JP3353768B2 - ナノチューブの加工方法 - Google Patents

ナノチューブの加工方法

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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、ナノチューブの加
工方法に関し、特に、ナノチューブの切断、その先端部
の形成等を行う際に用いて好適なナノチューブの加工方
法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】ナノメートル級の微細構造を有する単層
カーボンナノチューブ(SWCNT)が飯島等により発
見されて以来、この単層カーボンナノチューブの物性が
解明されつつあるとともに、その応用に向けての研究開
発も盛んに行われている。この単層カーボンナノチュー
ブは、平面状のグラファイト六角網を丸めて筒状とした
ものであり、チューブ径及びカイラル角度により電子構
造が大きく変わるために、電気伝導度が金属〜半導体間
の値を有し、一次元電気伝導に近い性質を示すといわれ
ている。
【0003】このカーボンナノチューブの応用例とし
て、電界効果型電子放射素子(フィールドエミッタ)が
ある。この電界効果型電子放射素子に関する参考文献と
しては、(1) W.A.de Heer, A.Chatelain, and D.Ugart
e, Science, 270, 1179 (1995);(2) A.G.Rinzler, J.H.
Hafner, P.Nikolaev, L.Lou, S.G.Kim, D.Tomanek, P.N
ordlander, D.T.Colbert, and R.E.Smalley, Science,
269, 1550 (1995);(3) P.G.Collins and A.Zettl, App
l. Phys. Lett., 69, 1969 (1996);(4) Q.H.Wang,T.D.C
orrigan, J.Y.Dai, P.R.H.Chang, and A.R.Krauss, App
l. Phys. Lett., 70, 3308 (1997);(5) Y.Saito, K.Ham
aguchi, T.Nishino, K.Hata, K.Tohji, A.Kasuya, and
Y.Nishina, Jpn. J. Appl. Phys., 36, L1340 (1997);
(6) J-M.Bonard, J-P.Salvetat, T.Stockli, W.A.de He
er, L.Forro, and A.Chatelain, Appl. Phys. Lett., 7
3, 918 (1998);等がある。
【0004】カーボンナノチューブの電子放出端のシャ
ープさは、電界効果を増強し、カーボンナノチューブの
良好なフィールドエッミション特性を実現する。しかし
ながら、従来のカーボンナノチューブにおいては、ナノ
チューブティップを操作したり、それを制御する方法と
しては、実用的な方法がなかったために、従来の電子放
出部においては、最適な方向性を有し、有効な電子放出
端となるカーボンナノチューブの数の割合がとても低
く、特に、参考文献:(7) Y.Zhangand S.Iijima, Philo
s. Mag. Lett., 78, 139 (1998);に示されているよう
に、単層カーボンナノチューブの製造ではアスペクト比
が大きく(細長く)、しかも曲がったものの歩留まりが
高く、実用上の障害の一つになっていた。
【0005】したがって、複数本のナノチューブティッ
プを同一方向に揃えたり、あるいはそれを一つの方向に
沿って配列することは事実上不可能であった。実際、上
記文献(7)に示されているように、ナノチューブティ
ップを探針で評価することは、非常に困難なことであっ
た。そこで、このような困難を克服するために、下記の
文献に示すように、硝酸、または硝酸の混合酸、あるい
は硫酸を用いた酸化による単層カーボンナノチューブの
切断方法が提案されている。
【0006】この単層カーボンナノチューブの切断方法
に関する参考文献としては、(8) K.B.Shelimov, R.O.Es
enaliev, A.G.Rinzler, C.B.Huffman, and R.E.Smalle
y, Chem. Phys. Lett., 282, 429 (1998); (9) J.Liu,
M.J.Casavant, M.Cox, D.A.Walters, P.Boul, W.Lu, A.
