JP7514862B2 - プラズマアークを低減したプロセスチャンバ - Google Patents
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Description
[0001] 本明細書で説明される実施形態は、半導体製造装置及び方法に関する。具体的には、本明細書で説明される実施形態は、半導体基板用のプラズマプロセスチャンバに関する。
[0002] 多くの処理システムは、処理システムのチャンバ本体上に配置された、1以上の絶縁リングと1以上の電極とのスタックを含む、リッドアセンブリを使用する。処理中、堆積材料は、絶縁リング上、電極上、及び/又は電極と絶縁リングとの間の間隙内に蓄積することがある。堆積材料の厚さが増加すると、局所化された高電場が増加し、その結果、チャンバ本体内でアーク放電が生じる。例えば、処理システム内で処理を受けている基板の表面に蓄積された電荷が、電極と絶縁リングとの間の間隙に隣接して堆積された材料にアーク放電し得る。したがって、アーク放電がプロセスチャンバ内で生じる。アーク放電は、基板処理に悪影響を及ぼすことがあり、その結果、プロセスチャンバがオフラインになる。したがって、処理システムのダウンタイムが増加し、生産速度が低下する。
[0003] したがって、アーク放電を低減させる改良された処理システムが必要とされている。
[0004] 一実施例では、プロセスチャンバが、チャンバ本体、チャンバ本体内に配置された基板支持体、及び、チャンバ本体の上に配置され且つ処理空間を画定するリッドアセンブリを備える。リッドアセンブリは、面板、電極、及び絶縁部材を備える。絶縁部材は、電極とプロセスチャンバの処理空間との間に配置される。更に、電極は、面板とチャンバ本体との間に配置される。
[0005] 一実施形態では、処理システム用のリッドアセンブリが、面板、電極、絶縁リング、及び絶縁部材を備える。絶縁部材は、電極及び絶縁リングと処理システムの処理空間との間に配置される。電極は、面板と処理システムのチャンバ本体との間に配置される。
[0006] 一実施形態では、プロセスチャンバが、チャンバ本体、基板支持体、及びリッドアセンブリを備える。基板支持体は、チャンバ本体内に位置付けられ、第1の電極を備える。リッドアセンブリは、チャンバ本体の上に位置付けられ、チャンバ本体内の処理空間を画定する。リッドアセンブリは、面板、面板とチャンバ本体との間に配置された第2の電極、及び絶縁部材を備える。絶縁部材は、第2の電極と処理空間との間に配置される。
[0007] 本開示の上記の特徴を詳細に理解することができるように、上記で簡単に要約した本開示のより具体的な説明を、実施形態を参照することによって行うことができ、その幾つかを添付の図面に示す。しかし、添付の図面は、本開示の典型的な実施形態のみを示し、したがって、本開示は、他の等しく有効な実施形態を認めることができるので、本開示の範囲を限定すると見なされるべきではないことに留意されたい。
[0013] 理解を容易にするために、可能な場合には、図面に共通する同一の要素を指し示すのに同一の参照番号が使用された。具体的な記述がなくとも、一方の実施形態で開示された要素を他方の実施形態で有益に利用できると考えられている。
[0014] 本明細書で説明される実施形態は、半導体基板を処理するための装置を提供する。多くの事例では、基板を処理するときに、材料の1以上の層が基板の表面上に堆積され、処理システムの他の表面上にも堆積される。例えば、材料は、リッドアセンブリの電極、リッドアセンブリの絶縁リング、及び/又は電極と絶縁リングとの間の間隙上に堆積され得る。時間の経過とともに、処理チャンバの様々な表面上の堆積材料の厚さが増加し、処理チャンバ内でアーク放電が生じる可能性が増加する。アーク放電は、基板処理及び/又はハードウェア構成要素に有害な影響を引き起こし、スクラップされる基板の頻度及び保守ダウンタイムを増加させる。更に、対応する処理システムをオフラインにすると、処理システムの生産速度が低下し、対応する生産コストが増大する。
[0015] アーク放電は、電極及び絶縁リング上の堆積厚さが約1.8um以上のときに生じ得る。多くの事例では、そのような処理システム用の堆積能力も約1.8umである。したがって、そのような処理システムでは、アーク放電が生じる可能性を高い。しかし、1.8um以下の堆積能力は、多くの現代の半導体デバイスの生成に対する課題を提示するので、アーク放電を低減させるために堆積厚さを制限することは困難である。
