KR100833929B1 - Ｔｂｇａ 반도체 패키지용 방열판에 캐비티를 형성하는 방법 - Google Patents

Ｔｂｇａ 반도체 패키지용 방열판에 캐비티를 형성하는 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명에 따른 TBGA 반도체 패키지용 방열판에 캐비티를 형성하는 방법은, TBGA 반도체 패키지용 방열판을 준비하는 단계; 형성될 캐비티의 크기만큼 후퇴부가 마련된 스탬핑 다이 위에 상기 방열판을 위치시키는 단계; 상기 방열판의 상면을 펀치로 스탬핑하여 상면에 캐비티를 형성하는 단계; 상기 캐비티 형성시 부수하여 상기 방열판의 하면에 형성되는 상기 캐비티 크기 만큼의 하면 돌출부를 절삭하는 단계; 및 상기 돌출부가 절삭된 하면을 연마하는 단계;를 구비하고, 상기 하면 연마 단계 후 상기 캐비티에 대응하는 다이 돌출부가 형성된 상부 다이 및 편평한 하부 다이를 이용하여 방열판을 압착하는 단계를 더 구비하는 것을 특징으로 한다.

Description

ＴＢＧＡ 반도체 패키지용 방열판에 캐비티를 형성하는 방법{Method for forming cavity on heat spreader of TBGA semiconductor package}
도 1은 종래의 캐비티가 형성된 TBGA 반도체 패키지용 방열판을 개략적으로 도시한 단면도.
도 2는 본 발명에 따른 캐비티 형성 방법을 나타낸 흐름도.
도 3a 내지 3d는 본 발명에 따른 캐비티 형성 방법의 각 단계를 개략적으로 도시한 사시도.
도 4는 본 발명의 돌출부 절삭 단계에 대한 일 실시예를 개략적으로 도시한 단면도.
도 5는 본 발명의 하면 연마 단계에 대한 일 실시예를 개략적으로 도시한 단면도.
도 6은 본 발명의 돌출부 절삭 단계에 대한 다른 일 실시예를 개략적으로 도시한 사시도.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 간단한 설명>
100 ...방열판 105 ...펀치
110 ...캐비티 120 ...하면 돌출부
130 ...스탬핑 다이 150 ...펀칭 다이 후퇴부
200,210,220 ...커터 300,310,320 ...연마휠
400,450 ...상하부 압착 다이 410 ...압착 다이 돌출부
본 발명은 TBGA 반도체 패키지용 방열판(heat spreader)에 캐비티(cavity)를 형성하는 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 캐비티 형성시 발생되는 방열판의 변형이 억제될 수 있는 캐비티 형성 방법에 관한 것이다.
TBGA 반도체 패키지는 소정의 회로 패턴이 형성된 회로 테이프가 반도체 패키지용 금속 프레임에 접착되고 상기 회로 테이프의 회로 패턴은 반도체 칩과 와이어 본딩을 통해서 전기적으로 연결되어 있는 반도체 패키지이다. TBGA 반도체 패키지는 높은 밀도의 회로를 수용할 수 있고, 전기적 특성이 우수하며, 열 방출성이 높기 때문에 컴퓨터 그래픽 카드, 게임기용 카드 등과 같은 주문형 제품에 널리 사용된다.
통상적으로, TBGA 반도체 패키지는 반도체 칩에서 발생되는 열을 방출하는 방열판(heat spreader)만으로 된 단층의 금속 프레임을 구비하는 원 피스형과, 지지역할을 하는 스티프너(stiffener)와 방열판을 접착하여 된 복층의 금속 프레임을 구비하는 투 피스형으로 분류할 수 있다.
상기 원 피스형 TBGA 반도체 패키지의 방열판에는, 반도체 칩을 실장하기 위해 방열판의 상면으로부터 일정 높이만큼 후퇴된 캐비티가 형성되어야 하는바, 하 프 에칭(half etching)에 의한 방식이 공지되어 있다. 그러나 상기한 하프 에칭에 의한 방식은, 제조 시간이 과다하게 소요되어 제조 원가가 상승되는 점과, 식각된 캐비티 면이 평탄하지 못한 점 등의 문제점이 지적되어 왔다.
