KR20020024574A - 나노튜브 기재의 고에너지 물질 및 그의 제조 방법 - Google Patents

나노튜브 기재의 고에너지 물질 및 그의 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20020024574A
KR20020024574A KR1020017011150A KR20017011150A KR20020024574A KR 20020024574 A KR20020024574 A KR 20020024574A KR 1020017011150 A KR1020017011150 A KR 1020017011150A KR 20017011150 A KR20017011150 A KR 20017011150A KR 20020024574 A KR20020024574 A KR 20020024574A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
mah
carbon
nanotubes
reversible capacity
single wall
Prior art date
Application number
KR1020017011150A
Other languages
English (en)
Inventor
오토 제트. 조우
보 가오
Original Assignee
더 유니버시티 오브 노쓰 캐롤라이나-채플 힐
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 더 유니버시티 오브 노쓰 캐롤라이나-채플 힐 filed Critical 더 유니버시티 오브 노쓰 캐롤라이나-채플 힐
Publication of KR20020024574A publication Critical patent/KR20020024574A/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
    • H01M4/00—Electrodes
    • H01M4/02—Electrodes composed of, or comprising, active material
    • H01M4/36—Selection of substances as active materials, active masses, active liquids
    • H01M4/58—Selection of substances as active materials, active masses, active liquids of inorganic compounds other than oxides or hydroxides, e.g. sulfides, selenides, tellurides, halogenides or LiCoFy; of polyanionic structures, e.g. phosphates, silicates or borates
    • H01M4/583—Carbonaceous material, e.g. graphite-intercalation compounds or CFx
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B32/00—Carbon; Compounds thereof
    • C01B32/05—Preparation or purification of carbon not covered by groups C01B32/15, C01B32/20, C01B32/25, C01B32/30
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82B—NANOSTRUCTURES FORMED BY MANIPULATION OF INDIVIDUAL ATOMS, MOLECULES, OR LIMITED COLLECTIONS OF ATOMS OR MOLECULES AS DISCRETE UNITS; MANUFACTURE OR TREATMENT THEREOF
    • B82B1/00—Nanostructures formed by manipulation of individual atoms or molecules, or limited collections of atoms or molecules as discrete units
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y30/00—Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B32/00—Carbon; Compounds thereof
    • C01B32/15—Nano-sized carbon materials
    • C01B32/158—Carbon nanotubes
    • C01B32/168—After-treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
    • H01M4/00—Electrodes
    • H01M4/02—Electrodes composed of, or comprising, active material
    • H01M4/13—Electrodes for accumulators with non-aqueous electrolyte, e.g. for lithium-accumulators; Processes of manufacture thereof
    • H01M4/133—Electrodes based on carbonaceous material, e.g. graphite-intercalation compounds or CFx
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
    • H01M4/00—Electrodes
    • H01M4/02—Electrodes composed of, or comprising, active material
    • H01M4/13—Electrodes for accumulators with non-aqueous electrolyte, e.g. for lithium-accumulators; Processes of manufacture thereof
    • H01M4/139—Processes of manufacture
    • H01M4/1393—Processes of manufacture of electrodes based on carbonaceous material, e.g. graphite-intercalation compounds or CFx
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B2202/00—Structure or properties of carbon nanotubes
    • C01B2202/02—Single-walled nanotubes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
    • H01M4/00—Electrodes
    • H01M4/02—Electrodes composed of, or comprising, active material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
    • H01M4/00—Electrodes
    • H01M4/02—Electrodes composed of, or comprising, active material
    • H01M4/04—Processes of manufacture in general
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S977/00—Nanotechnology
    • Y10S977/70—Nanostructure
    • Y10S977/734—Fullerenes, i.e. graphene-based structures, such as nanohorns, nanococoons, nanoscrolls or fullerene-like structures, e.g. WS2 or MoS2 chalcogenide nanotubes, planar C3N4, etc.
    • Y10S977/742—Carbon nanotubes, CNTs
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S977/00—Nanotechnology
    • Y10S977/70—Nanostructure
    • Y10S977/734—Fullerenes, i.e. graphene-based structures, such as nanohorns, nanococoons, nanoscrolls or fullerene-like structures, e.g. WS2 or MoS2 chalcogenide nanotubes, planar C3N4, etc.
    • Y10S977/742—Carbon nanotubes, CNTs
    • Y10S977/75—Single-walled
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S977/00—Nanotechnology
    • Y10S977/84—Manufacture, treatment, or detection of nanostructure
    • Y10S977/842—Manufacture, treatment, or detection of nanostructure for carbon nanotubes or fullerenes
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S977/00—Nanotechnology
    • Y10S977/84—Manufacture, treatment, or detection of nanostructure
    • Y10S977/842—Manufacture, treatment, or detection of nanostructure for carbon nanotubes or fullerenes
    • Y10S977/843—Gas phase catalytic growth, i.e. chemical vapor deposition
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S977/00—Nanotechnology
    • Y10S977/902—Specified use of nanostructure
    • Y10S977/932—Specified use of nanostructure for electronic or optoelectronic application
    • Y10S977/948—Energy storage/generating using nanostructure, e.g. fuel cell, battery

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Electrochemistry (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Composite Materials (AREA)
  • Carbon And Carbon Compounds (AREA)
  • Battery Electrode And Active Subsutance (AREA)
  • Secondary Cells (AREA)
  • Saccharide Compounds (AREA)
  • Inorganic Fibers (AREA)
  • Cell Electrode Carriers And Collectors (AREA)
  • Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
  • Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)

Abstract

탄소의 동소체, 예를 들면 단일 벽 탄소 나노튜브를 함유하는 탄소 기재의 물질은 개재된 알칼리 금속을 수용할 수 있다. 이 물질은 약 650 mAh/g 내지 1000 mAh/g 범위의 가역 용량을 나타낸다. 이 물질의 높은 용량은 다수의 용도, 예를 들면 전지의 전극 (50) 물질용으로 바람직하다. 단일 벽 탄소 나노튜브를 제조하는 방법에는 회수된 나노튜브 물질을 정제하고, 정제된 물질을 전도성 기판 (42) 상에 침착하는 것이 포함된다. 코팅된 기판 (42)를 전기화학 전지에 도입하여, 개재된 물질, 예를 들면 알칼리 금속 (예를 들면, 리튬)의 수용능을 측정한다.

