JP2004228104A - 半導体集積回路 - Google Patents
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Abstract
【課題】MOSトランジスタを使って電圧降下を検出して調整し、電圧降下シミュレーションの精度が高い半導体集積回路を提供する。
【解決手段】半導体集積回路において、電源電圧の降下を検出する電圧降下検出回路からの電圧降下検出信号により、半導体集積回路に供給する電源電圧が低い場合は上記半導体集積回路に供給する電源電圧を高くし、また、上記半導体集積回路に供給する電源電圧が高い場合は上記半導体集積回路に供給する電源電圧を低くするように、外部の電源発生回路を調整することができるようにした。
【選択図】 図1
【解決手段】半導体集積回路において、電源電圧の降下を検出する電圧降下検出回路からの電圧降下検出信号により、半導体集積回路に供給する電源電圧が低い場合は上記半導体集積回路に供給する電源電圧を高くし、また、上記半導体集積回路に供給する電源電圧が高い場合は上記半導体集積回路に供給する電源電圧を低くするように、外部の電源発生回路を調整することができるようにした。
【選択図】 図1
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体集積回路に関し、特に、MOS(Metal Oxide Semiconductor)トランジスタを使って電圧降下を検出し、この検出により電圧を調整し、電圧降下シミュレーションの精度を高めた半導体集積回路に関する。
【0002】
【従来の技術】
一般に、半導体基板上における電圧降下の測定は、半導体集積回路の電圧降下を測定したい場所に測定用の針を当て、電圧測定器により測定している。
【0003】
また、シミュレーションにより電圧降下を見積ることも行われている。
【0004】
【特許文献1】
特開平8−249833号公報
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、この方法では、測定用の針を当てるために半導体集積回路を開封し、測定したい場所に針を当てることになるが、運よく針を当てられればいいが、一般的に測定したい場所に針を当てることは難しい、という問題があった。
更に、針を当てるまでの手間がかかり、非常に煩雑である、という問題があった。
【0006】
また、シミュレーションで電圧降下をシミュレートする場合、電圧降下の絶対値の見積りは、非常に精度が悪く実用的でない、という問題があった。
【0007】
本発明は、上記のような従来の問題点に鑑みてなされたもので、半導体集積回路内の内部電圧の降下を、簡易に測定することのできる半導体集積回路を提供することを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、本発明の請求項1による半導体集積回路は、内部電圧の降下を検出する電圧降下検出回路を備え、上記電圧降下検出回路から電圧降下検出信号を外部に出力するものである。
【0009】
本発明の請求項2による半導体集積回路は、請求項1記載の半導体集積回路において、上記電圧降下検出回路は、電源ラインとグランドラインの間に、複数のトランジスタを積み重ねた縦積みトランジスタ回路を備え、上記電圧降下検出信号は、上記縦積みトランジスタ回路の上記複数のトランジスタの相互間の接続点のいずれかから外部に出力されるものである。
【0010】
本発明の請求項3による半導体集積回路は、請求項1記載の半導体集積回路において、上記電圧降下検出回路は、電源ラインとグランドラインの間に、複数のトランジスタを積み重ねた、複数の縦積みトランジスタ回路を備え、上記電圧降下検出信号は、上記複数の縦積みトランジスタ回路の相互間の接続点のいずれかから外部に出力されるものである。
【0011】
本発明の請求項4による半導体集積回路は、請求項1ないし3のいずれかに記載の半導体集積回路において、上記電圧降下検出回路は、上記電圧降下検出信号により外部の電源電圧を調整するものである。
【0012】
本発明の請求項5による半導体集積回路は、請求項1ないし3のいずれかに記載の半導体集積回路において、上記電圧降下検出回路は、その電圧降下検出信号を、外部の電源電圧を制御する電源電圧制御信号を出力する電源電圧変更回路に入力し、該半導体集積回路に印加すべき外部の電源電圧を調整するものである。
【0013】
本発明の請求項6による半導体集積回路は、請求項1ないし5のいずれかに記載の半導体集積回路において、上記電圧降下検出回路は、上記電圧降下検出信号を外部に出力し、電圧降下の測定値とシミュレーション結果によりシミュレーションの精度を上げるものである。
【0014】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。
(実施の形態1)
図2は、本発明の実施の形態1による半導体集積回路の構成を示す回路図である。
【0015】
