KR20020019523A - 센서 소자 및 그의 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (14)
- 센서 기판, 및 상기 센서 기판에 지지된 감지 부위를 포함하며, 상기 센서 기판과 감지 부위 사이에 수지막이 개재되어 있는 센서 소자.
- 제 1 항에 있어서,감지 부위가 미세 배선 패턴을 갖는 센서 소자.
- 제 2 항에 있어서,미세 배선 패턴이 서로 인접한 다수의 배선 패턴을 포함하는 센서 소자.
- 제 1 항에 있어서,수지막이 실리콘계 중합체, 폴리이미드계 중합체, 폴리이미드 실리콘계 중합체, 폴리아릴렌 에테르계 중합체, 비스벤조사이클로부텐계 중합체, 폴리퀴놀린계 중합체, 퍼플루오로 탄화수소계 중합체, 불화탄소 중합체 및 방향족 탄화수소 중합체로부터 선택된 경화성 중합체의 경화막인 센서 소자.
- 제 4 항에 있어서,경화성 중합체가 광경화성 중합체인 센서 소자.
- 제 1 항에 있어서,수지막이 1,000 이상의 중량 평균 분자량을 갖는 하기 화학식 1의 실리콘계 중합체의 경화막인 센서 소자:화학식 1상기 식에서,R1, R2및 R3은 아릴기, 수소 원자, 지방족 알킬기, 수산기, 트리알킬실릴기 또는 불포화 결합을 갖는 관능기로서, 동일하거나 상이할 수 있고,l, m, n은 0 이상의 정수이다.
- 제 1 항에 있어서,수지막이 1,000 이상의 중량 평균 분자량을 갖는 하기 화학식 2의 실리콘계 중합체의 경화막인 센서 소자:화학식 2상기 식에서,R1및 R2는 아릴기, 수소 원자, 지방족 알킬기 또는 불포화 결합을 갖는 관능기로서, 동일하거나 상이할 수 있고,R3, R4, R5및 R6은 수소 원자, 아릴기, 지방족 알킬기, 트리알킬실릴기 또는 불포화 결합을 갖는 관능기로서, 동일하거나 상이할 수 있고,n은 정수이다.
- 제 4 항에 있어서,수지막이 다수의 층을 포함하는 적층막을 포함하고, 각 층이 서로 상이한 경화성 중합체 경화막을 포함하는 센서 소자.
- 제 8 항에 있어서,적층막의 각 층이 분자량이 다른 경화성 중합체 경화막을 포함하는 센서 소자.
- 제 9 항에 있어서,적층막이 100,000 이상의 중량 평균 분자량을 갖는 실리콘계 중합체를 포함하는 경화막 및 100,000 이하의 중량 평균 분자량을 갖는 실리콘계 중합체를 포함하는 경화막을 포함하는 센서 소자.
- 제 8 항에 있어서,다수의 층을 포함하는 적층막의 최상층이 광경화성 중합체 경화막을 포함하는 센서 소자.
- 제 1 항에 있어서,센서 소자가 자기 저항 센서, 공기 유속 센서, 가속도 센서, 압력 센서, 빗놀이 속도(yaw rate) 센서 또는 영상 센서로부터 선택되는 센서 소자.
- 센서 기판 상에 열경화성 중합체의 용액을 도포하여 경화성 중합체막을 형성하는 단계,상기 경화성 중합체막을 열경화성 중합체의 용융 온도 내지 경화 온도의 온도 범위에서 가열 처리하는 단계,이후에 경화 온도 이상의 온도에서 가열하여 경화 수지막을 형성하는 단계, 및상기 경화 수지막 상에 목적하는 감지 부위를 형성하는 단계를 포함하는, 센서 소자의 제조방법.
- 제 13 항에 있어서,열경화성 중합체가 실리콘계 중합체, 폴리이미드계 중합체, 폴리이미드 실리콘계 중합체, 폴리아릴렌 에테르계 중합체, 비스벤조사이클로부텐계 중합체, 폴리퀴놀린계 중합체, 퍼플루오로 탄화수소계 중합체, 불화탄소계 중합체 또는 방향족 탄화수소계 중합체로부터 선택되는 센서 소자의 제조방법.
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