JP2006294387A - ナノカーボンエミッタ及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 基体7と絶縁層8とゲート電極層9とが順次積層され、ゲート電極層9及び絶縁層8を設けた基体7に達する開口部5が設けられ、開口部5内の基体7を開口に向かってメサ形状に突出させたエミッタ下地層6を有し、エミッタ下地層6上にナノカーボン10を有する。エミッタ下地層6の高さを高くすることによって、ナノカーボン10先端の電界強度を大きくする。
【選択図】 図1
Description
このため、熱電子ではなく冷電子を利用できるようにして、全体としてエネルギー消費量を低減させ、しかも、デバイス自体を小型化し、高速応答性と高解像度とを備えた平面型のディスプレイが求められ、さらに近年では、そのような平面型ディスプレイに高輝度を実現することが強く求められている。
このような冷電子を利用する平面型ディスプレイの構造としては、高真空の平板セル中に、微小な電子放出素子をアレイ状に配したものが有望視されている。そして、そのために使用する電子放出素子として、電界放射現象を利用した電界放射型の電子放出素子が注目されている。この電界放射型の電子放出素子は、物質に印加する電界の強度を上げると、その強度に応じて物質表面のエネルギー障壁の幅が次第に狭まり、電界強度が107 V/cm以上の強電界となると、物質中の電子がトンネル効果によりそのエネルギー障壁を通過できるようになり、そのため物質から電子が放出されるという現象を利用している。また、電子を放出する部材の先端を鋭角に加工することによって、部材先端の電界強度を増大させ、低い引き出し電圧で効率的に冷電子の放出を行うことができる。
まず、図5(a)に示すように、予め導電層52が形成された絶縁性基板51上に、絶縁層53及びゲート電極54をスパッタ法又は真空蒸着法等により順次成膜する。続いて、フォトリソグラフィー法と反応性イオンエッチング(RIE)法とを利用して絶縁層53及びゲート電極54の一部を、導電層52が露出するまで円形の孔(ゲート孔)が開口するようにエッチングする。
次に、図5(b)に示すように、斜方蒸着により剥離層55をゲート電極54上面と側面にのみ形成する。剥離層55の材料としては、Al、MgO等が多く使用される。
続いて、図5(c)に示すように、導電層52上に、その垂直な方向から通常の異方性蒸着により、エミッタ56用の金属材料を蒸着する。このとき、蒸着の進行につれて、ゲート孔の開口径が狭まると同時に導電層52上に円錐形のエミッタ56が自己整合的に形成される。蒸着は、最終的にゲート孔が閉じるまで行なう。エミッタの材料としては、Mo、Ni等などの金属を使用している。
最後に、図5(d)に示すように、リフトオフ材55をエッチングにより剥離し、必要に応じてゲート電極54をパターニングする。これによりスピント型エミッタを備えた電子放出素子が得られる(非特許文献1参照)。
次に、図6(b)に示すように、サイドエッチレートの高い条件の反応性イオンエッチング法(RIE)によりシリコン基板61をエッチングし、エミッタ63を形成する。
続いて、図6(c)に示すように、熱酸化によりシリコン基板61及びエミッタ63の表面にエミッタ先端の先鋭化用酸化シリコン層64を形成する。この酸化シリコン層64の形成時に発生する応力により、酸化シリコン層64の内側のエミッタ63の先端がさらに尖鋭化される。
次に、図6(d)に示すように、異方性蒸着法により絶縁層65、ゲート電極66を積層する。最後に、図6(e)に示すように、リフトオフ材としても機能するエッチングマスク用酸化シリコン層62をエッチングによりリフトオフし、さらに、エミッタ63の表面の酸化シリコン層64をエッチングで除去する。そして必要に応じてゲート電極66をパターニングする。上記工程により、シリコンエミッタを備えた電子放出素子が得られる(非特許文献2参照)。
さらに、ディスプレイ用等の面電子源として応用するためには、上記のような極微細加工を施して得られる円錐形エミッタを多数作製しアレイ状に配置する必要がある。しかしながら、超精密加工が必要であるため、構造的欠陥が生じやすく、大面積に均一に作製することは容易ではなく、歩留まりが低下する上、欠陥検査等も不可欠となり製造コストが高くなるという課題があった。