J.Rimberg, K.A.Smith, D.T.Colbert, and R.E.Smalle
y, Chem. Phys. Lett., 303, 125 (1999); (10) Z.Shi,
Y.Lian, F.Liao, X.Zhou, Z.Gu, Y.Zhang, and S.Iiji
ma, Solid State Comm., 112 (1999) 35; 等がある。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上述した従
来の単層カーボンナノチューブの切断方法は、単層カー
ボンナノチューブを切断することはできるものの、切断
箇所を特定して切断することができず、ナノチューブの
切断部位を制御することができないという問題点があっ
た。また、上述した従来の切断方法は、硝酸、硫酸等の
強酸を用いた化学的なウェットプロセスであるために、
この強酸が製造プロセスにおいて悪影響を及ぼすことと
なり、マイクロ素子を製造する際には適さないものであ
った。
【0008】本発明は、上記の事情に鑑みてなされたも
のであって、化学的なウェットプロセスを用いることな
く、極めて簡便な方法によりナノチューブの先端部を選
択的に所定の形状に加工することができ、特に、ナノチ
ューブの先端部を電界効果型電子銃等の電子素子として
有用な形状に加工することができるナノチューブの加工
方法を提供することを目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明は次の様なナノチューブの加工方法を提供し
た。すなわち、請求項1記載のナノチューブの加工方法
は、ナノチューブを第1の物質と接触させ、前記ナノチ
ューブと該第1の物質が反応してなる反応生成物を生成
する第1の工程と、前記ナノチューブを該反応生成物か
ら分離する第2の工程とを含むことを特徴としている。
【0010】請求項2記載のナノチューブの加工方法
は、請求項1記載のナノチューブの加工方法において、
前記第1の工程は、前記ナノチューブを前記第1の物質
と接触させた後、少なくとも前記第1の物質を加熱して
前記ナノチューブと前記第1の物質を反応せしめること
を特徴としている。
【0011】請求項3記載のナノチューブの加工方法
は、請求項2記載のナノチューブの加工方法において、
前記加熱は、熱線照射により行うことを特徴としてい
る。
【0012】請求項4記載のナノチューブの加工方法
は、請求項3記載のナノチューブの加工方法において、
前記熱線は、赤外線であることを特徴としている。
【0013】請求項5記載のナノチューブの加工方法
は、請求項2記載のナノチューブの加工方法において、
前記加熱は、前記ナノチューブと前記第1の物質との間
に通電することにより行うことを特徴としている。
【0014】請求項6記載のナノチューブの加工方法
は、請求項1記載のナノチューブの加工方法において、
前記第2の工程は、少なくとも前記第1の物質を急冷す
ることにより、前記ナノチューブを前記第1の物質から
分離することを特徴としている。
【0015】請求項7記載のナノチューブの加工方法
は、請求項1ないし6のいずれか1項記載のナノチュー
ブの加工方法において、前記ナノチューブは、単層であ
ることを特徴としている。
【0016】請求項8記載のナノチューブの加工方法
は、請求項1ないし7のいずれか1項記載のナノチュー
ブの加工方法において、前記ナノチューブは、カーボン
ナノチューブであることを特徴としている。
【0017】請求項9記載のナノチューブの加工方法
は、請求項1ないし8のいずれか1項記載のナノチュー
ブの加工方法において、前記第1の物質は、金属または
半導体であることを特徴としている。前記第1の物質と
しては、前記ナノチューブと接触することにより反応す
る物質であればよく、例えば、前記金属としてはNb
が、前記半導体としてはSiが、好適に用いられる。
【0018】
【発明の実施の形態】本発明のナノチューブの加工方法
の一実施形態について、図1に基づき説明する。ここで
は、ナノチューブとして単層カーボンナノチューブ(S
WCNT)を例にとり、この単層カーボンナノチューブ
を第1の物質であるNbを用いて切断することにより、
該単層カーボンナノチューブの先端部を形成する方法に
ついて説明する。
【0019】まず、図1(a)に示すように、単層カー
ボンナノチューブと反応する物質として、金属基板、例
えば薄厚のNb基板1を用意した。このNb基板1の厚
みは2mmであり、この表面の所定位置に、イオンミリ
ング法等を用いて所定形状の穴1aを形成した。また、
レーザーアブレーション法により生成した単層カーボン
ナノチューブ2を別途用意した。
【0020】次いで、この単層カーボンナノチューブ2
を、超音波等を用いて、例えば、エタノール、2−プロ
パノール、アセトン等の有機溶剤中に分散させ、単層カ
ーボンナノチューブ分散液とし、この分散液をNb基板
1上に塗布した。次いで、このNb基板1上の分散液か
ら有機溶剤を蒸発させた。この場合、ほとんどの単層カ
ーボンナノチューブ2は、一直線に伸びているか、強く
屈曲しているか、互いに束ねられているか、のいずれか
の状態であるから、Nb基板1上でエタノール等の有機
溶剤が蒸発した後も、単層カーボンナノチューブ2は立
体的構造を保ったままNb基板1上に配置されていた。
したがって、この単層カーボンナノチューブ2は、Nb
基板1の穴1aの縁で、このNb基板1と部分的に接触
した状態であった。
【0021】次いで、この試料、すなわち単層カーボン
ナノチューブ2を接触させたNb基板1を超高真空透過
型電子顕微鏡(UHV−TEM,JEM-2000FXVII)の真
空室内の加熱ステージ上に取り付け、その後、該真空室
