KR20030067542A - 패키지형 반도체 디바이스 및 그 형성 방법 - Google Patents
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Abstract
패키지형 반도체 디바이스(20; packaged semiconductor device)는 능동 전기 회로(active electrical circuitry)로 채워진 상부면을 갖는 제 1 집적 회로 다이(28; first integrated curcuit die)를 구비한다. 상기 제 1 다이(28)는 제 1 열 확산기(22; first heat spreader)의 캐비티(21)에 실장된다. 전기 회로가 상부면에 채워진 제 2 다이(36)는 상기 제 1 다이(28)의 상부면에 부착된다. 상기 다이들(28 및 36)은 상기 제 1 열 확산기(22)상에 실장된 기판(24)에 전기적으로 접속된다. 제 2 열 확산기(40)는 상기 제 2 다이(36)의 상부면에 실장된다. 상기 제 2 열 확산기(40)는 상기 제 2 다이(36)에 의해 발생된 열의 열 소산(thermal dissipation)을 위한 추가 경로를 제공한다.
Description
본 발명은 일반적으로, 패키지형 반도체 디바이스(packaged semiconductor device)에 관한 것으로서, 특히 패키지형 반도체 디바이스를 형성하는 방법에 관한것이다.
집적 회로의 패키징에 있어서, 패키지 내부에 다수의 반도체 다이를 수용할 수 있는 패키지를 제공하는 것이 바람직하다. 하나의 패키지 내부에 다수의 다이를 포함하는 구성은 몇가지 장점을 갖는다. 예를 들어, 패키징 비용이 감소되고 인쇄 회로 기판에 필요한 공간의 크기가 감소될 수 있다. 패키지 내부에 다수의 다이를 수용하기 위한 한 방식은 하나의 다이를 다른 다이의 상부에 적층하는 것이다. 그러나, 적층형 다이 해법의 한가지 문제점은 적층부의 상부 다이의 열 소산이 하부 다이를 통해 이루어진다는 것이다. 패키지형 고출력 디바이스에 대해서, 하부 다이를 통해 소산될 수 있는 열의 양은 제한되어 있다. 그러므로, 열 소산 성능을 개선한 적층 다이용 패키지형 반도체 디바이스에 대한 필요성이 존재한다.
본 발명은 예로서 도시된 것일 뿐 첨부도면에 제한되는 것은 아니며, 상기 첨부도면에서 유사 참조번호는 유사 부재를 지시한다.
당업자라면, 도면들의 부재들은 예시 및 명료화를 위해 도시된 것이며 실척으로 도시된 것은 아니라는 것을 이해할 것이다. 예를 들어, 본 발명의 다양한 실시예들의 이해를 돕기 위해, 도면들의 일부 부재들의 크기는 다른 부재들에 비해 과장되게 도시되어 있다.
일반적으로, 본 발명은 상부 다이에 열 확산기(heat spreader)를 부착함으로써 열 소산을 개선한 적층 다이용 패키지형 반도체 디바이스를 제공한다. 상기 상부 다이에 부착된 열 확산기는 하부 다이를 지지하는데 사용되는 열 확산기를 보조한다. 상기 하부 열 확산기는 상기 디바이스의 높이를 감소시키기 위해 상기 적층 다이를 지지하는 캐비티를 구비한다. 상기 패키지형 디바이스가 인쇄 회로 기판(PCB)에 부착되면, 상기 상부 다이에 부착된 열 확산기는 상기 PCB와 접촉하고 상기 상부 다이의 작동에 의해 발생된 열을 감소시키는 직접적인 열 통로를 제공한다. 본 발명은 첨부도면을 참조함으로써 보다 명확하게 이해될 것이다.
도 1 내지 도 7은 본 발명의 실시예에 따라 형성되는 패키지 디바이스의 연속하는 단면도.