이에 따라 제안된 다른 한가지의 방법이 펀치로 방열판의 상면을 스탬핑(stamping)하여 캐비티를 형성하는 방법이며, 도 1은 상기 스탬핑 방법에 의해 캐비티가 형성된 TBGA 반도체 패키지용 방열판을 개략적으로 도시한 단면도이다.
도면을 참조하면, TBGA 반도체 패키지용 방열판(10)이 위치정렬된 후 방열판 상면(11)의 소정 위치에 사각형의 펀칭면(미도시)를 가지는 펀치(20)가 위치되고, 스탬핑에 의해 방열판 상면(11)에는 캐비티(12)가 형성된다. 캐비티(12)의 형성과 함께 부수적인 방열판(10)의 변형이 야기되는데 소위 '패키지 보우(package bow,16)', '롤오버(roll over,15)', 및 '하면 돌출(14)'이 그것이다. 좀더 자세히 설명하면 상기 패키지 보우(16)란 스탬핑에 의해 방열판이 X축으로부터 약간 상면(11)측으로 굽어지는 변형을, 롤오버(15)란 캐비티(12)의 측면이 Y축에 평행하지 못하고 비스듬히 기울어지는 변형을 말하며, 또한 하면 돌출(14)이란 스탬핑 충격에 의해 하면(13)에 돌출부가 형성되는 것을 말한다.
스탬핑에 의한 상기 부수 변형들(14 내지 16)을 그대로 둔 채 TBGA 반도체 패키지를 제조하는 경우 패키지의 성능 저하 또는 불량품 발생 등이 야기될 수 있으며, 이로 인해 반도체 패키지의 생산성 저하 및 신뢰성 저하의 문제점이 발생될 수 있다. 또한 스탬핑에 의해 형성된 캐비티의 반대편의 돌출부는 반도체 패키지의 박형화와 상면의 마킹 공정등에 있어서 문제를 가지고 있어서 상면에 돌출된 부분의 제거가 요구되고 있다.
이러한 문제에 대하여 대처 방안으로는 밀링커터를 이용하여 해당 돌출부를 깍아 내는 방법이 공지되어 있다. 그러나 얇은 두께의 박판에 밀링커터에 의한 연속 공정은 여전히 기계적인 강도를 충분히 가지지 못한 박판에 실현하는 것은 생산성이 떨어지는 단점이 있다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 창안된 것으로, 부정적 영향을 미치는 부수적인 변형을 남기지 않으면서 TBGA 반도체 패키지용 방열판에 캐비티를 형성하는 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
또한 이를 적용하여 생산성 및 신뢰성이 향상된 TBGA 반도체 패키지를 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기한 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 따른 TBGA 반도체 패키지용 방열판에 캐비티를 형성하는 방법은, TBGA 반도체 패키지용 방열판을 준비하는 단계; 형성될 캐비티의 크기만큼 후퇴부가 마련된 스탬핑 다이 위에 상기 방열판을 위치시키는 단계; 상기 방열판의 상면을 펀치로 스탬핑하여 상면에 캐비티를 형성하는 단계; 상기 캐비티 형성시 부수하여 상기 방열판의 하면에 형성되는 상기 캐비티 크기 만큼의 하면 돌출부를 절삭하는 단계; 및 상기 돌출부가 절삭된 하면을 연마하는 단계;를 구비하고, 상기 하면 연마 단계 후 상기 캐비티에 대응하는 다이 돌출부가 형성된 상부 다이 및 편평한 하부 다이를 이용하여 방열판을 압착하는 단계를 더 구비하는 것을 특징으로 한다.
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본 발명에 따른 TBGA 반도체 패키지용 방열판에 캐비티를 형성하는 방법에 있어서, 상기 하면 돌출부는 그 높이가 단계적으로 낮아지도록 절삭되는 것이 바람직하다.
상기 하면 돌출부는 절삭공구의 단부가 위치한 높이가 단계적으로 낮아지도록 배열된 복수의 절삭공구에 의해 단계적으로 절삭될 수 있다.
본 발명에 따른 TBGA 반도체 패키지용 방열판에 캐비티를 형성하는 방법에 있어서, 상기 하면은 연마제의 입자 크기가 단계적으로 미세하게 되도록 일렬로 배열된 복수의 연마휠에 의해 단계적으로 연마되는 것이 바람직하다.