内を密閉状態として真空引きし、該真空室内の真空度を
1.33×10-7〜1.33×10-6Pa(10-9〜1
-8Torr)とした。なお、該真空室内に、例えば、
Arガス、N2ガス等の不活性ガスを低圧で充填し、不
活性雰囲気としてもよい。
【0022】次いで、この真空を保持した状態で、前記
試料に赤外線ランプを照射することにより該試料を加熱
した。この際のNb基板1の温度は、単層カーボンナノ
チューブ2とNb基板1とが固相反応するのに十分な温
度であればよい。ここでは、Nb基板1の最高温度を8
00℃〜1000℃とした。また、加熱時間は、50〜
60分とした。
【0023】この加熱により、単層カーボンナノチュー
ブ2とNb基板1との接触部分で、Nbと単層カーボン
ナノチューブが固相反応することにより、図1(b)に
示すように、これらの反応生成物であるNbC(炭化ニ
オブ)3が生成した。次いで、赤外線ランプの照射を停
止し、その後、試料を急速に冷却した。この冷却過程
で、単層カーボンナノチューブ2とNbC3との界面に
亀裂が生じ、単層カーボンナノチューブ2の先端部がN
bC3から分離した。
【0024】図2は、この単層カーボンナノチューブ2
の先端部の透過型電子顕微鏡(TEM)像であり、この
図2により、単層カーボンナノチューブ2の先端部が選
択的に形成されていることが明らかである。
【0025】本実施形態のナノチューブの加工方法によ
れば、単層カーボンナノチューブ2とNb基板1とを接
触部分で固相反応させ、これらの接触部分に反応生成物
であるNbC3を生成せしめるので、単層カーボンナノ
チューブ2の切断部分をNb基板1との接触部分の近傍
に限定することができ、大部分の非接触部分の単層カー
ボンナノチューブ2の構造を変化させないようにするこ
とができる。したがって、単層カーボンナノチューブ2
の先端部の形成が可能になる。
【0026】以上、本発明のナノチューブの加工方法の
一実施形態について図面に基づき説明してきたが、具体
的な構成は本実施形態に限定されるものではなく、本発
明の要旨を逸脱しない範囲で設計の変更等が可能であ
る。例えば、上記実施形態では、第1の物質としてNb
基板を用いたが、Nb以外の金属や、Si等の半導体を
用いても全く同様の効果を奏することができる。
【0027】また、上記実施形態では、ナノチューブと
してカーボンナノチューブを用いたが、ナノチューブは
カーボンナノチューブに限らず、例えば、窒化ホウ素
(BN)を主成分とするナノチューブであってもよい。
また、単層のみならず、例えば、多層カーボンナノチュ
ーブ等の多層のナノチューブを用いてもよい。また、上
記実施形態では、赤外線加熱を用いたが、カーボンナノ
チューブとNb基板との間に電流を流して加熱する、い
わゆる抵抗加熱を用いてもよい。また、赤外線加熱や抵
抗加熱以外に、他の加熱手段を用いてももちろんよい。
【0028】
【発明の効果】以上説明した様に、本発明によれば、ナ
ノチューブを第1の物質と接触させ、前記ナノチューブ
と該第1の物質が反応してなる反応生成物を生成する第
1の工程と、前記ナノチューブを該反応生成物から分離
する第2の工程とを含むので、極めて簡便な方法によ
り、ナノチューブの先端を選択的に形成することができ
る。したがって、電界効果型電子銃等の電子素子の形成
に有用なナノチューブの先端部を実現することができ、
電子産業上の効果は大である。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の一実施形態のナノチューブの加工方
法を示す過程図である。
【図2】 本発明の一実施形態のナノチューブの加工方
法により得られた単層カーボンナノチューブの先端部の
透過型電子顕微鏡(TEM)像である。
【符号の説明】
1 Nb基板 2 カーボンナノチューブ 3 NbC
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平11−349306(JP,A) 特開2001−146409(JP,A) Y.ZHANG.et al,het erostructures of S ingle−Walled Carbo n Nanotubes and Ca rbide Nanorods,SCI ENCE,1999年9月10日,Vol. 285,p.1719−1722 (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) C01B 31/02 101 B82B 3/00 JICSTファイル(JOIS) INSPEC(DIALOG)

Claims (9)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 ナノチューブを第1の物質と接触させ、
    前記ナノチューブと該第1の物質が反応してなる反応生
    成物を生成する第1の工程と、前記ナノチューブを該反
    応生成物から分離する第2の工程とを含むことを特徴と
    するナノチューブの加工方法。
  2. 【請求項2】 前記第1の工程は、前記ナノチューブを
    前記第1の物質と接触させた後、少なくとも前記第1の
    物質を加熱して前記ナノチューブと前記第1の物質を反
    応せしめることを特徴とする請求項1記載のナノチュー
    ブの加工方法。
  3. 【請求項3】 前記加熱は、熱線照射により行うことを
    特徴とする請求項2記載のナノチューブの加工方法。
  4. 【請求項4】 前記熱線は、赤外線であることを特徴と
    する請求項3記載のナノチューブの加工方法。
  5. 【請求項5】 前記加熱は、前記ナノチューブと前記第
    1の物質との間に通電することにより行うことを特徴と
