JP2005183472A - 磁気抵抗センサ素子 - Google Patents
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Abstract
【課題】 表面が平坦性に優れ、封止樹脂からの応力で変形を受けず、耐熱性と耐クラック性とに優れた硬化樹脂膜を、制御回路と磁気抵抗薄膜との間の絶縁膜に用いた信頼性の高い磁気抵抗センサ素子を得る。
【解決手段】 絶縁膜が、下記一般式（１）、（２）、（３）、（４）の各化学構造ユニットが結合したシリコーン系ポリマーの硬化膜である磁気抵抗センサ素子。
［Ｓｉ(Ｏ１／２)４］ｋ （１）
［Ｒ１Ｓｉ(Ｏ１／２)３］ｌ （２）
［Ｒ２Ｒ３Ｓｉ(Ｏ１／２)２］ｍ （３）
［Ｒ４Ｒ５Ｒ６ＳｉＯ１／２］ｎ （４）
（ｋ≧１、ｌ≧１、ｍ≧１ｎ≧１であり、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６はアリール基、水素原子、脂肪族アルキル基、トリアルキルシリル基または不飽和結合を有する官能基であり、同種でも異種でもよい。）
【選択図】 図１
【解決手段】 絶縁膜が、下記一般式（１）、（２）、（３）、（４）の各化学構造ユニットが結合したシリコーン系ポリマーの硬化膜である磁気抵抗センサ素子。
［Ｓｉ(Ｏ１／２)４］ｋ （１）
［Ｒ１Ｓｉ(Ｏ１／２)３］ｌ （２）
［Ｒ２Ｒ３Ｓｉ(Ｏ１／２)２］ｍ （３）
［Ｒ４Ｒ５Ｒ６ＳｉＯ１／２］ｎ （４）
（ｋ≧１、ｌ≧１、ｍ≧１ｎ≧１であり、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６はアリール基、水素原子、脂肪族アルキル基、トリアルキルシリル基または不飽和結合を有する官能基であり、同種でも異種でもよい。）
【選択図】 図１
Description
この発明は、細線パターンを有する磁気抵抗センサ素子に関するものである。
磁気抵抗センサ素子は、磁性金属細線からなる磁気抵抗薄膜を有し、磁性金属の磁気抵抗効果を利用して磁界の大きさや方向の変化を検出できるように構成されている。
磁気抵抗センサ素子は小形化を図るため、制御回路上に制御回路表面の急峻な凹凸を埋めるシリコーン系ポリマーの絶縁膜を設け、この絶縁膜上に磁気抵抗薄膜を積層する構造が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
そして、上記シリコーン系ポリマーとして、特許文献１に記載の一般式（１）で表わされ、且つ重量平均分子量が１０００以上のシリコーン系ポリマー、および、特許文献１に記載の一般式（２）で表わされ、且つ重量平均分子量が１０００以上のシリコーン系ポリマーが開示されている。
磁気抵抗センサ素子は小形化を図るため、制御回路上に制御回路表面の急峻な凹凸を埋めるシリコーン系ポリマーの絶縁膜を設け、この絶縁膜上に磁気抵抗薄膜を積層する構造が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
そして、上記シリコーン系ポリマーとして、特許文献１に記載の一般式（１）で表わされ、且つ重量平均分子量が１０００以上のシリコーン系ポリマー、および、特許文献１に記載の一般式（２）で表わされ、且つ重量平均分子量が１０００以上のシリコーン系ポリマーが開示されている。
しかしながら、上記絶縁膜に、汎用性のあるシリコーン樹脂として知られているポリジメチルシロキサンなどの鎖状構造のシリコーンポリマーを硬化した樹脂膜Ｔを用いると、磁気抵抗薄膜との密着性が悪く、磁気抵抗薄膜と上記樹脂膜Ｔの界面で剥れが生じる場合がある。また、上記樹脂膜Ｔの耐熱性が２００℃前後であるため、磁気抵抗センサ素子の製造における熱プロセスに制限を設ける必要があり、製造プロセスの処理条件に尤度が少ない。また、磁気抵抗センサ素子の高温での耐久性試験で、上記樹脂膜Ｔが劣化して、磁気抵抗薄膜を汚染する場合があるという問題があった。
また、上記樹脂膜Ｔは柔らかいため、磁気抵抗薄膜形成後の配線工程や磁気抵抗薄膜の保護膜形成、あるいは、磁気抵抗センサ素子の樹脂封止において、樹脂膜Ｔが変形して、直上の磁気抵抗薄膜が歪み、センサ特性が劣化する場合があるという問題があった。
また、上記絶縁膜に、特許文献１に記載の一般式（１）で表わされるシリコーン系ポリマーのうち、Ｓｉ−Ｓｉ結合やＯ−Ｏ結合を有するポリマーを硬化した樹脂膜Ｕを用いると、磁気抵抗センサ素子の製造工程における３５０℃の熱処理や、レジスト写真製版時での紫外線照射、レジスト除去工程のアッシング工程で、これらの結合が開裂し、上記絶縁膜の分解が起こる場合があり、熱処理温度条件や写真製版時の露光波長の選択、低パワーによるアッシングなど、磁気抵抗センサの製造工程の条件が狭くなるとの問題があった。
また、上記絶縁膜に、特許文献１に記載の一般式（２）で表わされるシリコーン系ポリマーを硬化した樹脂膜Ｖを用いると、制御回路の段差が大きい場合、上記絶縁膜Ｖにクラックが発生する場合があり、磁気抵抗センサ素子の歩留まりが低下するとの問題があった。
この発明は上述のような課題を解決するためになされたものであり、その表面が平坦性に優れ、製造プロセスに耐え得る耐熱性を備え、封止樹脂から受ける応力で変形を受けず、耐クラック性に優れた、硬化樹脂膜を制御回路と磁気抵抗薄膜との間の絶縁膜に用いた信頼性の高い磁気抵抗センサ素子を提供するものである。
この発明に係る磁気抵抗センサ素子は、センサ基板と、このセンサ基板の表面に形成された制御回路と、この制御回路上に形成されたシリコーン系ポリマーの硬化膜からなる樹脂膜と、この樹脂膜上に形成された磁気抵抗薄膜の細線パターンとからなる磁気抵抗センサ素子であって、上記シリコーン系ポリマーが、下記一般式（１）で表される化学構造ユニットＡおよび下記一般式（２）で表される化学構造ユニットＢの内から選ばれた少なくとも１種類の化学構造ユニットと、下記一般式（３）で表される化学構造ユニットＣと、下記一般式（４）で表される化学構造ユニットＤとが結合してなるシリコーン系ポリマーであることを特徴とする磁気抵抗センサ素子である。
［Ｓｉ(Ｏ１／２)４］ｋ （１）
（ｋ≧１である。）
［Ｒ１Ｓｉ(Ｏ１／２)３］ｌ （２）
（ｌ≧１であり、Ｒ１はアリール基、水素原子、脂肪族アルキル基、トリアルキルシリル基または不飽和結合を有する官能基である。）
［Ｒ２Ｒ３Ｓｉ(Ｏ１／２)２］ｍ （３）
（ｍ≧１であり、Ｒ２、Ｒ３はアリール基、水素原子、脂肪族アルキル基、トリアルキルシリル基または不飽和結合を有する官能基であり、同種でもよく、異種でもよい。）
［Ｒ４Ｒ５Ｒ６ＳｉＯ１／２］ｎ （４）
（ｎ≧１であり、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６はアリール基、水素原子、脂肪族アルキル基、トリアルキルシリル基または不飽和結合を有する官能基であり、同種でもよく、異種でもよい。）
［Ｓｉ(Ｏ１／２)４］ｋ （１）
（ｋ≧１である。）
［Ｒ１Ｓｉ(Ｏ１／２)３］ｌ （２）
（ｌ≧１であり、Ｒ１はアリール基、水素原子、脂肪族アルキル基、トリアルキルシリル基または不飽和結合を有する官能基である。）
［Ｒ２Ｒ３Ｓｉ(Ｏ１／２)２］ｍ （３）
（ｍ≧１であり、Ｒ２、Ｒ３はアリール基、水素原子、脂肪族アルキル基、トリアルキルシリル基または不飽和結合を有する官能基であり、同種でもよく、異種でもよい。）
［Ｒ４Ｒ５Ｒ６ＳｉＯ１／２］ｎ （４）
（ｎ≧１であり、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６はアリール基、水素原子、脂肪族アルキル基、トリアルキルシリル基または不飽和結合を有する官能基であり、同種でもよく、異種でもよい。）
この発明に係る磁気抵抗センサ素子は、センサ基板およびこのセンサ基板の表面に形成された制御回路と、磁気抵抗薄膜との間に上記一般式（１）で表される化学構造ユニットＡおよび上記一般式（２）で表される化学構造ユニットＢの内から選ばれた少なくとも１種類の化学構造ユニットと、上記一般式（３）で表される化学構造ユニットＣと、上記一般式（４）で表される化学構造ユニットＤとが結合してなるシリコーン系ポリマーの硬化膜からなる樹脂膜を介在させるので、高いクラック耐性と高耐熱性を併せ持ち、表面が平坦化した樹脂膜上に磁気抵抗薄膜を形成することができ、信頼性が優れた磁気抵抗センサ素子を得ることができる。
実施の形態１．
図１は、実施の形態１における磁気抵抗センサ素子を説明する断面模式図である。
本実施の形態の磁気抵抗センサ素子１０は、基板１の表面に制御回路２が設けられており、さらに、制御回路２の表面には、凹凸な制御回路表面を覆い平坦化する硬化樹脂膜３が設けられている。そして、この樹脂膜３上に磁気抵抗効果を示す磁性金属からなる細線６が形成されている。そして、制御回路２は、通常バイポーラＩＣが用いられ、基板１の表面側に形成された下層配線２ａと、下層絶縁膜２ｂと、下層絶縁膜２ｂ上に形成された上層配線２ｃと、これらの表面に形成された無機膜からなる層間絶縁膜２ｄとで構成されている。
