JP2022533615A - プラズマアークを低減したプロセスチャンバ - Google Patents

Abstract

処理システムが、チャンバ本体、基板支持体、及びリッドアセンブリを備える。基板支持体は、チャンバ本体内に位置付けられ、第１の電極を備える。リッドアセンブリは、チャンバ本体の上に配置され、処理空間を画定する。リッドアセンブリは、面板、面板とチャンバ本体との間に配置された第２の電極、及び第２の電極と処理空間との間に配置された絶縁部材を備える。電源システムが、第１の電極及び面板に結合され、処理空間内にプラズマを生成するように構成される。【選択図】図１

Description

[0001] 本明細書で説明される実施形態は、半導体製造装置及び方法に関する。具体的には、本明細書で説明される実施形態は、半導体基板用のプラズマプロセスチャンバに関する。

[0002] 多くの処理システムは、処理システムのチャンバ本体上に配置された、１以上の絶縁リングと１以上の電極とのスタックを含む、リッドアセンブリを使用する。処理中、堆積材料は、絶縁リング上、電極上、及び／又は電極と絶縁リングとの間の間隙内に蓄積することがある。堆積材料の厚さが増加すると、局所化された高電場が増加し、その結果、チャンバ本体内でアーク放電が生じる。例えば、処理システム内で処理を受けている基板の表面に蓄積された電荷が、電極と絶縁リングとの間の間隙に隣接して堆積された材料にアーク放電し得る。したがって、アーク放電がプロセスチャンバ内で生じる。アーク放電は、基板処理に悪影響を及ぼすことがあり、その結果、プロセスチャンバがオフラインになる。したがって、処理システムのダウンタイムが増加し、生産速度が低下する。

[0003] したがって、アーク放電を低減させる改良された処理システムが必要とされている。

[0004] 一実施例では、プロセスチャンバが、チャンバ本体、チャンバ本体内に配置された基板支持体、及び、チャンバ本体の上に配置され且つ処理空間を画定するリッドアセンブリを備える。リッドアセンブリは、面板、電極、及び絶縁部材を備える。絶縁部材は、電極とプロセスチャンバの処理空間との間に配置される。更に、電極は、面板とチャンバ本体との間に配置される。

[0005] 一実施形態では、処理システム用のリッドアセンブリが、面板、電極、絶縁リング、及び絶縁部材を備える。絶縁部材は、電極及び絶縁リングと処理システムの処理空間との間に配置される。電極は、面板と処理システムのチャンバ本体との間に配置される。

[0006] 一実施形態では、プロセスチャンバが、チャンバ本体、基板支持体、及びリッドアセンブリを備える。基板支持体は、チャンバ本体内に位置付けられ、第１の電極を備える。リッドアセンブリは、チャンバ本体の上に位置付けられ、チャンバ本体内の処理空間を画定する。リッドアセンブリは、面板、面板とチャンバ本体との間に配置された第２の電極、及び絶縁部材を備える。絶縁部材は、第２の電極と処理空間との間に配置される。

[0007] 本開示の上記の特徴を詳細に理解することができるように、上記で簡単に要約した本開示のより具体的な説明を、実施形態を参照することによって行うことができ、その幾つかを添付の図面に示す。しかし、添付の図面は、本開示の典型的な実施形態のみを示し、したがって、本開示は、他の等しく有効な実施形態を認めることができるので、本開示の範囲を限定すると見なされるべきではないことに留意されたい。

[0008] 一実施形態による処理システムの概略断面図である。 [0009] 一実施形態による処理システムの一部分の概略断面図である。 [0010] 一実施形態による絶縁部材の下面図である。 [0011] 一実施形態による処理システムの概略断面図である。 [0012] 一実施形態による処理システムの一部分の概略断面図である。

[0013] 理解を容易にするために、可能な場合には、図面に共通する同一の要素を指し示すのに同一の参照番号が使用された。具体的な記述がなくとも、一方の実施形態で開示された要素を他方の実施形態で有益に利用できると考えられている。