    する請求項2記載のナノチューブの加工方法。
  6. 【請求項6】 前記第2の工程は、少なくとも前記第1
    の物質を急冷することにより、前記ナノチューブを前記
    第1の物質から分離することを特徴とする請求項1記載
    のナノチューブの加工方法。
  7. 【請求項7】 前記ナノチューブは、単層であることを
    特徴とする請求項1ないし6のいずれか1項記載のナノ
    チューブの加工方法。
  8. 【請求項8】 前記ナノチューブは、カーボンナノチュ
    ーブであることを特徴とする請求項1ないし7のいずれ
    か1項記載のナノチューブの加工方法。
  9. 【請求項9】 前記第1の物質は、金属または半導体で
    あることを特徴とする請求項1ないし8のいずれか1項
    記載のナノチューブの加工方法。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8449858B2 (en) 2009-06-10 2013-05-28 Carbon Solutions, Inc. Continuous extraction technique for the purification of carbon nanomaterials
US8454923B2 (en) 2009-06-10 2013-06-04 Carbon Solutions, Inc. Continuous extraction technique for the purification of carbon nanomaterials

Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6280697B1 (en) * 1999-03-01 2001-08-28 The University Of North Carolina-Chapel Hill Nanotube-based high energy material and method
US6723299B1 (en) * 2001-05-17 2004-04-20 Zyvex Corporation System and method for manipulating nanotubes
US9269043B2 (en) 2002-03-12 2016-02-23 Knowm Tech, Llc Memristive neural processor utilizing anti-hebbian and hebbian technology
US7392230B2 (en) * 2002-03-12 2008-06-24 Knowmtech, Llc Physical neural network liquid state machine utilizing nanotechnology
US6889216B2 (en) 2002-03-12 2005-05-03 Knowm Tech, Llc Physical neural network design incorporating nanotechnology
US20040039717A1 (en) * 2002-08-22 2004-02-26 Alex Nugent High-density synapse chip using nanoparticles
US8156057B2 (en) * 2003-03-27 2012-04-10 Knowm Tech, Llc Adaptive neural network utilizing nanotechnology-based components
US7412428B2 (en) 2002-03-12 2008-08-12 Knowmtech, Llc. Application of hebbian and anti-hebbian learning to nanotechnology-based physical neural networks
US7398259B2 (en) 2002-03-12 2008-07-08 Knowmtech, Llc Training of a physical neural network
US7752151B2 (en) * 2002-06-05 2010-07-06 Knowmtech, Llc Multilayer training in a physical neural network formed utilizing nanotechnology
US7827131B2 (en) * 2002-08-22 2010-11-02 Knowm Tech, Llc High density synapse chip using nanoparticles
US7426501B2 (en) 2003-07-18 2008-09-16 Knowntech, Llc Nanotechnology neural network methods and systems
US7347981B2 (en) * 2003-09-25 2008-03-25 The Penn State Research Foundation Directed flow method and system for bulk separation of single-walled tubular fullerenes based on helicity
US7502769B2 (en) * 2005-01-31 2009-03-10 Knowmtech, Llc Fractal memory and computational methods and systems based on nanotechnology