図2において、電源ライン4と、グランドライン12との間に、ゲート端子とドレイン端子を短絡した4つのNMOSトランジスタ8、9、10、11を積み重ねた縦積みトランジスタ回路と、上記縦積みトランジスタ回路のNMOSトランジスタ9、10間の接続点の電圧信号を電圧降下検出信号5として出力する端子を備えている。
【0016】
上記電源ライン4において、電圧降下がない場合は、上記NMOSトランジスタ8、9、10、11それぞれはオン状態にあり、上記電圧降下検出信号5の電圧は、NMOSトランジスタ8、9、10、11の抵抗分割による値になる。
【0017】
上記電源ライン4において、電圧降下により電圧が小さくなると、NMOSトランジスタ11がオフ状態となり、電圧降下検出信号5が電源電圧レベルまで変化する。
【0018】
電源ライン4の電圧がどの程度まで小さくなると、電圧降下検出信号5が変化するかについては、NMOSトランジスタ8、9、10、11のサイズや個数を変えることによって、グランドに近いトランジスタがオン状態、もしくはオフ状態となる電圧降下のレベルをあらかじめ所望の値を予め設定することにより、電圧降下の測定を行うことができる。
【0019】
なお、本実施の形態1は、電圧降下検出回路の一例として、NMOSトランジスタを用いて説明しているが、PMOSトランジスタ、バイポーラトランジスタを用いても、NMOSトランジスタを用いた場合と同様に、電圧降下の測定を行うことができる。
【0020】
このように本実施の形態1による半導体集積回路では、半導体集積回路の電圧降下検出回路は電源ライン4とグランドライン12の間に、ゲート端子とドレイン端子を短絡した4つのNMOSトランジスタ8、9、10、11を積み重ねた縦積みトランジスタ回路を備え、上記縦積みトランジスタ回路の上記NMOSトランジスタ9、10間の接続点の電圧信号を電圧降下検出信号5として外部に出力するようにしたので、電圧降下検出信号5として半導体集積回路内の電圧の降下を検出することができるという効果がある。
【0021】
(実施の形態2)
図3は本発明の実施の形態2による半導体集積回路の構成を示す回路図である。
図3において、電源ライン4と、グランドライン12との間に、ゲート端子とドレイン端子を短絡した4つのNMOSトランジスタ8、9、10、11を積み重ねた第1の縦積みトランジスタ回路、及び電源ライン4と、グランドライン12との間に、ゲート端子とドレイン端子を短絡した3つのNMOSトランジスタ13、14、15を積み重ねた第2の縦積みトランジスタ回路を備え、上記第1の縦積みトランジスタ回路の、NMOSトランジスタ9、10間の接続点の電圧信号が第1の電圧降下検出信号20として外部に出力され、また、上記第2の縦積みトランジスタ回路の、NMOSトランジスタ13、14間の接続点の電圧信号が第2の電圧降下検出信号16として外部に出力される。
【0022】
上記電源ライン4において、電圧降下がない場合は、上記NMOSトランジスタ8、9、10、11、13、14、15それぞれはオン状態にあり、上記第1の電圧降下検出信号20により検出される電圧はNMOSトランジスタ8、9、10、11の抵抗分割による値になり、上記第2の電圧降下検出信号16により検出される電圧は、NMOSトランジスタ13、14、15の抵抗分割による値になる。
【0023】
上記電源ライン4において、電圧降下により電圧が小さくなると、まずNMOSトランジスタ11がオフ状態となり、第1の電圧降下検出信号20が電源電圧レベルまで変化する。
【0024】
更に、上記電源ライン4の電圧が電圧降下により小さくなると、NMOSトランジスタ15がオフ状態となり、第2の電圧降下検出信号16が電源電圧レベルまで変化する。
【0025】
電源ライン4の電圧がどの程度まで小さくなると、第1の電圧降下検出信号20、及び第2の電圧降下検出信号16が変化するかは、NMOSトランジスタ8、9、10、11、13、14、15のサイズや個数を変えることによって、グランドに近いトランジスタがオン状態、もしくはオフ状態となる電圧降下のレベルの値をあらかじめ所望の値に設定することにより、電圧降下の測定を行うことができる。ここで、第1の電圧降下検出信号20が電源電圧レベル、第2の電圧降下検出信号16が抵抗分割による電圧であれば、電源ライン4の電圧降下は、上記NMOSトランジスタにより予め設定した値の間にあることが検出される。
【0026】
また、本実施の形態2で示した電圧降下検出回路における電圧降下検出信号から電圧の降下を測定してこの測定値を別途シミュレーションで出していた電圧降下の値と比較し、シミュレーションの値を上記測定値になるようにシミュレーションのパラメータを調整すると、半導体集積回路のあらゆる場所の電圧降下を精度よく見積ることができる。
【0027】