[0016] しかし、電極及び絶縁リングと処理システムの処理空間との間に絶縁部材を含めることによって、電極、絶縁リング、及び電極と絶縁リングとの間の間隙上に蓄積される材料は、低減されるか又は排除される。したがって、処理システム内でアーク放電が生じることは減らされ、処理システムのダウンタイムが減少し、処理システムの生産速度が増加する。更に、対応する処理システムの堆積能力も増加する。
[0017] 図1は、1以上の実施形態による、処理システムのプロセスチャンバ100の概略断面図である。プロセスチャンバ100は、チャンバ本体102、チャンバ本体102の内側に配置された基板支持体104、及び、チャンバ本体102に結合され且つ基板支持体104を処理空間120内に閉じ込めるリッドアセンブリ106を備えている。基板105は、バルブアセンブリ(図示せず)のドアを使用して処理用に密封され得る開口部126を通して処理領域120に提供される。プロセスチャンバ100は、とりわけ、化学気相堆積(CVD)プロセスチャンバ、原子層堆積(ALD)プロセスチャンバ、有機金属化学気相堆積(MOCVD)プロセスチャンバ、プラズマ化学気相堆積(PECVD)プロセスチャンバ、又はプラズマ原子層堆積(PEALD)プロセスチャンバのうちの1つであってよい。
[0018] チャンバ本体102は、チャンバ壁103を含む。更に、ライナー101がチャンバ壁103と処理空間120との間にあるように、ライナー101をチャンバ壁103上に位置付けることができる。ライナー101は、アルミニウムで構成されてもよい。代替的に、ライナー101は、他の導電性材料又は絶縁材料で構成されてもよい。
[0019] リッドアセンブリ106は、電極108、絶縁リング110、及び面板112を含む。更に、リッドアセンブリ106は、絶縁リング110及び電極108の半径方向内側に配置された絶縁部材111を備える。例えば、絶縁部材111は、絶縁リング110及び電極108の表面が処理空間120に曝露されないように、絶縁リング110及び電極108と処理空間120との間に配置される。リッドアセンブリ106及び基板支持体104は、プラズマ又は熱処理用に構成されたプロセスチャンバと共に使用されてもよい。
[0020] 電極108は、チャンバ本体102に隣接して配置され、チャンバ本体102とリッドアセンブリ106の他の構成要素との間に配置される。電極108は、環状又はリング状の部材であり、リング電極と呼ぶことができる。電極108は、処理空間120を囲んでいるプロセスチャンバ100の周縁に沿った連続したループであってもよく、又は選択された位置において不連続であってもよい。電極108はまた、穿孔されたリングやメッシュ電極のような穿孔された電極であってもよい。幾つかの実施例では、電極108が、それらの間に配置されたセラミック(例えば、図3の絶縁リング310)などの電気絶縁材料によって、チャンバ本体102から電気的に分離されてもよい。
[0021] 絶縁リング110は、セラミック又は金属酸化物(例えば酸化アルミニウム及び/若しくは窒化アルミニウム)のような誘電材料であってもよく、電極108に接触し、電極108を面板112から電気的及び/又は熱的に分離する。
[0022] 面板112は、処理空間120の中にプロセスガスを受け入れるための開口部118を備えている。面板は、シャワーヘッドと呼ぶことができる。面板112は、RF(高周波)生成器、直流(DC)電源、パルスDC電源、及びパルスRF電源などのような電源142に結合され得る。更に、電源142は、パルスDC信号、パルスRF信号、及び接地電圧(又は任意の他の定電圧)信号のうちの1つで面板112を駆動して、処理空間120内にプラズマを生成する。
[0023] 絶縁部材111は、誘電材料から形成され、電極108及び絶縁リング110を処理空間120から遮蔽する。例えば、絶縁部材111は、セラミック又は金属酸化物(例えば酸化アルミニウム及び/若しくは窒化アルミニウム)であってもよい。絶縁部材111は、処理空間120を囲むプロセスチャンバ100の内径の周りに連続したループを形成する。更に、絶縁部材111は、単一の連続材料から形成される。代替的には、絶縁部材111が、1以上の離散したセクションを有する1以上の材料から形成されてもよい。更に、絶縁部材111は、チャンバ本体102のライナー101の上方に配置される。例えば、絶縁部材111は、ライナー101と面板112との間に配置されてよい。また、絶縁部材111とライナー101との間の距離は、約1mmから約20mmの範囲である。代替的に、絶縁部材111とライナー101との間の距離は、1mm未満であってもよく又は約20mmを超えてもよい。
