DE10162242A1 - Leistungshalbleiterbauelement - Google Patents

Leistungshalbleiterbauelement

Info

Publication number
DE10162242A1
DE10162242A1 DE10162242A DE10162242A DE10162242A1 DE 10162242 A1 DE10162242 A1 DE 10162242A1 DE 10162242 A DE10162242 A DE 10162242A DE 10162242 A DE10162242 A DE 10162242A DE 10162242 A1 DE10162242 A1 DE 10162242A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
switching element
power
power switching
overcurrent
voltage
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DE10162242A
Other languages
English (en)
Other versions
DE10162242B4 (de
Inventor
Kouichi Mochizuku
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=19024613&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=DE10162242(A1) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Publication of DE10162242A1 publication Critical patent/DE10162242A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE10162242B4 publication Critical patent/DE10162242B4/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Withdrawn - After Issue legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for, e.g. in combination with batteries
    • H01L23/62—Protection against overvoltage, e.g. fuses, shunts
    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02H—EMERGENCY PROTECTIVE CIRCUIT ARRANGEMENTS
    • H02H7/00—Emergency protective circuit arrangements specially adapted for specific types of electric machines or apparatus or for sectionalised protection of cable or line systems, and effecting automatic switching in the event of an undesired change from normal working conditions
    • H02H7/20—Emergency protective circuit arrangements specially adapted for specific types of electric machines or apparatus or for sectionalised protection of cable or line systems, and effecting automatic switching in the event of an undesired change from normal working conditions for electronic equipment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1304—Transistor
    • H01L2924/1305—Bipolar Junction Transistor [BJT]
    • H01L2924/13055—Insulated gate bipolar transistor [IGBT]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/301—Electrical effects
    • H01L2924/30107—Inductance
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/08—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage
    • H03K17/082—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage by feedback from the output to the control circuit
    • H03K17/0828—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage by feedback from the output to the control circuit in composite switches

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Inverter Devices (AREA)
  • Power Conversion In General (AREA)
  • Electronic Switches (AREA)

Abstract

Ein Leistungshalbleiterbauelement weist folgendes auf: ein Leistungsschaltelement (11) mit zwei Hauptelektroden und einer Steuerelektrode, eine Metallelektrode (17), die mit einer der Hauptelektroden des Leistungsschaltelements (11) verbunden ist, und eine Schutzschaltung (15) zur Steuerung eines Betriebs des Leistungsschaltelements (11), derart, daß ein zwischen den Hauptelektroden des Leistungsschaltelements (11) fließender Hauptstrom detektiert und der Hauptstrom begrenzt wird, wenn bestimmt wird, daß der detektierte Hauptstrom ein Überstrom ist. Die Schutzschaltung (15) detektiert den durch das Leistungsschaltelement (11) fließenden Hauptstrom durch Detektieren einer Spannung zwischen zwei vorbestimmten Punkten der Metallelektrode (17).