以上のように、本実施の形態2による半導体集積回路によれば、半導体集積回路の電圧降下検出回路は電源ライン4とグランドライン12の間に、ゲート端子とドレイン端子を短絡した4つのNMOSトランジスタ8、9、10、11を積み重ねた第1の縦積みトランジスタ回路、及び電源ライン4とグランドライン12の間に、ゲート端子とドレイン端子を短絡した3つのNMOSトランジスタ13、14、15を積み重ねた第2の縦積みトランジスタ回路を備え、上記第1の縦積みトランジスタ回路の、NMOSトランジスタ9、10間の接続点の電圧信号を第1の電圧降下検出信号20として外部に出力するようにし、また、上記第2の縦積みトランジスタ回路の、NMOSトランジスタ13、14間の接続点の電圧信号を第2の電圧降下検出信号16として外部に出力するようにしたので、電源ライン4の電圧降下の測定値とシミュレーション値の比を半導体集積回路のあらゆる場所の電圧降下シミュレーション値に掛けることにより、半導体集積回路の所望の場所における高精度の電圧降下値を見積ることができるという効果がある。
【0028】
なお、本実施の形態2では電圧降下検出回路から出力する電圧降下検出信号が、2つである場合を説明したが、このような縦積みトランジスタ回路を多数用意すれば、さらに複数の電圧降下検出信号により所望の精度で電圧降下を測定できる。
【0029】
また、本実施の形態2は、電圧降下検出回路の一例として、NMOSトランジスタを用いて説明しているが、PMOSトランジスタ、バイポーラトランジスタを用いてもNMOSトランジスタを用いた場合と同様に、電圧降下の測定を行うことができる。
【0030】
(実施の形態3)
図1は、本発明の実施の形態3による半導体集積回路の構成を示す回路図である。
図1において、1は半導体集積回路、2は半導体集積回路内の回路ブロック、3a、3bは電圧降下検出回路、4は電源ライン、5は電圧降下検出信号、6a、6bは半導体集積回路の電源や信号ラインと外部とをつなぐパッド、7は電源発生回路をそれぞれ示している。
【0031】
半導体集積回路1は、電圧降下検出回路3a、3bを備えており、該電圧降下検出回路3a、3bから出力される電圧降下検出信号5がパッド6を通じて外部に取り出され、電源発生回路7に入力される。
【0032】
電圧降下検出回路3a、3bは、上記実施の形態1に示したように、電源ラインとグランドラインの間にトランジスタを積み重ねた縦積みトランジスタ回路を備え、上記縦積みトランジスタ回路の上記トランジスタ間の接続点から電圧降下検出信号5が外部に出力される。また、電圧降下検出回路3a、3bは、実施の形態2に示した構成のもの、もしくはさらに複数の縦積みトランジスタ回路を備えるものでもよい。
【0033】
電源電圧が低い場合は、上記電圧降下検出信号5により電源電圧を高くするように外部の電源発生回路7を調整する。また、同様にして電源電圧が高い場合は、上記電圧降下検出信号5により電源電圧を低くするように外部の電源発生回路7を調整する。
【0034】
以上のように、本実施の形態3による半導体集積回路によれば、電源ライン4とグランドラインの間にトランジスタを積み重ねた縦積みトランジスタ回路を有し、上記縦積みトランジスタ回路の上記トランジスタ間の接続点の電圧信号を電圧降下検出信号5として電源発生回路7に出力する電圧降下検出回路3a、3bを備え、半導体集積回路1の電源ライン4や信号ラインを外部の電源発生回路7とつなぐ構成にしたので、電圧降下検出信号5により検出された半導体集積回路1の内部の電圧降下に基づいて外部の電源発生回路7を調整することができるという効果がある。
【0035】
(実施の形態4)
図4は、本発明の実施の形態4による半導体集積回路の構成を示す回路図である。
図4において、1は半導体集積回路、3cは電圧降下検出回路、4は電源ライン、5は電圧降下検出信号、17は電源電圧制御回路、18は電源電圧制御信号、19はDC−DCコンバータを、それぞれ示している。
【0036】
電圧降下検出回路3cは、上記実施の形態1に示したように、電源ラインとグランドラインの間にトランジスタを積み重ねた縦積みトランジスタ回路を備え、上記縦積みトランジスタ回路の上記トランジスタ間の接続点から電圧降下検出信号5が外部に出力される。また、電圧降下検出回路3cは、実施の形態2に示した構成のもの、もしくはさらに複数の縦積みトランジスタ回路を備えるものでもよい。
【0037】
電圧降下検出回路3cからの電圧降下検出信号5は、電源電圧制御回路17に入力される。
該電源電圧制御回路17において、電圧降下が大きい場合は、電源電圧を上げるように電源電圧制御信号18が出力される。
【0038】
DC−DCコンバータ19は該電源電圧制御信号18が入力されると、電源電圧が低い場合は、電源電圧を高くする。
DC−DCコンバータ19と電圧降下検出回路3cは、電源ライン4により接続されており、上記電圧降下検出回路3cからの電圧降下検出信号5が電圧降下制御回路17に出力される。
【0039】
このようにして、電圧降下検出回路3c、電源電圧制御回路17、及びDC−DCコンバータ19がフィードバック回路を構成しており、これら一連の動作は自動で行っている。
【0040】