Description

나노튜브 기재의 고에너지 물질 및 그의 제조 방법 {Nanotube-based High Energy Material and Method}
<연방 지원 연구 또는 개발에 관한 진술>
본 발명의 적어도 일부 측면은 계약 번호 제N00014-98-1-0597호 하에 정부의 지원으로 수행되었다. 정부는 본 발명에 있어서 특정한 권리를 가질 수 있다.
1990년에 "풀러렌 (fullerene)"이라 불리는 제3의 탄소 형태의 존재가 확인됨으로써 이 "새로운" 물질의 가능성의 최대화를 목적으로 하는 연구 및 개발의 조류가 강하게 유발되었다. 용어 "풀러렌"은 흔히 새장과 같은 중공 격자 구조를 갖는 탄소 분자의 집합체를 지칭하는데 사용되고 있다. 이러한 "새장"은 상이한 형태, 예를 들면 구형 ("버키볼 (buckyball)") 또는 튜브형 ("나노튜브 (nanotube)")의 형태일 수 있다. 예를 들면, 로버트 (Robert F. Curl) 및 리차드 (Richard E. Smalley)의 문헌 [Fullerenes, Scientific American, October 1991]을 참조한다.
휴대용 전자기기부터 우주선용 전력 공급 장치까지 광범위한 용도에서 전지의 중요성이 증가함에 따라, 보다 높은 에너지 밀도를 갖는 새로운 물질이 오랫동안 요구되고 있다. 물질의 에너지 밀도는 가역적으로 물질과 반응할 수 있는 전자 공여 원자의 양을 측정함으로써 정량될 수 있다. 이와 같은 측정값을 얻을 수 있는 한가지 방법은 전기화학 전지를 구성하는 것이다. 전지는 전해질을 담는 용기, 전자 공여 물질 (예를 들면, 알칼리 금속)으로 이루어진 하나의 전극, 용량이 측정된 물질 (예를 들면, 탄소 기재의 물질)로 이루어진 또다른 전극, 및 전극에 연결된 전기 회로를 포함한다. 전자 공여 물질의 원자는 산화 반응하여 공여 물질의 이온, 및 자유 전자를 형성한다. 이러한 이온은 반대 전극에 의해 흡수되고 자유 전자는 전기 회로를 통해 이동한다. 전기 회로를 통해 전달된 전자의 수를 측정함으로써 전자 공여 물질의 각 원자가 "빼앗긴" 전자의 수가 알려지기 때문에, 조사된 물질로 전달된 이온의 수를 측정할 수 있다. 이 양은 물질의 비용량이고, 물질 g당 밀리암페어-시간으로 표현될 수 있다. 예를 들면, 리튬을 수용하는 흑연의 최대 비 (가역) 용량은 대략 372 mAh/g로 알려져 있다. 1개의 리튬 이온이 방출된 각 전자에 대하여 흑연 전극으로 전달되기 때문에, 비용량은 전극 물질의 화학양론의 측면에서 표현될 수 있다. 흑연의 경우, 전극 물질은 LiC6인 것이 특징이다. 예를 들면, 단 (J.R. Dahn) 등의 문헌 [Mechanisms for Lithium Insertion in Carbonaceous Materials, Science, volume 270, October 27, 1995]을 참조한다.
리튬이 개재된 흑연 및 다른 탄소성 물질은 진보한 Li-이온 전지에서 전극으로 상용화되어 있다. 예를 들면, 휘팅햄 (M.S. Whittingham, 편집자)의 문헌[Recent Advances in rechargeable Li Batteries, Solid State Ionics, volumes 3 and 4, number 69, 1994] 및 머피 (D.W. Murphy, 편집자) 등의 문헌 [Materials for Advanced Batteries, Plenum Press, New York, 1980]을 참조한다. 이러한 통상적인 전지 물질의 에너지 용량은 부분적으로 흑연 중 LiC6포화 Li 농도에 의해 한정된다 (372 mAh/g과 대등).
탄소 나노튜브는 잠재적인 전극 물질로 관심을 끌고 있다. 탄소 나노튜브는 흔히 밀폐된 동심 다층 쉘 (shell) 또는 다중 벽 나노튜브 (MWNT)로 존재한다. 또한, 나노튜브는 단일 벽 나노튜브 (SWNT)로 형성될 수도 있다. SWNT는 번들을 형성하고, 이러한 번들은 치밀하게 충전된 2-D 삼각 격자 구조를 갖는다.
MWNT 및 SWNT 모두가 생산되고 있으며, 이러한 물질의 비용량은 증기 전달 반응에 의해 평가되었다. 예를 들면, 조우 (O. Zhou) 등의 문헌 [Defects in Carbon Nanotubes, Science:263, pgs. 1744-47, 1994]; 리 (R.S. Lee) 등의 문헌 [Conductivity Enhancement in Single-Walled Nanotube Bundles Doped with K and Br, Nature:388, pgs. 257-59, 1997]; 라오 (A.M. Rao) 등의 문헌 [Raman Scattering Study of Charge Transfer in Doped Carbon Nanotube Bundles, Nature:388, 257-59, 1997]; 및 보우어 (C. Bower) 등의 문헌 [Synthesis and Structure of Pristine and Cesium Intercalated Single-Walled Carbon Nanotubes, Applied Physics:A67, pgs. 47-52, spring 1998]을 참조한다. 이러한 나노튜브 물질에 대한 가장 높은 알칼리 금속 포화값은 MC8(M = K, Rb, Cs)로 알려져 있다.이러한 값은 현존하는 상용적으로 대중적인 물질, 예를 들면 흑연에 비해 현저한 향상을 나타내지 않는다.
따라서, 오랫동안 요구되었으나 지금까지는 달성되지 않은, 개선된 특성을 갖는 물질이 요구되고 있다. 전지 및 다른 고에너지 용도에 유용한 개선된 특성을 갖는 물질이 요구되고 있다. 특히, 현재 상기 용도에 사용되고 있는 물질보다 에너지 밀도가 높은 물질이 요구되고 있다.
하기 설명에 있어서, 참고 문헌은 특정한 화합물, 장치 및 방법에 관한 것이다. 이러한 참고 문헌은 상기 화합물, 장치 및 방법이 적용가능한 법령 규정하에 선행 기술로서 인정되는 것으로 해석되어야 할 필요는 없다.
도 1은 단일 벽 나노튜브를 포함하는 탄소 기재의 물질을 제조하기 위해 사용된 레이저 용융제거 시스템의 개략도이다.
도 2는 볼 분쇄 장치의 개략도이다.
도 3A는 본 발명의 필름 형성 기술의 개략도이다.
도 3B는 본 발명의 나노튜브가 코팅된 기판의 횡단면도이다.
도 4는 본 발명에 따라 형성된 나노튜브 필름의 주사 전자 현미경 (SEM) 사진이다.
도 5는 본 발명의 전극 물질을 도입한 전기화학 전지의 개략도이다.
도 6은 본 발명의 원리에 따라 형성된 정제된 나노튜브 물질의 충방전 특성을 나타내는 그래프이다.
도 7은 볼 분쇄에 의해 처리된 후 나노튜브 물질의 충방전 특성을 나타내는 그래프이다.
<바람직한 실시양태의 상세한 설명>
탄소 기재의 단일 벽 나노튜브 (SWNT) 함유 물질은 다수의 기술, 예를 들면탄소 목표물의 레이저 용융제거 (ablation), 탄화수소의 분해, 및 두 흑연 전극 사이의 아크 형성에 의해 형성될 수 있다.
예를 들면, SWNT 번들을 제조하기 위한 적합한 기술 한 가지가 보우어 등의 문헌 [Synthesis and Structure of Pristine and Cesium Intercalated Single-Walled Carbon Nanotubes, Applied Physics:A67, pgs. 47-52, spring 1998]에 기술되어 있고, 그 전문이 본 명세서에 참고로 포함된다.
이러한 기술에 따라서 도 1에 나타낸 바와 같이 적합한 목표물 (2)를 석영 튜브 (4) 안에 위치시킨다. 바람직하게는, 목표물 (2)는 흑연으로 제조되고 Ni/Co 촉매를 함유한다. 바람직한 실시양태에서, 목표물은 Ni 0.6 원자% 및 Co 0.6 원자%가 혼합된 흑연 분말 및 흑연 시멘트로부터 형성된다.
튜브 (4)는 적합한 연결장치 (8)에 의해 튜브 (4)의 한 말단에 부착된 진공 펌프 (6)에 의해 비워진다. 불활성 가스 (G), 예를 들면 아르곤이 적합한 공급원, 예를 들면 탱크 (10)에서부터 튜브 (4) 내로 흘러 들어온다. 다양한 장치, 예를 들면 흐름 조절기 및(또는) 압력계가 튜브 (4)로의 불활성 가스 (G)의 흐름을 조절 및 모니터링하기 위해 시스템에 부착될 수 있다. 불활성 가스의 압력은 적합한 수준, 예를 들면 약 800 torr에서 유지된다. 튜브 (4)을 빠져나가는 불활성 가스를 위한 적합한 수집 장치 (16), 예를 들면 물을 채운 병이 연결장치 (8)을 경유하여 튜브의 말단에 연결될 수 있다.
목표물은 튜브 (4) 내에서 바람직하게는 프로그램가능한 조절기가 장착된 튜브 가열기 (5)에 의해 대략 1150℃의 온도로 가열된다.
펄스화된 Nd:YAG 레이저와 같은 에너지원 (18)을 사용하여 목표물 (2)를 고온에서 용융제거한다. 바람직하게는, 레이저의 제1 및(또는) 제2 조파빔 (즉, 각각 1064 nm 및 532 nm)을 사용하여 목표물을 용융제거한다. 수평 스캐너 (20) 및 수직 스캐너 (22)와 같은 적합한 장치가 에너지원과 연계될 수 있다. 빔 (B)는 적합한 렌즈 부재 (24)에 의해 목표물 (2) 상에 초점을 맞춘다.
튜브의 한 말단은 레이저 빔의 투과 및 레이저 용융제거 공정의 모니터링을 위해 석영 윈도우와 같은 투명한 윈도우 (26)에 의해 밀폐될 수 있다. 적합한 모니터링 장치를 이 말단에 사용할 수 있다. 예를 들면, CCD 장치가 윈도우 (26)을 통해 위치하고 출력은 용융제거 공정을 관찰 및 기록하는 모니터링 장치 (30)으로 전송된다.
목표물이 용융제거됨에 따라, 나노튜브 함유 물질은 불활성 가스 흐름에 의해 하류로 전달되고 침착물 (D)를 튜브 (4)의 내부 벽상에 형성한다. 이러한 침착물을 제거하여 나노튜브 함유 물질을 회수한다.
상기한 기술에 따라 형성된 탄소 기재의 물질은 회수된 상태로 분석되고, 개별 튜브 직경이 1.3 내지 1.6 nm이고 번들 직경이 10 내지 40 nm인 SWNT 50 내지 70 부피%를 함유함이 밝혀졌다. 번들은 무작위로 배향된다. 불순물 상에는 총 목표물 물질의 1 원자%를 이루는 무정형 탄소 나노입자 및 금속 촉매가 포함된다.
본 발명에 따라서, 회수된 상태의 물질은 적합한 정제 공정에 의해 정제된다. 바람직한 실시양태에서 나노튜브 물질은 알콜과 같은 적합한 액상 매질에 위치한다. 나노튜브는 고출력 초음파 호른 (horn)을 사용하여 액상 매질 내에서 현탁액으로 수시간 동안 유지되며 현탁액은 마이크로포어 막을 통과한다. 임의로는, 회수된 물질을 현탁액에 넣기 전에 산으로 세척할 수 있다.
또한, 상기한 초음파 에너지의 인가는 나노튜브에 손상을 주거나 결함을 생성할 수도 있다. 이는 실제로 하기에 보다 상세하게 설명하는 바와 같이 개재된 물질의 축적능을 증가시킴으로써 유리할 수 있다.
투과 및 주사 전자 현미경 조사는 정제된 물질이 80 부피%를 초과하는 SWNT 번들을 함유함을 나타낸다.