[0014] 本明細書で説明される実施形態は、半導体基板を処理するための装置を提供する。多くの事例では、基板を処理するときに、材料の１以上の層が基板の表面上に堆積され、処理システムの他の表面上にも堆積される。例えば、材料は、リッドアセンブリの電極、リッドアセンブリの絶縁リング、及び／又は電極と絶縁リングとの間の間隙上に堆積され得る。時間の経過とともに、処理チャンバの様々な表面上の堆積材料の厚さが増加し、処理チャンバ内でアーク放電が生じる可能性が増加する。アーク放電は、基板処理及び／又はハードウェア構成要素に有害な影響を引き起こし、スクラップされる基板の頻度及び保守ダウンタイムを増加させる。更に、対応する処理システムをオフラインにすると、処理システムの生産速度が低下し、対応する生産コストが増大する。

[0015] アーク放電は、電極及び絶縁リング上の堆積厚さが約１．８um以上のときに生じ得る。多くの事例では、そのような処理システム用の堆積能力も約１．８umである。したがって、そのような処理システムでは、アーク放電が生じる可能性を高い。しかし、１．８um以下の堆積能力は、多くの現代の半導体デバイスの生成に対する課題を提示するので、アーク放電を低減させるために堆積厚さを制限することは困難である。

[0016] しかし、電極及び絶縁リングと処理システムの処理空間との間に絶縁部材を含めることによって、電極、絶縁リング、及び電極と絶縁リングとの間の間隙上に蓄積される材料は、低減されるか又は排除される。したがって、処理システム内でアーク放電が生じることは減らされ、処理システムのダウンタイムが減少し、処理システムの生産速度が増加する。更に、対応する処理システムの堆積能力も増加する。

[0017] 図１は、１以上の実施形態による、処理システムのプロセスチャンバ１００の概略断面図である。プロセスチャンバ１００は、チャンバ本体１０２、チャンバ本体１０２の内側に配置された基板支持体１０４、及び、チャンバ本体１０２に結合され且つ基板支持体１０４を処理空間１２０内に閉じ込めるリッドアセンブリ１０６を備えている。基板１０５は、バルブアセンブリ（図示せず）のドアを使用して処理用に密封され得る開口部１２６を通して処理領域１２０に提供される。プロセスチャンバ１００は、とりわけ、化学気相堆積（CVD）プロセスチャンバ、原子層堆積（ALD）プロセスチャンバ、有機金属化学気相堆積（MOCVD）プロセスチャンバ、プラズマ化学気相堆積（PECVD）プロセスチャンバ、又はプラズマ原子層堆積（PEALD）プロセスチャンバのうちの１つであってよい。

[0018] チャンバ本体１０２は、チャンバ壁１０３を含む。更に、ライナー１０１がチャンバ壁１０３と処理空間１２０との間にあるように、ライナー１０１をチャンバ壁１０３上に位置付けることができる。ライナー１０１は、アルミニウムで構成されてもよい。代替的に、ライナー１０１は、他の導電性材料又は絶縁材料で構成されてもよい。

[0019] リッドアセンブリ１０６は、電極１０８、絶縁リング１１０、及び面板１１２を含む。更に、リッドアセンブリ１０６は、絶縁リング１１０及び電極１０８の半径方向内側に配置された絶縁部材１１１を備える。例えば、絶縁部材１１１は、絶縁リング１１０及び電極１０８の表面が処理空間１２０に曝露されないように、絶縁リング１１０及び電極１０８と処理空間１２０との間に配置される。リッドアセンブリ１０６及び基板支持体１０４は、プラズマ又は熱処理用に構成されたプロセスチャンバと共に使用されてもよい。

[0020] 電極１０８は、チャンバ本体１０２に隣接して配置され、チャンバ本体１０２とリッドアセンブリ１０６の他の構成要素との間に配置される。電極１０８は、環状又はリング状の部材であり、リング電極と呼ぶことができる。電極１０８は、処理空間１２０を囲んでいるプロセスチャンバ１００の周縁に沿った連続したループであってもよく、又は選択された位置において不連続であってもよい。電極１０８はまた、穿孔されたリングやメッシュ電極のような穿孔された電極であってもよい。幾つかの実施例では、電極１０８が、それらの間に配置されたセラミック（例えば、図３の絶縁リング３１０）などの電気絶縁材料によって、チャンバ本体１０２から電気的に分離されてもよい。