Description

  • Die Erfindung betrifft einen Überstromschutz in einem Leistungshalbleiterbauelement, das Halbleiterschaltelemente, wie etwa einen IGBT verwendet.
  • Fig. 4 zeigt eine Teilkonfiguration eines Leistungsmoduls in einer Vorrichtung nach dem Stand der Technik, wobei ein Leistungshalbleiterschaltelement, wie etwa ein IGBT, verwendet wird. Der Ein-/Aus-Betrieb eines Schaltelements 31, wie etwa eines IGBT, wird von einer Gate-Ansteuerschaltung 33 gesteuert.
  • Bei dem herkömmlichen Leistungsmoduul ist ein Widerstand 32 in Reihe an der gemeinsamen Seite bzw. der Emitterseite des Schaltelements 31 zum Überstromschutz vorgesehen. Ein Spannungsabfall über dem Widerstand 32, der von einem durch das Schaltelement 31 fließenden Hauptstrom erzeugt wird, wird zu der Gate-Ansteuerschaltung 33 rückgeführt.
  • Die Ausgangsspannung der Gate-Ansteuerschaltung 33 wird konstant gehalten, und daher fällt die Spannung zwischen dem Emitter und dem Gate durch die Rückführungsspannung erheblich ab. Somit wird der Hauptstrom bei einem Kurzschluß des Schaltelements 31 unterdrückt, und dadurch kann das Betriebsverhalten bei einem Kurzschluß verbessert werden.
  • Bei dem oben beschriebenen Verfahren muß eine Spannung zwischen dem Emitter und dem Gate um mehrere Spannungen heruntertransformiert werden, um bei einem Kurzschluß einen übermäßig hohen Hauptstrom zu unterdrücken. Daher muß ein Widerstandswert des Widerstands 32 normalerweise auf einige zwanzig Milliohm eingestellt sein. Einige zwanzig Milliohm des Widerstands erhöhen aber den Verlust, der in dem Schaltelement an dem Widerstand 32 im Normalbetrieb erzeugt wird. Der Verlust kann zu hoch sein, um vernachlässigbar zu bleiben.
  • Die Erfindung ist darauf gerichtet, die vorstehenden Probleme zu lösen, und Aufgabe der Erfindung ist die Angabe eines Leistungshalbleiterbauelements, das die Energieverluste des Leistungsbausteins im Normalbetrieb verringern und mit hoher Präzision einen Überstromschutz erreichen kann.
  • Ein Leistungshalbleiterbauelement gemäß der Erfindung weist folgendes auf: ein Leistungsschaltelement, das zwei Hauptelektroden und eine Steuerelektrode hat; eine mit einer der Hauptelektroden des Leistungsschaltelements verbundene Metallelektrode; und eine Schutzschaltung zur Steuerung eines Betriebs des Leistungsschaltelements derart, daß ein zwischen den Hauptelektroden des Leistungsschaltelements fließender Hauptstrom detektiert und der Hauptstrom begrenzt wird, wenn der detektierte Hauptstrom als Überstrom detektiert wird.
  • Die Schutzschaltung detektiert den durch das Leistungsschaltelement fließenden Hauptstrom durch Detektieren einer Spannung zwischen zwei vorbestimmten Punkten der Metallelektrode. Durch Verwendung der Metallelektrode, die mit dem Leistungsschaltelement verbunden ist, wird der durch das Schaltelement fließende Hauptstrom detektiert, und es ist daher möglich, einen Überstrom ohne Änderungen auf stabile Weise zu detektieren und die im Normalbetrieb erzeugten Verluste zu verringern.
  • In dem Leistungshalbleiterbauelement kann die Metallelektrode U-förmig sein. Die U-Gestalt verringert die Induktivität der Metallelektrode, um ein Rauschen zu unterdrücken, das durch eine Änderung des Stroms aufgrund des Schaltvorgangs erzeugt wird.
  • Dies kann die Fehlfunktion im Normalbetrieb verhindern, ohne daß auf der Rückführungsspannung zu der Steuerschaltung Rauschen erzeugt wird. Ferner kann der Widerstandswert der Metallelektrode herabgesetzt werden, um die Verluste zu verringern.