また、サージ電流に対する電源およびトランジスタの保護のためのＡｌＳｉからなるサージ抵抗７もこの樹脂膜３上に形成される。細線６と制御回路の上層配線２ｃ、サージ抵抗７と制御回路の上層配線２ｃとは接続金属８によって接続される。これらの表面には、スパッタリング法やＣＶＤ法で形成された無機膜（シリコン窒化膜、シリコン酸化膜等）からなるパッシベーション膜９が形成されている。
図１は、実施の形態１における磁気抵抗センサ素子を説明する断面模式図である。
本実施の形態の磁気抵抗センサ素子１０は、基板１の表面に制御回路２が設けられており、さらに、制御回路２の表面には、凹凸な制御回路表面を覆い平坦化する硬化樹脂膜３が設けられている。そして、この樹脂膜３上に磁気抵抗効果を示す磁性金属からなる細線６が形成されている。そして、制御回路２は、通常バイポーラＩＣが用いられ、基板１の表面側に形成された下層配線２ａと、下層絶縁膜２ｂと、下層絶縁膜２ｂ上に形成された上層配線２ｃと、これらの表面に形成された無機膜からなる層間絶縁膜２ｄとで構成されている。
また、サージ電流に対する電源およびトランジスタの保護のためのＡｌＳｉからなるサージ抵抗７もこの樹脂膜３上に形成される。細線６と制御回路の上層配線２ｃ、サージ抵抗７と制御回路の上層配線２ｃとは接続金属８によって接続される。これらの表面には、スパッタリング法やＣＶＤ法で形成された無機膜（シリコン窒化膜、シリコン酸化膜等）からなるパッシベーション膜９が形成されている。
図２は、本実施の形態に係る磁気抵抗センサ素子の製造方法の一例を説明する断面模式図である。
まず、センサ基板１の表面側に通常のバイポーラＩＣの製造プロセスにより制御回路２を形成する（図２ａ）。
この制御回路２上に、シリコーン系ポリマーを有機溶剤に溶解させたワニスを０．３〜１０μｍの膜厚で塗布し、ホットプレート上で１００℃〜４００℃で熱処理を行い、シリコーン系ポリマーを硬化して、樹脂膜３を制御回路２上に形成する（図２ｂ）。
まず、センサ基板１の表面側に通常のバイポーラＩＣの製造プロセスにより制御回路２を形成する（図２ａ）。
この制御回路２上に、シリコーン系ポリマーを有機溶剤に溶解させたワニスを０．３〜１０μｍの膜厚で塗布し、ホットプレート上で１００℃〜４００℃で熱処理を行い、シリコーン系ポリマーを硬化して、樹脂膜３を制御回路２上に形成する（図２ｂ）。
次に、樹脂膜３の表面に膜厚が１００ｎｍから５μｍのｉ線用ポジレジスト４を塗布し（図２ｃ）、制御回路２の上層配線２ｃのコンタクト部、ボンディングパッド（図示せず）あるいはダイシングライン（図示せず）などを露出するためのコンタクトホールパターンを有するマスク（図示せず）を用いて、上方より紫外光（ｉ線）を照射し、コンタクトホール部のｉ線用ポジレジスト４を露光する。
次に、露光後ベークを行った後、現像処理を行い、所望のパターンを有するｉ線用ポジレジスト４のパターン５を得る（図２ｄ）。
次に、露光後ベークを行った後、現像処理を行い、所望のパターンを有するｉ線用ポジレジスト４のパターン５を得る（図２ｄ）。
このｉ線用ポジレジストのパターン５をマスクとして、反応性イオンエッチング装置あるいはイオンビームエッチング装置を用いて樹脂膜３と層間絶縁膜２ｄを連続的にドライエッチング法により除去し、コンタクトホールを得る。反応性イオンエッチングで用いるエッチング用ガスは、樹脂膜３をエッチングできるガス種なら特に限定しないが、ＣＦ４、ＣＨＦ３、Ｃ４Ｆ８、Ｎ２、Ｈ２、Ａｒ、Ｏ２などからなる混合ガスが好ましく用いることができる。このように、樹脂膜３の除去をドライエッチング法により行うと、樹脂膜３と層間絶縁膜２ｄを連続的に除去できるため、プロセスの簡略化ができる。
次に、樹脂膜３上のｉ線用ポジレジストのパターン５をウエット除去、あるいは反応性イオンエッチング装置、イオンビームエッチング装置、アッシング装置などを用いてドライ除去し、所定の部分が開口され、表面が平坦化した樹脂膜３が得られる（図２ｅ）。
次に、樹脂膜３上のｉ線用ポジレジストのパターン５をウエット除去、あるいは反応性イオンエッチング装置、イオンビームエッチング装置、アッシング装置などを用いてドライ除去し、所定の部分が開口され、表面が平坦化した樹脂膜３が得られる（図２ｅ）。
この樹脂膜３上に細線６およびサージ抵抗７を形成する。細線６およびサージ抵抗７は樹脂膜３に設けられた開口部を介してそれぞれ制御回路２の上層配線２ｃのコンタクト部などと接続金属８によって接続される。最後にこの細線６およびサージ抵抗７を保護するシリコン窒化膜などからなるパッシベーション膜９を形成することにより磁気抵抗センサ素子１０が得られる（図２ｆ）。
本実施の形態における磁気抵抗センサ素子１０に用いる樹脂膜３は、主骨格がシロキサン結合（−Ｓｉ−Ｏ−）からなり、下記一般式（１）で表される化学構造ユニットＡと、
［Ｓｉ(Ｏ１／２)４］ｋ （１）
（ｋ≧１である。）
下記一般式（２）で表される化学構造ユニットＢと、
［Ｒ１Ｓｉ(Ｏ１／２)３］ｌ （２）
（ｌ≧１であり、Ｒ１はアリール基、水素原子、脂肪族アルキル基、トリアルキルシリル基または不飽和結合を有する官能基である。）
下記一般式（３）で表される化学構造ユニットＣと、
［Ｒ２Ｒ３Ｓｉ(Ｏ１／２)２］ｍ （３）
（ｍ≧１であり、Ｒ２、Ｒ３はアリール基、水素原子、脂肪族アルキル基、トリアルキルシリル基または不飽和結合を有する官能基であり、同種でもよく、異種でもよい。）
下記一般式（４）で表される化学構造ユニットＤとが結合してなるシリコーン系ポリマーＳ1の硬化膜が用いられる。
［Ｒ４Ｒ５Ｒ６ＳｉＯ１／２］ｎ （４）
（ｎ≧１であり、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６はアリール基、水素原子、脂肪族アルキル基、トリアルキルシリル基または不飽和結合を有する官能基であり、同種でもよく、異種でもよい。）
［Ｓｉ(Ｏ１／２)４］ｋ （１）
（ｋ≧１である。）
下記一般式（２）で表される化学構造ユニットＢと、
［Ｒ１Ｓｉ(Ｏ１／２)３］ｌ （２）
（ｌ≧１であり、Ｒ１はアリール基、水素原子、脂肪族アルキル基、トリアルキルシリル基または不飽和結合を有する官能基である。）
下記一般式（３）で表される化学構造ユニットＣと、
［Ｒ２Ｒ３Ｓｉ(Ｏ１／２)２］ｍ （３）
（ｍ≧１であり、Ｒ２、Ｒ３はアリール基、水素原子、脂肪族アルキル基、トリアルキルシリル基または不飽和結合を有する官能基であり、同種でもよく、異種でもよい。）
下記一般式（４）で表される化学構造ユニットＤとが結合してなるシリコーン系ポリマーＳ1の硬化膜が用いられる。
［Ｒ４Ｒ５Ｒ６ＳｉＯ１／２］ｎ （４）
（ｎ≧１であり、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６はアリール基、水素原子、脂肪族アルキル基、トリアルキルシリル基または不飽和結合を有する官能基であり、同種でもよく、異種でもよい。）
または、上記化学構造ユニットＡと上記化学構造ユニットＣと上記化学構造ユニットＤとが結合してなるシリコーン系ポリマーＳ2の硬化膜が用いられる。
または、上記化学構造ユニットＢと上記化学構造ユニットＣと上記化学構造ユニットＤとが結合してなるシリコーン系ポリマーＳ3の硬化膜が用いられる。
または、上記化学構造ユニットＢと上記化学構造ユニットＣと上記化学構造ユニットＤとが結合してなるシリコーン系ポリマーＳ3の硬化膜が用いられる。
すなわち、本実施の形態では樹脂膜３に、上記各シリコーン系ポリマーの硬化膜のいずれかを用いるものであるが、異なる複数種のシリコーン系ポリマーの混合物の硬化膜であってもよい。
上記各化学構造ユニットＡ〜ＤにおけるＲ１〜Ｒ６において、アリール基としてはフェニル基が好ましく、脂肪族アルキル基としては炭素数が４以下のものが好ましく、不飽和結合を有する官能基としてはビニル基、アリル基、アクリル基、メタクリル基などで、炭素数８以下のものが、加水分解性が高いので特に好ましい。
上記各化学構造ユニットＡ〜ＤにおけるＲ１〜Ｒ６において、アリール基としてはフェニル基が好ましく、脂肪族アルキル基としては炭素数が４以下のものが好ましく、不飽和結合を有する官能基としてはビニル基、アリル基、アクリル基、メタクリル基などで、炭素数８以下のものが、加水分解性が高いので特に好ましい。
上記一般式（１）で表される化学構造ユニットＡは、下記４官能ユニット（４つのＯと結合しているＳｉ）を有し、
上記一般式（２）で表される化学構造ユニットＢは、下記３官能ユニット（３つのＯと結合しているＳｉ）を有し、
上記一般式（３）で表される化学構造ユニットＣは、下記２官能ユニット（２つのＯと結合しているＳｉ）を有し、
上記一般式（４）で表される化学構造ユニットＤは下記１官能ユニット（１つのＯと結合しているＳｉ）を有している。
本実施の形態の樹脂膜３は、主骨格がシロキサン結合（−Ｓｉ−Ｏ−）からなり、柔軟性の高い構造の２官能ユニットと、剛直な構造の３官能ユニットと４官能ユニットの少なくとも一種類のユニットとを含む共重合体のため、高いクラック耐性と高耐熱性を併せ持つ材料である。本実施の形態のシリコーン系ポリマーは、熱処理時の脱ガスが少ないため、樹脂膜３の形成時に磁気抵抗薄膜あるいはその制御回路などを汚染する可能性が小さく、膜形成時の応力も低い。