[0021] 絶縁リング１１０は、セラミック又は金属酸化物（例えば酸化アルミニウム及び／若しくは窒化アルミニウム）のような誘電材料であってもよく、電極１０８に接触し、電極１０８を面板１１２から電気的及び／又は熱的に分離する。

[0022] 面板１１２は、処理空間１２０の中にプロセスガスを受け入れるための開口部１１８を備えている。面板は、シャワーヘッドと呼ぶことができる。面板１１２は、RF（高周波）生成器、直流（DC）電源、パルスDC電源、及びパルスRF電源などのような電源１４２に結合され得る。更に、電源１４２は、パルスDC信号、パルスRF信号、及び接地電圧（又は任意の他の定電圧）信号のうちの１つで面板１１２を駆動して、処理空間１２０内にプラズマを生成する。

[0023] 絶縁部材１１１は、誘電材料から形成され、電極１０８及び絶縁リング１１０を処理空間１２０から遮蔽する。例えば、絶縁部材１１１は、セラミック又は金属酸化物（例えば酸化アルミニウム及び／若しくは窒化アルミニウム）であってもよい。絶縁部材１１１は、処理空間１２０を囲むプロセスチャンバ１００の内径の周りに連続したループを形成する。更に、絶縁部材１１１は、単一の連続材料から形成される。代替的には、絶縁部材１１１が、１以上の離散したセクションを有する１以上の材料から形成されてもよい。更に、絶縁部材１１１は、チャンバ本体１０２のライナー１０１の上方に配置される。例えば、絶縁部材１１１は、ライナー１０１と面板１１２との間に配置されてよい。また、絶縁部材１１１とライナー１０１との間の距離は、約１mmから約２０mmの範囲である。代替的に、絶縁部材１１１とライナー１０１との間の距離は、１mm未満であってもよく又は約２０mmを超えてもよい。

[0024] 絶縁部材１１１はバリアを形成し、電極１０８及び絶縁リング１１０を処理空間１２０から分離する。絶縁部材１１１は、電極１０８及び絶縁リング１１０を処理空間１２０内のプロセスガス及び熱変化から保護する。例えば、基板処理中に、電極１０８及び絶縁リング１１０の代わりに絶縁部材１１１上に材料堆積が生じる。更に、電極１０８及び絶縁リング１１０上、又は電極１０８と絶縁リング１１０との間の間隙内に生じる堆積が、絶縁部材１１１の存在により緩和されるので、プロセスチャンバ１００内でアーク放電が生じる全体的な可能性が低下する。言い換えれば、絶縁部材１１１は、電極１０８及び絶縁リング１１０上、又は電極１０８と絶縁リングとの間の間隙内に堆積される材料の厚さを低減させる。

[0025] 面板１１２は、導電性ガス分配器又は非導電性ガス分配器である。面板１１２は、導電性及び／又は非導電性の構成要素で作製される。プラズマプロセスチャンバでは、面板１１２が、例えば電源１４２によって給電されてもよく、又は面板１１２が接地に結合されてもよい。

[0026] 絶縁部材１１１は、面板１１２に接触してもよい。代替的に、絶縁部材１１１は、例えばセラミックスペーサによって面板１１２から分離されてもよい。一実施形態では、絶縁部材１１１が、絶縁リング１１０と面板１１２との間に配置された半径方向に延在するリップ２０４を含む。リップ２０４は、絶縁部材１１１を処理空間１２０内に保持する。他の実施形態では、絶縁部材１１１が、例えばファスナを使用して、面板１１２、又はリッドアセンブリ１０６の別の一部分に結合されてもよい。代替的には、絶縁部材１１１が、プロセスチャンバ１００内の絶縁部材１１１の位置を維持するために、プロセスチャンバ１００の別の一部分に載置されてもよい。

[0027] 電極１０８は、電源１２８に結合されてもよい。電源１２８は、電力信号で電極１０８を駆動することができる。電力信号は、RF源又はDC源を含んでもよい。電力信号は、調整可能であってもよい。例えば、電力信号の電圧の大きさ及び／又は電圧の符号は変更され得る。更に、電力信号の電圧は、正であっても負であってもよい。