[0024] 絶縁部材111はバリアを形成し、電極108及び絶縁リング110を処理空間120から分離する。絶縁部材111は、電極108及び絶縁リング110を処理空間120内のプロセスガス及び熱変化から保護する。例えば、基板処理中に、電極108及び絶縁リング110の代わりに絶縁部材111上に材料堆積が生じる。更に、電極108及び絶縁リング110上、又は電極108と絶縁リング110との間の間隙内に生じる堆積が、絶縁部材111の存在により緩和されるので、プロセスチャンバ100内でアーク放電が生じる全体的な可能性が低下する。言い換えれば、絶縁部材111は、電極108及び絶縁リング110上、又は電極108と絶縁リングとの間の間隙内に堆積される材料の厚さを低減させる。
[0025] 面板112は、導電性ガス分配器又は非導電性ガス分配器である。面板112は、導電性及び/又は非導電性の構成要素で作製される。プラズマプロセスチャンバでは、面板112が、例えば電源142によって給電されてもよく、又は面板112が接地に結合されてもよい。
[0026] 絶縁部材111は、面板112に接触してもよい。代替的に、絶縁部材111は、例えばセラミックスペーサによって面板112から分離されてもよい。一実施形態では、絶縁部材111が、絶縁リング110と面板112との間に配置された半径方向に延在するリップ204を含む。リップ204は、絶縁部材111を処理空間120内に保持する。他の実施形態では、絶縁部材111が、例えばファスナを使用して、面板112、又はリッドアセンブリ106の別の一部分に結合されてもよい。代替的には、絶縁部材111が、プロセスチャンバ100内の絶縁部材111の位置を維持するために、プロセスチャンバ100の別の一部分に載置されてもよい。
[0027] 電極108は、電源128に結合されてもよい。電源128は、電力信号で電極108を駆動することができる。電力信号は、RF源又はDC源を含んでもよい。電力信号は、調整可能であってもよい。例えば、電力信号の電圧の大きさ及び/又は電圧の符号は変更され得る。更に、電力信号の電圧は、正であっても負であってもよい。
[0028] 電極122は、基板支持体104の部分である。電極122は、基板支持体104内に埋め込まれるか、又は基板支持体104の表面に結合される。電極122は、プレート、穿孔されたプレート、メッシュ、ワイヤスクリーン、又は他の任意の分散構成であってもよい。更に、電極122は、基板支持体104のシャフト144内に配置された導管(例えばケーブル)によって電源136に結合される。
[0029] 電源136は、電子センサ、及び可変キャパシタであってもよい電子コントローラを含む。電子センサは、電圧又は電流センサであってもよく、電源136の電子コントローラに結合されて、処理空間120内のプラズマ状態に対する更なる制御を提供してもよい。電源136は、パルスDC信号、パルスRF信号、及び接地電圧(又は任意の他の定電圧)信号のうちの1つで電極122を駆動して、処理空間120内にプラズマを生成する。更に、電極122は、処理空間120内に容量結合プラズマを生成するために、面板112とは異なるように(例えば、反対に)駆動されてもよい。例えば、面板112と電極122とのうちの一方はパルスRF信号で駆動され、面板112と電極122とのうちの他方は接地電圧信号で駆動される。電源142及び136は、組み合わされて電源システムを形成してもよい。電源システムは、電源142及び136並びに他の電源を含んでもよい。
[0030] バイアス電極及び/又は静電チャッキング電極であり得る電極124は、基板支持体104の部分である。電極124は、基板支持体104内に埋め込まれるか、又は基板支持体104に結合される。更に、電極124は電源150に結合される。例えば、電極124は、インピーダンス整合回路であり得るフィルタを介して電源150に結合される。電源150は、DC電力、パルスDC電力、RF電力、パルスRF電力のうちの1以上を供給する。
[0031] 動作では、プロセスチャンバ100が、処理空間120内のプラズマ状態のリアルタイム制御を提供し得る。基板105は、基板支持体104上に配置され、プロセスガスは、任意の所望のフロープランに従って、ガス供給源160から入口114を使用してリッドアセンブリ106を通して流される。ガスは、出口152を通ってプロセスチャンバ100から出る。例えば、減圧ポンプ(vacuum pump)が出口152に結合され得る。
[0032] 図1の実施形態は、絶縁リング110、電極108、及び絶縁部材111を含むリッドアセンブリ106を示しているが、電極108及び絶縁リング110は省略され得ることが考えられる。