また、これらのシリコーン系ポリマーは、硬化膜が２００℃以上の耐熱性を有し、特に、化学構造ユニットＡ、化学構造ユニットＢ、または、化学構造ユニットＡ＋化学構造ユニットＢの構造単位の構成比率が５０％以上のものは、顕著な３次元的な網目状構造を有するため、得られる樹脂膜３は、耐熱性が特に向上し、高い耐電圧性を有している。
また、これらのシリコーン系ポリマーは、硬化膜が２００℃以上の耐熱性を有し、特に、化学構造ユニットＡ、化学構造ユニットＢ、または、化学構造ユニットＡ＋化学構造ユニットＢの構造単位の構成比率が５０％以上のものは、顕著な３次元的な網目状構造を有するため、得られる樹脂膜３は、耐熱性が特に向上し、高い耐電圧性を有している。
かかるシリコーン系ポリマーは、主骨格がシロキサン結合（Ｓｉ−Ｏ）のみから構成されるため、結合力が低いＳｉ−Ｓｉ結合とＯ−Ｏ結合を含むシリコーン系ポリマーより耐熱性が優れており、本実施の形態の樹脂膜３は高温での熱処理プロセスにおける耐性が高い。また、樹脂膜上に磁気抵抗薄膜を形成する際、樹脂膜は、スパッタリング法による金属膜の形成工程、この金属膜をパターニングするためのエッチング工程および レジスト除去工程に曝されるが、本実施の形態の樹脂膜３は、これらのプロセスに対する耐性も高い。
また、樹脂膜に開口部を形成する場合の、樹脂膜のドライエッチングレートの均一性が優れ、ドライエッチング後のアッシング工程に対する耐性も高い。
また、シロキサン結合を梯子状に有するシリコーン系ポリマーは構造が剛直のため、その硬化膜は、外的や熱的なストレスで、クラックを発生しやすいが、本発明のシリコーン系ポリマーは鎖状や梯子状などが混在する枝分かれの化学構造を有するため、本実施の形態の樹脂膜３は、柔軟性が高く、クラック耐性が著しく優れている。このため、厚膜化してもクラックが生じにくい。
上記シリコーン系ポリマーにおいて、各化学構造ユニットＡ〜Ｄの置換基Ｒ１〜Ｒ６に不飽和結合を有する官能基が用いられるが、置換基の１〜５０ｍｏｌ％が不飽和結合を有する官能基であると、紫外光等の光により架橋して硬化させることができる。不飽和結合を有する官能基は、樹脂分子同士が架橋反応やラジカル反応により架橋させるための反応基であり、アルケニル基、アルキルアクリロイル基、アルキルメタクリロイル基もしくはスチリル基などが好ましいが、これらに限定されるものではない。これらの不飽和結合を有する官能基は、単独で導入してもよく、２種類以上混合して導入してもよい。
かかる光架橋性のシリコーン系ポリマーは、単独あるいは感光性架橋剤、光重合開始剤、光増感剤と組み合わせることで、光をドライビングフォースとしてより低温で硬化反応を進行させることができ、樹脂膜３形成時に、樹脂膜の下方に形成されている制御回路などにかかる温度を低減することができる点、あるいは、樹脂膜３をレジストを用いない自己パターニングができる点で、磁気抵抗センサ素子製造上での利点を備えている。
かかる光架橋性のシリコーン系ポリマーは、単独あるいは感光性架橋剤、光重合開始剤、光増感剤と組み合わせることで、光をドライビングフォースとしてより低温で硬化反応を進行させることができ、樹脂膜３形成時に、樹脂膜の下方に形成されている制御回路などにかかる温度を低減することができる点、あるいは、樹脂膜３をレジストを用いない自己パターニングができる点で、磁気抵抗センサ素子製造上での利点を備えている。
また、樹脂膜３に、各化学構造ユニットＡ〜Ｄの置換基Ｒ１〜Ｒ６の全てを水素原子あるいは脂肪族アルキル基、アリール基、アルケニル基にしたシリコーン系ポリマーを用いることにより、樹脂膜３の平坦性が向上し、樹脂膜３と磁気抵抗薄膜との相性がよくなりセンサ特性を向上させることができる。特に、水素原子、メチル基、エチル基、フェニル基、ビニル基が好ましい。
また、樹脂膜３に、各化学構造ユニットＡ〜Ｄの置換基Ｒ１〜Ｒ６に水素原子を多く導入したシリコーン系ポリマーを用いることにより、下地膜との密着性を向上することができる。尚、５μｍ以上の厚膜を形成する場合、置換基Ｒ１〜Ｒ６のうち２０％以上がフェニル基などのアリール基であることが好ましい。
また、樹脂膜３に、各化学構造ユニットＡ〜Ｄの置換基Ｒ１〜Ｒ６に水素原子を多く導入したシリコーン系ポリマーを用いることにより、下地膜との密着性を向上することができる。尚、５μｍ以上の厚膜を形成する場合、置換基Ｒ１〜Ｒ６のうち２０％以上がフェニル基などのアリール基であることが好ましい。
本実施の形態において、樹脂膜３は、上記シリコーン系ポリマーＳ1、シリコーン系ポリマーＳ2およびシリコーン系ポリマーＳ3のうちの少なくとも一種類のシリコーン系ポリマーの溶液、いわゆるワニスを塗布した後、加熱硬化することにより形成することができる。かかるシリコーン系ポリマー溶液に用いる溶剤としては、アルコール系、ケトン系、エーテル系、ハロゲン系、エステル系、ベンゼン系、アルコキシベンゼン系、環状ケトン系の溶剤が適している。
このシリコーン系ポリマーの溶液中には、磁気抵抗薄膜の表面との接着性を向上するためのシランカップリング剤、硬化膜の密度を向上させるための重合性モノマーあるいは重合開始剤、架橋剤、増感剤や、保存安定性を向上させるための重合禁止剤等が添加されていてもよい。特に、光架橋性のシリコーン系ポリマーを用いる場合には、前述のごとく感光性の架橋剤、光重合開始剤、光増感剤等が添加されていてもよい。感光性架橋剤や光重合開始剤は、ラジカル反応あるいは架橋反応による膜硬化を引き起こすための添加剤であり、感光性架橋剤としては、芳香族アジド化合物、芳香族ビスアジド化合物、イミノキノンジアジド化合物、芳香族ジアゾ化合物や有機ハロゲン化合物などの光照射によりラジカル活性種を生成する感光性化合物が挙げられ、光重合開始剤としては、カルボニル化合物、ジカルボニル化合物、アセトフェノン、ベンゾインエーテル、アシルフォスフィンオキシド、チオキサンソン、アミノカルボニル化合物、含窒素化合物などが挙げられる。
このシリコーン系ポリマーの溶液中には、磁気抵抗薄膜の表面との接着性を向上するためのシランカップリング剤、硬化膜の密度を向上させるための重合性モノマーあるいは重合開始剤、架橋剤、増感剤や、保存安定性を向上させるための重合禁止剤等が添加されていてもよい。特に、光架橋性のシリコーン系ポリマーを用いる場合には、前述のごとく感光性の架橋剤、光重合開始剤、光増感剤等が添加されていてもよい。感光性架橋剤や光重合開始剤は、ラジカル反応あるいは架橋反応による膜硬化を引き起こすための添加剤であり、感光性架橋剤としては、芳香族アジド化合物、芳香族ビスアジド化合物、イミノキノンジアジド化合物、芳香族ジアゾ化合物や有機ハロゲン化合物などの光照射によりラジカル活性種を生成する感光性化合物が挙げられ、光重合開始剤としては、カルボニル化合物、ジカルボニル化合物、アセトフェノン、ベンゾインエーテル、アシルフォスフィンオキシド、チオキサンソン、アミノカルボニル化合物、含窒素化合物などが挙げられる。
上記磁気抵抗センサ素子の磁気抵抗薄膜（細線６）は、センサの種類により異なるが、Ａｕ、Ａｌ、Ａｇ、Ｂｉ、Ｃｅ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｃｏ、Ｃ、Ｆｅ、Ｈｆ、Ｉｎ、Ｍｏ、Ｍｇ、Ｎｉ、Ｎｂ、Ｐｂ、Ｐｔ、Ｓｉ、Ｓｎ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｖ、Ｗ、Ｚｎ、Ｚｒなどの金属や、これらの金属からなる合金、酸化物、窒化物、珪化物、硫化物、炭化物、フッ化物などが用いられる。例えば、合金としては、Ａｌ−Ｃｕ、Ａｌ−Ｓｉ、Ｃｕ−Ｃｒ、Ｃｕ−Ｎｉ、Ｎｉ−Ｃｒ、Ｎｉ−Ｆｅ、Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ、Ｎｉ−Ｃｒ−Ｓｉ、Ａｌ−Ｓｃ、Ｃｏ−Ｃｒなど、酸化物としては、Ａｌ２Ｏ３、ＣｅＯ２、ＣｕＯ、Ｆｅ２Ｏ３、ＨｆＯ２、ＭｇＯ、Ｎｂ２Ｏ５、ＳｉＯ、ＳｉＯ２、ＴｉＯ、ＴｉＯ２、Ｔａ２Ｏ５、ＺｒＯ２など、窒化物としては、ＡｌＮ、Ｃｒ２Ｎ、Ｓｉ３Ｎ４、ＴｉＮ、ＺｒＮなど、珪化物としては、ＣｒＳｉ２、ＭｏＳｉ２．５、ＷＳｉ２、ＷＳｉ０．４など、硫化物としては、ＺｎＳ、炭化物としては、ＳｉＣ、ＴｉＣ、ＷＣなど、フッ化物としては、ＭｇＦ２などが用いられるが、上記に限定されるものではなく、磁気抵抗センサ素子を作製する上で必要な材料であれば、何でもよい。
巨大磁気抵抗薄膜の材料としては、特に、上記のうち、磁性体であるＮｉ、Ｃｏ、Ｆｅの金属や、これらの金属からなる合金、酸化物、窒化物、珪化物、硫化物、炭化物、フッ化物、非磁性体であるＣｕ、Ａｇ、Ｃｒの金属や、これらの金属からなる合金、酸化物、窒化物、珪化物、硫化物、炭化物、フッ化物が挙げられる。
また、巨大磁気抵抗薄膜は、上記磁性体からなる磁性層と上記非磁性体からなる非磁性層が交互に積層された薄膜を好ましく用いる。
