KR20020096837A - 전력용 반도체장치 - Google Patents

전력용 반도체장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20020096837A
KR20020096837A KR1020010083872A KR20010083872A KR20020096837A KR 20020096837 A KR20020096837 A KR 20020096837A KR 1020010083872 A KR1020010083872 A KR 1020010083872A KR 20010083872 A KR20010083872 A KR 20010083872A KR 20020096837 A KR20020096837 A KR 20020096837A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
power
switching element
voltage
emitter
semiconductor device
Prior art date
Application number
KR1020010083872A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100436352B1 (ko
Inventor
모치즈키코우이치
Original Assignee
미쓰비시덴키 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=19024613&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=KR20020096837(A) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by 미쓰비시덴키 가부시키가이샤 filed Critical 미쓰비시덴키 가부시키가이샤
Publication of KR20020096837A publication Critical patent/KR20020096837A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100436352B1 publication Critical patent/KR100436352B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02H—EMERGENCY PROTECTIVE CIRCUIT ARRANGEMENTS
    • H02H7/00—Emergency protective circuit arrangements specially adapted for specific types of electric machines or apparatus or for sectionalised protection of cable or line systems, and effecting automatic switching in the event of an undesired change from normal working conditions
    • H02H7/20—Emergency protective circuit arrangements specially adapted for specific types of electric machines or apparatus or for sectionalised protection of cable or line systems, and effecting automatic switching in the event of an undesired change from normal working conditions for electronic equipment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for, e.g. in combination with batteries
    • H01L23/62—Protection against overvoltage, e.g. fuses, shunts
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1304—Transistor
    • H01L2924/1305—Bipolar Junction Transistor [BJT]
    • H01L2924/13055—Insulated gate bipolar transistor [IGBT]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/301—Electrical effects
    • H01L2924/30107—Inductance
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/08—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage
    • H03K17/082—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage by feedback from the output to the control circuit
    • H03K17/0828—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage by feedback from the output to the control circuit in composite switches

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Inverter Devices (AREA)
  • Power Conversion In General (AREA)
  • Electronic Switches (AREA)

Abstract

통상동작시의 손실을 저감을 저감할 수 있고, 고정밀도로 과전류 보호를 가능하게 하는 전력용 반도체장치를 제공하는 것을 목적으로 한다. 파워모듈은, 2개의 주전극 및 제어전극을 갖는 전력용 스위칭 소자(11)와, 전력용 스위칭 소자(IGBT)(11)의 에미터에 접속된 에미터 전극(17)과, 전력용 스위칭 소자(11)의 주전극 사이에 흐르는 주전류를 검출하고, 검출된 주전류가 과전류라고 판단되었을 때 주전류를 제한하도록 전력용 스위칭 소자(11)의 동작을 제어하는 제어회로(15)를 구비한다. 제어회로(15)는 전력용 스위칭 소자(11)에 흐르는 주전류를, 에미터 전극(17)을 사용하여 검출한다.

