KR20030095174A - 용량값 측정 방법 - Google Patents

Abstract

측정 대상의 용량에 무시할 수 없는 레벨의 누설 전류가 발생하는 경우에도, 정확한 용량값이 측정 가능한 용량값 측정 방법을 얻는다. 단계 S1에서, PMOS 트랜지스터 MP1 및 MP2를 소정 주기로 온/오프 제어하는 PMOS 게이트 전위 Gp로서 노멀 PMOS 게이트 전위 Gp1을 이용하여, 테스트 전류 IC_norm을 측정한다. 그 후, 단계 S2에서, PMOS 게이트 전위 Gp로서, "L" 기간 및 하강 시간이 노멀 PMOS 게이트 전위 Gp1의 등비배인 온 기간 등비배 PMOS 게이트 전위 Gp2를 이용하여 전류 IC_rat를 측정한다. 단계 S3에서, 전류 IC_norm및 전류 IC_rat에 기초하여, 누설 전류 IR_t를 제거하여, 용량 전류 IC_t성분만으로 이루어지는 용량 전류 CIC의 전류량을 산출한다. 그 후, 단계 S5에서, 용량 전류 CIC 및 단계 S4에서 구한 충전 주파수 f_rat에 기초하여, 타깃 용량 CC_t를 구한다.

Description

용량값 측정 방법{CAPACITANCE MEASUREMENT METHOD}

본 발명은 CBCM(Charge Based Capacitance Measurement) 회로를 이용한 용량값 측정 방법에 관한 것이다.

<CBCM법의 기본 원리>

CBCM법은 LCR 미터 등의 AC 측정기로는 충분한 정밀도가 얻어지지 않는 sub-fF 레벨(10^-15F 이하)의 용량값 측정용 방법이다.

도 7은 종래의 CBCM법을 채용한 CBCM용 회로의 구성을 도시하는 회로도이다. 도 7에 도시한 바와 같이 PMOS 트랜지스터 MP1 및 NMOS 트랜지스터 MN1이 직렬로 접속되고, PMOS 트랜지스터 MP2 및 NMOS 트랜지스터 MN2가 직렬로 접속된다. 그리고, PMOS 트랜지스터 MP1의 소스가 전원 패드(52)에 접속되고, PMOS 트랜지스터MP2의 소스가 전원 패드(54)에 접속되고, NMOS 트랜지스터 MN1 및 MN2의 소스가 공통으로 접지 레벨에 접속된다. 또한, PMOS 트랜지스터 MP1 및 MP2의 게이트에는 PMOS 게이트 전위 Gp가 인가되고, NMOS 트랜지스터 MN1 및 MN2의 게이트에는 NMOS 게이트 전위 Gn이 인가된다.

그리고, NMOS 트랜지스터 MN1의 드레인(노드 N1), 소스 사이에 기준 용량 C_ref(용량값=C_m(더미 용량))이 공급되고, NMOS 트랜지스터 MN2의 드레인(노드 N2), 소스 사이에 테스트 용량 C_tst(용량값=C_m+C_t(타깃 용량))가 공급된다. 도 7에 도시한 CBCM용 회로의 목적은 타깃 용량 C_t를 측정하는 것이다.

도 8은 도 7에 도시한 CBCM용 회로 동작을 도시하는 타이밍도이다. 이하, 도 8을 참조하여, 종래의 CBCM용 회로에 의한 용량값 측정 동작을 설명한다.

도 8에 도시한 바와 같이 PMOS 게이트 전위 Gp 및 NMOS 게이트 전위 Gn의 입력 전압 파형은 어느 시간에서도, NMOS 트랜지스터 MN1, MN2 및 PMOS 트랜지스터 MP1, MP2 중, 적어도 한쪽은 오프 상태가 되도록 주어진다. 따라서, PMOS 트랜지스터 MP1로부터 NMOS 트랜지스터 MN1로, 또는 PMOS 트랜지스터 MP2로부터 NMOS 트랜지스터 MN2로 흐르는 관통 전류는 생기지 않는다.

도 8에 도시한 바와 같이 시간 t1∼t2 동안, PMOS 트랜지스터 MP1 및 MP2가 온 상태로 되어, 전원 패드(52) 및 전원 패드(54)로부터 전류 I_r, I_t를 공급함으로써, 기준 용량 C_ref및 테스트 용량 C_tst를 충전한다. 그 동안, NMOS 트랜지스터 MN1및 MN2는 모두 오프 상태이므로, 기준 용량 C_ref, 테스트 용량 C_tst과 접속하고 있는 노드 N1, N2의 전위는 전원 전위 V_dd에 달한다.