임의로는, 정제된 물질은 볼 분쇄에 의해 더 처리될 수 있다. 이 공정은 통상적으로 도 2에 도시된다. 정제된 SWNT 시료 (32)는 분쇄 매질 (36)과 함께 적합한 용기 (34) 내에 위치한다. 이어서, 용기를 닫고 볼 분쇄기의 적합한 홀더 (38)에 놓는다. 본 발명에 따라서, 시료가 분쇄되는 시간은 변경될 수 있다. 예를 들면, 시료는 대략 1 내지 20분 범위의 시간 동안 분쇄된다.
본 발명의 나노튜브 물질의 장점 중 하나는 이들이 기판 물질 상에 다소 용이하게 침착될 수 있다는 것이다. 예를 들면, 정제되고 임의로는 분쇄된 나노튜브 물질의 시료는 적합한 기판 상에 용액 침착될 수 있다. 이러한 공정은 통상적으로 도 3A에 도시된다. 적합한 기판 (42)는 용기 (44)의 바닥에 위치한다. 바람직한 실시양태에서, 기판은 구리 또는 니켈과 같은 전도성 물질이다. 기판 (42)는 편평한 구리판으로 제조될 수 있다. 판의 크기는 다양할 수 있고, 판의 면적이 1 cm x 1 cm인 것이 사용될 수 있다. SWNT 물질과 알콜과 같은 적합한 용매의 혼합물을 초음파 에너지의 인가에 의해 현탁액 (46)에 위치시킨다. 현탁액 (46)은 이어서용기 (44)에 위치시킨다. 이어서, 기판 (42)를 혼합물 (46)에 침지시킨다. 용매를 수동적인 증발 또는 능동적인 제거에 의해 증발시켜 SWNT 물질의 필름 (48)이 도 3B에 도시된 바와 같이 적어도 기판 (42)의 상부 표면을 덮도록 남긴다. 이어서, 코팅된 기판을 적합하게 열처리하여 모든 잔류 용매를 제거하고 기판 (42)에 대한 필름 (48)의 부착성을 증진시킨다. 예를 들면, 코팅된 기판을 대략 130 내지 150℃로 진공에서 수 시간동안 또는 용매를 제거하기에 충분한 시간 동안 가열할 수 있다.
상기 기술에 따라 형성된 SWNT 필름은 통상의 탄소 기재의 물질의 필름보다 다수의 장점을 갖는다. 예를 들면, 흑연은 흔히 전극 물질로 사용된다. 그러나, 흑연으로 필름을 형성하기는 어렵다. 따라서, 필름 형성을 증진시키기 위해 흑연에 결합제 물질을 첨가하는 것이 필요하다. 그러나, 결합제 물질의 첨가는 전극 물질의 전기적 특성에 불리하게 작용한다. 본 발명의 상기한 기술에 의해, SWNT 물질의 필름을 그러한 결합제 물질을 사용하지 않고 기판 상에 배치할 수 있으며, 따라서 이와 관련된 상기 언급한 단점을 배제할 수 있다.
또한, 카본 블랙과 같은 전도성 보조제는 통상적으로 물질의 전도성을 향상시키기 위해 흑연 물질에 첨가된다. 카본 블랙의 첨가는 제품의 제조 비용을 증가시킨다. 그러나, 본 발명의 SWNT 물질은 우수한 전도성을 가지며, 카본 블랙과 같은 값비싼 전도성 보조제의 첨가를 필요로 하지 않는다.
본 발명에 따라 형성된 필름은 주사 전자 현미경 (SEM)으로 분석되었다. 도 4는 SWNT 필름의 순도와 형태를 나타내는 현미경사진이다.
상기한 원리에 따라 제조된 SWNT 물질은 예기치않게 다른 탄소 기재의 물질이 지니고 있는 에너지 밀도 특성을 능가하는 에너지 밀도 특성을 갖는다.
본 발명의 SWNT 물질의 에너지 밀도, 또는 알칼리 금속과 같은 개재된 물질의 수용능은 상기 배경기술 부분에서 기재한 바와 유사하게 전기화학 전지를 제조함으로써 측정되었다. 본 발명의 SWNT 물질을 도입한 전기화학 전지를 도 5에 개략적으로 도시한다.
전지는 리튬 박 전극 (50) 및 제2 전극으로서 상기한 바와 같이 형성된 SWNT 필름 (48)을 갖는 구리 기판 (42)으로 이루어졌다. 전해질 (52)로 적신 폴리프로필렌 필터를 두 전극 사이에 위치시켰다. 바람직한 실시양태에서, LiClO41 M 용액, 및 1:1 부피비의 EC (에틸렌 카르보네이트) 및 DMC (디메틸 카르보네이트)을 전해질로 사용하였다. 액상 전해질의 측정된 이온 전도도는 10-3S/cm였다. 전기적 접속은 전극에 대해 압착된 2개의 스테인리스강 플런저 (54, 56)에 의해 이루어졌다. 전원 (58)이 플런저에 연결된다. 정전류 방식을 사용하여 50 mAh/g의 속도 및 0.0 내지 3.0 V 사이에서 전지를 충방전시켰다. Li의 비용량 (탄소 단위 당 개재된 리튬의 양)을 배경기술에서 상기한 바와 같이 사용된 시간 및 전류로부터 계산하였다.
본 발명의 정제된 SWNT는 통상의 물질보다 현저하게 높은 용량을 갖는다. 본 발명의 정제된 SWNT 물질의 용량은 550 mAh/g을 넘고, 특히 약 650 mAh/g (Li1.7C6과 대등)을 넘는 양호한 가역 용량을 갖는다. 가역 용량은 상기한 볼 분쇄과정에 의해 900 내지 1000 mAh/g의 수준 (Li2.4+C6)으로 더 증가될 수 있다.
도 6의 전압-용량 플롯에 의해 나타낸 바와 같이, 완전히 리튬화된 정제된 SWNT 시료는 대략 2000 mAh/g (Li5.4C6)의 총 용량을 나타낸다. 제2 방전 후에 표시된 용량으로 정의되는 가역 부분은 대략 600 mAh/g이다. 이는 흑연에 대한 이론치보다 60% 이상 큰 Li1.6C6와 대등하다. 충방전 사이클을 더 수행하여도 Li 용량은 단지 약간 감소하였다. 물질의 상이한 배치 (batch)로부터의 여러 시료를 동일한 조건하에 측정하였고, 이들은 550 내지 650 mAh/g의 가역 용량을 나타냈다. 비가역 용량 (제1 및 제2 방전 사이의 용량 차이로 정의됨)의 크기는 상이한 전해질을 사용할 경우 약간 변화되었다.
도 7에 도시한 바와 같이, SWNT의 기계적 볼 분쇄는 가역 용량의 현저한 향상 및 비가역 용량의 실질적인 감소를 야기하였다. 1 내지 20분 간 볼 분쇄된 SWNT의 방전-충전 특성을 측정하고 분석하였다. X-선 회절 및 TEM 데이타는 볼 분쇄가 무질서를 야기하고 SWNT 번들을 보다 짧고 개방된 단편으로 절단함을 나타낸다. 형태의 변화도 관찰되었다. SWNT 물질의 다공도는 볼 분쇄 후에 감소하였다.
5분 동안 볼 분쇄된 SWNT 시료는 가역 용량 830 mAh/g 및 비가역 용량 400 mAh/g을 나타냈다.
10분 동안 볼 분쇄된 SWNT 시료는 가역 용량이 900 mAh/g (Li2.4C6)을 초과하고, 보다 구체적으로 약 1000 mAh/g 수준으로 증가함을 나타냈다. 비가역 용량은 600 mAh/g으로 감소하였다. 추가의 충방전 사이클시 관찰된 가역 용량의 감소는매우 적었다. 볼 분쇄하지 않은 정제된 SWNT와 유사하게, 시료는 충전시 큰 이력현상을 나타냈다.
또다른 중요한 성능 매개변수는 충전 및 방전 속도가 물질의 용량에 어떻게 영향을 미치는가이다. 전기 자동차와 같은 몇몇 용도에서는 높은 충전 및 방전 속도 조건하에서 작동되는 전극 물질을 필요로 한다. 통상적으로, 물질의 용량은 속도가 증가함에 따라 감소한다. 10분 동안 볼 분쇄된 상기한 SWNT 시료는 50 mAh/g의 속도로 측정될 때 1000 mAh/g의 가역 용량을 나타냈다. 50 mAh/g가 통상적인 시험 속도이다. 동일한 시료가 500 mAh/g에서 시험될 경우, 600 mAh/g의 매우 높은 용량이 유지되었다.
가역 용량에 대한 볼 분쇄 과정의 효과는 하기와 같이 설명될 수 있다. 일반적으로, SWNT의 내부 코어 공간은 이들이 밀폐된 구조이고 Li 이온이 현 실험 조건 하에 SWNT의 격자를 형성하는 탄소 오각형 및 육각형을 통해 확산될 수 없기 때문에 개재된 물질이 접근할 수 없다. 따라서, 상기 개재된 물질은 보통 번들 형태의 SWNT들 사이의 공간에 축적된다. 기계적 볼 분쇄는 결함 밀도를 증가시키고 SWNT의 길이를 감소시키며, 따라서 나노튜브로의 Li+의 확산을 용이하게 한다. 예를 들면, 나노튜브의 말단이 파괴될 수 있어 나노튜브에 개구를 형성한다. 상당량의 Li+이온이 개방된 말단을 통해 이러한 구조적으로 손상된 SWNT로 용이하게 확산될 수 있고, 아마도 다른 결함 부위를 통해 용량이 향상된다. 상술한 바와 같이, 정제 중에 초음파 에너지를 SWNT에 인가하여 상기 결함을 도입함으로써 SWNT 물질의 용량에 유사한 효과를 줄 수 있다.
10분을 초과하여 분쇄한 시료는 가역 용량의 감소를 나타내기 시작하였다. 이러한 감소는 물질의 전도성에 불리하게 작용하는 나노튜브의 격자 구조의 과도한 손상에 의해, 그리고 나노튜브가 흑연 박편 및 무정형 탄소로 전환됨으로써 야기되는 것으로 여겨진다.
본 발명의 우수하고 예기치 못한 특성을 설명하기 위해, 다중벽 나노튜브 (MWNT) 필름으로부터의 전압-용량 데이타를 상기한 기술에 따라서 수집하였다. 총 500 mAh/g의 용량을 제1 방전에서 얻었다. 가역 부분 (제2 방전에서 표시된 용량으로 정의함)은 250 mAh/g로 측정되었고, 이는 흑연의 이론치인 372 mAh/g (LiC6)보다도 작다. 용량은 추가로 충방전 사이클을 수행함에 따라 단지 약간만 감소하였다. 다른 것들은 MWNT 물질에 대하여 100 내지 400 mAh/g 범위의 용량을 나타냈다. 예를 들면, 프라코위악 (E. Frackowiak) 등의 문헌 [Electrochemical Storage of Lithium Multiwalled Carbon Nanotubes, Pergamon, Carbon 37 (1999), 61-69]를 참조한다.
또한, 상기한 방식으로 메소카본 마이크로비드 (MCMB) 필름의 전압-용량 데이타도 수집하였다. 시료는 300 mAh/g의 가역 용량을 나타냈다.
본 발명의 SWNT 물질의 우수한 용량은 이들의 뛰어난 기계적 및 전기적 특성, 및 필름 형성의 용이성과 조합되어, SWNT 물질이 Li-이온 전지와 같은 고에너지 밀도의 용도를 위한 전극 물질로 바람직하게 한다.
비록 본 발명이 특정 실시양태를 참조하여 기술되었지만, 이로 인해 본 발명이 한정되는 것은 아니다. 이에 반하여, 하기 특허 청구 범위 내에서 변경 및 변화는 당업계의 숙련인들에게 명백할 것이다.
<발명의 요약>
상기와 같은 목적은 본 발명의 원리에 따라 달성된다.
본 발명의 한 측면에는 알칼리 금속이 개재된 탄소의 동소체를 갖는 탄소 기재의 물질이 포함된다. 이 물질의 가역 용량은 900 mAh/g을 초과한다.
본 발명의 또다른 측면에는 단일 벽 탄소 나노튜브 및 개재된 리튬 금속을 갖는 물질이 포함된다. 이 물질의 가역 용량은 550 mAh/g을 초과한다.
본 발명의 또다른 측면으로서, 제조 물품에는 그 위에 필름이 침착된 전기 전도성 기판이 포함된다. 필름에는 단일 벽 탄소 나노튜브 및 개재된 리튬 금속이 포함된다. 물품의 가역 용량은 550 mAh/g을 초과한다.
본 발명의 또다른 측면으로서, 제조 방법에는 대략 80% 이상의 단일 벽 나노튜브를 갖는 탄소 기재의 물질을 용매에 첨가하여 혼합물을 생성하고, 기판을 혼합물에 침지하고, 용매를 제거함으로써 상기 기판의 하나 이상의 표면 상에 탄소 기재의 물질의 필름을 남기는 것이 포함된다.
본 발명의 또다른 측면에서, 가역 용량이 550 mAh/g을 초과하는 전극 물질은 혼합물을 생성함으로써 제조된다. 혼합물은 대략 80% 이상의 단일 벽 나노튜브를 갖는 탄소 기재의 물질을 용매에 첨가하고 기판을 혼합물에 침지하고 용매를 증발시킴으로써 상기 기판의 하나 이상의 표면 상에 탄소 기재의 물질의 필름을 남김으로써 얻을 수 있다.

