JP2001267476A - 半導体パッケージ用ヒートスプレッダの製造方法 - Google Patents
半導体パッケージ用ヒートスプレッダの製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 素材や大きさを変更することなく放熱性を高
めることができ、かつ低コストで実施できる半導体パッ
ケージ用ヒートスプレッダの製造方法を提供する。 【解決手段】 本発明の半導体パッケージ用ヒートスプ
レッダの製造方法は、１以上の溝１ａをエッチング加工
又は機械加工による切削により形成するため、従来の粉
末冶金法と比較してきわめて低コストで放熱面積の高い
ヒートスプレッダ１を提供できる。
めることができ、かつ低コストで実施できる半導体パッ
ケージ用ヒートスプレッダの製造方法を提供する。 【解決手段】 本発明の半導体パッケージ用ヒートスプ
レッダの製造方法は、１以上の溝１ａをエッチング加工
又は機械加工による切削により形成するため、従来の粉
末冶金法と比較してきわめて低コストで放熱面積の高い
ヒートスプレッダ１を提供できる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体素子を収容
するために使用される半導体パッケージ用ヒートスプレ
ッダの製造方法に関する。
するために使用される半導体パッケージ用ヒートスプレ
ッダの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体素子は、金属板からなるヒートス
プレッダの一面に形成した凹部に収容され、封止材によ
りモールドされる。このヒートスプレッダは、銅合金、
ステンレス鋼、アルミニウム等の放熱性の高い素材から
なり、半導体素子の熱を吸収、放出する機能を果たす。
プレッダの一面に形成した凹部に収容され、封止材によ
りモールドされる。このヒートスプレッダは、銅合金、
ステンレス鋼、アルミニウム等の放熱性の高い素材から
なり、半導体素子の熱を吸収、放出する機能を果たす。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
たヒートスプレッダは、凹部を有する配線基板の積層面
はもとより、その他の面も平坦に形成されているのが通
常である。従って、放熱性は、ヒートスプレッダを構成
する素材及び大きさに依存することになり、放熱性を高
めるには素材を変えるか、ヒートスプレッダを大きくし
なければならず、コストが高くなったり、ヒートスプレ
ッダが大型化するという問題があった。
たヒートスプレッダは、凹部を有する配線基板の積層面
はもとより、その他の面も平坦に形成されているのが通
常である。従って、放熱性は、ヒートスプレッダを構成
する素材及び大きさに依存することになり、放熱性を高
めるには素材を変えるか、ヒートスプレッダを大きくし
なければならず、コストが高くなったり、ヒートスプレ
ッダが大型化するという問題があった。
【０００４】一方、素材や大きさを変えることなく放熱
性を高める手段として、任意の面に複数の溝を刻設して
放熱面積を増加させることも考えられる。しかしなが
ら、従来、この種のヒートスプレッダは粉末冶金法を用
いての型成形により成形されているため、溝を形成する
場合には新たな型を準備しなければならず、既存の型を
使用できないという問題が生じ、その分コストアップと
なる。また、そもそも粉末冶金法を用いた成形法自体、
コストが高いという問題もあった。
性を高める手段として、任意の面に複数の溝を刻設して
放熱面積を増加させることも考えられる。しかしなが
ら、従来、この種のヒートスプレッダは粉末冶金法を用
いての型成形により成形されているため、溝を形成する
場合には新たな型を準備しなければならず、既存の型を
使用できないという問題が生じ、その分コストアップと
なる。また、そもそも粉末冶金法を用いた成形法自体、
コストが高いという問題もあった。
【０００５】本発明は上記した点に鑑みなされたもので
あり、素材や大きさを変更することなく放熱性を高める
ことができ、かつ低コストで実施できる半導体パッケー
ジ用ヒートスプレッダの製造方法を提供することを課題
とする。
あり、素材や大きさを変更することなく放熱性を高める
ことができ、かつ低コストで実施できる半導体パッケー
ジ用ヒートスプレッダの製造方法を提供することを課題
とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