시간 t2∼t3 동안은, PMOS 트랜지스터 MP1, MP2, NMOS 트랜지스터 MN1, MN2 전부가 오프 상태로 된다. 이상적으로는 기준 용량 C_ref, 테스트 용량 C_tst에 충전된 전하는 보존되므로, 노드 N1, N2의 전위는 전원 전위 V_dd를 유지한다.

시간 t3∼t4 동안은, NMOS 트랜지스터 MN1 및 MN2만 온 상태가 되므로, 기준 용량 C_ref, 테스트 용량 C_tst에 충전된 전하는 접지 레벨로 방전되고, 노드 N1, N2의 전위는 접지 전위 V_ss에 달한다.

시간 t4∼t5 동안은, 모든 MOS 트랜지스터가 오프 상태로 된다. 이상적으로는 기준 용량 C_ref, 테스트 용량 C_tst는 방전이 완료되었을 때의 전위 접지 전위 V_ss를 유지한다.

이상, 동작의 1주기 T(t1∼t5까지의 시간)에서, 이후 이 동작을 반복한다. 측정 장치에서 관측하는 것은 전류 I_r, I_t의 시간 평균값이다. 지금, 게이트 입력 파형(Gp, Gn)의 주파수를 f(=1/T)로 하면, 다음의 수학식 1, 2에 의해 타깃 용량값 C_t가 구해진다.

CBCM법의 장점은 수학식 1, 2에 도시한 바와 같이 더미 용량(기생 용량) C_m을 캔슬하여, 원하는 타깃 용량 C_t를 얻을 수 있다는 것이다.

이와 같이 CBCM법에 의해 용량값을 측정할 수 있다. 그러나, CBCM 회로를 이용한 용량값 측정 방법에 있어서, 테스트 용량 C_tst에 전하의 누설이 존재하고, 그 누설량을 충전 전류와 비교하여 무시할 수 없는 경우(예를 들면, 전류값으로 1% 이상), 관측되는 전류 I_t를 충전 전류로 취급하는 것은 측정한 용량값의 오차를 야기한다.

도 9는 누설 전류가 없는 경우를 상정한 테스트 용량 C_tst측의 등가 회로를 도시하는 회로도이다. 도 9에 도시한 바와 같이 누설 전류가 없는 경우에는 테스트 용량 C_tst와 저항 R_s(트랜지스터 저항 등)가 직렬로 접속된 구성과 등가로 된다.

도 10은 누설 전류가 있는 경우를 상정한 테스트 용량 C_tst측의 등가 회로를 도시하는 회로도이다. 도 10에 도시한 바와 같이 누설 전류가 있는 경우에는 테스트 용량 C_tst에 병렬로 저항 R_t가 추가 접속된 구성으로 된다.

도 11은 누설 전류가 있는 경우의 CBCM 회로의 등가 회로를 도시하는 회로도이다. 도 11에 도시한 바와 같이, 도 10에 도시한 회로 구성이 NMOS 트랜지스터 MN2의 드레인, 소스 사이에 접속되고, 전원 패드(54)로부터 공급되는 전류 I_t가 테스트 용량 C_tst에 전류 IC_t가 흐름과 함께, 저항 R_t에도 전류 IR_t로서 흐른다.

도 12는 누설 전류의 문제점을 지적하는 설명도이다. 도 12에 도시한 바와 같이 PMOS 게이트 전위 Gp의 인가에 의해 PMOS 트랜지스터 MP1을 온 상태로 하고 있는 기간(즉, NMOS 트랜지스터 MN1을 오프 상태로 해야 할 기간)에서도 전류 IR_t가 누설 전류로서 흐른다.

종래의 CBCM법을 이용한 용량값의 측정(추출)은 전원 전압 V_dd측에서 관측되는 전류를, 전부 CBCM 회로를 구성하는 MOS 트랜지스터 및 테스트 용량 C_tst및 더미 용량 C_m에의 전하의 충전으로 가정하고 있다. 따라서, 누설 전류가 발생하는 경우, 실제로는 저항 R_t를 흐르는 누설 전류에 대응하는 전하도 충전 전하로서 취급되어, 실제의 용량값보다 큰 용량값으로 측정되는 문제점이 있었다.