또한 상기 하면은 상기 하면과 접촉되는 외주 연마면이 위치한 높이가 단계적으로 낮아지도록 일렬로 배열된 복수의 연마휠에 의해 단계적으로 연마되는 것이 바람직하다.
본 발명에 따른 TBGA 반도체 패키지용 방열판에 캐비티를 형성하는 방법에 있어서 상기 하면 돌출부 절삭 단계에서는, 하면 돌출부가 제거됨과 동시에 방열판의 두께가 감소될 수 있도록 방열판의 하면 전체에 걸쳐 절삭이 행해질 수도 있다.
본 발명에 따른 캐비티 형성 방법의 상기 방열판 준비 단계에서는, 하나의 반도체 패키지를 만들 수 있는 단위 방열판이 복수개 연접하여 형성된 스트립 형태의 방열판이 준비되는 것이 바람직하다.
이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 TBGA 반도체 패키지용 방열판에 캐비티를 형성하는 방법(이하 '캐비티 형성 방법')을 상세히 설명하도록 한다.
도 2는 본 발명에 따른 캐비티 형성 방법을 나타낸 흐름도이다.
도면을 참조하면, 방열판에 캐비티를 형성하는 방법은 금속소재의 방열판을 준비하여(S110), 소정 후퇴부가 형성된 스탬핑 다이 위에 상기 방열판을 위치시키고(S120), 펀치로 방열판 상면을 스탬핑하는 단계(S130)를 구비한다. 상기 스탬핑에 의해 방열판 상면에는 캐비티가 형성되나 방열판 하면에는 하면 돌출부가 형성되므로 이를 절삭(S140)하고, 방열판 하면을 매끄럽게 연마하는 단계(S150)를 구비한다. 이후 선택적으로 상기 캐비티에 대응하는 다이 돌출부를 가진 상부 다이 및 편평한 하부 다이를 이용하여 상기 방열판을 압착하는 단계(S160)를 더 구비할 수도 있다.
도 3a 내지 3d는 본 발명에 따른 캐비티 형성 방법의 상기 단계를 개략적으로 도시한 사시도로서, 도 3a는 도 2의 방열판 준비(S110)와 방열판 위치정렬(S120), 및 스탬핑 단계(S130)에, 도 3b는 하면 돌출부 절삭 단계(S140)에, 도 3c는 방열판 하면 연마 단계(S150)에, 그리고 도 3d는 방열판 압착 단계(S160)에 각각 해당된다.
도 3a를 참조하면, 방열판 준비 단계(S110)에서 마련되는 방열판(100)은 금속소재의 원 피스형 TBGA 반도체 패키지용 방열판으로 하나의 반도체 패키지를 제 조할 수 있는 단위 방열판이 복수개 연접하여 일체로 형성된 스트립 형태이다. 각 단위 방열판의 중앙부에는 반도체 칩이 실장되는 소정의 캐비티가 형성될 자리(111)가 마련된다. 방열판(100)에는 상면과 하면이 마련되는 바, 이하 본 명세서에서는 캐비티(110)가 형성될 면(101)을 상면으로, 상기 상면에 대응하는 면으로 상기 캐비티 형성의 부수 현상으로 인해 돌출부가 형성될 면(102)을 하면으로 한다.
상기 방열판(100)은 캐비티 형성을 위한 스탬핑(stamping) 작업을 위해 스탬핑 다이(130)위에 위치한다(S120). 상기 다이(130)의 방열판(100)을 지지하는 지지면(131)은 방열판이 위치정렬되어 움직이지 않도록 단차진 측벽(135)에 둘러쌓여질 수 있다. 방열판 상면(101)의 캐비티가 형성될 자리(111)에 대응하는 상기 다이의 지지면(131)상의 소정 위치에는 후퇴부(150)가 마련된다.
스탬핑 다이(130)에 위치한 방열판의 상면(101)의 캐비티가 형성될 자리(111) 위로 펀치(105)가 이동하고 Y축 방향으로 하강하여 스탬핑이 수행되어 상면(101)에는 캐비티(110)가 형성된다(S130). 상기 방열판(100)이 상기 펀치(105)에 의해 관통되지 않도록 하강력이 조절되어야 하며, 상기 펀치의 펀칭면(106)이 사각형을 이루고 있어 캐비티(110)도 동일한 형태를 갖는다.