[0028] 電極１２２は、基板支持体１０４の部分である。電極１２２は、基板支持体１０４内に埋め込まれるか、又は基板支持体１０４の表面に結合される。電極１２２は、プレート、穿孔されたプレート、メッシュ、ワイヤスクリーン、又は他の任意の分散構成であってもよい。更に、電極１２２は、基板支持体１０４のシャフト１４４内に配置された導管（例えばケーブル）によって電源１３６に結合される。

[0029] 電源１３６は、電子センサ、及び可変キャパシタであってもよい電子コントローラを含む。電子センサは、電圧又は電流センサであってもよく、電源１３６の電子コントローラに結合されて、処理空間１２０内のプラズマ状態に対する更なる制御を提供してもよい。電源１３６は、パルスDC信号、パルスRF信号、及び接地電圧（又は任意の他の定電圧）信号のうちの１つで電極１２２を駆動して、処理空間１２０内にプラズマを生成する。更に、電極１２２は、処理空間１２０内に容量結合プラズマを生成するために、面板１１２とは異なるように（例えば、反対に）駆動されてもよい。例えば、面板１１２と電極１２２とのうちの一方はパルスRF信号で駆動され、面板１１２と電極１２２とのうちの他方は接地電圧信号で駆動される。電源１４２及び１３６は、組み合わされて電源システムを形成してもよい。電源システムは、電源１４２及び１３６並びに他の電源を含んでもよい。

[0030] バイアス電極及び／又は静電チャッキング電極であり得る電極１２４は、基板支持体１０４の部分である。電極１２４は、基板支持体１０４内に埋め込まれるか、又は基板支持体１０４に結合される。更に、電極１２４は電源１５０に結合される。例えば、電極１２４は、インピーダンス整合回路であり得るフィルタを介して電源１５０に結合される。電源１５０は、DC電力、パルスDC電力、RF電力、パルスRF電力のうちの１以上を供給する。

[0031] 動作では、プロセスチャンバ１００が、処理空間１２０内のプラズマ状態のリアルタイム制御を提供し得る。基板１０５は、基板支持体１０４上に配置され、プロセスガスは、任意の所望のフロープランに従って、ガス供給源１６０から入口１１４を使用してリッドアセンブリ１０６を通して流される。ガスは、出口１５２を通ってプロセスチャンバ１００から出る。例えば、減圧ポンプ（vacuum pump）が出口１５２に結合され得る。

[0032] 図１の実施形態は、絶縁リング１１０、電極１０８、及び絶縁部材１１１を含むリッドアセンブリ１０６を示しているが、電極１０８及び絶縁リング１１０は省略され得ることが考えられる。

[0033] 図２Ａは、１以上の実施形態による、プロセスチャンバ１００の一部分１０６の概略断面図である。絶縁部材１１１は、表面２０２、表面２０３、及びリップ２０４を含む。表面２０３は、電極１０８及び絶縁リング１１０と対向し、例えば、表面２０３は、半径方向外向きに方向付けられる。また、表面２０３は、電極１０８及び絶縁リング１１０と接触せず、表面２０３と電極１０８及び絶縁リング１１０との間に小さい均一な間隙を形成する。表面２０２は、処理空間１２０に面し、例えば、表面２０２は、半径方向内向きに方向付けられる。表面２０３と電極１０８及び絶縁リング１１０との間の間隙は、約１mm未満である。更に、表面２０３と電極１０８及び絶縁リング１１０との間の間隙は、約０．５mm未満であってもよい。例えば、間隙は、約０．１mmから約０．５mmであってよい。一実施形態では、表面２０３と電極１０８及び絶縁リング１１０との間の間隙は省略され、表面２０３は電極１０８及び絶縁リング１１０に接触する。表面２０３と電極１０８及び絶縁リング１１０との間の間隙は、処理中の熱膨張を受け入れる。表面２０３と電極１０８及び絶縁リング１１０との間の間隙のサイズは、処理ガスが電極１０８及び絶縁リング１１０と接触することを緩和し、電極１０８及び絶縁リング１１０上の材料の堆積により生じ得るアーク放電を緩和する。そのようなやり方では、絶縁部材１１１が、堆積シールドとして機能する。