본 발명은 상기 문제점을 해결하기 위해 이루어진 것으로, 측정 대상의 용량에 무시할 수 없는 레벨의 누설 전류가 발생하는 경우에도, 정확한 용량값이 측정 가능한 용량값 측정 방법을 얻는 것을 목적으로 한다.

도 1은 본 발명의 실시예인 용량값 측정 방법의 처리 순서를 설명하는 흐름도.

도 2는 PMOS 게이트 전위의 신호 파형을 도시하는 파형도.

도 3은 PMOS 게이트 전위의 신호예의 상세를 도시하는 파형도.

도 4는 도 3의 일부분에 있어서의 용량 전류 및 누설 전류의 시뮬레이션 결과를 도시하는 파형도.

도 5는 PMOS 게이트 전위의 신호예의 상세를 도시하는 파형도.

도 6은 도 5의 일부분에 있어서의 누설 전류의 시뮬레이션 결과를 도시하는 파형도.

도 7은 종래의 CBCM법을 채용한 CBCM용 회로의 구성을 도시하는 회로도.

도 8은 도 7에 도시한 CBCM용 회로 동작을 도시하는 타이밍도.

도 9는 누설 전류가 없는 경우를 상정한 테스트 용량 측의 등가 회로를 도시하는 회로도.

도 10은 누설 전류가 있는 경우를 상정한 테스트 용량측의 등가 회로를 도시하는 회로도.

도 11은 누설 전류가 있는 경우의 CBCM 회로의 등가 회로를 도시하는 회로도.

도 12는 누설 전류의 문제점을 지적하는 설명도.

〈도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명〉

C_m: 더미 용량

C_tst: 테스트 용량

MN1, MN2 : NMOS 트랜지스터

MP1, MP2 : PMOS 트랜지스터

본 발명에 따른 용량값 측정 방법은, 충전용 트랜지스터를 포함하는 CBCM(Charge Based Capacitance Measurement)용 회로에 접속된 측정 대상 용량의용량값을 측정하는 방법으로서, (a) 상기 충전용 트랜지스터의 온/오프 동작을 소정 주기로 제어하는 제1 제어 신호를 상기 충전용 트랜지스터에 부여하여, 상기 충전용 트랜지스터를 통해 상기 측정 대상 용량에 공급되는 제1 테스트 전류의 전류량을 측정하는 단계와, (b) 상기 충전용 트랜지스터의 온/오프 동작을 상기 소정 주기로 제어하는 제2 제어 신호를 상기 충전용 트랜지스터에 부여하여, 상기 충전용 트랜지스터를 통해 상기 측정 대상 용량에 공급되는 제2 테스트 전류의 전류량을 측정하는 단계-상기 제2 제어 신호는 상기 제1 제어 신호에 비하여 상기 충전용 트랜지스터의 온 상태를 지시하는 기간이 소정배(所定倍)로 설정됨-와, (c) 상기 제1 및 제2 테스트 전류에 기초하여, 상기 측정 대상 용량에 부수하여 발생하는 누설 전류를 제거하고, 상기 측정 대상 용량의 충전에만 이용되는 용량 전류의 전류량을 산출하는 단계와, (d) 상기 용량 전류의 전류량에 적합한 충전 주파수를 산출하는 단계와, (e) 상기 용량 전류의 전류량 및 상기 충전 주파수에 기초하여 상기 측정 대상 용량의 용량값을 산출하는 단계를 포함하고 있다.

또한, 본 발명에 있어서, 상기 제2 제어 신호는 오프 상태를 지시하는 레벨로부터 온 상태를 지시하는 레벨로 천이하는 온 상태로의 천이 시간이 상기 제1 제어 신호에 있어서의 상기 온 상태로의 천이 시간에 대하여 상기 소정배의 길이로 설정된다.

또한, 본 발명에 있어서, 상기 제1 및 제2 제어 신호는 온 상태를 지시하는 레벨로부터 오프 상태를 지시하는 레벨로 천이하는 오프 상태로의 천이 시간이 모두 상기 제1 제어 신호에 있어서의 상기 온 상태로의 천이 시간에 비하여 짧게 설정된다.

〈실시예〉

도 1은 본 발명의 실시예인 용량값 측정 방법의 처리 순서를 설명하는 흐름도이다. 또, CBCM 회로의 구성은 도 7 및 도 11에 도시한 회로 구성과 마찬가지이다.