請求項１記載の本発明の半導体パッケージ用ヒートスプ
レッダの製造方法は、一面に半導体素子を収容可能な凹
部が形成された半導体パッケージ用ヒートスプレッダの
製造方法であって、前記凹部を除いた任意の面に、１以
上の溝をエッチング加工により形成することを特徴とす
る。
請求項１記載の本発明の半導体パッケージ用ヒートスプ
レッダの製造方法は、一面に半導体素子を収容可能な凹
部が形成された半導体パッケージ用ヒートスプレッダの
製造方法であって、前記凹部を除いた任意の面に、１以
上の溝をエッチング加工により形成することを特徴とす
る。
【０００７】請求項２記載の本発明の半導体パッケージ
用ヒートスプレッダの製造方法は、一面に半導体素子を
収容可能な凹部が形成された半導体パッケージ用ヒート
スプレッダの製造方法であって、前記凹部を除いた任意
の面に、１以上の溝を機械加工により切削して形成する
ことを特徴とする。
用ヒートスプレッダの製造方法は、一面に半導体素子を
収容可能な凹部が形成された半導体パッケージ用ヒート
スプレッダの製造方法であって、前記凹部を除いた任意
の面に、１以上の溝を機械加工により切削して形成する
ことを特徴とする。
【０００８】請求項３記載の本発明の半導体パッケージ
用ヒートスプレッダの製造方法は、請求項１又は２記載
の半導体パッケージ用ヒートスプレッダの製造方法であ
って、前記溝を、前記凹部が形成されている配線基板の
積層面と反対側の面、及び側面のうちの少なくともいず
れか１以上の面に形成することを特徴とする。
用ヒートスプレッダの製造方法は、請求項１又は２記載
の半導体パッケージ用ヒートスプレッダの製造方法であ
って、前記溝を、前記凹部が形成されている配線基板の
積層面と反対側の面、及び側面のうちの少なくともいず
れか１以上の面に形成することを特徴とする。
【０００９】請求項４記載の本発明の半導体パッケージ
用ヒートスプレッダの製造方法は、請求項１〜３のいず
れか１に記載の半導体パッケージ用ヒートスプレッダの
製造方法であって、前記半導体素子収容用の凹部を、エ
ッチング加工により形成することを特徴とする。
用ヒートスプレッダの製造方法は、請求項１〜３のいず
れか１に記載の半導体パッケージ用ヒートスプレッダの
製造方法であって、前記半導体素子収容用の凹部を、エ
ッチング加工により形成することを特徴とする。
【００１０】請求項５記載の本発明の半導体パッケージ
用ヒートスプレッダの製造方法は、請求項４記載の半導
体パッケージ用ヒートスプレッダの製造方法であって、
加工素材である金属板からそれぞれの外形に沿って個々
のヒートスプレッダに最終的に分離するための打ち抜き
加工を、エッチング加工により行うことを特徴とする。
用ヒートスプレッダの製造方法は、請求項４記載の半導
体パッケージ用ヒートスプレッダの製造方法であって、
加工素材である金属板からそれぞれの外形に沿って個々
のヒートスプレッダに最終的に分離するための打ち抜き
加工を、エッチング加工により行うことを特徴とする。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を図面に
基づいて更に詳しく説明する。図１は、本実施形態にか
かる製造方法を用いて製造したヒートスプレッダ１を有
する半導体パッケージ１０の全体構造を示す図である。
基づいて更に詳しく説明する。図１は、本実施形態にか
かる製造方法を用いて製造したヒートスプレッダ１を有
する半導体パッケージ１０の全体構造を示す図である。
【００１２】この図から明らかなように、半導体パッケ
ージ１０の全体構造は、ヒートスプレッダ１の形状を除
いては、従来のものと全く同様である。すなわち、半導
体パッケージ１０は、ヒートスプレッダ１と、このヒー
トスプレッダ１の一面に形成された凹部２と、この凹部
２内に収容される半導体素子３と、ヒートスプレッダ１
の凹部の形成面に積層される配線基板４と、半導体素子
３と配線基板４の各端子部間を接続するボンディングワ
イヤ５とを有する。そして、半導体素子３とボンディン
グワイヤ５とは封止材６でモールドされて封止され、さ
らに、配線基板４を電子装置の回路基板（図示せず）に
電気的に接続するためのハンダボール７が配線基板４の
外付け端子に設けられている。
ージ１０の全体構造は、ヒートスプレッダ１の形状を除
いては、従来のものと全く同様である。すなわち、半導
体パッケージ１０は、ヒートスプレッダ１と、このヒー