しかしながら、この文献のカーボンナノチューブの形成方法は、炭素質基板、例えば、グラファイト基板にイオンを照射することによって生成するため、上記のようにカーボンナノチューブの長さが不揃いであり、長さの長いカーボンナノチューブが電極73やグリッド75に接触してカーボンナノチューブとグリッドがショートし易い。このため、このエミッタは製造歩留まりが悪く、例えば、このエミッタを画素電子銃とする平面ディスプレイはコストが高いという課題があった。
この方法は、Si基板上に鉄薄膜を堆積し、この薄膜を活性化処理し、この薄膜上に炭化水素ガスを原料ガスとしたプラズマCVD法によりカーボンナノチューブを生成させ、カーボンナノチューブの先端に堆積したアモルファスカーボン等のカーボンナノチューブ以外のカーボン組成物を吸熱酸化反応によって除去するものである。図8は、この方法で生成したカーボンナノチューブを斜め上方より撮影した走査電子顕微鏡写真であり、Si基板に強固に結合し、垂直に、且つ、長さを揃えて生成したカーボンナノチューブの束が得られることがわかる。この方法を用いれば、カーボンナノチューブを利用したエミッタを歩止まり良く製造できる。
C. A. Spindt : J. Appl. Phys., 39, 3504 (1968) K. Betsui: Tech. Dig. IVMC., (1991) p.26 Y.Sakakibara et.al., Jpn. J. Appl. Phy., 42, L494(2003)
図9は従来のナノカーボンエミッタの課題を示す図である。図において、従来のナノカーボンエミッタ91は、基体92と絶縁層93とゲート電極層94とが順次積層された構造を有し、この積層構造の所定の位置にゲート電極層94及び絶縁層93を貫通して開けられた基体92に達する開口部95を有し、開口部95内の基体92上にナノカーボン96を有している。
この構成において、ナノカーボン96の先端の電界強度をより大きくするためには、ナノカーボン96とゲート電極層94の間により高い電圧を印加すればよいが、ゲート電極層94と基体92間の高電圧によって絶縁層93が絶縁破壊されないように、絶縁層93の厚さaを大きくする必要がある。しかしながら、図9(b)に示すように、絶縁層93の厚さaを大きくすると、ナノカーボン96とゲート電極94の間の距離bも大きくなり、ナノカーボン96の先端の電界強度を大きくすることができない。ナノカーボン96の長さを長くし、ナノカーボン96とゲート電極94の間の距離bを短くすることも一つの解決策であるが、ナノカーボン96には最適な長さがあり、例えば、カーボンナノチューブは長さが長くなると、電子放出中の温度上昇によって互いに絡み合い、その結果、カーボンナノチューブが基体に垂直ではなくなるという現象が生ずるので、一般に、ナノカーボンの長さを調節するのは好ましくない。
この構成によれば、絶縁層を厚くしても、エミッタ下地層の高さを、絶縁層の厚さに応じて高くすることによって、ナノカーボンの先端とゲート電極との距離を短くすることができ、従って、ナノカーボン先端の電界強度を大きくすることができる。
ゲート電極層の上面が、絶縁保護層で覆われていれば、ナノカーボンエミッタを部品の一つとして使用するシステムにおいて、電圧の漏洩等の心配が無くなり、使用上の利便性が良くなる。
エミッタ下地層が、ナノカーボンに流れる過大電流を制限する制限抵抗値に等しい抵抗値を有していれば、過電流を防止する制限抵抗を付加する必要がなくなり、ナノカーボンエミッタを簡素にできる。
(a)導電性の基体上にナノカーボンを生成させる触媒層を形成する工程と、
(b)上記触媒層上に、ナノカーボンを生成する領域を形成するためのエッチングマスクパターン層を形成する工程と、
(c)エッチングマスクパターン層を用いて、ナノカーボンを生成する領域の触媒層及び基体を残してメサエッチングし、メサ形状のエミッタ下地層を形成する工程と、
(d)基体上に、絶縁層とゲート電極層とを順次積層する工程と、
(e)上記(b)のエッチングマスクパターン層をリフトオフ材として用い、メサ形状のエミッタ下地層上に積層した絶縁層とゲート電極層とをリフトオフにより取り除く工程と、
(f)上記触媒層上にのみ選択的にナノカーボンを生成する工程と、
を含んでなることを特徴とする。
この方法によれば、高度の微細加工技術を必要とせず、簡便な方法で作製できるので、コストが低いと共に歩留まりも向上できる。
(a)非導電性の基体上に導電性膜を積層する工程と、