  • Das Leistungshalbleiterbauelement kann einen Leistungsumwandlungsbereich zur Umwandlung einer Gleichspannung in eine vorgegebene Dreiphasenspannung zum Antreiben eines Motors aufweisen, wobei der Leistungsumwandlungsbereich Halbbrückenschaltungen aufweist, die jeweils für jede Phase vorgesehen sind und die in Reihe geschalteten Leistungsschaltelemente aufweisen.
  • Dann kann in jeder Phase die Metallelektrode mit einer der Hauptelektroden des Leistungsschaltelements verbunden sein, die an der unteren Seite der Halbbrücke angeschlossen sind.
  • Diese Konfiguration ermöglicht es, daß in jeder Phase ein Überstrom detektiert werden kann.
  • Gemäß der Erfindung kann das Leistungshalbleiterbauelement so ausgelegt werden, daß ein beim Schaltbetrieb erzeugter Verlust verringert wird und ein Überstrom auf stabile Weise detektiert werden kann.
  • Die Erfindung wird nachstehend, auch hinsichtlich weiterer Merkmale und Vorteile, anhand der Beschreibung von Ausführungsbeispielen unter Bezugnahme auf die beiliegenden Zeichnungen näher erläutert. Die Zeichnungen zeigen in:
  • Fig. 1 eine Konfiguration zum Detektieren eines Überstroms in einem Leistungsbaustein gemäß der Erfindung (erste Ausführungsform);
  • Fig. 2 die Gestalt einer Emitterelektrode in dem Leistungsbaustein (zweite Ausführungsform);
  • Fig. 3 die Position von Emitterelektroden zum Detektieren von Überstrom in dem Dreiphasen-Wechselrichter (dritte Ausführungsform); und
  • Fig. 4 eine Konfiguration gemäß dem Stand der Technik zum Detektieren eines Überstroms in einem Leistungsbaustein.
  • Bevorzugte Ausführungsformen des Leistungshalbleiterbauelements gemäß der Erfindung werden nachstehend unter Bezugnahme auf die Zeichnungen erläutert.
    • Erste Ausführungsform
  • Fig. 1 zeigt eine Konfiguration eines Leistungshalbleiterbauelements (eines Leistungsbausteins oder Leistungsmoduls) gemäß der Erfindung. Der Leistungsbaustein weist folgendes auf: einen IGBT 11, der ein Leistungshalbleiterschaltelement ist, eine Gate-Ansteuerschaltung oder Gate-Treiberschaltung 13 zum Ansteuern des IGBT 11, eine Steuerschaltung zur Steuerung der Gate-Ansteuerschaltung 13.
  • Die Steuerschaltung 15 ist als integrierter Schaltkreis implementiert. Die Steuerschaltung 15 steuert normalerweise die Gate-Ansteuerschaltung 13, um den Schaltbetrieb des IGBT 11 zu steuern.
  • Bei dem Leistungsbaustein dieser Ausführungsform ist eine Metallelektrode (Emitterelektrode) 17 mit einem Emitteranschluß des als Schaltelement dienenden IGBT 11 verbunden. Insbesondere dient der Widerstandswert der Metallelektrode 17 als Widerstand zum Detektieren eines Überstroms. Eine Spannung über der Emitterelektrode 17 wird zu der Steuerschaltung 15 rückgeführt.
  • Die Steuerschaltung 15 detektiert einen zwischen einem Kollektor und einem Emitter des IGBT 11 fließenden Hauptstrom auf der Basis einer Spannung über der Emitterelektrode 17. Wenn der detektierte Hauptstrom einen vorbestimmten Wert annimmt, bestimmt die Steuerschaltung, daß ein Überstrom vorliegt, und führt eine Funktion zum Schutz vor Überstrom aus.
  • Dabei gibt die Steuerschaltung beim Auftreten eines Überstroms ein Steuersignal an die Gate-Ansteuerschaltung 13 ab, um dadurch einen zwischen dem Kollektor und dem Emitter des IGBT 11 fließenden Strom durch Abwärtstransformieren einer Spannung zwischen Emitter und Gate des IGBT 11 zu begrenzen.
  • Der für die Überstromdetektierung genutzte Widerstandswert Re der Emitterelektrode 17 wird wie folgt ausgedrückt:

    Re = Vfe/Ip (1)

    Vfe ist eine Vorgabespannung für die Steuerschaltung 15, also eine Referenzspannung zur Bestimmung einer Überstromdetektierung. Ip ist ein Grenzstrom zum Überstromschutz und ist mit einem Referenzstrom vorgegeben, der dazu dient, zu bestimmen, daß ein durch die Schaltung fließender Strom ein Überstrom ist.
  • Der spezifische Widerstand und der Querschnitt eines Materials der Emitterelektrode 17 sind so festgelegt, daß der Widerstandswert Re der Emitterelektrode 17 der obigen Gleichung (1) genügt.
  • Wie oben beschrieben, verwendet ein Leistungsbaustein dieser Ausführungsform die Emitterelektrode 17 des Schaltelements 11 als Einrichtung zur Detektierung von Überstrom. Da die Emitterelektrode 17 aus einem Metall besteht, ist der Widerstandswert klein (z. B. 1 Milliohm) und stabil ohne Schwankungen.
  • Im Vergleich mit dem Stand der Technik, bei dem ein Widerstand an der Emitterseite des Schaltelements 11 angeordnet ist, kann daher diese Ausführungsform Verluste beim Schaltvorgang verringern und auf stabile Weise einen Überstrom detektieren.
    • Zweite Ausführungsform
  • Fig. 2 zeigt die Gestalt der Emitterelektrode 17, die in dem oben beschriebenen Leistungsbaustein zur Detektierung von Überstrom dient. Wie die Fig. 2 zeigt, sind eine Kollektorelektrode 21 sowie die Emitterelektrode 17 auf einem isolierenden Substrat 25 vorgesehen, und diese Elektroden 17, 21 sind über einen Emitterdraht 23 elektrisch miteinander verbunden.
  • Wie Fig. 2 zeigt, hat die Emitterelektrode 17 einen U-förmigen Bereich 17a. Um einen Widerstandswert des U-förmigen Bereichs 17a zu nutzen, sind beide Enden des U-förmigen Bereichs 17a mit der Steuerschaltung 15 verbunden.
  • Der Grund für die Verwendung eines solchen U-förmigen Bereichs 17a der Emitterelektrode 17 wird nachstehend beschrieben.
  • Zur möglichst weitgehenden Herabsetzung der beim Schaltbetrieb erzeugten Verluste wird es bevorzugt, den Widerstandswert Re zu verringern, und somit muß unter Berücksichtigung der Gleichung (1) die Spannung Vfe verringert werden.
  • Wenn Vfe auf einen kleinen Wert verringert wird, tendiert die Steuerschaltung 15 dazu, daß sie bei der Überstromdetektierung durch Rauschen beeinflußt wird. Wenn dabei die Induktivitätskomponente der Emitterelektrode 17 groß ist, wird durch die Induktivitätskomponente eine induzierte Spannung und eine Änderung des Stroms beim Schaltvorgang erzeugt, was zu einer Fehlfunktion führen kann.
  • Daher ist die Emitterelektrode 17 U-förmig ausgebildet, so daß ein an der Elektrode erzeugtes Magnetfeld aufgehoben werden kann, um die Induktivität der Emitterelektrode 17 zu verringern. Dadurch wird verhindert, daß durch ein Rauschen, das durch eine Änderung des Stroms beim Schaltvorgang erzeugt wird, eine Fehlfunktion auftritt.
  • Wie oben beschrieben wird, ist die Emitterelektrode 17 U-förmig ausgebildet, und somit kann die Induktivität der Emitterelektrode 17 verringert werden. Dadurch kann ein Überstrom detektiert werden, wodurch eine Fehlfunktion verhindert werden kann, und gleichzeitig werden die Verluste beim Schaltvorgang verringert.
    • Dritte Ausführungsform
  • Fig. 3 zeigt einen Leistungsbaustein, der einen Dreiphasen- Wechselrichter aufweist, der sechs IGBT verwendet. Der Dreiphasen-Wechselrichter 12 ist eine Schaltung zur Umwandlung einer Gleichspannung in eine vorbestimmte Dreiphasenspannung, um einen Motor anzutreiben. Jeder IGBT des Wechselrichters 112 wird von der Gate-Ansteuerschaltung 13 angesteuert, die von der Steuerschaltung 15 gesteuert wird.
  • Der Wechselrichter 12 weist Halbbrückenschaltungen auf, die jeweils für jede Phase (U-, V-, W-Phase) vorgesehen sind und zwei IGBT aufweisen. Die Emitterelektroden 17u, 17v und 17w, die einen vorbestimmten Widerstandswert (Re) haben, sind an der Emitterseite der IGBT eines jeweiligen unteren Zweigs angeordnet. Spannungen über den Emitterelektroden 17u, 17v und 17w werden zu der Steuerschaltung 15 rückgeführt.
  • Die oben beschriebene Konfiguration ermöglicht es, für jede Phase einen Überstrom zu detektieren. Selbst wenn also ein Überstrom von einem Kurzschluß des Zweigs erzeugt wird, während der Wechselrichter 12 aktiv ist, ist es möglich, den Wechselrichter 12 durch Abwärtstransformieren der Spannungen der Gates aller IGBT sehr schnell anzuhalten. Somit kann der Leistungsbaustein vor einem Zusammenbruch aufgrund des Überstroms geschützt werden.