Claims (32)

  1. 알칼리 금속이 개재된 탄소의 동소체를 포함하고 가역 용량은 900 mAh/g을 초과하는 탄소 기재의 물질.
  2. 제1항에 있어서, 상기 탄소의 동소체가 탄소 나노튜브를 포함하는 물질.
  3. 제1항에 있어서, 상기 물질이 80 부피% 이상의 탄소 나노튜브를 포함하는 물질.
  4. 제3항에 있어서, 상기 나노튜브가 사실상 단일 벽 나노튜브로 이루어진 물질.
  5. 제1항에 있어서, 상기 알칼리 금속이 사실상 리튬으로 이루어진 물질.
  6. 제4항에 있어서, 상기 단일 벽 나노튜브가 번들을 형성하고, 상기 알칼리 금속이 리튬을 포함하고, 상기 리튬이 상기 번들 내의 단일 벽 나노튜브 사이에 한정된 적어도 틈새 부위 내에 개재되어 있는 물질.
  7. 단일 벽 탄소 나노튜브 및 개재된 리튬 금속을 포함하고 가역 용량은 550mAh/g을 초과하는 물질.
  8. 제7항에 있어서, 약 80 부피% 이상의 탄소 나노튜브를 포함하는 물질.
  9. 제7항에 있어서, 상기 단일 벽 나노튜브가 번들을 형성하고 상기 리튬이 상기 번들 내의 단일 벽 나노튜브 사이에 한정된 적어도 틈새 부위 내에 개재되어 있는 물질.
  10. 제7항에 있어서, 상기 물질의 가역 용량이 650 mAh/g인 물질.
  11. 제10항에 있어서, 상기 물질의 가역 용량이 900 mAh/g인 물질.
  12. 제10항에 있어서, 상기 물질의 가역 용량이 1000 mAh/g인 물질.
  13. 전기 전도성 기판, 및 상기 기판에 침착된 제7항의 물질을 포함하는 필름을 포함하는 제조 물품.
  14. 제13항에 있어서, 상기 기판이 전기 전도성 금속을 포함하는 것인 물품.
  15. 제13항에 있어서, 상기 물품이 전극을 포함하는 것인 물품.
  16. 제13항에 있어서, 상기 필름이 사실상 결합제 및 카본 블랙이 없는 것인 물품.
  17. 약 80 부피% 이상의 단일 벽 나노튜브를 포함하는 탄소 기재의 물질을 용매에 첨가하여 혼합물을 제조하는 단계,
    기판을 혼합물 내에 침지하는 단계, 및
    상기 용매를 증발시켜 상기 기판의 하나 이상의 표면 상에 상기 탄소 기재의 물질의 필름을 남기는 단계
    를 포함하는 물품의 제조 방법.
  18. 제17항에 있어서,
    목표물에 고에너지 레이저 빔을 충돌시켜 50 부피% 이상의 단일 벽 나노튜브를 포함하는 용융제거된 물질을 제조하는 단계,
    상기 용융제거된 물질을 현탁 매질에 첨가하고 초음파 에너지를 인가하여 상기 나노튜브를 상기 현탁 매질 내에서 현탁시킴으로써 현탁액을 제조하는 단계, 및
    상기 현탁액을 필터에 통과시켜 80 부피% 이상의 탄소 나노튜브를 포함하는 상기 탄소 기재의 물질을 회수하는 단계
    를 더 포함하는 방법.
  19. 제18항에 있어서, 상기 현탁 매질이 알콜을 포함하는 것인 방법.
  20. 제18항에 있어서, 상기 초음파 에너지가 약 60 W 및 20 kHz에서 작동하는 초음파 호른 (horn)에 의해 생성되는 방법.
  21. 제17항에 있어서, 80 부피% 이상의 단일 벽 나노튜브를 포함하는 상기 탄소 기재의 물질을 분쇄하는 단계를 더 포함하는 방법.
  22. 제21항에 있어서, 상기 분쇄가 1분 이상의 기간 동안 수행되는 방법.
  23. 제22항에 있어서, 상기 기간이 20분 이하인 방법.
  24. 제23항에 있어서, 상기 기간이 약 5 내지 10분인 방법.
  25. 제17항에 있어서, 상기 기판이 전도성 물질을 포함하는 것인 방법.
  26. 제25항에 있어서, 상기 전도성 물질이 구리 또는 니켈 중 하나를 포함하는 것인 방법.
  27. 제17항에 있어서, 상기 필름이 사실상 결합제 물질 및 카본 블랙이 없는 것인 방법.
  28. 제17항의 방법에 의해 적어도 부분적으로 제조되는, 가역 용량이 550 mAh/g을 초과하는 전극.
  29. 제22항의 방법에 의해 적어도 부분적으로 제조되는, 가역 용량이 650 mAh/g을 초과하는 전극.
  30. 제24항의 방법에 의해 적어도 부분적으로 제조되는, 가역 용량이 약 900 mAh/g을 초과하는 전극.
  31. 제24항의 방법에 의해 적어도 부분적으로 제조되는, 가역 용량이 약 1000 mAh/g을 초과하는 전극.
  32. 필름이 사실상 결합제 물질 및 카본 블랙이 없는 제17항의 방법에 의해 적어도 부분적으로 제조된 전극.
KR1020017011150A 1999-03-01 2000-02-24 나노튜브 기재의 고에너지 물질 및 그의 제조 방법 KR20020024574A (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US09/259,307 US6280697B1 (en) 1999-03-01 1999-03-01 Nanotube-based high energy material and method
US09/259,307 1999-03-01
PCT/US2000/003704 WO2000051936A2 (en) 1999-03-01 2000-02-24 Nanotube-based high energy material and method

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20020024574A true KR20020024574A (ko) 2002-03-30

Family

ID=22984402

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020017011150A KR20020024574A (ko) 1999-03-01 2000-02-24 나노튜브 기재의 고에너지 물질 및 그의 제조 방법

Country Status (14)

Country Link
US (2) US6280697B1 (ko)
EP (1) EP1165440B1 (ko)
JP (1) JP3664240B2 (ko)
KR (1) KR20020024574A (ko)
CN (2) CN1183038C (ko)
AT (1) ATE317835T1 (ko)
AU (1) AU5265600A (ko)
CA (1) CA2362738C (ko)
DE (1) DE60026026T2 (ko)
DK (1) DK1165440T3 (ko)
ES (1) ES2256014T3 (ko)
HK (1) HK1046398B (ko)
PT (1) PT1165440E (ko)
WO (1) WO2000051936A2 (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100956405B1 (ko) * 2007-08-24 2010-05-06 고려대학교 산학협력단 고분자/탄소나노튜브 복합체용 탄소나노튜브 전처리 방법,이를 이용한 고분자/탄소나노튜브 복합체 제조방법 및고분자/탄소나노튜브 복합체
KR20170017567A (ko) 2015-08-07 2017-02-15 부산대학교 산학협력단 저출력 레이저 포인터 빔 조사에 의한 광감응 물질 폭발 기반의 도어 브리칭 제어 방법