*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명*
20 : 패키지 디바이스21 : 캐비티
22, 40 : 열 확산기24 : 패키지 기판
26, 34, 38 : 다이 부착 물질28, 36 : 다이
30 : 와이어 본드 패드32 : 솔더 볼 패드
44, 46, 48 : 와이어 본드50 : 캡슐화 물질
52 : 솔더 볼54 : PCB
56 : 솔더 접속부60 : 본드 패드
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 디바이스(20)를 도시한다. 패키지형 디바이스(20)는 캐비티(21)를 갖는 열 확산기(22)를 포함한다. 도시된 실시예에서, 열 확산기(22)는 구리로 형성된다. 구리로 형성될 경우에, 열 확산기(22)는 크롬-실버(chromium-silver), 니켈-골드(nickel-gold), 등과 같은 다른 금속으로 도금될 수 있다. 다른 실시예에서, 열 확산기(22)는 임의의 다른 열 도전재로 형성될 수 있다. 패키지 기판(24)은 열 확산기(22)에 부착된다. 패키지 기판(24)은 또한 일반적으로 캐비티(21)의 개구에 대응하는 개구를 갖는다. 기판(24)의 상부는 하나 이상의 와이어 본드 핑거(30; wire bond fingers)와 하나 이상의 솔더 볼 패드(32; solder ball pads)를 포함한다. 본 발명의 일실시예에서, 패드(32)는 도전재로 형성되고 PCB에 디바이스(20)를 기계적 및 전기적으로 접속하는데 사용될 수 있다. 또한, 패드(32)는 개별적인 디바이스들을 실장하는데 사용될 수 있거나, 시험을 위해 테스트 프로브를 수용하는데 사용될 수 있거나, 또는 도전 접속부(예를 들어, 솔더 볼)를 수용하는데 사용될 수 있다. 도시된 실시예에서는, 와이어 본드 패드(30)는 상기 다이를 상기 패키지 기판에 전기 접속하는데 사용된다. 그러나,다른 실시예에서는, 상기 다이를 상기 기판에 전기 접속하기 위해 다른 기술이 사용될 수 있다. 또한, 기판(24)은 상기 와이어 본드 패드(30)를 상기 솔더 볼 패드(32)에 접속하는 트레이스(trace)(도시되지 않음)와 같은 전기 도전체를 포함한다. 전기 회로를 갖는 반도체 다이(28)는 캐비티(21) 내에 정렬되고 다이 부착 물질(26)을 사용하여 열 확산기(22)에 부착된다. 선택적으로, 다이(28)는 다이 부착 테이프를 사용하여 열 확산기(22)에 부착될 수 있다.
도 2는 제 2 다이(36)가 다이 부착 물질(34)을 사용하여 상기 다이(28)의 상부면에 정렬 및 부착되어 있는 패키지형 디바이스(20)의 일실시예를 도시한다. 일반적으로, 다이(36)는 자신이 부착되는 상기 다이(28)의 표면적보다 작은 표면적을 가지게 된다.
도 3은 제 2 열 확산기(40)가 상기 다이(36)의 상부면에 부착되어 있는 패키지형 디바이스(20)의 일실시예를 도시한다. 열 확산기(40)는 다이 부착 물질(38)을 사용하여 다이(36)의 상부면에 부착된다. 다이 부착 물질(38)은 예를 들어, 에폭시형 또는 테이프형 다이 부착 물질일 수 있다. 다른 실시예에서, 열 확산기(40)는 다이(36)상의 적당한 크기의 금속 패드(도시되지 않음)에 열 확산기(40)를 납땜함으로써 다이(36)에 부착될 수 있다. 열 확산기(40)는 웨이퍼가 개별 다이로 단일화되기 전에 또는 후에 상기 금속 패드에 납땜될 수 있다.
일실시예에서, 열 확산기(40)는 구리로 형성된다. 구리로 형성될 경우에, 열 확산기(40)는 크롬-실버, 니켈-골드, 등과 같은 다른 금속으로 도금될 수 있다. 다른 실시예에서, 열 확산기(40)는 예를 들어, 알루미늄 또는 금과 같은 다른 열 도전재를 사용하여 형성될 수 있고, 스탬핑, 주조, 에칭 또는 기계가공에 의해 성형될 수 있다. 또한, 도시된 실시예에서, 열 확산기(40)는 참조번호 41로 지시된 테이퍼형 또는 계단형의 형상부 또는 융기부를 가지도록 형성되고, 열 확산기(40)의 하부면의 표면적은 열 확산기(40)의 상부면의 표면적보다 크다. 또한, 열 확산기(40)는 위에서 아래로 보았을 때 원통형 또는 직사각형일 수 있다. 열 확산기(40)에 원통 형상이 사용되면, 열 확산기(40)는 편평한 표면들이 서로 접속되는 두개의 원통으로서 가시화될 수 있고, 이 경우에 하나의 원통은 다른 원통보다 작은 직경을 갖는다. 열 확산기(40)에 직사각 형상이 사용되면, 연결되거나 인접하는 두개의 박스로서 가시화될 수 있고, 이 경우에 하나의 박스는 다른 박스와는 다른 체적을 갖는다. 다른 실시예에서는, 열 확산기(40)는 상이한 형상을 가질 수 있으며, 다수의 부품으로 형성될 수 있다.