도 1을 참조하면, 단계 S1에서, PMOS 트랜지스터 MP1 및 MP2를 소정 주기로 온/오프 제어하는 PMOS 게이트 전위 Gp로서 노멀 PMOS 게이트 전위 Gp1을 이용하여, 수학식 1의 전류 I_c에 상당하는 테스트 전류 IC_norm을 측정한다.

그 후, 단계 S2에서, PMOS 게이트 전위 Gp로서, "L" 기간 및 하강 시간이 노멀 PMOS 게이트 전위 Gp1의 등비배(等比倍)의 온 기간 등비배 PMOS 게이트 전위 Gp2를 이용하여, 수학식 1의 전류 I_c에 상당하는 테스트 전류 IC_rat를 측정한다. 따라서, 전류 IC_norm및 전류 IC_rat는 모두 더미 용량 Cm의 충전용 전류 I_r이 제거되어 있다.

도 2는 노멀 PMOS 게이트 전위 Gp1 및 온 기간 등비배 PMOS 게이트 전위 Gp2를 도시하는 파형도이다. 노멀 PMOS 게이트 전위 Gp1은 통상 이용되는 PMOS 온 시간 PW("L"의 기간) 및 하강 시간 TF(온 천이 시간)를 갖는다. 또, V_on은 CBCM 회로의 MOS 트랜지스터용 동작 전압이다.

한편, 온 기간 등비배 PMOS 게이트 전위 Gp2는, PMOS 트랜지스터 MP1 및 MP2를 온/오프되는 주기는 노멀 PMOS 게이트 전위 Gp1과 동일하지만, 듀티, 스루 레이트(slew rate)가 다르다.

즉, 온 기간 등비배 PMOS 게이트 전위 Gp2는, 도 2에 도시한 바와 같이 노멀 PMOS 게이트 전위 Gp1의 PMOS 온 시간 PW의 등비배 수 rat배의 길이(PW×rat)로 PMOS 온 시간이 설정되고, 하강 시간 TF의 등비배 수 rat(TF×rat)의 길이로 하강 시간이 설정된다.

또, 노멀 PMOS 게이트 전위 Gp1 및 온 기간 등비배 PMOS 게이트 전위 Gp2의 각각의 상승 시간(오프 천이 시간)은, 하강 시간 TF에 비하여 충분히 짧게 설정됨으로써, PMOS 트랜지스터의 게이트 용량 등의 타깃 용량의 방전 동작에 의한 오차를 억제할 수 있다.

도 3은 노멀 PMOS 게이트 전위 Gp1 및 온 기간 등비배 PMOS 게이트 전위 Gp2의 신호예의 상세를 도시하는 파형도이다. 도 4는 도 3의 영역 A1에서의 전류 IC_t및 전류 IR_t의 시뮬레이션 결과를 도시하는 파형도이다. 여기서는 등비배 수 rat를 "2"로 하고 있다.

도 4에 도시한 바와 같이, 누설 성분인 저항 R_t를 흐르는 누설 전류 IR_t는 노드 N2의 전위에 의존하기 때문에, 하강 시간 TF가 충분히 길면 저항 R_t를 흐르는 전하량도 등비배 수 rat(=2)배 된다. 한편, 전류 IC_t는 테스트 용량 C_tst의 충전에 순간적으로 흐르는 것에 지나지 않기 때문에, 노멀 PMOS 게이트 전위 Gp1과 온 기간 등비배 PMOS 게이트 전위 Gp2와의 사이에서 전하량에 차이는 생기지 않는다.

도 5는 노멀 PMOS 게이트 전위 Gp1 및 온 기간 등비배 PMOS 게이트 전위 Gp2의 신호예의 상세를 도시하는 파형도이다. 도 6은 도 5의 영역 A2에서의 누설 전류 IR_t를 등비배 수 rat로 규격화(a. u.(arbitrary unit))한 시뮬레이션 결과를 도시하는 파형도이다. 여기서는 등비배 수 rat를 "2"로 하고 있다.

도 6에 도시한 바와 같이, 누설 전류 IR_t의 전류값은, 노멀 PMOS 게이트 전위 Gp1의 경우와 온 기간 등비배 PMOS 게이트 전위 Gp2의 경우가 일치한다. 따라서, PMOS 게이트 전위 Gp의 1주기에서, 누설 전류 IR_t가 흐르고 있는 기간이 등비배 수 rat배 긴 온 기간 등비배 PMOS 게이트 전위 Gp2 인가 시의 누설 전류 IR_t는 노멀 PMOS 게이트 전위 Gp1 인가 시의 등비배 수 rat배의 전류량으로 측정되게 된다.