[0033] 図2Aは、1以上の実施形態による、プロセスチャンバ100の一部分106の概略断面図である。絶縁部材111は、表面202、表面203、及びリップ204を含む。表面203は、電極108及び絶縁リング110と対向し、例えば、表面203は、半径方向外向きに方向付けられる。また、表面203は、電極108及び絶縁リング110と接触せず、表面203と電極108及び絶縁リング110との間に小さい均一な間隙を形成する。表面202は、処理空間120に面し、例えば、表面202は、半径方向内向きに方向付けられる。表面203と電極108及び絶縁リング110との間の間隙は、約1mm未満である。更に、表面203と電極108及び絶縁リング110との間の間隙は、約0.5mm未満であってもよい。例えば、間隙は、約0.1mmから約0.5mmであってよい。一実施形態では、表面203と電極108及び絶縁リング110との間の間隙は省略され、表面203は電極108及び絶縁リング110に接触する。表面203と電極108及び絶縁リング110との間の間隙は、処理中の熱膨張を受け入れる。表面203と電極108及び絶縁リング110との間の間隙のサイズは、処理ガスが電極108及び絶縁リング110と接触することを緩和し、電極108及び絶縁リング110上の材料の堆積により生じ得るアーク放電を緩和する。そのようなやり方では、絶縁部材111が、堆積シールドとして機能する。
[0034] 絶縁部材111のリップ204は、絶縁リング110と面板112との間に配置される。リップ204は、絶縁部材111をプロセスチャンバ100の処理空間120内に保持する助けとなる。1以上の実施形態では、リップ204が省略されてよい。別の一実施例では、リップ204が、その上面又は下面に1以上の突起を含み得る。突起は、絶縁リングの上面及び/又は面板112の下面内に形成された対応する凹部と割り出し可能である。
[0035] 図2Bは、絶縁部材111の上面図である。図2Bで示されているように、絶縁部材111は、円形状を有し、リップを有する円筒を含む。上述されたように、絶縁部材111は、絶縁部材111の周囲に沿って配置されたリップ204を含む。リップ204は、平面内に配置されたリング形状の部材である。リップ204は、絶縁部材111をプロセスチャンバ100内に固定するために利用される。例えば、絶縁部材111のリップ204は、絶縁リング110(又は絶縁リングを省略した実施形態では電極108)と面板112との間に配置される。リップ204は、絶縁部材111の円筒205の遠位端において円筒から半径方向外向きに延在する。リップ204は、円筒(例えば、円筒の側壁又は軸方向中心線)に対して直角に配置される。
[0036] 基板処理中に、電極108及び絶縁リング110並びに電極108と絶縁リング110との間の間隙の代わりに、絶縁部材111の表面202上に材料の堆積が生じる。したがって、電極108と絶縁リング110との間の堆積材料の蓄積が減少し、電極108と絶縁リング110との間の間隙を横断して電場がアーク放電を生じさせ放電する可能性が低減される。絶縁部材111は、電極108及び絶縁リング110を処理空間120内のプロセスガス及び熱変化から保護する。更に、表面202は、表面202上に生じる任意の材料堆積が均一であり、洗浄サイクル中に除去され得るように滑らかである。表面202は、堆積材料の蓄積が表面202にわたり実質的に均一であるように、滑らかであってもよい。表面202は、少なくとも約8Raの粗さを有する。また、表面202は、約250Ra未満の粗さを有する。絶縁部材111上の異なる点の間の局所的な高電場の増加は生じない。表面202は連続的である。電極108及び絶縁リング110の代わりに絶縁部材111上に何らかの堆積が生じると、対応する電場の増加が緩和され、処理チャンバ内のアーク放電が低減される。更に、表面202及び203は、表面202と203との間の距離が絶縁部材111の全体にわたり実質的に等しくなるように、互いに少なくとも実質的に同心である。
[0037] 絶縁部材111の高さ210は、少なくとも、電極108の高さ214と絶縁リング110の高さ212との組み合わせに等しい。代替的に、絶縁部材111の高さ210は、高さ212と214との組み合わせより大きくてもよい。そのような一実施例では、電極108の下面と絶縁部材111の下面とが同一平面上にないように、絶縁部材111が、少なくとも部分的にライナー101と重なる。絶縁部材111の高さは、約10mmから約120mmの範囲である。代替的に、絶縁部材111の高さは、約10mm未満であり又は約120mmを超える。更に、高さ212及び214は、互いに同様であってもよく、又は高さ212及び214のうちの1以上は、高さ212及び214のうちの他の1つより大きくてもよい。更に、絶縁部材111の幅220は、約1mmから約7mmの範囲である。代替的に、絶縁部材111の幅は、約1mm未満であってよく又は約7mmを超えてよい。