도 4는 다이(28, 36)가 와이어 본드(44, 46)를 통해 본드 핑거(30)에 전기접속되어 있는 디바이스(20)의 일실시예를 도시한다. 본 발명의 선택적인 실시예는 임의의 개수의 와이어 본드(44, 46) 및 본드 핑거(30)를 사용할 수 있다. 또한, 선택안으로서 도 4에 도시된 와이어 본드(48)는 열 확산기(40)를 다이(36)상의 위치에 전기적으로 결합시킨다. 예를 들어, 와이어 본드(48)는 열 확산기(40)를 다이(36)에 전기적으로 접지시키는데 사용될 수 있다. 열 확산기(40)의 형상부(41)는 선택적인 와이어 본드를 용이하게 부착할 수 있는 위치로서 기능한다.
도 5는 캡슐화 물질(50; encapsulating material)이 적층 다이(36, 28), 열 확산기(40) 및 와이어 본드(44, 46, 및 48)의 위로 증착되어 있는 디바이스(20)의일실시예를 도시한다. 캡슐화 물질(50)은 예를 들어, 성형된 플라스틱(molded plastic) 또는 증착된 액적 물질(liquid deposited glob material)과 같이 집적 회로에 적합한 임의의 형태의 물질일 수 있다는 점에 유의해야 한다. 또한, 캡슐화 물질(50)의 상부면은 열 확산기(40)의 상부면과 같은 높이로 형성되며, 열 확산기(40)의 상부면을 덮지 않는다는 점에 유의해야 한다. 또한, 상기 형상부(41)는 열 확산기(40)를 다이(36)의 상부에 고정하도록 기능하며, 디바이스(20)의 반복된 열 순환작동 이후에 열 확산기(40)가 캡슐화 물질(50)로부터 밀리는 것을 방지한다. 또한, 도시된 실시예에서, 캡슐화 물질(50)은 실질적으로 캐비티(21) 전체를 채운다.
도 6은 복수의 솔더 볼(52)이 복수의 솔더 패드(32)상에 형성되어 있는 디바이스(20)의 일실시예를 도시한다. 솔더 볼(52)은 솔더 볼(52)을 증착하는 종래의 기술들 중 한가지 기술을 사용하여 형성된다.
도 7은 디바이스(20)가 PCB(54)에 접속되어 있는 디바이스(20)의 일실시예를 도시한다. 도시된 실시예에서, 디바이스(20)를 PCB(54)에 부착하기 위해, 디바이스(20)가 회전 즉, 뒤집힌다는 점에 유의해야 한다. 그러나, 선택적인 실시예에서, 디바이스(20)는 그 형성 도중에 임의의 방식으로 배향될 수 있다. PCB(54)는 솔더 패드(32)의 위치에 대응하는 복수의 본드 패드(60)를 포함한다. 솔더 볼(52)은 가열 및 재유동되어 패드(60)에 대한 전기 접속부를 제공하고, 상기 패드(60)는 거기에 적용된 스크린 인쇄된 솔더 페이스트 등을 가질 수 있다. 또한, 솔더 접속부(56)는 열 확산기(40)와 PCB(54)상의 대응 패드(60) 사이에 형성된다.
열 확산기(40)는 디바이스(20)의 제 2 열 소산 통로를 제공한다. 디바이스(20)의 작동 중에, 열 확산기(40)를 통해 적어도 다이(36)의 일부분으로부터 열이 소산된다. 다이(36)에 의해 발생된 열을 소산시키기 위한 다이(28)에 대한 필요성은 감소되며, 그에 따라 적층된 다이 반도체 디바이스가 보다 큰 열 소산을 가지도록 한다.