US7409375B2 (en) * 2005-05-23 2008-08-05 Knowmtech, Llc Plasticity-induced self organizing nanotechnology for the extraction of independent components from a data stream
JP4786205B2 (ja) * 2005-03-14 2011-10-05 浜松ホトニクス株式会社 カーボンナノチューブの加工方法、及び加工装置
US7420396B2 (en) * 2005-06-17 2008-09-02 Knowmtech, Llc Universal logic gate utilizing nanotechnology
US7599895B2 (en) 2005-07-07 2009-10-06 Knowm Tech, Llc Methodology for the configuration and repair of unreliable switching elements
US7930257B2 (en) 2007-01-05 2011-04-19 Knowm Tech, Llc Hierarchical temporal memory utilizing nanotechnology
FR2965102B1 (fr) * 2010-09-17 2016-12-16 Centre Nat De La Rech Scient (Cnrs) Canon a electrons emettant sous haute tension, destine notamment a la microscopie electronique

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1376891A (en) * 1970-10-20 1974-12-11 Atomic Energy Authority Uk Silicon nitride ceramics
JPS5480383A (en) * 1977-12-08 1979-06-27 Crown Cork Japan Releasable adhesion structure
JPS6012991B2 (ja) * 1979-05-01 1985-04-04 住友電気工業株式会社 高硬度工具用焼結体の製造法
US4461665A (en) * 1981-07-08 1984-07-24 Schertler Manfred K Sheet type composite material and method and apparatus for manufacturing the same
US6231980B1 (en) * 1995-02-14 2001-05-15 The Regents Of The University Of California BX CY NZ nanotubes and nanoparticles
JP2000516708A (ja) * 1996-08-08 2000-12-12 ウィリアム・マーシュ・ライス・ユニバーシティ ナノチューブ組立体から作製された巨視的操作可能なナノ規模の装置
EP0962260B1 (en) * 1998-05-28 2005-01-05 Ulvac, Inc. Material evaporation system
JP2000068055A (ja) * 1998-08-26 2000-03-03 Tdk Corp 有機el素子用蒸発源、この有機el素子用蒸発源を用いた有機el素子の製造装置および製造方法
US6283812B1 (en) * 1999-01-25 2001-09-04 Agere Systems Guardian Corp. Process for fabricating article comprising aligned truncated carbon nanotubes
US6452171B1 (en) * 1999-07-23 2002-09-17 Piezomax Technologies, Inc. Method for sharpening nanotube bundles
US6277318B1 (en) * 1999-08-18 2001-08-21 Agere Systems Guardian Corp. Method for fabrication of patterned carbon nanotube films

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Y.ZHANG.et al,heterostructures of Single−Walled Carbon Nanotubes and Carbide Nanorods,SCIENCE,1999年9月10日,Vol.285,p.1719−1722

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8449858B2 (en) 2009-06-10 2013-05-28 Carbon Solutions, Inc. Continuous extraction technique for the purification of carbon nanomaterials
US8454923B2 (en) 2009-06-10 2013-06-04 Carbon Solutions, Inc. Continuous extraction technique for the purification of carbon nanomaterials

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