(b)導電性膜上にナノカーボンを生成させる触媒層を形成する工程と、
(c)触媒層上に、ナノカーボンを生成する領域を形成するためのエッチングマスクパターン層を形成する工程と、
(d)エッチングマスクパターン層を用いて、ナノカーボンを生成する領域の触媒層及び基体を残し、且つ、導電性膜の厚さの一部を残してメサエッチングし、メサ形状のエミッタ下地を形成する工程と、
(e)基体上に、絶縁層とゲート電極層とを順次積層する工程と、
(f)上記(c)のエッチングマスクパターン層をリフトオフ材として用い、メサ形状のエミッタ下地層上に積層した絶縁層とゲート電極層とをリフトオフにより取り除く工程と、
(g)触媒層上にのみ選択的にナノカーボン材料を生成する工程と、
を含んでなることを特徴とする。
この方法によれば、非導電性基体を使用でき、且つ、高度の微細加工技術を必要とせず簡便な方法で作製できるので、コストが低いと共に歩留まりも向上できる。
生成したナノカーボンを、吸熱酸化反応を生ずる酸化剤中で加熱して、ナノカーボン先端のカーボン不純物を除去しても良い。
また、本発明のナノカーボンエミッタの製造方法によれば、高度の微細加工技術を必要とせず、簡便な方法で作製できるので、コストが低いと共に歩留まりも向上できる。
図1は本発明のナノカーボンエミッタの構成を示す断面模式図である。図1(a)は基体が導電性基体である場合を示し、(b)は基体が導電性基体であり、且つゲート電極上に絶縁膜を有する場合を示し、(c)は基体が非導電性基体である場合を示し、(d)は基体が非導電性基体であり、且つゲート電極上に絶縁膜を有する場合を示す。
図1(a)に示す本発明のナノカーボンエミッタ1は、電子を引き出す開口部5に、開口、すなわち図面で上方に向かって凸形状に突出した基体、すなわち、メサ形状のエミッタ下地層6を有する基体7と、基体7上に積層した第1の絶縁層8と、第1の絶縁層8上に積層されたゲート電極層9と、エミッタ下地層6上に生成したナノカーボン10とから成り、開口部5はナノカーボン10を取り囲むように形成されている。基体7とゲート電極9間に基体7が負になるように電圧を印加して、ナノカーボン10の先端に高電界を印加し、ナノカーボン10の先端から開口部5を通して電子を引き出す。
図1(b)に示す本発明のナノカーボンエミッタ2は、図1(a)の構成に加えて、ゲート電極9上に第2の絶縁膜11を有することのみが異なる。
図1(c)に示す本発明のナノカーボンエミッタ3は、図1(a)の構成と比べて、基体7が非導電性基体12と非導電性基体12上に積層した導電性膜13とからなる点のみが異なる。導電性膜13とゲート電極9間に導電性膜13が負になるように電圧を印加して、ナノカーボン10の先端に高電界を印加し、ナノカーボン10の先端から開口部5を通して電子を引き出す。
図1(d)に示す本発明のナノカーボンエミッタ4は、図1(c)の構成と比べて、ゲート電極層9上に第2の絶縁膜11を有することだけが異なる。
また、エミッタ下地層6の形状は、円柱の他、円錐、円錐台、多角柱、または、多角錐台とすることができる。
ナノカーボン10は、カーボンナノチューブ、カーボンナノホーン、カーボンナノコーンまたはカーボンナノフィラメントから構成することができる。
絶縁層8は、酸化シリコン、窒化シリコン、酸化アルミニウム等の金属酸化物、または、ポリイミド等の絶縁性有機薄膜が使用できる。
ゲート電極層9としては、ニオブ、タンタル、チタン、モリブデン、クロム等の高融点金属が好ましい。ゲート電極層9上の絶縁保護膜11は、絶縁層8と同じ材料を用いることができる。
初めに、導電性基体を用いる場合の製造方法を説明する。
図2は本発明のナノカーボンエミッタの製造方法を示す工程図である。基体7として、導電性のシリコン基板、触媒として鉄、絶縁層8材料として酸化シリコン、ゲート電極9としてニオブ、及び、ナノカーボン10としてカーボンナノチューブを用いた場合を例に説明するが、他の同様の材料を使用できることは明かである。また、カーボンナノチューブの生成は、気相生成法を用いる場合を例に取り説明するが、もちろん液相生成法でも良い。また、下記の説明で用いた積層手段及びエッチング手段は一例であって、他の同様の手段を適用できる。
図2(a)に示すように、シリコン基板21上に蒸着法により、触媒層22として鉄を10nmの厚みで成膜した。
