) * 1998-02-19 1999-11-09 Sanyo Electric Co Ltd 半導体メモリ装置の書き込み回路
US6093614A (en) * 1998-03-04 2000-07-25 Siemens Aktiengesellschaft Memory cell structure and fabrication
US6509601B1 (en) * 1998-07-31 2003-01-21 Samsung Electronics Co., Ltd. Semiconductor memory device having capacitor protection layer and method for manufacturing the same
US6487106B1 (en) * 1999-01-12 2002-11-26 Arizona Board Of Regents Programmable microelectronic devices and method of forming and programming same
US6635914B2 (en) * 2000-09-08 2003-10-21 Axon Technologies Corp. Microelectronic programmable device and methods of forming and programming the same
WO2000048195A1 (en) * 1999-02-12 2000-08-17 Board Of Trustees Operating Michigan State University Nanocapsules containing charged particles, their uses and methods of forming the same
US6459095B1 (en) * 1999-03-29 2002-10-01 Hewlett-Packard Company Chemically synthesized and assembled electronics devices
US6128214A (en) * 1999-03-29 2000-10-03 Hewlett-Packard Molecular wire crossbar memory
FR2792761B1 (fr) * 1999-04-21 2003-05-23 St Microelectronics Sa Dispositif de programmation d'une memoire non volatile electriquement programmable
US6047953A (en) 1999-04-27 2000-04-11 Jacob, Jr.; Eugene W. Diaphragm compression restrainer
IL147119A0 (en) * 1999-07-01 2002-08-14 Univ High density non-volatile memory device
JP4491870B2 (ja) * 1999-10-27 2010-06-30 ソニー株式会社 不揮発性メモリの駆動方法
US6384427B1 (en) * 1999-10-29 2002-05-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electronic device
DE19959904C2 (de) 1999-12-11 2002-03-14 Edward William Schlag Verfahren und Vorrichtung zum Steuern eines elektrischen Stromes durch Biomoleküle
US6272038B1 (en) * 2000-01-14 2001-08-07 North Carolina State University High-density non-volatile memory devices incorporating thiol-derivatized porphyrin trimers
NO315728B1 (no) * 2000-03-22 2003-10-13 Thin Film Electronics Asa Multidimensjonal adresseringsarkitektur for elektroniske innretninger
US7194085B2 (en) * 2000-03-22 2007-03-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electronic device
US6449184B2 (en) * 2000-06-19 2002-09-10 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Method for driving semiconductor memory
US6403397B1 (en) * 2000-06-28 2002-06-11 Agere Systems Guardian Corp. Process for fabricating organic semiconductor device involving selective patterning
US7025277B2 (en) * 2000-09-25 2006-04-11 The Trustees Of Princeton University Smart card composed of organic processing elements
NO20005980L (no) * 2000-11-27 2002-05-28 Thin Film Electronics Ab Ferroelektrisk minnekrets og fremgangsmåte ved dens fremstilling
US6569705B2 (en) * 2000-12-21 2003-05-27 Intel Corporation Metal structure for a phase-change memory device
JP4667594B2 (ja) * 2000-12-25 2011-04-13 ルネサスエレクトロニクス株式会社 薄膜磁性体記憶装置
JP2002230982A (ja) * 2001-02-01 2002-08-16 Mitsubishi Electric Corp 不揮発性半導体記憶装置
US6407953B1 (en) * 2001-02-02 2002-06-18 Matrix Semiconductor, Inc. Memory array organization and related test method particularly well suited for integrated circuits having write-once memory arrays
US6919633B2 (en) * 2001-03-07 2005-07-19 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Multi-section foldable memory device
CN1276518C (zh) * 2001-05-07 2006-09-20 先进微装置公司 使用复合分子材料的浮置栅极存储装置
US6873540B2 (en) * 2001-05-07 2005-03-29 Advanced Micro Devices, Inc. Molecular memory cell
DE60220912T2 (de) 2001-05-07 2008-02-28 Advanced Micro Devices, Inc., Sunnyvale Speichervorrichtung mit einem sich selbst einbauenden polymer und verfahren zur herstellung derselben
AU2002340795A1 (en) * 2001-05-07 2002-11-18 Advanced Micro Devices, Inc. Reversible field-programmable electric interconnects
AU2002340793A1 (en) * 2001-05-07 2002-11-18 Coatue Corporation Molecular memory device
WO2002091494A1 (en) * 2001-05-07 2002-11-14 Advanced Micro Devices, Inc. Switch element having memeory effect
US6436762B1 (en) * 2001-05-14 2002-08-20 Taiwan Semiconductor Manufactoring Company Method for improving bit line to capacitor electrical failures on DRAM circuits using a wet etch-back to improve the bit-line-to-capacitor overlay margins
US6656763B1 (en) * 2003-03-10 2003-12-02 Advanced Micro Devices, Inc. Spin on polymers for organic memory devices

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100691928B1 (ko) * 2005-09-16 2007-03-09 삼성전자주식회사 엠보싱 구조물에 의해 형성된 메모리 활성 영역을 포함하는유기 메모리 소자
KR100814031B1 (ko) * 2006-01-13 2008-03-17 한국과학기술원 폴리머 메모리 소자 및 이의 제조 방법

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