また、巨大磁気抵抗薄膜は、上記磁性体からなる磁性層と上記非磁性体からなる非磁性層が交互に積層された薄膜を好ましく用いる。
上記磁気抵抗センサ素子は、その磁気抵抗薄膜を上記樹脂膜３上に形成することにより、センサ特性の劣化、あるいは細線６やサージ抵抗７などの位置ずれを防止することができ、さらに、制御回路２の上層配線２ｃなどの位置ずれも防止することも可能である。
また、この樹脂膜３は、大きな耐電圧性をもつため、制御回路２上に磁気抵抗薄膜を形成した場合、制御回路２に起因する電界によるセンサ特性の劣化を防止でき、さらに、制御回路２上にサージ抵抗７を形成した場合、サージ抵抗７に起因する電界による制御回路２の誤動作を防止できる。
また、この樹脂膜３は、残留応力が低い上、緩衝作用を有するので、磁気抵抗センサ素子全体を封止樹脂で封止する場合には、封止樹脂からの応力を緩衝し、細線６やサージ抵抗７などの位置ずれや、これによる磁気抵抗センサ素子の誤作動を防ぐことができる。
また、この樹脂膜３は、磁気抵抗センサ素子の製造プロセスの高熱処理（４００℃）に耐えうる耐熱性を有しており、また紫外線による分解もない。耐環境性に優れているので、制御回路２の保護膜としても有効である。さらに、ヒートサイクルテストによるセンサ特性評価でも、特性上の異常は認められない。
また、この樹脂膜３は、大きな耐電圧性をもつため、制御回路２上に磁気抵抗薄膜を形成した場合、制御回路２に起因する電界によるセンサ特性の劣化を防止でき、さらに、制御回路２上にサージ抵抗７を形成した場合、サージ抵抗７に起因する電界による制御回路２の誤動作を防止できる。
また、この樹脂膜３は、残留応力が低い上、緩衝作用を有するので、磁気抵抗センサ素子全体を封止樹脂で封止する場合には、封止樹脂からの応力を緩衝し、細線６やサージ抵抗７などの位置ずれや、これによる磁気抵抗センサ素子の誤作動を防ぐことができる。
また、この樹脂膜３は、磁気抵抗センサ素子の製造プロセスの高熱処理（４００℃）に耐えうる耐熱性を有しており、また紫外線による分解もない。耐環境性に優れているので、制御回路２の保護膜としても有効である。さらに、ヒートサイクルテストによるセンサ特性評価でも、特性上の異常は認められない。
本実施の形態では、表面に層間絶縁膜２ｄが形成された制御回路２上に樹脂膜３を形成し、応力緩衝膜や平坦化膜として機能させているが、本実施の形態のシリコーン系ポリマーは高純度であるので、これらのポリマーからなる樹脂膜３を、表面に層間絶縁膜２ｄを設けず、制御回路２上に直接形成し、応力緩衝膜および 平坦化膜の機能に加えて保護膜の機能も持たせることができる。この場合には、樹脂膜３は、回転塗布で樹脂膜３を形成するため、プラズマ照射による制御回路２の放射線ダメージも回避することができる。
本実施の形態では、樹脂膜３は、制御回路２を表面に形成したセンサ基板上に形成されているが、樹脂膜３を絶縁膜が形成されたセンサ基板上に形成してもよく、またガラス基板やシリコン基板などからなるセンサ基板上に直接形成してもよい。これらの場合もその樹脂膜上に磁気抵抗薄膜が形成される。
実施の形態２．
本実施の形態における磁気抵抗センサ素子は、実施の形態１の磁気抵抗センサ素子と同じ構造で、樹脂膜３に、実施の形態１で用いたのと同じ化学構造のシリコーン系ポリマーで、重量平均分子量が１０万未満の第１のシリコーン系ポリマーの膜と、重量平均分子量が１０万以上の第２のシリコーン系ポリマーの膜とを積層し、硬化した膜を用いるものである。
本実施の形態における磁気抵抗センサ素子は、実施の形態１の磁気抵抗センサ素子と同じ構造で、樹脂膜３に、実施の形態１で用いたのと同じ化学構造のシリコーン系ポリマーで、重量平均分子量が１０万未満の第１のシリコーン系ポリマーの膜と、重量平均分子量が１０万以上の第２のシリコーン系ポリマーの膜とを積層し、硬化した膜を用いるものである。
まず、重量平均分子量が１０万未満の第１のシリコーン系ポリマーのワニスを制御回路２上、すなわち層間絶縁膜２ｄ上に塗布する。次に、重量平均分子量が１０万以上の第２のシリコーン系ポリマーのワニスを上記重量平均分子量が１０万未満の第１のシリコーン系ポリマーの塗布膜状に塗布する。
ワニスを塗布後に融点付近（即ちポリマーの溶融温度以上でかつ硬化温度未満）で熱処理すると、重量平均分子量１０万未満の第１のシリコーン系ポリマーの膜は段差の低い方向へ溶融流動（リフロー）し、穴部を樹脂膜で効率よく埋め込むことができる。特に、重量平均分子量が１，０００〜１０，０００のポリマーはリフロー性が非常に高いので、好ましく用いることができる。
また、重量平均分子量１０万以上の第２のシリコーン系ポリマーは熱処理時の流動性（リフロー性）が低いので、穴埋め性は悪いが、段差被覆性は良く、さらに段差の矩形形状を滑らかにすることができる。特に、樹脂膜３上に形成する細線６やサージ抵抗７などの配線が、下地の矩形形状により断線する恐れがある場合は、この超高分子量のポリマーからなる樹脂膜を用いると効果が大きい。
ワニスを塗布後に融点付近（即ちポリマーの溶融温度以上でかつ硬化温度未満）で熱処理すると、重量平均分子量１０万未満の第１のシリコーン系ポリマーの膜は段差の低い方向へ溶融流動（リフロー）し、穴部を樹脂膜で効率よく埋め込むことができる。特に、重量平均分子量が１，０００〜１０，０００のポリマーはリフロー性が非常に高いので、好ましく用いることができる。
また、重量平均分子量１０万以上の第２のシリコーン系ポリマーは熱処理時の流動性（リフロー性）が低いので、穴埋め性は悪いが、段差被覆性は良く、さらに段差の矩形形状を滑らかにすることができる。特に、樹脂膜３上に形成する細線６やサージ抵抗７などの配線が、下地の矩形形状により断線する恐れがある場合は、この超高分子量のポリマーからなる樹脂膜を用いると効果が大きい。
即ち、まず、リフロー性が高く、穴埋め性が良好な重量平均分子量が低いポリマーからなる樹脂膜を形成することで段差の矩形部の形状は残るが、段差部分をある程度樹脂膜で埋め込むことができる。次にこの表面に段差被覆性が良好な重量平均分子量が高いポリマーからなる樹脂膜を積層することにより、矩形部を滑らかにし、さらに残存の段差を埋め込むことでより平坦な状態にすることができる。
また、重量平均分子量が低いポリマーからなる樹脂膜はクラック耐性がより低く、厚膜形成が困難なため、重量平均分子量が１０万以上の第２のシリコーン系ポリマーからなる樹脂膜を先に形成して、段差を多少減らして重量平均分子量が１０万未満の第１のシリコーン系ポリマーからなる樹脂膜をクラック発生限界以下の膜厚で形成しても良い。
本実施の形態では、重量平均分子量が１０万未満の第１のシリコーン系ポリマーとして、３００℃未満に融点を有するポリマーが用いられ、重量平均分子量が１０万以上の第２のシリコーン系ポリマーとして、３００℃以上に融点を有するポリマーを用いても良い。
実施の形態３．
本実施の形態における磁気抵抗センサ素子は、実施の形態１の磁気抵抗センサ素子と同じ構造で、樹脂膜３に、実施の形態１で用いたのと同じ化学構造のシリコーン系ポリマーで、重量平均分子量が１０万未満の第１のシリコーン系ポリマーと、重量平均分子量が１０万以上の第２のシリコーン系ポリマーとを混合したシリコーン系ポリマーの硬化膜を用いるものである。
すなわち、リフロー性の高いシリコーン系ポリマーとリフロー性の低いシリコーン系ポリマーとの混合物を用いることで、耐クラック性と穴埋め性を併せ持つ樹脂膜３を形成することができ、一度の塗布で高い平坦度を得ることができる。穴埋め性が必要な場合は、重量平均分子量が１０万未満の第１のシリコーン系ポリマーを、５０％以上９０％以下含む混合物が好ましく、耐クラック性が必要な場合は重量平均分子量が１０万以上の第２のシリコーン系ポリマーを、５０％より多く９０％以下含む混合物を用いれば良い。
本実施の形態における磁気抵抗センサ素子は、実施の形態１の磁気抵抗センサ素子と同じ構造で、樹脂膜３に、実施の形態１で用いたのと同じ化学構造のシリコーン系ポリマーで、重量平均分子量が１０万未満の第１のシリコーン系ポリマーと、重量平均分子量が１０万以上の第２のシリコーン系ポリマーとを混合したシリコーン系ポリマーの硬化膜を用いるものである。
すなわち、リフロー性の高いシリコーン系ポリマーとリフロー性の低いシリコーン系ポリマーとの混合物を用いることで、耐クラック性と穴埋め性を併せ持つ樹脂膜３を形成することができ、一度の塗布で高い平坦度を得ることができる。穴埋め性が必要な場合は、重量平均分子量が１０万未満の第１のシリコーン系ポリマーを、５０％以上９０％以下含む混合物が好ましく、耐クラック性が必要な場合は重量平均分子量が１０万以上の第２のシリコーン系ポリマーを、５０％より多く９０％以下含む混合物を用いれば良い。
本実施の形態では、重量平均分子量が１０万未満の第１のシリコーン系ポリマーとして、３００℃未満に融点を有するポリマーが用い、重量平均分子量が１０万以上の第２のシリコーン系ポリマーとして、３００℃以上に融点を有するポリマーを用いても良い。
次に、実施例により、本発明の効果をさらに詳細に説明する。
実施例１.