以上のように、本実施の形態4による半導体集積回路によれば、電圧降下検出回路3cからの電圧降下検出信号5が電源電圧制御回路17に入力され、上記電源電圧制御回路17からの電源電圧制御信号18がDC−DCコンバータ19に入力されて電源電圧を調整し、上記DC−DCコンバータ19が電源ライン4により上記電圧降下検出回路3cと接続されるようにしたので、電圧降下検出回路3cからの電圧降下検出信号5、及び電源電圧制御回路17からの電源電圧制御信号18に基づいて自動的に電源電圧を調整することができるという効果がある。
【0041】
【発明の効果】
以上の説明で明らかな通り、本発明の請求項1による半導体集積回路によれば、内部電圧の降下を検出する電圧降下検出回路を備え、上記電圧降下検出回路から電圧降下検出信号を外部に出力するようにしたので、電圧降下検出信号により半導体集積回路の内部の電圧降下を測定することができるという効果がある。
【0042】
本発明の請求項2による半導体集積回路によれば、請求項1記載の半導体集積回路において、上記電圧降下検出回路は、電源ラインとグランドラインの間に、複数のトランジスタを積み重ねた縦積みトランジスタ回路を備え、上記電圧降下検出信号は、上記縦積みトランジスタ回路の上記複数のトランジスタの相互間の接続点のいずれかから外部に出力されるようにしたので、半導体基板上において、電圧降下を測定したい場所の電源ラインとグランドラインとの間に縦積みトランジスタ回路を挿入することにより、半導体集積回路内部の電圧降下を測定したい場所において所望の精度で電圧降下を測定することができるという効果がある。
【0043】
本発明の請求項3による半導体集積回路によれば、請求項1記載の半導体集積回路において、上記電圧降下検出回路は、電源ラインとグランドラインの間に、複数のトランジスタを積み重ねた、複数の縦積みトランジスタ回路を備え、上記電圧降下検出信号は、上記複数の縦積みトランジスタ回路の相互間の接続点のいずれかから外部に出力されるようにしたので、さらに複数の電圧降下検出信号により所望の精度で電圧降下を測定できるという効果がある。
【0044】
本発明の請求項4による半導体集積回路によれば、請求項1ないし3のいずれかに記載の半導体集積回路において、上記電圧降下検出回路は、上記電圧降下検出信号により外部の電源電圧を調整するようにしたので、電圧降下検出回路からの電圧降下検出信号を半導体集積回路の外に取り出し、半導体集積回路に供給する電圧が低くなっている場合は上記半導体集積回路に供給する電圧を高くし、また、上記半導体集積回路に供給する電圧が高い場合は上記半導体集積回路に供給する電圧を低くすることができるという効果がある。
【0045】
本発明の請求項5による半導体集積回路によれば、請求項1ないし3のいずれかに記載の半導体集積回路において、上記電圧降下検出回路は、その電圧降下検出信号を、外部の電源電圧を制御する電源電圧制御信号を出力する電源電圧変更回路に入力し、該半導体集積回路に印加すべき外部の電源電圧を調整するようにしたので、電圧降下検出回路からの電圧降下検出信号を半導体集積回路内の電源電圧制御回路に入力し、電源電圧制御回路からの電源電圧制御信号をDC−DCコンバータ等の電源電圧変更回路に入力することにより、電源電圧を自動的に調整することができるという効果がある。
【0046】
本発明の請求項6による半導体集積回路によれば、請求項1ないし5のいずれかに記載の半導体集積回路において、上記電圧降下検出回路は、上記電圧降下検出信号を外部に出力し、電圧降下の測定値とシミュレーション結果によりシミュレーションの精度を上げるようにしたので、電圧降下シミュレーションの絶対精度を上げることにより、半導体集積回路のあらゆる場所において所望の電圧降下の値を見積ることができるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態3による半導体集積回路の構成を示すブロック図である。
【図2】本発明の実施の形態1による半導体集積回路の電圧降下検出回路の一例を示す図である。
【図3】本発明の実施の形態2による半導体集積回路の電圧降下検出回路の一例を示す図である。
【図4】本発明の実施の形態4による半導体集積回路の構成を示すブロック図である。
【符号の説明】
1 半導体集積回路
2a、2b 回路ブロック
3a、3b、3c 電圧降下検出回路
4 電源ライン
5 電圧降下検出信号
20 第1の電圧降下検出信号
16 第2の電圧降下検出信号
6a、6b パッド
7 電源発生回路
8〜11、13〜15 NMOSトランジスタ
12 グランドライン
17 電源電圧制御回路
18 電源電圧制御信号
19 DC−DCコンバータ
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体集積回路に関し、特に、MOS(Metal Oxide Semiconductor)トランジスタを使って電圧降下を検出し、この検出により電圧を調整し、電圧降下シミュレーションの精度を高めた半導体集積回路に関する。