도 3∼도 6에 도시하는 시뮬레이션 결과로부터, 노멀 PMOS 게이트 전위 Gp1을 이용하는 경우에 대하여, 온 기간 등비배 PMOS 게이트 전위 Gp2를 이용하는 경우에는 누설 전류 IR_t의 단위 시간당 전하량(즉, 전류의 시간 평균값)은 등비배 수 rat배가 되지만, 전류 IC_t의 단위 시간당 전하량에 변화가 없는 것을 알 수 있다.

도 1로 되돌아가, 단계 S3에서, 전류 IC_norm및 전류 IC_rat에 기초하여, 수학식 3을 이용하여, 누설 전류 IR_t를 제거하고, 용량 전류 IC_t성분만으로 이루어지는 용량 전류 CIC의 전류량을 산출한다.

상술한 바와 같이 전류 IC_rat는 전류 IC_norm에 비하여, 등비배 수 rat배의 누설 전류 IR_t의 전류량이 측정되기 때문에, 수학식 3을 실행하여 얻어지는 용량 전류 CIC에는 누설 전류 성분이 완전하게 제거된다.

다음으로, 단계 S4에서, 충전 주파수 f_rat를 산출한다. 전류 IC_norm과 전류 IC_rat는 전류 IC_t의 값은 동일하므로, 단계 S3에서 수학식 3을 실행함으로써, (rat-1)×IC_t에 상당하는 전류량이 용량 전류 CIC로서 산출된 것으로 된다. 즉, (rat-1)회의 충전이 행해진 것과 등가가 되므로, 이하의 수학식 4를 실행하여 충전 주파수 f_rat를 구한다.

그리고, 단계 S5에서, 용량 전류 CIC 및 충전 주파수 f_rat에 기초하여, 이하의 수학식 5를 실행하여 타깃 용량 CC_t를 구한다.

<시뮬레이션 검증 결과>

여기서, 타깃 용량 C_t(CC_t)=100fF, 누설용 저항 R_t=100㏀, 저항 R_s=1200Ω, 더미 용량 C_m=0F인 경우의 시뮬레이션에 의해 얻어진 전류 IC_norm및 전류 IC_rat에 기초하여, 실시예의 용량값 측정 방법으로 타깃 용량을 구한 결과, 타깃 용량 CC_t는 102fF로 되고, 2%의 오차로 감소시킬 수 있었다.

또, 상술한 타깃 용량 C_t(CC_t), 저항 R_s및 저항 R_t의 값은, 기존의 2주파법(two-frequency plan)을 이용하여 절연막 두께 1.6㎚(엘립소메트리(ellipsometry)법에 의해 측정한 값)의 MOSFET로부터 추출한 타깃 용량 C_t, 저항 R_s와, 추출값의 1/10 정도(누설 전류가 발생되기 쉽게 하기 위해서)의 저항 R_t이다.

마찬가지로, 수학식 1, 2에 기초하는 종래의 용량값 측정 방법에 의해 구한 타깃 용량 C_t는 1.4㎊이고, 1400%의 오차로 되었다.

이와 같이 실시예의 용량값 측정 방법은 단계 S3에서 수학식 3의 연산을 행함으로써, 테스트 용량 C_tst의 충전에만 이용되는 용량 전류 CIC의 전류량을 정확하게 산출할 수 있다.

그 결과, 이후의 단계 S4, S5를 실행함으로써, 테스트 용량 C_tst에 부수하여 발생하는 누설 전류를 제거한 정확한 테스트 용량 C_tst의 용량값을 산출할 수 있다.

이 때, 온 기간 등비배 PMOS 게이트 전위 Gp2는 "L" 기간 외에 하강 시간도등비배 수 rat배로 설정되어 있기 때문에, 확실하게 누설 전류 성분을 제거함으로써 정확한 상기 용량 전류의 전류량을 얻을 수 있다.