本実施例の磁気抵抗センサ素子１０は、シリコンウエハからなるセンサ基板１の表面に制御回路２が設けられており、さらに、制御回路２の表面には、凹凸な制御回路表面を覆い平坦化する硬化樹脂膜３が設けられている。そして、この樹脂膜３上に磁気抵抗効果を示す磁性金属からなる細線６が形成されている。また、細線６の表面にはパッシベーション膜９が形成されている。
本実施例の磁気抵抗センサ素子１０は、シリコンウエハからなるセンサ基板１の表面に制御回路２が設けられており、さらに、制御回路２の表面には、凹凸な制御回路表面を覆い平坦化する硬化樹脂膜３が設けられている。そして、この樹脂膜３上に磁気抵抗効果を示す磁性金属からなる細線６が形成されている。また、細線６の表面にはパッシベーション膜９が形成されている。
制御回路２は、通常バイポーラＩＣによって構成され、シリコンウエハからなるセンサ基板１の表面側に形成された下層配線２ａと下層絶縁膜２ｂと上層配線２ｃと、これらの表面にスパッタリング法やＣＶＤ法により形成されたシリコン窒化膜の層間絶縁膜２ｄから構成される。
細線６は、Ｃｏの磁性金属膜とＣｕの非磁性金属膜の積層構造から構成される巨大磁気抵抗薄膜の磁気抵抗センサ素子本体である。
細線６の表面のパッシベーション膜９は、スパッタリング法で形成されたシリコン窒化膜である。
細線６は、Ｃｏの磁性金属膜とＣｕの非磁性金属膜の積層構造から構成される巨大磁気抵抗薄膜の磁気抵抗センサ素子本体である。
細線６の表面のパッシベーション膜９は、スパッタリング法で形成されたシリコン窒化膜である。
本実施例の樹脂膜３は以下の方法で形成した。
まず、重量平均分子量が３万であり、ｋ：ｌ：ｍ：ｎ＝１０：６０：２５：５の比率であるシリコーン系ポリマーＳ1であって、Ｒ１がフェニル基、Ｒ２とＲ３とがメチル基、Ｒ４とＲ５とＲ６とがすべて水素原子であり、分子の末端が水酸基（シラノール基：Ｓｉ-ＯＨ）であり、融点が２００℃であるシリコーン系ポリマーを、Ｎ−メチルピロリドンに溶かしたワニスを調製する。
次に、このワニスを上記シリコン窒化膜の層間絶縁膜２ｄ表面に毎分２０００回転の速度で回転塗布し、ホットプレート上で１５０℃／５分間熱処理して乾燥した。さらに、クリーンオーブン中で、窒素気流下で、室温から３００℃まで昇温し、さらに３００℃で１時間ポストベークを行い、完全に硬化させ、約１μｍの膜厚の樹脂膜３を形成した。
まず、重量平均分子量が３万であり、ｋ：ｌ：ｍ：ｎ＝１０：６０：２５：５の比率であるシリコーン系ポリマーＳ1であって、Ｒ１がフェニル基、Ｒ２とＲ３とがメチル基、Ｒ４とＲ５とＲ６とがすべて水素原子であり、分子の末端が水酸基（シラノール基：Ｓｉ-ＯＨ）であり、融点が２００℃であるシリコーン系ポリマーを、Ｎ−メチルピロリドンに溶かしたワニスを調製する。
次に、このワニスを上記シリコン窒化膜の層間絶縁膜２ｄ表面に毎分２０００回転の速度で回転塗布し、ホットプレート上で１５０℃／５分間熱処理して乾燥した。さらに、クリーンオーブン中で、窒素気流下で、室温から３００℃まで昇温し、さらに３００℃で１時間ポストベークを行い、完全に硬化させ、約１μｍの膜厚の樹脂膜３を形成した。
次に、通常のフォトリソグラフィーを行い、ｉ線用ポジレジストパターン５を得、このｉ線用ポジレジストパターン５をマスクとして、樹脂膜３をドライエッチングして、樹脂膜３の所定の部分が開口を設けた。
次に、この樹脂膜３上に磁気抵抗効果を示す磁性金属からなる細線６を形成する。次に、細線６と制御回路の上層配線２ｃとを接続し、細線６の表面を、スパッタリング法で形成したシリコン窒化膜のパッシベーション膜９を形成し、磁気抵抗センサ素子１０を作製した。
次に、この樹脂膜３上に磁気抵抗効果を示す磁性金属からなる細線６を形成する。次に、細線６と制御回路の上層配線２ｃとを接続し、細線６の表面を、スパッタリング法で形成したシリコン窒化膜のパッシベーション膜９を形成し、磁気抵抗センサ素子１０を作製した。
このようにして得られた磁気抵抗センサ素子１０をエポキシ樹脂で樹脂封止した後、センサ感度（初期）と耐ヒートサイクル性とを評価して、得られた結果を表１に示した。
センサの感度（ＭＲ）は、磁束密度変化に対する抵抗増加率として表されるので、下記の式から求めた。
ＭＲ＝（Ｒmax−Ｒmin）×１００／Ｒmin （％）
Ｒmax：磁界をかけていない時の抵抗
Ｒmin：１２００ガウスの磁界をかけた時の抵抗
耐ヒートサイクル性は、液層ヒートショック試験装置を用い、１４０℃に５分間の保持と４０℃に５分間の保持とを１サイクルとして、２００００サイクルのヒートサイクル試験を行った後、上記センサ感度を示すＭＲ値（ヒートサイクル試験後）を求めた後、磁気抵抗センサ素子を開封し、樹脂膜３におけるクラック発生の有無を顕微鏡で観察して評価した。
本実施例で得られた磁気抵抗センサ素子は、センサ感度を示すＭＲ値が３８％と、比較例１に示すセンサ素子本体を無機膜上に作製したもののＭＲ値の２６％に比べてかなり大きく、センサ感度が大幅に向上した。また、上記２００００サイクルのヒートサイクル試験後も、ＭＲ値の低下もなく、樹脂膜にクラックの発生も認められず、耐ヒートサイクル性が優れていた。
これは、磁気抵抗薄膜と密着性が優れ靭性が高いシリコーン系樹脂膜を下層に設けることで、封止樹脂から受ける応力を樹脂膜が大きく変形をすることなしに緩和することにより、磁気抵抗薄膜の細線の位置ずれがなくなったためである。
また、本実施例のシリコーン樹脂膜が、靭性が高く耐光性や耐熱性が優れているので、従来の樹脂膜で見られたような、成膜後の製造工程の処理中における分解や、ヒートサイクル試験によるクラックが発生がないためである。
センサの感度（ＭＲ）は、磁束密度変化に対する抵抗増加率として表されるので、下記の式から求めた。
ＭＲ＝（Ｒmax−Ｒmin）×１００／Ｒmin （％）
Ｒmax：磁界をかけていない時の抵抗
Ｒmin：１２００ガウスの磁界をかけた時の抵抗
耐ヒートサイクル性は、液層ヒートショック試験装置を用い、１４０℃に５分間の保持と４０℃に５分間の保持とを１サイクルとして、２００００サイクルのヒートサイクル試験を行った後、上記センサ感度を示すＭＲ値（ヒートサイクル試験後）を求めた後、磁気抵抗センサ素子を開封し、樹脂膜３におけるクラック発生の有無を顕微鏡で観察して評価した。
本実施例で得られた磁気抵抗センサ素子は、センサ感度を示すＭＲ値が３８％と、比較例１に示すセンサ素子本体を無機膜上に作製したもののＭＲ値の２６％に比べてかなり大きく、センサ感度が大幅に向上した。また、上記２００００サイクルのヒートサイクル試験後も、ＭＲ値の低下もなく、樹脂膜にクラックの発生も認められず、耐ヒートサイクル性が優れていた。
これは、磁気抵抗薄膜と密着性が優れ靭性が高いシリコーン系樹脂膜を下層に設けることで、封止樹脂から受ける応力を樹脂膜が大きく変形をすることなしに緩和することにより、磁気抵抗薄膜の細線の位置ずれがなくなったためである。
また、本実施例のシリコーン樹脂膜が、靭性が高く耐光性や耐熱性が優れているので、従来の樹脂膜で見られたような、成膜後の製造工程の処理中における分解や、ヒートサイクル試験によるクラックが発生がないためである。
実施例２.