【0002】
【従来の技術】
一般に、半導体基板上における電圧降下の測定は、半導体集積回路の電圧降下を測定したい場所に測定用の針を当て、電圧測定器により測定している。
【0003】
また、シミュレーションにより電圧降下を見積ることも行われている。
【0004】
【特許文献1】
特開平8−249833号公報
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、この方法では、測定用の針を当てるために半導体集積回路を開封し、測定したい場所に針を当てることになるが、運よく針を当てられればいいが、一般的に測定したい場所に針を当てることは難しい、という問題があった。
更に、針を当てるまでの手間がかかり、非常に煩雑である、という問題があった。
【0006】
また、シミュレーションで電圧降下をシミュレートする場合、電圧降下の絶対値の見積りは、非常に精度が悪く実用的でない、という問題があった。
【0007】
本発明は、上記のような従来の問題点に鑑みてなされたもので、半導体集積回路内の内部電圧の降下を、簡易に測定することのできる半導体集積回路を提供することを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、本発明の請求項1による半導体集積回路は、内部電圧の降下を検出する電圧降下検出回路を備え、上記電圧降下検出回路から電圧降下検出信号を外部に出力するものである。
【0009】
本発明の請求項2による半導体集積回路は、請求項1記載の半導体集積回路において、上記電圧降下検出回路は、電源ラインとグランドラインの間に、複数のトランジスタを積み重ねた縦積みトランジスタ回路を備え、上記電圧降下検出信号は、上記縦積みトランジスタ回路の上記複数のトランジスタの相互間の接続点のいずれかから外部に出力されるものである。
【0010】
本発明の請求項3による半導体集積回路は、請求項1記載の半導体集積回路において、上記電圧降下検出回路は、電源ラインとグランドラインの間に、複数のトランジスタを積み重ねた、複数の縦積みトランジスタ回路を備え、上記電圧降下検出信号は、上記複数の縦積みトランジスタ回路の相互間の接続点のいずれかから外部に出力されるものである。
【0011】
本発明の請求項4による半導体集積回路は、請求項1ないし3のいずれかに記載の半導体集積回路において、上記電圧降下検出回路は、上記電圧降下検出信号により外部の電源電圧を調整するものである。
【0012】
本発明の請求項5による半導体集積回路は、請求項1ないし3のいずれかに記載の半導体集積回路において、上記電圧降下検出回路は、その電圧降下検出信号を、外部の電源電圧を制御する電源電圧制御信号を出力する電源電圧変更回路に入力し、該半導体集積回路に印加すべき外部の電源電圧を調整するものである。
【0013】
本発明の請求項6による半導体集積回路は、請求項1ないし5のいずれかに記載の半導体集積回路において、上記電圧降下検出回路は、上記電圧降下検出信号を外部に出力し、電圧降下の測定値とシミュレーション結果によりシミュレーションの精度を上げるものである。
【0014】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。
(実施の形態1)
図2は、本発明の実施の形態1による半導体集積回路の構成を示す回路図である。
【0015】
図2において、電源ライン4と、グランドライン12との間に、ゲート端子とドレイン端子を短絡した4つのNMOSトランジスタ8、9、10、11を積み重ねた縦積みトランジスタ回路と、上記縦積みトランジスタ回路のNMOSトランジスタ9、10間の接続点の電圧信号を電圧降下検出信号5として出力する端子を備えている。
【0016】
上記電源ライン4において、電圧降下がない場合は、上記NMOSトランジスタ8、9、10、11それぞれはオン状態にあり、上記電圧降下検出信号5の電圧は、NMOSトランジスタ8、9、10、11の抵抗分割による値になる。
【0017】
上記電源ライン4において、電圧降下により電圧が小さくなると、NMOSトランジスタ11がオフ状態となり、電圧降下検出信号5が電源電圧レベルまで変化する。
【0018】
電源ライン4の電圧がどの程度まで小さくなると、電圧降下検出信号5が変化するかについては、NMOSトランジスタ8、9、10、11のサイズや個数を変えることによって、グランドに近いトランジスタがオン状態、もしくはオフ状態となる電圧降下のレベルをあらかじめ所望の値を予め設定することにより、電圧降下の測定を行うことができる。
【0019】
なお、本実施の形態1は、電圧降下検出回路の一例として、NMOSトランジスタを用いて説明しているが、PMOSトランジスタ、バイポーラトランジスタを用いても、NMOSトランジスタを用いた場合と同様に、電圧降下の測定を行うことができる。
【0020】