[0034] 絶縁部材１１１のリップ２０４は、絶縁リング１１０と面板１１２との間に配置される。リップ２０４は、絶縁部材１１１をプロセスチャンバ１００の処理空間１２０内に保持する助けとなる。１以上の実施形態では、リップ２０４が省略されてよい。別の一実施例では、リップ２０４が、その上面又は下面に１以上の突起を含み得る。突起は、絶縁リングの上面及び／又は面板１１２の下面内に形成された対応する凹部と割り出し可能である。

[0035] 図２Ｂは、絶縁部材１１１の上面図である。図２Ｂで示されているように、絶縁部材１１１は、円形状を有し、リップを有する円筒を含む。上述されたように、絶縁部材１１１は、絶縁部材１１１の周囲に沿って配置されたリップ２０４を含む。リップ２０４は、平面内に配置されたリング形状の部材である。リップ２０４は、絶縁部材１１１をプロセスチャンバ１００内に固定するために利用される。例えば、絶縁部材１１１のリップ２０４は、絶縁リング１１０（又は絶縁リングを省略した実施形態では電極１０８）と面板１１２との間に配置される。リップ２０４は、絶縁部材１１１の円筒２０５の遠位端において円筒から半径方向外向きに延在する。リップ２０４は、円筒（例えば、円筒の側壁又は軸方向中心線）に対して直角に配置される。

[0036] 基板処理中に、電極１０８及び絶縁リング１１０並びに電極１０８と絶縁リング１１０との間の間隙の代わりに、絶縁部材１１１の表面２０２上に材料の堆積が生じる。したがって、電極１０８と絶縁リング１１０との間の堆積材料の蓄積が減少し、電極１０８と絶縁リング１１０との間の間隙を横断して電場がアーク放電を生じさせ放電する可能性が低減される。絶縁部材１１１は、電極１０８及び絶縁リング１１０を処理空間１２０内のプロセスガス及び熱変化から保護する。更に、表面２０２は、表面２０２上に生じる任意の材料堆積が均一であり、洗浄サイクル中に除去され得るように滑らかである。表面２０２は、堆積材料の蓄積が表面２０２にわたり実質的に均一であるように、滑らかであってもよい。表面２０２は、少なくとも約８Raの粗さを有する。また、表面２０２は、約２５０Ra未満の粗さを有する。絶縁部材１１１上の異なる点の間の局所的な高電場の増加は生じない。表面２０２は連続的である。電極１０８及び絶縁リング１１０の代わりに絶縁部材１１１上に何らかの堆積が生じると、対応する電場の増加が緩和され、処理チャンバ内のアーク放電が低減される。更に、表面２０２及び２０３は、表面２０２と２０３との間の距離が絶縁部材１１１の全体にわたり実質的に等しくなるように、互いに少なくとも実質的に同心である。

[0037] 絶縁部材１１１の高さ２１０は、少なくとも、電極１０８の高さ２１４と絶縁リング１１０の高さ２１２との組み合わせに等しい。代替的に、絶縁部材１１１の高さ２１０は、高さ２１２と２１４との組み合わせより大きくてもよい。そのような一実施例では、電極１０８の下面と絶縁部材１１１の下面とが同一平面上にないように、絶縁部材１１１が、少なくとも部分的にライナー１０１と重なる。絶縁部材１１１の高さは、約１０mmから約１２０mmの範囲である。代替的に、絶縁部材１１１の高さは、約１０mm未満であり又は約１２０mmを超える。更に、高さ２１２及び２１４は、互いに同様であってもよく、又は高さ２１２及び２１４のうちの１以上は、高さ２１２及び２１４のうちの他の１つより大きくてもよい。更に、絶縁部材１１１の幅２２０は、約１mmから約７mmの範囲である。代替的に、絶縁部材１１１の幅は、約１mm未満であってよく又は約７mmを超えてよい。

[0038] 絶縁部材１１１は、ライナー１０１からある距離（例えば、垂直及び／又は水平距離）に配置される。例えば、距離は、約１mm未満であってもよい。代替的に、ライナー１０１の厚さ及び配置に応じて、距離は約１mmより大きくてもよい。