トスプレッダ１の一面に形成された凹部２と、この凹部
２内に収容される半導体素子３と、ヒートスプレッダ１
の凹部の形成面に積層される配線基板４と、半導体素子
３と配線基板４の各端子部間を接続するボンディングワ
イヤ５とを有する。そして、半導体素子３とボンディン
グワイヤ５とは封止材６でモールドされて封止され、さ
らに、配線基板４を電子装置の回路基板（図示せず）に
電気的に接続するためのハンダボール７が配線基板４の
外付け端子に設けられている。
【００１３】ヒートスプレッダ１は、配線基板４の積層
面と反対側の面に複数の溝１ａを有している。これによ
り、本実施形態のヒートスプレッダ１は、配線基板４の
積層面と反対側の面を平坦に形成した場合と比較し、放
熱面積が大きく、高い放熱性が得られる。溝１ａを形成
する面は、ヒートスプレッダ１の任意の面であればよい
が、上記の配線基板４の積層面と反対側の面あるいは側
面に形成することが放熱性の点から好ましい。もちろ
ん、この両者に形成することも可能である。また、図１
では複数の溝１ａを設けているが、平坦面と比較して放
熱面積が大きいという条件を満足すればよく、溝が１つ
の場合も本発明に含まれる概念である。
面と反対側の面に複数の溝１ａを有している。これによ
り、本実施形態のヒートスプレッダ１は、配線基板４の
積層面と反対側の面を平坦に形成した場合と比較し、放
熱面積が大きく、高い放熱性が得られる。溝１ａを形成
する面は、ヒートスプレッダ１の任意の面であればよい
が、上記の配線基板４の積層面と反対側の面あるいは側
面に形成することが放熱性の点から好ましい。もちろ
ん、この両者に形成することも可能である。また、図１
では複数の溝１ａを設けているが、平坦面と比較して放
熱面積が大きいという条件を満足すればよく、溝が１つ
の場合も本発明に含まれる概念である。
【００１４】次に、本実施形態にかかるヒートスプレッ
ダ１の製造方法を図２に基づいて説明する。ヒートスプ
レッダ１を製造する工程には、次のような工程がある。
ダ１の製造方法を図２に基づいて説明する。ヒートスプ
レッダ１を製造する工程には、次のような工程がある。
【００１５】まず、加工素材となる所定の大きさの金属
板２０を準備する工程である。金属板２０は、放熱性の
高い素材であれば何であってもよいが、例えば、銅合
金、ステンレス鋼、アルミニウム等が用いられる。ま
た、金属板２０からは加工性の観点から複数個のヒート
スプレッダ１を取り出せるように、所定の幅及び長さを
有するものが用いられる。
板２０を準備する工程である。金属板２０は、放熱性の
高い素材であれば何であってもよいが、例えば、銅合
金、ステンレス鋼、アルミニウム等が用いられる。ま
た、金属板２０からは加工性の観点から複数個のヒート
スプレッダ１を取り出せるように、所定の幅及び長さを
有するものが用いられる。
【００１６】次に、図２（ａ）に示したように、上記し
た金属板２０に、半導体素子３を収容するための凹部２
を、取り出すヒートスプレッダ１に対応した数だけ形成
する工程である。凹部２の形成方法としては、金属板２
０の厚みの例えば半分程度をエッチング加工するハーフ
エッチング法、プレス機により押圧する方法などが挙げ
られるが、いずれにしても凹部２のうち半導体素子３と
の接触面はできるだけ平滑に形成することが好ましい。
凹部２の接触面を平滑に形成するため、上記加工後、接
触面をグラインダにより研磨したり、超音波振動する工
具を砥粒を介さずに又は介して研磨したりする仕上げ加
工を行うことが好ましい。また、上記したハーフエッチ
ング法で用いたエッチング液よりも、エッチング液の液
温を下げたりしてエッチング性を劣らせたソフトエッチ
ング法により仕上げ加工を行うこともできる。
た金属板２０に、半導体素子３を収容するための凹部２
を、取り出すヒートスプレッダ１に対応した数だけ形成
する工程である。凹部２の形成方法としては、金属板２
０の厚みの例えば半分程度をエッチング加工するハーフ
エッチング法、プレス機により押圧する方法などが挙げ
られるが、いずれにしても凹部２のうち半導体素子３と
の接触面はできるだけ平滑に形成することが好ましい。
凹部２の接触面を平滑に形成するため、上記加工後、接
触面をグラインダにより研磨したり、超音波振動する工
具を砥粒を介さずに又は介して研磨したりする仕上げ加
工を行うことが好ましい。また、上記したハーフエッチ
ング法で用いたエッチング液よりも、エッチング液の液
温を下げたりしてエッチング性を劣らせたソフトエッチ