このように本実施の形態1による半導体集積回路では、半導体集積回路の電圧降下検出回路は電源ライン4とグランドライン12の間に、ゲート端子とドレイン端子を短絡した4つのNMOSトランジスタ8、9、10、11を積み重ねた縦積みトランジスタ回路を備え、上記縦積みトランジスタ回路の上記NMOSトランジスタ9、10間の接続点の電圧信号を電圧降下検出信号5として外部に出力するようにしたので、電圧降下検出信号5として半導体集積回路内の電圧の降下を検出することができるという効果がある。
【0021】
(実施の形態2)
図3は本発明の実施の形態2による半導体集積回路の構成を示す回路図である。
図3において、電源ライン4と、グランドライン12との間に、ゲート端子とドレイン端子を短絡した4つのNMOSトランジスタ8、9、10、11を積み重ねた第1の縦積みトランジスタ回路、及び電源ライン4と、グランドライン12との間に、ゲート端子とドレイン端子を短絡した3つのNMOSトランジスタ13、14、15を積み重ねた第2の縦積みトランジスタ回路を備え、上記第1の縦積みトランジスタ回路の、NMOSトランジスタ9、10間の接続点の電圧信号が第1の電圧降下検出信号20として外部に出力され、また、上記第2の縦積みトランジスタ回路の、NMOSトランジスタ13、14間の接続点の電圧信号が第2の電圧降下検出信号16として外部に出力される。
【0022】
上記電源ライン4において、電圧降下がない場合は、上記NMOSトランジスタ8、9、10、11、13、14、15それぞれはオン状態にあり、上記第1の電圧降下検出信号20により検出される電圧はNMOSトランジスタ8、9、10、11の抵抗分割による値になり、上記第2の電圧降下検出信号16により検出される電圧は、NMOSトランジスタ13、14、15の抵抗分割による値になる。
【0023】
上記電源ライン4において、電圧降下により電圧が小さくなると、まずNMOSトランジスタ11がオフ状態となり、第1の電圧降下検出信号20が電源電圧レベルまで変化する。
【0024】
更に、上記電源ライン4の電圧が電圧降下により小さくなると、NMOSトランジスタ15がオフ状態となり、第2の電圧降下検出信号16が電源電圧レベルまで変化する。
【0025】
電源ライン4の電圧がどの程度まで小さくなると、第1の電圧降下検出信号20、及び第2の電圧降下検出信号16が変化するかは、NMOSトランジスタ8、9、10、11、13、14、15のサイズや個数を変えることによって、グランドに近いトランジスタがオン状態、もしくはオフ状態となる電圧降下のレベルの値をあらかじめ所望の値に設定することにより、電圧降下の測定を行うことができる。ここで、第1の電圧降下検出信号20が電源電圧レベル、第2の電圧降下検出信号16が抵抗分割による電圧であれば、電源ライン4の電圧降下は、上記NMOSトランジスタにより予め設定した値の間にあることが検出される。
【0026】
また、本実施の形態2で示した電圧降下検出回路における電圧降下検出信号から電圧の降下を測定してこの測定値を別途シミュレーションで出していた電圧降下の値と比較し、シミュレーションの値を上記測定値になるようにシミュレーションのパラメータを調整すると、半導体集積回路のあらゆる場所の電圧降下を精度よく見積ることができる。
【0027】
以上のように、本実施の形態2による半導体集積回路によれば、半導体集積回路の電圧降下検出回路は電源ライン4とグランドライン12の間に、ゲート端子とドレイン端子を短絡した4つのNMOSトランジスタ8、9、10、11を積み重ねた第1の縦積みトランジスタ回路、及び電源ライン4とグランドライン12の間に、ゲート端子とドレイン端子を短絡した3つのNMOSトランジスタ13、14、15を積み重ねた第2の縦積みトランジスタ回路を備え、上記第1の縦積みトランジスタ回路の、NMOSトランジスタ9、10間の接続点の電圧信号を第1の電圧降下検出信号20として外部に出力するようにし、また、上記第2の縦積みトランジスタ回路の、NMOSトランジスタ13、14間の接続点の電圧信号を第2の電圧降下検出信号16として外部に出力するようにしたので、電源ライン4の電圧降下の測定値とシミュレーション値の比を半導体集積回路のあらゆる場所の電圧降下シミュレーション値に掛けることにより、半導体集積回路の所望の場所における高精度の電圧降下値を見積ることができるという効果がある。
【0028】
なお、本実施の形態2では電圧降下検出回路から出力する電圧降下検出信号が、2つである場合を説明したが、このような縦積みトランジスタ回路を多数用意すれば、さらに複数の電圧降下検出信号により所望の精度で電圧降下を測定できる。
【0029】
また、本実施の形態2は、電圧降下検出回路の一例として、NMOSトランジスタを用いて説明しているが、PMOSトランジスタ、バイポーラトランジスタを用いてもNMOSトランジスタを用いた場合と同様に、電圧降下の測定を行うことができる。
【0030】
(実施の形態3)
図1は、本発明の実施の形態3による半導体集積回路の構成を示す回路図である。