[0038] 絶縁部材111は、ライナー101からある距離(例えば、垂直及び/又は水平距離)に配置される。例えば、距離は、約1mm未満であってもよい。代替的に、ライナー101の厚さ及び配置に応じて、距離は約1mmより大きくてもよい。
[0039] ライナー101は、表面230及び表面232を含む。表面230と232とは、互いに同心である。例えば、表面230と232との間の距離は、ライナー101の全体にわたり実質的に等しくてもよい。更に、ライナー101の幅(例えば、230と232との間の距離)は、絶縁部材111の幅220より大きくてもよい。
[0040] 図3は、1以上の実施形態による、プロセスチャンバ300の概略断面図である。プロセスチャンバ300は、プロセスチャンバ100のものと同様に構成される。しかし、リッドアセンブリ106は、電極108及び絶縁リング110を含むが、リッドアセンブリ306は、絶縁リング110、電極108、及び絶縁リング310を含む。代替的に、リッドアセンブリ306は、追加の電極108を含んでもよい。更に、リッドアセンブリ306は、1以上の絶縁リング110、1以上の絶縁リング310、及び/又は1以上の電極108を含み得る。
[0041] セラミック又は金属酸化物(例えば酸化アルミニウム及び/又は窒化アルミニウム)などの誘電材料である絶縁リング310は、電極108に接触し、電極108をチャンバ本体102から電気的及び熱的に分離する。更に、絶縁リング310は、電極108とチャンバ本体102との間に配置されている。
[0042] 図3の絶縁部材311は、絶縁部材111と同様に構成される。絶縁部材311は、絶縁リング110、電極108、及び絶縁リング310と処理空間120との間に配置される。更に、図1に関して説明したように、絶縁部材311は、絶縁リング110、310のそれぞれ及び電極108並びに絶縁リング110、310のいずれかと電極108との間の間隙(相対的な接触面における)を、処理空間120内のプロセスガス及び熱変化の影響から保護する。例えば、絶縁リング110及び310並びに電極108(又はそれらの間の界面の間隙)上の代わりに、絶縁部材311上に任意の材料堆積が生じる。図3の実施例では、絶縁部材311が、絶縁リング110、310及び電極108の少なくとも組み合わせ高さまで及ぶ。
[0043] 図4は、1以上の実施形態による、プロセスチャンバ300の部分306の概略断面図である。絶縁部材311は、表面402及び表面403を含む。表面403は、電極108並びに絶縁リング110及び310に対向する。絶縁部材111の場合と同様に、絶縁部材311は、円筒205の遠位端において絶縁部材311の円筒205から半径方向外向きに延在するリップ204を含む。更に、表面403は、表面403と電極108及び絶縁リング110、310との間に約1mm未満の小さい間隙が形成されるように、電極108及び絶縁リング110、310と接触しない。一実施形態では、表面403が、電極108及び絶縁リング110、310と接触し、間隙は省略される。間隙を省略することにより、更に、処理ガスが電極108及び絶縁リング110、310に接触するのを防止し、それらの上に材料が堆積するのを緩和することができる。更に、表面402は、処理空間120に面している。基板処理中に、電極108並びに絶縁リング110及び310と、それらの間の任意の間隙との代わりに、絶縁部材311の表面402上に材料が堆積する。したがって、絶縁部材311は、電極108並びに絶縁リング110及び310と、それらの間の任意の対応する間隙とを、処理空間120内のプロセスガス及び熱変化から保護する。絶縁部材311の高さ410は、少なくとも、電極108の高さ414と、絶縁リング110の高さ412と、絶縁リング310の高さ416との組み合わせに等しい。代替的に、絶縁部材311の高さ410は、高さ412、414、及び416の組み合わせより大きくてもよい。更に、高さ412、414、及び416は、同様であってよく、又は、高さ412、414、及び416のうちの1以上は、高さ412、414、及び416のうちの他の1つより大きくてもよい。
[0044] リッドアセンブリの電極及び絶縁リングと、処理空間と、の間に配置された絶縁部材を有するリッドアセンブリを有する処理システムが開示されている。開示された処理システムは、電極、絶縁リング、及び電極と絶縁リングとの間の間隙上の材料の蓄積が減少することを経験する。したがって、処理システムのプロセスチャンバ内でアーク放電が生じる可能性が低減され、処理システムのダウンタイムが減少し、処理システムの生産速度が増加する。また、電極、絶縁リング、及び電極と絶縁リングとの間の間隙上の堆積材料の厚さを薄くすることにより、対応する処理システムの堆積能力が増大する。