樹脂膜３を形成するために調製されたワニスに、重量平均分子量が３万であり、ｋ：ｍ：ｎ＝１０：２５：５の比率であるシリコーン系ポリマーＳ2であって、Ｒ２とＲ３とがメチル基、Ｒ４とＲ５とＲ６とがすべて水素原子であり、分子の末端が水酸基（シラノール基：Ｓｉ-ＯＨ）であり、融点が２００℃であるシリコーン系ポリマーを、Ｎ−メチルピロリドンに溶かしたワニスを用いた以外、実施例１と同様にして、磁気抵抗センサ素子１０を作製した。
このようにして得られた磁気抵抗センサ素子１０をエポキシ樹脂で樹脂封止した後、実施例１と同様にして、センサ感度（初期）と耐ヒートサイクル性とを評価して、得られた結果を表１に示した。
本実施例で得られた磁気抵抗センサ素子は、ＭＲ値が３９％と、比較例１に示すセンサ素子本体を無機膜上に作製したものよりかなり大きく、センサ感度が大幅に向上した。また、上記２００００サイクルのヒートサイクル試験後も、ＭＲ値の低下もなく、樹脂膜にクラックの発生が認められず、耐ヒートサイクル性が優れていた。
樹脂膜３を形成するために調製されたワニスに、重量平均分子量が３万であり、ｋ：ｍ：ｎ＝１０：２５：５の比率であるシリコーン系ポリマーＳ2であって、Ｒ２とＲ３とがメチル基、Ｒ４とＲ５とＲ６とがすべて水素原子であり、分子の末端が水酸基（シラノール基：Ｓｉ-ＯＨ）であり、融点が２００℃であるシリコーン系ポリマーを、Ｎ−メチルピロリドンに溶かしたワニスを用いた以外、実施例１と同様にして、磁気抵抗センサ素子１０を作製した。
このようにして得られた磁気抵抗センサ素子１０をエポキシ樹脂で樹脂封止した後、実施例１と同様にして、センサ感度（初期）と耐ヒートサイクル性とを評価して、得られた結果を表１に示した。
本実施例で得られた磁気抵抗センサ素子は、ＭＲ値が３９％と、比較例１に示すセンサ素子本体を無機膜上に作製したものよりかなり大きく、センサ感度が大幅に向上した。また、上記２００００サイクルのヒートサイクル試験後も、ＭＲ値の低下もなく、樹脂膜にクラックの発生が認められず、耐ヒートサイクル性が優れていた。
実施例３.
樹脂膜３を形成するために調製されたワニスに、重量平均分子量が３万であり、ｌ：ｍ：ｎ＝６０：２５：５の比率であるシリコーン系ポリマーＳ3であって、Ｒ１がフェニル基、Ｒ２とＲ３とがメチル基、Ｒ４とＲ５とＲ６とがすべて水素原子であり、分子の末端が水酸基（シラノール基：Ｓｉ-ＯＨ）であり、融点が２００℃であるシリコーン系ポリマーを、Ｎ−メチルピロリドンに溶かしたワニスを用いた以外、実施例１と同様にして、磁気抵抗センサ素子１０を作製した。
このようにして得られた磁気抵抗センサ素子１０をエポキシ樹脂で樹脂封止した後、実施例１と同様にして、センサ感度（初期）と耐ヒートサイクル性とを評価して、得られた結果を表１に示した。
本実施例で得られた磁気抵抗センサ素子は、ＭＲ値が３５％と、比較例１に示すセンサ素子本体を無機膜上に作製したものよりかなり大きく、センサ感度が大幅に向上した。また、上記２００００サイクルのヒートサイクル試験後も、ＭＲ値の低下もなく、樹脂膜にクラックの発生が認められず、耐ヒートサイクル性が優れていた。
樹脂膜３を形成するために調製されたワニスに、重量平均分子量が３万であり、ｌ：ｍ：ｎ＝６０：２５：５の比率であるシリコーン系ポリマーＳ3であって、Ｒ１がフェニル基、Ｒ２とＲ３とがメチル基、Ｒ４とＲ５とＲ６とがすべて水素原子であり、分子の末端が水酸基（シラノール基：Ｓｉ-ＯＨ）であり、融点が２００℃であるシリコーン系ポリマーを、Ｎ−メチルピロリドンに溶かしたワニスを用いた以外、実施例１と同様にして、磁気抵抗センサ素子１０を作製した。
このようにして得られた磁気抵抗センサ素子１０をエポキシ樹脂で樹脂封止した後、実施例１と同様にして、センサ感度（初期）と耐ヒートサイクル性とを評価して、得られた結果を表１に示した。
本実施例で得られた磁気抵抗センサ素子は、ＭＲ値が３５％と、比較例１に示すセンサ素子本体を無機膜上に作製したものよりかなり大きく、センサ感度が大幅に向上した。また、上記２００００サイクルのヒートサイクル試験後も、ＭＲ値の低下もなく、樹脂膜にクラックの発生が認められず、耐ヒートサイクル性が優れていた。
実施例４.
樹脂膜３を形成するために調製されたワニスに、重量平均分子量が３万であり、ｋ：ｌ：ｍ：ｎ＝１０：６０：２５：５の比率であるシリコーン系ポリマーＳ1であって、Ｒ１がメチル基、Ｒ２とＲ３とがフェニル基、Ｒ４とＲ５とＲ６とがすべて水素原子であり、分子の末端が水酸基（シラノール基：Ｓｉ-ＯＨ）であり、融点が２００℃であるシリコーン系ポリマーを、Ｎ−メチルピロリドンに溶かしたワニスを用いた以外、実施例１と同様にして、磁気抵抗センサ素子１０を作製した。
このようにして得られた磁気抵抗センサ素子１０をエポキシ樹脂で樹脂封止した後、実施例１と同様にして、センサ感度（初期）と耐ヒートサイクル性とを評価して、得られた結果を表１に示した。
本実施例で得られた磁気抵抗センサ素子は、ＭＲ値が３７％と、比較例１に示すセンサ素子本体を無機膜上に作製したものよりかなり大きく、センサ感度が大幅に向上した。また、上記２００００サイクルのヒートサイクル試験後も、ＭＲ値の低下もなく、樹脂膜にクラックの発生も認められず、耐ヒートサイクル性が優れていた。
樹脂膜３を形成するために調製されたワニスに、重量平均分子量が３万であり、ｋ：ｌ：ｍ：ｎ＝１０：６０：２５：５の比率であるシリコーン系ポリマーＳ1であって、Ｒ１がメチル基、Ｒ２とＲ３とがフェニル基、Ｒ４とＲ５とＲ６とがすべて水素原子であり、分子の末端が水酸基（シラノール基：Ｓｉ-ＯＨ）であり、融点が２００℃であるシリコーン系ポリマーを、Ｎ−メチルピロリドンに溶かしたワニスを用いた以外、実施例１と同様にして、磁気抵抗センサ素子１０を作製した。
このようにして得られた磁気抵抗センサ素子１０をエポキシ樹脂で樹脂封止した後、実施例１と同様にして、センサ感度（初期）と耐ヒートサイクル性とを評価して、得られた結果を表１に示した。
本実施例で得られた磁気抵抗センサ素子は、ＭＲ値が３７％と、比較例１に示すセンサ素子本体を無機膜上に作製したものよりかなり大きく、センサ感度が大幅に向上した。また、上記２００００サイクルのヒートサイクル試験後も、ＭＲ値の低下もなく、樹脂膜にクラックの発生も認められず、耐ヒートサイクル性が優れていた。
実施例５.
樹脂膜３を形成するために調製されたワニスに、重量平均分子量が３万であり、ｋ：ｌ：ｍ：ｎ＝１０：６０：２５：５の比率であるシリコーン系ポリマーＳ1であって、Ｒ１が水素原子、Ｒ２とＲ３とがメチル基、Ｒ４とＲ５とＲ６とがすべてビニル基であり、分子の末端が水酸基（シラノール基：Ｓｉ-ＯＨ）であり、融点が２００℃であるシリコーン系ポリマーを、Ｎ−メチルピロリドンに溶かしたワニスを用いた以外、実施例１と同様にして、磁気抵抗センサ素子１０を作製した。
このようにして得られた磁気抵抗センサ素子１０をエポキシ樹脂で樹脂封止した後、実施例１と同様にして、センサ感度（初期）と耐ヒートサイクル性とを評価して、得られた結果を表１に示した。
本実施例で得られた磁気抵抗センサ素子は、ＭＲ値が３６％と、比較例１に示すセンサ素子本体を無機膜上に作製したものよりかなり大きく、センサ感度が大幅に向上した。また、上記２００００サイクルのヒートサイクル試験後も、ＭＲ値の低下もなく、樹脂膜にクラックの発生も認められず、耐ヒートサイクル性が優れていた。
樹脂膜３を形成するために調製されたワニスに、重量平均分子量が３万であり、ｋ：ｌ：ｍ：ｎ＝１０：６０：２５：５の比率であるシリコーン系ポリマーＳ1であって、Ｒ１が水素原子、Ｒ２とＲ３とがメチル基、Ｒ４とＲ５とＲ６とがすべてビニル基であり、分子の末端が水酸基（シラノール基：Ｓｉ-ＯＨ）であり、融点が２００℃であるシリコーン系ポリマーを、Ｎ−メチルピロリドンに溶かしたワニスを用いた以外、実施例１と同様にして、磁気抵抗センサ素子１０を作製した。
このようにして得られた磁気抵抗センサ素子１０をエポキシ樹脂で樹脂封止した後、実施例１と同様にして、センサ感度（初期）と耐ヒートサイクル性とを評価して、得られた結果を表１に示した。
本実施例で得られた磁気抵抗センサ素子は、ＭＲ値が３６％と、比較例１に示すセンサ素子本体を無機膜上に作製したものよりかなり大きく、センサ感度が大幅に向上した。また、上記２００００サイクルのヒートサイクル試験後も、ＭＲ値の低下もなく、樹脂膜にクラックの発生も認められず、耐ヒートサイクル性が優れていた。
実施例６.