Description

전력용 반도체장치{POWER SEMICONDUCTOR DEVICE}
본 발명은, IGBT 등의 반도체 스위치를 사용한 전력용 반도체장치의 과전류 보호에 관한 것이다.
도 4는 IGBT 등의 반도체 스위칭 소자를 사용한 종래의 파워모듈의 일부 구성을 나타낸 도면이다. IGBT 등의 스위칭 소자(31)는 게이트 드라이버 회로(33)에 의해 온·오프가 제어된다. 종래의 파워모듈에 있어서는, 과전류 보호를 위해, 스위칭 소자의 공통(에미터)측에 직렬로 저항소자(32)가 삽입되어 있어, 스위칭 소자(31)를 흐르는 주전류에 의해 발생하는 저항소자(32)의 전압강하를 게이트 드라이버 회로(33)로 피드백하고 있다. 게이트 드라이버 회로(33)의 출력전압은 일정하게 유지되고 있기 때문에, 피드백된 전압에 의해, 스위칭 소자(31)의 에미터-게이트간 전압이 실질적으로 강하하는 것에 의해, 스위칭 소자(31) 단락시의 주전류를 제어하여, 단락시의 능력을 향상시키도록 되어 있다.
이상과 같은 방법에서는, 단락시에 과잉의 주전류를 억제하기 위해 에미터-게이트간 전압을 수 V 정도 하강시키는 것이 필요하다. 이 때문에, 저항소자(32)의 저항값은, 통상, 수 10mΩ 정도로 설정될 필요가 있다. 그러나, 이와 같은 수 10mΩ 정도의 저항값에서는, 스위칭 소자에서 통상동작시에 있어서 저항소자(32)에서의 손실이 커져, 무시할 수 없는 손실이 된다.
본 발명은, 상기한 과제를 해결하기 위해 이루어진 것으로, 그것의 목적으로하는 점은, 파워모듈의 통상동작시의 손실을 저감할 수 있고, 고정밀도로 과전류 보호를 가능하게 하는 전력용 반도체장치를 제공하는 것에 있다.
도 1은 본 발명에 관한 파워모듈에 있어서 과전류 검출을 위한 구성을 나타낸 도면(실시예 1)이고,
도 2는 파워모듈에 있어서 에미터 전극의 형상을 나타낸 도면(실시예 2)이며,
도 3은 3상 인버터에 있어서 과전류 검출을 위한 에미터 전극의 배치를 나타낸 도면(실시예 3)이고,
도 4는 종래의 파워모듈에 있어서 과전류 검출을 위한 구성을 나타낸 도면이다.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *
11: IGBT(스위칭 소자)13: 게이트 드라이버 회로
15: 제어회로17, 17u, 17v, 17w: 에미터 전극
17a: 에미터 전극의 대략 U자 형상 부분
본 발명에 관한 전력용 반도체장치는, 2개의 주전극 및 제어전극을 갖는 전력용 스위칭 소자와, 전력용 스위칭 소자의 주전극의 한 개에 접속된 금속 전극과, 전력용 스위칭 소자의 주전극 사이에서 흐르는 주전류를 검출하고, 그 검출된 주전류가 와전류라고 판정되었을 때 주전류를 제한하도록 전력용 스위칭 소자의 동작을 제어하는 게이트 드라이버 회로의 게이트-에미터간 전압을 강하시키는 제어회로를 구비한다. 전력용 반도체장치에 있어서, 보호수단은 전력용 스위칭 소자에 흐르는 주전류를 금속 전극의 소정의 2점 사이의 전압을 검출하는 것에 의해 검출한다. 이와 같이, 전력용 스위칭 소자에 접속되는 금속 전극을 사용하여, 전력용 스위칭 소자에 흐르는 주전류를 검출하는 것에 의해, 전력용 반도체장치에 있어서, 금속 전극에 의한 변동이 없는 안정된 과전류 검출이 가능하게 되고, 더구나 통상동작시의 손실을 저감할 수 있다.
전력용 반도체장치에 있어서, 금속 전극은 대략 U자 형상을 갖는 것이 바람직하다. 금속 전극을 대략 U자 형상으로 하는 것에 의해, 금속 전극의 인덕턴스 성분을 저감할 수 있어, 스위칭 동작에 의한 전류변화에 의해 발생하는 노이즈의 발생을 억제할 수 있다. 이것에 의해, 금속 전극의 인덕턴스 성분 때문에 생기는 스위칭 동작에 의한 노이즈의 발생을 억제할 수 있기 때문에, 제어회로로 피드백하는 전압에 노이즈가 발생하지 않으면서, 통상동작시의 잘못된 보호동작을 방지할 수 있다. 또한, 금속 전극의 저항값을 작게 할 수 있기 때문에, 손실을 저감할 수 있다.
전력용 반도체장치는, 직류전압을 다상 교류전압으로 변환하고, 각 상마다 직렬로 접속된 전력용 스위칭 소자로 이루어진 하프 브리지(half-bridge)를 갖는 전력변화장치를 구비하여도 된다. 이때, 각 상마다 하프 브리지에 있어서 저압측에 접속된 전력용 스위칭소자의 주전극의 한 개에 금속 전극이 접속되는 것이 바람직하다. 이와 같은 구성으로 하는 것에 의해, 각 상마다 과전류의 검출이 가능하게 된다.
[실시예]
이하, 첨부도면을 참조하여, 본 발명에 관한 전력용 반도체장치의 실시예를 상세히 설명한다.
실시예 1:
도 1에 본 발명에 관한 전력용 반도체장치(파워모듈)의 구성을 나타낸다. 도 1에 있어서 파워모듈은, 전력용 반도체 스위칭 소자인 IGBT(11)와, IGBT(11)를 구동하는 게이트 드라이버 회로(13)와, 게이트 드라이버 회로(13)를 제어하는 제어회로(15)를 구비한다. 제어회로(15)는 집적회로로서 제공된다. 제어회로(15)는 통상적으로는 게이트 드라이버 회로(13)를 제어하여 IGBT(11)의 스위칭 동작을 제어한다.