Families Citing this family (173)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6280697B1 (en) * 1999-03-01 2001-08-28 The University Of North Carolina-Chapel Hill Nanotube-based high energy material and method
SG109408A1 (en) * 1999-06-04 2005-03-30 Univ Singapore Method of reversibly storing h2, and h2-storage system based on metal-doped carbon-based materials
GB9919807D0 (en) * 1999-08-21 1999-10-27 Aea Technology Plc Anode for rechargeable lithium cell
KR100350535B1 (ko) * 1999-12-10 2002-08-28 삼성에스디아이 주식회사 리튬 이차 전지용 음극 활물질 및 그의 제조 방법
KR100487069B1 (ko) * 2000-04-12 2005-05-03 일진나노텍 주식회사 새로운 물질로 이루어진 전극을 이용하는 수퍼 커패시터 및 그 제조 방법
US6334939B1 (en) 2000-06-15 2002-01-01 The University Of North Carolina At Chapel Hill Nanostructure-based high energy capacity material
JP2002025638A (ja) * 2000-07-11 2002-01-25 Nec Corp 電 池
WO2002008120A2 (en) * 2000-07-25 2002-01-31 Lawrence Berkeley National Laboratory Telescoped multiwall nanotube and manufacture thereof
US6876724B2 (en) * 2000-10-06 2005-04-05 The University Of North Carolina - Chapel Hill Large-area individually addressable multi-beam x-ray system and method of forming same
US6553096B1 (en) * 2000-10-06 2003-04-22 The University Of North Carolina Chapel Hill X-ray generating mechanism using electron field emission cathode
US7082182B2 (en) * 2000-10-06 2006-07-25 The University Of North Carolina At Chapel Hill Computed tomography system for imaging of human and small animal
US7227924B2 (en) * 2000-10-06 2007-06-05 The University Of North Carolina At Chapel Hill Computed tomography scanning system and method using a field emission x-ray source
US7085351B2 (en) * 2000-10-06 2006-08-01 University Of North Carolina At Chapel Hill Method and apparatus for controlling electron beam current
CN100457609C (zh) * 2000-11-13 2009-02-04 国际商业机器公司 单壁碳纳米管的制造方法及应用
KR100444141B1 (ko) * 2000-11-24 2004-08-09 주식회사 동운인터내셔널 리튬 이차전지용 음극 활물질, 이를 이용한 음극판 및이차전지
US6885022B2 (en) * 2000-12-08 2005-04-26 Si Diamond Technology, Inc. Low work function material
US20050200261A1 (en) * 2000-12-08 2005-09-15 Nano-Proprietary, Inc. Low work function cathode
US7265174B2 (en) 2001-03-22 2007-09-04 Clemson University Halogen containing-polymer nanocomposite compositions, methods, and products employing such compositions
CN1543399B (zh) * 2001-03-26 2011-02-23 艾考斯公司 含碳纳米管的涂层
US6965199B2 (en) * 2001-03-27 2005-11-15 The University Of North Carolina At Chapel Hill Coated electrode with enhanced electron emission and ignition characteristics
JP2002341060A (ja) * 2001-05-11 2002-11-27 Seiko Instruments Inc 複合電気部品、地板構造体及びこれを用いた電子時計
US6723299B1 (en) 2001-05-17 2004-04-20 Zyvex Corporation System and method for manipulating nanotubes
US7531273B2 (en) * 2001-05-29 2009-05-12 Itt Manufacturing Enterprises, Inc. Fullerene-based secondary cell electrodes
US20020182506A1 (en) * 2001-05-29 2002-12-05 Cagle Dawson W. Fullerene-based secondary cell electrodes
US6787122B2 (en) 2001-06-18 2004-09-07 The University Of North Carolina At Chapel Hill Method of making nanotube-based material with enhanced electron field emission properties
US6835591B2 (en) 2001-07-25 2004-12-28 Nantero, Inc. Methods of nanotube films and articles
US6706402B2 (en) 2001-07-25 2004-03-16 Nantero, Inc. Nanotube films and articles
US6574130B2 (en) * 2001-07-25 2003-06-03 Nantero, Inc. Hybrid circuit having nanotube electromechanical memory
US6643165B2 (en) 2001-07-25 2003-11-04 Nantero, Inc. Electromechanical memory having cell selection circuitry constructed with nanotube technology
US6919592B2 (en) * 2001-07-25 2005-07-19 Nantero, Inc. Electromechanical memory array using nanotube ribbons and method for making same
US20050245665A1 (en) * 2001-08-17 2005-11-03 Chenggang Chen Method of forming nanocomposite materials
US6680016B2 (en) * 2001-08-17 2004-01-20 University Of Dayton Method of forming conductive polymeric nanocomposite materials
US20060079623A1 (en) * 2001-08-17 2006-04-13 Chenggang Chen Method of forming nanocomposite materials
US20050272847A1 (en) * 2001-08-17 2005-12-08 Chyi-Shan Wang Method of forming nanocomposite materials
US7455757B2 (en) * 2001-11-30 2008-11-25 The University Of North Carolina At Chapel Hill Deposition method for nanostructure materials
US7252749B2 (en) * 2001-11-30 2007-08-07 The University Of North Carolina At Chapel Hill Deposition method for nanostructure materials
US6784028B2 (en) 2001-12-28 2004-08-31 Nantero, Inc. Methods of making electromechanical three-trace junction devices
US20030152835A1 (en) * 2002-02-08 2003-08-14 Sankar Dasgupta Carbon fibre containing negative electrode for lithium battery
US6764628B2 (en) * 2002-03-04 2004-07-20 Honeywell International Inc. Composite material comprising oriented carbon nanotubes in a carbon matrix and process for preparing same
US9269043B2 (en) 2002-03-12 2016-02-23 Knowm Tech, Llc Memristive neural processor utilizing anti-hebbian and hebbian technology
US7412428B2 (en) * 2002-03-12 2008-08-12 Knowmtech, Llc. Application of hebbian and anti-hebbian learning to nanotechnology-based physical neural networks
US7398259B2 (en) * 2002-03-12 2008-07-08 Knowmtech, Llc Training of a physical neural network
US6889216B2 (en) * 2002-03-12 2005-05-03 Knowm Tech, Llc Physical neural network design incorporating nanotechnology
US7392230B2 (en) * 2002-03-12 2008-06-24 Knowmtech, Llc Physical neural network liquid state machine utilizing nanotechnology
US20040039717A1 (en) * 2002-08-22 2004-02-26 Alex Nugent High-density synapse chip using nanoparticles
US8156057B2 (en) * 2003-03-27 2012-04-10 Knowm Tech, Llc Adaptive neural network utilizing nanotechnology-based components
US7085125B2 (en) * 2002-03-21 2006-08-01 Chien-Min Sung Carbon nanotube devices and uses therefor
US7147894B2 (en) * 2002-03-25 2006-12-12 The University Of North Carolina At Chapel Hill Method for assembling nano objects
US6905667B1 (en) * 2002-05-02 2005-06-14 Zyvex Corporation Polymer and method for using the polymer for noncovalently functionalizing nanotubes
US20040034177A1 (en) 2002-05-02 2004-02-19 Jian Chen Polymer and method for using the polymer for solubilizing nanotubes
US7752151B2 (en) * 2002-06-05 2010-07-06 Knowmtech, Llc Multilayer training in a physical neural network formed utilizing nanotechnology
AU2003238250B2 (en) * 2002-06-14 2009-06-11 Hyperion Catalysis International, Inc. Electroconductive carbon fibril-based inks and coatings
US7827131B2 (en) * 2002-08-22 2010-11-02 Knowm Tech, Llc High density synapse chip using nanoparticles
US6998103B1 (en) 2002-11-15 2006-02-14 The Regents Of The University Of California Method for producing carbon nanotubes
US7596415B2 (en) 2002-12-06 2009-09-29 Medtronic, Inc. Medical devices incorporating carbon nanotube material and methods of fabricating same
US7844347B2 (en) * 2002-12-06 2010-11-30 Medtronic, Inc. Medical devices incorporating carbon nanotube material and methods of fabricating same
KR20050084226A (ko) * 2002-12-09 2005-08-26 더 유니버시티 오브 노쓰 캐롤라이나 엣 채플 힐 나노구조체 함유 물질 및 관련 물품의 조립 및 분류 방법
TWI236778B (en) * 2003-01-06 2005-07-21 Hon Hai Prec Ind Co Ltd Lithium ion battery
US6833201B2 (en) * 2003-01-31 2004-12-21 Clemson University Nanostructured-doped compound for use in an EL element
US6969690B2 (en) * 2003-03-21 2005-11-29 The University Of North Carolina At Chapel Hill Methods and apparatus for patterned deposition of nanostructure-containing materials by self-assembly and related articles
US20040234844A1 (en) * 2003-05-20 2004-11-25 Phoenix Innovation, Inc. Novel carbon nanotube lithium battery
JP2007516314A (ja) 2003-05-22 2007-06-21 ザイベックス コーポレーション ナノコンポジットおよびナノコンポジットに関する方法
US7531267B2 (en) * 2003-06-02 2009-05-12 Kh Chemicals Co., Ltd. Process for preparing carbon nanotube electrode comprising sulfur or metal nanoparticles as a binder
KR100584671B1 (ko) * 2004-01-14 2006-05-30 (주)케이에이치 케미컬 황 또는 금속 나노입자를 접착제로 사용하는 탄소나노튜브또는 탄소나노파이버 전극의 제조방법 및 이에 의해제조된 전극
US7097906B2 (en) * 2003-06-05 2006-08-29 Lockheed Martin Corporation Pure carbon isotropic alloy of allotropic forms of carbon including single-walled carbon nanotubes and diamond-like carbon
TW200518337A (en) * 2003-06-09 2005-06-01 Nantero Inc Non-volatile electromechanical field effect devices and circuits using same and methods of forming same
US20040256975A1 (en) * 2003-06-19 2004-12-23 Applied Nanotechnologies, Inc. Electrode and associated devices and methods
US7123826B2 (en) * 2003-07-16 2006-10-17 Wellstream International Ltd. Temperature controlled pipe and method of manufacturing same
US7426501B2 (en) * 2003-07-18 2008-09-16 Knowntech, Llc Nanotechnology neural network methods and systems
US7583526B2 (en) 2003-08-13 2009-09-01 Nantero, Inc. Random access memory including nanotube switching elements
JP2005314204A (ja) * 2003-09-02 2005-11-10 Toray Ind Inc カーボンナノチューブの製造方法及びカーボンナノチューブ含有組成物
WO2005044723A2 (en) * 2003-10-16 2005-05-19 The University Of Akron Carbon nanotubes on carbon nanofiber substrate
WO2005069789A2 (en) * 2003-12-18 2005-08-04 Clemson University Process for separating metallic from semiconducting single-walled carbon nanotubes
WO2005110624A2 (en) * 2003-12-31 2005-11-24 Eikos Inc. Methods for modifying carbon nanotube structures to enhance coating optical and electronic properties of transparent conductive coatings
US20050170177A1 (en) * 2004-01-29 2005-08-04 Crawford Julian S. Conductive filament
US7253431B2 (en) * 2004-03-02 2007-08-07 International Business Machines Corporation Method and apparatus for solution processed doping of carbon nanotube
US20050238810A1 (en) * 2004-04-26 2005-10-27 Mainstream Engineering Corp. Nanotube/metal substrate composites and methods for producing such composites
US20070014148A1 (en) * 2004-05-10 2007-01-18 The University Of North Carolina At Chapel Hill Methods and systems for attaching a magnetic nanowire to an object and apparatuses formed therefrom
CN100338796C (zh) * 2004-05-26 2007-09-19 中国科学院金属研究所 一种锂离子电池负极材料的改性方法
US7129513B2 (en) * 2004-06-02 2006-10-31 Xintek, Inc. Field emission ion source based on nanostructure-containing material
CN1307093C (zh) * 2004-06-09 2007-03-28 清华大学 碳纳米管的制备方法
US7161403B2 (en) * 2004-06-18 2007-01-09 Nantero, Inc. Storage elements using nanotube switching elements
US7296576B2 (en) 2004-08-18 2007-11-20 Zyvex Performance Materials, Llc Polymers for enhanced solubility of nanomaterials, compositions and methods therefor
US20060051282A1 (en) * 2004-09-03 2006-03-09 The Hong Kong University Of Science And Technology Synthesis of carbon nanostructures
US7465519B2 (en) * 2004-09-03 2008-12-16 The Hongkong University Of Science And Technology Lithium-ion battery incorporating carbon nanostructure materials
US20060063005A1 (en) * 2004-09-20 2006-03-23 Gardner Slade H Anisotropic carbon alloy having aligned carbon nanotubes
DE102004049453A1 (de) * 2004-10-11 2006-04-20 Infineon Technologies Ag Elektrischer Schaltkreis mit einer Nanostruktur und Verfahren zum Herstellen einer Kontaktierung einer Nanostruktur