Claims (3)

1. Leistungshalbleiterbauelement, das ein Leistungsschaltelement (11) mit zwei Hauptelektroden und einer Steuerelektrode aufweist, gekennzeichnet durch
eine Metallelektrode (17), die mit einer der Hauptelektroden des Leistungsschaltelements (11) verbunden ist; und
eine Schutzschaltung (15) zur Steuerung des Betriebs des Leistungsschaltelements (11) derart, daß ein zwischen den Hauptelektroden des Leistungsschaltelements (11) fließender Hauptstrom detektiert und der Hauptstrom begrenzt wird, wenn bestimmt worden ist, daß der detektierte Hauptstrom ein Überstrom ist;
wobei die Schutzschaltung (15) den durch das Leistungsschaltelement (11) fließenden Hauptstrom durch Detektieren einer Spannung zwischen zwei vorbestimmten Punkten der Metallelektrode (17) detektiert.
2. Leistungshalbleiterbauelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Metallelektrode (17) U-förmig ist.
3. Leistungshalbleiterbauelement nach Anspruch 1 oder 2, gekennzeichnet durch einen Leistungsumwandlungsbereich (12) zur Umwandlung einer Gleichspannung in eine vorbestimmte Dreiphasenspannung zum Treiben eines Motors, wobei der Leistungsumwandlungsbereich (12) Halbbrückenschaltungen aufweist, die jeweils für jede Phase vorgesehen sind und die die in Reihe geschalteten Leistungsschaltelemente (11u, 11v, 11w) aufweisen,
wobei in jeder Phase die Metallelektrode (17u, 17v, 17w) mit einer der Hauptelektroden des Leistungsschaltelements (11u, 11v, 11w) verbunden ist, das mit der unteren Seite der Halbbrücke verbunden ist.
DE10162242A 2001-06-19 2001-12-18 Leistungshalbleiterbauelement für beispielsweise Halbbrückenschaltungen Withdrawn - After Issue DE10162242B4 (de)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2001-184943 2001-06-19
JP2001184943A JP2003009508A (ja) 2001-06-19 2001-06-19 電力用半導体装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE10162242A1 true DE10162242A1 (de) 2003-01-09
DE10162242B4 DE10162242B4 (de) 2005-02-17

Family

ID=19024613

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE10162242A Withdrawn - After Issue DE10162242B4 (de) 2001-06-19 2001-12-18 Leistungshalbleiterbauelement für beispielsweise Halbbrückenschaltungen

Country Status (5)

Country Link
US (1) US6724599B2 (de)
JP (1) JP2003009508A (de)
KR (1) KR100436352B1 (de)
CH (1) CH696180A5 (de)
DE (1) DE10162242B4 (de)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8823054B2 (en) 2011-12-16 2014-09-02 Mitsubishi Electric Corporation Semiconductor switching device
DE112014006788B4 (de) 2014-10-29 2022-05-12 Hitachi, Ltd. Halbleiterbauelement, Leistungsmodul und Leistungswandler