본 실시예의 파워모듈에 있어서, 스위칭 소자인 IGBT(11)의 에미터 단자에 배선접속용의 금속 전극(이하, 「에미터 전극」이라 한다)(17)이 접속되어 있으며, 특히, 이 에미터 전극(17)의 양단 전압은 제어회로(15)로 피드백된다. 제어회로(15)는, 에미터 전극(17)의 양단 전압에 근거하여 IGBT(11)의 콜렉터-에미터 사이에 흐르는 주전류를 검출하고, 그 주전류가 소정값 이상이 되었을 때 과전류가 발생하였다고 판단하여, 과전류에 대한 보호기능을 실행한다. 즉, 과전류 발생시에는, 제어회로(15)는 IGBT(11)의 에미터-게이트 사이의 전압을 강하시켜 IGBT(11)의 콜렉터-에미터 사이에 흐르는 전류를 제한하도록, 게이트 드라이버 회로(13)에 제어신호를 출력한다.
과전류 검출을 위해 사용되는 에미터 전극(17)의 저항값(Re)은 다음 식으로 얻어진다:
Re = Vfe/Ip(1)
여기에서, Vfe는, 제어회로(15)에 대한 설정전압으로, 제어회로(15)가 과전류의 검출을 판단할 때의 기준이 되는 설정전압이다. Ip는 과전류 보호를 위한 임계값 전류로서, 회로에 흐르는 전류가 과전류인 것으로 판단할 때의 기준이 되는 전류값으로 설정한다. 에미터 전극(17)의 저항값 Re가 상기 식의 관계를 만족하도록, 에미터 전극(17)의 재질의 저항율과 단면적이 결정된다.
이상과 같이, 본 실시예의 파워모듈에서는 스위칭 소자(11)의 에미터 전극(17)을 과전류 검출을 위한 수단으로 사용하고 있다. 에미터 전극(17)은 금속전극이기 때문에, 저항값이 낮고(예를 들면, 1mΩ), 또한, 저항값이 변동없이 안정하기 때문에, 종래와 같이 스위칭 소자(11)의 에미터 측에 저항소자를 설치하는 경우에 비해, 스위칭 동작시의 손실을 저감할 수 있으며, 안정된 과전류 검출이 가능하게 된다.
실시예 2:
도 2는, 전술한 파워모듈에 있어서, 과전류 검출용으로서 사용되는 에미터 전극(17)의 형상을 나타낸 도면이다. 도면에 나타낸 것과 같이, 절연기판(25) 위에는 에미터 전극(17)과 함께, 콜렉터 전극(21)이 설치되고, 에미터 와이어(23)로 전기적으로 접속되어 있다.
도 2에 나타낸 것과 같이 에미터 전극(17)은 대략 U자 형상 부분(17a)을 갖고 있다. 이 대략 U자 형상 부분(17a)의 저항값을 이용하기 때문에, 대략 U자 형상 부분(17a)의 양단이 제어회로(15)에 접속되어 있다.
이와 같이 에미터 전극(17)의 형상을 대략 U자 형상으로 하는 것은 다음의 이유에 의한다.
스위칭 동작시의 손실을 가능한한 저감하기 위해서는, 저항값 Re를 작게 하는 것이 바람직하며, 이를 위해서는 (1) 식에 의해, 전압 Vfe를 작게 할 필요가 있지만, 전압 Vfe를 작게 하면, 제어회로(15)는 과전류 검출에 있어서 노이즈의 영향을 받기 쉬워지고, 이때, 에미터 전극(17)의 인덕턴스 성분이 크면, 그것의 인덕턴스 성분과 스위칭시의 전류 변화에 의해 유기전압이 발생하여, 그것에 의한 오동작이 생길 우려가 있다. 그래서, 에미터 전극(17)의 형상을 대략 U자 형상으로 하는 것에 의해, 전극 상에서 발생하는 자계를 상쇄하여 에미터 전극(17)의 인덕턴스 성분을 저감한다. 이것에 의해, 스위칭시의 전류변화에 의해 발생하는 노이즈에 의한 오동작을 방지할 수 있다.
이상과 같이, 에미터 전극(17)의 형상을 대략 U자 형상으로 하는 것으로 에미터 전극(17)의 인덕턴스 성분을 저감하고, 이것에 의해, 스위칭시의 손실을 저감하면서, 오동작을 방지하는 과전류 검출을 가능하게 한다.
실시예 3:
도 3은, 6개의 IGBT를 사용하여 3상 인버터를 구성한 파워모듈의 구성을 나타낸 것이다. 3상 인버터(12)는 직류전압을 모터 구동을 위한 원하는 3상 전류로 변환하는 전력변환회로이다. 3상 인버터(12)의 각 IGBT는 게이트 드라이버 회로(13)에 의해 구동된다. 게이트 드라이버 회로(13)는 제어회로(15)에 의해 제어된다.
3상 인버터(12)는, 각 상(U상, V상, W상)마다 2개의 IGBT로 이루어진 하프 브리지를 포함한다. 각 상의 하부 아암의 IGBT의 에미터측에 소정의 저항(Re)을 갖는 에미터 전극(17u, 17v, 17w)을 설치하고 있다. 각 에미터 전극(17u, 17v, 17w)의 양단 전압은 제어회로(15)로 피드백 입력된다.
이상의 구성에 의해, 각 상마다 과전류 검출이 가능하게 되어, 3상 인버터(12)의 동작중에 아암 단락 등에 의한 과전류가 흐른 경우에도, 전체의 IGBT의 게이트 전압을 하강시켜 3상 인버터(12)의 동작을 즉시 정지할 수 있어, 모듈을 과전류에 의한 파괴로부터 보호할 수 있다.
본 발명에 따르면, 동작중의 손실을 저감하고, 안정되게 과전류 검출이 가능한 전력용 반도체장치를 실현할 수 있다.