US20080012461A1 (en) * 2004-11-09 2008-01-17 Nano-Proprietary, Inc. Carbon nanotube cold cathode
US7611687B1 (en) * 2004-11-17 2009-11-03 Honda Motor Co., Ltd. Welding of carbon single-walled nanotubes by microwave treatment
US7502769B2 (en) * 2005-01-31 2009-03-10 Knowmtech, Llc Fractal memory and computational methods and systems based on nanotechnology
US7409375B2 (en) * 2005-05-23 2008-08-05 Knowmtech, Llc Plasticity-induced self organizing nanotechnology for the extraction of independent components from a data stream
US9287356B2 (en) 2005-05-09 2016-03-15 Nantero Inc. Nonvolatile nanotube diodes and nonvolatile nanotube blocks and systems using same and methods of making same
US9390790B2 (en) 2005-04-05 2016-07-12 Nantero Inc. Carbon based nonvolatile cross point memory incorporating carbon based diode select devices and MOSFET select devices for memory and logic applications
US8000127B2 (en) 2009-08-12 2011-08-16 Nantero, Inc. Method for resetting a resistive change memory element
US8155262B2 (en) * 2005-04-25 2012-04-10 The University Of North Carolina At Chapel Hill Methods, systems, and computer program products for multiplexing computed tomography
CN101296658B (zh) * 2005-04-25 2011-01-12 北卡罗来纳大学查珀尔希尔分校 使用时间数字信号处理的x射线成像
US8183665B2 (en) * 2005-11-15 2012-05-22 Nantero Inc. Nonvolatile nanotube diodes and nonvolatile nanotube blocks and systems using same and methods of making same
TWI324773B (en) * 2005-05-09 2010-05-11 Nantero Inc Non-volatile shadow latch using a nanotube switch
US9196615B2 (en) * 2005-05-09 2015-11-24 Nantero Inc. Nonvolatile nanotube diodes and nonvolatile nanotube blocks and systems using same and methods of making same
US8102018B2 (en) * 2005-05-09 2012-01-24 Nantero Inc. Nonvolatile resistive memories having scalable two-terminal nanotube switches
US7835170B2 (en) 2005-05-09 2010-11-16 Nantero, Inc. Memory elements and cross point switches and arrays of same using nonvolatile nanotube blocks
US8008745B2 (en) * 2005-05-09 2011-08-30 Nantero, Inc. Latch circuits and operation circuits having scalable nonvolatile nanotube switches as electronic fuse replacement elements
US8217490B2 (en) * 2005-05-09 2012-07-10 Nantero Inc. Nonvolatile nanotube diodes and nonvolatile nanotube blocks and systems using same and methods of making same
US8013363B2 (en) * 2005-05-09 2011-09-06 Nantero, Inc. Nonvolatile nanotube diodes and nonvolatile nanotube blocks and systems using same and methods of making same
US7479654B2 (en) 2005-05-09 2009-01-20 Nantero, Inc. Memory arrays using nanotube articles with reprogrammable resistance
US9911743B2 (en) 2005-05-09 2018-03-06 Nantero, Inc. Nonvolatile nanotube diodes and nonvolatile nanotube blocks and systems using same and methods of making same
US7782650B2 (en) * 2005-05-09 2010-08-24 Nantero, Inc. Nonvolatile nanotube diodes and nonvolatile nanotube blocks and systems using same and methods of making same
US7781862B2 (en) 2005-05-09 2010-08-24 Nantero, Inc. Two-terminal nanotube devices and systems and methods of making same
US7394687B2 (en) * 2005-05-09 2008-07-01 Nantero, Inc. Non-volatile-shadow latch using a nanotube switch
US8513768B2 (en) * 2005-05-09 2013-08-20 Nantero Inc. Nonvolatile nanotube diodes and nonvolatile nanotube blocks and systems using same and methods of making same
US7598127B2 (en) 2005-05-12 2009-10-06 Nantero, Inc. Nanotube fuse structure
US7575693B2 (en) * 2005-05-23 2009-08-18 Nantero, Inc. Method of aligning nanotubes and wires with an etched feature
US7420396B2 (en) * 2005-06-17 2008-09-02 Knowmtech, Llc Universal logic gate utilizing nanotechnology
US7867616B2 (en) * 2005-06-17 2011-01-11 Honda Motor Co., Ltd. Carbon single-walled nanotubes as electrodes for electrochromic glasses
US20060292716A1 (en) * 2005-06-27 2006-12-28 Lsi Logic Corporation Use selective growth metallization to improve electrical connection between carbon nanotubes and electrodes
CN100340479C (zh) * 2005-06-30 2007-10-03 复旦大学 一种富勒烯衍生物在硅系介孔材料中的组装方法
US7599895B2 (en) 2005-07-07 2009-10-06 Knowm Tech, Llc Methodology for the configuration and repair of unreliable switching elements
RU2282919C1 (ru) 2005-09-30 2006-08-27 Александр Константинович Филиппов Углеродсодержащий материал для литий-ионного аккумулятора и литий-ионный аккумулятор
CN100408472C (zh) * 2005-12-15 2008-08-06 兰州理工大学 纳米碳管管束的制备方法及制备装置
US20070190422A1 (en) * 2006-02-15 2007-08-16 Fmc Corporation Carbon nanotube lithium metal powder battery
US8189893B2 (en) * 2006-05-19 2012-05-29 The University Of North Carolina At Chapel Hill Methods, systems, and computer program products for binary multiplexing x-ray radiography
US7781635B1 (en) 2006-08-07 2010-08-24 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Surfactant-based purification of nanotubes
US7930257B2 (en) 2007-01-05 2011-04-19 Knowm Tech, Llc Hierarchical temporal memory utilizing nanotechnology
US8110883B2 (en) 2007-03-12 2012-02-07 Nantero Inc. Electromagnetic and thermal sensors using carbon nanotubes and methods of making same
GB0709165D0 (en) 2007-05-11 2007-06-20 Nexeon Ltd A silicon anode for a rechargeable battery
US8021496B2 (en) * 2007-05-16 2011-09-20 Fmc Corporation Stabilized lithium metal powder for Li-ion application, composition and process
CN101315974B (zh) * 2007-06-01 2010-05-26 清华大学 锂离子电池负极及其制备方法
US8134220B2 (en) 2007-06-22 2012-03-13 Nantero Inc. Two-terminal nanotube devices including a nanotube bridge and methods of making same
GB0713898D0 (en) 2007-07-17 2007-08-29 Nexeon Ltd A method of fabricating structured particles composed of silcon or a silicon-based material and their use in lithium rechargeable batteries
CN103948395A (zh) * 2007-07-19 2014-07-30 北卡罗来纳大学查珀尔希尔分校 固定 x 射线数字化断层合成或断层摄影系统和相关方法
CN101381071B (zh) * 2007-09-07 2011-05-04 清华大学 碳纳米管复合薄膜及其制备方法
CN101409338A (zh) * 2007-10-10 2009-04-15 清华大学 锂离子电池负极,其制备方法和应用该负极的锂离子电池
US7850874B2 (en) * 2007-09-20 2010-12-14 Xintek, Inc. Methods and devices for electrophoretic deposition of a uniform carbon nanotube composite film
CN101400198B (zh) * 2007-09-28 2010-09-29 北京富纳特创新科技有限公司 面热光源,其制备方法及应用其加热物体的方法
CN101409961B (zh) * 2007-10-10 2010-06-16 清华大学 面热光源,其制备方法及应用其加热物体的方法
CN101409962B (zh) * 2007-10-10 2010-11-10 清华大学 面热光源及其制备方法
EP2062515B1 (en) * 2007-11-20 2012-08-29 So, Kwok Kuen Bowl and basket assembly and salad spinner incorporating such an assembly
US9564629B2 (en) * 2008-01-02 2017-02-07 Nanotek Instruments, Inc. Hybrid nano-filament anode compositions for lithium ion batteries
US8262942B2 (en) * 2008-02-07 2012-09-11 The George Washington University Hollow carbon nanosphere based secondary cell electrodes
US8659940B2 (en) * 2008-03-25 2014-02-25 Nantero Inc. Carbon nanotube-based neural networks and methods of making and using same
US20100122980A1 (en) * 2008-06-13 2010-05-20 Tsinghua University Carbon nanotube heater
US20100126985A1 (en) * 2008-06-13 2010-05-27 Tsinghua University Carbon nanotube heater
US20100000669A1 (en) * 2008-06-13 2010-01-07 Tsinghua University Carbon nanotube heater
WO2010019441A1 (en) 2008-08-14 2010-02-18 Nantero, Inc. Nonvolatile nanotube programmable logic devices and field programmable gate array
US9263126B1 (en) 2010-09-01 2016-02-16 Nantero Inc. Method for dynamically accessing and programming resistive change element arrays
US20100159366A1 (en) * 2008-08-15 2010-06-24 Massachusetts Institute Of Technology Layer-by-layer assemblies of carbon-based nanostructures and their applications in energy storage and generation devices
US7915637B2 (en) 2008-11-19 2011-03-29 Nantero, Inc. Switching materials comprising mixed nanoscopic particles and carbon nanotubes and method of making and using the same
US8600003B2 (en) 2009-01-16 2013-12-03 The University Of North Carolina At Chapel Hill Compact microbeam radiation therapy systems and methods for cancer treatment and research
WO2010120816A2 (en) * 2009-04-13 2010-10-21 Applied Materials, Inc. Metallized fibers for electrochemical energy storage
US8093669B2 (en) * 2009-05-11 2012-01-10 Honda Motor Co., Ltd. Magnetic nanotransistor
US20100284903A1 (en) 2009-05-11 2010-11-11 Honda Patents & Technologies North America, Llc New Class of Tunable Gas Storage and Sensor Materials
US8574673B2 (en) 2009-07-31 2013-11-05 Nantero Inc. Anisotropic nanotube fabric layers and films and methods of forming same
US8128993B2 (en) * 2009-07-31 2012-03-06 Nantero Inc. Anisotropic nanotube fabric layers and films and methods of forming same
US20110135810A1 (en) * 2009-12-03 2011-06-09 Marina Yakovleva Finely deposited lithium metal powder
US8222704B2 (en) * 2009-12-31 2012-07-17 Nantero, Inc. Compact electrical switching devices with nanotube elements, and methods of making same
US9051216B1 (en) * 2010-04-20 2015-06-09 Oceanit Laboratories, Inc. Highly durable composite and manufacturing thereof
US8358739B2 (en) 2010-09-03 2013-01-22 The University Of North Carolina At Chapel Hill Systems and methods for temporal multiplexing X-ray imaging
US20120088151A1 (en) * 2010-10-08 2012-04-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Positive-electrode active material and power storage device
WO2013072687A2 (en) 2011-11-16 2013-05-23 Nanoridge Materials, Incorporated Conductive metal enhanced with conductive nanomaterial
CN103187575B (zh) * 2011-12-28 2015-11-25 清华大学 薄膜锂离子电池的制备方法
GB2500611A (en) * 2012-03-26 2013-10-02 Cambridge Entpr Ltd Powder comprising carbon nanostructures and method of preparation
CN104718170A (zh) 2012-09-04 2015-06-17 Ocv智识资本有限责任公司 碳强化的增强纤维在含水或非水介质内的分散
US9782136B2 (en) 2014-06-17 2017-10-10 The University Of North Carolina At Chapel Hill Intraoral tomosynthesis systems, methods, and computer readable media for dental imaging
US10980494B2 (en) 2014-10-20 2021-04-20 The University Of North Carolina At Chapel Hill Systems and related methods for stationary digital chest tomosynthesis (s-DCT) imaging
US9299430B1 (en) 2015-01-22 2016-03-29 Nantero Inc. Methods for reading and programming 1-R resistive change element arrays
US10511017B2 (en) 2015-05-27 2019-12-17 The George Washington University Hollow carbon nanosphere composite based secondary cell electrodes
US10835199B2 (en) 2016-02-01 2020-11-17 The University Of North Carolina At Chapel Hill Optical geometry calibration devices, systems, and related methods for three dimensional x-ray imaging
US9947400B2 (en) 2016-04-22 2018-04-17 Nantero, Inc. Methods for enhanced state retention within a resistive change cell
DE102016118404A1 (de) * 2016-09-29 2018-03-29 Aixtron Se Elektrode für einen Lithium-Ionen-Akkumulator bzw. Vorrichtung und Verfahren zu deren Herstellung
US11302967B2 (en) * 2018-01-15 2022-04-12 International Business Machines Corporation Low-voltage microbattery
CN108807916B (zh) * 2018-06-14 2020-10-23 北京航空航天大学 碳纳米管薄膜在锂离子电池负极中的应用、对称电池、半电池及制备方法
EP3933881A1 (en) 2020-06-30 2022-01-05 VEC Imaging GmbH & Co. KG X-ray source with multiple grids
EP4363642A1 (de) 2021-06-28 2024-05-08 Indorama Ventures Fibers Germany GmbH Elektrisch leitfähiges garn