상기 스탬핑에 의해 캐비티(110)가 형성됨과 동시에 방열판의 하면에는 소재의 Y축 방향 밀림에 의해 하면 돌출부(120)가 형성된다. 상기 캐비티(110)와 하면 돌출부(120)는 방열판(100)을 가압하는 펀치(105)와 상기 방열판(100)을 사이에 두고 일직선상에 위치한 스탬핑 다이의 후퇴부(150)의 조합에 의해, 전단 가공의 양 상으로 형성된다. 따라서 종래의 방법으로 형성된 캐비티에서 나타나는 롤오버(도 1의 15) 현상이 발생되지 않고 캐비티의 측면부가 Y축에 평행하게, 즉 방열판 상하면(101,102)의 연장방향과 수직하게 형성될 수 있다. 또한 하면 돌출부(120)도 종래의 경우(도 1의 14)처럼 비스듬한 측면을 갖는 것이 아니라 방열판 상하면(101,102)의 연장방향과 수직하게 형성될 수 있으므로 절삭 등에 의해 용이하게 제거될 수 있다.
방열판(100)에 차례로 캐비티(110)를 형성하기 위해 펀치(105)는 X축 방향 우측에서 좌측으로 차례로 이동할 수 있다. 그러나 펀치(105)가 고정된 상태에서 방열판(100)이 X축 방향 좌측에서 우측으로 이동할 수도 있을 것이다.
도 3b를 참조하면, 방열판 하면(102)에 형성된 하면 돌출부(120)를 제거하기 위해 방열판(100)은 상하면이 뒤집혀져서 절삭 단계(S140)로 이동된다. 방열판(100)이 고정된 상태에서 커터(200)가 X축 방향 좌측에서 우측으로 방열판의 하면(102)을 따라 이동하면 우측에 있는 하면 돌출부(120)부터 차례로 절삭될 수 있다. 커터(200)가 지나간 후의 돌출부(128)의 높이(h2)는 커터(200)가 지나가기 전의 돌출부(120)의 높이(h1)보다는 작으나 하면과 동일한 높이에 있지는 못하고 따라서 하면(102) 연마 단계(S150)를 필요로 한다. 상기 커터(200)가 이동하여 절삭이 수행될 수도 있으나 방열판이 X축 방향 좌측에서 우측으로 이동하여 절삭이 수행될 수도 있음은 당연하다.
도 3c를 참조하면, 절삭 단계(S140) 후의 방열판(100)은 연마제가 외주면에 도포된 연마휠(300)에 의해 연마된다. 도면에서 방열판(100)은 X축 방향 좌측에서 우측으로 이동하고 연마휠(300)은 시계방향으로 회전하여, 연마휠(300)의 외주면인 연마면과 방열판 하면(102)이 서로 마찰하면서 절삭 후에 잔존하던 돌출부(128)가 말끔히 제거됨과 동시에 평탄하고 굴곡없는 하면이 형성될 수 있다. 따라서 연마휠(300)을 통과한 방열판의 하면(102)에는 돌출부가 남지 않으며, 상면(도 3a의 101)의 캐비티(110)만 남고, 방열판(100)은 최종 완성치수에 도달될 수 있다.
도 3d을 참조하면, 선택적으로 채택될 수 있는 방열판 압착 단계(S160)는 캐비티(110)가 형성된 방열판(100)의 상하면(101,102)과 각각 밀착 가능한 상부 및 하부 압착 다이(400,450)에 의해 이뤄진다. 하면 연마 후 방열판(100)은 다시 뒤집혀 캐비티(110)가 위를 향한 상태에서 상부 및 하부 압착 다이(400,450) 사이에 진입한다. 상부 압착 다이(400)의 압착면(405)에는 방열판 상면(101)에서 후퇴된 캐비티(110)에 대응하게 소정 크기로 돌출하여 압착시 상기 캐비티(110)에 삽입 가능하도록 다이 돌출부(410)가 형성되어 있다. 그리고 하부 압착 다이(450)의 압착면(미도시)은 방열판 하면에 대응하게 평탄하게 되어 있다. 이와 같은 압착 단계(S160)에 의해 이전 가공 단계(S130,S140,S150)에서 미세하게 발생될 수도 있는 캐비티(110) 및 방열판(100)의 변형이 교정될 수 있다.
도 4는 본 발명의 돌출부 절삭 단계(S140)에 대한 일 실시예를 개략적으로 도시한 단면도로서, 방열판(100) 이동 방향을 따라 단계적으로 낮게, 즉 단계적으로 방열판 하면(102)에 더욱 밀착되게 배열된 복수의 커터들에 의해 수행될 수 있음을 나타낸 것이다.
도면을 참조하면, 돌출부 절삭은 제 1 커터(210)와, 이의 X축 방향 우측으로 상기 커터(210)보다 방열판 하면(102)에 더욱 밀접하게 배열된 제 2 커터(220)에 의해 이뤄진다. 다시 말해 제 1 커터(210)와 방열판 하면(102) 사이의 간격(h10)이 제 2 커터(220)와 방열판 하면(102) 사이의 간격(h20)보다 크도록 제 1 및 제 2 커터(210,220)가 배열되어 있다. 방열판(100)이 X축 방향 좌측에서 우측으로 이동하면 하면의 돌출부(120)는 제 1 커터(210)를 지나 일부 제거되어 그 높이가 상기 h10까지 낮아지고(121), 다시 제 2 커터(220)를 지나 그 높이가 h20까지 되어 거의 하면(102)과 높이가 같아진 상태(122)가 된다. 복수의 커터(210,220)로 절삭을 수행하게 되면 단수의 커터에 의한 경우보다 커터당 부하가 감소되므로 커터의 수명이 연장될 수 있으며, 정밀한 절삭이 가능하여 연마 단계(S150)의 작업이 보다 용이하다. 도면에서는 커터가 한 쌍 구비되나 그 이상의 커터가 구비될 수도 있으며, 또한 방열판(100)이 고정되고 커터가 이동하는 방식도 가능하다는 것을 쉽게 알 수 있을 것이다.
도 5는 본 발명의 하면 연마 단계(S150)에 대한 일 실시예를 개략적으로 도시한 단면도로서, 방열판(100)의 이동 방향을 따라 배열된 복수의 서로 다른 연마휠에 의해 수행될 수 있음을 나타낸 것이다.
도면을 참조하면, 하면(102) 연마는 X축 방향 좌측에서 우측으로 이동하는 방열판(100)을 따라 배열된 제 1 및 제 2 연마휠(310,320)에 의해 수행된다. 제 2 연마휠(320)에는 제 1 연마휠(310)의 외주면에 도포된 연마재보다 고운, 즉 입자가 미세한 연마재가 도포되어 방열판 하면(102)의 단계적인 연마가 가능하다. 여기에서 제 2 연마휠(320)은 제 1 연마휠(310)보다 낮게, 다시 말해 방열판 하면(102)과 제 1 연마휠(310)의 연마면 사이의 간격(h30)보다 방열판 하면(102)과 제 2 연마휠(320)의 연마면 사이의 간격(h40)이 작아지도록 단계적으로 배열하여 실질적으로 그 높이가 방열판 하면(102)과 같아지도록 하는 것이 바람직하다. 절삭 단계(S140)를 거쳐 제거되고 일부가 잔존된 상태(128)로 진입한 방열판은 제 1 연마휠(310)을 통과하며 1차로 연마되어 방열판 하면(102)과 실질적으로 거의 같은 높이 수준(129)이 되고, 다시 제 2 연마휠(320)을 통과하며 2차로 마무리 연마되어 방열판 하면(102)과 완전히 동일한 수준이 되어 평탄하게 된다. 복수의 연마도가 다른 연마휠(310,320)로 연마 작업을 수행하게 되면 단수의 연마휠에 의한 경우보다 연마휠에 부과되는 부하가 감소되어 연마휠의 수명이 연장될 수 있으며, 정밀한 연마 작업이 가능하여 가공이 완료된 방열판의 신뢰성이 향상될 수 있다. 도면에서는 연마휠이 한 쌍 구비되나 그 이상의 연마휠이 구비될 수도 있다는 것을 쉽게 알 수 있을 것이다.
도 6은 본 발명의 돌출부 절삭 단계(S140)에 대한 다른 일 실시예를 개략적으로 도시한 사시도로서, 하면 돌출부 제거를 위해 소위 '스카이빙(skiving) 가공법'이 적용될 수 있음을 나타낸 것이다.