Claims (3)

  1. 2개의 주전극 및 제어전극을 갖는 전력용 스위칭 소자와,
    이 전력용 스위칭 소자의 주전극의 한 개에 접속된 금속 전극과,
    전력용 스위칭 소자의 주전극 사이에서 흐르는 주전류를 검출하고, 이 검출된 주전류가 와전류라고 판정되었을 때 상기 주전류를 제한하도록 상기 전력용 스위칭 소자의 동작을 제어하는 보호수단을 구비한 전력용 반도체장치에 있어서,
    이 보호수단은, 상기 전력용 스위칭 소자에 흐르는 주전류를 상기 금속 전극의 소정의 2점 사이의 전압을 검출하는 것에 의해 검출하는 것을 특징으로 하는 전력용 반도체장치.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 금속 전극은 대략 U자 형상을 갖는 것을 특징으로 하는 전력용 반도체장치.
  3. 제 1항 또는 제 2항에 있어서,
    직류전압을 다상 교류전압으로 변환하고, 각 상마다 직렬로 접속된 상기 전력용 스위칭 소자로 이루어진 하프 브리지를 갖는 전력변화장치를 구비하고, 각 상마다 하프 브리지에 있어서 저압측에 접속된 전력용 스위칭소자의 주전극의 한 개에 상기 금속 전극이 접속된 것을 특징으로 하는 전력용 반도체장치.
KR10-2001-0083872A 2001-06-19 2001-12-24 전력용 반도체장치 KR100436352B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2001-00184943 2001-06-19
JP2001184943A JP2003009508A (ja) 2001-06-19 2001-06-19 電力用半導体装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20020096837A true KR20020096837A (ko) 2002-12-31
KR100436352B1 KR100436352B1 (ko) 2004-06-19