Family Cites Families (57)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4452777A (en) * 1981-06-26 1984-06-05 Eic Laboratories, Inc. Electrochemical cells
MA19807A1 (fr) * 1982-06-11 1983-12-31 Compositons Electrolytiques So Anodes en materiaux composites et accumulateurs utilisant lesdites anodes .
US5069683A (en) * 1989-05-11 1991-12-03 Moli Energy Limited Process of making a rechargeable battery
US5147739A (en) * 1990-08-01 1992-09-15 Honeywell Inc. High energy electrochemical cell having composite solid-state anode
US5458784A (en) * 1990-10-23 1995-10-17 Catalytic Materials Limited Removal of contaminants from aqueous and gaseous streams using graphic filaments
DE4108620A1 (de) * 1991-03-16 1992-09-17 Holland Gerhard Verfahren zur erzeugung von allotropen kohlenstoffmodifikationen
US5601949A (en) * 1992-11-19 1997-02-11 Sanyo Electric Co., Ltd. Ion conductive material for secondary battery
US5460905A (en) * 1993-06-16 1995-10-24 Moltech Corporation High capacity cathodes for secondary cells
US5370949A (en) * 1993-07-09 1994-12-06 National Research Council Of Canada Materials for use as cathodes in lithium electrochemical cells
US5879836A (en) * 1993-09-10 1999-03-09 Hyperion Catalysis International Inc. Lithium battery with electrodes containing carbon fibrils
JPH0785860A (ja) * 1993-09-10 1995-03-31 Hyperion Catalysis Internatl Inc リチウム電池
JP3298735B2 (ja) * 1994-04-28 2002-07-08 科学技術振興事業団 フラーレン複合体
JP2595903B2 (ja) * 1994-07-05 1997-04-02 日本電気株式会社 液相におけるカーボン・ナノチューブの精製・開口方法および官能基の導入方法
FR2724490B1 (fr) * 1994-09-09 1996-10-25 Lorraine Carbone Electrode composite carbone/polymere pour generateur electrochimique rechargeable au lithium
US5716708A (en) * 1995-01-17 1998-02-10 Lagow; Richard J. Acetylenic carbon allotrope
US5512392A (en) * 1995-02-10 1996-04-30 Arthur D. Little, Inc. Electrolytic cell using small particle graphite
US6140045A (en) * 1995-03-10 2000-10-31 Meso Scale Technologies Multi-array, multi-specific electrochemiluminescence testing
TW555852B (en) * 1995-03-10 2003-10-01 Meso Scale Technologies Llc Electrochemiluminescence assay apparatuses, cassettes and kits and methods of making and using the same
JP3434928B2 (ja) * 1995-04-03 2003-08-11 科学技術振興事業団 グラファイト層間化合物およびその製造方法
JP3262704B2 (ja) * 1995-04-24 2002-03-04 シャープ株式会社 非水系二次電池用炭素電極、その製造方法及びそれを用いた非水系二次電池
US5627140A (en) * 1995-05-19 1997-05-06 Nec Research Institute, Inc. Enhanced flux pinning in superconductors by embedding carbon nanotubes with BSCCO materials
US6183714B1 (en) * 1995-09-08 2001-02-06 Rice University Method of making ropes of single-wall carbon nanotubes
US5712059A (en) * 1995-09-26 1998-01-27 Valence Technology, Inc. Carbonaceous electrode and compatible electrolyte solvent
US5643695A (en) * 1995-09-26 1997-07-01 Valence Technology, Inc. Carbonaceous electrode and compatible electrolyte
US5589289A (en) * 1995-09-27 1996-12-31 Motorola, Inc. Carbon electrode materials for electrochemical cells and method of making same
US5635151A (en) * 1995-11-22 1997-06-03 Motorola, Inc. Carbon electrode materials for lithium battery cells and method of making same
US5647963A (en) * 1995-12-20 1997-07-15 Motorola, Inc. Electrode materials for electrochemical cells and method of making same
US5700298A (en) * 1996-03-15 1997-12-23 Valence Technology, Inc. Carbon anode for lithium ion electrochemical cell
RU98120524A (ru) * 1996-05-15 2000-10-10 Хайперион Каталайзис Интернэшнл Графитовые нановолокна в электрохимических конденсаторах
EP0907773B1 (en) * 1996-05-15 2006-08-16 Hyperion Catalysis International, Inc. High surface area nanofibers
DE69710787T2 (de) * 1996-05-22 2002-11-21 Moltech Corp Komposit-kathoden, elektrochemische zellen mit komposit-kathoden und verfahren zur herstellung
JPH09320570A (ja) * 1996-05-23 1997-12-12 Hitachi Maxell Ltd リチウムイオン二次電池
US5744264A (en) * 1996-06-13 1998-04-28 Valence Technology, Inc. Lithium ion electrochemical cell
US5744265A (en) * 1996-06-13 1998-04-28 Valence Technology, Inc. Lithium cell having mixed lithium--metal--chalcogenide cathode
US5670277A (en) * 1996-06-13 1997-09-23 Valence Technology, Inc. Lithium copper oxide cathode for lithium cells and batteries
JP3421549B2 (ja) * 1996-09-18 2003-06-30 株式会社東芝 真空マイクロ装置
KR100365444B1 (ko) * 1996-09-18 2004-01-24 가부시끼가이샤 도시바 진공마이크로장치와이를이용한화상표시장치
US5780182A (en) * 1996-11-04 1998-07-14 Valence Technology, Inc. Propylene carbonate based electrolyte for lithium ion electrochemical cell
US6066413A (en) * 1997-03-06 2000-05-23 Telcordia Technologies, Inc. Method for increasing reversible lithium intercalation capacity in carbon electrode secondary batteries
US5997832A (en) * 1997-03-07 1999-12-07 President And Fellows Of Harvard College Preparation of carbide nanorods
US5861224A (en) * 1997-07-15 1999-01-19 Valence Technology, Inc. Electrolyte solvent for lithium ion electrochemical cell
US5952125A (en) * 1997-07-21 1999-09-14 Nanogram Corporation Batteries with electroactive nanoparticles
US5843393A (en) * 1997-07-28 1998-12-01 Motorola, Inc. Carbon electrode material for electrochemical cells and method of making same
US6071649A (en) * 1997-10-31 2000-06-06 Motorola, Inc. Method for making a coated electrode material for an electrochemical cell
US6129901A (en) * 1997-11-18 2000-10-10 Martin Moskovits Controlled synthesis and metal-filling of aligned carbon nanotubes
JP3077655B2 (ja) * 1997-12-22 2000-08-14 日本電気株式会社 カーボンナノチューブの製造装置及びその製造方法
US6203864B1 (en) * 1998-06-08 2001-03-20 Nec Corporation Method of forming a heterojunction of a carbon nanotube and a different material, method of working a filament of a nanotube
US6146227A (en) * 1998-09-28 2000-11-14 Xidex Corporation Method for manufacturing carbon nanotubes as functional elements of MEMS devices
US6187823B1 (en) * 1998-10-02 2001-02-13 University Of Kentucky Research Foundation Solubilizing single-walled carbon nanotubes by direct reaction with amines and alkylaryl amines
US6641793B2 (en) * 1998-10-02 2003-11-04 University Of Kentucky Research Foundation Method of solubilizing single-walled carbon nanotubes in organic solutions
US6146791A (en) * 1998-11-25 2000-11-14 Materials And Electrochemical Research (Mer) Corporation Hydrogenated fullerenes as an additive to carbon anode for rechargeable lithium-ion batteries
US6250984B1 (en) * 1999-01-25 2001-06-26 Agere Systems Guardian Corp. Article comprising enhanced nanotube emitter structure and process for fabricating article
US6280697B1 (en) * 1999-03-01 2001-08-28 The University Of North Carolina-Chapel Hill Nanotube-based high energy material and method
JP3095013B1 (ja) * 1999-04-07 2000-10-03 日本電気株式会社 カーボンチューブの精製法
US6277318B1 (en) * 1999-08-18 2001-08-21 Agere Systems Guardian Corp. Method for fabrication of patterned carbon nanotube films
US20010016283A1 (en) * 1999-09-09 2001-08-23 Masashi Shiraishi Carbonaceous material for hydrogen storage, production method thereof, and electrochemical device and fuel cell using the same
JP3353768B2 (ja) * 1999-12-17 2002-12-03 日本電気株式会社 ナノチューブの加工方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100956405B1 (ko) * 2007-08-24 2010-05-06 고려대학교 산학협력단 고분자/탄소나노튜브 복합체용 탄소나노튜브 전처리 방법,이를 이용한 고분자/탄소나노튜브 복합체 제조방법 및고분자/탄소나노튜브 복합체
KR20170017567A (ko) 2015-08-07 2017-02-15 부산대학교 산학협력단 저출력 레이저 포인터 빔 조사에 의한 광감응 물질 폭발 기반의 도어 브리칭 제어 방법