樹脂膜３を形成するワニスとして、まず、重量平均分子量が０．４万であり、ｋ：ｌ：ｍ：ｎ＝５：５０：４０：５の比率であるシリコーン系ポリマーＳ1であって、Ｒ１とＲ２とＲ３とＲ４とＲ５とＲ６とがすべてメチル基であり、分子の末端が水酸基（シラノール基：Ｓｉ-ＯＨ）であり、融点が１００℃である第１のシリコーン系ポリマーを、メタノールに２０重量％になるように溶解させた第１のワニスを調製した。次に、平均分子量が３２万であり、ｌ：ｍ：ｎ＝９０：９：１の比率であるシリコーン系ポリマーＳ3であって、Ｒ１の１０mol％がビニル基で、９０mol％がフェニル基であり、Ｒ２とＲ３とがフェニル基であり、Ｒ４とＲ５とＲ６とがメチル基であり、分子の末端が水酸基（シラノール基：Ｓｉ-ＯＨ）であり、融点が３５０℃である第２のシリコーン系ポリマーをメトキシベンゼンに１０重量％になるように溶解させ、このポリマーに対して１重量％のγーアミノプロピルトリメトキシシランを添加した第２のワニスを調製した。
樹脂膜３を形成するワニスとして、まず、重量平均分子量が０．４万であり、ｋ：ｌ：ｍ：ｎ＝５：５０：４０：５の比率であるシリコーン系ポリマーＳ1であって、Ｒ１とＲ２とＲ３とＲ４とＲ５とＲ６とがすべてメチル基であり、分子の末端が水酸基（シラノール基：Ｓｉ-ＯＨ）であり、融点が１００℃である第１のシリコーン系ポリマーを、メタノールに２０重量％になるように溶解させた第１のワニスを調製した。次に、平均分子量が３２万であり、ｌ：ｍ：ｎ＝９０：９：１の比率であるシリコーン系ポリマーＳ3であって、Ｒ１の１０mol％がビニル基で、９０mol％がフェニル基であり、Ｒ２とＲ３とがフェニル基であり、Ｒ４とＲ５とＲ６とがメチル基であり、分子の末端が水酸基（シラノール基：Ｓｉ-ＯＨ）であり、融点が３５０℃である第２のシリコーン系ポリマーをメトキシベンゼンに１０重量％になるように溶解させ、このポリマーに対して１重量％のγーアミノプロピルトリメトキシシランを添加した第２のワニスを調製した。
この第１ワニスを層間絶縁膜２ｄの表面に毎分２０００回転の速度で回転塗布し、ホットプレート上で、第１のシリコーン系ポリマーを、その融点付近の１００℃から２５０℃まで昇温させながら熱処理を行い、第１のシリコーン系ポリマーをリフローさせるとともに硬化させた後に、真空オーブンで３５０℃で１時間焼成して、膜厚０．３μｍの第１の樹脂膜を形成した。しかし、この樹脂膜は十分な厚さを形成できないので、第１樹脂膜の表面には、まだ０．７μｍの段差が残っている。
次に、第２のワニスを、第１の樹脂膜表面に毎分２５００回転の速度で回転塗布し、ホットプレート上で２５０℃で５分間熱処理して、第２のシリコーン系ポリマーを固化した後に、真空オーブンで３５０℃で１５分間の熱処理によりリフローさせるとともに硬化させた。さらに、この樹脂膜を、窒素雰囲気下のオーブン中で３７５℃で１時間ポストベークを行い完全に硬化させて、樹脂膜３とした。
樹脂膜３をこのような構成にすることにより、配線パターンの蜜な細線の段差を浸入性に優れた第１のシリコーン系ポリマーで埋め、次に第１のシリコーン系ポリマーから得られた第１樹脂膜の表面の段差を、段差被覆性が優れた第２のシリコーン系ポリマーで埋めるので、ボイドがなく平坦性に優れた表面の樹脂膜３を得ることができた。
上記のようにして樹脂膜３を形成した以外、実施例１と同様にして磁気抵抗センサ素子１０を作製した。
次に、第２のワニスを、第１の樹脂膜表面に毎分２５００回転の速度で回転塗布し、ホットプレート上で２５０℃で５分間熱処理して、第２のシリコーン系ポリマーを固化した後に、真空オーブンで３５０℃で１５分間の熱処理によりリフローさせるとともに硬化させた。さらに、この樹脂膜を、窒素雰囲気下のオーブン中で３７５℃で１時間ポストベークを行い完全に硬化させて、樹脂膜３とした。
樹脂膜３をこのような構成にすることにより、配線パターンの蜜な細線の段差を浸入性に優れた第１のシリコーン系ポリマーで埋め、次に第１のシリコーン系ポリマーから得られた第１樹脂膜の表面の段差を、段差被覆性が優れた第２のシリコーン系ポリマーで埋めるので、ボイドがなく平坦性に優れた表面の樹脂膜３を得ることができた。
上記のようにして樹脂膜３を形成した以外、実施例１と同様にして磁気抵抗センサ素子１０を作製した。
このようにして得られた磁気抵抗センサ素子１０をエポキシ樹脂で樹脂封止した後、実施例１と同様にして、センサ感度（初期）と耐ヒートサイクル性とを評価して、得られた結果を表１に示した。
本実施例で得られた磁気抵抗センサ素子は、ＭＲ値が３９％と、比較例１に示すセンサ素子本体を無機膜上に作製したものよりかなり大きく、センサ感度が大幅に向上した。また、上記２００００サイクルのヒートサイクル試験後も、ＭＲ値の低下もなく、樹脂膜にクラックの発生も認められず、耐ヒートサイクル性が優れていた。
本実施例で得られた磁気抵抗センサ素子は、ＭＲ値が３９％と、比較例１に示すセンサ素子本体を無機膜上に作製したものよりかなり大きく、センサ感度が大幅に向上した。また、上記２００００サイクルのヒートサイクル試験後も、ＭＲ値の低下もなく、樹脂膜にクラックの発生も認められず、耐ヒートサイクル性が優れていた。
実施例７.
実施例６で用いた第２のワニスを、層間絶縁膜２ｄの表面に毎分２５００回転の速度で回転塗布し、ホットプレート上で２５０℃で５分間熱処理して、第２のシリコーン系ポリマーを固化させた後に、真空オーブンで３５０℃で１５分間の熱処理によりリフローさせるとともに硬化させ、膜厚０．８μｍの第２のシリコーン系ポリマーの硬化膜を形成した。この第２のシリコーン系ポリマーは段差被覆性がよいが、その硬化膜表面には、０．２μｍ段差が残る。
次に、この第２のシリコーン系ポリマーの硬化膜の表面に、実施例６で用いた第１ワニスを、毎分２０００回転の速度で回転塗布し、ホットプレート上で、第１のシリコーン系ポリマーを、その融点付近の１００℃から２５０℃まで昇温させながら熱処理を行い、第１のシリコーン系ポリマーをリフローさせるとともに硬化した。さらに、この２層構造の樹脂膜を、窒素雰囲気下のオーブン中で３７５℃で１時間ポストベークを行い完全に硬化させて、樹脂膜３とした。
樹脂膜３をこのような構成にすることにより、第２のシリコーン系ポリマーの硬化膜の表面の段差を完全に埋めることができ、平坦性に優れた樹脂膜３を形成できた。
上記のようにして樹脂膜３を形成した以外、実施例１と同様にして磁気抵抗センサ素子１０を作製した。
実施例６で用いた第２のワニスを、層間絶縁膜２ｄの表面に毎分２５００回転の速度で回転塗布し、ホットプレート上で２５０℃で５分間熱処理して、第２のシリコーン系ポリマーを固化させた後に、真空オーブンで３５０℃で１５分間の熱処理によりリフローさせるとともに硬化させ、膜厚０．８μｍの第２のシリコーン系ポリマーの硬化膜を形成した。この第２のシリコーン系ポリマーは段差被覆性がよいが、その硬化膜表面には、０．２μｍ段差が残る。
次に、この第２のシリコーン系ポリマーの硬化膜の表面に、実施例６で用いた第１ワニスを、毎分２０００回転の速度で回転塗布し、ホットプレート上で、第１のシリコーン系ポリマーを、その融点付近の１００℃から２５０℃まで昇温させながら熱処理を行い、第１のシリコーン系ポリマーをリフローさせるとともに硬化した。さらに、この２層構造の樹脂膜を、窒素雰囲気下のオーブン中で３７５℃で１時間ポストベークを行い完全に硬化させて、樹脂膜３とした。
樹脂膜３をこのような構成にすることにより、第２のシリコーン系ポリマーの硬化膜の表面の段差を完全に埋めることができ、平坦性に優れた樹脂膜３を形成できた。
上記のようにして樹脂膜３を形成した以外、実施例１と同様にして磁気抵抗センサ素子１０を作製した。
このようにして得られた磁気抵抗センサ素子１０をエポキシ樹脂で樹脂封止した後、実施例１と同様にして、センサ感度（初期）と耐ヒートサイクル性とを評価して、得られた結果を表１に示した。
本実施例で得られた磁気抵抗センサ素子は、ＭＲ値が４０％と、比較例１に示すセンサ素子本体を無機膜上に作製したものよりかなり大きく、センサ感度が大幅に向上した。また、上記２００００サイクルのヒートサイクル試験後も、ＭＲ値の低下もなく、樹脂膜にクラックの発生も認められず、耐ヒートサイクル性が優れていた。
本実施例で得られた磁気抵抗センサ素子は、ＭＲ値が４０％と、比較例１に示すセンサ素子本体を無機膜上に作製したものよりかなり大きく、センサ感度が大幅に向上した。また、上記２００００サイクルのヒートサイクル試験後も、ＭＲ値の低下もなく、樹脂膜にクラックの発生も認められず、耐ヒートサイクル性が優れていた。
実施例８