Family

ID=19024613

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR10-2001-0083872A KR100436352B1 (ko) 2001-06-19 2001-12-24 전력용 반도체장치

Country Status (5)

Country Link
US (1) US6724599B2 (ko)
JP (1) JP2003009508A (ko)
KR (1) KR100436352B1 (ko)
CH (1) CH696180A5 (ko)
DE (1) DE10162242B4 (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100714859B1 (ko) * 2005-02-25 2007-05-08 미쓰비시덴키 가부시키가이샤 전력용 반도체 장치
KR101316571B1 (ko) * 2011-11-07 2013-10-15 (주)하이브론 전류 감지 수단을 구비한 전력 스위칭 소자

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004303515A (ja) * 2003-03-31 2004-10-28 Tdk Corp 放電灯点灯装置
JP2004303501A (ja) * 2003-03-31 2004-10-28 Tdk Corp 放電灯点灯装置と同放電灯点灯装置による放電灯点灯方法
JP4342232B2 (ja) * 2003-07-11 2009-10-14 三菱電機株式会社 半導体パワーモジュールおよび該モジュールの主回路電流値を計測する主回路電流計測システム
JP2005303969A (ja) * 2004-03-17 2005-10-27 Nec Electronics Corp 過電流検出回路
JP2006109665A (ja) * 2004-10-08 2006-04-20 Denso Corp 過電流検出機能を有する集積回路装置
CN101867305B (zh) * 2005-03-31 2013-05-01 Abb研究有限公司 换流器阀
TWI403886B (zh) * 2008-12-02 2013-08-01 Richtek Technology Corp 負壓供應電路與供應負壓的方法
JP5705099B2 (ja) 2011-12-16 2015-04-22 三菱電機株式会社 半導体スイッチング装置
EP3105791B1 (en) * 2014-02-14 2021-05-26 ABB Power Grids Switzerland AG Semiconductor module with two auxiliary emitter conductor paths
WO2016067374A1 (ja) 2014-10-29 2016-05-06 株式会社日立製作所 半導体装置、パワーモジュール、および電力変換装置
JP6819540B2 (ja) * 2017-10-23 2021-01-27 三菱電機株式会社 半導体装置
EP4280277A1 (en) * 2022-05-16 2023-11-22 Infineon Technologies AG Power semiconductor module arrangement and method for producing a power semiconductor module arrangement