ング法により仕上げ加工を行うこともできる。
【００１７】また、図示しないが、凹部２の半導体素子
３との接触面を平滑に形成する手段として、予め金属板
を２枚準備しておき、その一方をエッチング加工又はプ
レス加工等により凹部２に相当する貫通孔を形成し、そ
の後、他の金属板を溶接により積層して一体化する手段
を採用することもできる。この場合には、他の金属板の
一面が凹部２における半導体素子３との接触面となるた
め、仕上げ加工を行わなくても、平滑な接触面が得られ
る。
３との接触面を平滑に形成する手段として、予め金属板
を２枚準備しておき、その一方をエッチング加工又はプ
レス加工等により凹部２に相当する貫通孔を形成し、そ
の後、他の金属板を溶接により積層して一体化する手段
を採用することもできる。この場合には、他の金属板の
一面が凹部２における半導体素子３との接触面となるた
め、仕上げ加工を行わなくても、平滑な接触面が得られ
る。
【００１８】次に、図２（ｂ）に示したように、個々の
ヒートスプレッダ１の外形に沿った部位を貫通するよう
に打ち抜く工程を有する。但し、貫通溝１ｂに隣接した
部位に、金属板２０の外枠部２０ａと連結された連結片
１ｃを残した状態で打ち抜き、最終的にはこの連結片１
ｃを分断することで個々のヒートスプレッダ１に分離さ
れる。貫通溝１ｂを形成する打ち抜き加工としても、エ
ッチング加工やプレス加工等を採用することができる。
ヒートスプレッダ１の外形に沿った部位を貫通するよう
に打ち抜く工程を有する。但し、貫通溝１ｂに隣接した
部位に、金属板２０の外枠部２０ａと連結された連結片
１ｃを残した状態で打ち抜き、最終的にはこの連結片１
ｃを分断することで個々のヒートスプレッダ１に分離さ
れる。貫通溝１ｂを形成する打ち抜き加工としても、エ
ッチング加工やプレス加工等を採用することができる。
【００１９】ここで、上記した凹部２の形成工程と貫通
溝１ｂの形成工程は必ずしも上記の順序に限らず、逆で
あってもよい。また、例えば、凹部２をエッチング（ハ
ーフエッチング）加工で形成し、貫通溝１ｂをプレス加
工で形成することも可能である。但し、設備の準備、量
産性、加工のし易さ、加工精度、製造コスト等を考慮す
ると、いずれもエッチング加工により行うことが好まし
い。
溝１ｂの形成工程は必ずしも上記の順序に限らず、逆で
あってもよい。また、例えば、凹部２をエッチング（ハ
ーフエッチング）加工で形成し、貫通溝１ｂをプレス加
工で形成することも可能である。但し、設備の準備、量
産性、加工のし易さ、加工精度、製造コスト等を考慮す
ると、いずれもエッチング加工により行うことが好まし
い。
【００２０】次に、図２（ｃ）に示したように、ヒート
スプレッダ１の任意の面、本実施形態では、凹部２を有
する面と反対側の面に複数の溝１ａを形成する。但し、
この溝１ａの形成工程の実施タイミングは任意であり、
上記した凹部２の形成工程と貫通溝１ｂの形成工程の実
施後、それらの工程の間、それらの工程の前、あるい
は、連結片１ｃを切断して個々のヒートスプレッダ１に
分離した後等のいずれであってもよい。
スプレッダ１の任意の面、本実施形態では、凹部２を有
する面と反対側の面に複数の溝１ａを形成する。但し、
この溝１ａの形成工程の実施タイミングは任意であり、
上記した凹部２の形成工程と貫通溝１ｂの形成工程の実
施後、それらの工程の間、それらの工程の前、あるい
は、連結片１ｃを切断して個々のヒートスプレッダ１に
分離した後等のいずれであってもよい。
【００２１】溝１ａの形成は、エッチング加工又は機械
加工による切削のいずれかで行う。従来のように粉末冶
金法の型成形によりヒートスプレッダを製造する場合に
は、溝１ａを形成するために、型を変更しなければなら
ないが、本実施形態は、粉末冶金法によらず、低コスト
で製造することを目的とするため、エッチング加工か機
械加工による切削のいずれかが採用される。また、これ
により量産性も高まる。特に、溝１ａを形成する際にエ
ッチング加工を採用した場合には、上記の他の工程でも
エッチング加工を採用することにより、一種類の加工法
で製作できるため、設備コストの面で大きなメリットが
ある。一方、溝１ａを切削により形成した場合には、切
削設備が別途必要となるが、既存の切削設備を使用でき
る場合には、かかる工程を切削により行ってもコストメ
リットが大きい。
加工による切削のいずれかで行う。従来のように粉末冶
金法の型成形によりヒートスプレッダを製造する場合に