기판(24) 내부의 트레이스 및 비아(via)(도시되지 않음)는 기판(24)의 다양한 부분들을 선택적으로 상호접속하는데 사용된다는 점에 유의해야 한다. 또한, 다이 부착 물질(26, 34, 및 38)은 예를 들어, 접착 테이프 또는 비-고형(non-solid) 접착제(예를 들어, 아교, 에폭시)와 같은 임의의 형태의 적절한 물질일 수 있다는 점에 유의해야 한다. 다이(28, 36)는 임의의 형태의 집적 회로, 반도체 디바이스, 또는 다른 형태의 전기적으로 능동인 기판일 수 있다. 본 발명의 선택적인 실시예는 패키지형 반도체 디바이스(20) 내부에 패키징된 임의의 개수의 다이(28, 36)를 가질 수 있다. 예를 들어, 선택적인 실시예는 패키지 디바이스(20) 내에 3개의 다이를 패키징할 수 있다. 다이(28, 36)의 사이즈 및 종횡비는 변경될 수 있다는 점에 유의해야 한다. 다이(28, 36)는 상기에 도시된 실시예에서는 열 확산기(22)의 캐비티(21) 내부에 위치된다는 점에 유의해야 한다. 그러나, 다른 실시예에서는, 다이(28) 및 다이(36)는 캐비티(21)를 가지지 않는 열 확산기상에 위치될 수 있다. 또한, 열 확산기(22)는 열 소산이 개선되도록 표면적을 증가시키기 위해 캐비티(21)의 반대쪽 측면이 패턴처리될 수 있다.
전술한 설명에서, 본 발명은 특정 실시예를 참조로 기술되었다. 그러나, 당업자라면, 하기의 청구범위에 기재된 바와 같은 본 발명의 범위로부터 일탈함이 없이 다양한 변형 및 변경이 취해질 수 있다는 것을 이해할 것이다. 예를 들어, 임의의 적절한 다이 부착 공정, 와이어 본드 공정, 솔더 볼 형성 공정 및 테이프 공정은 본 기술분야에 공지되어 있는 패키지 디바이스(20)의 형성에 사용될 수 있다. 결과적으로, 명세서 및 도면은 제한적인 것이라기 보다는 예시적인 것으로 고려되어야 하고, 상기 모든 변형은 본 발명의 범위 내에 포함되어야 한다. 이점, 다른 장점, 및 문제점에 대한 해법은 특정 실시예에 관해서 설명되었다. 그러나, 상기 이점, 장점, 및 문제점에 대한 해법과, 임의의 이점, 장점, 또는 발생하거나 주장되는 해법을 야기할 수 있는 임의의 요소(들)는 임의의 특허청구범위의 중요하거나, 필요하거나, 본질적인 양태 또는 요소로서 이해되지는 않는다.
본 발명에 의하면, 상부 다이에 열 확산기를 부착함으로써 열 소산을 개선한 적층 다이용 패키지형 반도체 디바이스가 제공되며, 상기 상부 다이에 부착된 열 확산기는 하부 다이를 지지하는데 사용되는 열 확산기를 보조한다. 상기 하부 열 확산기는 상기 디바이스의 높이를 감소시키기 위해 상기 적층 다이를 지지하는 캐비티를 구비한다. 상기 패키지형 디바이스가 인쇄 회로 기판(PCB)에 부착되면, 상기 상부 다이에 부착된 열 확산기는 상기 PCB와 접촉하고 상기 상부 다이의 작동에 의해 발생된 열을 감소시키는 직접적인 열 통로를 제공한다.
Claims (3)
- 제 1 열 확산기(22; heat spreader), 상기 제 1 열 확산기(22) 위에 놓이는 패키지 기판(24; package substrate), 및 상기 패키지 기판(24)을 통해 상기 제 1 열 확산기(22) 내로 연장되는 캐비티(21; cavity)를 갖는 패키지 디바이스를 제공하는 단계와,상기 캐비티(21) 내부에서 상기 제 1 열 확산기(22)에 제 1 다이(28)를 부착하는 단계와,상기 제 1 다이(28)에 제 2 열 확산기(40)를 부착하는 단계와,상기 제 1 다이(28)와 상기 패키지 기판(24) 사이에 복수의 전기 접속부(46)를 형성하는 단계와,상기 전기 접속부(46)들, 상기 제 1 다이(28) 및 상기 제 2 열 확산기(40)의 적어도 일부분을 캡슐화하는 단계를 포함하는 반도체 디바이스(20) 형성 방법.
- 제 1 열 확산기(22)와,상기 제 1 열 확산기(22) 내로 연장되는 캐비티(21)와,상기 캐비티(21) 내부의 제 1 반도체 다이(28)와,상기 제 1 반도체 다이(28) 위에 놓이는 제 2 열 확산기(40)를 포함하는 반도체 디바이스.
