JPH08162631A - Ｉｇｂｔモジュール構造 - Google Patents
Ｉｇｂｔモジュール構造Info
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- JPH08162631A JPH08162631A JP30047494A JP30047494A JPH08162631A JP H08162631 A JPH08162631 A JP H08162631A JP 30047494 A JP30047494 A JP 30047494A JP 30047494 A JP30047494 A JP 30047494A JP H08162631 A JPH08162631 A JP H08162631A
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- Japan
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- emitter
- igbt
- electrode
- terminal
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
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- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Abstract
(57)【要約】
【目的】過電流保護回路とゲート駆動回路のアース電位
を一致させることで負荷電流変動によって発生するエミ
ッタ電極と主エミッタ端子間の電圧変動による過電流保
護回路の誤動作や発振現象を抑制する。 【構成】電流検出電極５を有するＩＧＢＴ１のエミッタ
電極４、ゲート電極３、電流検出電極５が過電流保護回
路１１と接続され、ゲート電極３、コレクタ電極２がＩ
ＧＢＴモジュール１７のゲート端子７、コレクタ端子６
とそれぞれ接続され、エミッタ電極４が補助エミッタ端
子９と主エミッタ端子８とに接続され、補助エミッタ端
子９がゲート駆動回路１３のアース端子１４と、主エミ
ッタ端子８が主回路電源１５とにそれぞれ接続される。
を一致させることで負荷電流変動によって発生するエミ
ッタ電極と主エミッタ端子間の電圧変動による過電流保
護回路の誤動作や発振現象を抑制する。 【構成】電流検出電極５を有するＩＧＢＴ１のエミッタ
電極４、ゲート電極３、電流検出電極５が過電流保護回
路１１と接続され、ゲート電極３、コレクタ電極２がＩ
ＧＢＴモジュール１７のゲート端子７、コレクタ端子６
とそれぞれ接続され、エミッタ電極４が補助エミッタ端
子９と主エミッタ端子８とに接続され、補助エミッタ端
子９がゲート駆動回路１３のアース端子１４と、主エミ
ッタ端子８が主回路電源１５とにそれぞれ接続される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、過電流保護回路付き
ＩＧＢＴのエミッタ電極とゲート駆動回路のアース端子
とが接続する構造のＩＧＢＴモジュール構造に関する。
ＩＧＢＴのエミッタ電極とゲート駆動回路のアース端子
とが接続する構造のＩＧＢＴモジュール構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】各種インバータ回路にＩＧＢＴモジュー
ルが多用されている。インバータ回路において、モータ
などの負荷が短絡すると、ＩＧＢＴを安全にオフし負荷
電流を遮断する必要がある。そのために、ＩＧＢＴがラ
ッチアップにより破壊せぬように過電流が流れたら、ゲ
ート電圧を低下させて、負荷電流を抑制する過電流保護
回路をモジュール内に設けている。図３は従来のＩＧＢ
Ｔモジュールの内部回路とゲート駆動回路との配線状態
を示す。同図（ａ）はＩＧＢＴ単体の場合で、モジュー
ル内のＩＧＢＴチップ上の電流検出用エミッタ電極５、
エミッタ電極４、ゲート電極３は直接過電流保護回路１
１と接続している。またエミッタ電極４はＩＧＢＴモジ