は、溝１ａを形成するために、型を変更しなければなら
ないが、本実施形態は、粉末冶金法によらず、低コスト
で製造することを目的とするため、エッチング加工か機
械加工による切削のいずれかが採用される。また、これ
により量産性も高まる。特に、溝１ａを形成する際にエ
ッチング加工を採用した場合には、上記の他の工程でも
エッチング加工を採用することにより、一種類の加工法
で製作できるため、設備コストの面で大きなメリットが
ある。一方、溝１ａを切削により形成した場合には、切
削設備が別途必要となるが、既存の切削設備を使用でき
る場合には、かかる工程を切削により行ってもコストメ
リットが大きい。
【００２２】溝１ａの形状は任意であり、図４に示した
ように、直線状（図４（ａ））、格子状（図４
（ｂ））、放射状（図４（ｃ））、渦巻き状（図４
（ｄ））、大きさの異なる四角形を複数重ねたような形
状（図４（ｅ））等、種々の形状に形成することができ
る。また、機械加工による切削は、任意の切削装置で行
ってもよいが、切削具を用いて手彫りで加工することも
可能である。
ように、直線状（図４（ａ））、格子状（図４
（ｂ））、放射状（図４（ｃ））、渦巻き状（図４
（ｄ））、大きさの異なる四角形を複数重ねたような形
状（図４（ｅ））等、種々の形状に形成することができ
る。また、機械加工による切削は、任意の切削装置で行
ってもよいが、切削具を用いて手彫りで加工することも
可能である。
【００２３】以上により、本実施形態によれば、粉末冶
金法を用いることなく、任意の面に１以上の溝１ａを有
するヒートスプレッダ１を得ることができる。従って、
素材や大きさを変更することなくヒートスプレッダ１の
放熱性を高めることができる。なお、半導体パッケージ
用ヒートスプレッダ１としては、図３に示したように、
回路基板に配線接続した半導体素子３を取り囲んで収容
するようなタイプのものもあるが、このようなヒートス
プレッダ１にも溝１ａを形成することができることはも
ちろんである。
金法を用いることなく、任意の面に１以上の溝１ａを有
するヒートスプレッダ１を得ることができる。従って、
素材や大きさを変更することなくヒートスプレッダ１の
放熱性を高めることができる。なお、半導体パッケージ
用ヒートスプレッダ１としては、図３に示したように、
回路基板に配線接続した半導体素子３を取り囲んで収容
するようなタイプのものもあるが、このようなヒートス
プレッダ１にも溝１ａを形成することができることはも
ちろんである。
【００２４】
【発明の効果】請求項１又は２記載の本発明の半導体パ
ッケージ用ヒートスプレッダの製造方法は、放熱面積を
増加できる１以上の溝を形成できるため、素材や大きさ
を変更することなく放熱性に優れたヒートスプレッダを
製造することができる。また、１以上の溝をエッチング
加工又は機械加工による切削により形成するため、従来
の粉末冶金法と比較してきわめて低コストで放熱面積の
高いヒートスプレッダを提供できると共に、量産性にも
適している。
ッケージ用ヒートスプレッダの製造方法は、放熱面積を
増加できる１以上の溝を形成できるため、素材や大きさ
を変更することなく放熱性に優れたヒートスプレッダを
製造することができる。また、１以上の溝をエッチング
加工又は機械加工による切削により形成するため、従来
の粉末冶金法と比較してきわめて低コストで放熱面積の
高いヒートスプレッダを提供できると共に、量産性にも
適している。
【００２５】請求項３記載の本発明の半導体パッケージ
用ヒートスプレッダの製造方法は、前記溝を、前記凹部
が形成されている配線基板の積層面と反対側の面、及び
側面のうちの少なくともいずれか１以上の面に形成する
ことにより放熱性を効果的に高めることができる。
用ヒートスプレッダの製造方法は、前記溝を、前記凹部
が形成されている配線基板の積層面と反対側の面、及び
側面のうちの少なくともいずれか１以上の面に形成する
ことにより放熱性を効果的に高めることができる。
【００２６】請求項４又は５記載の本発明の半導体パッ
ケージ用ヒートスプレッダの製造方法は、前記半導体収
容用の凹部の形成又は製品周辺の打ち抜き加工を、エッ
チング加工により行うことにより、トータルの製造コス
トをさらに低コストにすることができる。
ケージ用ヒートスプレッダの製造方法は、前記半導体収
容用の凹部の形成又は製品周辺の打ち抜き加工を、エッ
チング加工により行うことにより、トータルの製造コス