- 제 1 표면 및 제 2 표면을 가지며, 상기 제 1 표면 내부에 능동 회로를 포함하는 반도체 다이(36)와,상기 반도체 다이(36)의 상기 제 1 표면에 접속되는 열 확산기(40)를 포함하는 반도체 디바이스.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US10/072,167 | 2002-02-07 | ||
US10/072,167 US6858932B2 (en) | 2002-02-07 | 2002-02-07 | Packaged semiconductor device and method of formation |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20030067542A true KR20030067542A (ko) | 2003-08-14 |
KR100995478B1 KR100995478B1 (ko) | 2010-11-22 |
Family
ID=27610553
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020030007424A KR100995478B1 (ko) | 2002-02-07 | 2003-02-06 | 패키지형 반도체 디바이스 및 그 형성 방법 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6858932B2 (ko) |
EP (1) | EP1335426A3 (ko) |
JP (1) | JP4653383B2 (ko) |
KR (1) | KR100995478B1 (ko) |
CN (2) | CN101150098B (ko) |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6853070B2 (en) * | 2001-02-15 | 2005-02-08 | Broadcom Corporation | Die-down ball grid array package with die-attached heat spreader and method for making the same |
US6794748B1 (en) * | 2003-04-22 | 2004-09-21 | Intel Corporation | Substrate-less microelectronic package |
US7190068B2 (en) * | 2004-06-25 | 2007-03-13 | Intel Corporation | Bottom heat spreader |
US7071556B2 (en) * | 2004-09-10 | 2006-07-04 | Jinghui Mu | Tape ball grid array package with electromagnetic interference protection and method for fabricating the package |
US7786591B2 (en) * | 2004-09-29 | 2010-08-31 | Broadcom Corporation | Die down ball grid array package |
KR100700936B1 (ko) * | 2006-01-25 | 2007-03-28 | 삼성전자주식회사 | 냉각 장치 및 이를 갖는 메모리 모듈 |
US9713258B2 (en) * | 2006-04-27 | 2017-07-18 | International Business Machines Corporation | Integrated circuit chip packaging |
US20090039524A1 (en) * | 2007-08-08 | 2009-02-12 | Texas Instruments Incorporated | Methods and apparatus to support an overhanging region of a stacked die |
US8472190B2 (en) * | 2010-09-24 | 2013-06-25 | Ati Technologies Ulc | Stacked semiconductor chip device with thermal management |
TWI446495B (zh) * | 2011-01-19 | 2014-07-21 | Subtron Technology Co Ltd | 封裝載板及其製作方法 |
US9070657B2 (en) | 2013-10-08 | 2015-06-30 | Freescale Semiconductor, Inc. | Heat conductive substrate for integrated circuit package |
KR20170001238A (ko) * | 2015-06-26 | 2017-01-04 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 계단형 기판을 포함하는 반도체 패키지 |
US10741534B2 (en) * | 2018-09-28 | 2020-08-11 | Intel Corporation | Multi-die microelectronic device with integral heat spreader |
Family Cites Families (30)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61232651A (ja) * | 1985-04-09 | 1986-10-16 | Seiko Epson Corp | 半導体実装方法 |
JP2660732B2 (ja) * | 1989-01-09 | 1997-10-08 | 株式会社日立製作所 | 半導体装置 |
JPH0458539A (ja) * | 1990-06-27 | 1992-02-25 | Mitsubishi Electric Corp | 混成集積回路装置 |
US5216278A (en) * | 1990-12-04 | 1993-06-01 | Motorola, Inc. | Semiconductor device having a pad array carrier package |
US5468994A (en) | 1992-12-10 | 1995-11-21 | Hewlett-Packard Company | High pin count package for semiconductor device |
JP2591499B2 (ja) * | 1994-10-21 | 1997-03-19 | 日本電気株式会社 | 半導体装置 |
JP2636777B2 (ja) | 1995-02-14 | 1997-07-30 | 日本電気株式会社 | マイクロプロセッサ用半導体モジュール |
TW373308B (en) * | 1995-02-24 | 1999-11-01 | Agere Systems Inc | Thin packaging of multi-chip modules with enhanced thermal/power management |
JPH0917919A (ja) | 1995-06-29 | 1997-01-17 | Fujitsu Ltd | 半導体装置 |
US5844168A (en) | 1995-08-01 | 1998-12-01 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Multi-layer interconnect sutructure for ball grid arrays |