ュール１７の主エミッタ端子８と内部配線で接続し、主
エミッタ端子８はゲート駆動回路１３のアース端子１４
と接続する。コレクタ端子６と主エミッタ端子８は主回
路電源１５と接続する。図ではブラックボックスになっ
ている過電流保護回路は例えばダイオードとＭＯＳＦＥ
Ｔとが直列に接続し、ＭＯＳＦＥＴのドレインはダイオ
ードのカソードと接続し、ＭＯＳＦＥＴのゲートはＩＧ
ＢＴの電流検出用エミッタ電極５と接続し、ダイオード
のアノードはＩＧＢＴのゲート電極３と接続し、ＭＯＳ
ＦＥＴのソースは過電流電流回路のアース電位部となり
ＩＧＢＴのエミッタ電極４と接続する。
ルが多用されている。インバータ回路において、モータ
などの負荷が短絡すると、ＩＧＢＴを安全にオフし負荷
電流を遮断する必要がある。そのために、ＩＧＢＴがラ
ッチアップにより破壊せぬように過電流が流れたら、ゲ
ート電圧を低下させて、負荷電流を抑制する過電流保護
回路をモジュール内に設けている。図３は従来のＩＧＢ
Ｔモジュールの内部回路とゲート駆動回路との配線状態
を示す。同図（ａ）はＩＧＢＴ単体の場合で、モジュー
ル内のＩＧＢＴチップ上の電流検出用エミッタ電極５、
エミッタ電極４、ゲート電極３は直接過電流保護回路１
１と接続している。またエミッタ電極４はＩＧＢＴモジ
ュール１７の主エミッタ端子８と内部配線で接続し、主
エミッタ端子８はゲート駆動回路１３のアース端子１４
と接続する。コレクタ端子６と主エミッタ端子８は主回
路電源１５と接続する。図ではブラックボックスになっ
ている過電流保護回路は例えばダイオードとＭＯＳＦＥ
Ｔとが直列に接続し、ＭＯＳＦＥＴのドレインはダイオ
ードのカソードと接続し、ＭＯＳＦＥＴのゲートはＩＧ
ＢＴの電流検出用エミッタ電極５と接続し、ダイオード
のアノードはＩＧＢＴのゲート電極３と接続し、ＭＯＳ
ＦＥＴのソースは過電流電流回路のアース電位部となり
ＩＧＢＴのエミッタ電極４と接続する。
【０００３】同図（ｂ）は複数個のＩＧＢＴ１が並列接
続した場合の従来回路例で主エミッタ端子８と各ＩＧＢ
Ｔ１のエミッタ電極４とは板状の導体（セラミックなど
の絶縁基板上に金属膜を被覆して形成されることが多
い）とワイヤー状の導体を介して接続する。配線インダ
クタンスは板状部分がＬ3 、Ｌ5 、Ｌ8 でワイヤー部分
がＬ2 、Ｌ4 、Ｌ7 、Ｌ9 である。ゲート駆動回路１３
のアース端子１４と接続するＩＧＢＴモジュール１７の
補助エミッタ端子９は前記板状の導体の一端と接続して
いる。また過電流保護回路１１は図示した様に代表の一
個のＩＧＢＴ１に接続している。コレクタ端子６と主エ
ミッタ端子８とは主回路電源１５と接続する。ゲート駆
動回路１３のアース端子１４は補助エミッタ端子９を介
してエミッタ電極４と接続する。このような回路では負
過電流１６は各ＩＧＢＴ１の内部配線インダクタンスの
違いからアンバランスに流れる。
続した場合の従来回路例で主エミッタ端子８と各ＩＧＢ
Ｔ１のエミッタ電極４とは板状の導体（セラミックなど
の絶縁基板上に金属膜を被覆して形成されることが多
い）とワイヤー状の導体を介して接続する。配線インダ
クタンスは板状部分がＬ3 、Ｌ5 、Ｌ8 でワイヤー部分
がＬ2 、Ｌ4 、Ｌ7 、Ｌ9 である。ゲート駆動回路１３
のアース端子１４と接続するＩＧＢＴモジュール１７の
補助エミッタ端子９は前記板状の導体の一端と接続して
いる。また過電流保護回路１１は図示した様に代表の一
個のＩＧＢＴ１に接続している。コレクタ端子６と主エ
ミッタ端子８とは主回路電源１５と接続する。ゲート駆
動回路１３のアース端子１４は補助エミッタ端子９を介
してエミッタ電極４と接続する。このような回路では負
過電流１６は各ＩＧＢＴ１の内部配線インダクタンスの
違いからアンバランスに流れる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】図３（ａ）では負荷短
絡や回路短絡が発生すると、ＩＧＢＴ１に急峻な立上が
りの負荷電流１６が流れ、エミッタ電極４とアース電位
