JPH05121793A - 磁気抵抗素子の製造方法 - Google Patents

磁気抵抗素子の製造方法

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JPH05121793A
JPH05121793A JP3303796A JP30379691A JPH05121793A JP H05121793 A JPH05121793 A JP H05121793A JP 3303796 A JP3303796 A JP 3303796A JP 30379691 A JP30379691 A JP 30379691A JP H05121793 A JPH05121793 A JP H05121793A
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JP
Japan
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polyimide resin
magnetoresistive
magnetoresistive device
flattened
manufacturing
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Pending
Application number
JP3303796A
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English (en)
Inventor
Hisao Yoshida
久雄 吉田
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NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 ICの急峻な段差を平坦化することによって
断線のない信頼性の高い磁気抵抗素子をIC部上に形成
する。 【構成】 IC部上の電極部の急峻な段差を平坦化する
為にポリイミド樹脂の塗布とドライエッチング及びレジ
スト塗布並びにパターニングによって構成する。 【効果】 IC部上の電極部の急峻な段差をポリイミド
樹脂の塗布・ドライエッチングによって平坦化した為、
IC部上の保護カバー膜厚の1/2の磁気抵抗素子部の
膜厚でも断線のない信頼性の高い磁気抵抗素子をIC部
上に形成できる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は磁気抵抗(MR:Mag
neto−resistive)素子の製造方法に関
し、特にIC部上に磁気抵抗部を形成する抵抗パターン
の形成方法に関する。
【0002】
【従来の技術】従来の磁気抵抗素子の製造方法は図2に
示す様に、シリコン基板1上に下地酸化シリコン2、ア
ルミニウム3、窒化シリコン4を形成したIC部上に、
直接パーマロイ5、金6を連続で蒸着した後、マスクを
用いて任意のパターンを形成する。しかる後、保護カバ
ーとして保護酸化シリコン7をスパッタ工事後マスクを
用いて必要なパターンを形成して電極部Aとセンサー部
Bを形成している。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】従来の磁気抵抗素子の
製造方法では、IC部を形成している上に磁気抵抗素子
を形成しようとする場合には、特にIC部上には保護膜
として窒化シリコンが厚く形成されている為(1〜1.
5μm)、電極部が急峻となっている。
【0004】従って、この上にパーマロイ、金を蒸着す
ることによって磁気抵抗部を形成しようとする場合には
段差の急峻な部分のカバレッジの悪さを見込んで、窒化
シリコン膜厚より30〜50%厚めに金を蒸着しないと
断線しやすくなる問題点があった。
【0005】本発明の目的はIC部の電極部の急峻な段
差を平坦化することにより断線のない信頼性の高い磁気
抵抗素子をIC部上に形成することにある。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明はIC部上に磁気
抵抗部を形成する磁気抵抗素子の製造方法において、I
C部上の急峻な段差をポリイミド樹脂塗布及びドライエ
ッチングによって平坦化する工程を含むことを特徴とす
る磁気抵抗素子の製造方法である。
【0007】更に本発明では、必要に応じて上記平坦化
工程の他に、IC部上の磁気抵抗部のうち必要な電極部
以外の部分をポリイミド樹脂で保護する工程を含む。
【0008】
【実施例】次に本発明の実施例について図面を参照して
説明する。
【0009】図1(a)〜(e)は本発明の一実施例を
説明する為の工程順に示すMR素子の断面図である。
【0010】まず図1(a)はシリコン基板1、下地酸
化シリコン2、アルミニウム3、窒化シリコン4からな
るIC部である。
【0011】次に図1(b)に示す様にIC部上にポリ
イミド樹脂(平坦化用)8を2〜3μm塗布後恒温槽に
入れて充分硬化させる。
【0012】次に図1(c)に示す様にプラズマ剥離を
行なって不要なポリイミド樹脂(平坦化用)8を除去
し、さらにマスクを用いてレジスト塗布・パターニング
後電極部Aのポリイミド樹脂(平坦化用)8をウェット
エッチング及びプラズマ剥離によって充分に除去した
後、レジストを剥離する。
【0013】次に図1(d)に示す様にパーマロイ5及
び金6を任意の厚さで連続で蒸着後、マスクを用いてレ
ジスト塗布・パターニング後不要なパーマロイ5及び金
6を除去した後、レジストを剥離する。
【0014】次に図1(e)に示す様にポリイミド樹脂
(保護用)9を全面に任意の厚さ(2〜3μm)に塗布
後マスクを用いてレジスト塗布・パターニング後電極部
Aのポリイミド樹脂(保護用)9を除去後レジストを剥
離し、しかる後ポリイミド樹脂(保護用)9を含む磁気
抵抗素子を恒温槽に入れ、ポリイミド樹脂(保護用)9
を充分に硬化させる。
【0015】以上説明した様に、本発明の磁気抵抗素子
の製造方法は段差の大きい膜が形成されていても、ポリ
イミド樹脂(平坦用)を塗布することによって凹凸を平
坦化することにより、断線対策として金の厚さを特に厚
くすることのない信頼性の高い磁気抵抗素子を得ようと
するのもである。
【0016】
【発明の効果】以上説明した様に本発明は急峻な段差を
有するIC部上に磁気抵抗素子を形成する際、あらかじ
めIC部上にポリイミド樹脂を塗布・焼きしめ後、プラ
ズマ剥離を行なうことによってIC部上を平坦化して断
線のない信頼性の高い磁気抵抗素子を製造できる効果が
ある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明方法の一実施例を説明するための工程順
に示す時期抵抗素子の縦断面図
【図2】従来の磁気抵抗素子の製造方法を説明するため
の工程順に示す磁気抵抗素子の縦断面図
【符号の説明】
1 シリコン基板 2 下地酸化シリコン 3 アルミニウム 4 窒化シリコン 5 パーマロイ 6 金 7 保護酸化シリコン 8 ポリイミド樹脂(平坦化用) 9 ポリイミド樹脂(保護用) A 電極部 B 磁気抵抗部

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 IC部上に磁気抵抗部を形成する磁気抵
    抗素子の製造方法において、IC部上の急峻な段差をポ
    リイミド樹脂塗布及びドライエッチングによって平坦化
    する工程を含むことを特徴とする磁気抵抗素子の製造方
    法。
  2. 【請求項2】 上記平坦化工程の他にIC部上の磁気抵
    抗部のうち、必要な電極部以外の部分をポリイミド樹脂
    で保護する工程を含むことを特徴とする請求項1記載の
    磁気抵抗素子の製造方法。
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