[0039] ライナー１０１は、表面２３０及び表面２３２を含む。表面２３０と２３２とは、互いに同心である。例えば、表面２３０と２３２との間の距離は、ライナー１０１の全体にわたり実質的に等しくてもよい。更に、ライナー１０１の幅（例えば、２３０と２３２との間の距離）は、絶縁部材１１１の幅２２０より大きくてもよい。

[0040] 図３は、１以上の実施形態による、プロセスチャンバ３００の概略断面図である。プロセスチャンバ３００は、プロセスチャンバ１００のものと同様に構成される。しかし、リッドアセンブリ１０６は、電極１０８及び絶縁リング１１０を含むが、リッドアセンブリ３０６は、絶縁リング１１０、電極１０８、及び絶縁リング３１０を含む。代替的に、リッドアセンブリ３０６は、追加の電極１０８を含んでもよい。更に、リッドアセンブリ３０６は、１以上の絶縁リング１１０、１以上の絶縁リング３１０、及び／又は１以上の電極１０８を含み得る。

[0041] セラミック又は金属酸化物（例えば酸化アルミニウム及び／又は窒化アルミニウム）などの誘電材料である絶縁リング３１０は、電極１０８に接触し、電極１０８をチャンバ本体１０２から電気的及び熱的に分離する。更に、絶縁リング３１０は、電極１０８とチャンバ本体１０２との間に配置されている。

[0042] 図３の絶縁部材３１１は、絶縁部材１１１と同様に構成される。絶縁部材３１１は、絶縁リング１１０、電極１０８、及び絶縁リング３１０と処理空間１２０との間に配置される。更に、図１に関して説明したように、絶縁部材３１１は、絶縁リング１１０、３１０のそれぞれ及び電極１０８並びに絶縁リング１１０、３１０のいずれかと電極１０８との間の間隙（相対的な接触面における）を、処理空間１２０内のプロセスガス及び熱変化の影響から保護する。例えば、絶縁リング１１０及び３１０並びに電極１０８（又はそれらの間の界面の間隙）上の代わりに、絶縁部材３１１上に任意の材料堆積が生じる。図３の実施例では、絶縁部材３１１が、絶縁リング１１０、３１０及び電極１０８の少なくとも組み合わせ高さまで及ぶ。

[0043] 図４は、１以上の実施形態による、プロセスチャンバ３００の部分３０６の概略断面図である。絶縁部材３１１は、表面４０２及び表面４０３を含む。表面４０３は、電極１０８並びに絶縁リング１１０及び３１０に対向する。絶縁部材１１１の場合と同様に、絶縁部材３１１は、円筒２０５の遠位端において絶縁部材３１１の円筒２０５から半径方向外向きに延在するリップ２０４を含む。更に、表面４０３は、表面４０３と電極１０８及び絶縁リング１１０、３１０との間に約１mm未満の小さい間隙が形成されるように、電極１０８及び絶縁リング１１０、３１０と接触しない。一実施形態では、表面４０３が、電極１０８及び絶縁リング１１０、３１０と接触し、間隙は省略される。間隙を省略することにより、更に、処理ガスが電極１０８及び絶縁リング１１０、３１０に接触するのを防止し、それらの上に材料が堆積するのを緩和することができる。更に、表面４０２は、処理空間１２０に面している。基板処理中に、電極１０８並びに絶縁リング１１０及び３１０と、それらの間の任意の間隙との代わりに、絶縁部材３１１の表面４０２上に材料が堆積する。したがって、絶縁部材３１１は、電極１０８並びに絶縁リング１１０及び３１０と、それらの間の任意の対応する間隙とを、処理空間１２０内のプロセスガス及び熱変化から保護する。絶縁部材３１１の高さ４１０は、少なくとも、電極１０８の高さ４１４と、絶縁リング１１０の高さ４１２と、絶縁リング３１０の高さ４１６との組み合わせに等しい。代替的に、絶縁部材３１１の高さ４１０は、高さ４１２、４１４、及び４１６の組み合わせより大きくてもよい。更に、高さ４１２、４１４、及び４１６は、同様であってよく、又は、高さ４１２、４１４、及び４１６のうちの１以上は、高さ４１２、４１４、及び４１６のうちの他の１つより大きくてもよい。