トをさらに低コストにすることができる。
【図１】図１は、本発明の一の実施形態にかかる製造方
法を用いて製造したヒートスプレッダを有する半導体パ
ッケージの全体構造を示す図である。
法を用いて製造したヒートスプレッダを有する半導体パ
ッケージの全体構造を示す図である。
【図２】図２は、本発明の一の実施形態にかかるヒート
スプレッダの製造工程を説明するための図である。
スプレッダの製造工程を説明するための図である。
【図３】図３は、他の例にかかるヒートスプレッダを示
す図である。
す図である。
【図４】図４は、溝の形状を示す図である。
１ ヒートスプレッダ １ａ 溝 ２ 凹部 ３ 半導体素子 ４ 配線基板 ５ ボンディングワイヤ ６ 封止材 １０ 半導体パッケージ ２０ 金属板
Claims (5)
- 【請求項１】 一面に半導体素子を収容可能な凹部が形
成された半導体パッケージ用ヒートスプレッダの製造方
法であって、 前記凹部を除いた任意の面に、１以上の溝をエッチング
加工により形成することを特徴とする半導体パッケージ
用ヒートスプレッダの製造方法。 - 【請求項２】 一面に半導体素子を収容可能な凹部が形
成された半導体パッケージ用ヒートスプレッダの製造方
法であって、 前記凹部を除いた任意の面に、１以上の溝を機械加工に
より切削して形成することを特徴とする半導体パッケー
ジ用ヒートスプレッダの製造方法。 - 【請求項３】 請求項１又は２記載の半導体パッケージ
用ヒートスプレッダの製造方法であって、前記溝を、前
記凹部が形成されている配線基板の積層面と反対側の
面、及び側面のうちの少なくともいずれか１以上の面に
形成することを特徴とする半導体パッケージ用ヒートス
プレッダの製造方法。 - 【請求項４】 請求項１〜３のいずれか１に記載の半導
体パッケージ用ヒートスプレッダの製造方法であって、
前記半導体素子収容用の凹部を、エッチング加工により
形成することを特徴とする半導体パッケージ用ヒートス
プレッダの製造方法。 - 【請求項５】 請求項４記載の半導体パッケージ用ヒー
トスプレッダの製造方法であって、加工素材である金属
板からそれぞれの外形に沿って個々のヒートスプレッダ
に最終的に分離するための打ち抜き加工を、エッチング
加工により行うことを特徴とする半導体パッケージ用ヒ
ートスプレッダの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000076971A JP2001267476A (ja) | 2000-03-17 | 2000-03-17 | 半導体パッケージ用ヒートスプレッダの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000076971A JP2001267476A (ja) | 2000-03-17 | 2000-03-17 | 半導体パッケージ用ヒートスプレッダの製造方法 |
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003243565A (ja) * | 2002-02-07 | 2003-08-29 | Motorola Inc | パッケージ化半導体装置およびその製作方法 |
| KR100833929B1 (ko) * | 2001-12-15 | 2008-05-30 | 삼성테크윈 주식회사 | Ｔｂｇａ 반도체 패키지용 방열판에 캐비티를 형성하는 방법 |
-
2000
- 2000-03-17 JP JP2000076971A patent/JP2001267476A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100833929B1 (ko) * | 2001-12-15 | 2008-05-30 | 삼성테크윈 주식회사 | Ｔｂｇａ 반도체 패키지용 방열판에 캐비티를 형성하는 방법 |
| JP2003243565A (ja) * | 2002-02-07 | 2003-08-29 | Motorola Inc | パッケージ化半導体装置およびその製作方法 |
| JP4653383B2 (ja) * | 2002-02-07 | 2011-03-16 | フリースケール セミコンダクター インコーポレイテッド | パッケージ化半導体装置およびその製作方法 |
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