樹脂膜３を形成するために調製されたワニスとして、重量平均分子量が０．３万であり、ｌ：ｍ：ｎ＝９０：４０：５の比率であるシリコーン系ポリマーＳ3であって、Ｒ１がフェニル基であり、Ｒ２とＲ３とがビニル基、Ｒ４とＲ５とＲ６とがメチル基であり、分子の末端が水酸基（シラノール基：Ｓｉ-ＯＨ）であり、融点が１００℃である第１のシリコーン系ポリマーの７０重量部と、重量平均分子量が２０万であり、ｋ：ｌ：ｍ：ｎ＝３：７２：２３：２の比率であるシリコーン系ポリマーＳ1であって、Ｒ１がの２５ｍｏｌ％がメチル基で、７５ｍｏｌ％がフェニル基、Ｒ２とＲ３とＲ４とＲ５とＲ６とがメチル基であり、分子の末端が水酸基（シラノール基：Ｓｉ-ＯＨ）であり、融点が３４０℃である第２のシリコーン系ポリマーの３０重量部とを混合した混合物を、メトキシベンゼンに３０重量％になるように溶解させたワニスを用いた以外実施例１と同様にして磁気抵抗センサ素子１０を作製した。
樹脂膜３を形成するために調製されたワニスとして、重量平均分子量が０．３万であり、ｌ：ｍ：ｎ＝９０：４０：５の比率であるシリコーン系ポリマーＳ3であって、Ｒ１がフェニル基であり、Ｒ２とＲ３とがビニル基、Ｒ４とＲ５とＲ６とがメチル基であり、分子の末端が水酸基（シラノール基：Ｓｉ-ＯＨ）であり、融点が１００℃である第１のシリコーン系ポリマーの７０重量部と、重量平均分子量が２０万であり、ｋ：ｌ：ｍ：ｎ＝３：７２：２３：２の比率であるシリコーン系ポリマーＳ1であって、Ｒ１がの２５ｍｏｌ％がメチル基で、７５ｍｏｌ％がフェニル基、Ｒ２とＲ３とＲ４とＲ５とＲ６とがメチル基であり、分子の末端が水酸基（シラノール基：Ｓｉ-ＯＨ）であり、融点が３４０℃である第２のシリコーン系ポリマーの３０重量部とを混合した混合物を、メトキシベンゼンに３０重量％になるように溶解させたワニスを用いた以外実施例１と同様にして磁気抵抗センサ素子１０を作製した。
このようにして得られた磁気抵抗センサ素子１０をエポキシ樹脂で樹脂封止した後、実施例１と同様にして、センサ感度（初期）と耐ヒートサイクル性とを評価して、得られた結果を表１に示した。
本実施例で得られた磁気抵抗センサ素子は、ＭＲ値が３７％と、比較例１に示すセンサ素子本体を無機膜上に作製したものよりかなり大きく、センサ感度が大幅に向上した。また、上記２００００サイクルのヒートサイクル試験後も、ＭＲ値の低下もなく、樹脂膜にクラックの発生も認められず、耐ヒートサイクル性が優れていた。
本実施例で得られた磁気抵抗センサ素子は、ＭＲ値が３７％と、比較例１に示すセンサ素子本体を無機膜上に作製したものよりかなり大きく、センサ感度が大幅に向上した。また、上記２００００サイクルのヒートサイクル試験後も、ＭＲ値の低下もなく、樹脂膜にクラックの発生も認められず、耐ヒートサイクル性が優れていた。
比較例１.
樹脂膜３の代わりに、スパッタリング法で形成したシリコン窒化膜を用いた以外実施例１と同様にして、磁気抵抗センサ素子１０を作製した。
このようにして得られた磁気抵抗センサ素子１０をエポキシ樹脂で樹脂封止した後、実施例１と同様にして、センサ感度（初期）と耐ヒートサイクル性とを評価して、得られた結果を表１に示した。
本比較例で得られた磁気抵抗センサ素子は、初期のＭＲ値が２６％と、実施例１〜８のセンサ素子より小さかった。また、上記２００００サイクルのヒートサイクル試験後、その表面に磁気抵抗センサ素子を形成した上記シリコン窒化膜にクラックの発生が認められ、ＭＲ値は測定できなかった。
樹脂膜３の代わりに、スパッタリング法で形成したシリコン窒化膜を用いた以外実施例１と同様にして、磁気抵抗センサ素子１０を作製した。
このようにして得られた磁気抵抗センサ素子１０をエポキシ樹脂で樹脂封止した後、実施例１と同様にして、センサ感度（初期）と耐ヒートサイクル性とを評価して、得られた結果を表１に示した。
本比較例で得られた磁気抵抗センサ素子は、初期のＭＲ値が２６％と、実施例１〜８のセンサ素子より小さかった。また、上記２００００サイクルのヒートサイクル試験後、その表面に磁気抵抗センサ素子を形成した上記シリコン窒化膜にクラックの発生が認められ、ＭＲ値は測定できなかった。
１ 基板、２ 制御回路、３ 樹脂膜、６ 細線（磁気抵抗薄膜）、１０ 磁気抵抗センサ素子。
Claims (5)
- センサ基板と、このセンサ基板の表面に形成された制御回路と、この制御回路上に形成されたシリコーン系ポリマーの硬化膜からなる樹脂膜と、この樹脂膜上に形成された磁気抵抗薄膜の細線パターンとからなる磁気抵抗センサ素子であって、
上記シリコーン系ポリマーが、下記一般式（１）で表される化学構造ユニットＡおよび下記一般式（２）で表される化学構造ユニットＢの内から選ばれた少なくとも１種類の化学構造ユニットと、下記一般式（３）で表される化学構造ユニットＣと、下記一般式（４）で表される化学構造ユニットＤとが結合してなるシリコーン系ポリマーであることを特徴とする磁気抵抗センサ素子。
［Ｓｉ(Ｏ１／２)４］ｋ （１）
（ｋ≧１である。）
［Ｒ１Ｓｉ(Ｏ１／２)３］ｌ （２）
（ｌ≧１であり、Ｒ１はアリール基、水素原子、脂肪族アルキル基、トリアルキルシリル基または不飽和結合を有する官能基であり、同種でもよく、異種でもよい。）
［Ｒ２Ｒ３Ｓｉ(Ｏ１／２)２］ｍ （３）
（ｍ≧１であり、Ｒ２、Ｒ３はアリール基、水素原子、脂肪族アルキル基、トリアルキルシリル基または不飽和結合を有する官能基であり、同種でもよく、異種でもよい。）
［Ｒ４Ｒ５Ｒ６ＳｉＯ１／２］ｎ （４）
（ｎ≧１であり、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６はアリール基、水素原子、脂肪族アルキル基、トリアルキルシリル基または不飽和結合を有する官能基であり、同種でもよく、異種でもよい。） - 樹脂膜が、上記化学構造ユニットＡおよび上記化学構造ユニットＢの内から選ばれた少なくとも１種類の化学構造ユニットと上記化学構造ユニットＣと上記化学構造ユニットＤとが結合してなり、且つ重量平均分子量が１０万未満の第１のシリコーン系ポリマーの硬化膜と、上記化学構造ユニットＡおよび上記化学構造ユニットＢの内から選ばれた少なくとも１種類の化学構造ユニットと上記化学構造ユニットＣと上記化学構造ユニットＤとが結合してなり、且つ重量平均分子量が１０万以上の第２のシリコーン系ポリマーの硬化膜との積層膜であることを特徴とする請求項１に記載の磁気抵抗センサ素子。
- 樹脂膜が、上記化学構造ユニットＡおよび上記化学構造ユニットＢの内から選ばれた少なくとも１種類の化学構造ユニットと上記化学構造ユニットＣと上記化学構造ユニットＤとが結合してなり、且つ重量平均分子量が１０万未満の第１のシリコーン系ポリマーと、上記化学構造ユニットＡおよび上記化学構造ユニットＢの内から選ばれた少なくとも１種類の化学構造ユニットと上記化学構造ユニットＣと上記化学構造ユニットＤとが結合してなり、且つ重量平均分子量が１０万以上の第２のシリコーン系ポリマーとを溶解したワニスを用いて形成した混合シリコーン系ポリマーの硬化膜であることを特徴とする請求項１に記載の磁気抵抗センサ素子。
- 樹脂膜が、上記化学構造ユニットＡおよび上記化学構造ユニットＢの内から選ばれた少なくとも１種類の化学構造ユニットと上記化学構造ユニットＣと上記化学構造ユニットＤとが結合してなり、且つ３００℃未満に融点を有する第１のシリコーン系ポリマーの硬化膜と、上記化学構造ユニットＡおよび上記化学構造ユニットＢの内から選ばれた少なくとも１種類の化学構造ユニットと上記化学構造ユニットＣと上記化学構造ユニットＤとが結合してなり、且つ３００℃以上に融点を有する第２のシリコーン系ポリマーの硬化膜との積層膜であることを特徴とする請求項１に記載の磁気抵抗センサ素子。
- 樹脂膜が、上記化学構造ユニットＡおよび上記化学構造ユニットＢの内から選ばれた少なくとも１種類の化学構造ユニットと上記化学構造ユニットＣと上記化学構造ユニットＤとが結合してなり、且つ３００℃未満に融点を有する第１のシリコーン系ポリマーと、上記化学構造ユニットＡおよび上記化学構造ユニットＢの内から選ばれた少なくとも１種類の化学構造ユニットと上記化学構造ユニットＣと上記化学構造ユニットＤとが結合してなり、且つ３００℃以上に融点を有する第２のシリコーン系ポリマーとを溶解したワニスを用いて形成した混合シリコーン系ポリマーの硬化膜であることを特徴とする請求項１に記載の磁気抵抗センサ素子。
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-
2003
- 2003-12-16 JP JP2003418329A patent/JP2005183472A/ja active Pending
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