[0044] リッドアセンブリの電極及び絶縁リングと、処理空間と、の間に配置された絶縁部材を有するリッドアセンブリを有する処理システムが開示されている。開示された処理システムは、電極、絶縁リング、及び電極と絶縁リングとの間の間隙上の材料の蓄積が減少することを経験する。したがって、処理システムのプロセスチャンバ内でアーク放電が生じる可能性が低減され、処理システムのダウンタイムが減少し、処理システムの生産速度が増加する。また、電極、絶縁リング、及び電極と絶縁リングとの間の間隙上の堆積材料の厚さを薄くすることにより、対応する処理システムの堆積能力が増大する。

[0045] 上記は本開示の実施形態を対象とするが、本開示の基本的な範囲から逸脱することなく、本開示の他の実施形態及び更なる実施形態を考案してもよい。

Claims (15)

1. チャンバ本体、
   前記チャンバ本体内に配置された基板支持体、並びに
   前記チャンバ本体の上に位置付けられ且つ前記チャンバ本体内の処理空間を画定するリッドアセンブリを備える、プロセスチャンバであって、前記リッドアセンブリは、
   面板、
   前記面板と前記チャンバ本体との間に位置付けられた電極、及び
   前記電極と前記処理空間との間で、且つ、前記面板と前記チャンバ本体との間で、前記電極から半径方向内側に配置された絶縁部材を備える、プロセスチャンバ。
2. 前記リッドアセンブリは、前記面板と前記チャンバ本体との間に配置された絶縁リングを更に備える、請求項１に記載のプロセスチャンバ。
3. 前記絶縁部材は、前記絶縁リングと前記処理空間との間に更に配置される、請求項２に記載のプロセスチャンバ。
4. 前記チャンバ本体の表面上に配置されたライナーを更に備え、前記絶縁部材が前記ライナーから分離されている、請求項１に記載のプロセスチャンバ。
5. 前記絶縁部材がセラミックを含む、請求項１に記載のプロセスチャンバ。
6. 前記絶縁部材が連続したリングを含む、請求項１に記載のプロセスチャンバ。
7. 前記絶縁部材の厚さが、約１mmから約７mmの範囲である、請求項１に記載のプロセスチャンバ。
8. 処理システム用のリッドアセンブリであって、
   面板、
   前記面板と前記処理システムのチャンバ本体との間に配置された電極、及び
   前記電極から半径方向内側に配置された絶縁部材を備える、リッドアセンブリ。
9. 前記面板と前記電極との間に配置された絶縁リングを更に備える、請求項８に記載のリッドアセンブリ。
10. 前記絶縁部材は、更に、前記絶縁リングから半径方向内側に配置され、間隙によって前記電極及び前記絶縁リングから分離されている、請求項８に記載のリッドアセンブリ。
11. 前記絶縁部材がセラミックを含む、請求項８に記載のリッドアセンブリ。
12. 前記絶縁部材が連続したリングを含む、請求項８に記載のリッドアセンブリ。
13. 前記絶縁部材の厚さが、約１mmから約７mmの範囲である、請求項８に記載のリッドアセンブリ。
14. チャンバ本体、
    前記チャンバ本体内に位置付けられ、第１の電極を備える基板支持体、並びに
    前記チャンバ本体の上に配置され且つ前記チャンバ本体内の処理空間を画定するリッドアセンブリを備える、プロセスチャンバであって、前記リッドアセンブリは、
    面板、
    前記面板と前記チャンバ本体との間に配置された第２の電極、及び
    前記第２の電極と前記処理空間との間で、且つ、前記面板と前記チャンバ本体との間で、前記第２の電極から半径方向内側に配置された絶縁部材を備える、プロセスチャンバ。
15. 前記リッドアセンブリは、前記面板と前記チャンバ本体との間に配置された絶縁リングを更に備え、前記絶縁部材は、前記絶縁リングと前記処理空間との間に更に配置される、請求項１４に記載のプロセスチャンバ。
    

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