にある主エミッタ端子８の間の内部配線で生ずるインダ
クタンス（配線インダクタンスＬ1)のために、エミッタ
電極４の電位がアース電位に対して変動し、そのため過
電流保護回路１１のアース電位部１２が振られて誤動作
したり、振動電流が流れたりする不都合が生じる。
絡や回路短絡が発生すると、ＩＧＢＴ１に急峻な立上が
りの負荷電流１６が流れ、エミッタ電極４とアース電位
にある主エミッタ端子８の間の内部配線で生ずるインダ
クタンス（配線インダクタンスＬ1)のために、エミッタ
電極４の電位がアース電位に対して変動し、そのため過
電流保護回路１１のアース電位部１２が振られて誤動作
したり、振動電流が流れたりする不都合が生じる。
【０００５】同図（ｂ）でも、また過電流保護回路１１
のアース電位部１２がゲート駆動回路のアース電位に対
して、負荷電流の変化（ｄｉ／ｄｔ）と配線インダクタ
ンスＬ2 による発生する電圧で振られて、過電流保護回
路１１が誤動作したり、振動電流が流れたりする不都合
が生じる。この発明は前記不都合に鑑み、負荷電流変動
によって発生するエミッタ電極と主エミッタ端子間の電
圧変動による過電流保護回路の誤動作や発振現象を抑制
することを目的とする。
のアース電位部１２がゲート駆動回路のアース電位に対
して、負荷電流の変化（ｄｉ／ｄｔ）と配線インダクタ
ンスＬ2 による発生する電圧で振られて、過電流保護回
路１１が誤動作したり、振動電流が流れたりする不都合
が生じる。この発明は前記不都合に鑑み、負荷電流変動
によって発生するエミッタ電極と主エミッタ端子間の電
圧変動による過電流保護回路の誤動作や発振現象を抑制
することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この発明は前記の目的を
達成するために、電流検出用エミッタ電極を有する絶縁
ゲート形トランジスタ（ＩＧＢＴ）で、電流検出用エミ
ッタ電極、ゲート電極およびエミッタ電極とがそれぞれ
過電流保護回路とモジュール内で接続する過電流保護回
路付きＩＧＢＴモジュールにおいて、このＩＧＢＴを駆
動するゲート駆動回路のアース端子と接続する補助エミ
ッタ端子を有する構造とする。
達成するために、電流検出用エミッタ電極を有する絶縁
ゲート形トランジスタ（ＩＧＢＴ）で、電流検出用エミ
ッタ電極、ゲート電極およびエミッタ電極とがそれぞれ
過電流保護回路とモジュール内で接続する過電流保護回
路付きＩＧＢＴモジュールにおいて、このＩＧＢＴを駆
動するゲート駆動回路のアース端子と接続する補助エミ
ッタ端子を有する構造とする。
【０００７】また電流検出用エミッタ電極を有する絶縁
ゲート形トランジスタ（ＩＧＢＴ）で、電流検出用エミ
ッタ電極、ゲート電極およびエミッタ電極がそれぞれ過
電流保護回路と接続されるＩＧＢＴと過電流保護回路を
有しないＩＧＢＴが、モジュール内で複数個並列接続さ
れる過電流保護回路付きＩＧＢＴモジュールにおいて、
このＩＧＢＴを駆動するゲート駆動回路のアース端子が
ＩＧＢＴの補助エミッタ端子に接続され、補助エミッタ
端子と主電流を流す主エミッタ端子とはモジュール内の
導体の共通エミッタ部に接続され、共通エミッタ部と各
エミッタ電極および過電流保護回路のアース電位部とが
接続され、さらに共通エミッタ部と各エミッタ電極との
間の配線インダクタンスが同一になるように配線するこ
ととする。
ゲート形トランジスタ（ＩＧＢＴ）で、電流検出用エミ
ッタ電極、ゲート電極およびエミッタ電極がそれぞれ過
電流保護回路と接続されるＩＧＢＴと過電流保護回路を
有しないＩＧＢＴが、モジュール内で複数個並列接続さ
れる過電流保護回路付きＩＧＢＴモジュールにおいて、
このＩＧＢＴを駆動するゲート駆動回路のアース端子が
ＩＧＢＴの補助エミッタ端子に接続され、補助エミッタ
端子と主電流を流す主エミッタ端子とはモジュール内の
導体の共通エミッタ部に接続され、共通エミッタ部と各
エミッタ電極および過電流保護回路のアース電位部とが
接続され、さらに共通エミッタ部と各エミッタ電極との
間の配線インダクタンスが同一になるように配線するこ