次に、図2(b)に示すように、触媒層22上に、フォトレジスト23を2μmの膜厚で塗布後、フォトリソグラフィー法によりレジストパターンを形成した。ここで、直径7μmの円形のパターンを作製した。
次に、図2(c)に示すように、高周波リアクティブイオンエッチング(RIE)により、触媒層22とシリコン基板21をメサエッチングし、上面に触媒層22を有し、高さが約2μmの円柱状のエミッタ下地層24を形成した。
次に、図2(d)に示すように、レジスト23をリフトオフ材として残したまま、絶縁層25として酸化シリコンを約4μm、及び、ゲート電極層26としてニオブを約1μm、連続して蒸着した。
そして、図2(e)に示すように、レジスト23を溶解して除去することにより、レジスト23上の絶縁層25’及びゲート電極層26’をリフトオフして除去し、絶縁層25及びゲート電極26を形成した。
このようにして、図2(f)に示すように、触媒層22の活性化処理をした後、マイクロ波プラズマCVD法によりカーボンナノチューブ27を選択的に生成させた。
原料ガス:メタン(20sccm)、水素(80sccm)、
基板温度:600℃、
反応圧力:2.0Torr、
マイクロ波周波数:2.4GHz、
MWパワー:200W、
反応時間:10分
なお、反応時間は、基板とプラズマが連続的に接触する時間である。
生成したカーボンナノチューブ23をTEM(透過型電子顕微鏡)により観察したところ、個々のカーボンナノチューブは、平均直径1〜5nm、平均長さ0.5〜0.8μmであった。
以上の工程により、カーボンナノチューブ27を電子放出部とする本発明のナノカーボンエミッタを作製した。
高周波(RF)プラズマCVDの条件は、下記の通りである。
原料ガス:メタン(20sccm)、水素(80sccm)、
基板温度:600℃、
反応圧力:0.2Torr、
RF波周波数:13.45GHz、
RFパワー:300W、
反応時間:10分
生成したカーボンナノチューブ27をTEMにより観察したところ、個々のカーボンナノチューブは、平均直径1〜5nm、平均長さ0.7〜0.8μmであった。
この製造方法は、非導電性基体を用いる場合の製造方法である。図3は、本発明のナノカーボンエミッタの他の製造方法を示す工程図である。
初めに、図3(a)に示すように、絶縁性シリコン基板31上に、スパッタ法により導電性シリコン薄膜32を3μmの厚みで成膜後、続いて蒸着法により、触媒層22として鉄を10nmの厚みで成膜した。
次に、図3(b)に示すように、触媒層22上に、フォトレジスト23を2μmの膜厚で塗布後、フォトリソグラフィー法によりレジストパターンを形成した。ここで、直径7μmの円形のパターンを作製した。
続いて、図3(c)に示すように、高周波リアクティブイオンエッチング(RIE)により、触媒層22と導電性シリコン膜32をメサエッチングし、上面に触媒層22を有する、高さ約2μmの円柱状のエミッタ下地層34を形成した。
次に、図3(d)に示すように、レジスト23をリフトオフ材として残したまま絶縁層25として酸化シリコンを約4μm、ゲート電極層26としてニオブを約1μm、連続蒸着した。
そして、図3(e)に示すように、レジスト23を溶解除去することによって、レジスト23上の絶縁層25’及びゲート電極層26’をリフトオフして除去し、絶縁層25及びゲート電極26を形成した。
最後に、図3(f)に示すように、触媒層22の活性化を行った後、マイクロ波プラズマCVD法によりカーボンナノチューブ27を選択的に生成させた。
原料ガス:メタン(20sccm)、水素(80sccm)、
基板温度:600℃、
反応圧力:2.0Torr、
マイクロ波周波数:2.4GHz、
MWパワー:200W、
反応時間:10分
なお、反応時間は、基板とプラズマが連続的に接触する時間である。
生成したカーボンナノチューブ23をTEM(透過型電子顕微鏡)により観察したところ、個々のカーボンナノチューブは、平均直径1〜5nm、平均長さ0.7〜0.8μmであった。
以上の工程により、カーボンナノチューブ27を電子放射部とするナノカーボンエミッタを得た。
また、本発明のナノカーボンエミッタの製造方法によれば、高度の微細加工技術を必要とせず、簡便な方法で作製できるので、コストが低廉になると共に歩留まりも向上でき、従って、本発明のナノカーボンエミッタを低コストで提供できる。
5 開口
6 エミッタ下地層
7 基体(導電性)
8 絶縁層