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004303515A (ja) * 2003-03-31 2004-10-28 Tdk Corp 放電灯点灯装置
JP2004303501A (ja) * 2003-03-31 2004-10-28 Tdk Corp 放電灯点灯装置と同放電灯点灯装置による放電灯点灯方法
JP4342232B2 (ja) * 2003-07-11 2009-10-14 三菱電機株式会社 半導体パワーモジュールおよび該モジュールの主回路電流値を計測する主回路電流計測システム
JP2005303969A (ja) * 2004-03-17 2005-10-27 Nec Electronics Corp 過電流検出回路
JP2006109665A (ja) * 2004-10-08 2006-04-20 Denso Corp 過電流検出機能を有する集積回路装置
JP4681911B2 (ja) * 2005-02-25 2011-05-11 三菱電機株式会社 電力用半導体装置
CN101867305B (zh) * 2005-03-31 2013-05-01 Abb研究有限公司 换流器阀
TWI403886B (zh) * 2008-12-02 2013-08-01 Richtek Technology Corp 負壓供應電路與供應負壓的方法
KR101316571B1 (ko) * 2011-11-07 2013-10-15 (주)하이브론 전류 감지 수단을 구비한 전력 스위칭 소자
CN106165095B (zh) * 2014-02-14 2018-10-19 Abb 瑞士有限公司 具有两个辅助发射极导体路径的半导体模块
JP6819540B2 (ja) * 2017-10-23 2021-01-27 三菱電機株式会社 半導体装置
EP4280277A1 (de) * 2022-05-16 2023-11-22 Infineon Technologies AG Leistungshalbleitermodulanordnung und verfahren zum produzieren einer leistungshalbleitermodulanordnung

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61111821A (ja) * 1984-11-06 1986-05-29 Hitachi Seiko Ltd 放電加工用電源装置
US4954917A (en) * 1989-04-12 1990-09-04 General Electric Company Power transistor drive circuit with improved short circuit protection
JPH0390872A (ja) * 1989-09-01 1991-04-16 Toshiba Corp 半導体装置
JPH0691176B2 (ja) 1989-12-07 1994-11-14 株式会社東芝 大電力用半導体装置
JP2850606B2 (ja) * 1991-11-25 1999-01-27 富士電機株式会社 トランジスタモジュール
JP2656416B2 (ja) * 1991-12-16 1997-09-24 三菱電機株式会社 半導体装置および半導体装置の製造方法、並びに半導体装置に用いられる複合基板および複合基板の製造方法
JP3053298B2 (ja) * 1992-08-19 2000-06-19 株式会社東芝 半導体装置
JP2973799B2 (ja) * 1993-04-23 1999-11-08 富士電機株式会社 パワートランジスタモジュール
JPH08162631A (ja) * 1994-12-05 1996-06-21 Fuji Electric Co Ltd Ｉｇｂｔモジュール構造
KR0120301B1 (ko) * 1994-12-30 1997-10-23 석진철 인버터의 과전류 보호 장치
JP3168901B2 (ja) * 1996-02-22 2001-05-21 株式会社日立製作所 パワー半導体モジュール
DE19802604A1 (de) * 1997-01-27 1998-08-06 Int Rectifier Corp Motor-Steuergeräteschaltung
US6104149A (en) 1997-02-28 2000-08-15 International Rectifier Corp. Circuit and method for improving short-circuit capability of IGBTs
DE19823917A1 (de) * 1997-06-03 1998-12-10 Fuji Electric Co Ltd Stromrichtervorrichtung
JPH11265974A (ja) 1998-03-17 1999-09-28 Hitachi Ltd 電力用半導体モジュール
JP2000171491A (ja) 1998-12-03 2000-06-23 Mitsubishi Electric Corp パワー半導体モジュール
JP2001016082A (ja) * 1999-06-30 2001-01-19 Toshiba Corp 半導体保護装置
JP4475716B2 (ja) * 1999-09-20 2010-06-09 東芝エレベータ株式会社 電力変換器制御装置
DE10023950A1 (de) * 2000-05-16 2001-11-22 Bosch Gmbh Robert Halbleiter-Bauelement