ととする。
【０００８】
【作用】この手段によれば、過電流保護回路と接続する
ＩＧＢＴのエミッタ電極とゲート駆動回路のアース端子
がモジュールの補助エミッタ端子を介して接続されるた
め、負過電流のｄｉ／ｄｔで発生する電位変動の影響を
除去できる。また複数個のＩＧＢＴが並列接続される場
合、主エミッタ端子に過電流が流れても、各エミッタ電
極への配線インダクタンスが同一のため、各エミッタ電
極の電位は同じように変動し、電流集中があるＩＧＢＴ
に偏ることはない。またゲート駆動回路のアース端子を
接続している主エミッタ端子に過電流保護回路のアース
電位側の導線が接続するため、負荷電流のｄｉ／ｄｔで
発生する電位変動の影響を除去できる。
ＩＧＢＴのエミッタ電極とゲート駆動回路のアース端子
がモジュールの補助エミッタ端子を介して接続されるた
め、負過電流のｄｉ／ｄｔで発生する電位変動の影響を
除去できる。また複数個のＩＧＢＴが並列接続される場
合、主エミッタ端子に過電流が流れても、各エミッタ電
極への配線インダクタンスが同一のため、各エミッタ電
極の電位は同じように変動し、電流集中があるＩＧＢＴ
に偏ることはない。またゲート駆動回路のアース端子を
接続している主エミッタ端子に過電流保護回路のアース
電位側の導線が接続するため、負荷電流のｄｉ／ｄｔで
発生する電位変動の影響を除去できる。
【０００９】
【実施例】図１はＩＧＢＴ単体の場合の第１実施例を示
す。ＩＧＢＴ１は電流検出用エミッタ電極５を有し、Ｉ
ＧＢＴ１チップ上のゲート電極３、エミッタ電極４、電
流検出用エミッタ電極５は過電流保護回路１１と導線で
接続し、ゲート電極３、コレクタ電極２はゲート端子
７、コレクタ端子６とそれぞれ導線で接続し、エミッタ
電極４は補助エミッタ端子９と主エミッタ端子８とにそ
れぞれ導線で接続し、補助エミッタ端子９はゲート駆動
回路１３のアース端子１４と接続し、コレクタ端子６と
主エミッタ端子８とが主回路電源１５と接続する。この
回路では過電流保護回路１１のアース電位とゲート駆動
回路１３のアース電位がＩＧＢＴのエミッタ電極４の電
位と同一となり、従来回路のような負荷電流の変化（ｄ
ｉ／ｄｔ）とエミッタ電極４と主エミッタ端子８間の配
線インダクタンスＬ1 による電圧変動を過電流保護回路
１１は受けないため、過電流保護回路１１が誤動作した
り、振動現象が起こることはない。ここで過電流保護回
路１１の内部構成については前記の従来技術で説明した
ので省略する。
す。ＩＧＢＴ１は電流検出用エミッタ電極５を有し、Ｉ
ＧＢＴ１チップ上のゲート電極３、エミッタ電極４、電
流検出用エミッタ電極５は過電流保護回路１１と導線で
接続し、ゲート電極３、コレクタ電極２はゲート端子
７、コレクタ端子６とそれぞれ導線で接続し、エミッタ
電極４は補助エミッタ端子９と主エミッタ端子８とにそ
れぞれ導線で接続し、補助エミッタ端子９はゲート駆動
回路１３のアース端子１４と接続し、コレクタ端子６と
主エミッタ端子８とが主回路電源１５と接続する。この
回路では過電流保護回路１１のアース電位とゲート駆動
回路１３のアース電位がＩＧＢＴのエミッタ電極４の電
位と同一となり、従来回路のような負荷電流の変化（ｄ
ｉ／ｄｔ）とエミッタ電極４と主エミッタ端子８間の配
線インダクタンスＬ1 による電圧変動を過電流保護回路
１１は受けないため、過電流保護回路１１が誤動作した
り、振動現象が起こることはない。ここで過電流保護回
路１１の内部構成については前記の従来技術で説明した
ので省略する。
【００１０】図２は複数個のＩＧＢＴを並列接続した場
合の第２実施例を示す。同図では４個のＩＧＢＴ１が並
列接続されている場合で、過電流保護回路１１は代表の
一個のみにＩＧＢＴ１に付いている。また過電流保護回
路１１を有しないＩＧＢＴは電流検出用エミッタ電極の
ないＩＧＢＴでも勿論よい。図１と異なる点は過電流保
護回路１１のアース電位部１２と共通エミッタ部とが接
続し、またゲート駆動回路１３のアース端子１４と共通
エミッタ部１０とが補助エミッタ端子９を介して接続