9 ゲート電極層
10 ナノカーボン
11 絶縁層
12 非導電性基体
13 導電性膜
21 導電性シリコン基体
22 触媒層
23 フォトレジスト
24 エミッタ下地層
25,25’ 絶縁層
26,26’ ゲート電極層
27 カーボンナノチューブ
31 非導電性基体
32 導電性膜
34 エミッタ下地層
Claims (12)
- 基体と絶縁層とゲート電極層とが順次積層された積層構造を有し、この積層構造の所定の位置に基体に達する開口部を有し、この開口部内の上記基体上に、ナノカーボンを有するナノカーボンエミッタにおいて、
開口部内の基体を開口に向かってメサ形状に突出させた、エミッタ下地層を有することを特徴とする、ナノカーボンエミッタ。 - 前記基体は導電性の基体であることを特徴とする、請求項1に記載のナノカーボンエミッタ。
- 前記基体は非導電性基体の上面に導電性被膜を有した基体であることを特徴とする、請求項1に記載のナノカーボンエミッタ。
- 前記ナノカーボンは、カーボンナノチューブ、カーボンナノホーン、カーボンナノコーンまたはカーボンナノフィラメントであることを特徴とする、請求項1に記載のナノカーボンエミッタ。
- 前記ゲート電極層の上面が絶縁保護層で覆われていることを特徴とする、請求項1に記載のナノカーボンエミッタ。
- 前記エミッタ下地層は、前記ナノカーボンの過電流破壊を防止する制限抵抗値に等しい抵抗値を有することを特徴とする、請求項1に記載のナノカーボンエミッタ。
- 下記工程を含んでなることを特徴とする、ナノカーボンエミッタの製造方法:
(a)導電性の基体上にナノカーボンを生成させる触媒層を形成する工程と、
(b)上記触媒層上に、ナノカーボンを生成する領域を形成するためのエッチングマスクパターン層を形成する工程と、
(c)上記エッチングマスクパターン層を用いて、上記ナノカーボンを生成させる領域の触媒層及び基体を残してメサエッチングし、メサ形状のエミッタ下地層を形成する工程と、
(d)上記基体上に、絶縁層とゲート電極層とを順次積層する工程と、
(e)上記(b)のエッチングマスクパターン層をリフトオフ材として用い、上記メサ形状のエミッタ下地層上に積層した絶縁層とゲート電極層とをリフトオフにより取り除く工程と、
(f)上記触媒層上にのみ選択的にナノカーボン材料を生成する工程。 - 下記工程を含んでなることを特徴とする、ナノカーボンエミッタの製造方法:
(a)非導電性の基体上に導電性膜を積層する工程と、
(b)上記導電性膜上にナノカーボンを生成させる触媒層を形成する工程と、
(c)上記触媒層上に、ナノカーボンを生成する領域を形成するためのエッチングマスクパターン層を形成する工程と、
(d)上記エッチングマスクパターン層を用いて、上記ナノカーボンを生成する領域の触媒層及び基体を残し、且つ、上記導電性膜の厚みの一部を残してメサエッチングし、メサ形状のエミッタ下地を形成する工程と、
(e)上記基体上に、絶縁層とゲート電極層とを順次積層する工程と、
(f)上記(c)のエッチングマスクパターン層をリフトオフ材として用い、上記メサ形状のエミッタ下地層上に積層した絶縁層とゲート電極層とをリフトオフにより取り除く工程と、
(g)上記触媒層上にのみ選択的にナノカーボン材料を生成する工程。 - 前記絶縁層とゲート電極層とを順次積層する工程において、絶縁層とゲート電極層とを順次積層した後にさらに絶縁層を積層して三層構造とし、前記絶縁層とゲート電極層とをリフトオフする工程において、上記三層を同時にリフトオフすることを特徴とする、請求項7または8に記載のナノカーボンエミッタの製造方法。
- 前記触媒層上に選択的にナノカーボンを生成する工程(f)は、炭化水素ガスを原料ガスとしたプラズマCVD法であることを特徴とする、請求項7または8に記載のナノカーボンエミッタの製造方法。
- 前記触媒層上に選択的にナノカーボンを生成する工程は、有機液体中で基体を加熱して生成する液相生成法によることを特徴とする、請求項7または8に記載のナノカーボンエミッタの製造方法。
- 前記選択的にナノカーボンを生成する工程の後に、さらに、前記ナノカーボンを吸熱酸化反応を生ずる酸化剤中で加熱して、ナノカーボン先端のカーボン不純物を除去することを特徴とする、請求項7または8に記載のナノカーボンエミッタの製造方法。
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