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8823054B2 (en) 2011-12-16 2014-09-02 Mitsubishi Electric Corporation Semiconductor switching device
DE102012220127B4 (de) * 2011-12-16 2021-05-06 Mitsubishi Electric Corporation Halbleiterschaltvorrichtung
DE112014006788B4 (de) 2014-10-29 2022-05-12 Hitachi, Ltd. Halbleiterbauelement, Leistungsmodul und Leistungswandler

Also Published As

Publication number Publication date
DE10162242B4 (de) 2005-02-17
US20020190325A1 (en) 2002-12-19
JP2003009508A (ja) 2003-01-10
CH696180A5 (de) 2007-01-31
US6724599B2 (en) 2004-04-20
KR20020096837A (ko) 2002-12-31
KR100436352B1 (ko) 2004-06-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE4207568C2 (de) Überstrom-Detektorschaltung für eine Leistungshalbleiteranordnung
DE69407914T2 (de) Schutzvorrichtung gegen Überstrom für einen Transistor
DE112006001377B4 (de) Energieversorgungssteuerung
DE112013001123B4 (de) Leistungsschaltung
DE10151177B4 (de) Vorrichtung zur Steuerung einer mittels eines Motors betriebenen Servolenkeinrichtung
DE10162242A1 (de) Leistungshalbleiterbauelement
DE112010005430T5 (de) Wandlervorrichtung für elektrische Energie und Überspannungs-Unterdrückungsverfahren
DE4410978A1 (de) Verfahren und Schaltung zur Verbesserung der Kurzschlußbeständigkeit eines bipolaren IGBT
DE102005022309A1 (de) Halbleitervorrichtung
DE69931120T2 (de) Temperaturerfassung in einem spannungsgesteuerten Halbleiter-Bauelement
DE10325588A1 (de) Integrierte MOS-Gate-Treiberschaltung mit adaptiver Totzeit
DE102005003643B4 (de) Schaltungsvorrichtung mit einem Strombegrenzer eines Ausgangstransistors
DE112018005588T5 (de) Überstrom-erfassungseinrichtung, steuereinrichtung und überstrom-erfassungsverfahren
DE102013213802A1 (de) Überspannungsschutz für aktive Gleichrichter bei Lastabwurf
DE102005022074A1 (de) Halbleitervorrichtung mit einer Leistungsschalterhalbleitervorrichtung
DE10254619A1 (de) Leistungshalbleiterbaugruppe
WO2018054835A1 (de) Solarmodul, photovoltaikanlage und verfahren zur spannungsbegrenzung
DE4012382C2 (de)
EP1327290B1 (de) Schaltungsanordnung zum überwachen und/oder zum einstellen von versorgungsspannungen
DE102016210798B3 (de) Leistungshalbleiterschaltung
EP3857193B1 (de) Temperaturmessung eines halbleiterleistungsschaltelementes
DE19749558C2 (de) Überspannungsbegrenzer für einen Gleichrichter in Drehstrom-Brückenschaltung
DE112016002954T5 (de) Wechselrichtervorrichtung für ein elektrisch angetriebenes Fahrzeug
DE102015210563A1 (de) Stromrichter
DE102007040166B4 (de) Motorsteuerungsvorrichtung

Legal Events

Date Code Title Description
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law
8381 Inventor (new situation)

Inventor name: MOCHIZUKI, KOUICHI, NISHI, FUKUOKA, JP

8363 Opposition against the patent
8330 Complete renunciation