し、この共通エミッタ部１０が主電流を流す主エミッタ
端子８と接続し、共通エミッタ部１０から各ＩＧＢＴ１
のエミッタ電極４までは板状の導体とワイヤー状の導体
で結ばれており、Ｌ3 、Ｌ5 、Ｌ6 、Ｌ8 は板状の導体
の配線インダクタンスで、Ｌ2 、Ｌ4 、Ｌ7 、Ｌ9 はワ
イヤー状の配線インダクタンスである。配線インダクタ
ンスをＬ2+Ｌ3 ＝Ｌ4 、Ｌ8+Ｌ9 ＝Ｌ7 、Ｌ4 ＝Ｌ7 、
Ｌ5＝Ｌ6 とすることで、主エミッタ端子８と各ＩＧＢ
Ｔ１のエミッタ電極４との間の配線インダクタンスを同
一としていることである。このようにすることで各ＩＧ
ＢＴ１の電流バランスをとり、しかも図１のように負荷
電流１６の変化によるエミッタ電極４と主エミッタ端子
８間の配線インダクタンスによる電圧変動を過電流保護
回路１１が受けないようにして、過電流保護回路１１の
誤動作や発振現象を抑制している。
合の第２実施例を示す。同図では４個のＩＧＢＴ１が並
列接続されている場合で、過電流保護回路１１は代表の
一個のみにＩＧＢＴ１に付いている。また過電流保護回
路１１を有しないＩＧＢＴは電流検出用エミッタ電極の
ないＩＧＢＴでも勿論よい。図１と異なる点は過電流保
護回路１１のアース電位部１２と共通エミッタ部とが接
続し、またゲート駆動回路１３のアース端子１４と共通
エミッタ部１０とが補助エミッタ端子９を介して接続
し、この共通エミッタ部１０が主電流を流す主エミッタ
端子８と接続し、共通エミッタ部１０から各ＩＧＢＴ１
のエミッタ電極４までは板状の導体とワイヤー状の導体
で結ばれており、Ｌ3 、Ｌ5 、Ｌ6 、Ｌ8 は板状の導体
の配線インダクタンスで、Ｌ2 、Ｌ4 、Ｌ7 、Ｌ9 はワ
イヤー状の配線インダクタンスである。配線インダクタ
ンスをＬ2+Ｌ3 ＝Ｌ4 、Ｌ8+Ｌ9 ＝Ｌ7 、Ｌ4 ＝Ｌ7 、
Ｌ5＝Ｌ6 とすることで、主エミッタ端子８と各ＩＧＢ
Ｔ１のエミッタ電極４との間の配線インダクタンスを同
一としていることである。このようにすることで各ＩＧ
ＢＴ１の電流バランスをとり、しかも図１のように負荷
電流１６の変化によるエミッタ電極４と主エミッタ端子
８間の配線インダクタンスによる電圧変動を過電流保護
回路１１が受けないようにして、過電流保護回路１１の
誤動作や発振現象を抑制している。
【００１１】
【発明の効果】前記の回路構成にすることで、過電流保
護回路とゲート駆動回路のアース電位を一致させ、負荷
電流変動によって発生するエミッタ電極と主エミッタ端
子間の電圧変動による過電流保護回路の誤動作や発振現
象を抑制する。
護回路とゲート駆動回路のアース電位を一致させ、負荷
電流変動によって発生するエミッタ電極と主エミッタ端
子間の電圧変動による過電流保護回路の誤動作や発振現
象を抑制する。
【図１】第１実施例の回路図
【図２】第２実施例の回路図
【図３】従来例で同図（ａ）はＩＧＢＴ単体の回路図、
同図（ｂ）は複数個のＩＧＢＴを並列接続した回路図
同図（ｂ）は複数個のＩＧＢＴを並列接続した回路図
１ ＩＧＢＴ ２ コレクタ電極部 ３ ゲート電極 ４ エミッタ部電極 ５ 電流検出用エミッタ電極 ６ コレクタ端子 ７ ゲート端子 ８ 主エミッタ端子 ９ 補助エミッタ端子 １０ 共通エミッタ部 １１ 過電流保護回路 １２ アース電位部 １３ ゲート駆動回路 １４ アース端子 １５ 主回路電源 １６ 負荷電流 １７ ＩＧＢＴモジュール Ｌ1 〜Ｌ9 配線インダクタンス（モジュール内部）
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 9055−4Ｍ Ｈ０１Ｌ 29/78 ６５７ Ｆ
Claims (3)
- 【請求項１】電流検出用エミッタ電極を有する絶縁ゲー
ト形トランジスタ（ＩＧＢＴ）の、電流検出用エミッタ
電極、ゲート電極およびエミッタ電極がそれぞれ過電流
保護回路とモジュール内で接続する過電流保護回路付き
ＩＧＢＴモジュールにおいて、このＩＧＢＴを駆動する
ゲート駆動回路のアース端子が接続される、補助エミッ