Also Published As

Publication number Publication date
HK1046398B (zh) 2005-08-19
CN1183038C (zh) 2005-01-05
US6280697B1 (en) 2001-08-28
ATE317835T1 (de) 2006-03-15
WO2000051936A9 (en) 2001-11-01
US6422450B1 (en) 2002-07-23
PT1165440E (pt) 2006-06-30
HK1046398A1 (en) 2003-01-10
WO2000051936A3 (en) 2001-01-04
CA2362738A1 (en) 2000-09-08
EP1165440A2 (en) 2002-01-02
CN1347389A (zh) 2002-05-01
DE60026026T2 (de) 2006-09-14
CN1286714C (zh) 2006-11-29
ES2256014T3 (es) 2006-07-16
JP3664240B2 (ja) 2005-06-22
AU5265600A (en) 2000-09-21
CA2362738C (en) 2005-08-16
JP2002538066A (ja) 2002-11-12
EP1165440B1 (en) 2006-02-15
DE60026026D1 (de) 2006-04-20
CN1532141A (zh) 2004-09-29
WO2000051936A2 (en) 2000-09-08
EP1165440A4 (en) 2002-06-26
DK1165440T3 (da) 2006-06-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20020024574A (ko) 나노튜브 기재의 고에너지 물질 및 그의 제조 방법
CN109314225B (zh) 具有基于一体式3d石墨烯-碳-金属混杂泡沫的电极的碱金属电池
Liu et al. Confining SnS2 ultrathin nanosheets in hollow carbon nanostructures for efficient capacitive sodium storage
US11437625B2 (en) Lithium battery anode containing silicon nanowires formed in situ in pores of graphene foam
Chan et al. Solution-grown silicon nanowires for lithium-ion battery anodes
US10727002B2 (en) Lithium ion-based internal hybrid electrochemical energy storage cell
US10826113B2 (en) Zinc ion-exchanging energy storage device
US11641012B2 (en) Process for producing graphene/silicon nanowire hybrid material for a lithium-ion battery
KR101309916B1 (ko) 탄소 나노 구조체들을 이용한 고효율 에너지 변환 및 저장 시스템
Wang et al. Preparation of short carbon nanotubes and application as an electrode material in Li‐ion batteries
JP5481748B2 (ja) 炭素ナノ構造体、金属内包樹状炭素ナノ構造物の作製方法、及び炭素ナノ構造体の作製方法
Wang et al. Self-assembled mesoporous TiO2/carbon nanotube composite with a three-dimensional conducting nanonetwork as a high-rate anode material for lithium-ion battery
KR20110094186A (ko) ＳｎＯ2 및 탄소 나노튜브 및/또는 탄소 나노섬유의 복합 재료의 제조 방법, 상기 방법에 의해 제조된 물질, 및 상기 물질을 포함하는 리튬 배터리 전극
JP2005247679A (ja) 中率及び高率電池
Chen et al. Graphene quantum dots modified nanoporous SiAl composite as an advanced anode for lithium storage
JP5757173B2 (ja) 蓄電デバイス
KR20190068598A (ko) 저출력 전압을 갖는 배터리
Hou et al. Modified tungsten oxide as a binder-free anode in lithium-ion battery for improving electrochemical stability
Chong et al. Sb2S3-based conversion-alloying dual mechanism anode for potassium-ion batteries
WO2020154124A2 (en) Process for producing graphene/silicon nanowire hybrid material for a lithium-ion battery
Chadha et al. Theoretical progresses in silicon anode substitutes for Lithium-ion batteries
US20200227730A1 (en) Graphene/silicon nanowire hybrid material for a lithium-ion battery
US11476464B1 (en) Coated vertically aligned carbon nanotubes on nickel foam
Fakić et al. Carbon-based materials and their composites as Li-ion battery anodes: A review
de Jonge et al. Electrochemical storage of energy in single-wall carbon nanotubes

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
AMND Amendment
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
J201 Request for trial against refusal decision
AMND Amendment
E902 Notification of reason for refusal
B601 Maintenance of original decision after re-examination before a trial
J301 Trial decision

Free format text: TRIAL DECISION FOR APPEAL AGAINST DECISION TO DECLINE REFUSAL REQUESTED 20070228

Effective date: 20071207