図1において、1は半導体集積回路、2は半導体集積回路内の回路ブロック、3a、3bは電圧降下検出回路、4は電源ライン、5は電圧降下検出信号、6a、6bは半導体集積回路の電源や信号ラインと外部とをつなぐパッド、7は電源発生回路をそれぞれ示している。
【0031】
半導体集積回路1は、電圧降下検出回路3a、3bを備えており、該電圧降下検出回路3a、3bから出力される電圧降下検出信号5がパッド6を通じて外部に取り出され、電源発生回路7に入力される。
【0032】
電圧降下検出回路3a、3bは、上記実施の形態1に示したように、電源ラインとグランドラインの間にトランジスタを積み重ねた縦積みトランジスタ回路を備え、上記縦積みトランジスタ回路の上記トランジスタ間の接続点から電圧降下検出信号5が外部に出力される。また、電圧降下検出回路3a、3bは、実施の形態2に示した構成のもの、もしくはさらに複数の縦積みトランジスタ回路を備えるものでもよい。
【0033】
電源電圧が低い場合は、上記電圧降下検出信号5により電源電圧を高くするように外部の電源発生回路7を調整する。また、同様にして電源電圧が高い場合は、上記電圧降下検出信号5により電源電圧を低くするように外部の電源発生回路7を調整する。
【0034】
以上のように、本実施の形態3による半導体集積回路によれば、電源ライン4とグランドラインの間にトランジスタを積み重ねた縦積みトランジスタ回路を有し、上記縦積みトランジスタ回路の上記トランジスタ間の接続点の電圧信号を電圧降下検出信号5として電源発生回路7に出力する電圧降下検出回路3a、3bを備え、半導体集積回路1の電源ライン4や信号ラインを外部の電源発生回路7とつなぐ構成にしたので、電圧降下検出信号5により検出された半導体集積回路1の内部の電圧降下に基づいて外部の電源発生回路7を調整することができるという効果がある。
【0035】
(実施の形態4)
図4は、本発明の実施の形態4による半導体集積回路の構成を示す回路図である。
図4において、1は半導体集積回路、3cは電圧降下検出回路、4は電源ライン、5は電圧降下検出信号、17は電源電圧制御回路、18は電源電圧制御信号、19はDC−DCコンバータを、それぞれ示している。
【0036】
電圧降下検出回路3cは、上記実施の形態1に示したように、電源ラインとグランドラインの間にトランジスタを積み重ねた縦積みトランジスタ回路を備え、上記縦積みトランジスタ回路の上記トランジスタ間の接続点から電圧降下検出信号5が外部に出力される。また、電圧降下検出回路3cは、実施の形態2に示した構成のもの、もしくはさらに複数の縦積みトランジスタ回路を備えるものでもよい。
【0037】
電圧降下検出回路3cからの電圧降下検出信号5は、電源電圧制御回路17に入力される。
該電源電圧制御回路17において、電圧降下が大きい場合は、電源電圧を上げるように電源電圧制御信号18が出力される。
【0038】
DC−DCコンバータ19は該電源電圧制御信号18が入力されると、電源電圧が低い場合は、電源電圧を高くする。
DC−DCコンバータ19と電圧降下検出回路3cは、電源ライン4により接続されており、上記電圧降下検出回路3cからの電圧降下検出信号5が電圧降下制御回路17に出力される。
【0039】
このようにして、電圧降下検出回路3c、電源電圧制御回路17、及びDC−DCコンバータ19がフィードバック回路を構成しており、これら一連の動作は自動で行っている。
【0040】
以上のように、本実施の形態4による半導体集積回路によれば、電圧降下検出回路3cからの電圧降下検出信号5が電源電圧制御回路17に入力され、上記電源電圧制御回路17からの電源電圧制御信号18がDC−DCコンバータ19に入力されて電源電圧を調整し、上記DC−DCコンバータ19が電源ライン4により上記電圧降下検出回路3cと接続されるようにしたので、電圧降下検出回路3cからの電圧降下検出信号5、及び電源電圧制御回路17からの電源電圧制御信号18に基づいて自動的に電源電圧を調整することができるという効果がある。
【0041】
【発明の効果】
以上の説明で明らかな通り、本発明の請求項1による半導体集積回路によれば、内部電圧の降下を検出する電圧降下検出回路を備え、上記電圧降下検出回路から電圧降下検出信号を外部に出力するようにしたので、電圧降下検出信号により半導体集積回路の内部の電圧降下を測定することができるという効果がある。
【0042】
本発明の請求項2による半導体集積回路によれば、請求項1記載の半導体集積回路において、上記電圧降下検出回路は、電源ラインとグランドラインの間に、複数のトランジスタを積み重ねた縦積みトランジスタ回路を備え、上記電圧降下検出信号は、上記縦積みトランジスタ回路の上記複数のトランジスタの相互間の接続点のいずれかから外部に出力されるようにしたので、半導体基板上において、電圧降下を測定したい場所の電源ラインとグランドラインとの間に縦積みトランジスタ回路を挿入することにより、半導体集積回路内部の電圧降下を測定したい場所において所望の精度で電圧降下を測定することができるという効果がある。