タ端子を有することを特徴とするＩＧＢＴモジュール構
造。 - 【請求項２】電流検出用エミッタ電極を有する絶縁ゲー
ト形トランジスタ（ＩＧＢＴ）の、電流検出用エミッタ
電極、ゲート電極およびエミッタ電極がそれぞれ過電流
保護回路と接続されるＩＧＢＴと過電流保護回路を有し
ないＩＧＢＴとが、モジュール内で複数個並列接続され
る過電流保護回路付きＩＧＢＴモジュールにおいて、こ
のＩＧＢＴを駆動するゲート駆動回路のアース端子がＩ
ＧＢＴの補助エミッタ端子に接続され、補助エミッタ端
子と主電流を流す主エミッタ端子とはモジュール内の導
体の共通エミッタ部に接続され、共通エミッタ部と各エ
ミッタ電極および過電流保護回路のアース電位部とが接
続されることを特徴とするＩＧＢＴモジュール構造。 - 【請求項３】共通エミッタ部と各エミッタ電極との間の
配線インダクタンスが同一であることを特徴とする請求
項２記載のＩＧＢＴモジュール構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30047494A JPH08162631A (ja) | 1994-12-05 | 1994-12-05 | Ｉｇｂｔモジュール構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30047494A JPH08162631A (ja) | 1994-12-05 | 1994-12-05 | Ｉｇｂｔモジュール構造 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08162631A true JPH08162631A (ja) | 1996-06-21 |
Family
ID=17885237
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30047494A Pending JPH08162631A (ja) | 1994-12-05 | 1994-12-05 | Ｉｇｂｔモジュール構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08162631A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100436352B1 (ko) * | 2001-06-19 | 2004-06-19 | 미쓰비시덴키 가부시키가이샤 | 전력용 반도체장치 |
| US6879024B2 (en) | 2002-09-12 | 2005-04-12 | Renesas Technology Corp. | Strobe light control circuit and IGBT device |
| KR100528674B1 (ko) * | 2000-08-18 | 2005-11-15 | 현대중공업 주식회사 | 대용량 전원 스위칭 소자(ｉｇｂｔ) 구동 제어회로 |
| US6967357B1 (en) | 1997-07-15 | 2005-11-22 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Voltage-driven power semiconductor device |
| JP2010098028A (ja) * | 2008-10-15 | 2010-04-30 | Npc Inc | ソーラーシミュレータ |
| KR20190048707A (ko) * | 2017-10-31 | 2019-05-09 | 현대오트론 주식회사 | 전력 반도체 칩 |
-
1994
- 1994-12-05 JP JP30047494A patent/JPH08162631A/ja active Pending
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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