또, 본 실시예에서의 NMOS 게이트 전위 Gn의 신호 파형은, PMOS 게이트 전위 Gp가 노멀 PMOS 게이트 전위 Gp1 및 온 기간 등비배 PMOS 게이트 전위 Gp2의 어느 경우에서도, 충분히 방전할 수 있는 듀티, 스루 레이트로 설정한다. 이 때, 노멀 PMOS 게이트 전위 Gp1과 온 기간 등비배 PMOS 게이트 전위 Gp2의 경우에서 NMOS 게이트 전위 Gn의 파형 내용이 다르도록 변경해도 된다.

이상 설명한 바와 같이, 본 발명에서의 용량값 측정 방법의 단계 (a), (b)의 실행에 의해 측정되는 제1 및 제2 테스트 전류의 전류량은 각각 상기 용량 전류와 상기 누설 전류의 전류량의 합으로 된다.

단, 제2 테스트 전류는 제1 테스트 전류와 비교한 경우, 용량 전류가 동일하며, 누설 전류가 소정배의 전류량으로 된다.

따라서, 단계 (c)에서 제1 테스트 전류의 전류량을 상기 소정배한 후, 제2 테스트 전류의 전류량과의 차분을 취하는 등의 연산을 행함으로써, 측정 대상 용량의 충전에만 이용되는 용량 전류의 전류량을 정확하게 산출할 수 있다.

그 결과, 이후의 단계 (d) 및 (e)를 실행함으로써, 측정 대상 용량에 부수하여 발생하는 누설 전류를 제거한 정확한 측정 대상 용량의 용량값을 산출할 수 있다.

본 발명에 따른 용량값 측정 방법은, 제2 제어 신호의 온 상태로의 천이 시간도 제1 제어 신호의 소정배의 길이로 설정함으로써, 보다 정확한 상기 용량 전류의 전류량을 얻을 수 있어, 그 결과 정밀도가 높은 측정 대상 용량의 용량값을 산출할 수 있다.

본 발명에 따른 용량값 측정 방법은, 오프 상태로의 천이 시간을 충분히 짧게 함으로써, 측정 대상 용량의 방전에 의한 오차를 억제할 수 있다.

Claims (3)

1. 충전용 트랜지스터를 포함하는 CBCM(Charge Based Capacitance Measurement)용 회로에 접속된 측정 대상 용량의 용량값 측정 방법에 있어서,

   (a) 상기 충전용 트랜지스터의 온/오프 동작을 소정 주기로 제어하는 제1 제어 신호를 상기 충전용 트랜지스터에 부여하여, 상기 충전용 트랜지스터를 통해 상기 측정 대상 용량에 공급되는 제1 테스트 전류의 전류량을 측정하는 단계와,

   (b) 상기 충전용 트랜지스터의 온/오프 동작을 상기 소정 주기로 제어하는 제2 제어 신호를 상기 충전용 트랜지스터에 부여하여, 상기 충전용 트랜지스터를 통해 상기 측정 대상 용량에 공급되는 제2 테스트 전류의 전류량을 측정하는 단계-상기 제2 제어 신호는 상기 제1 제어 신호에 비하여 상기 충전용 트랜지스터의 온 상태를 지시하는 기간이 소정배로 설정됨-와,

   (c) 상기 제1 및 제2 테스트 전류에 기초하여, 상기 측정 대상 용량에 부수하여 발생하는 누설 전류를 제거하고, 상기 측정 대상 용량의 충전에만 이용되는 용량 전류의 전류량을 산출하는 단계와,

   (d) 상기 용량 전류의 전류량에 적합한 충전 주파수를 산출하는 단계와,

   (e) 상기 용량 전류의 전류량 및 상기 충전 주파수에 기초하여 상기 측정 대상 용량의 용량값을 산출하는 단계

   를 포함한 용량값 측정 방법.
2. 제1항에 있어서,

   상기 제2 제어 신호는 오프 상태를 지시하는 레벨로부터 온 상태를 지시하는 레벨로 천이하는 온 상태로의 천이 시간이, 상기 제1 제어 신호에 있어서의 상기 온 상태로의 천이 시간에 대하여 상기 소정배의 길이로 설정되는 용량값 측정 방법.
3. 제2항에 있어서,

   상기 제1 및 제2 제어 신호는 온 상태를 지시하는 레벨로부터 오프 상태를 지시하는 레벨로 천이하는 오프 상태로의 천이 시간이, 모두 상기 제1 제어 신호에 있어서의 상기 온 상태로의 천이 시간에 비하여 짧게 설정되는 용량값 측정 방법.