[0045] 上記は本開示の実施形態を対象とするが、本開示の基本的な範囲から逸脱することなく、本開示の他の実施形態及び更なる実施形態を考案してもよい。
Claims (18)
- チャンバ本体、
前記チャンバ本体内に配置された基板支持体、並びに
前記チャンバ本体の上に位置付けられ且つ前記チャンバ本体内の処理空間を画定するリッドアセンブリを備える、プロセスチャンバであって、前記リッドアセンブリは、
面板、
前記面板と前記チャンバ本体との間に位置付けられた電極、及び
前記電極と前記処理空間との間で、且つ、前記面板と前記チャンバ本体との間で、前記電極から半径方向内側に配置された絶縁部材を備える、プロセスチャンバ。 - 前記リッドアセンブリは、前記面板と前記チャンバ本体との間に配置された絶縁リングを更に備える、請求項1に記載のプロセスチャンバ。
- 前記絶縁部材は、前記絶縁リングと前記処理空間との間に更に配置される、請求項2に記載のプロセスチャンバ。
- 前記チャンバ本体の表面上に配置されたライナーを更に備え、前記絶縁部材が前記ライナーから分離されている、請求項1に記載のプロセスチャンバ。
- 前記絶縁部材がセラミックを含む、請求項1に記載のプロセスチャンバ。
- 前記絶縁部材が連続したリングを含む、請求項1に記載のプロセスチャンバ。
- 前記絶縁部材の厚さが、約1mmから約7mmの範囲である、請求項1に記載のプロセスチャンバ。
- 処理システム用のリッドアセンブリであって、
面板、
前記面板と前記処理システムのチャンバ本体との間に配置された電極、及び
前記電極から半径方向内側に配置された絶縁部材を備える、リッドアセンブリ。 - 前記面板と前記電極との間に配置された絶縁リングを更に備える、請求項8に記載のリッドアセンブリ。
- 前記絶縁部材は、更に、前記絶縁リングから半径方向内側に配置され、間隙によって前記電極及び前記絶縁リングから分離されている、請求項9に記載のリッドアセンブリ。
- 前記絶縁部材がセラミックを含む、請求項8に記載のリッドアセンブリ。
- 前記絶縁部材が連続したリングを含む、請求項8に記載のリッドアセンブリ。
- 前記絶縁部材の厚さが、約1mmから約7mmの範囲である、請求項8に記載のリッドアセンブリ。
- チャンバ本体、
前記チャンバ本体内に位置付けられ、第1の電極を備える基板支持体、並びに
前記チャンバ本体の上に配置され且つ前記チャンバ本体内の処理空間を画定するリッドアセンブリを備える、プロセスチャンバであって、前記リッドアセンブリは、
面板、
前記面板と前記チャンバ本体との間に配置された第2の電極、及び
前記第2の電極と前記処理空間との間で、且つ、前記面板と前記チャンバ本体との間で、前記第2の電極から半径方向内側に配置された絶縁部材を備える、プロセスチャンバ。 - 前記リッドアセンブリは、前記面板と前記チャンバ本体との間に配置された絶縁リングを更に備え、前記絶縁部材は、前記絶縁リングと前記処理空間との間に更に配置される、請求項14に記載のプロセスチャンバ。
- 前記絶縁部材は、前記電極と接触しない、請求項1に記載のプロセスチャンバ。
- 前記絶縁部材は、前記電極と接触しない、請求項8に記載のリッドアセンブリ。
- 前記絶縁部材は、前記第2の電極と接触しない、請求項14に記載のプロセスチャンバ。
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US201962848281P | 2019-05-15 | 2019-05-15 | |
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Citations (4)
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---|---|---|---|---|
JP2007266296A (ja) | 2006-03-28 | 2007-10-11 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置及び側壁部品 |
JP2008182081A (ja) | 2007-01-25 | 2008-08-07 | Hitachi High-Technologies Corp | プラズマ処理装置 |
JP2009152434A (ja) | 2007-12-21 | 2009-07-09 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置 |
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