【0043】
本発明の請求項3による半導体集積回路によれば、請求項1記載の半導体集積回路において、上記電圧降下検出回路は、電源ラインとグランドラインの間に、複数のトランジスタを積み重ねた、複数の縦積みトランジスタ回路を備え、上記電圧降下検出信号は、上記複数の縦積みトランジスタ回路の相互間の接続点のいずれかから外部に出力されるようにしたので、さらに複数の電圧降下検出信号により所望の精度で電圧降下を測定できるという効果がある。
【0044】
本発明の請求項4による半導体集積回路によれば、請求項1ないし3のいずれかに記載の半導体集積回路において、上記電圧降下検出回路は、上記電圧降下検出信号により外部の電源電圧を調整するようにしたので、電圧降下検出回路からの電圧降下検出信号を半導体集積回路の外に取り出し、半導体集積回路に供給する電圧が低くなっている場合は上記半導体集積回路に供給する電圧を高くし、また、上記半導体集積回路に供給する電圧が高い場合は上記半導体集積回路に供給する電圧を低くすることができるという効果がある。
【0045】
本発明の請求項5による半導体集積回路によれば、請求項1ないし3のいずれかに記載の半導体集積回路において、上記電圧降下検出回路は、その電圧降下検出信号を、外部の電源電圧を制御する電源電圧制御信号を出力する電源電圧変更回路に入力し、該半導体集積回路に印加すべき外部の電源電圧を調整するようにしたので、電圧降下検出回路からの電圧降下検出信号を半導体集積回路内の電源電圧制御回路に入力し、電源電圧制御回路からの電源電圧制御信号をDC−DCコンバータ等の電源電圧変更回路に入力することにより、電源電圧を自動的に調整することができるという効果がある。
【0046】
本発明の請求項6による半導体集積回路によれば、請求項1ないし5のいずれかに記載の半導体集積回路において、上記電圧降下検出回路は、上記電圧降下検出信号を外部に出力し、電圧降下の測定値とシミュレーション結果によりシミュレーションの精度を上げるようにしたので、電圧降下シミュレーションの絶対精度を上げることにより、半導体集積回路のあらゆる場所において所望の電圧降下の値を見積ることができるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態3による半導体集積回路の構成を示すブロック図である。
【図2】本発明の実施の形態1による半導体集積回路の電圧降下検出回路の一例を示す図である。
【図3】本発明の実施の形態2による半導体集積回路の電圧降下検出回路の一例を示す図である。
【図4】本発明の実施の形態4による半導体集積回路の構成を示すブロック図である。
【符号の説明】
1 半導体集積回路
2a、2b 回路ブロック
3a、3b、3c 電圧降下検出回路
4 電源ライン
5 電圧降下検出信号
20 第1の電圧降下検出信号
16 第2の電圧降下検出信号
6a、6b パッド
7 電源発生回路
8〜11、13〜15 NMOSトランジスタ
12 グランドライン
17 電源電圧制御回路
18 電源電圧制御信号
19 DC−DCコンバータ
Claims (6)
- 内部電圧の降下を検出する電圧降下検出回路を備え、
上記電圧降下検出回路から電圧降下検出信号を外部に出力する、
ことを特徴とする半導体集積回路。 - 請求項1記載の半導体集積回路において、
上記電圧降下検出回路は、
電源ラインとグランドラインの間に、複数のトランジスタを積み重ねた縦積みトランジスタ回路を備え、
上記電圧降下検出信号は、
上記縦積みトランジスタ回路の上記複数のトランジスタの相互間の接続点のいずれかから外部に出力される、
ことを特徴とする半導体集積回路。 - 請求項1記載の半導体集積回路において、
上記電圧降下検出回路は、
電源ラインとグランドラインの間に、複数のトランジスタを積み重ねた、複数の縦積みトランジスタ回路を備え、
上記電圧降下検出信号は、
上記複数の縦積みトランジスタ回路の相互間の接続点のいずれかから外部に出力される、
ことを特徴とする半導体集積回路。 - 請求項1ないし3のいずれかに記載の半導体集積回路において、
上記電圧降下検出回路は、
上記電圧降下検出信号により外部の電源電圧を調整する、
ことを特徴とする半導体集積回路。 - 請求項1ないし3のいずれかに記載の半導体集積回路において、
上記電圧降下検出回路は、
その電圧降下検出信号を、外部の電源電圧を制御する電源電圧制御信号を出力する電源電圧変更回路に入力し、該半導体集積回路に印加すべき外部の電源電圧を調整する、
ことを特徴とする半導体集積回路。 - 請求項1ないし5のいずれかに記載の半導体集積回路において、
上記電圧降下検出回路は、
上記電圧降下検出信号を外部に出力し、電圧降下の測定値とシミュレーション結果によりシミュレーションの精度を上げる、
ことを特徴とする半導体集積回路。
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