JPH0992748A (ja) * | 1995-09-21 | 1997-04-04 | Mitsubishi Materials Corp | 半導体素子用パッケージ |
WO1997020347A1 (en) * | 1995-11-28 | 1997-06-05 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor device, process for producing the same, and packaged substrate |
US5843808A (en) | 1996-01-11 | 1998-12-01 | Asat, Limited | Structure and method for automated assembly of a tab grid array package |
US5696031A (en) | 1996-11-20 | 1997-12-09 | Micron Technology, Inc. | Device and method for stacking wire-bonded integrated circuit dice on flip-chip bonded integrated circuit dice |
KR100214549B1 (ko) * | 1996-12-30 | 1999-08-02 | 구본준 | 버텀리드 반도체 패키지 |
US6008536A (en) * | 1997-06-23 | 1999-12-28 | Lsi Logic Corporation | Grid array device package including advanced heat transfer mechanisms |
US5919329A (en) | 1997-10-14 | 1999-07-06 | Gore Enterprise Holdings, Inc. | Method for assembling an integrated circuit chip package having at least one semiconductor device |
JPH11219984A (ja) | 1997-11-06 | 1999-08-10 | Sharp Corp | 半導体装置パッケージおよびその製造方法ならびにそのための回路基板 |
JP3610769B2 (ja) * | 1998-03-25 | 2005-01-19 | イビデン株式会社 | 多層電子部品搭載用基板 |
JP2000077563A (ja) * | 1998-08-31 | 2000-03-14 | Sharp Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2000174180A (ja) * | 1998-12-02 | 2000-06-23 | Shibafu Engineering Kk | 半導体装置 |
JP3512657B2 (ja) | 1998-12-22 | 2004-03-31 | シャープ株式会社 | 半導体装置 |
JP3344362B2 (ja) * | 1999-05-07 | 2002-11-11 | 日本電気株式会社 | フィルムキャリア型半導体装置 |
JP2000332160A (ja) * | 1999-05-24 | 2000-11-30 | Sumitomo Metal Electronics Devices Inc | キャビティダウン型半導体パッケージ |
JP3589109B2 (ja) * | 1999-08-27 | 2004-11-17 | 日立電線株式会社 | スティフナ付きtabテープおよびbgaパッケージ |
US6184580B1 (en) * | 1999-09-10 | 2001-02-06 | Siliconware Precision Industries Co., Ltd. | Ball grid array package with conductive leads |
TW429494B (en) * | 1999-11-08 | 2001-04-11 | Siliconware Precision Industries Co Ltd | Quad flat non-leaded package |
JP4253992B2 (ja) | 2000-03-16 | 2009-04-15 | 株式会社デンソー | 樹脂封止型半導体装置 |
JP2001267476A (ja) * | 2000-03-17 | 2001-09-28 | Aronshiya:Kk | 半導体パッケージ用ヒートスプレッダの製造方法 |
TW466723B (en) * | 2000-12-01 | 2001-12-01 | Siliconware Precision Industries Co Ltd | Super thin package having high heat-dissipation property |
-
2002
- 2002-02-07 US US10/072,167 patent/US6858932B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2003
- 2003-01-30 CN CN2006101075528A patent/CN101150098B/zh not_active Expired - Lifetime
- 2003-01-30 CN CNB031023126A patent/CN1319138C/zh not_active Expired - Lifetime
- 2003-02-04 EP EP03002380A patent/EP1335426A3/en not_active Withdrawn
- 2003-02-06 KR KR1020030007424A patent/KR100995478B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2003-02-07 JP JP2003030887A patent/JP4653383B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN101150098B (zh) | 2011-11-23 |
CN101150098A (zh) | 2008-03-26 |
EP1335426A2 (en) | 2003-08-13 |
KR100995478B1 (ko) | 2010-11-22 |
US20030148554A1 (en) | 2003-08-07 |
JP2003243565A (ja) | 2003-08-29 |
CN1437233A (zh) | 2003-08-20 |
CN1319138C (zh) | 2007-05-30 |
EP1335426A3 (en) | 2008-07-30 |
US6858932B2 (en) | 2005-02-22 |
JP4653383B2 (ja) | 2011-03-16 |
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N231 | Notification of change of applicant | ||
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E90F | Notification of reason for final refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
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Payment date: 20161027 Year of fee payment: 7 |
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LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |