KR20030057551A - 플라즈마 처리 장치 및 배기 링 - Google Patents

플라즈마 처리 장치 및 배기 링 Download PDF

Info

Publication number
KR20030057551A
KR20030057551A KR10-2003-7006324A KR20037006324A KR20030057551A KR 20030057551 A KR20030057551 A KR 20030057551A KR 20037006324 A KR20037006324 A KR 20037006324A KR 20030057551 A KR20030057551 A KR 20030057551A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
exhaust ring
plasma processing
exhaust
plasma
hole
Prior art date
Application number
KR10-2003-7006324A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100890654B1 (ko
Inventor
오가사와라마사히로
가토가즈야
Original Assignee
동경 엘렉트론 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 동경 엘렉트론 주식회사 filed Critical 동경 엘렉트론 주식회사
Publication of KR20030057551A publication Critical patent/KR20030057551A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100890654B1 publication Critical patent/KR100890654B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32798—Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
    • H01J37/32816—Pressure
    • H01J37/32834—Exhausting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/3244—Gas supply means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67069—Apparatus for fluid treatment for etching for drying etching

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

내플라즈마성이 높게 이상 방전을 이상 방전을 억제하는 것이 가능한 배기 링을 구비한 플라즈마 처리 장치를 얻는다. 처리실(100)은 상부 전극(112)이 배치된 천정부(110)와, 상부 전극(112)에 대향 배치되어 피처리체를 탑재 가능한 하부 전극(122)이 배치된 용기부(120)를 구비한다. 하부 전극(122)의 주위에는, 처리실(100)내의 플라즈마 처리 공간(102)과 배기 공간(104)을 구획하도록 배기 링(126)이 배치되어 있고, 배기 링(126)에는 관통 구멍(126a)과 관통 구멍(126a)보다 소수이며, 또한 플라즈마 처리 공간(102)측으로 개구하는 정지 구멍(126b)이 형성되어 있다. 배기 링(126)의 플라즈마 처리 공간(102)측 표면에는 Y2O3으로 구성되는 절연피막 처리가 되어 있다.

Description

플라즈마 처리 장치 및 배기 링{PLASMA PROCESSING DEVICE AND EXHAUST RING}
종래에, 반도체 장치의 제조 프로세스에 있어서, 기밀한 처리실내에 상부 전극과 하부 전극을 대향 배치한 플라즈마 처리 장치가 널리 사용되고 있다. 이러한 플라즈마 처리 장치는 하부 전극상에 피처리체를 탑재한 후, 상부 전극에 고주파 전력을 인가하여, 처리실내에 도입된 처리 가스를 플라즈마화하고, 피처리체에 소정의 플라즈마 처리를 실시하는 바와 같이 구성되어 있다.
또한, 하부 전극의 측면과 처리 용기의 내벽면의 사이에는, 하부 전극의 주위를 둘러싸도록 배기 링이 장착되어 있고, 이 배기 링에 의해 처리 용기 내부는 피처리체가 배치되는 처리 공간과, 배기 기구와 연통하는 배기 경로로 분리되어 있다. 또한, 배기 링에는 복수의 관통 구멍이 형성되어 있고, 이 관통 구멍에 의해 처리 공간과 배기 경로가 연통하고 있다. 따라서, 처리시에는 처리 공간 내부의 가스가 관통 구멍을 거쳐 배기 경로로 안내되기 때문에, 처리 공간 내부와 배기 경로 내부 컨덕턴스가 소정의 상태로 유지되어, 안정적으로 처리 공간 내부를 배기할 수 있다. 플라즈마는 상기 처리 공간에 유폐되는 동시에, 접지 전위로 유지되는 처리 용기 내벽면 및 배기 링에 의해 접지 영역이 확보된다.
그러나, 배기 링은 접지 전위로 유지하기 때문에 알루미늄 합금 등의 금속으로 구성되고, 처리 용기내에서 발생한 플라즈마에 의한 손상을 받는다. 또한, 접지 영역 혹은 접지 면적이 불충분한 경우, 처리 용기내의 플라즈마의 경사 등에 의해 이상 방전을 발생시키는 경향이 있다. 이와 같이, 이상 방전이 생기면, 안정된 방전을 얻을 수 없을 뿐만 아니라, 피처리체에 손상이 발생하여 수율 저하의 원인이 된다. 게다가, 처리실의 내벽이나 배기 링을 손상시킨다는 문제도 있었다.
본 발명은, 이러한 문제를 감안하여 성립된 것으로, 그 목적하는 바는, 내플라즈마성이 높고 이상 방전을 억제하는 것이 가능한 배기 링을 구비한 플라즈마 처리 장치를 제공하는 것에 있다.
발명의 요약
상기 과제를 해결하기 위해서, 본 발명에 의하면, 처리실과 상기 처리실내에 있어서 피처리체를 탑재 가능한 제 1 전극과, 상기 처리실내에 있어서 상기 제 1 전극에 대향 배치된 제 2 전극과, 상기 처리실내에 처리 가스를 도입 가능한 처리 가스 공급계와, 상기 처리실내를 진공 배기 가능한 배기계와, 상기 제 1 및 제 2 전극 중 적어도 어느 한쪽에 고주파 전력을 인가하여 상기 처리 가스를 플라즈마화하고 상기 피처리체에 대하여 소정의 플라즈마 처리를 실시하는 고주파 전력 공급계를 구비한 신규 또한 개량된 플라즈마 처리 장치가 제공된다. 또한, 처리실내의 플라즈마 처리 공간과 배기 공간 사이에 설치되는 신규 또한 개량된 배기 링이 제공된다.
상기 과제를 해결하기 위해서, 본 발명의 제 1 관점에 따른 발명은 플라즈마 처리 장치로서, 상기 제 1 전극의 주위에는, 처리실내의 플라즈마 처리 공간과 배기 공간을 구획하도록 복수의 관통 구멍이 형성된 배기 링이 배치되어 있고, 상기 배기 링에는 관통 구멍과 요철부가 형성되어 있는 것을 특징으로 하고 있다.
또한, 본 발명의 제 2 관점에 따른 발명은, 플라즈마 처리 장치로서, 상기 제 1 전극의 주위에는, 처리실내의 플라즈마 처리 공간과 배기 공간을 구획하도록 복수의 관통 구멍이 형성된 배기 링이 배치되어 있고, 상기 배기 링의 상기 플라즈마 처리 공간측 표면에는 절연 피막이 처리되어 있는 것을 특징으로 하고 있다.
또한, 본 발명의 제 3 관점에 따른 발명은, 배기 링으로서 관통 구멍과 요철부가 형성되어 있는 것을 특징으로 하고 있다.
또한, 본 발명의 제 4 관점에 따른 발명은 배기 링으로서, 플라즈마 처리 공간측 표면에는 절연 피복이 실시되어 있는 것을 특징으로 하고 있다.
게다가, 본 발명의 특징을 상세히 설명하면, 상기 요철부는 정지 구멍을 포함할 수도 있다. 상기 관통 구멍의 수는 상기 정지 구멍의 수보다도 많아도 좋다. 상기 절연 피복은 Y2O3및 Al2O3중 적어도 어느 것이어도 무방하다. 상기 관통 구멍 및/또는 상기 정지 구멍의 상기 처리실측 개구부는 입구가 넓게 테이퍼가 형성되어 있을 수도 있다.
본 발명의 구성에 의하면, 배기 링에 관통 구멍뿐만 아니라, 요철부를 형성했기 때문에, 플라즈마의 리크(leak)를 억제하며, 또한 접촉 면적을 확보할 수 있다. 또한, 절연 피복을 실시함으로써, 플라즈마의 리크를 더욱 효과적으로 억제할 수 있다. Y2O3및 Al2O3는 내플라즈마 부식성이 높기 때문에, 이들을 절연 피복으로 한 경우에는, 처리 용기내의 손상이 발생하기 어렵고, 금속 오염이나 발진이 감소하여, 수율을 향상시킬 수 있는 동시에, 처리 장치에 대한 유지 보수의 빈도를 감소시킬 수 있다. 상기 구멍의 처리실측 개구부를 입구가 넓게 테이퍼 형성한 경우에는, 접촉 면적을 더 확보할 수 있는 동시에, 처리실측 개구부에 처리시에 발생한 부착물이 부착되어도, 구멍의 내경이 협소화되기까지의 시간을 연장할 수 있고, 유지 보수 사이클을 연장시킬 수 있다.
본 발명은 플라즈마 처리 장치에 관한 것이다.
도 1은 본 발명을 적용 가능한 에칭 장치를 나타내는 개략적인 단면도,
도 2a는 본 발명의 실시 형태에 따른 배기 링의 처리 공간측에서 본 평면도,
도 2b는 도 2a의 A-A선에 있어서의 단면도,
도 3은 본 발명의 실시 형태에 따른 배기 링의 변형예의 단면도,
도 4는 본 발명의 다른 실시 형태에 따른 배기 링의 단면도,
도 5는 본 발명의 다른 실시 형태에 따른 배기 링의 단면도.
이하, 첨부 도면을 참조하면서, 본 발명에 따른 처리 장치의 적절한 실시 형태에 대하여 상세히 설명한다.
(1)에칭 장치의 전체 구성
먼저, 에칭 장치의 구성에 대하여 개략적으로 설명한다. 도 1에 도시하는 바와 같이, 처리실(100)은 천정부(110)와 상부가 개구한 대략 원통형의 도전성의 용기부(120)를 구비하고 있다. 천정부(110)는 로킹 기구(130)에 의해 용기부(120)와 착탈 가능하게 고정되어 있고, 개폐 가능하다. 용기부(120)내에는 피처리체, 예컨대 반도체 웨이퍼(이하, 「웨이퍼」라 칭함)(W)를 탑재하는 도전성의 하부 전극(122)이 배치되어 있다. 천정부(110)에는 하부 전극(122)과 대향하도록 상부 전극(112)이 배치되어 있다.
상부 전극(112)에는 플라즈마 처리 공간(102)에 처리 가스를 배출하기 위한 복수의 가스 배출 구멍(112a)이 형성되어 있다. 배출 구멍(112a)은 가스 공급 경로(114)를 통해 가스 공급원(140)에 접속되어 있다. 따라서, 처리 가스는 가스 공급원(140)으로부터 배출 구멍(112a)을 거쳐 플라즈마 처리 공간(102)에 공급된다.
또한, 하부 전극(122)의 하측 주위에는 배기 링(126)이 설치되어 있다. 배기 링(126)은 플라즈마 처리 공간(102)과 배기 공간(104)을 분리하고 있다. 배기 링(126)에는 뒤에 상세히 설명하는 바와 같이, 복수의 관통 구멍(126a)과 정지 구멍(비관통 구멍)(126b)이 형성되어 있다. 관통 구멍(126a)에 의해, 배기 링(126)상측의 플라즈마 처리 공간(102)과, 배기 링(126) 하측의 배기 공간(104)은 연통하고 있다. 따라서, 플라즈마 처리 공간(102)의 가스는 배기 링(126)의 관통 구멍(126a)을 통해, 개폐 밸브(150), 배기량 조정 밸브(152)를 거쳐 터보 분자 펌프(154)에 의해 적절히 배기된다.
하부 전극(122)에는 고주파 전원(160)으로부터 출력된 고주파 전력이 정합기(162)를 거쳐 인가된다. 상부 전극(112)에는 고주파 전원(164)으로부터 출력된 고주파 전력이 정합기(166)를 거쳐 인가된다. 이러한 전력의 인가에 의해, 처리실(100)내에 도입된 처리 가스가 플라즈마화 되고, 그 플라즈마에 의해 웨이퍼(W)에 소정의 에칭 처리가 실시된다.
플라즈마 처리 공간(102)의 용기부(120) 내벽에는, 표면에 Y2O3　등의 코팅이 실시된 용착 실드(deposition shield)(124)가 설치되어 있다. 내플라즈마성이 높은 Y2O3코팅을 채용함으로써, 플라즈마의 활성종이 처리실의 내벽면을 에칭하여, 파티클이 발생하는 것을 방지한다.
천정부(110)와 용기부(120)의 사이에는 도전성 O링(132)이 삽입되어 있다. 상부 전극(112)으로부터 용기부(120)를 거쳐 접지 경로가 구성되어 있고, 도전성 O링(132)은 그 접지 경로의 일부로 되어 있다. 용기부(120)내를 진공 배기하면, 도전성 0링(132)은 압축되고, 천정부(110)와 용기부(120)가 한층 더 밀착하여, 확실히 접지할 수 있다.
(2)배기 링의 구성
다음에, 도 2를 참조하면서, 본 실시 형태에 따른 배기 링(126)에 대하여 상세히 설명한다. 도 2a는 배기 링(126)을 처리 공간측에서 본 평면도이다. 도 2b는 배기 링(126)의 A-A선에 있어서의 단면도이다.
배기 링(126)에는 방사상으로 복수의 관통 구멍(126a)이 형성되어 있다. 총수의 1/3에 대응하는 수의 관통 구멍(126a)은, 배기 공간(104)측에 실링 부재를 부착함으로써 밀봉되어 있다. 밀봉된 구멍은 플라즈마 처리 공간(102)측으로 개구하는 정지 구멍(126b)을 형성하고 있다. 실링 부재의 일례로서, 여기서는 캡톤 테이프(126c)를 사용하고 있다. 종래의 배기 링에 대하여, 관통 구멍(126a)의 수를 삭감하여, 관통하고 있지 않는 정지 구멍(126b)을 형성함으로써, 접촉 면적을 증대시킬 수 있다.
또한, 배기 링(126)의 처리 공간측의 표면에는 절연 피복으로서 Y2O3코팅(126d)이 실시되어 있다. Y2O3코팅(126d)의 두께는, 여기서는 50 내지 100㎛이다. Y2O3는 내플라즈마 부식성이 높기 때문에, 처리 용기내의 손상이 발생하기 어려워, 금속 오염이나 발진이 감소한다. 따라서, 수율을 향상시킬 수 있는 동시에, 장치에 대한 유지 보수의 빈도를 감소시킬 수 있다. 또한, 절연 피복의 코팅재로는 Al2O3　등이 있다.
정지 구멍(126b)의 제작 방법은 상기에 한정되는 것이 아니고, 예컨대 모든 구멍이 관통 구멍(126a)이도록 제작된 배기 링(126)에, 관통 구멍(126a) 부분만큼관통 구멍을 열고, 정지 구멍(126b) 부분에는 구멍이 열려 있지 않은 별도의 부재의 판을 붙여 제작할 수도 있다. 또는, 도 3에 도시하는 바와 같이, 처음부터 관통 구멍(126a)과 정지 구멍(126b)을 설치한 배기 링을 일체 성형 혹은 절삭 가공으로 제작하여 사용할 수도 있다. 또한, 접지를 위한 표면적을 확보하기 위해, 정지 구멍의 내면적은 가능한 크게 하는 것이 바람직하다.
도 4는 다른 실시 형태에 따른 배기 링의 단면도이다. 본 실시 형태에서는, 관통 구멍(126a)과 정지 구멍(126b)의 처리실측 개구부가 입구가 넓게 되도록 테이퍼부(126e)가 형성되어 있는 것을 특징으로 한다. 그 밖의 구성은 상술한 실시 형태와 동일하다. 이와 같이 테이퍼 형상으로 함으로써, 처리실측 개구부에 처리시에 발생한 부착물이 개구부에 부착되어도, 그 부착물이 테이퍼면상으로부터 순차적으로 퇴적해 나가기 때문에, 구멍의 내경이 협소화되기까지의 시간을 연장시킬 수 있다. 따라서, 배기 링(126)의 유지 보수 사이클의 연장에 의해, 생산량을 향상시킬 수 있다.
도 5는 또 다른 실시 형태에 따른 배기 링의 단면도이다. 도 5a에 도시하는 형태에는, 관통 구멍(126a)과 요철부(126f)가 형성되어 있다. 이 요철부(126f)는, 본 실시예 중에는 관통 구멍(126a)의 1/2 정도의 직경을 갖고, 1/5 정도의 깊이를 갖는 비관통 구멍(126e)을 플라즈마 처리 공간측에 다수 형성함으로써 형성된다. 도 2 및 도 3에 도시하는 비관통 구멍(126b)과 비교하면, 그 직경의 크기, 깊이가 작지만, 구멍의 수를 많게 함으로써, 소망하는 접지 면적을 확보하도록 하고 있다.배기 링(126)의 처리 공간측 표면에는, 상술한 실시 형태와 같은 Y2O3코팅(126d)이 실시되어 있다. 이와 같이 처리 공간측 표면에 요철 형상을 갖음으로써, 접지 면적을 증대할 수 있고, 또한 비관통 구멍(126e)의 깊이가 얕기 때문에, 가공이 보다 용이해진다.
도 5b, 도 5c에 도시하는 형태에는, 도 5a의 요철부(126f) 대신에 계단 형상의 요철 형상을 갖는 요철부(126g)가 형성되어 있다. 그 밖의 구성은 도 5a의 것과 동일하다. 도 5b, 도 5c에 도시하는 형태에 있어서도, 도 5a에 도시하는 형태와 동일한 효과를 얻을 수 있다. 또한, 도 5a, 도 5b, 도 5c의 각 형태에 있어서, 관통 구멍(126a)의 처리실측 개구부가 입구가 넓게 되도록 테이퍼부(126e)를 형성할 수도 있고, 또한 계단 형상을 갖는 요철부(126g)가 매끄러운 곡선으로 되도록 할 수도 있다.
이상, 첨부 도면을 참조하면서 본 발명에 따른 적절한 실시 형태에 대하여 설명했지만, 본 발명은 이러한 예에 한정되지 않는다고까지 말할 필요도 없다. 당업자라면, 특허 청구의 범위에 기재된 기술적 사상의 범위내에 있어서, 각종 변경예 또는 수정예를 안출할 수 있는 것은 명백하고, 그것들에 대해서도 당연히 본 발명의 기술적 범위에 속하는 것으로 사료된다.
관통 구멍이나 정지 구멍의 형상, 배치, 테이퍼 형상, 및 요철부의 형상 등은, 상기 실시 형태에 한정되는 것이 아니며, 여러 가지의 것을 고려할 수 있다. 그것들에 대해서도, 본 발명은 적용 가능하다. 예컨대, 상기 실시 형태에서는 평면도에서의 관통 구멍, 정지 구멍의 형상을 원형의 둥근 구멍으로 했지만, 이에 한정되는 것이 아니라, 긴 구멍, 짧은 형태(슬릿 형상)로 할 수도 있다. 또한. 상기 실시 형태에서는, 정지 구멍의 수를 관통 구멍 총수의 1/3로 한 것을 예로 들어 설명했지만, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 발명은 상기 평행 평판형 장치에 한정되지 않고, 마그네트론 방식의 플라즈마 에칭 장치, 플라즈마 CVD 장치 등 각종 처리 장치에 적용하는 것이 가능하다.
이상, 상세히 설명한 바와 같이 본 발명에 의하면, 배기 링에 관통 구멍과 요철부를 설치함으로써, 플라즈마의 리크를 억제하고, 또한 접지 면적이 증대할 수 있기 때문에 이상 방전을 억제할 수 있다. 따라서, 피처리체로의 손상을 저감하고, 종래에 비해 수율을 향상시킬 수 있는 동시에, 처리실의 내벽이나 배기 링의 손상도 경감시킬 수 있다. 또한, 배기 링에 Y2O3등의 절연 피막 처리를 함으로써, 처리 용기내의 손상이 발생하기 어려워, 금속 오염이나 발진이 감소하여, 수율을 향상시킬 수 있는 동시에, 유지 보수의 빈도를 감소시킬 수 있다. 또한, 관통 구멍이나 정지 구멍을 처리실측에 광구의 테이퍼 형상으로 함으로써, 처리실측 개구부에 처리시에 발생한 부착물이 부착되어도, 그 부착물이 테이퍼면상으로부터 순차적으로 퇴적해 나가기 때문에, 구멍의 내경이 협소화되기까지의 시간을 연장할 수 있고, 연속 처리 시간 및 배기 링의 유지 보수 사이클을 연장할 수 있으며, 생산량을 향상시킬 수 있다.
본 발명은 반도체 장치의 제조 공정에 사용되는 플라즈마 처리 장치 및 상기 플라즈마 처리 장치에 설치되는 배기 링에 이용 가능하다.

Claims (18)

  1. 처리실과,
    상기 처리실내에 있어서 피처리체를 탑재 가능한 제 1 전극과,
    상기 처리실내에 있어서 상기 제 1 전극에 대향 배치된 제 2 전극과,
    상기 처리실내에 처리 가스를 도입 가능한 처리 가스 공급계와,
    상기 처리실내를 진공 배기 가능한 배기계와,
    상기 제 1 및 제 2 전극 중 적어도 어느 한쪽에 고주파 전력을 인가하고 상기 처리 가스를 플라즈마화하여 상기 피처리체에 대하여 소정의 플라즈마 처리를 실시하는 고주파 전력 공급계를 구비한 플라즈마 처리 장치에 있어서,
    상기 제 1 전극의 주위에는, 처리실내의 플라즈마 처리 공간과 배기 공간을 구획하도록 배기 링이 배치되어 있고, 상기 배기 링에는 관통 구멍과 요철부가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는
    플라즈마 처리 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 요철부는 정지 구멍을 포함하는 것을 특징으로 하는
    플라즈마 처리 장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 관통 구멍의 수는 상기 정지 구멍의 수보다도 많은 것을 특징으로 하는
    플라즈마 처리 장치.
  4. 제 2 항에 있어서,
    상기 관통 구멍 및/또는 상기 정지 구멍의 상기 처리실측 개구부는 입구가 넓게 테이퍼가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는
    플라즈마 처리 장치.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 배기 링의 상기 플라즈마 처리 공간측 표면에는 절연 피막 처리가 되어 있는 것을 특징으로 하는
    플라즈마 처리 장치.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 절연 피막은 Y2O3및 Al2O3중 적어도 어느 한쪽인 것을 특징으로 하는
    플라즈마 처리 장치.
  7. 처리실과,
    상기 처리실내에 있어서 피처리체를 탑재 가능한 제 1 전극과,
    상기 처리실내에 있어서 상기 제 1 전극에 대향 배치된 제 2 전극과,
    상기 처리실내에 처리 가스를 도입 가능한 처리 가스 공급계와,
    상기 처리실내를 진공 배기 가능한 배기계와,
    상기 제 1 및 제 2 전극 중 적어도 어느 한쪽에 고주파 전력을 인가하고 상기 처리 가스를 플라즈마화하여 상기 피처리체에 대하여 소정의 플라즈마 처리를 실시하는 고주파 전력 공급계를 구비한 플라즈마 처리 장치에 있어서,
    상기 제 1 전극의 주위에는 처리실내의 플라즈마 처리 공간과 배기 공간을 구획하도록 복수의 관통 구멍이 형성된 배기 링이 배치되어 있고, 상기 배기링의 상기 플라즈마 처리 공간측 표면에는 절연 피복이 실시되어 있는 것을 특징으로 하는
    플라즈마 처리 장치.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 절연 피복은 Y2O3및 Al2O3중 적어도 어느 한쪽인 것을 특징으로 하는
    플라즈마 처리 장치.
  9. 제 7 항에 있어서,
    상기 관통 구멍의 상기 처리실측 개구부는 입구가 넓게 테이퍼가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는
    플라즈마 처리 장치.
  10. 처리실내의 플라즈마 처리 공간과 배기 공간의 사이에 설치된 배기 링에 있어서,
    관통 구멍과 요철부가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는
    배기 링.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 요철부는 정지 구멍을 포함하는 것을 특징으로 하는
    배기 링.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 관통 구멍의 수는 상기 정지 구멍의 수보다도 많은 것을 특징으로 하는
    배기 링.
  13. 제 11 항에 있어서,
    상기 관통 구멍 및/또는 상기 정지 구멍의 상기 처리실측 개구부는 입구가 넓게 테이퍼가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는
    배기 링.
  14. 제 10 항에 있어서,
    상기 배기 링의 상기 플라즈마 처리 공간측 표면에는 절연 피복이 실시되어 있는 것을 특징으로 하는
    배기 링.
  15. 제 14 항에 있어서,
    상기 절연 피복은 Y2O3및 Al2O3중 적어도 어느 한쪽인 것을 특징으로 하는
    배기 링.
  16. 처리실내의 플라즈마 처리 공간과 배기 공간의 사이에 설치된 배기 링에 있어서,
    복수의 관통 구멍이 형성되어 있고, 상기 배기 링의 상기 플라즈마 처리 공간측 표면에는 절연 피복이 실시되어 있는 것을 특징으로 하는
    배기 링.
  17. 제 16 항에 있어서,
    상기 절연 피복은 Y2O3및 Al2O3중 적어도 어느 한쪽인 것을 특징으로 하는
    배기 링.
  18. 제 16 항에 있어서,
    상기 관통 구멍의 상기 처리실측 개구부는 입구가 넓게 테이퍼가 형성되어있는 것을 특징으로 하는
    배기 링.
KR1020037006324A 2000-11-10 2001-11-02 플라즈마 처리 장치 및 배기링 KR100890654B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000343178A JP4602532B2 (ja) 2000-11-10 2000-11-10 プラズマ処理装置
JPJP-P-2000-00343178 2000-11-10
PCT/JP2001/009634 WO2002039493A1 (fr) 2000-11-10 2001-11-02 Dispositif de traitement au plasma et anneau d'echappement

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20030057551A true KR20030057551A (ko) 2003-07-04
KR100890654B1 KR100890654B1 (ko) 2009-03-26

Family

ID=18817585

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020037006324A KR100890654B1 (ko) 2000-11-10 2001-11-02 플라즈마 처리 장치 및 배기링

Country Status (7)

Country Link
US (2) US6878234B2 (ko)
JP (1) JP4602532B2 (ko)
KR (1) KR100890654B1 (ko)
CN (1) CN1217388C (ko)
AU (1) AU2002212705A1 (ko)
TW (1) TW508697B (ko)
WO (1) WO2002039493A1 (ko)

Families Citing this family (71)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4602532B2 (ja) * 2000-11-10 2010-12-22 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
JP4791637B2 (ja) * 2001-01-22 2011-10-12 キヤノンアネルバ株式会社 Ｃｖｄ装置とこれを用いた処理方法
US20040129218A1 (en) * 2001-12-07 2004-07-08 Toshiki Takahashi Exhaust ring mechanism and plasma processing apparatus using the same
JP4141234B2 (ja) * 2002-11-13 2008-08-27 キヤノンアネルバ株式会社 プラズマ処理装置
US6907841B2 (en) * 2002-12-27 2005-06-21 Korea Institute Of Science And Technology Apparatus and method for synthesizing spherical diamond powder by using chemical vapor deposition method
US6844260B2 (en) * 2003-01-30 2005-01-18 Micron Technology, Inc. Insitu post atomic layer deposition destruction of active species
US7972467B2 (en) * 2003-04-17 2011-07-05 Applied Materials Inc. Apparatus and method to confine plasma and reduce flow resistance in a plasma reactor
US7001491B2 (en) * 2003-06-26 2006-02-21 Tokyo Electron Limited Vacuum-processing chamber-shield and multi-chamber pumping method
JP2007073539A (ja) * 2003-12-18 2007-03-22 Tokyo Electron Ltd 成膜方法およびプラズマ発生方法、基板処理装置
JP4354987B2 (ja) * 2004-02-27 2009-10-28 株式会社日立国際電気 基板処理装置
US20050220568A1 (en) * 2004-03-31 2005-10-06 Tokyo Electron Limited Method and system for fastening components used in plasma processing
US7988816B2 (en) * 2004-06-21 2011-08-02 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus and method
US7951262B2 (en) * 2004-06-21 2011-05-31 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus and method
US7740737B2 (en) 2004-06-21 2010-06-22 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus and method
CN1984523B (zh) * 2004-06-21 2014-06-11 东京毅力科创株式会社 等离子体处理装置和方法
EP2479782B1 (en) * 2004-06-21 2018-12-19 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus and method
US7845309B2 (en) * 2004-07-13 2010-12-07 Nordson Corporation Ultra high speed uniform plasma processing system
US8608851B2 (en) * 2005-10-14 2013-12-17 Advanced Micro-Fabrication Equipment, Inc. Asia Plasma confinement apparatus, and method for confining a plasma
CN100416757C (zh) * 2005-12-07 2008-09-03 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 等离子体刻蚀装置排气环
US7699957B2 (en) * 2006-03-03 2010-04-20 Advanced Display Process Engineering Co., Ltd. Plasma processing apparatus
JP4885586B2 (ja) * 2006-03-23 2012-02-29 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
US8104428B2 (en) 2006-03-23 2012-01-31 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus
US8141514B2 (en) 2006-03-23 2012-03-27 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus, plasma processing method, and storage medium
JP4885585B2 (ja) * 2006-03-23 2012-02-29 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置、プラズマ処理方法及び記憶媒体
KR100994469B1 (ko) * 2006-04-04 2010-11-16 엘아이지에이디피 주식회사 플라즈마 처리장치의 배플 구조
US7884026B2 (en) * 2006-07-20 2011-02-08 United Microelectronics Corp. Method of fabricating dual damascene structure
US8043430B2 (en) 2006-12-20 2011-10-25 Lam Research Corporation Methods and apparatuses for controlling gas flow conductance in a capacitively-coupled plasma processing chamber
CN101541140B (zh) * 2008-03-17 2012-08-22 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 等离子体处理装置及其屏蔽环
US7987814B2 (en) * 2008-04-07 2011-08-02 Applied Materials, Inc. Lower liner with integrated flow equalizer and improved conductance
KR100992392B1 (ko) * 2008-05-09 2010-11-05 주식회사 디엠에스 플라즈마 반응장치
JP5643528B2 (ja) * 2009-03-30 2014-12-17 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
JP5323628B2 (ja) * 2009-09-17 2013-10-23 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
EP2498278A4 (en) * 2009-11-02 2016-02-17 Toray Industries PLASMA CHEMICAL VAPOR DEPOSITION DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURING SILICON THIN FILM
JP5567392B2 (ja) * 2010-05-25 2014-08-06 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
JP5782293B2 (ja) * 2011-05-10 2015-09-24 東京エレクトロン株式会社 プラズマ生成用電極およびプラズマ処理装置
US20130153149A1 (en) * 2011-12-20 2013-06-20 Intermolecular, Inc. Substrate Processing Tool with Tunable Fluid Flow
CN103377979B (zh) * 2012-04-30 2016-06-08 细美事有限公司 调节板和具有该调节板的用于处理基板的装置
CN103578906B (zh) * 2012-07-31 2016-04-27 细美事有限公司 用于处理基板的装置
US9132436B2 (en) 2012-09-21 2015-09-15 Applied Materials, Inc. Chemical control features in wafer process equipment
CN103794459B (zh) * 2012-10-29 2016-04-06 中微半导体设备(上海)有限公司 用于等离子处理腔室的气体喷淋头及其涂层形成方法
US10256079B2 (en) 2013-02-08 2019-04-09 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing systems having multiple plasma configurations
CN104112639B (zh) * 2013-04-22 2016-09-28 中微半导体设备(上海)有限公司 一种实现反应气体快速切换的等离子体反应室及其方法
KR101445226B1 (ko) * 2013-04-23 2014-09-29 피에스케이 주식회사 배기 링 어셈블리 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
JP6220183B2 (ja) * 2013-08-07 2017-10-25 株式会社ディスコ プラズマエッチング装置
JP6151605B2 (ja) * 2013-08-14 2017-06-21 株式会社ディスコ プラズマエッチング装置
US11637002B2 (en) 2014-11-26 2023-04-25 Applied Materials, Inc. Methods and systems to enhance process uniformity
US20160225652A1 (en) 2015-02-03 2016-08-04 Applied Materials, Inc. Low temperature chuck for plasma processing systems
JP6656809B2 (ja) * 2015-02-20 2020-03-04 宏興 王 マイクロ波プラズマｃｖｄ装置
JP2017025389A (ja) * 2015-07-24 2017-02-02 株式会社ユーテック プラズマｃｖｄ装置及び成膜方法
US9741593B2 (en) 2015-08-06 2017-08-22 Applied Materials, Inc. Thermal management systems and methods for wafer processing systems
US10504700B2 (en) 2015-08-27 2019-12-10 Applied Materials, Inc. Plasma etching systems and methods with secondary plasma injection
US10504754B2 (en) 2016-05-19 2019-12-10 Applied Materials, Inc. Systems and methods for improved semiconductor etching and component protection
US9865484B1 (en) 2016-06-29 2018-01-09 Applied Materials, Inc. Selective etch using material modification and RF pulsing
US10546729B2 (en) 2016-10-04 2020-01-28 Applied Materials, Inc. Dual-channel showerhead with improved profile
JP1584784S (ko) * 2017-01-31 2017-08-28
US11276590B2 (en) 2017-05-17 2022-03-15 Applied Materials, Inc. Multi-zone semiconductor substrate supports
US11276559B2 (en) 2017-05-17 2022-03-15 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing chamber for multiple precursor flow
US10297458B2 (en) 2017-08-07 2019-05-21 Applied Materials, Inc. Process window widening using coated parts in plasma etch processes
KR102414617B1 (ko) * 2017-08-17 2022-07-01 삼성전자주식회사 기판 처리 장치 및 이의 세정 방법
US20190119815A1 (en) * 2017-10-24 2019-04-25 Applied Materials, Inc. Systems and processes for plasma filtering
US11328909B2 (en) 2017-12-22 2022-05-10 Applied Materials, Inc. Chamber conditioning and removal processes
CN108303216B (zh) * 2018-01-02 2020-03-06 京东方科技集团股份有限公司 一种气体检测装置
US10964512B2 (en) 2018-02-15 2021-03-30 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing chamber multistage mixing apparatus and methods
US10319600B1 (en) 2018-03-12 2019-06-11 Applied Materials, Inc. Thermal silicon etch
US11049755B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Applied Materials, Inc. Semiconductor substrate supports with embedded RF shield
US11062887B2 (en) 2018-09-17 2021-07-13 Applied Materials, Inc. High temperature RF heater pedestals
US11417534B2 (en) 2018-09-21 2022-08-16 Applied Materials, Inc. Selective material removal
US11682560B2 (en) 2018-10-11 2023-06-20 Applied Materials, Inc. Systems and methods for hafnium-containing film removal
US11121002B2 (en) 2018-10-24 2021-09-14 Applied Materials, Inc. Systems and methods for etching metals and metal derivatives
US11437242B2 (en) 2018-11-27 2022-09-06 Applied Materials, Inc. Selective removal of silicon-containing materials
CN114300336B (zh) * 2021-12-28 2024-02-23 拓荆科技股份有限公司 一种等离子体反应器

Family Cites Families (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR970003885B1 (ko) * 1987-12-25 1997-03-22 도오교오 에레구토론 가부시끼 가이샤 에칭 방법 및 그 장치
US5891253A (en) * 1993-05-14 1999-04-06 Applied Materials, Inc. Corrosion resistant apparatus
US5522932A (en) * 1993-05-14 1996-06-04 Applied Materials, Inc. Corrosion-resistant apparatus
US5449410A (en) 1993-07-28 1995-09-12 Applied Materials, Inc. Plasma processing apparatus
TW323387B (ko) * 1995-06-07 1997-12-21 Tokyo Electron Co Ltd
JPH1027784A (ja) * 1996-05-08 1998-01-27 Tokyo Electron Ltd 減圧処理装置
US6071372A (en) * 1997-06-05 2000-06-06 Applied Materials, Inc. RF plasma etch reactor with internal inductive coil antenna and electrically conductive chamber walls
US6106630A (en) * 1997-08-07 2000-08-22 Applied Materials, Inc. Ceramic-coated heating assembly for high temperature processing chamber
US6051100A (en) * 1997-10-24 2000-04-18 International Business Machines Corporation High conductance plasma containment structure
JP3350433B2 (ja) * 1998-02-16 2002-11-25 シャープ株式会社 プラズマ処理装置
JPH11243079A (ja) * 1998-02-24 1999-09-07 Toshiba Corp プラズマ処理装置
JP4217299B2 (ja) * 1998-03-06 2009-01-28 東京エレクトロン株式会社 処理装置
KR100265288B1 (ko) * 1998-04-22 2000-10-02 윤종용 반도체소자 제조용 식각장치의 배플
US6461970B1 (en) * 1998-06-10 2002-10-08 Micron Technology, Inc. Method of reducing defects in anti-reflective coatings and semiconductor structures fabricated thereby
US6123791A (en) * 1998-07-29 2000-09-26 Applied Materials, Inc. Ceramic composition for an apparatus and method for processing a substrate
US6178919B1 (en) * 1998-12-28 2001-01-30 Lam Research Corporation Perforated plasma confinement ring in plasma reactors
US6444083B1 (en) * 1999-06-30 2002-09-03 Lam Research Corporation Corrosion resistant component of semiconductor processing equipment and method of manufacturing thereof
JP4602532B2 (ja) * 2000-11-10 2010-12-22 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
US7128804B2 (en) * 2000-12-29 2006-10-31 Lam Research Corporation Corrosion resistant component of semiconductor processing equipment and method of manufacture thereof
US6790242B2 (en) * 2000-12-29 2004-09-14 Lam Research Corporation Fullerene coated component of semiconductor processing equipment and method of manufacturing thereof
US6620520B2 (en) * 2000-12-29 2003-09-16 Lam Research Corporation Zirconia toughened ceramic components and coatings in semiconductor processing equipment and method of manufacture thereof
KR100431660B1 (ko) * 2001-07-24 2004-05-17 삼성전자주식회사 반도체 장치의 제조를 위한 건식 식각 장치
US20040129218A1 (en) * 2001-12-07 2004-07-08 Toshiki Takahashi Exhaust ring mechanism and plasma processing apparatus using the same
US6837966B2 (en) * 2002-09-30 2005-01-04 Tokyo Electron Limeted Method and apparatus for an improved baffle plate in a plasma processing system
US7166166B2 (en) * 2002-09-30 2007-01-23 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for an improved baffle plate in a plasma processing system
US7147749B2 (en) * 2002-09-30 2006-12-12 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for an improved upper electrode plate with deposition shield in a plasma processing system

Also Published As

Publication number Publication date
CN1217388C (zh) 2005-08-31
WO2002039493A1 (fr) 2002-05-16
US7255773B2 (en) 2007-08-14
US6878234B2 (en) 2005-04-12
TW508697B (en) 2002-11-01
JP4602532B2 (ja) 2010-12-22
US20040025788A1 (en) 2004-02-12
CN1461494A (zh) 2003-12-10
AU2002212705A1 (en) 2002-05-21
US20050126488A1 (en) 2005-06-16
JP2002151471A (ja) 2002-05-24
KR100890654B1 (ko) 2009-03-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100890654B1 (ko) 플라즈마 처리 장치 및 배기링
KR100624273B1 (ko) 플라즈마 처리 장치
JP5154124B2 (ja) プラズマ処理装置
WO2018039315A1 (en) Plasma screen for plasma processing chamber
US5362372A (en) Self cleaning collimator
CN111354672B (zh) 静电卡盘及等离子体加工装置
KR20130056900A (ko) 플라스마 처리장치
KR100269552B1 (ko) 플라즈마 처리 장치
JP4286576B2 (ja) プラズマ処理装置
US6413384B1 (en) Method for maintaining the cleanness of a vacuum chamber of a physical vapor deposition system
KR101747490B1 (ko) 진공 장치 및 밸브 제어 방법
KR102229990B1 (ko) 플라즈마 처리 장치용 부재 및 플라즈마 처리 장치
EP1401013B1 (en) Plasma processing device
JP7514862B2 (ja) プラズマアークを低減したプロセスチャンバ
TWI801632B (zh) 用於電漿處理腔室的處理套件、用於ｒｆｐｖｄ腔室的處理套件、及ｐｖｄ腔室
US10153135B2 (en) Plasma etching apparatus
KR101213391B1 (ko) 기판처리장치
WO2023228232A1 (ja) 内壁部材の再生方法
JPH03211726A (ja) プラズマ処理装置
JPS63247361A (ja) スパツタリング装置
KR20230045541A (ko) 성막 장치
JPH01261829A (ja) 有機金属気相エピタキシー用基板の前処理方法
WO2018142179A1 (en) Apparatus for applying a deposition onto a substrate by a deposition process and method for carrying out a deposition process by use of such an apparatus
JPH0851082A (ja) 半導体製造装置のサセプタ
JPH06168912A (ja) プラズマ処理装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130227

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140220

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150224

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160219

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170221

Year of fee payment: 9

LAPS Lapse due to unpaid annual fee