도면을 참조하면, 일렬로 배열된 하면 돌출부(도 3b의 120)는 커터(230)가 X축 방향 우측에서 좌측으로 행하는 제 1 스트로크에 의해, 모두 차례로 제거될 수 있다. 일반적으로 커터(230)의 절삭날은 그 폭(w10)이 방열판의 폭(w20)보다 작으며, 상기 커터(230)의 절삭날의 끝(231)이 방열판 하면(102)의 높이 수준보다 아래에서 위치 고정되어 있으므로 상기 제 1 스트로크에 의해 X축 방향으로 연장된 절 삭홈(123)이 형성된다. 상기 커터(230)는 다시 방열판(100)의 우측으로 되돌아가 Z축 방향으로 미끌어진 후 X축 방향 우측에서 좌측으로 제 2 스트로크를 한다. 유사한 방법으로 제 3 스트로크 또는 필요하다면 그 이상의 스트로크가 수행될 수 있으며, 이를 통해 방열판 하면(102) 전체가 절삭되므로 절삭 과정 후의 방열판의 두께(t20)는 절삭 과정 전의 방열판의 두께(t10)보다 얇아진다. 이때 절삭날 끝(231)은 방열판 상면의 캐비티(110)가 관통되지 않을 정도로 높이 수준이 정해져야 할 것이다. 상기한 방법을 하면 돌출부 절삭 단계(S140)로서 채용할 경우 절삭에 의한 스크랩(125)이 도시된 바와 같이 길게 이어지고 또한 감겨서 배출되므로 이를 별도로 회수하여 배출하는 데 용이하다. 상기한 스카이빙 가공에 의해 하면 돌출부(도 3b의 120)가 제거되는 경우라도 하면 연마 단계(S150)가 수반되어야 함은 물론이다.
상기한 본 발명에 따른 방법으로 TBGA 반도체 패키지용 방열판에 캐비티를 형성함으로써, 캐비티 생성과 함께 부수할 수 있는 변형이 발생되지 않는 방열판이 제공될 수 있으며, 상기 방열판이 이용되는 TBGA 반도체 패키지의 생산성 및 신뢰도가 향상될 수 있다.
또한 본 발명의 일 실시예에 의하면 캐비티 생성시에 발생되는 스크랩의 회수 및 배출이 용이하여 캐비티 형성 가공 자체의 생산성 및 신뢰도도 향상될 수 있다.
본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능함을 이해할 수 있을 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 보호범위는 첨부된 청구범위에 의해서만 정해져야 할 것이다.

Claims (5)

  1. TBGA 반도체 패키지용 방열판을 준비하는 단계;
    형성될 캐비티의 크기만큼 후퇴부가 마련된 스탬핑 다이 위에 상기 방열판을 위치시키는 단계;
    상기 방열판의 상면을 펀치로 스탬핑하여 상면에 캐비티를 형성하는 단계;
    상기 캐비티 형성시 부수하여 상기 방열판의 하면에 형성되는 상기 캐비티 크기 만큼의 하면 돌출부를 절삭하는 단계; 및
    상기 돌출부가 절삭된 하면을 연마하는 단계;를 구비하고,
    상기 연마 단계 후 상기 캐비티와 대응하는 다이 돌출부가 형성된 상부 다이 및 편평한 하부 다이를 이용하여 방열판을 압착하는 단계를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 TBGA 반도체 패키지용 방열판에 캐비티를 형성하는 방법.
  2. 삭제
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 하면 돌출부는 절삭공구의 단부가 위치한 높이가 단계적으로 낮아지도록 배열된 복수의 절삭공구에 의해 단계적으로 절삭되는 것을 특징으로 하는 TBGA 반도체 패키지용 방열판에 캐비티를 형성하는 방법.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 하면은 상기 하면과 접촉되는 외주 연마면이 위치한 높이가 단계적으로 낮아지도록 일렬로 배열된 복수의 연마휠에 의해 단계적으로 연마되는 것을 특징으로 하는 TBGA 반도체 패키지용 방열판에 캐비티를 형성하는 방법.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 하면 돌출부 절삭 단계에서는, 하면 돌출부가 제거됨과 동시에 방열판의 두께가 감소될 수 있도록 방열판의 하면 전체에 걸쳐 절삭이 행해지는 것을 특징으로 하는 TBGA 반도체 패키지용 방열판에 캐비티를 형성하는 방법.
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