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61111821A (ja) * 1984-11-06 1986-05-29 Hitachi Seiko Ltd 放電加工用電源装置
US4954917A (en) * 1989-04-12 1990-09-04 General Electric Company Power transistor drive circuit with improved short circuit protection
JPH0390872A (ja) * 1989-09-01 1991-04-16 Toshiba Corp 半導体装置
JPH0691176B2 (ja) 1989-12-07 1994-11-14 株式会社東芝 大電力用半導体装置
JP2850606B2 (ja) * 1991-11-25 1999-01-27 富士電機株式会社 トランジスタモジュール
JP2656416B2 (ja) * 1991-12-16 1997-09-24 三菱電機株式会社 半導体装置および半導体装置の製造方法、並びに半導体装置に用いられる複合基板および複合基板の製造方法
JP3053298B2 (ja) * 1992-08-19 2000-06-19 株式会社東芝 半導体装置
JP2973799B2 (ja) * 1993-04-23 1999-11-08 富士電機株式会社 パワートランジスタモジュール
JPH08162631A (ja) * 1994-12-05 1996-06-21 Fuji Electric Co Ltd Ｉｇｂｔモジュール構造
KR0120301B1 (ko) * 1994-12-30 1997-10-23 석진철 인버터의 과전류 보호 장치
JP3168901B2 (ja) * 1996-02-22 2001-05-21 株式会社日立製作所 パワー半導体モジュール
DE19802604A1 (de) * 1997-01-27 1998-08-06 Int Rectifier Corp Motor-Steuergeräteschaltung
US6104149A (en) 1997-02-28 2000-08-15 International Rectifier Corp. Circuit and method for improving short-circuit capability of IGBTs
DE19823917A1 (de) * 1997-06-03 1998-12-10 Fuji Electric Co Ltd Stromrichtervorrichtung
JPH11265974A (ja) 1998-03-17 1999-09-28 Hitachi Ltd 電力用半導体モジュール
JP2000171491A (ja) 1998-12-03 2000-06-23 Mitsubishi Electric Corp パワー半導体モジュール
JP2001016082A (ja) * 1999-06-30 2001-01-19 Toshiba Corp 半導体保護装置
JP4475716B2 (ja) * 1999-09-20 2010-06-09 東芝エレベータ株式会社 電力変換器制御装置
DE10023950A1 (de) * 2000-05-16 2001-11-22 Bosch Gmbh Robert Halbleiter-Bauelement

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100714859B1 (ko) * 2005-02-25 2007-05-08 미쓰비시덴키 가부시키가이샤 전력용 반도체 장치
KR101316571B1 (ko) * 2011-11-07 2013-10-15 (주)하이브론 전류 감지 수단을 구비한 전력 스위칭 소자

Also Published As

Publication number Publication date
US6724599B2 (en) 2004-04-20
CH696180A5 (de) 2007-01-31
JP2003009508A (ja) 2003-01-10
DE10162242B4 (de) 2005-02-17
DE10162242A1 (de) 2003-01-09
US20020190325A1 (en) 2002-12-19
KR100436352B1 (ko) 2004-06-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0354435B1 (en) A drive circuit for an insulated gate transistor; and its use in a switching circuit, a current switching apparatus and an induction motor system
JP3868066B2 (ja) スイッチング回路装置のためのゲート電圧制限回路
US7576964B2 (en) Overvoltage protection circuit of output MOS transistor
JP2811872B2 (ja) 半導体装置の保護回路
KR100436352B1 (ko) 전력용 반도체장치
US4890009A (en) Monolithic integrated circuit device
KR20210010377A (ko) 게이트 드라이버 회로용 단락 검출 및 보호와 로직 분석을 사용하여 이를 검출하는 방법
KR100591205B1 (ko) 반도체 파워모듈 및 그 모듈의 주회로 전류값을 계측하는주회로 전류계측 시스템
JP3696833B2 (ja) 電力用半導体装置
JP5944698B2 (ja) パワー半導体スイッチの制御回路及びその制御方法
US11050358B2 (en) Power module with built-in drive circuit
KR102117719B1 (ko) 전력 반도체 회로
KR20060100840A (ko) 파워 모듈 회로
JP7047898B2 (ja) スイッチング装置及びスイッチング装置の制御方法
EP0388616A2 (en) Overcurrent protective circuit for electrostatic self-turn-off devices
US5737200A (en) Semiconductor device protection method
US5506478A (en) AC ignition system with optimized electronic circuit
CN114270205A (zh) 用于通过功率半导体开关中的饱和检测来进行短路探测的方法和装置
JPWO2017158867A1 (ja) 電力変換装置
JP3602011B2 (ja) 制御回路
JP3713795B2 (ja) 制御装置の出力回路
JP7332444B2 (ja) 電源装置及びリレー溶着検出装置
US6188213B1 (en) Electronic, preferably proximity-type, switching device
WO2023145144A1 (ja) パワー半導体モジュール
JPH11163698A (ja) 電圧駆動型半導体素子の過電流抑制回路及びそれを備える半導体装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20090525

Year of fee payment: 6

LAPS Lapse due to unpaid annual fee